JP2978883B1 - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP2978883B1 JP2978883B1 JP10160773A JP16077398A JP2978883B1 JP 2978883 B1 JP2978883 B1 JP 2978883B1 JP 10160773 A JP10160773 A JP 10160773A JP 16077398 A JP16077398 A JP 16077398A JP 2978883 B1 JP2978883 B1 JP 2978883B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- pad
- internal circuit
- pads
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10125—Reinforcing structures
- H01L2224/10126—Bump collar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 ボンディングパッドを利用してデバイス素子
の構成の如何に拘らず、精度の高い評価を行なうことが
可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ボンデイングパッド1,2,3は、組立
前の半導体基板上での電気的検査時にスリット9によっ
て電気的に複数に分割され、その分割された各ボンデイ
ングパッドの一部1b、2b、3bは、内部回路4に対
して電気的特性を検査する場合には、内部回路のドレイ
ン電極パッド5、ゲート電極パッド6、ソース電極パッ
ド7にヒューズ8を介して電気的に導通されており、各
電極に測定針を直接接触させ、信号を入出力させ、内部
回路の電気的特性を検査する。装置組立時には、ボンデ
イングの際にスリットの部分を埋め込み、電極パッド1
a、1b、電極パッド2a、2b、電極パッド3a、3
bをそれぞれ1つの電極パッドとして修復し、ボンデイ
ングパッドと内部回路4の電極パッドとをボンデイング
する。A semiconductor device capable of performing highly accurate evaluation using a bonding pad regardless of the configuration of a device element is provided. SOLUTION: Bonding pads 1, 2 and 3 are electrically divided into a plurality of parts by slits 9 at the time of an electrical inspection on a semiconductor substrate before assembly, and a part 1b, 2b, 3b is electrically connected to the drain electrode pad 5, the gate electrode pad 6, and the source electrode pad 7 of the internal circuit via the fuse 8 when inspecting the electrical characteristics of the internal circuit 4. A measuring needle is brought into direct contact with each electrode to input and output signals, and the electrical characteristics of the internal circuit are inspected. At the time of assembling the device, the slits are embedded in
a, 1b, electrode pads 2a, 2b, electrode pads 3a, 3
b is repaired as one electrode pad, and the bonding pad and the electrode pad of the internal circuit 4 are bonded.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
半導体基板上で電気的な特性の検査を行なった後に組立
る半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device assembled after inspecting electrical characteristics on a semiconductor substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置、特に、半導体メモリ装置の
大容量化が急速に進行しており、そのチップサイズも急
速に確実に拡大している。2. Description of the Related Art The capacity of semiconductor devices, especially semiconductor memory devices, is increasing rapidly, and their chip sizes are also increasing rapidly and steadily.
【0003】現在、DRAMプロセスは多層配線構造が
主流となっており、チップサイズを縮小するには、上層
配線下部へのデバイス素子の組込みが課題となってい
る。At present, the multilayer wiring structure is mainly used in the DRAM process, and in order to reduce the chip size, the incorporation of device elements below the upper wiring has become an issue.
【0000】近年、プロセス(拡散)技術の発達に伴
い、レイアウト上での制約が増えており、その中の一つ
にアクセサリーのチップ内への挿入ということがある。In recent years, with the development of process (diffusion) technology, restrictions on the layout have increased, and one of them is to insert accessories into a chip.
【0004】アクセサリーの中でも特にレイアウト上で
の影響が大きいのが、トランジスタ特性評価用チェック
パターンのアクセサリーであり、これらは、その性質
上、試験用の専用パッドを有している(特開平3−19
6536号及び特開平4−133338号公報参照)。Among the accessories, the one having a great influence on the layout is particularly a transistor pattern evaluation check pattern accessory, which has a dedicated pad for testing due to its nature (Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei. 19
6536 and JP-A-4-133338).
【0005】これらの専用パッドは、評価時においてそ
の役割を果たし終えると、その後は製品機能・動作とは
無関係になってしまう。例えパッドを有していても、ボ
ンディングされることはない。[0005] When these dedicated pads have fulfilled their role at the time of evaluation, they become irrelevant to product functions and operations thereafter. Even if it has a pad, it is not bonded.
