JP2001168157A - Semiconductor device, testing method thereof and semiconductor chip - Google Patents

Semiconductor device, testing method thereof and semiconductor chip

Info

Publication number
JP2001168157A
JP2001168157A JP35339599A JP35339599A JP2001168157A JP 2001168157 A JP2001168157 A JP 2001168157A JP 35339599 A JP35339599 A JP 35339599A JP 35339599 A JP35339599 A JP 35339599A JP 2001168157 A JP2001168157 A JP 2001168157A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminals
bonding
inspection
chip
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP35339599A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4114294B2 (en
Inventor
Makoto Ito
伊藤  誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP35339599A priority Critical patent/JP4114294B2/en
Publication of JP2001168157A publication Critical patent/JP2001168157A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4114294B2 publication Critical patent/JP4114294B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, a testing method thereof and a semiconductor chip which is capable of independently inspecting the semiconductor chip. SOLUTION: A bare chip IC 1 has inspecting terminals 4b, 5b electrically connected to a logic circuit block 2 formed on the bare chip IC, for inspecting the logic circuit block 2 and bonding terminals 4a, 5a electrically connected to the inspecting terminals 4b, 5b through transmission gates. After electrically cutting off the inspecting terminals 4b, 5b and the bonding terminals 4a, 5a, using the transmission gates, the inspecting terminals 4b, 5b are probed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ハイブリ
ッドECUなど、ベアチップ実装製品に搭載する半導体
装置およびその検査に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor device mounted on a product mounted on a bare chip, such as a hybrid ECU, and an inspection thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体実装製品の小型化が急速に
進んで、半導体チップをベア(裸)状態で実装する要望
がある。図3は、ベアチップ等の半導体チップの従来の
検査に関する模式図である。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization of semiconductor mounted products has rapidly progressed, and there is a demand for mounting semiconductor chips in a bare state. FIG. 3 is a schematic diagram relating to a conventional inspection of a semiconductor chip such as a bare chip.

【0003】図3に示すように、基板J1上に半導体チ
ップJ2が搭載されており、ある半導体チップJ2の端
子J3とその他の半導体チップJ2の端子J3とが、基
板J1上に形成された配線J4とワイヤボンドにより形
成されたワイヤJ5等により電気的に接続されている。
また、図示例では2つの半導体チップJ2と同一ノード
となっている配線J4から検査用端子J6が設けられて
いる。そして、検査用端子J6にプロービングすること
により半導体チップJ2の検査を行っている。
As shown in FIG. 3, a semiconductor chip J2 is mounted on a substrate J1, and a terminal J3 of one semiconductor chip J2 and a terminal J3 of another semiconductor chip J2 are connected to a wiring formed on the substrate J1. It is electrically connected to J4 by a wire J5 formed by wire bonding or the like.
In the illustrated example, an inspection terminal J6 is provided from a wiring J4 which is the same node as the two semiconductor chips J2. Then, the semiconductor chip J2 is inspected by probing to the inspection terminal J6.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、実装基板に設
けた限られた検査用端子からでは、この製品の機能上の
良否は判断できても、実装後の不良チップを特定してリ
ペアしたり、さらに、そのチップのどの様な特性が故障
しているのかという故障解析が難しくなるという問題が
生じている。
However, from the limited test terminals provided on the mounting board, it is possible to judge whether the product is functional or not. Further, there is a problem that it becomes difficult to perform a failure analysis on what characteristic of the chip has failed.

【0005】上記問題は、基板上に半導体チップを実装
した後に、複数の半導体チップが1つのノードを共有し
ていることに起因している。つまり、その検査用端子で
半導体チップの不良を検出しても、同一ノードを共有す
る複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが不良
であるのかを特定できないためにこの問題が生じてい
る。
[0005] The above problem arises from the fact that a plurality of semiconductor chips share one node after the semiconductor chip is mounted on the substrate. That is, even if a defect of the semiconductor chip is detected by the inspection terminal, it is not possible to specify which semiconductor chip is defective among a plurality of semiconductor chips sharing the same node, which causes this problem.

【0006】本発明は、上記問題点に鑑み、半導体チッ
プを単独で検査することができる半導体装置およびその
検査方法および半導体チップを提供することを目的とす
る。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of independently inspecting a semiconductor chip, a method of inspecting the semiconductor device, and a semiconductor chip.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明では、半導体チップ(1)
は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端子(4
b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するためのボン
ディング用端子(4a、5a)とを備え、ボンディング
用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5b)にス
イッチ手段(60)を介して電気的に接続することを特
徴としている。
According to the first aspect of the present invention, a semiconductor chip (1) is provided.
Are test terminals (4) electrically connected to the internal circuit (2).
b, 5b) and bonding terminals (4a, 5a) for electrically connecting to peripheral circuits, and the bonding terminals (4a, 5a) are connected to the inspection terminals (4b, 5b) by the switch means (60). ) Is electrically connected.

【0008】本発明では、スイッチ手段(60)を用い
てボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4
b、5b)を電気的に切断することにより、半導体チッ
プ(1)を周辺回路から電気的に切断した状態で、検査
用端子(4b、5b)を用いてその半導体チップ(1)
を単独に検査することができる。
In the present invention, the bonding terminal (4a, 5a) and the inspection terminal (4
b, 5b), the semiconductor chip (1) is electrically disconnected from the peripheral circuit, and the semiconductor chip (1) is electrically disconnected from the peripheral circuit using the inspection terminals (4b, 5b).
Can be independently tested.

【0009】この場合、請求項2に記載の発明のよう
に、チップ上面においてボンディング用端子(4a、5
a)を検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置さ
せれば、ボンディング用端子(4a、5a)を用いて周
辺回路と電気的に接続した後に、容易に検査用端子(4
b、5b)を用いて検査することができる。
In this case, the bonding terminals (4a, 5a,
If a) is located on the outer peripheral side of the test terminals (4b, 5b), the test terminals (4a, 5a) can be easily connected to peripheral circuits using the bonding terminals (4a, 5a).
b, 5b).

【0010】請求項3に記載の発明では、半導体チップ
(1)は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端
子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するため
のボンディング用端子(4a、5a)とを備え、ボンデ
ィング用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5
b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続して
おり、スイッチ手段(60)を用いてボンディング用端
子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的
に切断した後、検査用端子(4b、5b)を用いて半導
体チップ(1)の検査を行うことを特徴としている。
According to the third aspect of the present invention, the semiconductor chip (1) has an inspection terminal (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2), and an inspection terminal (4b, 5b) for electrically connecting to the peripheral circuit. Bonding terminals (4a, 5a), and the bonding terminals (4a, 5a) are connected to the inspection terminals (4b, 5a).
b) is electrically connected to the bonding terminal (4a, 5a) and the inspection terminal (4b, 5b) by using the switch means (60). Thereafter, the semiconductor chip (1) is inspected using the inspection terminals (4b, 5b).

【0011】本発明によれば、ボンディング用端子(4
a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断
することにより、半導体チップ(1)を周辺回路から電
気的に切断させることができるため、半導体チップを単
独で検査することができる。
According to the present invention, the bonding terminals (4
a, 5a) and the test terminals (4b, 5b) can be electrically disconnected, so that the semiconductor chip (1) can be electrically disconnected from the peripheral circuit. it can.

【0012】請求項4に記載の発明では、内部回路
(2)と電気的に接続した検査用端子(4b、5b)
と、周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用
端子(4a、5a)とを備え、ボンディング用端子(4
a、5a)が検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段
(60)を介して電気的に接続していることを特徴とし
ている。
According to the invention described in claim 4, the inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2).
And bonding terminals (4a, 5a) for electrically connecting to peripheral circuits.
a, 5a) is electrically connected to the inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60).

【0013】これにより、スイッチ手段(60)を用い
てボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4
b、5b)を電気的に切断させた状態で、検査用端子
(4b、5b)を用いてその半導体チップ(1)を単独
に検査することができる。
Thus, the bonding terminal (4a, 5a) and the inspection terminal (4
The semiconductor chip (1) can be independently tested using the test terminals (4b, 5b) in a state where the semiconductor chips (b, 5b) are electrically disconnected.

【0014】この場合、請求項5に記載の発明のよう
に、ボンディング用端子(4a、5a)を検査用端子
(4b、5b)よりもチップ上面の外周側に位置させる
と好適である。
In this case, it is preferable that the bonding terminals (4a, 5a) are located on the outer peripheral side of the upper surface of the chip with respect to the inspection terminals (4b, 5b).

【0015】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
The reference numerals in parentheses of the above-mentioned means indicate the correspondence with the concrete means described in the embodiments described later.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は、本実施形態の半導体装置
に係るベアチップICの電気回路図である。図1に示す
ように、モノリシックICである半導体チップとしての
ベアチップIC1にはロジック回路ブロック(請求項で
いう内部回路)2が形成されており、ロジック回路ブロ
ック2からはVss(接地)端子3とVdd(電源)端
子4a、4bが出ている。また、ロジック回路ブロック
2の入出力端子と電気的に接続された端子5a、5bが
設けられている。
FIG. 1 is an electric circuit diagram of a bare chip IC according to a semiconductor device of the present embodiment. As shown in FIG. 1, a bare chip IC 1 as a semiconductor chip which is a monolithic IC has a logic circuit block (internal circuit in the claims) 2 formed thereon, and a Vss (ground) terminal 3 from the logic circuit block 2. Vdd (power supply) terminals 4a and 4b are provided. Further, terminals 5a and 5b electrically connected to the input / output terminals of the logic circuit block 2 are provided.

【0017】そして、入出力端子と接続された端子5
a、5bとVdd端子4a、4bは、それぞれ2つの端
子が1組になっており、一方が周辺回路(電子部品およ
び電源線、接地線を含む)との導通をとるためのボンデ
ィング用端子4a、5aであり、他方がベアチップIC
1の検査を行うための検査用端子4b、5bである。
The terminal 5 connected to the input / output terminal
a, 5b and Vdd terminals 4a, 4b, each of which is a set of two terminals, one of which is a bonding terminal 4a for establishing electrical continuity with peripheral circuits (including electronic components, power supply lines, and ground lines). 5a, the other being a bare chip IC
Inspection terminals 4b and 5b for performing the first inspection.

【0018】そして、各々の検査用端子4b、5bがロ
ジック回路ブロック2と電気的に直結しており、各々の
ボンディング用端子4a、5aがスイッチ手段としての
スイッチ回路ブロック60を介して、各々組となってい
る検査用端子4b、5bと電気的に接続されている。
The test terminals 4b and 5b are electrically connected directly to the logic circuit block 2, and the bonding terminals 4a and 5a are connected to each other via a switch circuit block 60 as a switch. Are electrically connected to the inspection terminals 4b and 5b.

【0019】なお、図1では、Vdd端子4a、4b以
外には、1組のボンディング用端子5aと検査用端子5
bのみ示してあるが、実際は、この1組の端子5a、5
bと同様にして、ロジック回路ブロック2の入出力端子
と接続したボンディング用端子と検査用端子の組が複数
形成されている。
In FIG. 1, in addition to the Vdd terminals 4a and 4b, a pair of bonding terminals 5a and inspection terminals 5a are provided.
b, only one set of terminals 5a, 5a, 5
Similarly to b, a plurality of pairs of bonding terminals and inspection terminals connected to the input / output terminals of the logic circuit block 2 are formed.

【0020】ここで、スイッチ回路ブロック60はPc
hMOSトランジスタ61とNchMOSトランジスタ
62から構成されるトランスミッションゲートからな
る。そして、PchMOSトランジスタ61のゲートと
CS(チップセレクト)端子7が接続されており、Nc
hMOSトランジスタ62のゲートはインバータ63を
介してCS端子7と接続されている。
Here, the switch circuit block 60 is Pc
The transmission gate includes an hMOS transistor 61 and an NchMOS transistor 62. The gate of the PchMOS transistor 61 and the CS (chip select) terminal 7 are connected, and Nc
The gate of the hMOS transistor 62 is connected to the CS terminal 7 via the inverter 63.

【0021】また、CS端子7のオープン時にはCS信
号がローレベルとなるようにプルダウン抵抗8が内蔵さ
れており、CS端子7からの配線と電源およびグランド
との間に回路保護用のダイオード9が設けられている。
また、PchMOSトランジスタ61の基板電位とイン
バータ63の電源は、Vdd端子4a、4bのうちのボ
ンディング用端子4aからとるようになっている。
When the CS terminal 7 is open, a pull-down resistor 8 is built in so that the CS signal is at a low level. A diode 9 for circuit protection is provided between the wiring from the CS terminal 7 and the power supply and the ground. Is provided.
The substrate potential of the PchMOS transistor 61 and the power supply of the inverter 63 are obtained from the bonding terminal 4a among the Vdd terminals 4a and 4b.

【0022】図2は、これらのボンディング用端子4
a、5aと検査用端子4b、5bの配置に関し、ベアチ
ップIC1を上から見た模式図であ。図2に示すよう
に、本実施形態では、チップ上面にパッドが形成されて
おり、ベアチップIC1の縁部(外周側)に配置された
パッド10がボンディング用端子4a、5aに相当し、
これらの縁部のパッド10に対してベアチップIC1の
内周側に配置されたパッド11が検査用端子4b、5b
に相当する。
FIG. 2 shows these bonding terminals 4.
FIG. 3 is a schematic view of the arrangement of the test terminals 4b and 5b and the bare chip IC1 as viewed from above. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, pads are formed on the upper surface of the chip, and the pads 10 arranged on the edge (outer peripheral side) of the bare chip IC 1 correspond to the bonding terminals 4a, 5a.
The pads 11 arranged on the inner peripheral side of the bare chip IC1 with respect to the pads 10 at these edges are the inspection terminals 4b, 5b
Is equivalent to

【0023】そして、このベアチップIC1が基板上に
実装され、ベアチップIC1の縁部に配置されたパッド
10(ボンディング用端子)がワイヤボンド等により周
辺回路と電気的に接続されている。
The bare chip IC1 is mounted on a substrate, and the pads 10 (bonding terminals) arranged on the edge of the bare chip IC1 are electrically connected to peripheral circuits by wire bonding or the like.

【0024】以上の構成を持つベアチップIC1は、ベ
アチップIC1の外部からVdd端子4a、4bのうち
のボンディング用端子4aとVss(接地)端子3との
間にバイアスを印加した状態で、CS信号がローレベル
のときは、PchMOSトランジスタ61とNchMO
Sトランジスタ62がともにオンするためトランスミッ
ションゲートがオンし、このベアチップIC1が周辺回
路と電気的に接続される。一方、CS信号がハイレベル
のときは、上記2種類のトランジスタ61、62がとも
にオフするためトランスミッションゲートがオフし、そ
れぞれ対になっているボンディング用端子4a、5aと
検査用端子4b、5bが電気的に切断され、ベアチップ
IC1が周辺回路と切断される。
In the bare chip IC 1 having the above configuration, the CS signal is applied in a state where a bias is applied between the bonding terminal 4 a of the Vdd terminals 4 a and 4 b and the Vss (ground) terminal 3 from outside the bare chip IC 1. When low, the PchMOS transistor 61 and the NchMO
Since both S transistors 62 are turned on, the transmission gate is turned on, and this bare chip IC1 is electrically connected to peripheral circuits. On the other hand, when the CS signal is at the high level, the two types of transistors 61 and 62 are both turned off, so that the transmission gate is turned off, and the paired bonding terminals 4a and 5a and the inspection terminals 4b and 5b are turned off. Electrical disconnection disconnects the bare chip IC1 from peripheral circuits.

【0025】そして、このベアチップIC1が周辺回路
と切断され、ロジック回路ブロック2が電源と通電した
状態で、検査用端子4b、5bに相当するパッド11に
プロービングすることにより、このベアチップIC1の
検査を行う。
Then, the bare chip IC1 is disconnected from the peripheral circuits, and the logic circuit block 2 is energized with the power supply, and is probed to the pads 11 corresponding to the inspection terminals 4b, 5b, thereby inspecting the bare chip IC1. Do.

【0026】ところで、本実施形態によれば、検査用端
子4b、5bとボンディング用端子4a、5aとを設
け、さらにその間にトランスミッションゲートを設けて
いるため、上述のようにベアチップIC1を周辺回路か
ら電気的に切断することができ、ベアチップIC1を基
板に実装した後に、ベアチップIC1を単独で検査する
ことができる。
According to the present embodiment, since the inspection terminals 4b and 5b and the bonding terminals 4a and 5a are provided, and the transmission gate is provided therebetween, the bare chip IC1 is removed from the peripheral circuit as described above. The bare chip IC1 can be electrically cut, and after the bare chip IC1 is mounted on the substrate, the bare chip IC1 can be independently tested.

【0027】また、ベアチップIC1を周辺回路から電
気的に切断させて検査を行うため、ベアチップIC1単
体でのリーク電流やスタンバイ電流等の検査が可能にな
り、テスタビリティの向上により信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。
In addition, since the bare chip IC 1 is electrically disconnected from the peripheral circuit for inspection, the bare chip IC 1 alone can be inspected for a leak current, a standby current, etc., and a highly reliable semiconductor can be obtained by improving testability. A device can be obtained.

【0028】また、ボンディング用端子4a、5aを検
査用端子4b、5bよりもベアチップIC1の外周側に
設けているため、ワイヤボンド等によりこのベアチップ
IC1を基板に実装した後に、ワイヤが検査用端子4
b、5b上に渡ることがないため、容易に検査用端子4
b、5bへプロービングすることができる。
Further, since the bonding terminals 4a, 5a are provided on the outer peripheral side of the bare chip IC1 with respect to the inspection terminals 4b, 5b, after the bare chip IC1 is mounted on the substrate by wire bonding or the like, the wires are connected to the inspection terminals. 4
b, 5b so that the inspection terminals 4
b, 5b.

【0029】また、不良チップの特定が容易になるた
め、部品のリペアがより適切にできるようになる。ま
た、チップのどの様な特性が故障しているのかという故
障解析も容易になる。また、高集積化が可能なベアチッ
プIC1側に検査用端子4b、5bを設けることによ
り、実装基板側の検査用端子の面積を大幅に削減するこ
とができる。その結果、基板を小型化することができ、
特に、基板が高価であるセラミック多層基板においては
コストを下げることができる。
Further, since the defective chip can be easily specified, the repair of the component can be performed more appropriately. In addition, failure analysis of what characteristic of the chip has failed becomes easy. In addition, by providing the test terminals 4b and 5b on the bare chip IC 1 side where high integration is possible, the area of the test terminals on the mounting substrate side can be significantly reduced. As a result, the substrate can be reduced in size,
In particular, the cost can be reduced in a ceramic multilayer substrate where the substrate is expensive.

【0030】なお、本実施形態では、CS信号がハイレ
ベルのときにトランスミッションゲートがオフして、ベ
アチップIC1が電気的に切断される例について示した
が、ローレベルのときにベアチップIC1が切断される
ようにしてもよい。
In this embodiment, the transmission gate is turned off when the CS signal is at a high level, and the bare chip IC1 is electrically disconnected. However, when the CS signal is at a low level, the bare chip IC1 is disconnected. You may make it.

【0031】また、ベアチップIC1の端子の数が少な
いときには、本実施形態のようにベアチップIC1の縁
部において二重にパッド10、11を設けるのではな
く、ベアチップIC1の縁部において、対をなすボンデ
ィング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bのそれ
ぞれに応じたパッドを交互に並べるようにしてもよい。
When the number of terminals of the bare chip IC 1 is small, the pads 10 and 11 are not provided at the edge of the bare chip IC 1 as in the present embodiment, but a pair is formed at the edge of the bare chip IC 1. Pads corresponding to the bonding terminals 4a and 5a and the inspection terminals 4b and 5b may be alternately arranged.

【0032】なお、本実施形態において、断面図でない
ものについてもハッチングを施してあるが、あくまでも
便宜上のものであり断面を示すものではない。
In this embodiment, hatching is applied to a non-cross-sectional view, but it is for convenience only and does not show a cross-section.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施形態の半導体装置に係るベアチップIC
の電気回路図である。
FIG. 1 is a bare chip IC according to a semiconductor device of an embodiment.
FIG.

【図2】本実施形態の半導体装置に係るベアチップIC
の模式的な上面図である。
FIG. 2 is a bare chip IC according to the semiconductor device of the embodiment;
FIG. 3 is a schematic top view of FIG.

【図3】従来の半導体実装製品の検査に関する模式図で
ある。
FIG. 3 is a schematic diagram relating to inspection of a conventional semiconductor mounted product.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体チップ、4a、5a…ボンディング用端子、
4b、5b…検査用端子、60…スイッチ手段。
1: semiconductor chip, 4a, 5a: bonding terminal,
4b, 5b: inspection terminals, 60: switch means.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に半導体チップ(1)が実装さ
れ、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続
されてなる半導体装置において、 前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に
接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路
と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、
5a)とを備え、 前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端
子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気
的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising a semiconductor chip (1) mounted on a substrate and the semiconductor chip (1) electrically connected to a peripheral circuit, wherein the semiconductor chip (1) includes an internal circuit (2). ), And bonding terminals (4a, 4b, 5b) for electrically connecting to the peripheral circuits.
5a), wherein the bonding terminals (4a, 5a) are electrically connected to the inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60).
【請求項2】 前記ボンディング用端子(4a、5a)
と前記検査用端子(4b、5b)がチップ上面に配置さ
れており、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前
記検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置してい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
2. The bonding terminal (4a, 5a).
And the inspection terminals (4b, 5b) are arranged on the upper surface of the chip, and the bonding terminals (4a, 5a) are located on the outer peripheral side of the inspection terminals (4b, 5b). 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 基板上に半導体チップ(1)が実装さ
れ、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続
されてなる半導体装置の検査方法において、 前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に
接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路
と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、
5a)とを備え、 前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端
子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気
的に接続されており、 前記スイッチ手段(60)を用いて前記ボンディング用
端子(4a、5a)と前記検査用端子(4b、5b)を
電気的に切断した後、前記検査用端子(4b、5b)を
用いて前記半導体チップ(1)の検査を行うことを特徴
とする半導体装置の検査方法。
3. A method for inspecting a semiconductor device, comprising: mounting a semiconductor chip (1) on a substrate; and electrically connecting the semiconductor chip (1) to a peripheral circuit. Inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the circuit (2), and bonding terminals (4a,
5a), wherein the bonding terminals (4a, 5a) are electrically connected to the inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60). After electrically disconnecting the bonding terminals (4a, 5a) and the inspection terminals (4b, 5b) using the inspection terminals (4b, 5b), the semiconductor chip (1) is inspected. A method for inspecting a semiconductor device, comprising:
【請求項4】 内部回路(2)と電気的に接続された検
査用端子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続す
るためのボンディング用端子(4a、5a)とを備え、 前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端
子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気
的に接続されていることを特徴とする半導体チップ。
4. A semiconductor device comprising: inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2); and bonding terminals (4a, 5a) for electrically connecting to peripheral circuits. A semiconductor chip characterized in that bonding terminals (4a, 5a) are electrically connected to said inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60).
【請求項5】 前記ボンディング用端子(4a、5a)
と前記検査用端子(4b、5b)がチップ上面に配置さ
れており、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前
記検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置してい
ることを特徴とする請求項4に記載の半導体チップ。
5. The bonding terminal (4a, 5a)
And the inspection terminals (4b, 5b) are arranged on the upper surface of the chip, and the bonding terminals (4a, 5a) are located on the outer peripheral side of the inspection terminals (4b, 5b). The semiconductor chip according to claim 4, wherein
JP35339599A 1999-12-13 1999-12-13 Semiconductor device and inspection method thereof Expired - Fee Related JP4114294B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35339599A JP4114294B2 (en) 1999-12-13 1999-12-13 Semiconductor device and inspection method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35339599A JP4114294B2 (en) 1999-12-13 1999-12-13 Semiconductor device and inspection method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001168157A true JP2001168157A (en) 2001-06-22
JP4114294B2 JP4114294B2 (en) 2008-07-09

Family

ID=18430558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35339599A Expired - Fee Related JP4114294B2 (en) 1999-12-13 1999-12-13 Semiconductor device and inspection method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4114294B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731397B1 (en) 2004-07-23 2007-06-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-0ptical device, electronic apparatus, and mounting structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731397B1 (en) 2004-07-23 2007-06-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-0ptical device, electronic apparatus, and mounting structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP4114294B2 (en) 2008-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100466984B1 (en) Integrated circuit chip having test element group circuit and method of test the same
US6822330B2 (en) Semiconductor integrated circuit device with test element group circuit
JP2008021848A (en) Method of testing wafer and semiconductor device
JPH0773106B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP4114294B2 (en) Semiconductor device and inspection method thereof
JP2005072375A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2002162448A (en) Semiconductor device and its inspection method
JP2000031216A (en) Inspection device for bonding pad
JP3495835B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and inspection method thereof
JPH07225258A (en) Semiconductor device
US6184569B1 (en) Semiconductor chip inspection structures
JP2000031221A (en) Semiconductor integrated circuit device and testing method thereof
JP2002022803A (en) Semiconductor device and test method for semiconductor device
JP3439410B2 (en) Highly integrated circuit chip having device to be evaluated and method for inspecting the device to be evaluated
JPH1082834A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2954076B2 (en) Semiconductor integrated circuit wafer and test method therefor
JP2978883B1 (en) Semiconductor device
JP2001135778A (en) Semiconductor device
JPH0299877A (en) Integrated circuit part and contact inspection thereof
JPH05341014A (en) Semiconductor module mono-body, semiconductor module device, and method for testing
KR0151836B1 (en) Wafer level burn-in and its method
JPH0576776B2 (en)
JP2003139820A (en) Multi-chip module and method for testing connection between chip
JPS6342140A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit device
JP2003188262A (en) Semiconductor element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060306

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080325

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080407

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees