JP2001217390A - High integrated circuit chip having element to be evaluated, and method of inspecting the element - Google Patents

High integrated circuit chip having element to be evaluated, and method of inspecting the element

Info

Publication number
JP2001217390A
JP2001217390A JP2000026475A JP2000026475A JP2001217390A JP 2001217390 A JP2001217390 A JP 2001217390A JP 2000026475 A JP2000026475 A JP 2000026475A JP 2000026475 A JP2000026475 A JP 2000026475A JP 2001217390 A JP2001217390 A JP 2001217390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaluated
electrode pad
chip
connection wiring
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000026475A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3439410B2 (en
Inventor
Toru Miyazaki
徹 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000026475A priority Critical patent/JP3439410B2/en
Publication of JP2001217390A publication Critical patent/JP2001217390A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3439410B2 publication Critical patent/JP3439410B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high integrated circuit chip having an element to be evaluated which can secure an empty space on a chip relatively easily without causing a drop of its integration density, and also to provide a method of inspecting the element. SOLUTION: In the high integrated circuit chip which can test electrical characteristics of an element to be evaluated formed on the chip via a probe electrode pad contacted by an inspecting probe, the elements to be evaluated with respect to electronic function elements provided on the chip are collectively provided in an empty area around an internal cell region, electrode pads for a probe common thereto are provided, and gaps for securing routes necessary for connection wiring with the electrode pads are provided to the empty area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、検査用プローブが
接触する探針用電極パッドを介して、チップ上に構成さ
れた被評価素子の電気的特性をテストできる構成の高集
積回路チップおよびその被評価素子検査法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly integrated circuit chip having a structure capable of testing the electrical characteristics of a device to be evaluated formed on a chip through a probe electrode pad contacted by a test probe, and a high integrated circuit chip having the same. The present invention relates to a device to be evaluated inspection method.

【0002】[0002]

【従来の技術】高集積回路チップにおいて、そのチップ
上に構成される各種電子機能素子(例えば、電子放出素
子、回路抵抗素子、MOSトランジスタなど)の特性を
検査し、評価しておくことは、その回路特性を理解する
上で重要である。そこで、従来から、高集積回路の設計
初期には、各電子機能素子の特性を評価するために、当
該電子機能素子を基板上に構成する際に、同時に、検査
のための被評価素子(所謂、チェック素子)を構成し、
これに対応してチップ上に形成した所要の探針用電極パ
ッドに、検査用プローブを接触させて、前記被評価素子
を検査し、評価することが成されている。
2. Description of the Related Art In a highly integrated circuit chip, it is necessary to inspect and evaluate the characteristics of various electronic functional elements (for example, electron emission elements, circuit resistance elements, MOS transistors, etc.) formed on the chip. It is important for understanding the circuit characteristics. Therefore, conventionally, in the early stage of the design of a highly integrated circuit, in order to evaluate the characteristics of each electronic functional element, when the electronic functional element is configured on a substrate, an element to be evaluated for inspection (so-called, , Check element)
Corresponding to this, a test probe is brought into contact with a required probe electrode pad formed on the chip to test and evaluate the device to be evaluated.

【0003】しかしながら、通常、被評価素子の種類
は、1チップ上において、10種に下ることはないの
で、その数に対応する被評価素子および各被評価素子の
ために用意した探針用電極パッドの配置には、かなりの
領域が占有されるので、本質的な機能に関して、チップ
の集積度を低下する畏れがある。特に、探針用電極パッ
ドの大きさは、検査用プローブの大きさによる制約か
ら、通常、100μm角に設計されるので、これに占め
るチップ上の占有領域は、かなり大きくなる。
However, usually, the number of elements to be evaluated does not drop to ten on one chip, and therefore the number of elements to be evaluated corresponding to the number and the probe electrode prepared for each element to be evaluated. Since the arrangement of the pads occupies a considerable area, there is a fear that the integration density of the chip is reduced with respect to essential functions. In particular, since the size of the probe electrode pad is usually designed to be 100 μm square due to the restriction due to the size of the inspection probe, the area occupied by the chip on the chip becomes considerably large.

【0004】そこで、例えば、特公平1−53513号
公報に所載のように、チップ上の空き領域に、集約的に
被評価素子を設けると共に、各被評価素子に共用される
探針用電極パッドを設け、該電極パッドと各被評価素子
とを共通接続配線で予め、接続しておき、あるいは、接
続可能な状態にしておき、FIB( Focused Ion Beam
)などのエネルギービームで、テスト対象が特定され
た(何れかの被評価素子が選択された)際に、不要接続
配線部分を切断し、あるいは、所要接続配線部分を接続
することが提案されている。そして、このように、探針
用電極パッドを共用することによる占有領域の縮小で、
チップの集約度が低減されるのを回避できる。
Therefore, as described in, for example, Japanese Patent Publication No. 1-53513, elements to be evaluated are collectively provided in an empty area on a chip, and a probe electrode shared by each element to be evaluated. A pad is provided, and the electrode pad and each device to be evaluated are connected in advance by a common connection wiring or are set in a connectable state, and a FIB (Focused Ion Beam) is provided.
), It is proposed that when an object to be tested is specified (any device to be evaluated is selected), unnecessary connection wiring portions are cut or required connection wiring portions are connected. I have. And, in this way, by reducing the occupied area by sharing the probe electrode pad,
It is possible to avoid that the degree of chip concentration is reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ここで問題に
なるのは、共通接続配線を予め設けることで、そのため
に必要な占有空間がかなり必要になること、選択された
被評価素子と探針用電極パッドとの間の配線抵抗に、か
なりのバラ付きがあり、検査に際しての評価に影響する
ことである。
However, the problem here is that the provision of common connection wiring in advance requires a considerable occupied space, and that the selected device to be evaluated and the probe are required. There is considerable variation in the wiring resistance between the wiring electrode and the electrode pad, which affects the evaluation at the time of inspection.