【0006】そこで、評価用の専用パッドを設けないで
ボンデイングパッドを用いて評価を行なう技術が特開平
4−296038号公報に開示されている。A technique for performing evaluation using a bonding pad without providing a dedicated evaluation pad is disclosed in JP-A-4-296038.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平4−
296038号公報に開示された技術は、入力信号を入
力し、或いは出力信号を出力するための外部端子に結合
されたボンデイングパッドをテストパッドとして利用し
て評価を行なうものである。By the way, Japanese Patent Application Laid-Open No.
The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 296038 performs evaluation using a bonding pad connected to an external terminal for inputting an input signal or outputting an output signal as a test pad.
【0008】しかしながら、特開平4−296038号
公報に開示された技術では、入力信号或いは出力信号用
の外部端子に結合されたボンデイングパッドをテストパ
ッドとして利用しているため、外部端子から外部雑音信
号が入力することが考えられ、必ずしも外部端子に結合
されたボンデイングパッドをテストパッドとして利用す
ることは望ましいものではない。However, in the technique disclosed in JP-A-4-296038, a bonding pad connected to an external terminal for an input signal or an output signal is used as a test pad. May be input, and it is not always desirable to use a bonding pad coupled to an external terminal as a test pad.
【0009】また、デバイス素子によっては、複数のボ
ンデイングパッドが共通に接地用の外部端子に接続され
る場合があり、このような場合には、ボンデイングパッ
ドをテストパッドとして利用することは不可能となる場
合もあり、全てのデバイス素子に適用できる構成ではな
い。Further, depending on the device element, a plurality of bonding pads may be commonly connected to an external terminal for grounding. In such a case, it is impossible to use the bonding pads as test pads. In some cases, the configuration is not applicable to all device elements.
【0010】本発明の目的は、製品機能及び動作上必要
なボンディングパッドを利用してデバイス素子の構成の
如何に拘らず、精度の高い評価を行なうことが可能な半
導体装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of performing a highly accurate evaluation irrespective of the configuration of a device element by using bonding pads necessary for product functions and operations. .
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、内部回路から半導体装
置の外部へ接続するボンデングパッドを有する半導体装
置であって、電気的検査時に評価用端子として用いるた
めに、前記ボンデングパッドの一部は装置組立時に一体
的な電極パッドとして使用可能なようにスリットにより
分割された二つの電極パッドからなり、かつ前記二つに
分割された電極パッドのうちの一方が評価対象の内部回
路とヒューズを介して接続されているものである。Means for Solving the Problems] To achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a carbon dengue pad connected from the internal circuit to the outside of the semiconductor device, evaluated at electrical inspection Used as a terminal for
For this reason, a part of the bonding pad is provided with a slit so that it can be used as an integrated electrode pad when assembling the device.
It consists of two divided electrode pads, and
One of the divided electrode pads is the internal circuit to be evaluated.
It is connected to the road via a fuse .
【0012】[0012]
【0013】[0013]
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0015】図において本発明に係る半導体装置は、ボ
ンデイングパッド1,2,3を有する半導体装置であ
り、ボンデイングパッド1,2,3は、組立時に内部回
路4の電極パッド5,6,7にボンデイングされるもの
であり、かつ、各ボンデイングパッド1,2,3は、組
立前の半導体基板上での電気的検査時に電気的に複数に
分割されており、分割された各ボンデイングパッド1
a,1b、2a,2b、3a,3bの一部1b、2b、
3bは、電気的検査時の評価用端子として用いられるよ
うになっている。In the figure, the semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having bonding pads 1, 2, and 3, and the bonding pads 1, 2, and 3 are connected to the electrode pads 5, 6, and 7 of the internal circuit 4 during assembly. Each of the bonding pads 1, 2, 3 is electrically divided into a plurality of parts at the time of an electrical inspection on the semiconductor substrate before assembly, and each of the divided bonding pads 1, 2 is bonded.
a, 1b, 2a, 2b, part 1b, 2b of 3a, 3b,
Reference numeral 3b is used as an evaluation terminal at the time of electrical inspection.
【0016】また分割された評価用端子1b、2b、3
bと評価対象の内部回路4の電極パッド5,6,7との
間には、装置組立時にトリミングされるヒューズ8を必
要に応じて設けている。The divided evaluation terminals 1b, 2b, 3
Between the electrode b and the electrode pads 5, 6, and 7 of the internal circuit 4 to be evaluated, a fuse 8 to be trimmed at the time of assembling the device is provided as needed.
【0017】また分割された各ボンデイングパッド1
a,1b、2a,2b、3a,3bは、装置組立時に一
体的な電極パッドとして修復され、その修復されたボン
デイングパッド1,2,3と内部回路4の電極パッド
5,6,7とがボンデイングされて電気的に接続され、
装置として完成するようになっている。Each of the divided bonding pads 1
a, 1b, 2a, 2b, 3a and 3b are repaired as integral electrode pads at the time of assembling the device, and the repaired bonding pads 1, 2, 3 and the electrode pads 5, 6, 7 of the internal circuit 4 are connected. Bonded and electrically connected,
It is designed to be completed as a device.
【0018】次に、本発明の具体例を実施形態として説
明する。Next, a specific example of the present invention will be described as an embodiment.
【0019】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1に係る半導体装置を示す構成図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention.
【0020】図1において、半導体装置のチップ基体を
なす半導体基板上には、デバイス素子を含む内部回路4
とボンデイングパッド1,2,3とが形成されている。In FIG. 1, an internal circuit 4 including device elements is provided on a semiconductor substrate, which is a chip base of a semiconductor device.
And bonding pads 1, 2, 3 are formed.
【0021】ボンデイングパッド1,2,3は、組立時
に内部回路4の電極パッド5,6,7にボンデイングさ
れるようになっており、本発明の実施形態1における各
ボンデイングパッド1,2,3は、組立前の半導体基板
上での電気的検査時にスリット8によって電気的に複数
に分割されており、分割された各ボンデイングパッド1
a,1b、2a,2b、3a,3bの一部1b、2b、
3bは、電気的検査時の評価用端子として用いられるよ
うになっている。The bonding pads 1, 2, 3 are bonded to the electrode pads 5, 6, 7 of the internal circuit 4 at the time of assembling, and the bonding pads 1, 2, 3 according to the first embodiment of the present invention. Are electrically divided into a plurality of parts by slits 8 at the time of electrical inspection on the semiconductor substrate before assembly, and each divided bonding pad 1 is
a, 1b, 2a, 2b, part 1b, 2b of 3a, 3b,
Reference numeral 3b is used as an evaluation terminal at the time of electrical inspection.
【0022】図1の本発明の実施形態1におけるボンデ
イングパッド1,2,3は、装置の組立時には、それぞ
れ入力用電極パッド、出力用電極パッド、接地用電極パ
ッドとして用いられるものであるが、組立前の半導体基
板上での電気的検査時にスリット9によって電気的に複
数に分割され、その分割された各ボンデイングパッド1
a,1b、2a,2b、3a,3bの一部1b、2b、
3bは、電気的検査時の評価用端子であるドレイン電極
パッド、ゲート電極パッド、ソース電極パッドとして用
いられるようになっている。The bonding pads 1, 2, and 3 in the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 are used as input electrode pads, output electrode pads, and grounding electrode pads when assembling the apparatus. At the time of the electrical inspection on the semiconductor substrate before assembly, it is electrically divided into a plurality by the slit 9 and each of the divided bonding pads 1.
a, 1b, 2a, 2b, part 1b, 2b of 3a, 3b,
Reference numeral 3b is used as a drain electrode pad, a gate electrode pad, and a source electrode pad which are evaluation terminals at the time of an electrical test.
【0023】また図1に示す本発明の実施形態1では、
分割された評価用端子1b、2b、3bと評価対象の内
部回路4の電極パッド5,6,7との間には、装置組立
時にトリミングされるヒューズ8を設けている。In the first embodiment of the present invention shown in FIG.
Between the divided evaluation terminals 1b, 2b, 3b and the electrode pads 5, 6, 7 of the internal circuit 4 to be evaluated, a fuse 8 to be trimmed at the time of assembling the device is provided.
【0024】内部回路4に対して電気的特性を検査する
場合には、内部回路4の電極パッド5,6,7にヒュー
ズ8を介して電気的に導通されたドレイン電極パッド
5、ゲート電極パッド6、ソース電極パッド7に図示し
ない測定装置の測定針を直接接触させ、信号を入出力さ
せ、内部回路4の電気的特性を検査する。When the electrical characteristics of the internal circuit 4 are to be inspected, the drain electrode pad 5 and the gate electrode pad electrically connected to the electrode pads 5, 6, and 7 of the internal circuit 4 through the fuse 8 are used. 6. A measuring needle of a measuring device (not shown) is brought into direct contact with the source electrode pad 7 to input / output a signal and to inspect an electrical characteristic of the internal circuit 4.
【0025】測定終了後、ドレイン電極パッド1bとド
レイン電極5、ゲート電極パッド2bとゲート電極6、
ソース電極パッド3bとソース電極7をそれぞれ電気的
に切断するためにヒューズ8のトリミングを行い、ヒュ
ーズ8を切断する。After the measurement, the drain electrode pad 1b and the drain electrode 5, the gate electrode pad 2b and the gate electrode 6,
Fuse 8 is trimmed to electrically cut source electrode pad 3b and source electrode 7, respectively, and fuse 8 is cut.
【0026】ヒューズ8を切断したことにより、ドレイ
ン電極パッド1b、ゲート電極パッド2b、ソース電極
パッド3bと評価対象の内部回路4の電極パッド5,
6,7とは、電気的に非導通状態になる。By cutting the fuse 8, the drain electrode pad 1b, the gate electrode pad 2b, the source electrode pad 3b and the electrode pads 5 and 5 of the internal circuit 4 to be evaluated.
6 and 7 are electrically non-conductive.
【0027】装置組立時には、ボンデイングの際にスリ
ット9の部分を埋め込むようにして、入力用電極パッド
1aとドレイン電極パッド1b、出力用電極パッド2a
とゲート電極パッド2b、接地用電極パッド3aとソー
ス電極パッド3bをそれぞれ1つの電極パッド(ボンデ
イングパッド1,2,3)として修復し、ボンデイング
パッド1,2,3と内部回路4の電極パッド5,6,7
とをボンデイングして装置として完成させる。At the time of assembling the device, the input electrode pad 1a, the drain electrode pad 1b, and the output electrode pad 2a
, The gate electrode pad 2b, the ground electrode pad 3a, and the source electrode pad 3b are respectively repaired as one electrode pad (bonding pads 1, 2, 3), and the bonding pads 1, 2, 3 and the electrode pad 5 of the internal circuit 4 are repaired. , 6,7
To complete the device.
【0028】(実施形態2)図2は、本発明の実施形態
2に係る半導体装置を示す構成図である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a configuration diagram showing a semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention.
【0029】図2に示す本発明の実施形態2に係る半導
体装置は、装置として完成された場合に、2つのボンデ
イングパッド2,3が配線10を介して電気的に接続さ
れる構成ものを対象とするものである。The semiconductor device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 has a structure in which two bonding pads 2 and 3 are electrically connected via a wiring 10 when completed as a device. It is assumed that.
【0030】図2に示すように、2つのボンデイングパ
ッド2,3が配線10を介して電気的に接続されたもの
では、内部回路4の電気的特性の検査の際に支障を来す
ものである。As shown in FIG. 2, when the two bonding pads 2 and 3 are electrically connected via the wiring 10, it may hinder the inspection of the electrical characteristics of the internal circuit 4. is there.
【0031】そこで、図2に示す本発明の実施形態2に
係る半導体装置における各ボンデイングパッド1,2,
3は、組立前の半導体基板上での電気的検査時にスリッ
ト8によって電気的に複数に分割する。Therefore, in the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG.
3 is electrically divided into a plurality of parts by slits 8 at the time of electrical inspection on a semiconductor substrate before assembly.
【0032】これにより、配線10を介して電気的に接
続された2つのボンデイングパッド2,3を含めて各ボ
ンデイングパッド1,2,3は、電気的に切断したボン
デイングパッド1a,1b、2a,2b、3a,3bと
して分割され、その一部1b、2b、3bは、電気的検
査時の評価用端子であるドレイン電極パッド、ゲート電
極パッド、ソース電極パッドとして用いられるようにな
っている。As a result, each of the bonding pads 1, 2, 3 including the two bonding pads 2, 3 electrically connected via the wiring 10 is electrically disconnected from the bonding pads 1a, 1b, 2a, 2b, 3a and 3b are divided, and a part 1b, 2b and 3b is used as a drain electrode pad, a gate electrode pad and a source electrode pad which are evaluation terminals at the time of an electrical test.
【0033】また図2に示す本発明の実施形態2では、
装置組み立て時に2つのボンデイングパッド2,3が配
線10を介して電気的に接続されるが、評価時にはスリ
ット9により分離されるため、評価用端子2b、3bと
評価対象の内部回路4の電極パッド6,7との間には、
装置組立時にトリミングされるヒューズ8を設けておら
ず、評価用端子1bと評価対象の内部回路4の電極パッ
ド5との間にのみ、装置組立時にトリミングされるヒュ
ーズ8を設けている。In the second embodiment of the present invention shown in FIG.
The two bonding pads 2 and 3 are electrically connected via the wiring 10 at the time of assembling the device, but are separated by the slit 9 at the time of evaluation. Between 6, 7
The fuse 8 to be trimmed at the time of assembling the device is not provided, and only the fuse 8 to be trimmed at the time of assembling the device is provided between the evaluation terminal 1b and the electrode pad 5 of the internal circuit 4 to be evaluated.
【0034】図2において、内部回路4に対して電気的
特性を検査する場合には、内部回路4の電極パッド5,
6,7にヒューズ8を介して電気的に導通されたドレイ
ン電極パッド5、ゲート電極パッド6、ソース電極パッ
ド7に図示しない測定装置の測定針を直接接触させ、信
号を入出力させて、内部回路4の電気的特性を検査す
る。In FIG. 2, when the electrical characteristics of the internal circuit 4 are inspected, the electrode pads 5 and 5 of the internal circuit 4 are checked.
A measuring needle of a measuring device (not shown) is brought into direct contact with the drain electrode pad 5, the gate electrode pad 6, and the source electrode pad 7 which are electrically connected to the drain electrodes 6 and 7 via the fuse 8, and a signal is inputted and outputted. The electrical characteristics of the circuit 4 are inspected.
【0035】測定終了後、ドレイン電極パッド1bとド
レイン電極5を電気的に切断するためにヒューズ8のト
リミングを行い、ヒューズ8を切断する。After the measurement is completed, the fuse 8 is trimmed to electrically disconnect the drain electrode pad 1b and the drain electrode 5, and the fuse 8 is cut.
【0036】装置組立時には、ボンデイングの際にスリ
ット9の部分を埋め込むようにして、入力用電極パッド
1aとドレイン電極パッド1b、出力用電極パッド2a
とゲート電極パッド2b、接地用電極パッド3aとソー
ス電極パッド3bをそれぞれ1つの電極パッド(ボンデ
イングパッド1,2,3)として修復し、ボンデイング
パッド1,2,3と内部回路4の電極パッド5,6,7
とをボンデイングして装置として完成させる。At the time of assembling the device, the input electrode pad 1a, the drain electrode pad 1b, and the output electrode pad 2a are embedded in the slit 9 during bonding.
, The gate electrode pad 2b, the ground electrode pad 3a, and the source electrode pad 3b are respectively repaired as one electrode pad (bonding pads 1, 2, 3), and the bonding pads 1, 2, 3 and the electrode pad 5 of the internal circuit 4 are repaired. , 6,7
To complete the device.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、入
力信号或いは出力信号用の外部端子からボンデイングパ
ッドを切離してテストパッドとして利用しているため、
外部端子から外部雑音信号が入力することを避けること
ができ、精度の高い評価を行なうことができる。As described above, according to the present invention, the bonding pad is separated from the external terminal for input signal or output signal and used as a test pad.
Input of an external noise signal from an external terminal can be avoided, and highly accurate evaluation can be performed.
【0038】また、デバイス素子によっては、複数のボ
ンデイングパッドが共通に接地用の外部端子に接続され
る場合があるが、本発明の場合には、ボンデイングパッ
ドを個々に切離してテストパッドとして利用するため、
デバイス素子の構成の如何に拘らず、精度の高い評価を
行なうことができる。Also, depending on the device element, a plurality of bonding pads may be commonly connected to an external terminal for grounding. In the case of the present invention, the bonding pads are individually separated and used as test pads. For,
Highly accurate evaluation can be performed regardless of the configuration of the device element.
【図1】本発明の実施形態1に係る半導体装置を示す構
成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施形態2に係る半導体装置を示す構
成図である。FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
1,2,3 ボンデイングパッド 4 内部回路 5,6,7 電極パッド 8 スリット 9 ヒューズ 1,2,3 Bonding pad 4 Internal circuit 5,6,7 Electrode pad 8 Slit 9 Fuse
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−196536(JP,A) 特開 平10−12680(JP,A) 特開 平3−211843(JP,A) 特開 昭64−86536(JP,A) 特開 平2−184043(JP,A) 特開 平10−223801(JP,A) 特開 平2−216475(JP,A) 特開 平3−200347(JP,A) 特開 平7−7058(JP,A) 特開 平2−112261(JP,A) 実開 平1−165247(JP,U) 実開 昭60−129139(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/66 H01L 21/60 301 H01L 21/82 Continuation of the front page (56) References JP-A-3-196536 (JP, A) JP-A-10-12680 (JP, A) JP-A-3-211843 (JP, A) JP-A 64-86536 (JP) JP-A-2-184403 (JP, A) JP-A-10-223801 (JP, A) JP-A-2-216475 (JP, A) JP-A-3-200347 (JP, A) 7-7058 (JP, A) JP-A-2-112261 (JP, A) JP-A 1-165247 (JP, U) JP-A 60-129139 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/66 H01L 21/60 301 H01L 21/82
Claims (1)
るボンデングパッドを有する半導体装置であって、電気的検査時に評価用端子として用いるために、 前記ボ
ンデングパッドの一部は装置組立時に一体的な電極パッ
ドとして使用可能なようにスリットにより分割された二
つの電極パッドからなり、かつ前記二つに分割された電
極パッドのうちの一方が評価対象の内部回路とヒューズ
を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device having a bonding pad connected from an internal circuit to the outside of a semiconductor device , wherein a part of the bonding pad is integrated at the time of assembling the device so as to be used as an evaluation terminal during an electrical test. Divided by slits so that they can be used as
Electrode pad, and the two divided electrodes
One of the pole pads is the internal circuit and fuse to be evaluated
A semiconductor device characterized by being connected via a .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10160773A JP2978883B1 (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10160773A JP2978883B1 (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2978883B1 true JP2978883B1 (en) | 1999-11-15 |
JPH11354595A JPH11354595A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15722152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10160773A Expired - Lifetime JP2978883B1 (en) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2978883B1 (en) |
-
1998
- 1998-06-09 JP JP10160773A patent/JP2978883B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11354595A (en) | 1999-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4894605A (en) | Method and on-chip apparatus for continuity testing | |
US6351040B1 (en) | Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device | |
JPH0773106B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3277914B2 (en) | Integrated circuit device having a process parameter measuring circuit | |
JPH11307601A (en) | Semiconductor device | |
JP2978883B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2000031216A (en) | Inspection device for bonding pad | |
JP3130769B2 (en) | Semiconductor device | |
JP3093216B2 (en) | Semiconductor device and inspection method thereof | |
KR100448113B1 (en) | Semiconductor device capable of narrowing down failed point | |
JP4114294B2 (en) | Semiconductor device and inspection method thereof | |
JPH065674A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
KR20010110157A (en) | Monitoring resistor element and measuring method of relative preciseness of resistor elements | |
JP3245562B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2952909B2 (en) | Test method for semiconductor integrated circuit and its package | |
JP2001217390A (en) | High integrated circuit chip having element to be evaluated, and method of inspecting the element | |
JPH0153513B2 (en) | ||
JPS6342140A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
JP2809208B2 (en) | TAB tape carrier | |
US20030183908A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JPH05121501A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH06140485A (en) | Semiconductor device | |
JPH05152395A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPH05160216A (en) | Semiconductor circuit device | |
JPH11163067A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof |