JP2000111617A - Multichip module and test method therefor - Google Patents

Multichip module and test method therefor

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JP2000111617A JP10292762A JP29276298A JP2000111617A JP 2000111617 A JP2000111617 A JP 2000111617A JP 10292762 A JP10292762 A JP 10292762A JP 29276298 A JP29276298 A JP 29276298A JP 2000111617 A JP2000111617 A JP 2000111617A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MCM having a structure capable of reliably specifying a failure chip in a multichip module(MCM) and specifying a position of a failure place, and a test method therefor. SOLUTION: In an MCM M1 by highly densely mounting plural bare chips on a multichip board having a thin film wiring layer, supply means P1 to P4 are arranged to individually supply a power source to the whole bare chips on the multichip board. In this MCM M1, a test is performed by successively repeating a procedure of supplying the power source to only a testing object bare chip among plural bare chips and of not supplying the power source to the other bare chips by changing the testing object bare chip.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、故障チップの検
出、導体配線パターンのオープンをチェックするのに必
要なスタンバイ電流測定、インサーキットテスト、リー
ク測定等の試験を精確に行うための構成を持つマルチチ
ップモジュール(MCM)及びその試験方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has a configuration for accurately performing a test such as a standby chip measurement, an in-circuit test, and a leak measurement necessary for detecting a defective chip, and checking whether a conductor wiring pattern is open. The present invention relates to a multi-chip module (MCM) and a test method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSI、あるいはVLSIのパッケージ
には、1チップを有する通常パッケージがある。この複
数の通常パッケージを用いプリント配線により接続した
半導体回路装置は古くから知られている。このような通
常パッケージによる半導体回路装置(以後、通常パッケ
ージ回路という)ではチップ間の配線距離による信号遅
延が大きく、高速化が妨げられるという問題があった。
これを改善するために、近年は、ベース基板に薄膜配線
層を形成し、複数のベアチップを接続し高密度化したマ
ルチチップモジュールの開発が急速に進んでいる。本発
明はこのマルチチップモジュールに関するものである。
通常パッケージ回路において、用いられるチップパッケ
ージは通常チップ自体の試験は済んで良品保証がなされ
ているものである。したがって、チップ自体のテスト、
例えばスタンバイ電流測定などは通常パッケージ回路に
おいては必要とはされない。一方、マルチチップモジュ
ールでは、搭載するベアチップは一般に良品保証がなさ
れていないものである。したがって、例えば搭載されて
いるベアチップの良否を判定するのに有用なスタンバイ
電流測定は必須のものとなる。このように通常パッケー
ジ回路とマルチチップモジュールとは異質な面があるた
め、マルチチップモジュールには通常パッケージ回路と
は異なる特有の課題が生じることとなる。以下に従来技
術とその課題について、もう少し詳細に説明する。
2. Description of the Related Art An LSI or VLSI package includes a normal package having one chip. Semiconductor circuit devices connected by printed wiring using a plurality of normal packages have been known for a long time. In such a semiconductor circuit device using a normal package (hereinafter, referred to as a normal package circuit), there is a problem that a signal delay due to a wiring distance between chips is large, and high speed operation is hindered.
In order to improve this, in recent years, the development of a multichip module in which a thin film wiring layer is formed on a base substrate and a plurality of bare chips are connected to increase the density has been rapidly progressing. The present invention relates to this multi-chip module.
In a normal package circuit, a chip package to be used is one whose normal chip has been tested and whose non-defective product is guaranteed. Therefore, testing of the chip itself,
For example, a standby current measurement is not usually required in a package circuit. On the other hand, in a multi-chip module, the bare chip to be mounted is generally not guaranteed to be good. Therefore, for example, a standby current measurement useful for determining the quality of a mounted bare chip is essential. As described above, the normal package circuit and the multi-chip module have different aspects, so that the multi-chip module has a specific problem different from that of the normal package circuit. The prior art and its problems will be described in more detail below.

【0003】従来、プリント基板上に実装される通常パ
ッケージにおいて、プリント基板でのインサーキットテ
ストでは、部品アイソレーションを行うために、抵抗素
子等の追加が行なわれている(例えば特開平3−213
000号公報)。又、プリント基板上に実装される通常
パッケージにおいて、上記のような抵抗素子等の追加を
必要としないよう改良した従来技術として、被テスト部
品に同一基板上の別部品から制御信号が結線されている
場合の論理的分離が不可能な被テスト部品に対し、この
制御信号を論理的に切断するために別々の電源供給源を
設け対処する手法が提案されている(例えば特開平9−
159728号公報)。
Conventionally, in a normal package mounted on a printed circuit board, in an in-circuit test on the printed circuit board, a resistance element or the like is added in order to perform component isolation (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-213).
000 publication). In a conventional package mounted on a printed circuit board, a control signal is connected to a component under test from another component on the same board as a conventional technique which is improved so that the addition of the above-described resistance element or the like is not required. A method has been proposed in which a separate power supply is provided to logically cut off this control signal by providing a separate power supply source for a component under test that cannot be logically separated in the case where the component is logically separated (for example, Japanese Unexamined Patent Publication No.
159728).

【0004】上記通常パッケージ回路に比べて、マルチ
チップモジュールに関しては、上述の通常パッケージ回
路と同様のDCテスト、ファンクションテストが実施さ
れ、チップ内部の故障はテストで不良と判定された場合
のテストデータの内容を解析し故障チップを特定してい
る。一般にマルチチップモジュール基板は、内部に電源
プレーン層を持ち、共通電源として各ベアチップに供給
している。従ってスタンバイ電流測定では、各ベアチッ
プの合計した電流値を得、良/不良の判定を行なう。
[0004] Compared with the above-mentioned normal package circuit, a DC test and a function test similar to those of the above-described normal package circuit are performed on the multi-chip module, and a test data when a failure inside the chip is determined to be defective by the test. Is analyzed to identify the faulty chip. Generally, a multi-chip module substrate has a power supply plane layer inside and supplies each bare chip as a common power supply. Therefore, in the standby current measurement, the total current value of each bare chip is obtained, and good / bad judgment is made.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】プリント基板上に実装
される通常パッケージの前記従来例(特開平9−159
728号公報)においては、図12に例示するように、
電源供給源P12からのみ電源供給を行った時、パッケ
ージ部品PKG1、PKG2が動作可能となり、パッケ
ージ部品PKG3、PKG4は動作しない。したがって
物理的には接続されているが、論理的にはパッケージ部
品PKG3、PKG4は分離されているので、パッケー
ジ部品PKG1、PKG2は、パッケージ部品PKG
3、PKG4の影響を受けずテストデータを用いた期待
値比較を行うテストが確実に実施可能になる。電源供給
源P34からのみ電源供給を行った場合も前記と同様の
動作となる。しかしスタンバイ電流測定値として、電源
供給源P12、電源供給源P34の2つの測定値が得ら
れるが、不良を示すフェィル値が返されたとき、2つの
電源供給源P12、P34共、各々2つのチップ部品に
電源を与えているため、どちらのチップ部品が不良なの
か判断できない。続いてインサートキットテストを実施
しても使用テストデータが故障部に対してのアクセスが
ないなど故障検出率の不足やインサーキットテスト時の
入出力の電圧レベル(VIL,VIH,V0L,VO
H)に影響を与えない不良の場合は、スタンバイ電流測
定で検出されたフェイル値に対する故障チップを特定す
ることはできない。
The conventional example of a normal package mounted on a printed circuit board (Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-159)
728), as illustrated in FIG.
When power is supplied only from the power supply source P12, the package components PKG1 and PKG2 can operate, and the package components PKG3 and PKG4 do not operate. Therefore, although physically connected, the package components PKG3 and PKG4 are logically separated, so that the package components PKG1 and PKG2 are separated from the package component PKG.
3. A test for comparing expected values using test data without being affected by PKG4 can be reliably performed. The same operation as described above is performed when power is supplied only from the power supply source P34. However, two measured values of the power supply source P12 and the power supply source P34 are obtained as the standby current measured values. When a failure value indicating a failure is returned, both of the two power supply sources P12 and P34 have two measured values. Since power is supplied to the chip components, it cannot be determined which chip component is defective. Subsequently, even if the insert kit test is performed, the use test data does not access the failed part, and the failure detection rate is insufficient, and the input / output voltage levels (VIL, VIH, V0L, VO) during the in-circuit test
In the case of a failure that does not affect H), it is not possible to specify a failed chip with respect to the fail value detected by the standby current measurement.

【0006】上記プリント基板上に実装される通常パッ
ケージは、基本的に良品保証されている。すなわちイン
サーキットテストを実施する目的は、主に実装不良検出
のためである。一般にはプリント基板上にテストポイン
トを設け、被試験パッケージ専用のプローバーを用い、
パッケージのピンにダイレクトにアクセス可能とした状
態でインサーキットテストを実施する。このため不良パ
ッケージが直接検出できる。すなわちここでは、DC測
定は重要な意味をもたない。
The normal package mounted on the printed circuit board is basically guaranteed to be non-defective. That is, the purpose of performing the in-circuit test is mainly to detect a mounting defect. Generally, a test point is provided on a printed circuit board, and a prober dedicated to the package under test is used.
Perform an in-circuit test with the package pins directly accessible. Therefore, a defective package can be directly detected. That is, here the DC measurement has no significant significance.

【0007】一方、マルチチップモジュールでは、上記
プリント基板上に実装される通常パッケージとは異な
り、DCテストが重要なテスト項目となる。その理由と
しては、1.KGB(Known Good Die)
が保証されていないベアチップを実装することがある。
このためベアチップ内部故障を高い確率で検出するスタ
ンバイ電流測定が必須である。2.パッケージの小型化
要求に加え、ボンディングワイヤー数が一般に多い。こ
のため、ワイヤー部の不具合(オープン・ショート)の
可能性が高い。従ってファンクションテストでは検出不
可能な、ピン間抵抗性ショート検出(入力リーク、HI
Zリーク測定)をしなければならない。
On the other hand, in a multi-chip module, unlike a normal package mounted on the printed circuit board, a DC test is an important test item. The reasons are as follows. KGB (Known Good Die)
There is a case where bare chips are not guaranteed.
For this reason, a standby current measurement for detecting a failure inside the bare chip with a high probability is essential. 2. In addition to the demand for smaller packages, the number of bonding wires is generally large. For this reason, there is a high possibility that the wire portion is defective (open / short). Therefore, a resistive short between pins that cannot be detected by the function test (input leak, HI
Z leak measurement).

【0008】しかし、従来のように、複数チップが単一
の電源を使用する構造にマルチチップモジュール基板内
配線及び、測定系が構成されている時、スタンバイ電流
測定だけでの故障チップ特定が不可能になるばかりでな
く、複数チップの合計されたスタンバイ電流値でテスタ
ーは、良/不良(PASS/FAIL)を判断するため
故障マルチチップモジュールを検出しない可能性もあっ
た。スタンバイ電流測定とは、入出力ピンと内部ロジッ
ク、メモリなどすべての箇所につき動作させない状態
で、電源・電圧のリーク値を測定しCMOSデバイスの
故障判定をするものである。図7に2つのチップ部品C
1、C2を1つの電源供給源5でスタンバイ電流測定す
る従来例を示す。チップ部品各々のPASS値が10μ
A以下で2つ合わせたPASS値が20μA以下とし、
電流測定器4から得られた値が25μAとすると不良結
果は得られるが、チップC1あるいはC2の個別のスタ
ンバイ電流は測定できないのでどちらのチップが不良な
のかはからない。更に電流測定器4から得られた値が1
8μAとするとマルチチップモジュールとしては良品と
判断されるが、チップC1からのスタンバイ電流が2μ
AでチップC2のスタンバイ電流が16μAのとき、チ
ップ単体としてチップC2は10μAを超えているので
不良品である。しかし、チップ個別のスタンバイ電流は
測定されないので、この個別の不良は検出できない。
However, when the wiring and the measurement system in the multi-chip module board are configured in a structure in which a plurality of chips use a single power supply as in the related art, it is not possible to specify the faulty chip only by measuring the standby current. In addition to being possible, the tester may not detect a failed multi-chip module to determine pass / fail (PASS / FAIL) based on the total standby current value of a plurality of chips. The standby current measurement is a method of measuring a power / voltage leak value and determining a failure of a CMOS device in a state where all parts such as input / output pins, internal logic, and memory are not operated. FIG. 7 shows two chip components C.
A conventional example in which the standby currents of C1 and C2 are measured by one power supply source 5 will be described. PASS value of each chip component is 10μ
A and the combined PASS value is 20 μA or less,
If the value obtained from the current measuring device 4 is 25 μA, a defective result can be obtained, but since the individual standby current of the chip C1 or C2 cannot be measured, it is not known which chip is defective. Further, the value obtained from the current measuring device 4 is 1
When 8 μA is set, it is determined that the multi-chip module is a non-defective product, but the standby current from the chip C1 is 2 μA.
At A, when the standby current of the chip C2 is 16 μA, the chip C2 as a single chip exceeds 10 μA, and thus is defective. However, since the standby current of each chip is not measured, this individual failure cannot be detected.

【0009】又、マルチチップモジュールの基板内で複
数ピン(パッド)を持つネットの、ピン間抵抗性ショー
ト検査、ピン単位リーク検査においても不良個所特定は
困難である。ピン間抵抗性ショート検査及びピン間単体
リーク検査とは、入力バッファとトライステートバッフ
ァのフローティング状態のピンに電圧を印加し、リーク
電流を測定するものである。このときピン間抵抗性ショ
ート検出のために残りの全ピンにはテストパターンを印
加しておく。このリーク電流の測定はピン毎に順次実施
される。
[0009] Further, it is difficult to specify a defective portion even in an inter-pin resistive short-circuit test and a pin-by-pin leak test of a net having a plurality of pins (pads) in a substrate of a multi-chip module. The inter-pin resistive short-circuit test and the inter-pin single leak test are to apply a voltage to floating pins of the input buffer and the tri-state buffer to measure a leak current. At this time, a test pattern is applied to all the remaining pins in order to detect a resistive short between the pins. The measurement of the leak current is sequentially performed for each pin.

【0010】図9は複数ピンを持つネットのリーク検査
を1つの電源供給源15で行うマルチチップモジュール
の従来例を示すものである。ピン番号12の順にリーク
測定が実施される。このときアウタリード(図示せず)
とベアチップのピンが1対1に対応していれば、故障ピ
ンは明確になる。しかしネット10のようにベアチップ
C1とC2の入力ピン1に接続されている場合には、故
障ピンの特定はできない。すなわち、ネット各々のPA
SS値が2μA以下で電流測定器13から得られた値が
5μAとすると不良結果は得られるが、チップC1ある
いはC2のどちらのピンが不良なのかはわからない。マ
ルチチップモジュール内チップC1の出力ピン2からの
出力をマルチチップモジュール内チップC2の入力ピン
1へ入力している構成のネット11も同様の事態とな
る。
FIG. 9 shows a conventional example of a multi-chip module in which a single power supply 15 performs a leak test on a net having a plurality of pins. The leak measurement is performed in the order of the pin number 12. At this time, outer leads (not shown)
If the pin of the bare chip corresponds to the pin of the bare chip, the faulty pin becomes clear. However, when connected to the input pins 1 of the bare chips C1 and C2 as in the case of the net 10, the faulty pin cannot be specified. That is, PA of each net
If the SS value is 2 μA or less and the value obtained from the current measuring device 13 is 5 μA, a defective result can be obtained, but it is not known which pin of the chip C1 or C2 is defective. The same applies to the net 11 configured to input the output from the output pin 2 of the chip C1 in the multichip module to the input pin 1 of the chip C2 in the multichip module.

【0011】一般にマルチチップモジュールでは多数の
リードを必要とし、試験用の端子も必要となるが、試験
用の端子を設置できるだけの余裕があれば良いが、足り
ない場合、マルチチップモジュールパッケージの設計の
変更が必要になってくる。これは、コストとパッケージ
サイズの増大を招いてしまう。
In general, a multi-chip module requires a large number of leads and requires test terminals. However, it is sufficient if there is enough room for installing test terminals. Need to be changed. This leads to an increase in cost and package size.

【0012】本発明は、マルチチップモジュールの試験
における上記従来技術の問題点を解消するためになされ
たものである。すなわち、本発明は、マルチチップモジ
ュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実
に行うことのできる構造を持つマルチチップモジュール
を得ることを課題とする。又、本発明は、アウタリード
の個数に余裕がない場合にも、実質的な端子数を確保で
きるアウタリードの構造を得ることを課題とする。又、
本発明は上記マルチチップモジュールに搭載されている
各チップを個別に良否判定を行うことのできる試験方法
を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art in testing a multichip module. That is, an object of the present invention is to provide a multi-chip module having a structure capable of reliably specifying a faulty chip in a multi-chip module and specifying a position of a faulty part. It is another object of the present invention to provide an outer lead structure capable of securing a substantial number of terminals even when the number of outer leads is insufficient. or,
It is an object of the present invention to provide a test method capable of individually determining the quality of each chip mounted on the multichip module.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明(請求項1)は、
基板に複数のベアチップを実装したマルチチップモジュ
ールにおいて、基板上のすべてのベアチップに対し、個
別に電源を供給する供給手段を設けたことを特徴するも
のである。本発明(請求項2)は、上記マルチチップモ
ジュールにおいて、一方が各ベアチップの端子に接続さ
れ、他方がアウタリードに接続されたリードを持つリー
ドフレームを有し、少なくとも1つのアウタリードが複
数のリードを絶縁層を介して集合させた1つのピンとし
て構成されており、前記複数のリードは、それぞれ別の
ベアチップの端子に接続されていることを特徴とするも
のである。
Means for Solving the Problems The present invention (claim 1) provides:
In a multi-chip module in which a plurality of bare chips are mounted on a substrate, a supply unit for individually supplying power to all bare chips on the substrate is provided. According to a second aspect of the present invention, in the multi-chip module, one side is connected to a terminal of each bare chip, and the other side has a lead frame having leads connected to outer leads, and at least one outer lead has a plurality of leads. The plurality of leads are connected to terminals of different bare chips, each of which is configured as one pin assembled via an insulating layer.

【0014】本発明(請求項3)の試験方法は、基板上
に実装された複数のベアチップに対し個別に電源を供給
する供給手段を設けたマルチチップモジュールの試験方
法であって、複数のベアチップのうち、被試験ベアチッ
プのみに対しては電源供給を行い、その他のベアチップ
に対しては電源供給を停止する手順を、被試験ベアチッ
プをかえて順次繰返し、試験を行うことを特徴とする。
好ましくは、試験の際に接続する電源の数が、ベアチッ
プ数より少ない場合、スイッチ切替機構を用いて接続先
を切り替えて、被試験ベアチップに対してのみ電源を接
続することを特徴とする。
The test method of the present invention (claim 3) is a test method of a multi-chip module provided with a supply means for individually supplying power to a plurality of bare chips mounted on a substrate, Among these, the procedure of supplying power to only the bare chip under test and stopping the supply of power to the other bare chips is sequentially repeated by changing the bare chip under test, and the test is performed.
Preferably, when the number of power supplies to be connected at the time of the test is smaller than the number of bare chips, the connection destination is switched using a switch switching mechanism, and the power supply is connected only to the bare chips under test.

【0015】[0015]

【作用】本発明(請求項1)は、マルチチップモジュー
ルが、基板上に実装された複数のベアチップに対し、個
別に電源を供給する供給手段を設けた構成を有するの
で、このマルチチップモジュールの試験に際しては、測
定系に各ベアチップに対応する電源供給源を個別にベア
チップに接続し、被試験対象のベアチップのみに電源の
供給をすることができるので、スタンバイ電流測定、リ
ーク測定、インサーキット試験その他すべての試験が他
チップの影響を受けることなくな実施できる。更にベア
チップ単体での測定となるため、マルチチップモジュー
ル全体の動作を考慮する必要がなくなり、テストプログ
ラム及び治具作製時間を短縮することができる。各種試
験において、マルチチップモジュール内故障チップの特
定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。
According to the present invention (claim 1), the multi-chip module has a configuration in which supply means for individually supplying power to a plurality of bare chips mounted on a substrate is provided. During the test, the power supply source corresponding to each bare chip can be individually connected to the bare chip in the measurement system, and power can be supplied only to the bare chip under test, so standby current measurement, leak measurement, in-circuit test All other tests can be performed without being affected by other chips. Further, since the measurement is performed on the bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multi-chip module, and the test program and the jig manufacturing time can be reduced. In various tests, it is possible to reliably specify the faulty chip in the multi-chip module and the position of the faulty part.

【0016】ベアチップ毎に個別の電源を有する構成と
したとき、マルチチップモジュールのアウタリードには
チップの個数分だけ必要となり、それを設置できるだけ
のスペースを確保できない場合には、本発明(請求項
2)のようにアウタリード1ピンに対し複数リードを絶
縁層を介して集合させて1つのピンとして構成し、それ
らの複数のリードは別のベアチップの端子に接続された
構造、例えば、図3のベアチップC3の電源用リードP
N3とベアチップC4の電源用リードPN4をマルチチ
ップモジュールの基板K1の同一辺の隣り合ったパッド
位置に配線し、互いのリードフレームを同一アウターリ
ード位置に絶縁体Z1を挟み上下に設置する構造とする
ことにより、ピン数を削減することができる。なお、実
機で使用するマザーボードにマルチチップモジュールを
実装する時は、自然に複数のリードPN3、PN4が半
田H1によりショートするため、実装信頼性に関しても
問題ない。好ましくは、マルチチップモジュール内の全
チップ数に対し、電源供給源数が不足している場合に、
測定系にスイッチを設け、電源供給先を順次切替えて電
源を使用することによりひとつの電源供給源しか持って
いなくても本発明による試験が可能である。又電源切替
えのための構成を測定系にもたせたためマルチチップモ
ジュールのサイズ拡大と信頼性低下を防ぐことができ測
定手順も簡素となっている。
In a configuration having an individual power supply for each bare chip, the outer leads of the multi-chip module require the same number of chips as the number of chips. ), A plurality of leads are assembled to one pin of the outer lead via an insulating layer to form a single pin, and the plurality of leads are connected to terminals of another bare chip, for example, a bare chip shown in FIG. Power lead P of C3
N3 and the power supply lead PN4 of the bare chip C4 are wired at adjacent pad positions on the same side of the substrate K1 of the multi-chip module, and the lead frames of each other are placed vertically on the same outer lead position with the insulator Z1 interposed therebetween. By doing so, the number of pins can be reduced. When a multi-chip module is mounted on a motherboard used in an actual machine, a plurality of leads PN3 and PN4 naturally short-circuit due to the solder H1, so that there is no problem in mounting reliability. Preferably, when the number of power supply sources is insufficient for the total number of chips in the multi-chip module,
By providing a switch in the measurement system and sequentially switching the power supply destination and using the power supply, the test according to the present invention can be performed even if only one power supply source is provided. In addition, since a configuration for power supply switching is provided in the measurement system, it is possible to prevent an increase in the size of the multi-chip module and a decrease in reliability, thereby simplifying the measurement procedure.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】(マルチチップモジュールの構成
例1)本発明のマルチチップモジュールによる半導体集
積回路の実施例について説明する。図1は実施例のマル
チチップモジュールの電気的な配線接続関係の概要を示
す図であり、図2はそのマルチチップモジュールの電源
供給パス及びマルチチップモジュールの基板内構成のイ
メージを示す図である。図1及び図2に示すように、こ
の実施例のマルチチップモジュールモジュールM1は、
薄膜多層配線層を有するマルチチップモジュール用の基
板K1内に4個のベアチップC1〜C4が搭載され、そ
の薄膜多層配線層により高密度に接続されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Structural Example 1 of Multichip Module) An embodiment of a semiconductor integrated circuit using a multichip module according to the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing an outline of an electrical wiring connection relationship of the multichip module of the embodiment, and FIG. 2 is a diagram showing an image of a power supply path of the multichip module and a configuration inside the substrate of the multichip module. . As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the multi-chip module module M1 of this embodiment
Four bare chips C1 to C4 are mounted in a multi-chip module substrate K1 having a thin-film multilayer wiring layer, and are connected at a high density by the thin-film multilayer wiring layers.

【0018】基板K1内の薄膜配線層の全ての導体配線
パターンは基板K1の周辺部に設けた信号の入出力用の
パッドに接続され、各パッドはリードフレームR1を介
してアウタリードR2に接続されている。それぞれアウ
タリードR2によっ形成されるノードN1〜N9は、マ
ルチチップモジュールの試験の際にベアチップや配線の
動作状態を観測するのに利用される。ノードN1、N
2、N5は入力動作のみの信号のためのノード、ノード
N3、N4は信号の出力動作のみのノード、N6〜N9
は信号の入出力可能な双方向属性を持つノードである。
この時双方向属性を持つノードとは例えばN6は、ベア
チップC1の出力、ベアチップC3の入力の組合せで双
方向属性を持たせる。基板K1内の電源部は、何れかの
薄膜配線層に電源プレーンVP1〜VP4あるいは電源
メッシュとしてチップ毎に個別に設けられている。図1
及び図22において電源供給パスは太線で描いてあり、
各チップ毎に個別に電源供給が可能なように、各チップ
の電源部は独立した別個のパッドに接続され、その電源
用のパッドは前記信号の場合と同様にリードフレームR
1を介してアウタリードR2に接続されている。マルチ
チップモジュールの試験に際しては、各チップへの電源
供給源P1〜P4は、独立のパスPN1〜PN4よりア
ウタリードR2に接続され、さらにリードフレームR1
と各ベアチップの電源用パッドを介して電源プレーンP
1〜VP4に接続された構造により、各ベアチップに対
して個別の独立した電源供給が可能となっている。
All the conductor wiring patterns of the thin film wiring layer in the substrate K1 are connected to signal input / output pads provided on the periphery of the substrate K1, and each pad is connected to an outer lead R2 via a lead frame R1. ing. Nodes N1 to N9 formed by the outer leads R2 are used for observing the operation state of the bare chip and the wiring at the time of testing the multichip module. Node N1, N
2, N5 are nodes for signals for input operation only, nodes N3 and N4 are nodes for signal output operations only, and N6 to N9.
Is a node having a bidirectional attribute capable of inputting and outputting signals.
At this time, the node having the bidirectional attribute, for example, N6 has the bidirectional attribute by a combination of the output of the bare chip C1 and the input of the bare chip C3. The power supply unit in the substrate K1 is individually provided for each chip as a power supply plane VP1 to VP4 or a power supply mesh in any thin film wiring layer. FIG.
In FIG. 22 and FIG. 22, the power supply path is drawn with a thick line,
The power supply section of each chip is connected to an independent and separate pad so that power can be individually supplied to each chip, and the power supply pad is connected to the lead frame R as in the case of the signal.
1 is connected to the outer lead R2. In testing the multi-chip module, the power supply sources P1 to P4 for each chip are connected to the outer lead R2 via independent paths PN1 to PN4, and furthermore, the lead frame R1
And the power plane P via the power pad of each bare chip
The structure connected to 1 to VP4 enables individual and independent power supply to each bare chip.

【0019】基板K1内は、電源供給源に対しチップ毎
専用の導体配線パターン、電源供給用内層接続経由孔、
電源供給用内層分割領域等を使用して、独立した電源供
給用ラインを測定系からチップの電源パッドまで接続さ
せる。この構成例によれば、マルチチップモジュール
は、マルチチップ基板上のすべてのベアチップに対し、
個別に電源を供給する供給手段を設けた構成を有するの
で、このマルチチップモジュールの試験に際しては、測
定系に各ベアチップに対応する電源供給源を個別にベア
チップに接続し、被試験対象のベアチップのみに電源の
供給をすることができるので、スタンバイ電流測定、リ
ーク測定、インサーキット試験その他すべての試験が他
チップの影響を受けることなくな実施できる。更にベア
チップ単体での測定となるため、マルチチップモジュー
ル全体の動作を考慮する必要がなくなり、テストプログ
ラム及び治具作製時間を短縮することができる。各種試
験において、マルチチップモジュール内故障チップの特
定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。
In the substrate K1, a conductor wiring pattern dedicated to each chip with respect to a power supply source, a power supply inner layer connection via hole,
An independent power supply line is connected from the measurement system to the power supply pad of the chip by using the power supply inner layer division area or the like. According to this configuration example, the multi-chip module is configured for all bare chips on the multi-chip substrate.
Since the multi-chip module has a configuration in which a power supply unit for individually supplying power is provided, a power supply source corresponding to each bare chip is individually connected to the bare chip in the measurement system, and only the bare chip to be tested is connected. Since the power can be supplied to the power supply, the standby current measurement, leak measurement, in-circuit test, and all other tests can be performed without being affected by other chips. Further, since the measurement is performed on the bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multi-chip module, and the test program and the jig manufacturing time can be reduced. In various tests, it is possible to reliably specify the faulty chip in the multi-chip module and the position of the faulty part.

【0020】(マルチチップモジュールの構成例2)上
記構成例1のマルチチップモジュールのアウターリード
にはチップの個数分だけの電源種類を必要個数分だけ設
けなければならない。その時アウターリードの数(ピン
数)に必要個数分の電源が設置できるだけの余裕があれ
ば良いが、ピン数が足りない場合、マルチチップモジュ
ールパッケージの変更が必要になってくる。これは、コ
ストとパッケージサイズ増大を招いてしまう。この問題
点の解決をするために、本構成例2は、図3に示すよう
なクワッド・フラット・パッケージ(QFP)構成とす
ると共にアウタリードの構造に工夫がなされている。チ
ップC3の電源用リードPN3とチップC4の電源用リ
ードPN4を基板K1の同一辺の隣り合ったパッド位置
に配線し、互いのリードを同一アウターリード位置で絶
縁体Z1を挟み上下に設置する。本リードフレーム構成
をとることにより2電源ピンが1ピンで済み、マルチチ
ップモジュールのピン数削減になる。テスト時の電源供
給は、ピンの上下を各々プローブPB3、PB4するこ
とにより行なう。
(Structural Example 2 of Multi-Chip Module) The outer leads of the multi-chip module of the above-described structural example 1 must be provided with a necessary number of power supply types by the number of chips. At this time, it is sufficient if there is enough room for the necessary number of power supplies for the number of outer leads (number of pins), but if the number of pins is insufficient, the multi-chip module package needs to be changed. This leads to an increase in cost and package size. In order to solve this problem, in the present configuration example 2, a quad flat package (QFP) configuration as shown in FIG. 3 is employed and the structure of the outer leads is devised. The power supply lead PN3 of the chip C3 and the power supply lead PN4 of the chip C4 are wired at adjacent pad positions on the same side of the substrate K1, and the respective leads are placed vertically with the same outer lead position sandwiching the insulator Z1. With this lead frame configuration, only one power supply pin is required, and the number of pins of the multichip module can be reduced. The power supply during the test is performed by probing the pins PB3 and PB4 above and below the pins, respectively.

【0021】実機で使用するマザーボードにマルチチッ
プモジュールを実装する時は、自然に上下のリードPN
3、PN4が半田H1によりショートするため、実装信
頼性に関しても問題ない。加えて前記リードフレーム構
成は、電源ピンだけでなく、一般信号のリードフレーム
としても利用できる。この場合、基板に実装する際同一
ノードになるため論理的には、実動作で使用しないテス
トピンが一般に対象となる。
When mounting a multi-chip module on a motherboard used in an actual machine, naturally the upper and lower leads PN are used.
3. Since the PN4 is short-circuited by the solder H1, there is no problem in mounting reliability. In addition, the lead frame structure can be used not only as a power supply pin but also as a lead frame for general signals. In this case, since the nodes are the same when mounted on a board, logically, test pins that are not used in actual operation are generally targeted.

【0022】なお、構成例2ではアウタリードが2個の
リードが絶縁体Z1を介して上下に重ねた構造とした
が、1個のアウタリードに対して長手方向にスリットを
切り二股状態にし、両者間に絶縁体を挟む構造に変更実
施することもできる。さらに、図4に示すように、4個
のリードA、B、C、Dを絶縁体Zを介してつきあわせ
て1個のアウタリードとし、アウタリードの端部を折り
曲げて表面実装が可能なような構造とすることもでき
る。この構造によれば、試験のためのアウタリードとし
ては4個のピンがあるのと同じとなり、他方、実装時に
は4個のリードはハンダの接合により電気的にも機構的
にも1個のアウタリードとなる。したがって、アウタリ
ードの設置スペースに余裕がなく、通常のアウターリー
ドでは個別電源供給用のアウタリード数を確保できない
場合でも、上記アウターリード構造とすることにより、
試験用の個別の電源供給用の端子部を確保できることと
なる。
In the configuration example 2, two outer leads are vertically stacked with the insulator Z1 interposed therebetween, but one outer lead is slit in the longitudinal direction to form a bifurcated state. The structure may be changed to a structure in which an insulator is interposed. Further, as shown in FIG. 4, the four leads A, B, C, and D are put together via an insulator Z to form one outer lead, and the outer lead is bent at the end to be surface-mounted. It can also be structured. According to this structure, the outer leads for testing are the same as having four pins. On the other hand, during mounting, the four leads are electrically and mechanically connected to one outer lead by solder bonding. Become. Therefore, even when there is no room for the outer lead installation space and the number of outer leads for individual power supply cannot be secured with a normal outer lead, the outer lead structure described above can be used.
It is possible to secure individual power supply terminals for testing.

【0023】さらに、図5に示すようにリード挿入型の
端子構造とすることもできる。この場合には、2個のリ
ードA、Bを絶縁体を挟んで重ね合わせ、下方に湾曲さ
せると共に、配線用孔に挿入しやすいように先端を先細
りの形状とする。
Further, as shown in FIG. 5, a terminal structure of a lead insertion type can be adopted. In this case, the two leads A and B are superimposed on each other with the insulator interposed therebetween, are bent downward, and have a tapered end so as to be easily inserted into the wiring hole.

【0024】(マルチチップモジュールの試験方法)図
4は、前述の図1〜3に示すように電源を個別に供給可
能とした構造のマルチチップモジュールパッケージを検
査対象とするマルチチップモジュールの試験方法の手順
の例を示すフロー図である。マルチチップモジュールに
搭載されたベアチップC1、C2、C3、C4は、順次
1つずつ検査対象とする。そのため電源供給パスは、各
ベアチップごとに残りのベアチップとは独立に測定用の
電源供給源P1、P2、P3、P4と接続される。
(Test Method of Multi-Chip Module) FIG. 4 shows a test method of a multi-chip module for testing a multi-chip module package having a structure in which power can be individually supplied as shown in FIGS. It is a flowchart which shows the example of a procedure of. The bare chips C1, C2, C3, and C4 mounted on the multichip module are sequentially inspected one by one. Therefore, the power supply path is connected to the power supply sources P1, P2, P3, and P4 for measurement independently of the remaining bare chips for each bare chip.

【0025】まず、テスト開始ベアチップのセットアッ
プを行う(ステップS1)。すなわち、テストする1つ
のベアチップに対応する電源供給源をオンとし、他のテ
ストベアチップの電源供給源はオフとする。例えば最初
の被テストチップがチップC1の場合チップC1専用に
接続されている電源供給源P1のみ起動し、電源供給パ
スPN1より電源が供給され、図4に示す手順でチップ
C1のテストが実施される。前記開始チップのセットア
ップの次に検査対象ベアチップと測定系とのコンタクト
チェックを行う(ステップS2)。コンタクトが正常で
あったときには、検査対象ベアチップの静消費電力測定
いわゆるスタンバイ電流測定を行う(ステップS3)。
スタンバイ電流測定は、図8に示すように、チップC1
あるいはC2の電源供給部VDD1あるいはVDD2の
へ電圧供給源8から電圧を印加し、それによってチップ
へ流れる電流を電流測定器6で計測することである。消
費電力は、印加電圧と電流の計測値とからを算出する。
First, a test start bare chip is set up (step S1). That is, the power supply source corresponding to one bare chip to be tested is turned on, and the power supply sources of the other test bare chips are turned off. For example, when the first chip to be tested is the chip C1, only the power supply source P1 connected exclusively to the chip C1 is activated, power is supplied from the power supply path PN1, and the chip C1 is tested according to the procedure shown in FIG. You. After the setup of the starting chip, a contact check between the inspection target bare chip and the measurement system is performed (step S2). If the contact is normal, the static power consumption of the bare chip to be inspected, so-called standby current, is measured (step S3).
The standby current measurement was performed as shown in FIG.
Alternatively, a voltage is applied from the voltage supply source 8 to the power supply unit VDD1 or VDD2 of C2, and the current flowing to the chip is measured by the current measuring device 6 accordingly. The power consumption is calculated from the applied voltage and the measured value of the current.

【0026】スタンバイ電流が正常であれば、次にリー
ク測定を実施する(ステップS4)。リーク電流の計測
は、図10に示すように、スイッチ16とスイッチ17
を操作して被試験ベアチップ例えばC1のみに個別の専
用の電源供給源18から電源の供給を行う。そして電源
を供給した被試験ベアチップの信号用の全てのアウタリ
ードにそれぞれのピンの機能に合った電圧を与えるテス
トパターンを印加した状態において、ピンに対して電圧
源21から所定のレベルの電圧(VIL、VIH、VO
L、VOH)を印加し、それによる電流を電流測定器2
0により測定する。このリーク電流の測定はピン1のビ
ン番号12の順にすべての入力ピン1に対して次々と実
施する。このリーク測定のテストの項目は、市販のLS
Iあるいはボードテスターで測定できる項目を実施する
ものとする。
If the standby current is normal, a leak measurement is performed next (step S4). As shown in FIG. 10, the leakage current was measured by using the switches 16 and 17
To supply power from the dedicated power supply source 18 to the bare chip under test, for example, only C1. Then, in a state where a test pattern for applying a voltage suitable for the function of each pin is applied to all the outer leads for signals of the bare chip under test to which power is supplied, a voltage (VIL) of a predetermined level is applied to the pin from the voltage source 21. , VIH, VO
L, VOH) and the resulting current is measured by a current measuring device 2
Measure with 0. The measurement of the leak current is sequentially performed on all the input pins 1 in the order of the bin number 12 of the pin 1. The test items for this leak measurement are commercially available LS
Items that can be measured with I or a board tester shall be implemented.

【0027】ステップS3のスタンバイ電流測定の結
果、スタンバイ電流が正常ではなかったときは、ベアチ
ップC1の以後のテストすなわちリーク測定(ステップ
S4)、インサーキットテスト(ステップS5)を実施
せず次の未検査チップのテスト準備を行なう(ステップ
S6)。このときスタンバイ電流が異常に大きいような
場合、テストを中止できるので、測定系及び被測定チッ
プへの異常電流が生じるための破壊を防止することがで
きる。次に、リーク測定(ステップS4)において測定
結果が正常を示すものであれば、インサーキットテスト
(ステップS5)を実施する。インサーキットテストで
はテストデータを入力ピンから印加し、得られた出力デ
ータとあらかじめ準備した期待値データと比較して良否
を判定する。リーク測定でリーク異常ありのときは、イ
ンサーキットテストS5を実施せず、次の未検査チップ
のテスト準備を行なう(ステップS6)。インサーキッ
トテストも合格すればチップC1は良品となり、順次チ
ップC2、チップC3、チップC4、の順でテストを続
行する。
As a result of the standby current measurement in step S3, if the standby current is not normal, the subsequent test of the bare chip C1, ie, the leak measurement (step S4), the in-circuit test (step S5) is not performed, and the next test is performed. The test chip is prepared for test (step S6). At this time, if the standby current is abnormally large, the test can be stopped, so that destruction due to generation of an abnormal current to the measurement system and the chip to be measured can be prevented. Next, if the result of the leak measurement (Step S4) indicates normal, an in-circuit test (Step S5) is performed. In the in-circuit test, test data is applied from an input pin, and pass / fail is determined by comparing the obtained output data with expected value data prepared in advance. If there is a leak abnormality in the leak measurement, the in-circuit test S5 is not performed, and the test preparation of the next untested chip is performed (step S6). If the in-circuit test also passes, the chip C1 becomes a non-defective product, and the test is continued in the order of the chip C2, the chip C3, and the chip C4.

【0028】以上に述べた本発明の試験方法の実施例に
よれば、チップ個別に電源を印加し、スタンバイ電流測
定、リーク測定を実施するため、インサーキットテスト
と併用することにより、故障チップを特定することがで
きる。その特定に際して、従来のように破壊検査などの
不良解析をする必要はない。そのためテスト時間を短縮
することができる。又、チップ個別に電源を印加し、そ
のチップの故障の判断をすればよいので、故障判断のた
めのテストプログラムが簡単となり、プログラムの作成
時間を短縮することができる。又、複数のチップが故障
しているような多重故障の検出も容易となる。あるチッ
プの試験においてその他のチップには電源が印加されて
いないので、故障の判断に際して他のチップからのチッ
プ制御信号を意識する必要はなく、インサーキットテス
ト方法の標準化が容易となる。異なるチップの複数の入
出力ピンに接続された信号線でも、信号が有効なのは被
試験対象のチップだけであるので、特定チップの入出力
ピンのリークを測定可能になる。
According to the embodiment of the test method of the present invention described above, a power supply is applied to each chip individually, and a standby current measurement and a leak measurement are performed. Can be identified. At the time of the identification, it is not necessary to perform a failure analysis such as a destructive inspection as in the related art. Therefore, the test time can be reduced. In addition, since it is only necessary to apply power to each chip and determine the failure of the chip, a test program for determining the failure can be simplified, and the time required to create the program can be reduced. Further, it is easy to detect multiple failures in which a plurality of chips have failed. Since power is not applied to the other chips in the test of a certain chip, it is not necessary to be aware of the chip control signals from the other chips when determining a failure, and the standardization of the in-circuit test method is facilitated. Even for signal lines connected to a plurality of input / output pins of different chips, since the signal is valid only for the chip under test, the leak of the input / output pins of the specific chip can be measured.

【0029】上記の実施例の試験方法では、マルチチッ
プモジュール内の4個のチップ数のそれぞれに対応して
測定用の電源供給源P1、P2、P3、P4が設置され
たが、マルチチップモジュールM1内のチップ数4に対
し、電源供給源P1をひとつしか設置できない場合の構
成を図11に示す。チップ数4個分の電源切替えスイッ
チSW1〜SW4を測定系に設置し、前記スイッチ群S
W1〜SW4を被テストチップ電源印加の為に切替えて
テストを行なう。
In the test method of the above embodiment, the power supply sources P1, P2, P3, and P4 for measurement are provided corresponding to each of the four chips in the multi-chip module. FIG. 11 shows a configuration in which only one power supply source P1 can be provided for four chips in M1. The power supply switches SW1 to SW4 for four chips are installed in the measurement system, and the switch group S
The test is performed by switching W1 to SW4 in order to apply power to the chip under test.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明(請求項1)によれば、マルチチ
ップモジュールは、すべてのベアチップに対し、個別に
電源を供給する供給手段を設けた構成を有するので、こ
のマルチチップモジュールの試験に際しては、電源供給
源を個別にベアチップに接続し、被試験対象のベアチッ
プのみに電源の供給をすることができ、曳いてはマルチ
チップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置
特定を確実に行うことができる。本発明(請求項2)に
よれば、1つのアウタリードに試験の際に複数の端子と
しての機能を持たせる構造を有するので、より少ないア
ウタリード数すなわちピン数で、電源や一般信号の入出
力をまかなうことができる。
According to the present invention (claim 1), the multi-chip module has a configuration in which a supply means for individually supplying power to all bare chips is provided. Can individually connect the power supply source to the bare chip and supply power only to the bare chip under test, and reliably identify the faulty chip in the multi-chip module and specify the position of the faulty location be able to. According to the present invention (claim 2), a structure is provided in which one outer lead has a function as a plurality of terminals at the time of a test, so that input / output of a power supply or a general signal can be performed with a smaller number of outer leads, that is, a smaller number of pins. Can serve.

【0031】本発明(請求項3)によれば、被試験対象
のマルチチップモジュールは、すべてのベアチップに対
し、個別に電源を供給する供給手段を有し、電源供給源
を個別にベアチップに接続できるので、必要な各種の試
験が他チップの影響を受けることなくな実施できる。更
にベアチップ単体での測定となるため、マルチチップモ
ジュール全体の動作を考慮する必要がなくなり、テスト
プログラム及び治具作製時間を短縮することができる。
又、マルチチップモジュール内故障チップの特定と故障
箇所の位置特定を確実に行うことができる。
According to the present invention (claim 3), the multi-chip module to be tested has a supply means for individually supplying power to all bare chips, and the power supply sources are individually connected to the bare chips. Therefore, various necessary tests can be performed without being affected by other chips. Further, since the measurement is performed on the bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multi-chip module, and the test program and the jig manufacturing time can be reduced.
Further, it is possible to reliably specify the faulty chip in the multi-chip module and the position of the faulty part.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のマルチチップモジュール基板の電源個
別化の構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of individualizing a power supply of a multichip module substrate of the present invention.

【図2】本発明によるマルチチップモジュールの電源分
割構造を示すイメージ図。
FIG. 2 is an image diagram showing a power supply division structure of the multi-chip module according to the present invention.

【図3】1リード(1ピン)で2ノードを担うリード構
造の例を説明するための図。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a lead structure in which one lead (one pin) carries two nodes.

【図4】1リードで4ノードを担う表面実装型の分割リ
ード構造の例を示す図。
FIG. 4 is a view showing an example of a surface-mounted split lead structure in which one lead carries four nodes.

【図5】1リードで2ノードを担うリード挿入型の分割
リード構造の例を示す図。試験の手順の一例を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a lead insertion type split lead structure in which one lead carries two nodes. The figure which shows an example of the procedure of a test.

【図6】本発明のマルチチップモジュールの試験方法の
手順の一例を示すフロー図。
FIG. 6 is a flowchart showing an example of a procedure of a test method of the multichip module of the present invention.

【図7】従来のマルチチップモジュールのスタンバイ電
流の測定を説明するための図。
FIG. 7 is a diagram for explaining measurement of standby current of a conventional multichip module.

【図8】本発明のマルチチップモジュールのスタンバイ
電流の測定を説明するための図。
FIG. 8 is a diagram for explaining measurement of a standby current of the multichip module of the present invention.

【図9】従来のマルチチップモジュールの単独ネット
(ピン)リーク電流の測定を説明するための図。
FIG. 9 is a view for explaining measurement of a single net (pin) leak current of a conventional multichip module.

【図10】本発明のマルチチップモジュールの単独ネッ
ト(ピン)リーク電流の測定を説明するための図。
FIG. 10 is a view for explaining measurement of a single net (pin) leak current of the multichip module of the present invention.

【図11】測定系の電源供給源がチップ数より少ない場
合のマルチチップモジュールの試験方法を説明するため
の図。
FIG. 11 is a diagram for explaining a test method of the multi-chip module when the number of power supply sources of the measurement system is smaller than the number of chips.

【図12】プリント基板上に実装される通常パッケージ
における従来例の電源分割構成を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing a conventional power supply division configuration in a normal package mounted on a printed circuit board.

【図13】図12の通常パッケージの従来例における電
源分割構造を示すイメージ図。
FIG. 13 is an image diagram showing a power supply division structure in a conventional example of the normal package of FIG. 12;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

P1〜P4、P12、P34…電源供給源。 M1…マ
ルチチップモジュール。M2…プリント基板。PN1〜
PN4、PN12、PN34…電源供給源からマルチチ
ップモジュール内チップまでのパス。C1〜C4…マル
チチップモジュール内チップ。N1〜N8…各チップの
外部からの入出力端子及び基板内一般信号。K1…基
板。R1…リードフレーム。R2…外部リード。Z1…
絶縁体。PB3、PB4…電源供給プローブ。H1…半
田、1…入力ピン、2…出力ピン、3…内部回路、4,
6,7,13,20…電流測定器、5,8,9,14,
15,18,19…電源供給源、10,11…ネット、
12…ビン番号、16,17…スイッチ。
P1 to P4, P12, P34 ... Power supply source. M1 ... Multi-chip module. M2: Printed circuit board. PN1
PN4, PN12, PN34: Paths from the power supply source to the chip in the multi-chip module. C1 to C4: chips in a multichip module. N1 to N8: input / output terminals from outside each chip and general signals in the board. K1 ... substrate. R1 ... lead frame. R2: External lead. Z1 ...
Insulator. PB3, PB4 ... Power supply probe. H1 solder, 1 input pin, 2 output pin, 3 internal circuit, 4,
6, 7, 13, 20 ... current measuring device, 5, 8, 9, 14,
15, 18, 19 ... power supply source, 10, 11 ... net,
12 bin number, 16, 17 switch.

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Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に複数のベアチップを実装したマル
チチップモジュールにおいて、基板上のすべてのベアチ
ップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設けたこ
とを特徴するマルチチップモジュール。
1. A multi-chip module in which a plurality of bare chips are mounted on a substrate, wherein a supply means for individually supplying power to all bare chips on the substrate is provided.
【請求項2】 一方が各ベアチップの端子に接続され、
他方がアウタリードに接続されたリードを持つリードフ
レームを有し、少なくとも1つのアウタリードが複数の
リードを絶縁層を介して集合させて1つのピンとして構
成されており、かつ前記複数のリードは、それぞれ別の
ベアチップの端子に接続されたことを特徴とする請求項
1記載のマルチチップモジュール。
2. One end is connected to a terminal of each bare chip,
The other has a lead frame having a lead connected to the outer lead, at least one outer lead is configured as one pin by collecting a plurality of leads via an insulating layer, and the plurality of leads are The multi-chip module according to claim 1, wherein the multi-chip module is connected to a terminal of another bare chip.
【請求項3】 基板上に実装された複数のベアチップに
対し個別に電源を供給する供給手段を設けたマルチチッ
プモジュールの試験方法であって、複数のベアチップの
うち、被試験ベアチップに対しては電源供給を行い、そ
の他のベアチップに対しては電源供給を停止する手順
を、被試験ベアチップをかえて順次繰返し、試験を行う
ことを特徴とするマルチチップモジュールの試験方法。
3. A method for testing a multi-chip module, comprising: a supply unit for individually supplying power to a plurality of bare chips mounted on a substrate, wherein a plurality of bare chips are to be tested. A test method for a multi-chip module, comprising: repeating a procedure of supplying power and stopping the supply of power to other bare chips, changing the bare chip under test, and performing a test.
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