【0006】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その第1の目的とするところは、共通配線を設け
ることによる占有空間を回避し、選択された被評価素子
についてのみ接続配線を設けることで、被評価素子とこ
れに対応する共通探針用電極パッドとで占める占有空間
を縮小し、集積度を低下することなく、比較的容易にチ
ップ上の空き領域を確保できるようにした、被評価素子
を備えた高集積回路チップおよびその被評価素子検査法
を提供するにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and a first object of the present invention is to avoid a space occupied by providing a common wiring and to connect wiring only to a selected device under evaluation. By providing, the occupied space occupied by the device to be evaluated and the corresponding common probe electrode pad can be reduced, and the empty area on the chip can be relatively easily secured without lowering the integration degree. Another object of the present invention is to provide a highly integrated circuit chip having a device to be evaluated and a method for inspecting the device to be evaluated.

【0007】また、本発明の第2の目的とするところ
は、チップ上に構成された被評価素子毎に共通探針用電
極パッドとの接続配線を設け、検査に際して、選択され
た被評価素子に係わる、前記電極パッドと他の被評価素
子との接続配線を切断することで、検査時の評価に影響
しない配線抵抗で、各被評価素子と前記電極パッドとの
接続配線を予め用意できるようにした、被評価素子を備
えた高集積回路チップおよび被評価素子検査法を提供す
るにある。
A second object of the present invention is to provide a connection wiring to a common probe electrode pad for each device to be evaluated formed on a chip, and to select a device to be evaluated selected at the time of inspection. By disconnecting the connection wiring between the electrode pad and another device to be evaluated, the connection wiring between each device to be evaluated and the electrode pad can be prepared in advance with a wiring resistance that does not affect the evaluation at the time of inspection. It is another object of the present invention to provide a highly integrated circuit chip having a device to be evaluated and a method for testing the device to be evaluated.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記第1の目的を達成す
るために、本発明では、検査用プローブが接触する探針
用電極パッドを介して、チップ上に構成された被評価素
子の電気的特性をテストできる構成の高集積回路チップ
において、内部セル領域の周囲にある空き領域に、前記
チップ上に構成される電子機能素子についての被評価素
子を、集約的に構成し、これに共用する探針用電極パッ
ドを設けると共に、被評価素子に対しては、前記電極パ
ッドとの接続配線に必要なルートを確保する空隙を、前
記空き領域に設けていることを特徴とする。
In order to achieve the first object, according to the present invention, the electric potential of an element to be evaluated formed on a chip is set via a probe electrode pad with which a test probe contacts. In a high-integrated circuit chip with a configuration capable of testing dynamic characteristics, devices to be evaluated for electronic functional devices formed on the chip are collectively configured in an empty region around the internal cell region, and shared therewith. The present invention is characterized in that a probe electrode pad to be provided is provided, and a gap for securing a route necessary for connection wiring with the electrode pad is provided in the empty area for the element to be evaluated.

【0009】また、本発明では、検査用プローブが接触
する探針用電極パッドを介して、チップ上に被評価素子
を構成した高集積回路チップでの、被評価素子検査法に
おいて、前記チップ上には、予め、内部セル領域の周囲
にある空き領域に、前記チップ上に構成される電子機能
素子についての被評価素子を、集約的に構成し、これに
共用する探針用電極パッドを設けると共に、被評価素子
に対しては、前記電極パッドとの接続配線に必要なルー
トを確保する空隙を、前記空き領域に設けてあり、テス
トの対象となる被評価素子を選択した段階で、エネルギ
ービームを用いて、当該被評価素子を前記電極パッドに
接続するために、前記接続配線を形成し、その後に評価
のためのテストを行うことを特徴とする。
Further, according to the present invention, there is provided a method for testing a device to be evaluated in a highly integrated circuit chip having a device to be evaluated on the chip via a probe electrode pad with which a test probe contacts. In advance, in a vacant area around the internal cell area, elements to be evaluated for electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, and a probe electrode pad shared therewith is provided. At the same time, for the device to be evaluated, a gap for securing a route necessary for the connection wiring with the electrode pad is provided in the empty region, and when the device to be tested is selected, the energy is In order to connect the element to be evaluated to the electrode pad by using a beam, the connection wiring is formed, and then a test for evaluation is performed.

【0010】更に、前記第2の目的を達成するために、
本発明では、検査用プローブが接触する探針用電極パッ
ドを介して、チップ上に構成された被評価素子の電気的
特性をテストできる構成の高集積回路チップにおいて、
内部セル領域の周囲にある空き領域に、前記チップ上に
構成される電子機能素子についての被評価素子を、集約
的に構成し、これに共用する探針用電極パッドを設ける
と共に、各被評価素子毎に、前記電極パッドとの接続配
線を、前記空き領域に形成していることを特徴とする。
Further, in order to achieve the second object,
According to the present invention, a highly integrated circuit chip having a configuration capable of testing the electrical characteristics of a device to be evaluated formed on a chip through a probe electrode pad contacted by a test probe,
In an empty area around the internal cell area, elements to be evaluated for the electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, and a probe electrode pad shared therewith is provided. A connection wiring with the electrode pad is formed in the empty area for each element.

【0011】また、本発明では、検査用プローブが接触
する探針用電極パッドを介して、チップ上に被評価素子
を構成した高集積回路チップでの、被評価素子検査法に
おいて、前記チップ上には、予め、内部セル領域の周囲
にある空き領域に、前記チップ上に構成される電子機能
素子についての被評価素子を、集約的に構成し、これに
共用する探針用電極パッドを設けると共に、各被評価素
子毎に、前記電極パッドとの接続配線を、前記空き領域
に形成してあり、テストの対象となる被評価素子を選択
した段階で、選択された被評価素子と前記電極パッドと
を接続する接続配線以外での、前記電極パッドに係わる
他の被評価素子の接続配線を、エネルギービームを用い
て、切断することを特徴とする。
Further, according to the present invention, in a method for testing a device to be evaluated in a highly integrated circuit chip in which a device to be evaluated is formed on a chip via a probe electrode pad with which a test probe contacts, In advance, in a vacant area around the internal cell area, elements to be evaluated for electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, and a probe electrode pad shared therewith is provided. At the same time, the connection wiring with the electrode pad is formed in the empty area for each device under evaluation, and at the stage when the device under test to be tested is selected, the selected device under evaluation and the electrode A connection wiring other than the connection wiring connecting to the pad and connected to another device to be evaluated related to the electrode pad is cut by using an energy beam.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明を、以下に示す2つ
の実施の形態について、具体的に説明する。なお、図1
は本発明に係わる高集積回路基板の模式的平面図であ
り、図2ないし図6は第1の実施の形態における検査時
の各被評価素子(所謂、チェック素子)と共通探針用電
極パッドの配置およびこれらに対する接続配線の事例を
示す模式図である。また、図7は接続配線の形成に際し
て電極パッドを同時形成する変形例を示す模式図であ
る。
Next, the present invention will be specifically described with reference to the following two embodiments. FIG.
FIG. 2 is a schematic plan view of a highly integrated circuit board according to the present invention. FIGS. 2 to 6 show each device to be evaluated (a so-called check device) and a common probe electrode pad at the time of inspection in the first embodiment. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the arrangement and connection wiring for these. FIG. 7 is a schematic view showing a modified example in which an electrode pad is formed at the same time when a connection wiring is formed.

【0013】更に、図8は第2の実施の形態における接
続配線を示す模式図、図9ないし図12は、選択された
被評価素子について、接続配線を特定する場合の、接続
配線の切断の事例を示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing connection wiring in the second embodiment, and FIGS. 9 to 12 show cutting of connection wiring when a connection wiring is specified for a selected device under evaluation. It is a schematic diagram which shows a case.

【0014】図1には、検査用プローブ(図示せず)が
接触する探針用電極パッド(後述する)を介して、チッ
プ1上に構成された被評価素子の電気的特性をテストで
きる構成の高集積回路基板が示されている。なお、通常
のように、チップ1上には、その中央に内部セル領域2
が構成され、また、この外部接続用端子としての多数の
電極パッド3が、内部セル領域2の各辺縁外側に位置し
て、配列形成されている。
FIG. 1 shows a configuration in which electrical characteristics of a device to be evaluated formed on a chip 1 can be tested via a probe electrode pad (described later) with which a test probe (not shown) contacts. Is shown. Note that, as usual, the chip 1 has an internal cell region 2 at the center thereof.
In addition, a large number of electrode pads 3 as external connection terminals are arranged and formed outside each edge of the internal cell region 2.

【0015】また、この実施の形態では、空き領域とし
て、チップ1の1つのコーナー部に、チップ1上(特
に、内部セル領域2)に構成される各種電子機能素子の
評価のために、被評価素子4〜7、および、これに共通
する探針用電極パッド8a〜8cが、前記電子機能素子
の構成と同時に、集約的に構成・配置されている。
In this embodiment, a free area is provided at one corner of the chip 1 for evaluation of various electronic functional elements formed on the chip 1 (in particular, the internal cell area 2). The evaluation elements 4 to 7 and the common probe electrode pads 8a to 8c are collectively configured and arranged simultaneously with the configuration of the electronic functional element.

【0016】なお、他の実施の形態として、チップ1の
他のコーナー部など、幾つかに分けて、更なる被評価素
子および共通探針用電極パッド(何れも図示せず)を、
集約的に構成・配置しても良いことは勿論である。
As another embodiment, a further element to be evaluated and a common probe electrode pad (both not shown) are divided into several parts such as another corner portion of the chip 1.
Needless to say, they may be configured and arranged collectively.

【0017】(第1の実施の形態)この実施の形態での
高集積回路チップにおいて、被評価素子4〜7に対して
は、電極パッド8a〜8cとの接続配線(後述する)に
必要なルートを確保する空隙を、前記空き領域に設けて
いる。なお、被評価素子4〜7は、例えば、電子放出素
子、メタル容量素子、抵抗などである。
(First Embodiment) In the highly integrated circuit chip according to this embodiment, for the devices 4 to 7 to be evaluated, wirings necessary for connection with electrode pads 8a to 8c (described later) are required. A gap for securing a route is provided in the empty area. The devices to be evaluated 4 to 7 are, for example, an electron-emitting device, a metal capacitor, and a resistor.

【0018】前記接続配線は、被評価素子を選択して、
テストする際に、FIBなどのエネルギービームを用い
て、選択された被評価素子の1つと、これに対応する前
記電極パッドとを接続するように、前記空隙に形成す
る。この各事例が、図2〜図6に示されている。
The connection wiring selects an element to be evaluated,
At the time of testing, an energy beam such as FIB is formed in the gap so as to connect one of the selected devices to be evaluated and the corresponding electrode pad. Each of these cases is shown in FIGS.

【0019】即ち、当初のチップには、図2に示すよう
に、接続配線は形成されていないが、テストの対象とな
る被評価素子が選択された段階で、例えば、電子放出素
子としての被評価素子4が検査のために選択されると、
検査用プローブを用いた検査に先立って、まず、被評価
素子4と電極パッド8aおよび8bとの間に、FIBな
どのエネルギービームで、例えば、Alなどの金属イオ
ンを線状に注入し、所要の配線抵抗値で、接続配線9a
を形成する(図3を参照)。
That is, as shown in FIG. 2, no connection wiring is formed on the initial chip. However, when the device to be tested is selected, for example, the device as an electron-emitting device can be used. When the evaluation element 4 is selected for inspection,
Prior to the inspection using the inspection probe, first, metal ions such as Al are linearly implanted between the device under evaluation 4 and the electrode pads 8a and 8b by an energy beam such as FIB. Of the connection wiring 9a
Is formed (see FIG. 3).

【0020】同様に、メタル容量素子としての被評価素
子5が選択されると、検査用プローブを用いた検査に先
立って、まず、被評価素子5と電極パッド8aおよび8
bとの間に、FIBなどのエネルギービームで、例え
ば、Alなどの金属イオンを線状に注入し、所要の配線
抵抗値で、接続配線9bを形成する(図3を参照)。
Similarly, when the element 5 to be evaluated as a metal capacitance element is selected, prior to the inspection using the inspection probe, first, the element 5 to be evaluated and the electrode pads 8a and 8a
Metal ions, such as Al, are linearly implanted with an energy beam such as FIB between the gate electrode b and the connection wiring 9b to form the connection wiring 9b with a required wiring resistance value (see FIG. 3).

【0021】また、抵抗素子としての被評価素子6ある
いは7が選択されると、検査用プローブを用いた検査に
先立って、まず、被評価素子6あるいは7と電極パッド
8aおよび8cとの間に、FIBなどのエネルギービー
ムで、例えば、Alなどの金属イオンを線状に注入し、
所要の配線抵抗値で、接続配線9cあるいは9dを形成
する(図4および図5を参照)。
When the device to be evaluated 6 or 7 as a resistance element is selected, prior to the inspection using the inspection probe, first, between the device to be evaluated 6 or 7 and the electrode pads 8a and 8c. With an energy beam such as FIB, for example, metal ions such as Al are linearly implanted,
The connection wiring 9c or 9d is formed with a required wiring resistance value (see FIGS. 4 and 5).

【0022】なお、各被評価素子には、接続配線のため
の端子部を外側に延出しておくと良い。これは、エネル
ギービームによる、被評価素子への熱的影響を回避する
ためである。
It is preferable that a terminal portion for connection wiring is extended outside each of the devices to be evaluated. This is to avoid thermal effects on the device under evaluation due to the energy beam.

【0023】このように、空き領域には、集約的に、被
評価素子および共通探針用電極パッドのみが構成・配置
されており、共通接続配線がなく、従って、そのための
占有領域を削減できる。そして、ここで必要なのは、空
き領域において、選択された1つの被評価素子とこれに
対応する電極パッドとの間に、専用の接続配線を設ける
ための空隙を残すことだけである。即ち、前記空隙は、
1配線分を通す幅であればよい。
As described above, only the element to be evaluated and the common probe electrode pad are collectively constructed and arranged in the empty area, and there is no common connection wiring, so that the occupied area for that can be reduced. . All that is required here is to leave a space for providing a dedicated connection wiring between one selected device under evaluation and the corresponding electrode pad in the free space. That is, the gap is
Any width may be used as long as it passes through one wiring.

【0024】斯くして、被評価素子とこれに対応する共
通探針用電極パッドとで占める占有空間を縮小し、集積
度を低下することなく、比較的容易にチップ上の空き領
域を確保できる。
Thus, the space occupied by the device to be evaluated and the corresponding common probe electrode pad can be reduced, and an empty area on the chip can be relatively easily secured without lowering the degree of integration. .

【0025】なお、図7に示すように、共通探針用電極
パッドの一部(その全部でも良いが)を、被評価素子の
選択後に、その専用の接続配線を構成する時、同時に形
成しても良い。このような変形は、本発明の技術的範疇
に属するものである。
As shown in FIG. 7, a part of the common probe electrode pad (although it may be all) is formed at the same time when the dedicated connection wiring is formed after selecting the device to be evaluated. May be. Such modifications belong to the technical category of the present invention.

【0026】(第2の実施の形態)この実施の形態で
は、各被評価素子4〜7毎に、電極パッド8a〜8cと
の接続配線9a〜9dを、チップ1上での各種電子機能
素子(図示せず)の構成と同時に、前記被評価素子およ
び共通探針用電極パッドを集約的に構成・配置する際
に、予め、前記空き領域に形成している。なお、この実
施の形態における接続配線は、各被評価素子毎に、専用
の回線で、対応する電極パッドに接続される構成である
(図8を参照)。
(Second Embodiment) In this embodiment, connection wirings 9a to 9d to electrode pads 8a to 8c are provided for each of the devices 4 to 7 to be evaluated. Simultaneously with the configuration (not shown), when the device to be evaluated and the common probe electrode pad are collectively configured and arranged, they are previously formed in the empty area. The connection wiring in this embodiment is configured to be connected to the corresponding electrode pad by a dedicated line for each element to be evaluated (see FIG. 8).

【0027】そして、被評価素子を選択して、その特性
評価のテストをする際に、選択された被評価素子と前記
電極パッドとを接続する接続配線以外での、前記電極パ
ッドに係わる他の被評価素子の接続配線を、FIBなど
のエネルギービームを用いて切断するのである。
Then, when a device to be evaluated is selected and a test for evaluating the characteristics thereof is performed, other than the connection wiring connecting the selected device to be evaluated and the electrode pad, another device related to the electrode pad is used. The connection wiring of the device under evaluation is cut using an energy beam such as FIB.

【0028】例えば、図9は、電子放電素子としての被
評価素子4が選択された場合を示しており、電極パッド
8bにおけるメタル容量素子5への接続配線9bの一部
のみを切断すればよい。これは、被評価素子4に対応す
る電極パッド8a、8bに関する検査プローブ(図示せ
ず)の接触により、検査が行われるためであって、この
際には、電極パッド8cとの接続配線は関係ない。
For example, FIG. 9 shows a case where the device under evaluation 4 is selected as an electron discharge device, and only a part of the connection wiring 9b to the metal capacitor 5 in the electrode pad 8b needs to be cut off. . This is because the inspection is performed by the contact of the inspection probe (not shown) with respect to the electrode pads 8a and 8b corresponding to the device under evaluation 4. In this case, the connection wiring with the electrode pad 8c is not related. Absent.

【0029】また、図10に示す構成は、メタル容量素
子としての被評価素子5が選択された場合であり、ここ
では、電子パッド8bにおける接続配線9aのみを切断
すればよい。更に、抵抗素子としての被評価素子6(図
11を参照)あるいは被評価素子7(図12を参照)が
選択された場合には、電子パッド8cにおける一方の不
使用接続線9dあるいは9cを切断すればよい。
The configuration shown in FIG. 10 is a case where the device under evaluation 5 is selected as a metal capacitor. In this case, only the connection wiring 9a in the electronic pad 8b needs to be cut. Further, when the device under evaluation 6 (see FIG. 11) or the device under evaluation 7 (see FIG. 12) as the resistance element is selected, one of the unused connection lines 9d or 9c in the electronic pad 8c is disconnected. do it.

【0030】このように、この実施の形態では、チップ
1上に構成された被評価素子4〜7毎に共通探針用電極
パッド8a〜8cとの接続配線9a〜9dを設け、検査
に際して、選択された被評価素子に係わる、前記電極パ
ッドと他の被評価素子との接続配線を切断する。従っ
て、各被評価素子毎に独立して接続配線を持つので、検
査時の評価に影響しない配線抵抗で、各被評価素子と前
記電極パッドとの接続配線を予め用意できる。
As described above, in this embodiment, the connection wirings 9a to 9d to the common probe electrode pads 8a to 8c are provided for each of the devices to be evaluated 4 to 7 formed on the chip 1, The connection wiring between the electrode pad and another device to be evaluated relating to the selected device to be evaluated is cut off. Therefore, since the connection wiring is independently provided for each element to be evaluated, the connection wiring between each element to be evaluated and the electrode pad can be prepared in advance with a wiring resistance which does not affect the evaluation at the time of inspection.

【0031】[0031]

【実施例】次に、本発明の更に詳細な具体的構成を以下
に例示する。ここでは、探針用電極パッドには、その面
積が60×60μmの正方形のものを3個、使用し、例
えば、チップ上の各種電子機能素子に対応して、20個
の、特性評価のための被評価素子を前記電極パッドと共
に、チップ上の空き領域に、集約的に構成・配置する。
Next, more specific examples of the present invention will be described below. Here, three probe electrode pads having a square area of 60 × 60 μm are used. For example, 20 electrode pads are used to evaluate various electronic functional elements on a chip. The elements to be evaluated are collectively constructed and arranged together with the electrode pads in an empty area on the chip.

【0032】ここでは、従来型の配列で、被評価素子2
0個について、それぞれ、専用の電極パッド(各3個)
を設けた場合(合計:60個の電極パッドが必要)と比
較すると、約460×460μm2から約100×10
0μm2までの占用面積を減少することができる。これ
は、先述の両実施の形態での、チップサイズの縮小、集
積度の向上につながる。
Here, in the conventional arrangement, the device under evaluation 2
Dedicated electrode pads (3 each) for 0
Is provided (total: 60 electrode pads are required), from about 460 × 460 μm 2 to about 100 × 10
The occupied area up to 0 μm 2 can be reduced. This leads to a reduction in chip size and an improvement in the degree of integration in the above-described embodiments.

【0033】しかも、第1の実施の形態に示すように、
接続配線を、検査のための、被評価素子の選択後に行う
形式では、予め、共用電極パッドに対して、全ての被評
価素子のために接続配線を設けているもの(一部断線、
あるいは、一部接続)に比べて、接続配線に要するルー
トの設置領域も縮小できることになり、更なるチップサ
イズの縮小、集積度の向上をもたらすことになる。
Further, as shown in the first embodiment,
In the type in which the connection wiring is performed after selecting the device to be evaluated for inspection, the connection wiring is provided in advance for all the devices to be evaluated with respect to the common electrode pad (partly disconnected,
As compared with (or partial connection), the installation area of the route required for the connection wiring can be reduced, so that the chip size is further reduced and the degree of integration is further improved.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、検
査用プローブが接触する探針用電極パッドを介して、チ
ップ上に構成された被評価素子の電気的特性をテストで
きる構成の高集積回路チップにおいて、内部セル領域の
周囲にある空き領域に、前記チップ上に構成される電子
機能素子についての被評価素子を、集約的に構成し、こ
れに共用する探針用電極パッドを設けると共に、被評価
素子に対しては、前記電極パッドとの接続配線に必要な
ルートを確保する空隙を、前記空き領域に設けている。
The present invention, as described in detail above, has a configuration in which the electrical characteristics of a device to be evaluated formed on a chip can be tested via a probe electrode pad with which a test probe contacts. In a high-integrated circuit chip, a device to be evaluated for an electronic functional device formed on the chip is collectively formed in a vacant region around the internal cell region, and a probe electrode pad shared therewith is formed. At the same time, a gap for securing a route necessary for connection wiring with the electrode pad is provided in the empty region for the element to be evaluated.

【0035】そして、本発明では、テストの対象となる
被評価素子を選択した段階で、エネルギービームを用い
て、当該被評価素子を前記電極パッドに接続するため
に、前記接続配線を形成し、その後に評価のためのテス
トを行う。
In the present invention, at the stage of selecting a device to be tested to be tested, the connection wiring is formed by using an energy beam to connect the device to be evaluated to the electrode pad; After that, a test for evaluation is performed.

【0036】従って、共通配線を設けることによる占有
空間を回避し、選択された被評価素子についてのみ接続
配線を設けることで、被評価素子とこれに対応する共通
探針用電極パッドとで占める占有空間を縮小し、集積度
を低下することなく、比較的容易にチップ上の空き領域
を確保できる。
Therefore, the space occupied by providing the common wiring is avoided, and the connection wiring is provided only for the selected device to be evaluated, so that the device to be evaluated and the corresponding common probe electrode pad occupy it. An empty area on a chip can be relatively easily secured without reducing the space and the integration degree.

【0037】また、本発明は、検査用プローブが接触す
る探針用電極パッドを介して、チップ上に構成された被
評価素子の電気的特性をテストできる構成の高集積回路
チップにおいて、内部セル領域の周囲にある空き領域
に、前記チップ上に構成される電子機能素子についての
被評価素子を、集約的に構成し、これに共用する探針用
電極パッドを設けると共に、各被評価素子毎に、前記電
極パッドとの接続配線を、前記空き領域に形成してい
る。
According to the present invention, there is provided a highly integrated circuit chip having a structure capable of testing an electrical characteristic of a device to be evaluated formed on a chip through a probe electrode pad with which a test probe contacts. In the empty area around the area, the elements to be evaluated for the electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, a probe electrode pad shared therewith is provided, and each of the elements to be evaluated is provided. In addition, the connection wiring with the electrode pad is formed in the empty area.

【0038】そして、本発明では、テストの対象となる
被評価素子を選択した段階で、選択された被評価素子と
前記電極パッドとを接続する接続配線以外での、前記電
極パッドに係わる他の被評価素子の接続配線を、エネル
ギービームを用いて、切断するのである。
In the present invention, at the stage where the device to be tested is selected, other than the connection wiring for connecting the selected device to be evaluated and the electrode pad, The connection wiring of the device under evaluation is cut using an energy beam.

【0039】従って、検査時の評価に影響しない配線抵
抗で、各被評価素子と前記電極パッドとの接続配線を予
め用意できる。
Therefore, it is possible to prepare in advance the connection wiring between each element to be evaluated and the electrode pad with a wiring resistance that does not affect the evaluation at the time of inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係わる高集積回路基板の模式的平面図
である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a highly integrated circuit board according to the present invention.

【図2】第1の実施の形態における検査時の各被評価素
子と共通探針用電極パッドとに対する配置の事例を示す
模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of arrangement with respect to each device to be evaluated and a common probe electrode pad at the time of inspection in the first embodiment.

【図3】同じく、検査時における各被評価素子と共通探
針用電極パッドとに対する接続配線の事例(1)を示す
模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example (1) of connection wiring between each device to be evaluated and a common probe electrode pad during an inspection.

【図4】同じく、検査時における各被評価素子と共通探
針用電極パッドとに対する接続配線の事例(2)を示す
模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example (2) of connection wiring for each device to be evaluated and a common probe electrode pad at the time of inspection.

【図5】同じく、検査時における各被評価素子と共通探
針用電極パッドとに対する接続配線の事例(3)を示す
模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example (3) of connection wiring for each device to be evaluated and the common probe electrode pad at the time of inspection.

【図6】同じく、検査時における各被評価素子と共通探
針用電極パッドとに対する接続配線の事例(4)を示す
模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example (4) of connection wiring between each device to be evaluated and the common probe electrode pad at the time of inspection.

【図7】第1の実施の形態における検査時の各被評価素
子と共通探針用電極パッドとに対する接続配線の変形例
を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a modification of the connection wiring for each device to be evaluated and the common probe electrode pad at the time of inspection in the first embodiment.

【図8】本発明に係わる第2の実施の形態における接続
配線を示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing connection wiring according to a second embodiment of the present invention.

【図9】同じく、選択された被評価素子について、接続
配線を特定する場合の、接続配線の切断の事例(1)を
示す模式図である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an example (1) of disconnection of a connection wiring when a connection wiring is specified for a selected device under evaluation.

【図10】同じく、接続配線の切断の事例(2)を示す
模式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing an example (2) of disconnection of a connection wiring.

【図11】同じく、接続配線の切断の事例(3)を示す
模式図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing an example (3) of disconnection of a connection wiring.

【図12】同じく、接続配線の切断の事例(4)を示す
模式図である。
FIG. 12 is also a schematic diagram showing a case (4) of disconnection of a connection wiring.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップ 2 内部セル領域 3 電極パッド 4〜7 被評価素子 8a〜8c 探針用電極パッド 9a〜9d 接続配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip 2 Internal cell area 3 Electrode pad 4-7 Device under evaluation 8a-8c Probe electrode pad 9a-9d Connection wiring

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検査用プローブが接触する探針用電極パ
ッドを介して、チップ上に構成された被評価素子の電気
的特性をテストできる構成の高集積回路チップにおい
て、内部セル領域の周囲にある空き領域に、前記チップ
上に構成される電子機能素子についての被評価素子を、
集約的に構成し、これに共用する探針用電極パッドを設
けると共に、被評価素子に対しては、前記電極パッドと
の接続配線に必要なルートを確保する空隙を、前記空き
領域に設けていることを特徴とする、被評価素子を備え
た高集積回路チップ。
In a highly integrated circuit chip having a structure capable of testing an electrical characteristic of a device to be evaluated formed on a chip via a probe electrode pad with which a test probe comes in contact, a periphery of an internal cell region is provided. In a certain empty area, an element to be evaluated for an electronic functional element formed on the chip,
Integrally configured and provided with a probe electrode pad shared therewith, and for the device under evaluation, a gap for securing a route necessary for connection wiring with the electrode pad is provided in the empty region. A highly integrated circuit chip having a device to be evaluated.
【請求項2】 前記接続配線は、被評価素子を選択し
て、テストする際に、エネルギービームを用いて、被評
価素子と前記電極パッドとを接続するように、前記空隙
に形成することを特徴とする請求項1に記載の、被評価
素子を備えた高集積回路チップ。
2. The method according to claim 1, wherein the connection wiring is formed in the gap so as to connect the device to be evaluated and the electrode pad by using an energy beam when a device to be evaluated is selected and tested. The highly integrated circuit chip according to claim 1, further comprising: a device to be evaluated.
【請求項3】 前記電極パッドは、少なくとも、その一
部を、前記接続配線の形成時に形成することを特徴とす
る請求項2に記載の、被評価素子を備えた高集積回路チ
ップ。
3. The highly integrated circuit chip according to claim 2, wherein at least a part of said electrode pad is formed when said connection wiring is formed.
【請求項4】 前記空き領域は、チップのコーナー部に
位置していることを特徴とする請求項1ないし3の何れ
かに記載の、被評価素子を備えた高集積回路チップ。
4. The highly integrated circuit chip according to claim 1, wherein the empty area is located at a corner of the chip.
【請求項5】 検査用プローブが接触する探針用電極パ
ッドを介して、チップ上に被評価素子を構成した高集積
回路チップでの、被評価素子検査法において、前記チッ
プ上には、予め、内部セル領域の周囲にある空き領域
に、前記チップ上に構成される電子機能素子についての
被評価素子を、集約的に構成し、これに共用する探針用
電極パッドを設けると共に、被評価素子に対しては、前
記電極パッドとの接続配線に必要なルートを確保する空
隙を、前記空き領域に設けてあり、テストの対象となる
被評価素子を選択した段階で、エネルギービームを用い
て、当該被評価素子を前記電極パッドに接続するため
に、前記接続配線を形成し、その後に評価のためのテス
トを行うことを特徴とする、高集積回路チップの被評価
素子検査法。
5. A method for testing a device to be evaluated in a highly integrated circuit chip having a device to be evaluated on a chip via a probe electrode pad with which the test probe contacts, In a vacant area around the internal cell area, elements to be evaluated for the electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, a probe electrode pad shared therewith is provided, and For the device, a gap for securing a route necessary for connection wiring with the electrode pad is provided in the vacant region, and at the stage of selecting a device under test to be tested, using an energy beam. A method for testing a device to be evaluated for a highly integrated circuit chip, wherein the connection wiring is formed to connect the device to be evaluated to the electrode pad, and then a test for evaluation is performed.
【請求項6】 前記電極パッドは、少なくとも、その一
部を、前記接続配線の形成時に形成することを特徴とす
る請求項5に記載の、高集積回路チップの被評価素子検
査法。
6. The method according to claim 5, wherein at least a part of the electrode pad is formed when the connection wiring is formed.
【請求項7】 検査用プローブが接触する探針用電極パ
ッドを介して、チップ上に構成された被評価素子の電気
的特性をテストできる構成の高集積回路チップにおい
て、内部セル領域の周囲にある空き領域に、前記チップ
上に構成される電子機能素子についての被評価素子を、
集約的に構成し、これに共用する探針用電極パッドを設
けると共に、各被評価素子毎に、前記電極パッドとの接
続配線を、前記空き領域に形成していることを特徴とす
る、被評価素子を備えた高集積回路チップ。
7. A highly integrated circuit chip having a configuration capable of testing an electrical characteristic of a device to be evaluated formed on a chip via a probe electrode pad with which a test probe comes into contact. In a certain empty area, an element to be evaluated for an electronic functional element formed on the chip,
A probe electrode pad commonly used for this purpose is provided, and a connection wiring with the electrode pad is formed in the empty area for each device to be evaluated. Highly integrated circuit chip with evaluation elements.
【請求項8】 被評価素子を選択して、テストする際
に、選択された被評価素子と前記電極パッドとを接続す
る接続配線以外での、前記電極パッドに係わる他の被評
価素子の接続配線を、エネルギービームを用いて、切断
することを特徴とする請求項7に記載の、被評価素子を
備えた高集積回路チップ。
8. When a device to be evaluated is selected and a test is performed, connection of another device to be evaluated related to the electrode pad other than the connection wiring connecting the selected device to be evaluated and the electrode pad. 8. The highly integrated circuit chip provided with the device under evaluation according to claim 7, wherein the wiring is cut using an energy beam.
【請求項9】 検査用プローブが接触する探針用電極パ
ッドを介して、チップ上に被評価素子を構成した高集積
回路チップでの、被評価素子検査法において、前記チッ
プ上には、予め、内部セル領域の周囲にある空き領域
に、前記チップ上に構成される電子機能素子についての
被評価素子を、集約的に構成し、これに共用する探針用
電極パッドを設けると共に、各被評価素子毎に、前記電
極パッドとの接続配線を、前記空き領域に形成してあ
り、テストの対象となる被評価素子を選択した段階で、
選択された被評価素子と前記電極パッドとを接続する接
続配線以外での、前記電極パッドに係わる他の被評価素
子の接続配線を、エネルギービームを用いて、切断する
ことを特徴とする、高集積回路チップの被評価素子検査
法。
9. A method of testing a device to be evaluated in a highly integrated circuit chip having a device to be evaluated on a chip via a probe electrode pad with which the test probe contacts, In an empty area around the internal cell area, elements to be evaluated for the electronic functional elements formed on the chip are collectively configured, and a probe electrode pad shared therewith is provided. For each evaluation element, the connection wiring with the electrode pad is formed in the empty area, and at the stage of selecting the element to be tested to be tested,
Characterized in that, other than the connection wiring connecting the selected device under evaluation and the electrode pad, the connection wiring of another device under evaluation related to the electrode pad is cut using an energy beam, Inspection method for device under evaluation of integrated circuit chip.
JP2000026475A 2000-02-03 2000-02-03 Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated Expired - Fee Related JP3439410B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000026475A JP3439410B2 (en) 2000-02-03 2000-02-03 Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000026475A JP3439410B2 (en) 2000-02-03 2000-02-03 Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001217390A true JP2001217390A (en) 2001-08-10
JP3439410B2 JP3439410B2 (en) 2003-08-25

Family

ID=18552205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000026475A Expired - Fee Related JP3439410B2 (en) 2000-02-03 2000-02-03 Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3439410B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5350475B2 (en) * 2009-06-09 2013-11-27 シャープ株式会社 Electronic equipment
JP2016219598A (en) * 2015-05-20 2016-12-22 三菱電機株式会社 Semiconductor device manufacturing method
CN110506212A (en) * 2017-04-13 2019-11-26 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 Arrangements of electric connection

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5350475B2 (en) * 2009-06-09 2013-11-27 シャープ株式会社 Electronic equipment
JP2016219598A (en) * 2015-05-20 2016-12-22 三菱電機株式会社 Semiconductor device manufacturing method
CN110506212A (en) * 2017-04-13 2019-11-26 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 Arrangements of electric connection
CN110506212B (en) * 2017-04-13 2021-12-14 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 Electrical connection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3439410B2 (en) 2003-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100466984B1 (en) Integrated circuit chip having test element group circuit and method of test the same
JP3063687B2 (en) Multi-chip module
JP2008021848A (en) Method of testing wafer and semiconductor device
US6998865B2 (en) Semiconductor device test arrangement with reassignable probe pads
KR19990055882A (en) Structure of Semiconductor Wafer and Manufacturing Method of Semiconductor Chip
JPS6276640A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0773106B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2002176140A (en) Semiconductor integrated-circuit wafer
JP2002033361A (en) Semiconductor wafer
JP3443011B2 (en) Film carrier tape and test method therefor
JP3439410B2 (en) Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated
JP2000111617A (en) Multichip module and test method therefor
JP2002162448A (en) Semiconductor device and its inspection method
JPH07225258A (en) Semiconductor device
JP2000031221A (en) Semiconductor integrated circuit device and testing method thereof
KR20010113522A (en) Integrated circuit with test mode and test device for testing the same
JP4114294B2 (en) Semiconductor device and inspection method thereof
JP2978883B1 (en) Semiconductor device
JP3245562B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH05121501A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2003188262A (en) Semiconductor element
JPS6235644A (en) Semiconductor device
US6163063A (en) Semiconductor device
JP2010062266A (en) Semiconductor module
JPH0845996A (en) Tester for semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees