JP4027194B2 - プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」とも呼ぶ）用基板、ＰＤＰ及びプラズマディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２３に、特開平９−１０２２８０号公報に開示された、放電不活性膜を備えるＰＤＰ５１Ｐを説明するための斜視図を示す。図２３のＰＤＰ５１Ｐはいわゆる面放電型のＡＣ型ＰＤＰである。ＰＤＰ５１Ｐは、前面基板５１ＦＰと、背面基板５１Ｒと、両基板５１ＦＰ，５１Ｒ間に配置されたバリアリブ７及び蛍光体８とに大別される。
【０００３】
前面基板５１ＦＰは、前面ガラス基板５と、複数の維持放電電極Ｘ，Ｙと、誘電体層３と、カソード膜１１と、放電不活性膜２１Ｐとを含んでいる。詳細には、前面ガラス基板５の主面上に複数の維持放電電極Ｘ，Ｙが交互に第１方向Ｄ１に並んでおり、且つ、維持放電電極Ｘ，Ｙは第１方向Ｄ１に交差する（ここでは直交する）第２方向Ｄ２に伸長している。交互に並ぶ複数の維持放電電極Ｘ，Ｙは隣接する２本ずつが互いに対を成しており、対を成す２本の維持放電電極（以下「維持放電電極対」とも呼ぶ）Ｘ，Ｙは放電ギャップ部ＤＧを介して配置されている。なお、隣接する維持電極対Ｘ，Ｙ間の部分を「隣接維持放電電極対間ギャップ部（又は「電極対間ギャップ部」）ＮＧ」と呼ぶことにする。
【０００４】
対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙは第２方向Ｄ２に伸長する表示ラインＬを規定し、図２３では対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間にないしは放電ギャップ部ＤＧに１点鎖線で以て模式的に表示ラインＬを図示している。このとき、第２方向Ｄ２に伸長した各放電ギャップ部ＤＧは各表示ラインＬに対応する。
【０００５】
維持放電電極Ｘ，Ｙは透明電極１及びバス電極２から成る。具体的には、透明電極１は第２方向Ｄ２に伸長している。対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙの透明電極１は上記放電ギャップ部ＤＧを介して配置されている。各透明電極１上にはバス電極２が第２方向Ｄ２に沿って伸長しており、当該バス電極２は放電ギャップ部ＤＧから遠い側に配置されている。バス電極２は金属を主成分とし、透明電極１に電圧を供給する役割を果たす。なお、維持放電電極Ｘ，Ｙにおいて、透明電極１のうちでバス電極２が載っていない部分を「透明部」と呼び、透明電極１のうちでバス電極２が載っている部分すなわち透明部以外の部分を「金属電極部」と呼ぶことにする。
【０００６】
維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って前面ガラス基板５の主面上に誘電体層３及びカソード膜１１がこの順序で形成されている。なお、カソード膜１１はＭｇＯを蒸着することにより形成される。
【０００７】
更に、ＰＤＰ５１Ｐでは、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐが形成されている。具体的には、放電不活性膜２１Ｐは複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。放電不活性膜２１Ｐの各帯状パターンは、（前面基板５１ＦＰないしは前面ガラス基板５の主面の）平面視において、隣接する表示ラインＬ間に配置された２つのバス電極２（それぞれは隣接するが異なる維持放電電極対Ｘ，Ｙに属する）上及び当該２つのバス電極２間に配置されている。換言すれば、放電不活性膜２１Ｐの各帯状パターンは、上記平面視において、隣接するが対を成さない維持放電電極Ｘ，Ｙの両金属電極部上及び当該両金属電極部間の電極対間ギャップ部ＮＧ上に配置されている。
【０００８】
このように、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐが形成されているので、誘電体層３上方にはカソード膜１１の露出表面１１Ｓ及び放電不活性膜２１Ｐの露出表面２１ＳＰが配置されている。このとき、放電不活性膜２１Ｐの上述のパターンに起因して、カソード膜１１の露出表面１１Ｓは表示ラインＬに対応する領域に設けられている。
【０００９】
他方、背面基板５１Ｒは、背面ガラス基板９と、複数のアドレス電極６（又はＷ）と、オーバーグレーズ層１０とを含んでいる。詳細には、背面ガラス基板９の主面上に複数のアドレス電極６（又はＷ）が第２方向Ｄ２に並んでおり、第１方向Ｄ１に、従って維持放電電極Ｘ，Ｙと（立体）交差する方向に伸長している。アドレス電極６を覆って背面ガラス基板９の主面上にオーバーグレーズ層１０が形成されている。
【００１０】
更に、オーバーグレーズ層１０上にバリアリブ７が配置されている。具体的には、バリアリブ７は複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。バリアリブ７の各帯状パターンは、（背面基板５１Ｒないしは背面ガラス基板９の主面の）平面視において、隣接するアドレス電極６間に第１方向Ｄ１に沿って配置されている。そして、バリアリブ７とオーバーグレーズ層１０とが成す複数のＵ字型溝の内面上に蛍光体８が配置されている。なお、上記各Ｕ字型溝毎に赤，緑又は青を発する蛍光色８Ｒ，８Ｇ又は８Ｂが配置されている。
【００１１】
前面基板５１ＦＰと背面基板５１Ｒとは、バリアリブ７の頂部と放電不活性膜２１Ｐとを当接させて、第１及び第２方向Ｄ１，Ｄ２の双方に交差する（ここでは直交する）第３方向Ｄ３に重ねられており、周縁において封着されている。このとき、ＰＤＰ５１Ｐ内には主としてバリアリブ７で区画された、より具体的には蛍光体８とカソード膜１１と放電不活性膜２１とで囲まれた複数の放電空間５１Ｓが形成されている。そして、放電空間５１Ｓ内はＮｅ＋Ｘｅ等の混合ガスで満たされている。なお、放電空間５１Ｓはアドレス電極６に対面し、第１方向Ｄ１に伸長している。
【００１２】
ＰＤＰ５１Ｐでは、維持電極対Ｘ，Ｙとアドレス電極６（又はＷ）との各（立体）交差点ないしは放電空間５１Ｓと表示ラインＬとの各交差点が１個の放電セル（以下、単に「セル」とも呼ぶ）に対応する。つまり、各表示ラインＬ上に複数の放電セルが並んでおり、全体としてはマトリクス状に配列された複数の放電セルで以てＰＤＰ５１Ｐの表示領域が構成されている。
【００１３】
さて、放電不活性膜２１Ｐはカソード膜１１を成すＭｇＯよりも仕事関数の大きい材料、換言すればカソード膜１１よりも２次電子を放出し難い材料、例えばＡｌ2Ｏ3やＴｉＯ2等を主成分として含んでいる。このため、放電不活性膜２１Ｐの下方に維持放電電極Ｘ，Ｙが存在していても、放電不活性膜２１Ｐ上では放電が起こりにくい。一方、放電ギャップ部ＤＧ上方及び維持放電電極放電Ｘ，Ｙの透明部上方には放電不活性膜２１Ｐよりも２次電子放出特性に優れたＭｇＯから成るカソード膜１１の露出表面１１Ｓが放電空間５１Ｓに露出している。従って、図２３に示すように、対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間で発生する面放電５０を、放電不活性膜２１Ｐが存在しない領域に限定することができる。これにより、下記の効果（１），（２）及び（３）が得られる。
【００１４】
（１）放電不活性膜２１Ｐの露出表面２１ＳＰの面積を増やすことで、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の面放電５０の形成領域ないしは大きさを縮小することができるので、放電電流を抑えることができる。このため、維持放電電極Ｘ，Ｙを駆動する外部回路の負荷を減らすことができ、従って回路コストを低減することができる。
【００１５】
（２）放電不活性膜２１Ｐが無い場合、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の面放電５０はバス電極２上方にも広がる。このとき、面放電５０の発生時の紫外線によって蛍光体８が発する可視光の一部はバス電極２に遮られて表示光として利用されない。これに対して、ＰＤＰ５１Ｐでは面放電５０をバス電極２が無い上記透明部上方に偏在させることができるので、蛍光体８からの可視光が遮蔽される割合を少なくすることができる。従って、発光効率が向上する。
【００１６】
（３）隣接する表示ラインＬ上の面放電５０は放電不活性膜２１Ｐ（の帯状パターン）で以てより確実に分離される。このため、電極対間ギャップ部ＮＧを狭くしても隣接する表示ラインＬ間での誤放電を抑えることができる。従って、表示ラインＬの高密度化すなわちディスプレイの高精細化に有利である。
【００１７】
なお、隣接する表示ライン間に相当する部分を主に被覆するように配置された放電不活性膜は、上記特開平９−１０２２８０号公報の他に、特開平１０−２５５６６４号公報、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、特開２０００−１００３３７号公報、特開２０００−１５６１６６号公報、特開２００１−１４７６６０号公報、及び、特開２００１−１７６４００号公報に開示される。
【００１８】
さて、放電不活性膜２１Ｐは、例えば、上記特開平９−１０２２８０号公報や上記特開２０００−３９８６６号公報に開示されるいわゆる蒸着リフトオフ法によってパターン形成される。かかる蒸着リフトオフ法によるパターニングでは、カソード膜１１の表面上に写真製版法を用いてレジスト（放電不活性膜２１Ｐの反転パターン形状を有する）を形成し、当該レジストを覆って放電不活性材料を蒸着し、最後に上記レジストをリフトオフする。蒸着リフトオフ法は写真製版法をベースとするパターン形成方法なので、放電不活性膜１１の寸法形状に関する精度や維持放電電極Ｘ，Ｙのパターンに対する放電不活性膜１１のパターン形成位置に関する精度に優れている。このため、上述の効果（１），（２）及び（３）が定量的にも安定して得られるという特長がある。しかし、写真製版、蒸着及びリフトオフという高コストなプロセスから成るので、蒸着リフトオフ法自体が高コストであるという問題がある。
【００１９】
また、放電不活性膜の他のパターン形成方法として、Ａｌ2Ｏ3等の放電不活性材料を含んだ厚膜ペーストをスクリーン印刷法等を用いてカソード膜上に直接パターン形成し、焼成する方法がある。
【００２０】
例えば特開２０００−１５６１６６号公報には、維持放電電極の上方を被覆しないものの隣接維持放電電極対間ギャップ部の上方のＭｇＯ表面を被覆する低２次電子放出係数保護膜すなわち放電不活性膜を、上述のスクリーン印刷及び焼成によって、Ａｌ2Ｏ3等の特定材料を含んだ誘電体ガラスで形成する方法が開示されている。
【００２１】
次に、ＰＤＰ５１Ｐの駆動方法を図２４及び図２５を参照しつつ説明する。なお、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐを備えた面放電ＡＣ型ＰＤＰの駆動方法として、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、及び、特開２００１−１４７６６０号公報に開示される方法がある。
【００２２】
図２４は２５６階調のカラー画像を表示する際の画面のフィールド分割の一例を示した概念図である。この例では、１画面（メインフレーム）は８個のサブフィールドＳＦ（第１サブフィールドＳＦ１〜第８サブフィールドＳＦ８）で構成されており、各サブフィールドＳＦはリセット期間ＲＥＰ、書込み期間ＡＤ、放電維持期間ＳＵから成る。各サブフィードＳＦの放電維持期間ＳＵはランク付け（重み付け）がなされており、具体的には、Ｎを自然数として、第（Ｎ＋１）サブフィールドの放電維持期間ＳＵの長さは、第Ｎサブフィールドのそれのほぼ２倍に設定されている。
【００２３】
各サブフィールドの書込み期間ＡＤにおいてアドレス電極６にパルス状の電圧が印加されることにより選択されたセル内には、放電維持期間ＳＵに印加される維持パルスの数だけ維持放電が発生する。維持パルスの数は放電維持期間ＳＵの長さにほぼ比例するので、書込み期間ＡＤで選択されたセルの発光強度はサブフィールドＳＦが１つ進むにつれてほぼ倍増する。このとき、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８での発光／非発光（換言すればサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の選択／非選択）の組合せによって２8＝２５６水準の発光強度を制御することができる。つまり、１つのメインフレームでは２５６階調の表示が可能である。
【００２４】
図２５はＰＤＰ５１Ｐの従来の駆動方法を説明するためのタイミングチャート（１つのサブフィールドＳＦ分）である。当該駆動方法では、リセット期間ＲＥＰは第１，第２及び第３期間ＲＥ１，ＲＥ２Ｐ，ＲＥ３から成る。第１期間ＲＥ１では、書込み電位Ｖｗを有するパルスＰ１を全アドレス電極Ｗに印加することにより全ての放電セルに第１プライミングパルスを与える。続く第２期間ＲＥ２Ｐでは、全アドレス電極Ｗに電位Ｖｗを有するパルスＰ２を印加すると共に全維持放電電極Ｘに電位Ｖｘｈを有するパルスＰ３Ｐを印加することにより、全ての放電セルに第２プライミングパルスを与える。かかる第１及び第２プライミングパルスによって、全ての放電セルの維持放電電極対Ｘ，Ｙ間に、後続の動作を安定させるためのプライミング放電が発生する。その後、第３期間ＲＥ３では、維持放電電極Ｘ，Ｙに消去パルスを印加することにより、全ての放電セル内で壁電荷を初期化する。図２５には、消去パルスとして維持放電電極Ｘに細幅消去パルスＰ４を印加する場合を図示している。なお、図２５中の電位Ｖｘｍ，Ｖｙｍは中間電位であり、電位Ｖｙｂはスキャンベース電位である。
【００２５】
続いて、書込み期間ＡＤでは、ｎ本（ｎは自然数）の維持放電電極Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）を順次にスイッチングすることによって表示ラインＬを順次に選択し（走査し）、当該順次選択（すわなち走査）に同期して各アドレス電極Ｗに、対応のセルの選択／非選択の別を示す画像信号を印加する。これにより、選択されたセル内には維持放電電極対Ｘ，Ｙ間に書込み放電が発生し、壁電荷が蓄えられる。
【００２６】
次に、放電維持期間ＳＵでは、維持放電電極Ｘ，Ｙ間に維持パルスを交流的に所定回数、印加する。これにより、先行の書込み期間ＡＤで選択されたセル内には、維持パルスと上記壁電荷との相乗作用で所定回数の維持放電が発生する。一方、書込み期間ＡＤで選択されなかったセルは維持放電を開始するのに必要な上記壁電荷を持たないので、維持放電が生じない。このようにして、所望の画像を得ることができる。
【００２７】
なお、ＰＤＰに関する技術は例えば特許文献１〜２１及び非特許文献１〜５において紹介されている。なお、特許文献３は特許文献２と対応し、特許文献５は特許文献４と対応し、特許文献１５は特許文献１４と対応する。
【００２８】
【特許文献１】
特開平９−１０２２８０号公報
【特許文献２】
特開平１０−２５５６６４号公報
【特許文献３】
米国特許第６，１３７，２２６号明細書
【特許文献４】
特開平１０−３３３６３６号公報
【特許文献５】
米国特許第６，０３１，３２９号明細書
【特許文献６】
特開２０００−３９８６６号公報
【特許文献７】
特開２００１−１４７６６０号公報
【特許文献８】
特開２００２−５６７７５号公報
【特許文献９】
特開平１０−１４９７７４号公報
【特許文献１０】
特開２００１−１６０３６１号公報
【特許文献１１】
特開２０００−１００３３７号公報
【特許文献１２】
特開２０００−１５６１６６号公報
【特許文献１３】
特開２００１−１７６４００号公報
【特許文献１４】
特開２０００−１１３８２８号公報
【特許文献１５】
欧州特許出願公開第９９３０１７号明細書
【特許文献１６】
特開平９−２３７５８０号公報
【特許文献１７】
特開２０００−１９５４３１号公報
【特許文献１８】
特開２０００−３１１６１２号公報
【特許文献１９】
特開平１０−２３３１７１号公報
【特許文献２０】
特開２００１−１８３９９９号公報
【特許文献２１】
特開２００１−１５０３４号公報
【特許文献２２】
特開平１１−１４９８７３号公報
【特許文献２３】
特開２００２−８３５４５号公報
【非特許文献１】
Kimio Amemiya,Toshihiro Komaki,Takashi Nishio，High Luminous Efficiency and High Definition Coplanar AC-PDP with "T"-shaped Electrodes，"Proceedings of the 5th International Display Workshops(IDW'98)"，pp.531-534
【非特許文献２】
Y.Hashimoto,Y.Seo,O.Toyoda,K.Betsui,T.Kosaka,and F.Namiki，High-Luminance and Highly Luminous-Efficient AC-PDP with DelTA Cell Structure，"Society for Information Display 2001（SID 01）DIGEST"，pp.1328-1331
【非特許文献３】
Y.Tanaka,H.Honma,H.Hasegawa,N.Aibara,T.Nakamura，A new progressive driving scheme for a PDP with "CASTLE" structure，"Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)"，pp.869-872
【非特許文献４】
H.Hirakawa,T.Shiizaki,H.Nakahara,Y.Kawanami,M.Tajima，An Advanced Progressive Driving Method for PDP with Horizontal Barrier Ribs and Common Electrodes，"Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)"，pp.1757-1758
【非特許文献５】
T.Komaki,H.Taniguchi,K.Amemiya，High Luminance AC-PDPs with Waffle-structured Barrier Ribs，"Proceedings of the 6th International Display Workshops(IDW'99)"，pp.587-590
【非特許文献６】
Jae-Young Lee,Min-Nung Hur,Yun-Gi Kim,Jae-Hwa Ryu,Jung-Soo Cho,Chung-Hoo Park，A Study on the New Shaped Align-Free Sustain Electrodes Showing High Luminous Efficiency in AC PDPs，"Proceedings of The 7th International Display Workshops (IDW'00)"，pp.623-626
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように例えば特開２０００−１５６１６６号公報には、放電不活性膜をスクリーン印刷及び焼成によって、Ａｌ2Ｏ3等の特定材料を含んだ誘電体ガラスで形成する方法が開示されている。しかし、本願発明者が、ＰＤＰ５１Ｐの放電不活性膜２１Ｐとして、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る上記放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したところ、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の維持放電に必要な最小の維持パルス電圧（通常は１５０Ｖ程度）が通常より１００Ｖ程も高くなってしまい、実用的な駆動が困難なことが判明した。しかも、維持放電電極Ｘ，Ｙの上方を被覆せず、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電の形成エリアから一定の距離を隔てた、隣接維持放電電極対間ギャップ部内の一部にだけ、同様の方法で放電不活性膜を形成した場合であっても、結果は同じであった。
【００３０】
また、本願発明者の調査によれば、上述の蒸着リフトオフ法で形成された放電不活性膜２１Ｐを備えるＰＤＰ５１Ｐに図２５の駆動方法を適用すると、書込み期間ＡＤで選択したにもかかわらず、放電維持期間ＳＵで維持放電が発生しないという不具合が生じることが見出された。
【００３１】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、維持放電に必要な最小維持パルス電圧の大幅な増大を抑制しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３２】
更に、本発明は、放電不活性膜をスクリーン印刷法で形成する際に生じうる諸問題を解消しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３３】
更に、本発明は、駆動装置のピーク負荷を減少させうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３４】
更に、本発明は、発光効率を向上しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３５】
更に、本発明は、表示の色バランスを改善しうるＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３６】
更に、本発明は、ＰＤＰ用基板上に発生する面放電が放電不活性膜の露出表面に及ぶのを抑制しうるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
本発明の主題に記載のプラズマディスプレイパネル用基板は、基板と、前記基板上において第１方向に並んでいると共に前記第１方向に交差する第２方向に伸長しており、前記第２方向に伸長する複数の表示ラインを規定する複数の第１電極とを備え、前記複数の第１電極間に設けられた複数のギャップ部は前記複数の表示ラインに対応する複数の放電ギャップ部を少なくとも含み、前記複数の第１電極を覆って前記基板上に配置された誘電体層と、前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ラインに対応する領域に露出表面を有するカソード膜と、前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ライン間に対応する領域に露出表面を有する、前記カソード膜よりも２次電子放出特性が低い放電不活性膜とを更に備え、前記放電不活性膜及び前記カソード膜の両前記露出表面は平面視において接しており、前記放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成る。
【００６９】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
上述のように本願発明者が、ＰＤＰ５１Ｐの放電不活性膜２１Ｐとして、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る上記放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したところ、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の維持放電に必要な最小の維持パルス電圧が通常よりも高くなってしまい、実用的な駆動が困難なことが判明した。
【００７０】
これは、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を蒸着リフトオフ法でパターニング形成した放電不活性膜２１Ｐには全く見られなかった現象なので、詳細なメカニズムは不明だが、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したことに起因すると考えられる。
【００７１】
そこで、実施の形態１では、このような問題点を解決しうるＰＤＰ及びそれを備えたプラズマディスプレイ装置を提供する。
【００７２】
図１のブロック図に示すように、実施の形態１に係るプラズマディスプレイ装置１０１は、ＰＤＰ５１と、当該ＰＤＰ５１の電極Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ），Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ），Ｗ（Ｗ１〜Ｗｍ）に所定の電位を与えてＰＤＰ５１を駆動する駆動装置９１とを備えている。なお、プラズマディスプレイ装置１０１ではＰＤＰ５１の維持放電電極Ｘ１〜Ｘｎの全てが共通に接続された上で駆動装置９１に接続されている。
【００７３】
実施の形態１に係るＰＤＰ５１は、図２３のＰＤＰ５１Ｐにおいて前面基板５１ＦＰを図２の断面図に示す実施の形態１に係る前面基板（ないしはＰＤＰ用基板ないしは第１基板）５１Ｆに変えた構造を有している。実施の形態１に係る前面基板５１Ｆは、放電不活性膜２１Ｐに変えて実施の形態１に係る放電不活性膜２１を備えている点以外は、図２３の前面基板５１ＦＰと基本的には同様の構造を有している。つまり、前面基板５１Ｆと複数のアドレス電極（ないしは第２電極）６（又はＷ）を有した背面基板（ないしは第２基板）５１Ｒとはバリアリブ７及び蛍光体８を介して第１及び第２方向Ｄ１，Ｄ２の双方に交差する（ここでは直交する）第３方向Ｄ３に重ねられており、周縁において封着されている。なお、維持放電電極Ｘ，Ｙとアドレス電極６とが（立体）交差するように前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとは配置される。
【００７４】
前面基板５１Ｆは、前面ガラス基板（ないしは基板）５と、複数の維持放電電極（ないしは複数の第１電極）Ｘ，Ｙと、誘電体層３と、カソード膜１１と、放電不活性膜２１とを備えている。
【００７５】
詳細には、維持放電電極Ｘ，Ｙは前面ガラス基板５上において、第１方向Ｄ１に並んでいると共に第１方向Ｄ１に交差する（ここでは直交する）第２方向Ｄ２に伸長しており、第２方向Ｄ２に伸長する複数の表示ラインＬを規定する。より具体的には、放電ギャップ部ＤＧを介して隣接し、対を成す２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが、第２方向Ｄ２に伸長する１つの表示ラインＬを規定している。なお、図２３と同様に図２では対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間にないしは放電ギャップ部ＤＧに１点鎖線で以て模式的に表示ラインＬを図示している。このとき、第２方向Ｄ２に伸長した各放電ギャップ部ＤＧは各表示ラインＬに対応する。また、隣接する表示ラインＬ間には、互いには対を成さない２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが隣接維持放電電極対間ギャップ部（又は電極対間ギャップ部）ＮＧを介して配置されている。つまり、前面基板５１Ｆでは維持放電電極Ｘ，Ｙ間に放電ギャップ部ＤＧ又は隣接維持放電電極間ギャップ部ＮＧのいずれかのギャップ部が設けられている。
【００７６】
図２３の前面基板５１ＦＰと同様に、維持放電電極Ｘ，Ｙは透明電極１及びバス電極２から成り、バス電極２は放電ギャップ部ＤＧから遠い位置に配置されている。そして、隣接する透明電極１間の領域で以て上述の放電ギャップ部ＤＧ及び電極対間ギャップ部ＮＧが規定される。
【００７７】
ＰＤＰ５１において、維持電極対Ｘ，Ｙとアドレス電極６（又はＷ）との各（立体）交差点ないしは放電空間５１Ｓと表示ラインＬとの各交差点が１個の放電セル（以下、単に「セル」とも呼ぶ）Ｃに対応する（図１参照）。つまり、各表示ラインＬ上に複数の放電セルＣが並んでおり（逆に言えば第２方向Ｄ２に並ぶ複数のセルＣが表示ラインＬを構成している）、全体としてはマトリクス状に配列された複数の放電セルＣで以てＰＤＰ５１Ｐの表示領域が構成されている。
【００７８】
そして、維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って前面ガラス基板５上に全面的に誘電体層３が形成されており、誘電体層３を介して前面ガラス基板５に対面し、当該誘電体層３に全面的に接してカソード膜１１が配置されている。更に、カソード膜１１及び誘電体層３を介して前面ガラス基板５に対面し、カソード膜１１に接して放電不活性膜２１が配置されている。放電不活性膜２１はカソード膜１１よりも２次電子放出特性が低い。
【００７９】
前面基板５１Ｆの放電不活性膜２１は図２３の放電不活性膜２１Ｐと同様のパターンを有している。すなわち、放電不活性膜２１は複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。放電不活性膜２１の各帯状パターンは、前面基板５１Ｆないしは前面ガラス基板５の平面視において、複数の表示ラインＬ間に対応する領域に、より具体的には隣接する表示ラインＬ間に配置されており対を成さない２つの維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電極対間ギャップ部ＮＧ上及び当該２つの維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで電極対間ギャップ部ＮＧに続く一部（ここではバス電極２が配置された金属電極部の全体）上に配置されている。
【００８０】
このようなパターンを有する放電不活性膜２１がカソード膜１１上に形成されているので、カソード膜１１は、前面基板５１Ｆの平面視において、複数の表示ラインＬに対応する領域が、より具体的には放電ギャップ部ＤＧ上及び維持放電電極対Ｘ，Ｙのうちで放電ギャップ部ＤＧに続く一部（ここではバス電極２が配置されていない透明部の全体）上が露出している。
【００８１】
このとき、平面視において、カソード膜１１及び放電不活性膜２１の両露出表面１１Ｓ，２１Ｓは接しており、前面基板５１Ｆの背面基板５１Ｒ側の露出表面（の少なくとも表示領域）は両露出表面１１Ｓ，２１Ｓで占められている。
【００８２】
なお、放電不活性膜２１（の露出表面２１Ｓ）は前面基板５１Ｆの平面視において複数の表示ラインＬ間に対応する領域に設けられていれば良く、例えば電極対間ギャップ部ＮＧ上のみに設けても構わないし、又、電極間ギャップ部ＮＧ上及び維持放電電極Ｘ，Ｙのうちでバス電極２が配置された金属電極部の一部上に設けても構わない。
【００８３】
特に、放電不活性膜２１はガラス成分すなわち無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成る。ここに、上述の特開２０００−１５６１６６号公報に開示される誘電体ガラスで形成された放電不活性膜とは大きな相違がある。
【００８４】
詳細には、ＰＤＰ５１及び前面基板５１Ｆでは、無機バインダーを実質的に含まない厚膜ペーストをカソード膜１１上にスクリーン印刷法を用いて上述のパターンで印刷し、該ペーストを焼成することによって、放電不活性膜２１を形成している。
【００８５】
一般的な厚膜ペーストは、(i)焼成後に膜材として残存する無機成分と、(ii)焼成過程で燃焼して膜材として残存しない有機成分とから成る。そして、放電不活性膜２１のための厚膜ペーストに含まれる上記無機成分はＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2等の放電不活性材料の少なくとも１種類の粉体を主成分として含む一方で、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3等のガラス成分の含有量はゼロ又は含んでいても焼成後にバインダーとしての固着力を実質的に発揮できない程度以下である。その結果、焼成後の放電不活性膜２１は、実質的に上記Ａｌ2Ｏ3等の放電不活性材料の粉体の集合体で構成され、該粉体間の強固な結合や下地のカソード膜１１との強固な密着のいずれも無い状態にある。喩えると、放電不活性膜２１はちょうど蛍光体８と同様の状態にある。すなわち、蛍光体８を含む一般的なＰＤＰの蛍光体は無機バインダーを含まない厚膜ペーストの焼成体で構成され、蛍光材料の粉体の集合体から成り、放電不活性膜２１は同様の状態にある。
【００８６】
なお、上記放電不活性膜２１の焼成温度は、一般に低融点ガラスから成る誘電体層３が、カソード膜１１からのストレスに抗しきれなくなって、顕著な変形を起こすことがない程度に低くするのが望ましい。言い換えれば、カソード膜１１に顕著な亀裂が生じて外観を損なうに至るほどに誘電体層３が柔らかくならない程度の温度に設定するのが望ましい。そのためには、低融点ガラスで構成される誘電体層３の軟化点より略５０℃以上低い温度で放電不活性膜２１を焼成するのが良い。例えば、誘電体層３の軟化点が５２０℃だとすれば、放電不活性膜２１の焼成温度は４７０℃以下に設定するのが望ましく、そのような温度でも充分に燃焼するような有機成分を使用して放電不活性膜２１の原材料であるペーストを構成するのが良い。
【００８７】
そして、上述の膜状態の放電不活性膜２１を備えたＰＤＰ５１について最小維持パルス電圧を評価したところ、無機バインダーを含む誘電体ガラスから成る放電不活性膜とは異なり最小維持パルス電圧が大幅に増大しないことを見出した。
【００８８】
このように、放電不活性膜２１によれば、既述の効果（１），（２），（３）を発揮しうる膜を蒸着リフトオフ法に比して安価なスクリーン印刷法で形成することができ、しかも実用的駆動を容易に実現しうる前面基板５１Ｆ及びＰＤＰ５１を提供することができる。
【００８９】
なお、強固な結合力及び下地密着力を有する誘電体ガラスから成る放電不活性膜では最小維持パルス電圧が極めて大きくなる一方で、放電不活性材料の粉体の集合体から成り上述のような強固な結合力及び密着力を持たない実施の形態１の放電不活性膜２１では最小維持パルス電圧に大幅な上昇が見られないという実験結果が得られた詳細なメカニズムは不明である。しかし、以下に述べる、本願発明者が上述の評価実施に先駆けて無機バインダーに着目するに至った経緯は、上述の実験結果の考察に非常に有用であると考える。
【００９０】
以前、本願発明者は、ＰＤＰ５１から放電不活性膜２１を除いた構造を有する典型的なＡＣ面放電型ＰＤＰにおいて、バリアリブ７のカソード膜１１に接触する部分をガラス成分すなわち無機バインダーを主成分とする封着材で構成するという実験を行ったことがある。この実験は、封着工程（前面ガラス基板５と背面ガラス基板９とを周縁に設けた封着材を軟化させて貼り合せる工程）においてバリアリブ７をカソード膜１１に固着させることにより、バリアリブ７を介して隣接する放電空間内の互いの放電が干渉してセルＣの選択性が損なわれるのを防止することを目的としていた。
【００９１】
ところが、当該実験は、最小維持パルス電圧が非常に上昇してしまい上述の構造を実駆動へ適用するのは困難であるという評価結果に終わった。そして、上述のように放電不活性膜を無機バインダーを含んだ材料で形成した実験においても、これと同様の結果が得られている。
【００９２】
ところで、放電不活性膜２１を有さない典型的なＰＤＰではバリアリブ７とカソード膜１１とは接触している。バリアリブ７は一般に無機バインダーを大量に含むにもかかわらず、放電不活性膜２１を有さない当該典型的なＰＤＰにおいて最小維持パルス電圧は一般実用的な値である。
【００９３】
そこで、本願発明者はこれらの現象を総合的に検討することにより、上述の２つの実験ではカソード膜１１の表面にガラス質の構造物が固着している点が共通することを見出し、更に放電不活性膜２１を有さない上述の典型的なＰＤＰでは無機バインダーを含んだバリアリブ７とカソード膜１１とは単に接触しているのみであることを見出した。つまり、カソード膜１１にガラス質の構造物が固着せずに接触しているだけであれば、最小維持パルス電圧は大幅に上昇しないことを見出した。
【００９４】
かくして、本願発明者は「放電不活性膜１１を無機バインダーを実質的に含まない、Ａｌ2Ｏ3やＴｉＯ2やＳｉＯ2等の放電不活性材料の粉体の単純な集合体で構成することによってカソード膜１１の表面に固着しないようにすれば、最小維持パルス電圧の大幅な上昇を招かないのであろう」との着想に至ったのである。ところで、上述のように放電不活性膜１１を形成しても、自然膜剥れを起こすような密着力では実用的ではない。しかし、本願発明者は当該放電不活性膜１１は自然膜剥がれを起こさないであろうことを、蛍光体に関する周知事実から期待していた。すなわち、蛍光体は無機バインダーを含まない、蛍光材料の粉体の集合体であるにもかかわらず、更に一般的に蛍光体の焼成温度は、下地のバリアリブ８やオーバーグレーズ層１０が含む無機バインダー成分が固着作用を発揮できないほどに低いにもかかわらず、ＰＤＰにおいて蛍光体は自然膜剥れを起こすことはないのである。
【００９５】
これらの考察に基づいて実験を行ったところ、自然膜剥れを起こすこともなく放電不活性膜２１が形成することができ、最小維持パルス電圧が大幅に増大しないこととの結果が得られた。従って、既述したように、放電不活性膜２１によれば、既述の効果（１），（２），（３）を発揮しうる膜をスクリーン印刷法で安価に形成することができ、しかも実用的駆動を容易に実現しうる前面基板５１Ｆ及びＰＤＰ５１を提供することができる。
【００９６】
さて、放電不活性膜２１は無機バインダーを実質的に含まない、放電不活性材料の粉体の集合体から成るので、バリアリブ７からの押圧で膜キズや表面形状の変形が生じる場合がある。しかし、そのような膜キズ等は放電不活性膜２１においてバリアリブ７と接触する部分に限られており、放電空間５１Ｓに晒される部分には発生しないことを、本願発明者は確認している。従って、膜キズ等による画素欠陥は発生しないし、放電不活性膜２１に期待される効果（１），（２），（３）が損なわれることはない。
【００９７】
それどころか放電不活性膜２１が表面形状が上述のように変形することにより、バリアリブ７と放電不活性膜２１との接触部分に作用する押圧が均等化されることが分かった。このため、バリアリブ７や封着前の放電不活性膜２１が僅かな表面凸形状を有する場合であっても、該箇所にピンポイント的な押圧が作用するのを緩和することができる。従って、放電不活性膜２１によれば、バリアリブ７の折損による画素欠陥の発生を防止できるという副次的効果が得られる。
【００９８】
ところで、バリアリブ７は一般に、高さｈ（図２３参照）が高いほど及び／又は平均パターン幅ｗ（図２３参照）が細いほど、前面基板５１Ｆとの接触による押圧で折損を生じる確率が高くなる。
【００９９】
ここで、バリアリブの高さｈとは第３方向Ｄ３（すなわち前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとの積み重ね方向）における寸法を言う。また、バリアリブの平均パターン幅ｗとはパターン幅（図２３の例では基板の積み重ね方向とバリアリブ７のパターンの伸長方向との双方に垂直な方向である第２方向Ｄ２の寸法）を第３方向Ｄ３について平均した寸法を言う。例えば図２３の例ではバリアリブ７の断面（伸長方向である第１方向Ｄ１に垂直な断面）が略台形なので、パターン幅は高さ方向（すなわち第３方向Ｄ３）の位置に依存する。そこで、高さ位置に依存するこれらのパターン幅を平均した値を平均パターン幅ｗと呼ぶ。なお、図２３では便宜的にバリアリブ７の高さ方向中央付近に符号”ｗ”を図示している。
【０１００】
かかるバリアリブ７の折損について、本願発明者は、図２３の構造から放電不活性膜２１を取り除きバリアリブ７がカソード膜１１（放電不活性膜２１よりも硬質である）に直接接触している構造のＰＤＰを用いて実験を行った。なお、実験に用いたＰＤＰにおいて、バリアリブ７の第２方向Ｄ２の配列ピッチは３９６μｍであり、画面サイズは１６：９タイプの４６インチである。かかる実験によれば、平均パターン幅ｗ＝７５μｍ及び高さｈ＝１４０μｍの場合にはリブ折損による画素欠陥は製造過程を含め実用上殆ど発生しないが、平均パターン幅ｗ＝７５μｍ及び高さｈ＝１６０μｍの場合にはリブ折損によって画面中５〜１０箇所の画素欠陥が発生した。また、同じ画面サイズ及び第２方向Ｄ２の配列ピッチが２６４μｍのバリアリブ７を有するＰＤＰで実験したところ、平均パターン幅ｗ＝６０μｍ及び高さｈ＝１４０μｍの場合にはリブ折損に起因した画素欠陥が画面中約５０箇所検出された。これらの実験結果から硬質なカソード膜１１にバリアリブ７が直接接触する構造では凡そｈ／ｗ≧２を満たす場合にリブ折損による画素欠陥の発生を抑えるのは困難であることが判明した。
【０１０１】
高さｈが高いほど（例えば、Proceedings of Asia Display/IDW'01 pp.781-784のFig.3を参照）及び／又はパターン幅ｗがより細いほど、言い換えれば隣接するバリアリブ７のパターン間隔が広いほど（例えばProceedings of IDW'99 pp.599-602を参照）、輝度及び発光効率を向上させることができるが、実験に用いた構造のＰＤＰでは画素欠陥の抑制と輝度及び発光効率の向上とは両立が困難であった。
【０１０２】
これに対して、放電不活性膜２１を適用することにより、第２方向Ｄ２の配列ピッチが２６４μｍ、平均パターン幅ｗが６０μｍ、高さｈが１４０μｍのバリアリブ７を用いてもリブ折損に起因した画素欠陥が実用上殆ど発生しないという実験結果が得られた。すなわち放電不活性膜２１の適用は画素欠陥の抑制と輝度及び発光効率の向上とを同時に可能にするのである。
【０１０３】
なお、ストライプ状のバリアリブ７では互いに隣接する表示ラインＬ間で（すなわち第１方向Ｄ１に）各放電セルＣの放電空間が連続するが、高さｈの増大及び／又はパターン幅ｗの減少により放電空間が広がっても、放電不活性膜２１によれば放電セルＣ間で放電が干渉し合うのを効果的に抑制することができる。
【０１０４】
上述のようにバリアリブ７を高くするほど輝度及び発光効率を向上させることができる。ここで、バリアリブにはストライプ状のバリアリブ７（図２３参照）の他に格子状のバリアリブ（例えば後述の図２１やProceedings of IDW'99 pp.587-590を参照）があり、以下の理由によりストライプ状のバリアリブ７の方が高さｈを大きくしやすい。
【０１０５】
まず、格子状のバリアリブは第１方向Ｄ１に伸長する成分（図２１に示す第１成分７Ｂ１参照）と第２方向Ｄ２に伸長する成分（図２１に示す第２成分７Ｂ２参照）とを含んでいるので、両成分が交差する箇所はバリアリブの形成（例えばサンドブラスト法や感光性リブ材による方法による）時に互いの形状に影響を及ぼし合う。このため、格子状のバリアリブが高いほど形状のコントロールが困難になるのである。
【０１０６】
また、格子状のバリアリブは放電セルＣを取り囲むように空間を区画しているので、当該空間内へ蛍光体８を塗布した際に空間内の空気が逃げにくく該空気が閉じ込められてしまう場合がある。そのような場合には蛍光体８を適切に塗布することができず、かかる不具合はバリアリブが高いほど起こりやすい。
【０１０７】
さらに、下記の(a)〜(d)に述べるように、格子状のバリアリブには上記サンドブラスト法や感光性リブ材による上記方法よりも高いｈを得るのに適した製法が少ない。
【０１０８】
(a)パターン積層印刷法では、スクリーンメッシュの重なりを平均化するために各層を印刷する毎に第１方向Ｄ１にスクリーン版をずらす必要があるが、格子状のバリアリブでは第２方向Ｄ２に伸長する成分があるので、ずらすことができない。
【０１０９】
(b)型プレス法では、格子状のバリアリブの場合、離型の際に逃げる方向が無く基板面に対して一斉に離型する必要があるので、離型が困難である。一方、ストライプ状のバリアリブによれば、バリアリブ（パターン）の伸長方向に逃げられるので、めくるように離型することができる。
【０１１０】
(c)基板上に形成したＤＦＲ（ドライフィルムフォトレジスト）のパターン溝にリブ材を埋込む方法では、格子状のバリアリブの場合、ＤＦＲパターンが各放電セルＣの位置に孤立島状に形成される。このため、ＤＦＲ剥離の際にセルの数だけ剥離のトリガーが必要になるので、剥離が困難である。
【０１１１】
(d)基板上に一様に塗布されたリブ材を、バリアリブのパターン間のスペースに対応するプローバーで掃引するという製法は、ストライプ状のバリアリブに適用されるが、格子状バリアリブにはもとより使えない。
【０１１２】
これに対して、ストライプ状のバリアリブ７であれば、格子状のバリアリブに特有の上記問題や制約はなく、比較的容易に高さｈを増大させることができる。このため、格子状のバリアリブは上述の製法の問題点及び制約から高さｈ≧１５０μｍにすることは実用的には無理であったが、ストライプ状のバリアリブ７によれば高さｈを１５０〜５００μｍにすることも可能である。つまり、放電不活性膜２１の適用で以てより高く形成されたストライプ状バリアリブは輝度及び発光効率を大幅に改善しうるものである。
【０１１３】
また、格子状のバリアリブのパターンは個々の放電セルＣを取り囲んで存在するので、放電によって発生したプラズマ粒子がバリアリブの側面上の蛍光体８に衝突してエネルギーを損失する割合が、ストライプ状のバリアリブに比べ大きい。このため、格子状バリアリブの方が相対的に発光効率が悪くなる。
【０１１４】
以上をまとめると、放電不活性膜２１の適用はストライプ状のバリアリブ７を利用可能にする。更に、放電不活性膜２１によれば、バリアリブ７が細く及び／又は高くなってｈ／ｗ≧２という関係になってもバリアリブの折損による画素欠陥の発生を抑えることができる。これらから放電不活性膜２１は輝度及び発光効率を向上させるために極めて有効である。
【０１１５】
ところで、ディスプレイの発光効率を向上させるためには、蛍光体８から発せられた可視光が放電不活性膜２１によって遮られない方が良い。このため、放電不活性膜２１は透明であることが望ましい。放電不活性膜２１を構成する放電不活性材料の粒子の平均粒径が小さいほど、放電不活性膜２１はより透明になる。一般に平均粒径が可視光波長域（０．４〜０．８μｍ）程度以下に下がるほど透明度が増すので、放電不活性材料の粒子の平均粒径は大略１μｍ以下であることが、より望ましくは０．１μｍレベル以下であることが適当である。
【０１１６】
また、放電不活性膜２１下のカソード膜１１が微視的にでも露出してしまうと、放電不活性膜２１上でも放電が発生しうるので、既述の効果（１），（２），（３）が十分に得られない場合が生じうる。このため、放電不活性膜２１上での放電を回避するためには、放電不活性膜２１の厚さｔ（図２参照）を大略、上記放電不活性材料の平均粒径以上に設定するのが望ましい。一方、放電不活性膜２１が厚過ぎると、放電ギャップ部ＤＧ近傍においてバリアリブ７とカソード膜１１との間の隙間が大きくなり、バリアリブ７を介して隣接する放電空間内の放電が互いに干渉し合い、その結果、セルＣの選択性が損なわれる場合が生じうる。これを回避するために、放電不活性膜２１の膜厚ｔは１０μｍレベル以下、より好ましくは５μｍ以下とするのがよい。
【０１１７】
また、ＰＤＰ５１は図２３のＰＤＰ５１Ｐ（すなわち特開平９−１０２２８０号公報に開示のＰＤＰ）に、実施の形態１に係る放電不活性膜２１を適用した構造にあたるが、その他の構造のＰＤＰに当該放電不活性膜２１を適用することも可能であり、ＰＤＰ５１と同様の効果が得られる。例えば、図３の平面図（レイアウト図）に示す実施の形態１に係る第２の前面基板５２Ｆに放電不活性膜２１を適用することができる。
【０１１８】
図３に示すように、前面基板５２Ｆの各維持放電電極ＸＡ，ＹＡは、上述の前面基板５１Ｆにおいて電極対間ギャップ部ＮＧを介して隣接する、互いには対を成さない２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが一体化した構造にあたる。なお、維持放電電極ＸＡ，ＹＡの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５２Ｆでは電極対間ギャップ部ＮＧが無いので、維持放電電極ＸＡ，ＹＡ間には放電ギャップ部ＤＧのみが設けられている。このため、維持放電電極ＸＡ，ＹＡのそれぞれが隣接する表示ラインＬの双方を規定している。逆に言えば、前面基板５２Ｆでは隣接する表示ラインＬ間には１本の維持放電電極ＸＡ又はＹＡが配置されており、隣接する表示ラインＬが１本の維持放電電極ＸＡ又はＹＡを共有している。
【０１１９】
前面基板５２Ｆのその他の構成（図３中には不図示）は前面基板５１Ｆと同様であり、前面基板５２Ｆは上述の前面基板５１Ｆに変えてＰＤＰ５１に適用可能であり、更にそのようなＰＤＰ５１はプラズマディスプレイ装置１０１に適用可能である。なお、かかる点は後述の前面基板５３Ｆ（図４参照）等についても同様である。
【０１２０】
隣接する表示ラインが１本の維持放電電極を共有する他の構造のＰＤＰ（特開平１０−２５５６６４号公報、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、及び、特開２０００−１４７６６０号公報を参照）に、実施の形態１に係る放電不活性膜２１を適用することも可能である。
【０１２１】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、放電不活性膜２１を前面基板５１Ｆの平面視において隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ近傍の維持放電電極Ｘ，Ｙの一部を被覆するようにスクリーン印刷法で直接にパターン形成する場合を説明した。この場合、１個の放電セルＣ当りにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ上で実際に面放電５０（図２３参照）が行なわれる部分の面積は、維持放電電極Ｘ，Ｙの放電ギャップ部側のパターンエッジから放電不活性膜２１のパターンエッジまでの距離ないしは寸法に大略比例する。従って、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置は放電電流を大きく左右する。
【０１２２】
放電不活性膜２１をスクリーン印刷法を用いて直接パターン形成する場合、パターンエッジの形成位置精度はスクリーン版の伸縮や、印刷・乾燥・焼成の工程を通じて生じる厚膜ペーストのダレやニジミ等に影響を受ける。このとき、前面ガラス基板５は大面積であるため、スクリーン版や厚膜ペーストや印刷・乾燥・焼成条件等を生産性を度外視し且つ手を尽くしたとしても、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置精度は±５０μｍくらいしか期待できない。生産性を考慮するとなれば±１００μｍ程度の精度を見込む必要がある。
【０１２３】
一方、各維持放電電極Ｘ，Ｙのパターン幅すなわち放電ギャップ部ＤＧ側のパターンエッジから隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ側のパターンエッジまでの距離ないしは寸法は一般に１００〜５００μｍくらいしかない。
【０１２４】
これらを勘案すると、実施の形態１の放電不活性膜２１ではパターンエッジの形成位置を十分な精度で形成するのが難しい場合がある。このため、実施の形態１に係るＰＤＰ５１では放電セル１個当りの放電電流に１０〜１００％の増減、標準的には２０〜５０％の増減を見込まなければならず、製品性能の再現性や表示に関する面内均一性の観点において容認し難い場合がある。
【０１２５】
また、実施の形態１のＰＤＰ５１では、放電不活性膜２１をスクリーン印刷法で形成した時に用いたスクリーン版に由来する輝度ムラ、具体的にはメッシュ状の輝度ムラやモアレ模様の輝度ムラが目立つ場合がある。詳細な調査によれば、スクリーン版に固有のメッシュ編み密度の局部的濃淡ムラが放電不活性膜２１のパターンエッジのガタツキに反映されており、該ガタツキがセル単位での放電電流の大小ムラを引き起こした結果、上記輝度ムラが生じることが判明した。
【０１２６】
そこで、実施の形態２では、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置やガタツキに関する精度が上述のように低レベルであっても、パネル全体の放電電流や放電電流のパネル面内分布やセル単位での放電電流の大小ムラに対する影響を低減しうる前面基板及びＰＤＰを説明する。
【０１２７】
図４に実施の形態２に係る第１の前面基板５３Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図（レイアウト図）を示す。図４には前面基板５３Ｆの維持放電電極ＸＢ，ＹＢ、放電不活性膜２２及びカソード膜１１を主として図示しており、又、前面基板５３Ｆを適用したＰＤＰ５１におけるバリアリブ７（の頂部）を２点鎖線で模式的に図示している。なお、かかる図示化は後述の図６等の平面図において同様である。
【０１２８】
前面基板５３Ｆにおいて維持放電電極ＸＢ，ＹＢ及び放電不活性膜２２以外の構成は既述の５１Ｆと同様である。前面基板５３Ｆの維持放電電極ＸＢ，ＹＢは、図２の維持放電電極Ｘ，Ｙと同様に、前面ガラス基板５（図２参照）上において、第１方向Ｄ１に並んでいると共に第２方向Ｄ２に伸長しており、第２方向Ｄ２に伸長する複数の表示ラインＬを規定している。また、隣接する表示ラインＬ間には２つの維持放電電極ＸＢ，ＹＢ（但し対を成さない）が配置されている。
【０１２９】
特に、維持放電電極ＸＢ，ＹＢはそれぞれ複数の放電ギャップ隣接部ａと、１つの母線部ｂと、複数の架橋部ｃとを含んでいる。ここで、放電ギャップ隣接部ａ、架橋部ｃ、母線部ｂの境界線を破線で示している。詳細には、母線部ａは隣接維持放電電極対ギャップ部ＮＧに隣接して第２方向Ｄ２に伸長している。そして、複数の架橋部ｃが、母線部ｂから当該母線部ｂが隣接する放電ギャップ部ＤＧに向けて（ここでは第１方向Ｄ１に）伸長している。複数の架橋部ｃにはそれぞれ放電ギャップ隣接部ａが結合しており、これら複数の放電ギャップ隣接部ａは当該放電ギャップ部ＤＧに隣接し且つ第２方向Ｄ２に沿って（すなわち放電ギャップ部ＤＧに沿って）並んでいる。これにより、各放電ギャップ隣接部ａは対応の架橋部ｃを介して母線部ａと電気的に接続されている。なお、維持放電電極ＸＢ，ＹＢでは、放電ギャップ隣接部ａと架橋部ｃとはＴ字型を成して結合している（放電ギャップ隣接部ａがＴ字型の頭部にあたり、架橋部ｃがＴ字型の脚部にあたり、架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は放電ギャップ隣接部ａよりも狭い）。
【０１３０】
そして、前面基板５１Ｆと同様に、前面基板５３Ｆにおいても上述の維持放電電極ＸＢ，ＹＢは誘電体層３及びカソード膜１１（図２参照）で覆われている。
【０１３１】
前面基板５３Ｆの放電不活性膜２２は、既述の前面基板５１Ｆの放電不活性膜２１と同様にカソード膜１１上に配置されており、複数の帯状パターンから成るストライプ状をしている。放電不活性膜２２の各帯状パターンないしは露出表面２２Ｓは、前面基板５３Ｆの平面視において、複数の表示ラインＬ間に対応する領域に配置されており、しかも維持放電電極ＸＢ，ＹＢの放電ギャップ隣接部ａを覆わないように配置されている。このとき、放電不活性膜２２のパターンエッジは維持放電電極ＸＢ，ＹＢの架橋部ｃに対面している。放電不活性膜２２は既述の放電不活性膜２１と同様にスクリーン印刷法でパターン形成しても良いし、蒸着リフトオフ法等で形成しても良い。
【０１３２】
なお、ここでは、前面基板５３Ｆを適用したＰＤＰ５１において、放電ギャップ隣接部ａ間の間隙がバリアリブ７に対面するように、且つ、各架橋部ｃがバリアリブ７の帯状パターン間に配置されて各放電空間５１Ｓに対面するように、前面基板５３Ｆと背面基板５３Ｒとが配置される。
【０１３３】
ところで、上述の形状及び配置を有する維持放電電極と放電不活性膜とバリアリブとを備えたＰＤＰが特開２００１−１７６４００号公報に開示されているが、当該公報に開示のＰＤＰと実施の形態２に係るＰＤＰ５１とには以下の大きな相違がある。
【０１３４】
まず、実施の形態２の前面基板５３Ｆでは、ストライプ状の放電不活性膜２２の焼成後のパターンエッジが、平面視において、放電ギャップ隣接部ａ（の放電不活性膜２２側のパターンエッジ）から大略５０μｍ以上、より好ましくは大略１００μｍ以上離れている。このような配置はスクリーン印刷法の諸条件（例えば、スクリーン版のパターン設計）等の設定により可能である。具体的には、放電不活性膜２２のパターンエッジが上記平面視において放電ギャップ隣接部ａから大略５０μｍ以上又は大略１００μｍ以上離れるような位置にくるように設計することにより、たとえ印刷位置ずれが生じても上述の位置関係を満足する前面基板５３Ｆを歩留まり良く（平均的に）製造することができる。このような条件で形成された放電不活性膜２２であれば、基板面内の平均的な放電不活性膜２２のパターンエッジは上記平面視において放電ギャップ隣接部ａから大略５０μｍ以上又は大略１００μｍ以上離れるような位置に形成されることになる。従って基板面内の少なくとも一部には、それに該当する部分が存在する。
【０１３５】
このような距離設定により、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれたとしても、放電ギャップ隣接部ａが放電不活性膜２２で覆われないようにすることができるので、放電ギャップ隣接部ａでの放電が放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置やガタツキに影響されないようにすることができる。
【０１３６】
一方、架橋部ｃのうちで放電が行なわれる部分は放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置によって規定され、パターンエッジのガタツキの影響も受ける。しかし、架橋部ｃは放電ギャップ隣接部ａに比べて放電不活性膜２２のパターンエッジの伸長方向に平行な方向（つまり第２方向Ｄ２）のパターン幅が狭いので、架橋部ｃのうちで放電が行われる部分の面積は、放電ギャップ隣接部ａの面積に比べて充分小さい。また、架橋部ｃを架橋方向（すなわち第１方向Ｄ１）に沿って細長く形成するほど（第２方向Ｄ２のパターン幅を小さくするほど）、維持放電電極Ｘ，Ｙへの印加電圧が放電空間５１Ｓ内に形成する電界は架橋部ｃ上方で弱くなるので、架橋部ｃでの放電電流密度を放電ギャップ隣接部ａに比べて小さくまたは実質的にゼロにすることができる。このとき、放電不活性膜２２のパターンエッジは維持放電電極Ｘ，Ｙのうちでパターン幅の狭い架橋部ｃのみと交差するので、架橋部ｃの上記パターン幅を細くするほど当該交差部分をＰＤＰ５１よりも小さくすることが可能である。
【０１３７】
このように、前面基板５３Ｆによれば、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれても、放電セル１個当りの放電電流の増減を抑制することができるので、表示性能に関する再現性や面内均一性が改善することができる。更に、放電不活性膜２２のパターンエッジのガタツキに因るセル単位での放電電流の大小ムラを抑制することができるので、放電不活性膜２２を形成するためにのスクリーン版のメッシュ編み濃淡ムラに対応する輝度ムラを抑制することができる。
【０１３８】
ところで、蛍光体８のうちで母線部ｂに対面する部分付近からの発光はほとんどが母線部ｂに遮られてしまうので、可視光の取出し効率（又は発光効率）の観点から言えば、母線部ｂ上では放電が生じないようにした方が好ましい。母線部ｂ上で放電を生じさせないためには、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれた場合であっても、母線部ｂが放電不活性膜２２の存在領域からはみ出ないようにすれば良い。
【０１３９】
しかし、放電不活性膜２２から母線部ｂの一部がはみ出した場合であっても、そのはみ出し量が５０μｍ程度であれば、母線部ｂで放電が生じないようにすることは可能である。例えば特開２０００−１１３８２８号公報には放電ギャップ隣接部と母線部と架橋部とを有する維持放電電極を備えているが放電不活性膜を備えていないＰＤＰが開示されており、当該公報によれば維持放電電極対間の面放電を放電ギャップ部付近に局在化可能であるとしている。かかる放電の局在化は、(I)放電ギャップ隣接部ａで始まった放電が架橋部ｃに拡張する過程において放電電流密度が上述のように小さくなり母線部ｂにまで拡張するのが困難であることと、(II)母線部ｂ上方の放電空間５１Ｓ内において架橋部ｃ付近では放電が生じるのに必要な電界が形成困難であることと、が主因と思われる。
【０１４０】
以上のことから、放電不活性膜２２のパターンエッジは、前面基板５３Ｆの平面視において放電ギャップ隣接部ａよりも母線部ｂに近い位置に設けられている。換言すれば、上記平面視において、放電不活性膜２２と放電ギャップ隣接部ａとの両パターンエッジ間の距離は、放電不活性膜２２と母線部ｂとの両パターンエッジ間の距離よりも長く設定されている。このような位置関係はスクリーン印刷法の諸条件（例えば、スクリーン版のパターン設計）等の設定により可能である。具体的には、放電不活性膜２２のパターンエッジが上記平面視において放電ギャップ隣接部ａよりも母線部ｂに近い位置に来るように設計する。このような条件によれば、たとえ印刷位置ずれが生じても、平面視において放電ギャップ隣接部ａに放電不活性膜２２のパターンが及ばず、且つ、平面視において母線部ｂが放電不活性膜２２のパターンから少々はみ出しても母線部ｂで放電が発生しない、前面基板５３Ｆを歩留まり良く（平均的に）製造することができる。このような条件で形成された放電不活性膜２２であれば、基板面内の平均的な放電不活性膜２２のパターンエッジは、上記平面視において放電ギャップ隣接部ａより母線部ｂに近い位置に形成される。したがって基板面内の少なくとも一部にはそれに該当する部分が存在する。
【０１４１】
なお、上記特開２０００−１１３８２８号公報に開示された上述のＰＤＰ（放電ギャップ隣接部と母線部と架橋部とを有する維持放電電極を備えているが放電不活性膜を備えていないＰＤＰ）において母線部間の面放電が起こらないようにするためには、母線部全体の上部放電空間での電界を充分に弱くする必要がある。そのような電界は、維持放電のために維持放電電極間に印加する交流電圧を相当に低く設定すれば得られるが、放電ギャップ隣接部での正規の維持放電が不安定になってしまう。あるいは、母線部の維持放電電極に伸長方向に垂直な方向に関するパターン幅を相当に細くすれば上述の弱い電界を得ることはできるが、母線部のライン抵抗が上昇して母線部に流れる放電電流による電圧損失や電力消費が大きくなってしまう。
【０１４２】
これに対して、前面基板５３Ｆのように平面視において母線部ｂ上を覆うように放電不活性膜２２を設けることにより（しかもスクリーン印刷法という簡便なプロセスで配置可能である）、維持放電のための上記交流電圧をそれほど下げなくても、且つ、母線部の上記パターン幅をそれほど細くしなくても、放電不活性膜２２の作用によって維持放電が母線部ｂに及ぶ（拡大する）のを抑えることができる。
【０１４３】
ところで、維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおいて透明部（透明電極のうちでバス電極が載っておらず透明電極のみから成る部分）を設けないことも可能である。この場合、透明電極を形成する必要が無いので、コストを削減することができる。
【０１４４】
しかし、透明部が無いと蛍光体８からの可視光が維持放電電極ＸＢ，ＹＢに遮られる割合が大きいので、十分な発光取出し効率が得られない。このため、少なくとも蛍光体８の発光強度の高い放電ギャップ隣接部ａの全部または大部分を透明部ないしは透明電極で以て形成した方が、発光効率上、有利である。更に、架橋部ｃも全部または大部分を透明部とした方が発光効率にとって有利である。このとき、放電ギャップ隣接部ａに近い部分ほど発光強度が高いので、架橋部ｃのうちで放電ギャップ隣接部ａに近い部分だけでも透明部にするのが良い。
【０１４５】
一方、母線部ｂは放電電流を流す役割を担うので、母線部ｂは、透明電極よりも導電性に優れたバス電極を少なくとも有する構造にする必要がある。つまり、各維持放電電極ＸＢ，ＹＢの少なくとも一部分（放電ギャップ部ＤＧから遠い方がより好ましい）に維持放電電極ＸＢ，ＹＢの伸長方向（第２方向Ｄ２）に沿って間断なく続くように、バス電極を適用する必要がある。
【０１４６】
このとき、導電性を重視して（維持放電電極ＸＢ，ＹＢのライン抵抗を低減するために）母線部ｂの透明電極上の全体にバス電極を設けても良く（すなわち母線部ｂを金属電極部のみで構成しても良く）、あるいは、母線部ｂ全体をバス電極のみで形成しても良い。そのような母線部ｂであっても蛍光体８からの可視光のうちで母線部ｂの全体による損失は小さくてすむ。これは、母線部ｂは面放電５０の全部または大部分が行なわれる放電ギャップ隣接部ａから離れているので、蛍光体８からの発光は母線部ｂ付近において弱く（発光強度が低く）、母線部ｂは単にそのような弱い発光を遮光するからである。このため、母線部ｂの全体にバス電極を適用しても発光の取り出し効率の損失を抑えることができる。更に、上述のように母線部ｂ付近では蛍光体８の発光強度が弱いので、母線部ｂの一部に透明部を設けて上述の弱い発光を取り出すよりも、金属電極部のみから成る母線部ｂによって蛍光体８での外光反射（外部から入射して蛍光体８で反射する光）を低減した方が、明室下での表示コントラストが向上する場合がある。
【０１４７】
更に、図５の断面図に示す母線部ｂのように多層構造の（ここでは２層構造の）バス電極２Ａを採用しても良い。詳細には、バス電極２Ａは透明電極１上に配置された外側層２Ｏと、当該外側層２Ｏを介して前面ガラス基板５に対面する内側層２Ｉとを含んでいる。特に、外側層２Ｏは内側層２Ｉと比して可視光吸収率が高く、内側層２Ｉは外側層２Ｏよりも可視光反射率が高い。外側層２Ｏ及び内側層２Ｉは、例えば黒色顔料の含有量を違えることにより形成可能である。あるいは、例えば外側層２Ｏを黒色顔料を含んだペーストで形成すると共に内側層２Ｉを銀電極用ペーストで形成することにより、両層２Ｏ，２Ｉを形成可能である。このとき、バス電極２Ａは前面ガラス基板５に対面する外向き表面ＳＯ及び当該外向き表面ＳＯを介して前面ガラス基板５に対面する内向き表面ＳＩを有しており、外向き表面ＳＯは内向き表面ＳＩよりも可視光吸収率が高く、内向き表面ＳＩは外向き表面ＳＯよりも可視光反射率が高い。なお、図５では母線部ｂが透明電極１を含む場合を図示しているが、上述のように当該透明電極１を省いても良い。
【０１４８】
このようなバス電極２Ａによれば、外向き表面ＳＯによって外光反射量を減らして明室下での表示コントラストを向上させることができると共に、内向き表面ＳＩによって蛍光体８からの発光を放電セルＣ内で二次反射させることにより、表示光としてより多くの発光を取り出すことができる。従って、発光効率を上げることができる。
【０１４９】
維持放電電極ＸＢ，ＹＢと放電不活性膜２２との配置関係に関する説明や、維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおける透明電極及びバス電極に関する説明や、バス電極の可視光反射率及び可視光吸収率に関する説明は、放電ギャップ隣接部、母線部及び架橋部を含んだ維持放電電極並びに放電不活性膜を備えた各種の前面基板（後述の前面基板５４Ｆ等を含む）及び該前面基板を適用したＰＤＰについても妥当であり、同様の効果が得られる。そこで、以下に実施の形態２の変形例を説明する。
【０１５０】
図６に実施の形態２に係る第２の前面基板５４Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５４Ｆの維持放電電極ＸＣ，ＹＣは、図４の維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおいて各母線部ｂに属する複数の放電ギャップ隣接部ａを一体化（連続化）した平面パターンを有する。すなわち、維持放電電極ＸＣ，ＹＣはそれぞれ、複数の放電ギャップ隣接部ａを一体化したパターンにあたる１つの放電ギャップ隣接部ｄが、第２方向Ｄ２に隣接する複数の架橋部ｃの全てに共通に接続している。なお、前面基板５４Ｆのその他の構成は図４の前面基板５３Ｆと同様である。
【０１５１】
前面基板５１Ｆに変えて前面基板５４Ｆを適用したＰＤＰ５１では、図４の前面基板５３Ｆと同様に、各架橋部ｃがバリアリブ７の帯状パターン間に配置される。
【０１５２】
前面基板５４Ｆによれば、維持放電電極ＸＣ，ＹＣとバリアリブ７との相対位置が維持放電電極ＸＣ，ＹＣの伸長方向（すなわち第２方向Ｄ２）にずれたとしても、放電ギャップ隣接部ｄのうちで各放電空間５１Ｓに対面する各部分（すなわち各セルＣ内で面放電が行なわれる各主要部分）の面積や形状は上記ずれに影響を受けない。従って、各放電空間５１Ｓにおいてもパネル全面においても安定した表示性能が得られる。
【０１５３】
ところで、放電ギャップ隣接部ｄは第２方向Ｄ２に延在し、バリアリブ７を挟んで第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電セルＣに跨っている。このため、先述の図４のように各放電セルＣ毎に設けられた放電ギャップ隣接部ａに比べると、放電ギャップ隣接部ｄを有するＰＤＰでは隣接する放電セルＣが相互に干渉して放電セルＣの選択性が低くなる場合がある。ここで、例えば特開２０００−１９５４３１号公報や特開２０００−３１１６１２号公報には、維持放電電極を覆う誘電体層の厚さを放電ギャップ部及び放電ギャップ隣接部を覆う部分よりも母線部を覆う部分で充分に厚くすることにより、母線部ｂ上での放電を抑止する技術が開示されている。この場合、誘電体層における被覆厚さの差を実用上１０μｍレベル以上にする必要があると考えられ、必然的に放電ギャップ部及び放電ギャップ隣接部上方にはバリアリブとカソード膜との間に１０μｍレベル以上の隙間が形成されてしまう。つまり、当該隙間を介して、隣接する放電セル間で放電が干渉しうる。従って、誘電体層に厚さ分布を持たせた場合、上記隙間を介した放電の干渉を抑制するためには、バリアリブを挟んで並ぶ複数の放電セルに跨った放電ギャップ隣接部を用いることは難しく、各放電セル毎に設けられる放電ギャップ隣接部を用いる必要がある。
【０１５４】
これに対して、誘電体層３の厚さ分布を与えるのではなく放電不活性膜２２を用いることによって、バリアリブ７を挟んで並ぶ複数の放電セルＣに跨った放電ギャップ隣接部ｄが適用可能になる。なぜならば、放電不活性膜２２は２次電子放出特性が低いという性質を利用して放電の発生を抑えるので、実施の形態１で述べたように膜厚を１０μｍレベル以下、更には５μｍレベル以下に設定することにより（このような厚さであっても充分に放電抑止効果は得られる）、上記隙間をより狭くすることができるからである。放電ギャップ隣接部ｄは複数の架橋部ｃに跨って連続する（複数の架橋部ｃに接続されている）ので、たとえ１個の架橋部ｃが断線しても他の架橋部ｃが断線していなければ、断線した架橋部ｃに近接する放電ギャップ隣接部ｄへの給電は充分に可能である。このため、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０１５５】
ところで、図７の平面図に示すように、バリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＣ，ＹＣの各架橋部ｃとが対面するように、前面基板５４Ｆ及び背面基板５１Ｒ（図２３参照）を、従ってＰＤＰ５１を構成しても良い。
【０１５６】
このＰＤＰ５１では各架橋部ｃの一部又は全体が放電空間５１Ｓに対面しないので、架橋部ｃでの放電は、架橋部ｃと放電空間５１Ｓが対面する図６の場合に比して弱くなるかゼロになる。このため、各放電ギャップ隣接部ａでの放電が各放電セルＣの放電特性をより一層支配する又は全て支配することになる。従って、上述の放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置ずれやガタツキによる不具合を、より一層弱めることができる又は解消することができる。
【０１５７】
同様に、図８の平面図に示すように、バリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＢ，ＹＢの各架橋部ｃとが対面するように、換言すれば第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電ギャップ隣接部ａ間の各領域がバリアリブ７の各帯状パターンに対面しないように、既述の前面基板５３Ｆ及び背面基板５１Ｒ（図２３参照）を、従ってＰＤＰ５１を構成しても良い。なお、かかる構成のＰＤＰ５１は、上述の図７のＰＤＰ５１の１つの放電ギャップ隣接部ｄを平面視においてバリアリブ７の帯状パターン間で維持放電電極ＸＣ，ＹＣの伸長方向（第２方向Ｄ２）に分断した構造に相当する。
【０１５８】
図８のＰＤＰ５１では、図７のＰＤＰ５１と比較して、各放電セルＣでの放電ギャップ隣接部のパターン面積が小さい。しかし、放電ギャップ隣接部ａ上方の放電空間５１Ｓ内に生じたプラズマは隣接する放電ギャップ隣接部ａ間の領域（上記分断領域）に広がる。このため、図８のＰＤＰ５１によれば、図７のＰＤＰ５１と比べて放電電流を減少させることができると共にプラズマから発せられる紫外線量は図７のＰＤＰ５１と同程度とすることができる。つまり、放電電流の割にはプラズマから発せられる紫外線量を多くすることができる。従って、発光効率が向上する。特に、この効果は放電不活性膜２２を設けない場合でも得られる。
【０１５９】
図９に実施の形態２に係る第３の前面基板５５Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５５Ｆの維持放電電極ＸＤ，ＹＤは、図４の前面基板５３Ｆにおいて隣接する表示ラインＬ間の２つの維持放電電極ＸＢ，ＹＢを、より具体的には２つの母線部ｂを一体化（連続化）した平面パターンを有する。このため、隣接する表示ラインＬが１本の維持放電電極ＸＤ又はＹＤを共有している。逆に言えば、維持放電電極ＸＤ，ＹＤのそれぞれが隣接する表示ラインＬの双方を規定している。
【０１６０】
前面基板５５Ｆでは、隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ（図４参照）が無く、複数の維持放電電極Ｘ，Ｙ間に在る複数のギャップ部は全て放電ギャップ部ＤＧにあたる。各維持放電電極ＸＤ，ＹＤにおいて、隣接する表示ラインＬ間ないしは隣接する放電ギャップ部ＤＧ間には１つの母線部ｂが配置されており、複数の架橋部ｃは当該１つの母線部ｂの両側（図９では上下に）に分けて設けられており各側の架橋部ｃは上記隣接する表示ラインＬに向けて伸長している。そして、維持放電電極ＸＤ，ＹＤの各架橋部ｃにそれぞれ放電ギャップ隣接部ａが接続している。なお、母線部ｂの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５５Ｆのその他の構成は図４の前面基板５３Ｆと同様であり、前面基板５５Ｆによれば図４の前面基板５３Ｆと同様の効果を奏する。
【０１６１】
図１０に実施の形態２に係る第４の前面基板５６Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５６Ｆの維持放電電極ＸＥ，ＹＥは、図６の前面基板５４Ｆにおいて隣接する表示ラインＬ間の２つの維持放電電極ＸＣ，ＹＣを、より具体的には２つの母線部ｂを一体化（連続化）した平面パターンを有する。
【０１６２】
各維持放電電極ＸＥ，ＹＥは、図９の維持放電電極ＸＤ，ＹＤと同様の１つの母線部ｂ及び複数の架橋部ｃを含んでおり、更に２つの放電ギャップ隣接部ｄを含んでいる。複数の架橋部ｃの一部の架橋部ｃ（具体的には母線部ｂの一方の側において第２方向Ｄ２に並ぶ（複数の）架橋部ｃ）の全てに共通に１つの放電ギャップ隣接部ｄが接続しており、同様に、複数の架橋部ｃの残りの架橋部ｃ（具体的には母線部ｂの他方の側において第２方向Ｄ２に並ぶ（複数の）架橋部ｃ）の全てに共通にもう一つの放電ギャップ隣接部ｄが接続している。なお、母線部ｂの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５６Ｆのその他の構成は図６の前面基板５４Ｆと同様であり、前面基板５６Ｆによれば図６の前面基板５４Ｆと同様の効果を奏する。
【０１６３】
なお、図７のＰＤＰ５１と同様に、前面基板５６Ｆと背面基板５１Ｒ（図２３参照）とをバリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＥ，ＹＥの各架橋部ｃとが対面するように配置しても良い（図１１参照）。また、図８のＰＤＰ５１と同様に、既述の前面基板５５Ｆと背面基板５１Ｒ（図２３参照）とをバリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＤ，ＹＤの各架橋部ｃとが対面するように、換言すれば第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電ギャップ隣接部ａ間の各領域がバリアリブ７の各帯状パターンに対面しないように、配置しても良い（図１２参照）。図１１及び図１２のＰＤＰ５１によれば、図７及び図８のＰＤＰ５１と同様の効果がそれぞれ得られる。
【０１６４】
＜実施の形態３＞
図１３に実施の形態３に係る前面基板５７Ｆ及び当該前面基板５７Ｆを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。なお、図１３中の符号Ｒ，Ｇ，Ｂは第１方向Ｄ１に並ぶ各放電セル群ないしは第１方向Ｄ１に伸長する各放電空間５１Ｓに接する蛍光体８の発光色（赤色，緑色，青色）を示している。
【０１６５】
前面基板５７Ｆは既述の放電不活性膜２１（図２参照）に相当の放電不活性膜２３を備えており、その他の構成は前面基板５１Ｆ（図２参照）と同様である。前面基板５７Ｆの放電不活性膜２３は、図２の放電不活性膜２１とは異なる平面パターンの露出表面２３Ｓを有している。
【０１６６】
詳細には、放電不活性膜２３は第１方向Ｄ１に伸長した各蛍光体８のうちで青色発光用の蛍光体８に対面する部分においてパターン幅（第１方向Ｄ１の寸法）が他の部分よりも狭くなっている。これに対応して、前面基板５７Ｆにおいてカソード膜１１の露出表面１１Ｓは青色発光用の蛍光体８に対面する部分のパターン幅（第１方向Ｄ１の寸法）が他の部分よりも広くなっている。このため、青色発光用セルＣでは赤色及び緑色発光用セルＣよりもカソード膜１１の露出表面１１Ｓが広い。これにより、各放電セルＣ内において前面基板５７Ｆ上に形成される各面放電５０（図２３参照）及びそれの放電電流を、赤色及び緑色発光用セルＣ内よりも青色発光用セルＣ内において大きくすることができる。従って、前面基板５７Ｆを備えたＰＤＰ５１によれば、赤色及び緑色に比べて青色がより強く発光するので、白色表示の色温度をより高くすることができる。
【０１６７】
なお、例えば緑色発光用セルＣ内の面放電５０を赤色及び青色発光用セルＣ内の面放電５０よりも小さくなるように放電不活性膜２３及びカソード膜の露出表面２３Ｓ，１１Ｓのパターン形状を調整することにより、白色表示の黒体輻射軌跡からのずれをより低くすることができる。
【０１６８】
このように、複数の放電セルＣ内において前面基板５７Ｆ上に形成される各面放電５０の大きさが複数の放電セルそれぞれの発光色に依存するように、放電不活性膜２３及びカソード膜１１の露出表面２３Ｓ，１１Ｓがパターニングされているので、前面基板５７Ｆ及びそれを備えたＰＤＰ５１によれば、発光色毎に発光強度を調整できる。これにより、表示の色バランスを改善することができる。
【０１６９】
なお、図１３では放電不活性膜２３のパターンエッジがパターン幅が変化する部分で平面視において角張っている場合を図示しているが、当該パターンエッジを曲線的に（滑らかに）形成してパターン幅を変化させても良い。また、放電不活性膜２３は（既述の放電不活性膜２１と同様の）スクリーン印刷法や蒸着リフトオフ法等でパターン形成可能である。
【０１７０】
また、実施の形態３に係る放電不活性膜２３と既述の維持放電電極ＸＡ〜ＸＥ，ＹＡ〜ＹＥと組み合わせても、同様の効果が得られる。
【０１７１】
＜実施の形態４＞
図１４に実施の形態４に係る前面基板５８Ｆを説明するための平面図を示す。前面基板５８Ｆは既述の放電不活性膜２１（図２参照）に相当の放電不活性膜２４を備えており、その他の構成は前面基板５１Ｆ（図２参照）と同様である。前面基板５８Ｆの放電不活性膜２４は、放電不活性膜２１の露出表面２１Ｓ（図２参照）と同様の複数の帯状パターン及び更なる複数の帯状パターンから成る。
【０１７２】
詳細には、放電不活性膜２４の上記更なる複数の帯状パターンは前面基板５８Ｆの平面視において維持放電電極Ｘ，Ｙに対面して配置されており、しかも平面視において維持放電電極Ｘ，Ｙの各々を維持放電電極Ｘ，Ｙの配列方向すなわち第１方向Ｄ１に分断する（ここでは２分割する）ように配置されている。つまり、放電不活性膜２４は複数の表示ラインＬ間に対応する領域及び平面視において複数の維持放電電極Ｘ，Ｙの各々を第１方向に分断する領域に露出表面２４Ｓを有している。なお、放電不活性膜２４は（既述の放電不活性膜２１と同様の）スクリーン印刷法や蒸着リフトオフ法等でパターン形成可能である。
【０１７３】
これに対応して、前面基板５８Ｆのカソード膜１１（の露出表面１１Ｓ）は、前面基板５１Ｆの同露出表面１１Ｓが上述の更なる複数の帯状パターンによって分断されたパターンになる。従って、各放電セルＣでの面放電５０（図２３参照）は、放電ギャップ部ＤＧに近い（ないしは放電ギャップ部ＤＧ上の）露出表面１１Ｓから、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓへ段階的に（ステップ的に）広がっていく。このため、前面基板５８Ｆでは、放電ギャップ部ＤＧに近い露出表面１１Ｓ上で放電が盛んに生じている最中には、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓ上では放電は未だ盛んではなく、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓ上で放電が盛んに生じる頃には、放電ギャップ部ＤＧに近い露出表面１１Ｓでの放電が殆ど終息している。
【０１７４】
このような放電形態によれば、放電の瞬間ピーク電流を減少させることができるので、図１の駆動装置９１のピーク負荷を減少させることができる。その結果、駆動装置９１のコストを低減することができる。
【０１７５】
更に、前面基板５８Ｆを備えたＰＤＰ５１では、前面基板５１Ｆを備えたＰＤＰ５１と比べて、カソード膜１１の露出表面１１Ｓ上に形成される放電（プラズマ）の瞬間ピーク量が少ないが、プラズマは同程度に広がるので瞬間の紫外線の発生量はほとんど同じである。つまり、放電のために投入されたエネルギーに対する紫外線発生の効率が向上するので、表示の発光効率が向上する。
【０１７６】
ところで、例えば特開平１０−１４９７７４号公報には、放電不活性膜を備えておらず且つ維持放電電極のパターンが維持放電電極の配列方向に分断されたＰＤＰが開示されている。これに対して、前面基板５８Ｆでは放電不活性膜２４のうちで維持放電電極Ｘ，Ｙを分断するように設けられた部分の下方の維持放電電極Ｘ，Ｙ自体はパターン分断されてはいない。従って、前面基板５８Ｆを備えたＰＤＰ５１の方がより強い電界を放電空間５１Ｓ内に印加できるので放電開始電圧が低くてすむという点で優位性を有する。
【０１７７】
なお、放電不活性膜２４と既述の図３の前面基板５２Ｆの維持放電電極ＸＡ，ＹＡとを組み合わせても同様の効果が得られる。
【０１７８】
＜実施の形態５＞
既述のように、本願発明者の調査によれば、上述の蒸着リフトオフ法で形成された放電不活性膜２１Ｐを備えるＰＤＰ５１Ｐに図２５の駆動方法を適用すると、書込み期間ＡＤで選択したにもかかわらず、放電維持期間ＳＵで維持放電が発生しないという不具合が生じることが見出された。経験的には、このような不具合は、書込み期間ＡＤに先行するリセット期間ＲＥＰでの壁電荷の初期化が不安定なことに起因する場合が多い。これに基づくと当該不具合のメカニズムは以下のように推定される。
【０１７９】
放電維持期間ＳＵでの維持パルスの電圧（１５０〜２００Ｖ）程度では、面放電５０は維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで放電不活性膜２１Ｐに被覆されていない部分でしか起こらない。しかし、図２５のリセット期間ＲＥＰの第２期間ＲＥ２Ｐでは、全てのセル内に充分に強力なプライミング放電を形成するために、維持パルスよりも高い電圧（２５０〜４００Ｖ）が急峻なスイッチングで以て維持放電電極Ｘ，Ｙ間に印加される。このため、維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで放電不活性膜２１Ｐに被覆された部分でもプライミング放電が確率的に発生し、該部分上方の放電不活性膜２１Ｐの表面上にも壁電荷が蓄えられる。ところが、後続の第３期間ＲＥ３では、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧は維持パルスの電圧と同程度（１５０〜２００Ｖ）でしかないので、壁電荷を初期化するための消去放電は維持放電電極Ｘ，Ｙのうちの放電不活性膜２１Ｐに被覆された上記部分では発生し難い。従って、上述の確率的なプライミング放電が発生すると、上述のようにして放電不活性膜２１Ｐに蓄えられた壁電荷が初期化されないまま書込み期間ＡＤに移行してしまい、その結果として書込み放電が不安定になり上述の不具合が生じる。
【０１８０】
そこで、実施の形態５では、かかる問題点を解決しうるＰＤＰ及びプラズマディスプレイ装置を提供する。
【０１８１】
図１５に実施の形態５に係るＰＤＰの駆動方法ないしは駆動シーケンスを説明するためのタイミングチャート（電圧波形）を示す。図１の駆動装置９１は当該タイミングチャートに従ってＰＤＰ５１の電極Ｘ，Ｙ，Ｗに所定の電位を与えてＰＤＰ５１を駆動する。ここでは、プラズマディスプレイ装置１０１のＰＤＰ５１が前面基板５１を備える場合を説明するが、前面基板５２Ｆ（図３参照）等が適用されたＰＤＰ５１に対しても本駆動方法は適用可能である。
【０１８２】
図１５に図示のリセット期間ＲＥは図２５のリセット期間ＲＥＰに変えて適用される。特に、実施の形態５に係るリセット期間ＲＥは図２５の第２期間ＲＥ２Ｐに変えて第２期間ＲＥ２を備え、第１及び第３期間ＲＥ１，ＲＥ３は図２５のタイミングチャートと同様である。具体的には、図２５の第２期間ＲＥＰでは、全てのセル内にプライミング放電を発生させるために維持放電電極Ｘに印加する電圧を、中間電位Ｖｘｍから最高電位Ｖｘｈへ急峻に遷移させる（パルスＰ３Ｐの立ち上がりを参照）のに対して、実施の形態５に係る駆動方法では駆動装置９１が維持放電電極Ｘの電位を漸増することによって上記電位の遷移を行う（パルスＰ３Ｐに変わるパルスＰ３の立ち上がりを参照）。これにより、隣接する維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増する。なお、図１５にはパルスＰ３が直線的に漸増する場合（いわゆるランプ波形）を図示しているが、パルスＰ３として曲線的に漸増するパルスを用いることも可能である。
【０１８３】
このような駆動方法によれば、維持放電電極Ｘの電位が最高電位Ｖｘｈへ到達する途中のあるタイミングで放電空間５１Ｓ内の電界強度が放電開始に必要なレベルに達し、放電ギャップ部ＤＧ近傍で維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電５０が開始する。放電が開始すると放電空間５１Ｓ内に荷電粒子による放電電流が流れるので、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧とは逆向きの電界が生じるようにカソード膜１１の露出表面１１Ｓ上の放電ギャップ部ＤＧ近傍に電荷が蓄えられる（壁電荷の蓄積）。
【０１８４】
特に、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増するペースを充分に遅くすることによって、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差の漸増ペースよりも壁電荷が蓄えられるペースの方を速くすることができる。この場合、維持放電電極Ｘ，Ｙ間への印加電圧及び壁電荷による両電界の相殺作用によって、放電が開始するや否や放電空間５１Ｓ内の電界が放電を持続するのに必要なレベル以下になり、放電ギャップ部ＤＧ近傍で発生した維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電５０が第１方向Ｄ１に充分に広がる前に、一旦停止する。引き続き維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増していき放電空間５１Ｓ内の電界が放電開始に必要なレベルに達すると、再び面放電５０が始まる。しかし、再度の面放電５０も上述のメカニズムによって充分には広がらない。なお、この現象は、例えば特開平９−２３７５８０号公報に開示される、放電不活性膜を有さない面放電ＡＣ型ＰＤＰにおいても同様である。
【０１８５】
従って、リセット期間ＲＥにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差を漸増することによって、プライミング放電としての面放電５０が放電不活性膜２１の露出表面２１Ｓに及ぶ（届く）のを抑制することができる。これにより、放電不活性膜２１にプライミング放電を通じて確率的に壁電荷が蓄えられるのを防止することができるので、後続の第３期間ＲＥ３を通じた壁電荷の初期化が安定化する。その結果、書込み期間ＡＤでのセル選択性が確保され、選択された放電セルＣ内に放電維持期間ＳＵにおいて確実に維持放電を発生させることができる。
【０１８６】
さて、前面基板５３Ｆ，５４Ｆが適用されたＰＤＰ５１（図４〜図８参照）において、架橋部ｃの維持放電電極の伸長方向（すなわち第２方向Ｄ２）の幅を充分に細くすることによっても、既述のメカニズムの通りに、リセット期間ＲＥにおいて放電ギャップ隣接部ａ，ｄで発したプライミング放電（面放電）を放電ギャップ隣接部ａ，ｄの範囲内又は架橋部ｃの途中までに局在化することができる。なお、この現象に関しては、例えば特開平９−２３７５８０号公報やProceedings of the 5th International Display Workshops(IDW'98), pp.531-534において、放電不活性膜を有さない面放電ＡＣ型ＰＤＰに関して説明されている。
【０１８７】
従って、前面基板５３Ｆ，５４Ｆ（図４〜図８参照）の放電不活性膜２２のパターンを平面視において放電ギャップ隣接部ａ，ｄを被覆しないように配置し、更に好ましくは放電ギャップ隣接部ａ，ｄから充分に離すことによって、リセット期間ＲＥにおいて維持放電電極間に生じるプライミング放電（面放電）が、放電不活性膜２２の露出表面２２Ｓに及ぶ（届く）のを抑制することができる。なお、上述のように、このような前面基板５３Ｆ，５４Ｆを備えたＰＤＰ５１と図１５の駆動方法とを組み合わせて良い。
【０１８８】
更に、隣接する表示ラインで１本の維持放電電極を共有する構造に放電不活性膜を適用したＰＤＰにおいても、上述の駆動方法及び構造によって放電不活性膜の露出表面にまでプライミング放電が及ぶのを抑制することは可能であり、同様の効果が得られる。なお、隣接する表示ラインで１本の維持放電電極を共有する構造に放電不活性膜を適用した上述のＰＤＰには、例えば図３の前面基板５２Ｆや図９〜図１２の前面基板５５Ｆ，５６Ｆを備えたＰＤＰ５１、及び、例えば特開２０００−３９８６６号公報や特開２００１−１４７６６０号公報に開示されるＰＤＰが含まれる。また、これらのＰＤＰを、例えば上記特開２０００−３９８６６号公報や上記特開２００１−１４７６６０号公報に開示される駆動シーケンスにおいてリセット期間に相当する期間を例えば図１５のリセット期間ＲＥに変えたシーケンスで駆動することにより、放電不活性膜にまでプライミング放電が届かないようにすることができる。その結果、書込み期間で選択された放電セル内に放電維持期間で確実に維持放電を発生させることができる。また、特開２００１−１５０３４号公報の図８及び図１０に開示される駆動シーケンスや、Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)のpp.869-872のFig.4及びFig.5に開示される駆動シーケンスや、同pp.1757-1758のFig.3及びFig.4に開示される駆動シーケンスは維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧を漸増することによりプライミング放電を発生させるので、これらの駆動シーケンスを適用することによっても同様の効果が得られる。
【０１８９】
＜実施の形態１〜５に共通の変形例＞
例えば上述の前面基板５１ではカソード膜１１上に放電不活性膜２１を配置しているが、カソード膜及び放電不活性膜を図１６及び図１７の断面図に示す前面基板５９Ｆ，６０Ｆのように配置しても良い。
【０１９０】
詳細には、図１６の前面基板５９Ｆでは誘電体層３、放電不活性膜２５及びカソード膜１５がこの順序で配置されている。そして、放電不活性膜２５は、既述のカソード膜１１（図２参照）と同様に、維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って誘電体層３上に全面的に形成されている。また、カソード膜１５は、既述の放電不活性膜２１（図２参照）と同様に、複数の帯状パターンから成る。但し、前面基板５９Ｆの平面視において放電不活性膜２５及びカソード膜１５の両露出表面２５Ｓ，１５Ｓが、既述の放電不活性膜２１及びカソード膜１１の両露出表面２１Ｓ，１１Ｓと同様に配置されるように、カソード膜１５はパターニングされている。
【０１９１】
また、図１７の前面基板６０Ｆでは誘電体層３上に放電不活性膜２６及びカソード膜１６の双方が配置されている。そして、前面基板６０Ｆの平面視において放電不活性膜２６及びカソード膜１６の両露出表面２６Ｓ，１６Ｓが、既述の放電不活性膜２１及びカソード膜１１の両露出表面２１Ｓ，１１Ｓと同様に配置されるように、放電不活性膜２６及びカソード膜１６はパターニングされている。
【０１９２】
カソード膜１５と放電不活性膜２５との配置関係及びカソード膜１６と放電不活性膜２６との配置関係は、既述の他の前面基板５２Ｆ等にも適用可能であることは言うまでもない。
【０１９３】
また、ＰＤＰ５１ではバリアリブ７は背面基板５１Ｒ上に設けられているが、バリアリブ７を前面基板５１Ｆ上にカソード膜よりも先に形成されるように配置しても構わない。また、ＰＤＰ５１ではバリアリブ７は第１方向Ｄ１に伸長する帯状のパターンで設けられているが、表示ラインＬ間に対応する位置で第２方向Ｄ２に伸長する成分が加わった格子状のパターンで設けても構わない。
【０１９４】
また、ＰＤＰ５１では前面基板５１Ｆ側のみならず背面基板５１Ｒ側からも表示光を取り出すことは可能である。
【０１９５】
また、プラズマディスプレイ装置１０１ではアドレス期間ＡＤにおいて維持放電電極Ｙを、従って表示ラインＬを順次選択（走査）する場合を述べたが、アドレス電極Ｗを走査電極として駆動することも可能である。
【０１９６】
＜実施の形態６＞
図１８に実施の形態６に係る第１の前面基板６１Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図（レイアウト図）を示す。前面基板６１Ｆは既述の図７に示す前面基板５４Ｆの維持放電電極ＸＣ，ＹＣを維持放電電極ＸＦ，ＹＦに変えた構造を有しており、前面基板６１Ｆのその他の構造は基本的に前面基板５４Ｆと同様である。前面基板６１Ｆの維持放電電極ＸＦ，ＹＦは、前面基板５４Ｆと同様の母線部ｂ及び架橋部ｃと、放電ギャップ隣接部ｅとを含んでいる。
【０１９７】
放電ギャップ隣接部ｅは、平面視において、当該放電ギャップ隣接部ｅが接する放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、バリアリブ７の隣接する帯状パターン（ないしは第１成分）によって規定される領域において第２方向Ｄ２に関する中心部（中央部）よりも当該バリアリブ７の帯状パターンに近い部位で広くなるような形状を有している。すなわち、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１の寸法が上述のようになるように、放電ギャップ隣接部ｅの放電ギャップ部ＤＧ側のアウトライン（又はパターンエッジ）が設計されている。具体的には、図１８の前面基板６１Ｆにおいて放電ギャップ隣接部ｅは、第２方向Ｄ２に沿って隣接する複数の放電ギャップ隣接部（複数の放電ギャップ隣接部ａに対応するが、平面視上台形をしている）が互いに接して一体化したパターンを有している（第２方向Ｄ２に沿って隣接する複数の架橋部ｃに跨って連続したパターンを有している）。なお、図１８の前面基板６１Ｆでは放電ギャップ隣接部ｅの母線部ｂ側のアウトライン（又はパターンエッジ）は直線的に形成されている。
【０１９８】
図１８の形状の放電ギャップ隣接部ｅによれば、放電ギャップ部ＤＧを挟む維持放電電極ＸＦ，ＹＦ間に電圧が印加された時に放電ギャップ部ＤＧ上方の放電空間に形成される電界強度をバリアリブ７に近い部分よりバリアリブ７から離れた上記中央部において強いものとすることができる。これによって、維持放電電極ＸＦ，ＹＦ間の面放電は上記中央部を起点として広がるようにすることができる。従って、バリアリブ７に近い部分が上記面放電の起点となることが殆ど無くなるので、プラズマ中の荷電粒子がバリアリブ７もしくはバリアリブ７の側壁面を被覆している蛍光体８に衝突してエネルギーを損失するに至るまでのプラズマのエネルギーを大きくすることができる。しかも、バリアリブ７に近い部分では放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が広くなることで、実際に維持放電を起こしている維持放電電極部分の面積に比してプラズマの広がり領域を大きなものにすることができる。これらの理由により、維持放電電流と対比してプラズマから発せられる紫外線量を増やすことができるので、発光効率が向上するという効果が得られる。
【０１９９】
図１８の前面基板６１Ｆの放電ギャップ隣接部ｅは図７の放電ギャップ隣接部ｄの放電ギャップ部ＤＧに面した側のアウトラインだけを変えたものにあたるが、図１９に示す実施の形態６に係る第２の前面基板６２Ｆのように放電ギャップＤＧと反対側の（つまり母線部ｂ側の）アウトラインも同時にバリアリブ７に近い部分で変えることは自在である。図１９の前面基板６２Ｆでは、平面視上、放電ギャップ隣接部ｅの第１方向Ｄ１に沿った寸法は、バリアリブ７に近い部分においても、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部においても同じものとしている。従って、図１８の前面基板６１Ｆよりも維持放電電流が大きくなるので、輝度が向上する。
【０２００】
また、図２０に示す実施の形態６に係る第３の前面基板６３Ｆのように、単位当り（１つの放電セル当たり又はバリアリブ７の隣接する２つの帯状パターンで規定される１つの領域当たり）の放電空間５１Ｓ内における放電ギャップ隣接部ｅを、放電ギャップ部ＤＧに向かって突き出すアーチ形状としても、同様の効果が得られる。
【０２０１】
ところで、図１８〜図２０のように、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部に比べて、バリアリブ７に近い部分で広くなるようにした例が、特開２００１−１６０３６１号公報の図１１〜図１５や、Society for Information Displayの２００１年国際シンポジウム会議（SID 01）DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1に開示されている。
【０２０２】
しかし、特開２００１−１６０３６１号公報においては、母線部（基部）においても維持放電が行なわれている。この場合、互いに隣接する表示ラインの境界に面する母線（ないしは隣接する表示ライン間に在る２つの母線）の間隔を相当に広いものとしなければ、互いの表示ラインにおける面放電が干渉して誤放電が起こり易くなるという問題がある。ところが、母線間の上記間隔を広くすると、遮光質の母線がセルの発光中心に近付くことになるので、発光効率が低くなる。また、母線部で放電を起こしても、遮光質なので、放電による電力消費が増える割に輝度は増えないことになり、発光効率は更に低いものとなる。
【０２０３】
これに対して、本発明に係る図１８〜図２０の前面基板６１Ｆ，６２Ｆ，６３Ｆでは、既述の実施の形態１，２に準じた放電不活性膜２２を母線部ｂに対して形成するので、母線部ｂで放電を起こさないようにすることができる。従って、上記の誤放電の問題に配慮する必要がなくなるので、隣接する表示ラインＬの境界に面する母線部ｂの間隔を狭くすることができる。これにより発光効率が向上するという効果が得られる。
【０２０４】
また、特開２００１−１６０３６１号公報に開示される維持放電電極Ｘ，Ｙは放電ギャップ隣接部を含め全体が透明電極を含まず、金属電極のみから成るので、放電ギャップ隣接部によって蛍光体からの発光が遮られてしまう。これに対して、実施の形態６及び後述の実施の形態７では放電ギャップ隣接部を透明電極（透明部）で構成することによって当該放電ギャップ隣接部が蛍光体からの発光を遮らないようにすることができるので、発光効率をより高めることができる。
【０２０５】
一方、SID 01 DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1の構造では、バリアリブをメアンダ状のパターンにし、バス電極もメアンダ状のパターンとし、母線部であるバス電極を、メアンダ状リブによって縊れている放電ガス空間の部分に一部存在するのを除いては、バリアリブとオーバーラップさせることによって、母線部で放電が起こらないようにしている。しかし、一般にバリアリブのパターン幅は、放電空間をなるべく広く取って高い輝度が得られるよう、加工精度の限界（大面積ディスプレイなら５０μｍ程度）まで細くするのが普通である。従って、バス電極のパターン幅も５０μｍ程度以下とする必要があるが、それにより導抵抗が高くなりバス電極に電流が流れる時の電圧降下や電力損失が大きくなるという問題や、バス電極パターン形成時のパターン断線が起こり易くなるという問題を伴う。また、メアンダ状バリアリブパターンとメアンダ状バス電極パターンとの位置合わせが上記SID 01 DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1の状態から少しでもずれると、放電の起こり易い広い放電空間にバス電極の一部が面するようになる。しかも、放電が行なわれるアーチ状透明電極とバス電極との結合部分が、上記広い放電空間に面するようになるので、当該結合部分に近接するバス電極の部分にまで放電が広がるのを抑えるのが困難になる。このため、上記の僅かのずれによってもセルの発光効率は低くなり、セルの放電電流も少なからず変化するという問題がある。実際には、大面積のプラズマディスプレイパネルの表示領域の全域に渡って、メアンダ状バリアリブパターンとメアンダ状バス電極とのずれを性能上無視できるほどのレベルにするのは非常に困難であるため、パネルの発光効率を最大化することも、セルの放電・発光特性の面内均一性を良好にすることも難しいと考えられる。
【０２０６】
これに対して、本発明に係る図１８〜図２０では、放電不活性膜２２がバス電極２を含む母線部ｂを被覆している。たとえ放電不活性膜２２のパターンの形成位置ずれ等の要因から母線部ｂの一部が放電不活性膜２２から少しはみ出たとしても、放電ギャップ隣接部ｅと母線部ｂとは第１方向Ｄ１に関して距離を隔てているので、放電ギャップ隣接部ｅで始まった維持放電が当該母線部ｂにまで及ばないようにすることができる。換言すれば、本発明に係る図１８〜図２０の構造では、維持放電が開始される放電ギャップ隣接部ｅと電流が流れる幹線である母線部ｂとを離間して配置することによって（架橋部ｃを介して配置することによって）、母線部ｂに維持放電が及び難いような構造としている。このため、大面積化に有利である。
【０２０７】
ところで、図１８〜図２０において、架橋部ｃとバリアリブ７との第２方向Ｄ２に関する位置ずれが大きくなると、架橋部ｃがバリアリブ７からはみ出して放電空間５１Ｓに面する部分が大きくなって、架橋部ｃにも維持放電が及ぶ場合がある。このとき更に例えば放電不活性膜２２も大きく位置ずれして母線部が放電不活性膜２２からはみ出ると、放電ギャップ隣接部ｅ→架橋部ｃ→母線部ｂへと維持放電が飛び火していく可能性がある。これを抑えるには、実施の形態２の図４の構造で説明したように架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅を充分に小さくすることによって、架橋部ｃにおける放電を母線部ｂへ飛び火しない程度に充分に弱くするか実質ゼロにすればよい。すなわち、架橋部ｃを被覆している誘電体層３及びカソード膜１１を介して放電空間５１Ｓに及ぼす電界強度を相応に弱くすれば良く、それに適した架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は、当該架橋部ｃを被覆している誘電体層３及びカソード膜１１の被覆厚さ（第３方向Ｄ３の寸法）の最大で略２倍以下、好ましくは略１倍以下と言える。このような架橋部ｃを有するＰＤＰによれば、架橋部ｃでの放電を抑えられるので、バリアリブ７と架橋部ｃとの位置合わせ精度への要求が緩和される。このため、大面積化に有利である。通常、誘電体層３の維持放電電極上の被覆厚さは、絶縁耐力の確保と放電開始電圧の抑制との事由から２５〜５０μｍの範囲であり、一方カソード膜４のそれはせいぜい１μｍレベルである。従って、架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は略５０μｍ以下にすることが求められる。このような細いパターン幅では、架橋部ｃのパターン形成時において断線が発生しやすくなるが、本発明に係る図１８〜図２０の構造によれば放電ギャップ隣接部ｅが複数の架橋部ｃに跨って連続したパターンとなっているので、１個の架橋部ｃが断線しても他の架橋部ｃが断線していなければ、断線した架橋部ｃに近接する放電ギャップ隣接部ｅへの給電は充分に可能である。このため、高い製造歩留を得るのに有利である。また、架橋部ｃは母線部ｂに比べると流れる最大電流が極めて少ないので、架橋部ｃを金属電極より導電性が桁違いに低い透明電極で構成した場合であっても、パターン幅を細くすることに伴って架橋部ｃにおける導電性が低下することが、性能上問題になることは殆ど無い。従って、架橋部ｃを上記のように細くすることは、本発明に係る図１８〜図２０では実用可能なことである。なお、上記のことは、図６，図７，図１０，図１１においても放電ギャップ隣接部ｄが複数の架橋部に跨って連続したパターンとなっているので同様である。一方、図４，図８，図９，図１２では、放電ギャップ隣接部ａは架橋部ｃの１個単位で分断されたパターンとなっているので、架橋部ｃが断線するとそれに近接する（接続した）放電ギャップ隣接部ａへの給電はできなくなる。しかし、この場合の表示欠陥は点欠陥であり、電流を流す幹線であるバス電極２或いは母線部ｂが断線した場合の連続的線欠陥と比較すると、表示品位を著しく低下させるものではない。
【０２０８】
なお、図１８〜図２０では、図７の構造において、放電ギャップ隣接部ｄの形状を、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部に比べて、バリアリブ７に近い部分で広くなるように変形する例を示したが、これらと同じように、図４，図６，図９，図１０，図１１の放電ギャップ隣接部ａ又はｄの形状を変えても同様の効果が得られる。また、当実施の形態６に係る放電ギャップ隣接部ｅを、既述の実施の形態３，５或いはそれらの共通の変形例に適用しても同様の効果が得られる。
【０２０９】
なお、特開平１０−２３３１７１号公報に開示されるＰＤＰはバス電極（母線部ｂに相当）、接続部（架橋部ｃに相当）及び放電ギャップ隣接部ａ又はｄに相当の部分を有する電極を含んでいる。そして、当該公報には、上記接続部がバリアリブ（データ線（アドレス電極６に相当）間に当該データ線に平行に設けられる）に対向して設けられる場合及びセルの中心線上に設けられる場合が述べられているが、バリアリブがバス電極（母線部）に対向する構造、すなわちバリアリブが第２方向Ｄ２に相当の方向の成分を有する構造には言及されていない。また、この公報には上記接続部の幅は１０〜８０μｍ（好ましくは４０μｍ程度）であること、及び、誘電体層の被覆厚さは約２５μｍであることが、開示されている。また、当該公報には隣接する電極が互いに接続された構造が開示されている。更に、当該公報に開示されるこれらのＰＤＰでは上記バス電極上に絶縁体層を設けることによって母線部で放電が発生しないようにしている。しかしながら、この絶縁体層はＭｇＯで被覆され放電空間には直接晒されないので、本願発明に係る放電不活性膜とは異なる。また、当該絶縁体層は上記バス電極を被覆する誘電体層の一部又は全部をポーラス状にしたものと考えられ、バリアリブであるとも言えない。
【０２１０】
また、Proceedings of The 7th International Display Workshops (IDW'00) pp.623-626のFig.2には架橋部の幅を４０μｍとする構造が示されているが、母線部（バス電極）で放電が起こらないようにするためのバリアリブの第２成分や放電不活性膜は設けられていない。
【０２１１】
＜実施の形態７＞
上述の実施の形態１〜６では放電不活性膜２２で母線部ｂ或いはバス電極２を被覆することによって維持放電が母線部ｂに波及しないようにしたが、ＰＤＰにおいて、放電不活性膜２２を用いる代りに、バリアリブ７を格子状或いはワッフル状のパターンに変形しても同様の効果が得られる。図２１の平面図に示すＰＤＰのように、格子状のパターンを有するバリアリブ７Ｂは、ＰＤＰの平面視において、第１方向Ｄ１に伸長する複数の第１成分７Ｂ１（既述のバリアリブ７の複数の帯状パターンに相当）と、第２方向Ｄ２に伸長して第３方向Ｄ３において母線部ｂの対面に位置する複数の第２成分７Ｂ２と、を含んでいる。なお、図面の煩雑化を避けるため図２１にはバリアリブ７Ｂ、母線部ｂ（破線で模式的に示す）及び表示ラインＬのみを図示している。この場合、放電空間をなるべく広く取って高い輝度が得られるよう、バリアリブ７Ｂの第２成分７Ｂ２は、放電セルの第１方向Ｄ１に関する中心に向く側のパターンエッジをなるべく放電セルの中心から離れた位置に置くのが望ましい。但し、そのような場合では、母線部ｂとバリアリブ７Ｂとの第１方向Ｄ１に関する位置合わせが少しでもずれると、母線部ｂが、放電セルの中心を取り巻く放電空間に面するようになるので、実施の形態６で言及したように架橋部ｃの第２方向Ｄ２に関するパターン幅を細くして架橋部ｃに維持放電が波及しないようにすることにより母線部ｂに維持放電が波及するのを抑制するのが望ましい。なお、図２１には隣接する表示ラインＬ間に２つの母線部ｂが在る場合を図示しているが、例えば図９の構造のように隣接する表示ラインＬ間に母線部ｂが１つの場合にもバリアリブ７Ｂは適用可能である。また、図２１ではバリアリブ７Ｂの各第２成分７Ｂ２は隣接する表示ラインＬ間の２つの母線部ｂに跨るように設けられているが、該２つの母線部ｂのそれぞれに第２成分７Ｂ２を設けても良い（図２２のワッフル状パターンを有するバリアリブ７Ｃを参照）。
【０２１２】
図２１の格子状のバリアリブ７Ｂ及び図１８〜図２０の維持放電電極ＸＦ，ＹＦを備えたＰＤＰ５１によれば、放電ギャップ部ＤＧの上方の放電空間に形成される電界強度は、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分よりも当該第１成分７Ｂ１から離れた放電セルの中央部において強いものとすることができる。これによって、維持放電電極ＸＦ，ＹＦによる面放電は、当該中央部を起点として広がるようになり、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分が起点となることが殆ど無くなるので、プラズマのエネルギーが損失する割合が減る。しかも、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分では、実際に面放電を起こしている維持放電電極ＸＦ，ＹＦの面積に比してプラズマの広がり領域を大きなものにすることができるので、発光効率が向上する。また、隣接する表示ラインＬ間で互いの母線部ｂを近付けてもバリアリブ７Ｂの第２成分７Ｂ２により母線部ｂでの放電が抑制されて誤放電が発生しないようにできるので、発光効率向上が可能である。かかる効果はバリアリブ７Ｂに変えて図２２のワッフル状パターンを有するバリアリブ７Ｃを備えたＰＤＰ５１についても同様である。
【０２１３】
なお、第２方向Ｄ２に伸長する成分を有するバリアリブによって母線部（バス電極）で放電が起こらないようにした事例として、特開２０００−３９８６６号公報の図１２、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops（Asia Display / IDW'01），pp869-872のFig.1もしくはpp1757-1758のFig.1などが挙げられる。しかし、これらの事例では、架橋部ｃに相当する部分が存在しないか、架橋部ｃでの放電を抑えることは意図していないかのいずれかである。このため、母線部とバリアリブとの第１方向Ｄ１に関する位置合わせが少しでもずれて、母線部が放電セルの中心を取り巻く放電空間に面すると、母線部での放電を抑制するのが困難であるという点で、当実施の形態７とは異なる。
【０２１４】
＜実施の形態１〜７に関して＞
実施の形態１〜７のように、放電ギャップ部ＤＧから第１方向Ｄ１に関して最遠方に位置する、維持放電電極Ｘ，Ｙ等（以下の説明では維持放電電極Ｘ，Ｙで代表する）を構成する母線部ｂ或いはバス電極２の部位で放電が起こらないようにすることによって、書込み期間（アドレス期間）ＡＤにおける維持放電電極Ｘ，Ｙ間の選択的書込み放電（アドレス放電）の発生が容易になるという効果がある。なぜなら、書込み放電は、先ずＯＮ電圧が入力されたアドレス電極Ｗと選択走査中の維持放電電極Ｙとの間で対向放電が発生し、当該電極Ｗ，Ｙ間の対向放電をトリガーとして当該放電セルにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電が発生することにより成立するので、放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が発生した方が、放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電が発生し易いからである。すなわち、実施の形態１〜７では、放電ギャップ部ＤＧから第１方向Ｄ１に関して最遠方に位置する、維持放電電極Ｘ，Ｙを構成する母線部ｂ或いはバス電極２の部位で放電が起こらないようにしているので、書込み期間ＡＤにおける電極Ｗ，Ｙ間の対向放電も、上記部位ではなく、上記部位よりも放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で発生するからである。
【０２１５】
一般に電極Ｗ，Ｙ間の対向放電はアドレス電極Ｗを陽極として且つ維持放電電極Ｙを陰極として成立っており、このとき電極Ｗ，Ｙ間に作用する電界の第１方向Ｄ１に関する強度は放電ギャップ部ＤＧに近い側では電極Ｙに対して正極性の電圧が印加されている電極Ｘの影響で一部相殺されてしまう。従って、放電ギャップ部ＤＧから遠い方が、電極Ｗ，Ｙ間に作用する電界強度は大きい。しかも、バス電極２は電流の流れる幹線としての機能を担うため導抵抗を相応に低く抑える必要があることからその厚さ（第３方向Ｄ３の寸法）は数μｍから１０μｍのレベルであり、厚さがサブμｍレベルの透明電極１だけで構成される透明部に比べるとバス電極２上の誘電体層３の被覆厚さは小さいので、放電空間５１Ｓにおける電界はより強いものとなる。このため、バス電極２を放電ギャップ部ＤＧから最遠方に位置させて維持放電電極Ｘ，Ｙが構成される一般的なセル構造においては、書込み期間ＡＤでの電極Ｗ，Ｙ間の対向放電は、バス電極２の付近で放電が起こり難いくくなるような処置を施さない限りは、放電ギャップ部ＤＧから最遠方の部位で発生するので、放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする維持放電電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電を誘発し難くなる。
【０２１６】
これに対して実施の形態１〜７、既述の公知事例である特開２０００−３９８６６号公報の図１２、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、特開２００１−１７６４００号公報、及び、Proceedings of Asia Display / IDW'01，pp869-872のFig.１もしくはpp1757-1758のFig.１の構造によれば、放電ギャップＤＧから最遠方に位置するバス電極２を含む母線部ｂでの放電は、放電不活性膜或いはバリアリブの第２方向Ｄ２に伸長する成分を当該母線部ｂに対面する位置に設けることによって抑えられる。このため、放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で電極Ｗ，Ｙ間の対向放電を発生させることができ、これにより放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電をより誘発し易くなるので、書込み（アドレス動作）の応答性が改善される。また、発光効率を向上させる目的で放電空間５１Ｓに充填する放電ガスの圧力やＸｅ濃度を増やすと書込みの応答性が低下する場合があるが、このような場合の対処として当該構造は有効である。
【０２１７】
なお、実施の形態２，６，７、実施の形態２の変形例、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、及び、特開２００１−１７６４００号公報の構造では、放電ギャップ隣接部ａ，ｄ，ｅよりも第２方向Ｄ２に関する寸法が小さい架橋部ｃを設けることによって、母線部ｂの部分を除く維持放電電極Ｘ，Ｙの中で放電ギャップＤＧの近傍に位置する部分の割合が、他の事例よりも大きい。このため、電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が、放電ギャップ部ＤＧにより近い部位で発生する可能性が高まるので、書込みの応答性はより良いものとなる。
【０２１８】
この内、実施の形態２，６や特開２００１−１７６４００号公報の構造では、放電不活性膜２２を母線部ｂに設けているので、バリアリブ７は第２方向Ｄ２に伸長する成分を持たなくとも母線部ｂでの放電発生を抑えることができる。このため、放電空間５１Ｓを第１方向Ｄ１に連続した（延在する）空間とすることができるので、放電開始のための補助となる放電空間中のプライミング粒子が、放電セル１個の範囲を越えて拡散して行き、放電セルで放電が発生するのを補助できるので、更に書込みの応答性が良くなる。
【０２１９】
また、実施の形態２，６，７で説明したように架橋部ｃのパターン幅を充分に細くしたり、図７，図１１，図１２のように架橋部ｃを第１方向Ｄ１に伸長するバリアリブ７の対面に設けることによって、架橋部ｃにおける放電を起こり難くすれば、書込み期間ＡＤにおける電極Ｗ，Ｙ間の対向放電は専ら放電ギャップ隣接部ａ，ｄ，ｅで発生することになる。すなわち、本発明の構造によれば、架橋部ｃで電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が発生する可能性のある特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、特開２００１−１７６４００号公報の構造よりも、書込みの応答性は良くなる。
【０２２０】
なお、以上の説明では、画像信号に基づいて維持放電が発生するべき放電セルに対して、放電維持期間に先立つアドレス期間において必要な壁電荷を付与するという書込みアドレス方式の場合を述べたが、予め全ての放電セルに維持放電が開始可能な壁電荷を付与しておき、続くアドレス期間において画像信号に基づいて選択的に壁電荷を消去するための放電を起こすことにより、後続の放電維持期間に備えるという消去アドレス方式の場合にも、上記選択的消去放電の応答性を良くすることができる。
【０２２１】
＜応用例＞
以上で説明した例えば放電不活性膜２１等、維持放電電極Ｘ，Ｙ等、及び、バリアリブ７等を種々に組み合わせる（形状、寸法、配置形態、材料、製造方法を含む）ことにより数多くの応用例が考えられることは言うまでもない。
【０２２２】
また、例えば図１，２，４，６〜８，１３，１４，１６〜２０では維持放電電極Ｘ，Ｙの第１方向Ｄ１の配列を…Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，…としているが、これを…Ｘ，Ｙ，Ｙ，Ｘ，Ｘ，Ｙ，Ｙ，Ｘ…に変えても構わない。後者の配列によれば、隣接維持放電電極対ギャップ部ＮＧを挟んで隣接する維持放電電極がＸ同士又はＹ同士になるので、Ｘ電極群とＹ電極群との間の静電容量が相対的に小さくなる。これにより、両電極群の間にＡＣ電圧が印加される放電維持期間ＳＵにおいて、上記容量成分による電力消費を小さくすることができるという効果が得られる。
【０２２３】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成るので、放電不活性膜をカソード膜と固着しないように配置することができる。これにより、第１電極間に形成する維持放電に必要な最小維持パルス電圧が大幅に増大しないプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を提供することができる。更に、放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成るので、放電不活性膜とバリアリブとの接触部分に作用する押圧が均等化され、ピンポイント的な押圧が作用するのを緩和することができる。このため、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰでは、バリアリブの折損による画素欠陥の発生を防止することができる。なお、当該放電不活性膜はスクリーン印刷法で安価に形成することができ又自然剥がれを起こすことなく、上述の効果を奏する。
【０２２４】
請求項２に係る発明によれば、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2とＳｉＯ2はカソード膜に一般的に使用されるＭｇＯに比して２次電子放出特性が低いので、放電不活性膜を確実に提供することができる。
【０２２５】
請求項３に係る発明によれば、可視光透過性の高い（透明度な）放電不活性膜を形成することができるので、発光効率の高いＰＤＰを提供することができる。
【０２２６】
請求項４に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても下地のカソード膜の表面が微視的にも露出しないようすることができる。従って、放電不活性膜上で放電が発生するのを防止して放電不活性膜の作用を確実に発揮させることができる。
【０２２７】
請求項５に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰにおいてカソード膜とバリアリブとの間の隙間を充分小さくすることができる。これにより、バリアリブを介して隣接する放電空間内ないしは放電セル内の放電が互いに干渉するのが抑制され、放電セルの選択性を確保可能なＰＤＰを提供することができる。
【０２３４】
請求項６に係る発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれかのＰＤＰ用基板に起因した効果が得られる。
【０２３６】
請求項７に係る発明によれば、バリアリブが細く及び／又は高くなってｈ／ｗ≧２という関係になっても、請求項１の放電不活性膜によってバリアリブの折損が抑制される。このため、バリアリブの折損による画素欠陥の発生を低減することができる。更に、バリアリブを細く及び／又は高く形成可能なので、放電空間を広げて輝度及び発光効率を向上させることができる。
【０２３７】
請求項８に係る発明によれば、格子状のバリアリブよりも製造方法の選択の自由度が高く又製造時の不具合も少ない。また、プラズマ粒子がバリアリブ上の蛍光体に衝突してエネルギーを損失する割合は格子状バリアリブよりもストライプ状バリアリブの方が小さいので、より高い発光効率が得られる。
【０２４９】
請求項９に係る発明によれば、ある架橋部で断線が生じても、それに近接する放電ギャップ隣接部への給電は、他の断線していない架橋部を通じて可能となるので、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０２５０】
請求項１０に係る発明によれば、ある架橋部で断線が生じても、それに近接する放電ギャップ隣接部への給電は、他の断線していない架橋部を通じて可能となるので、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０２５３】
請求項１１に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰにおいてカソード膜とバリアリブとの間の隙間を充分小さくすることができる。これにより、バリアリブを介して隣接する放電空間内ないしは放電セル内の放電が互いに干渉するのが抑制される。従って、放電ギャップ隣接部が第２方向に沿って隣接する複数の架橋部に跨って連続するパターンを形成していても、放電セルの選択性を確保可能なＰＤＰを提供することができる。
【０２５４】
請求項１２に係る発明によれば、放電ギャップから近い部位で第１電極と第２電極との間の対向放電が起こるので、放電ギャップ近傍が起点となる第１電極によるアドレス面放電（書込み面放電）を誘発し易くなる。このため、アドレス動作（書込み動作）の応答性が良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係るプラズマディスプレイ装置を説明するためのブロック図である。
【図２】 実施の形態１に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図３】 実施の形態１に係る第２の前面基板を説明するための平面図である。
【図４】 実施の形態２に係る第１の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図５】 実施の形態２に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図６】 実施の形態２に係る第２の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図７】 実施の形態２に係る第２の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図８】 実施の形態２に係る第１の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図９】 実施の形態２に係る第３の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１０】 実施の形態２に係る第４の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１１】 実施の形態２に係る第４の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１２】 実施の形態２に係る第３の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１３】 実施の形態３に係る前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１４】 実施の形態４に係る前面基板を説明するための平面図である。
【図１５】 実施の形態５に係るＰＤＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１６】 実施の形態１〜５に共通の変形例に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図１７】 実施の形態１〜５に共通の変形例に係る第２の前面基板を説明するための断面図である。
【図１８】 実施の形態６に係る第１の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１９】 実施の形態６に係る第２の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図２０】 実施の形態６に係る第３の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図２１】 実施の形態７に係るバリアリブを説明するための平面図である。
【図２２】 実施の形態７に係る第２のバリアリブを説明するための平面図である。
【図２３】 放電不活性膜を備えるＰＤＰを説明するための斜視図である。
【図２４】 表示画面のサブフィールド分割を説明するための図である。
【図２５】 従来のＰＤＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ 透明電極、２，２Ａ バス電極、３ 誘電体層、５ 前面ガラス基板、６，Ｗ，Ｗ１〜Ｗｍ アドレス電極（第２電極）、７，７Ｂ，７Ｃ バリアリブ、７Ｂ１ 第１成分、７Ｂ２ 第２成分、１１，１５，１６ カソード膜、１１Ｓ，１５Ｓ，１６Ｓ，２１Ｓ〜２６Ｓ 露出表面、２１〜２６ 放電不活性膜、５０ 面放電、５１ プラズマディスプレイパネル、５１Ｆ〜６３Ｆ 前面基板（ＰＤＰ用基板，第１基板）、５１Ｒ 背面基板（第２基板）、９１ 駆動装置、１０１ プラズマディスプレイ装置、ＡＤ 書込み期間（アドレス期間）、Ｃ 放電セル、ＤＧ 放電ギャップ部、Ｌ 表示ライン、ＲＥ，ＲＥＰ リセット期間、ＳＩ 内向き表面、ＳＯ 外向き表面、Ｘ，Ｘ１〜Ｘｎ，ＸＡ〜ＸＦ，Ｙ，Ｙ１〜Ｙｎ，ＹＡ〜ＹＦ 維持放電電極（第１電極）、ａ，ｄ，ｅ 放電ギャップ隣接部、ｂ 母線部、ｃ 架橋部、ｔ 厚さ、ｈ 高さ、ｗ 平均パターン幅。
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」とも呼ぶ）用基板、ＰＤＰ及びプラズマディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２３に、特開平９−１０２２８０号公報に開示された、放電不活性膜を備えるＰＤＰ５１Ｐを説明するための斜視図を示す。図２３のＰＤＰ５１Ｐはいわゆる面放電型のＡＣ型ＰＤＰである。ＰＤＰ５１Ｐは、前面基板５１ＦＰと、背面基板５１Ｒと、両基板５１ＦＰ，５１Ｒ間に配置されたバリアリブ７及び蛍光体８とに大別される。
【０００３】
前面基板５１ＦＰは、前面ガラス基板５と、複数の維持放電電極Ｘ，Ｙと、誘電体層３と、カソード膜１１と、放電不活性膜２１Ｐとを含んでいる。詳細には、前面ガラス基板５の主面上に複数の維持放電電極Ｘ，Ｙが交互に第１方向Ｄ１に並んでおり、且つ、維持放電電極Ｘ，Ｙは第１方向Ｄ１に交差する（ここでは直交する）第２方向Ｄ２に伸長している。交互に並ぶ複数の維持放電電極Ｘ，Ｙは隣接する２本ずつが互いに対を成しており、対を成す２本の維持放電電極（以下「維持放電電極対」とも呼ぶ）Ｘ，Ｙは放電ギャップ部ＤＧを介して配置されている。なお、隣接する維持電極対Ｘ，Ｙ間の部分を「隣接維持放電電極対間ギャップ部（又は「電極対間ギャップ部」）ＮＧ」と呼ぶことにする。
【０００４】
対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙは第２方向Ｄ２に伸長する表示ラインＬを規定し、図２３では対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間にないしは放電ギャップ部ＤＧに１点鎖線で以て模式的に表示ラインＬを図示している。このとき、第２方向Ｄ２に伸長した各放電ギャップ部ＤＧは各表示ラインＬに対応する。
【０００５】
維持放電電極Ｘ，Ｙは透明電極１及びバス電極２から成る。具体的には、透明電極１は第２方向Ｄ２に伸長している。対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙの透明電極１は上記放電ギャップ部ＤＧを介して配置されている。各透明電極１上にはバス電極２が第２方向Ｄ２に沿って伸長しており、当該バス電極２は放電ギャップ部ＤＧから遠い側に配置されている。バス電極２は金属を主成分とし、透明電極１に電圧を供給する役割を果たす。なお、維持放電電極Ｘ，Ｙにおいて、透明電極１のうちでバス電極２が載っていない部分を「透明部」と呼び、透明電極１のうちでバス電極２が載っている部分すなわち透明部以外の部分を「金属電極部」と呼ぶことにする。
【０００６】
維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って前面ガラス基板５の主面上に誘電体層３及びカソード膜１１がこの順序で形成されている。なお、カソード膜１１はＭｇＯを蒸着することにより形成される。
【０００７】
更に、ＰＤＰ５１Ｐでは、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐが形成されている。具体的には、放電不活性膜２１Ｐは複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。放電不活性膜２１Ｐの各帯状パターンは、（前面基板５１ＦＰないしは前面ガラス基板５の主面の）平面視において、隣接する表示ラインＬ間に配置された２つのバス電極２（それぞれは隣接するが異なる維持放電電極対Ｘ，Ｙに属する）上及び当該２つのバス電極２間に配置されている。換言すれば、放電不活性膜２１Ｐの各帯状パターンは、上記平面視において、隣接するが対を成さない維持放電電極Ｘ，Ｙの両金属電極部上及び当該両金属電極部間の電極対間ギャップ部ＮＧ上に配置されている。
【０００８】
このように、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐが形成されているので、誘電体層３上方にはカソード膜１１の露出表面１１Ｓ及び放電不活性膜２１Ｐの露出表面２１ＳＰが配置されている。このとき、放電不活性膜２１Ｐの上述のパターンに起因して、カソード膜１１の露出表面１１Ｓは表示ラインＬに対応する領域に設けられている。
【０００９】
他方、背面基板５１Ｒは、背面ガラス基板９と、複数のアドレス電極６（又はＷ）と、オーバーグレーズ層１０とを含んでいる。詳細には、背面ガラス基板９の主面上に複数のアドレス電極６（又はＷ）が第２方向Ｄ２に並んでおり、第１方向Ｄ１に、従って維持放電電極Ｘ，Ｙと（立体）交差する方向に伸長している。アドレス電極６を覆って背面ガラス基板９の主面上にオーバーグレーズ層１０が形成されている。
【００１０】
更に、オーバーグレーズ層１０上にバリアリブ７が配置されている。具体的には、バリアリブ７は複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。バリアリブ７の各帯状パターンは、（背面基板５１Ｒないしは背面ガラス基板９の主面の）平面視において、隣接するアドレス電極６間に第１方向Ｄ１に沿って配置されている。そして、バリアリブ７とオーバーグレーズ層１０とが成す複数のＵ字型溝の内面上に蛍光体８が配置されている。なお、上記各Ｕ字型溝毎に赤，緑又は青を発する蛍光色８Ｒ，８Ｇ又は８Ｂが配置されている。
【００１１】
前面基板５１ＦＰと背面基板５１Ｒとは、バリアリブ７の頂部と放電不活性膜２１Ｐとを当接させて、第１及び第２方向Ｄ１，Ｄ２の双方に交差する（ここでは直交する）第３方向Ｄ３に重ねられており、周縁において封着されている。このとき、ＰＤＰ５１Ｐ内には主としてバリアリブ７で区画された、より具体的には蛍光体８とカソード膜１１と放電不活性膜２１とで囲まれた複数の放電空間５１Ｓが形成されている。そして、放電空間５１Ｓ内はＮｅ＋Ｘｅ等の混合ガスで満たされている。なお、放電空間５１Ｓはアドレス電極６に対面し、第１方向Ｄ１に伸長している。
【００１２】
ＰＤＰ５１Ｐでは、維持電極対Ｘ，Ｙとアドレス電極６（又はＷ）との各（立体）交差点ないしは放電空間５１Ｓと表示ラインＬとの各交差点が１個の放電セル（以下、単に「セル」とも呼ぶ）に対応する。つまり、各表示ラインＬ上に複数の放電セルが並んでおり、全体としてはマトリクス状に配列された複数の放電セルで以てＰＤＰ５１Ｐの表示領域が構成されている。
【００１３】
さて、放電不活性膜２１Ｐはカソード膜１１を成すＭｇＯよりも仕事関数の大きい材料、換言すればカソード膜１１よりも２次電子を放出し難い材料、例えばＡｌ2Ｏ3やＴｉＯ2等を主成分として含んでいる。このため、放電不活性膜２１Ｐの下方に維持放電電極Ｘ，Ｙが存在していても、放電不活性膜２１Ｐ上では放電が起こりにくい。一方、放電ギャップ部ＤＧ上方及び維持放電電極放電Ｘ，Ｙの透明部上方には放電不活性膜２１Ｐよりも２次電子放出特性に優れたＭｇＯから成るカソード膜１１の露出表面１１Ｓが放電空間５１Ｓに露出している。従って、図２３に示すように、対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間で発生する面放電５０を、放電不活性膜２１Ｐが存在しない領域に限定することができる。これにより、下記の効果（１），（２）及び（３）が得られる。
【００１４】
（１）放電不活性膜２１Ｐの露出表面２１ＳＰの面積を増やすことで、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の面放電５０の形成領域ないしは大きさを縮小することができるので、放電電流を抑えることができる。このため、維持放電電極Ｘ，Ｙを駆動する外部回路の負荷を減らすことができ、従って回路コストを低減することができる。
【００１５】
（２）放電不活性膜２１Ｐが無い場合、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の面放電５０はバス電極２上方にも広がる。このとき、面放電５０の発生時の紫外線によって蛍光体８が発する可視光の一部はバス電極２に遮られて表示光として利用されない。これに対して、ＰＤＰ５１Ｐでは面放電５０をバス電極２が無い上記透明部上方に偏在させることができるので、蛍光体８からの可視光が遮蔽される割合を少なくすることができる。従って、発光効率が向上する。
【００１６】
（３）隣接する表示ラインＬ上の面放電５０は放電不活性膜２１Ｐ（の帯状パターン）で以てより確実に分離される。このため、電極対間ギャップ部ＮＧを狭くしても隣接する表示ラインＬ間での誤放電を抑えることができる。従って、表示ラインＬの高密度化すなわちディスプレイの高精細化に有利である。
【００１７】
なお、隣接する表示ライン間に相当する部分を主に被覆するように配置された放電不活性膜は、上記特開平９−１０２２８０号公報の他に、特開平１０−２５５６６４号公報、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、特開２０００−１００３３７号公報、特開２０００−１５６１６６号公報、特開２００１−１４７６６０号公報、及び、特開２００１−１７６４００号公報に開示される。
【００１８】
さて、放電不活性膜２１Ｐは、例えば、上記特開平９−１０２２８０号公報や上記特開２０００−３９８６６号公報に開示されるいわゆる蒸着リフトオフ法によってパターン形成される。かかる蒸着リフトオフ法によるパターニングでは、カソード膜１１の表面上に写真製版法を用いてレジスト（放電不活性膜２１Ｐの反転パターン形状を有する）を形成し、当該レジストを覆って放電不活性材料を蒸着し、最後に上記レジストをリフトオフする。蒸着リフトオフ法は写真製版法をベースとするパターン形成方法なので、放電不活性膜１１の寸法形状に関する精度や維持放電電極Ｘ，Ｙのパターンに対する放電不活性膜１１のパターン形成位置に関する精度に優れている。このため、上述の効果（１），（２）及び（３）が定量的にも安定して得られるという特長がある。しかし、写真製版、蒸着及びリフトオフという高コストなプロセスから成るので、蒸着リフトオフ法自体が高コストであるという問題がある。
【００１９】
また、放電不活性膜の他のパターン形成方法として、Ａｌ2Ｏ3等の放電不活性材料を含んだ厚膜ペーストをスクリーン印刷法等を用いてカソード膜上に直接パターン形成し、焼成する方法がある。
【００２０】
例えば特開２０００−１５６１６６号公報には、維持放電電極の上方を被覆しないものの隣接維持放電電極対間ギャップ部の上方のＭｇＯ表面を被覆する低２次電子放出係数保護膜すなわち放電不活性膜を、上述のスクリーン印刷及び焼成によって、Ａｌ2Ｏ3等の特定材料を含んだ誘電体ガラスで形成する方法が開示されている。
【００２１】
次に、ＰＤＰ５１Ｐの駆動方法を図２４及び図２５を参照しつつ説明する。なお、カソード膜１１上に放電不活性膜２１Ｐを備えた面放電ＡＣ型ＰＤＰの駆動方法として、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、及び、特開２００１−１４７６６０号公報に開示される方法がある。
【００２２】
図２４は２５６階調のカラー画像を表示する際の画面のフィールド分割の一例を示した概念図である。この例では、１画面（メインフレーム）は８個のサブフィールドＳＦ（第１サブフィールドＳＦ１〜第８サブフィールドＳＦ８）で構成されており、各サブフィールドＳＦはリセット期間ＲＥＰ、書込み期間ＡＤ、放電維持期間ＳＵから成る。各サブフィードＳＦの放電維持期間ＳＵはランク付け（重み付け）がなされており、具体的には、Ｎを自然数として、第（Ｎ＋１）サブフィールドの放電維持期間ＳＵの長さは、第Ｎサブフィールドのそれのほぼ２倍に設定されている。
【００２３】
各サブフィールドの書込み期間ＡＤにおいてアドレス電極６にパルス状の電圧が印加されることにより選択されたセル内には、放電維持期間ＳＵに印加される維持パルスの数だけ維持放電が発生する。維持パルスの数は放電維持期間ＳＵの長さにほぼ比例するので、書込み期間ＡＤで選択されたセルの発光強度はサブフィールドＳＦが１つ進むにつれてほぼ倍増する。このとき、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８での発光／非発光（換言すればサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の選択／非選択）の組合せによって２8＝２５６水準の発光強度を制御することができる。つまり、１つのメインフレームでは２５６階調の表示が可能である。
【００２４】
図２５はＰＤＰ５１Ｐの従来の駆動方法を説明するためのタイミングチャート（１つのサブフィールドＳＦ分）である。当該駆動方法では、リセット期間ＲＥＰは第１，第２及び第３期間ＲＥ１，ＲＥ２Ｐ，ＲＥ３から成る。第１期間ＲＥ１では、書込み電位Ｖｗを有するパルスＰ１を全アドレス電極Ｗに印加することにより全ての放電セルに第１プライミングパルスを与える。続く第２期間ＲＥ２Ｐでは、全アドレス電極Ｗに電位Ｖｗを有するパルスＰ２を印加すると共に全維持放電電極Ｘに電位Ｖｘｈを有するパルスＰ３Ｐを印加することにより、全ての放電セルに第２プライミングパルスを与える。かかる第１及び第２プライミングパルスによって、全ての放電セルの維持放電電極対Ｘ，Ｙ間に、後続の動作を安定させるためのプライミング放電が発生する。その後、第３期間ＲＥ３では、維持放電電極Ｘ，Ｙに消去パルスを印加することにより、全ての放電セル内で壁電荷を初期化する。図２５には、消去パルスとして維持放電電極Ｘに細幅消去パルスＰ４を印加する場合を図示している。なお、図２５中の電位Ｖｘｍ，Ｖｙｍは中間電位であり、電位Ｖｙｂはスキャンベース電位である。
【００２５】
続いて、書込み期間ＡＤでは、ｎ本（ｎは自然数）の維持放電電極Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）を順次にスイッチングすることによって表示ラインＬを順次に選択し（走査し）、当該順次選択（すわなち走査）に同期して各アドレス電極Ｗに、対応のセルの選択／非選択の別を示す画像信号を印加する。これにより、選択されたセル内には維持放電電極対Ｘ，Ｙ間に書込み放電が発生し、壁電荷が蓄えられる。
【００２６】
次に、放電維持期間ＳＵでは、維持放電電極Ｘ，Ｙ間に維持パルスを交流的に所定回数、印加する。これにより、先行の書込み期間ＡＤで選択されたセル内には、維持パルスと上記壁電荷との相乗作用で所定回数の維持放電が発生する。一方、書込み期間ＡＤで選択されなかったセルは維持放電を開始するのに必要な上記壁電荷を持たないので、維持放電が生じない。このようにして、所望の画像を得ることができる。
【００２７】
なお、ＰＤＰに関する技術は例えば特許文献１〜２１及び非特許文献１〜５において紹介されている。なお、特許文献３は特許文献２と対応し、特許文献５は特許文献４と対応し、特許文献１５は特許文献１４と対応する。
【００２８】
【特許文献１】
特開平９−１０２２８０号公報
【特許文献２】
特開平１０−２５５６６４号公報
【特許文献３】
米国特許第６，１３７，２２６号明細書
【特許文献４】
特開平１０−３３３６３６号公報
【特許文献５】
米国特許第６，０３１，３２９号明細書
【特許文献６】
特開２０００−３９８６６号公報
【特許文献７】
特開２００１−１４７６６０号公報
【特許文献８】
特開２００２−５６７７５号公報
【特許文献９】
特開平１０−１４９７７４号公報
【特許文献１０】
特開２００１−１６０３６１号公報
【特許文献１１】
特開２０００−１００３３７号公報
【特許文献１２】
特開２０００−１５６１６６号公報
【特許文献１３】
特開２００１−１７６４００号公報
【特許文献１４】
特開２０００−１１３８２８号公報
【特許文献１５】
欧州特許出願公開第９９３０１７号明細書
【特許文献１６】
特開平９−２３７５８０号公報
【特許文献１７】
特開２０００−１９５４３１号公報
【特許文献１８】
特開２０００−３１１６１２号公報
【特許文献１９】
特開平１０−２３３１７１号公報
【特許文献２０】
特開２００１−１８３９９９号公報
【特許文献２１】
特開２００１−１５０３４号公報
【特許文献２２】
特開平１１−１４９８７３号公報
【特許文献２３】
特開２００２−８３５４５号公報
【非特許文献１】
Kimio Amemiya,Toshihiro Komaki,Takashi Nishio，High Luminous Efficiency and High Definition Coplanar AC-PDP with "T"-shaped Electrodes，"Proceedings of the 5th International Display Workshops(IDW'98)"，pp.531-534
【非特許文献２】
Y.Hashimoto,Y.Seo,O.Toyoda,K.Betsui,T.Kosaka,and F.Namiki，High-Luminance and Highly Luminous-Efficient AC-PDP with DelTA Cell Structure，"Society for Information Display 2001（SID 01）DIGEST"，pp.1328-1331
【非特許文献３】
Y.Tanaka,H.Honma,H.Hasegawa,N.Aibara,T.Nakamura，A new progressive driving scheme for a PDP with "CASTLE" structure，"Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)"，pp.869-872
【非特許文献４】
H.Hirakawa,T.Shiizaki,H.Nakahara,Y.Kawanami,M.Tajima，An Advanced Progressive Driving Method for PDP with Horizontal Barrier Ribs and Common Electrodes，"Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)"，pp.1757-1758
【非特許文献５】
T.Komaki,H.Taniguchi,K.Amemiya，High Luminance AC-PDPs with Waffle-structured Barrier Ribs，"Proceedings of the 6th International Display Workshops(IDW'99)"，pp.587-590
【非特許文献６】
Jae-Young Lee,Min-Nung Hur,Yun-Gi Kim,Jae-Hwa Ryu,Jung-Soo Cho,Chung-Hoo Park，A Study on the New Shaped Align-Free Sustain Electrodes Showing High Luminous Efficiency in AC PDPs，"Proceedings of The 7th International Display Workshops (IDW'00)"，pp.623-626
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように例えば特開２０００−１５６１６６号公報には、放電不活性膜をスクリーン印刷及び焼成によって、Ａｌ2Ｏ3等の特定材料を含んだ誘電体ガラスで形成する方法が開示されている。しかし、本願発明者が、ＰＤＰ５１Ｐの放電不活性膜２１Ｐとして、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る上記放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したところ、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の維持放電に必要な最小の維持パルス電圧（通常は１５０Ｖ程度）が通常より１００Ｖ程も高くなってしまい、実用的な駆動が困難なことが判明した。しかも、維持放電電極Ｘ，Ｙの上方を被覆せず、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電の形成エリアから一定の距離を隔てた、隣接維持放電電極対間ギャップ部内の一部にだけ、同様の方法で放電不活性膜を形成した場合であっても、結果は同じであった。
【００３０】
また、本願発明者の調査によれば、上述の蒸着リフトオフ法で形成された放電不活性膜２１Ｐを備えるＰＤＰ５１Ｐに図２５の駆動方法を適用すると、書込み期間ＡＤで選択したにもかかわらず、放電維持期間ＳＵで維持放電が発生しないという不具合が生じることが見出された。
【００３１】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、維持放電に必要な最小維持パルス電圧の大幅な増大を抑制しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３２】
更に、本発明は、放電不活性膜をスクリーン印刷法で形成する際に生じうる諸問題を解消しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３３】
更に、本発明は、駆動装置のピーク負荷を減少させうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３４】
更に、本発明は、発光効率を向上しうるＰＤＰ用基板及びＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３５】
更に、本発明は、表示の色バランスを改善しうるＰＤＰを提供することを目的とする。
【００３６】
更に、本発明は、ＰＤＰ用基板上に発生する面放電が放電不活性膜の露出表面に及ぶのを抑制しうるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
本発明の主題に記載のプラズマディスプレイパネル用基板は、基板と、前記基板上において第１方向に並んでいると共に前記第１方向に交差する第２方向に伸長しており、前記第２方向に伸長する複数の表示ラインを規定する複数の第１電極とを備え、前記複数の第１電極間に設けられた複数のギャップ部は前記複数の表示ラインに対応する複数の放電ギャップ部を少なくとも含み、前記複数の第１電極を覆って前記基板上に配置された誘電体層と、前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ラインに対応する領域に露出表面を有するカソード膜と、前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ライン間に対応する領域に露出表面を有する、前記カソード膜よりも２次電子放出特性が低い放電不活性膜とを更に備え、前記放電不活性膜及び前記カソード膜の両前記露出表面は平面視において接しており、前記放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成る。
【００６９】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
上述のように本願発明者が、ＰＤＰ５１Ｐの放電不活性膜２１Ｐとして、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る上記放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したところ、維持放電電極対Ｘ，Ｙ間の維持放電に必要な最小の維持パルス電圧が通常よりも高くなってしまい、実用的な駆動が困難なことが判明した。
【００７０】
これは、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を蒸着リフトオフ法でパターニング形成した放電不活性膜２１Ｐには全く見られなかった現象なので、詳細なメカニズムは不明だが、ＴｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を主成分とする誘電体ガラスから成る放電不活性膜をスクリーン印刷法を用いて数μｍの厚さで形成したことに起因すると考えられる。
【００７１】
そこで、実施の形態１では、このような問題点を解決しうるＰＤＰ及びそれを備えたプラズマディスプレイ装置を提供する。
【００７２】
図１のブロック図に示すように、実施の形態１に係るプラズマディスプレイ装置１０１は、ＰＤＰ５１と、当該ＰＤＰ５１の電極Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ），Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ），Ｗ（Ｗ１〜Ｗｍ）に所定の電位を与えてＰＤＰ５１を駆動する駆動装置９１とを備えている。なお、プラズマディスプレイ装置１０１ではＰＤＰ５１の維持放電電極Ｘ１〜Ｘｎの全てが共通に接続された上で駆動装置９１に接続されている。
【００７３】
実施の形態１に係るＰＤＰ５１は、図２３のＰＤＰ５１Ｐにおいて前面基板５１ＦＰを図２の断面図に示す実施の形態１に係る前面基板（ないしはＰＤＰ用基板ないしは第１基板）５１Ｆに変えた構造を有している。実施の形態１に係る前面基板５１Ｆは、放電不活性膜２１Ｐに変えて実施の形態１に係る放電不活性膜２１を備えている点以外は、図２３の前面基板５１ＦＰと基本的には同様の構造を有している。つまり、前面基板５１Ｆと複数のアドレス電極（ないしは第２電極）６（又はＷ）を有した背面基板（ないしは第２基板）５１Ｒとはバリアリブ７及び蛍光体８を介して第１及び第２方向Ｄ１，Ｄ２の双方に交差する（ここでは直交する）第３方向Ｄ３に重ねられており、周縁において封着されている。なお、維持放電電極Ｘ，Ｙとアドレス電極６とが（立体）交差するように前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとは配置される。
【００７４】
前面基板５１Ｆは、前面ガラス基板（ないしは基板）５と、複数の維持放電電極（ないしは複数の第１電極）Ｘ，Ｙと、誘電体層３と、カソード膜１１と、放電不活性膜２１とを備えている。
【００７５】
詳細には、維持放電電極Ｘ，Ｙは前面ガラス基板５上において、第１方向Ｄ１に並んでいると共に第１方向Ｄ１に交差する（ここでは直交する）第２方向Ｄ２に伸長しており、第２方向Ｄ２に伸長する複数の表示ラインＬを規定する。より具体的には、放電ギャップ部ＤＧを介して隣接し、対を成す２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが、第２方向Ｄ２に伸長する１つの表示ラインＬを規定している。なお、図２３と同様に図２では対を成す維持放電電極Ｘ，Ｙ間にないしは放電ギャップ部ＤＧに１点鎖線で以て模式的に表示ラインＬを図示している。このとき、第２方向Ｄ２に伸長した各放電ギャップ部ＤＧは各表示ラインＬに対応する。また、隣接する表示ラインＬ間には、互いには対を成さない２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが隣接維持放電電極対間ギャップ部（又は電極対間ギャップ部）ＮＧを介して配置されている。つまり、前面基板５１Ｆでは維持放電電極Ｘ，Ｙ間に放電ギャップ部ＤＧ又は隣接維持放電電極間ギャップ部ＮＧのいずれかのギャップ部が設けられている。
【００７６】
図２３の前面基板５１ＦＰと同様に、維持放電電極Ｘ，Ｙは透明電極１及びバス電極２から成り、バス電極２は放電ギャップ部ＤＧから遠い位置に配置されている。そして、隣接する透明電極１間の領域で以て上述の放電ギャップ部ＤＧ及び電極対間ギャップ部ＮＧが規定される。
【００７７】
ＰＤＰ５１において、維持電極対Ｘ，Ｙとアドレス電極６（又はＷ）との各（立体）交差点ないしは放電空間５１Ｓと表示ラインＬとの各交差点が１個の放電セル（以下、単に「セル」とも呼ぶ）Ｃに対応する（図１参照）。つまり、各表示ラインＬ上に複数の放電セルＣが並んでおり（逆に言えば第２方向Ｄ２に並ぶ複数のセルＣが表示ラインＬを構成している）、全体としてはマトリクス状に配列された複数の放電セルＣで以てＰＤＰ５１Ｐの表示領域が構成されている。
【００７８】
そして、維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って前面ガラス基板５上に全面的に誘電体層３が形成されており、誘電体層３を介して前面ガラス基板５に対面し、当該誘電体層３に全面的に接してカソード膜１１が配置されている。更に、カソード膜１１及び誘電体層３を介して前面ガラス基板５に対面し、カソード膜１１に接して放電不活性膜２１が配置されている。放電不活性膜２１はカソード膜１１よりも２次電子放出特性が低い。
【００７９】
前面基板５１Ｆの放電不活性膜２１は図２３の放電不活性膜２１Ｐと同様のパターンを有している。すなわち、放電不活性膜２１は複数の帯状パターンから成り、全体的にはストライプ状をしている。放電不活性膜２１の各帯状パターンは、前面基板５１Ｆないしは前面ガラス基板５の平面視において、複数の表示ラインＬ間に対応する領域に、より具体的には隣接する表示ラインＬ間に配置されており対を成さない２つの維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電極対間ギャップ部ＮＧ上及び当該２つの維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで電極対間ギャップ部ＮＧに続く一部（ここではバス電極２が配置された金属電極部の全体）上に配置されている。
【００８０】
このようなパターンを有する放電不活性膜２１がカソード膜１１上に形成されているので、カソード膜１１は、前面基板５１Ｆの平面視において、複数の表示ラインＬに対応する領域が、より具体的には放電ギャップ部ＤＧ上及び維持放電電極対Ｘ，Ｙのうちで放電ギャップ部ＤＧに続く一部（ここではバス電極２が配置されていない透明部の全体）上が露出している。
【００８１】
このとき、平面視において、カソード膜１１及び放電不活性膜２１の両露出表面１１Ｓ，２１Ｓは接しており、前面基板５１Ｆの背面基板５１Ｒ側の露出表面（の少なくとも表示領域）は両露出表面１１Ｓ，２１Ｓで占められている。
【００８２】
なお、放電不活性膜２１（の露出表面２１Ｓ）は前面基板５１Ｆの平面視において複数の表示ラインＬ間に対応する領域に設けられていれば良く、例えば電極対間ギャップ部ＮＧ上のみに設けても構わないし、又、電極間ギャップ部ＮＧ上及び維持放電電極Ｘ，Ｙのうちでバス電極２が配置された金属電極部の一部上に設けても構わない。
【００８３】
特に、放電不活性膜２１はガラス成分すなわち無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成る。ここに、上述の特開２０００−１５６１６６号公報に開示される誘電体ガラスで形成された放電不活性膜とは大きな相違がある。
【００８４】
詳細には、ＰＤＰ５１及び前面基板５１Ｆでは、無機バインダーを実質的に含まない厚膜ペーストをカソード膜１１上にスクリーン印刷法を用いて上述のパターンで印刷し、該ペーストを焼成することによって、放電不活性膜２１を形成している。
【００８５】
一般的な厚膜ペーストは、(i)焼成後に膜材として残存する無機成分と、(ii)焼成過程で燃焼して膜材として残存しない有機成分とから成る。そして、放電不活性膜２１のための厚膜ペーストに含まれる上記無機成分はＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2等の放電不活性材料の少なくとも１種類の粉体を主成分として含む一方で、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3等のガラス成分の含有量はゼロ又は含んでいても焼成後にバインダーとしての固着力を実質的に発揮できない程度以下である。その結果、焼成後の放電不活性膜２１は、実質的に上記Ａｌ2Ｏ3等の放電不活性材料の粉体の集合体で構成され、該粉体間の強固な結合や下地のカソード膜１１との強固な密着のいずれも無い状態にある。喩えると、放電不活性膜２１はちょうど蛍光体８と同様の状態にある。すなわち、蛍光体８を含む一般的なＰＤＰの蛍光体は無機バインダーを含まない厚膜ペーストの焼成体で構成され、蛍光材料の粉体の集合体から成り、放電不活性膜２１は同様の状態にある。
【００８６】
なお、上記放電不活性膜２１の焼成温度は、一般に低融点ガラスから成る誘電体層３が、カソード膜１１からのストレスに抗しきれなくなって、顕著な変形を起こすことがない程度に低くするのが望ましい。言い換えれば、カソード膜１１に顕著な亀裂が生じて外観を損なうに至るほどに誘電体層３が柔らかくならない程度の温度に設定するのが望ましい。そのためには、低融点ガラスで構成される誘電体層３の軟化点より略５０℃以上低い温度で放電不活性膜２１を焼成するのが良い。例えば、誘電体層３の軟化点が５２０℃だとすれば、放電不活性膜２１の焼成温度は４７０℃以下に設定するのが望ましく、そのような温度でも充分に燃焼するような有機成分を使用して放電不活性膜２１の原材料であるペーストを構成するのが良い。
【００８７】
そして、上述の膜状態の放電不活性膜２１を備えたＰＤＰ５１について最小維持パルス電圧を評価したところ、無機バインダーを含む誘電体ガラスから成る放電不活性膜とは異なり最小維持パルス電圧が大幅に増大しないことを見出した。
【００８８】
このように、放電不活性膜２１によれば、既述の効果（１），（２），（３）を発揮しうる膜を蒸着リフトオフ法に比して安価なスクリーン印刷法で形成することができ、しかも実用的駆動を容易に実現しうる前面基板５１Ｆ及びＰＤＰ５１を提供することができる。
【００８９】
なお、強固な結合力及び下地密着力を有する誘電体ガラスから成る放電不活性膜では最小維持パルス電圧が極めて大きくなる一方で、放電不活性材料の粉体の集合体から成り上述のような強固な結合力及び密着力を持たない実施の形態１の放電不活性膜２１では最小維持パルス電圧に大幅な上昇が見られないという実験結果が得られた詳細なメカニズムは不明である。しかし、以下に述べる、本願発明者が上述の評価実施に先駆けて無機バインダーに着目するに至った経緯は、上述の実験結果の考察に非常に有用であると考える。
【００９０】
以前、本願発明者は、ＰＤＰ５１から放電不活性膜２１を除いた構造を有する典型的なＡＣ面放電型ＰＤＰにおいて、バリアリブ７のカソード膜１１に接触する部分をガラス成分すなわち無機バインダーを主成分とする封着材で構成するという実験を行ったことがある。この実験は、封着工程（前面ガラス基板５と背面ガラス基板９とを周縁に設けた封着材を軟化させて貼り合せる工程）においてバリアリブ７をカソード膜１１に固着させることにより、バリアリブ７を介して隣接する放電空間内の互いの放電が干渉してセルＣの選択性が損なわれるのを防止することを目的としていた。
【００９１】
ところが、当該実験は、最小維持パルス電圧が非常に上昇してしまい上述の構造を実駆動へ適用するのは困難であるという評価結果に終わった。そして、上述のように放電不活性膜を無機バインダーを含んだ材料で形成した実験においても、これと同様の結果が得られている。
【００９２】
ところで、放電不活性膜２１を有さない典型的なＰＤＰではバリアリブ７とカソード膜１１とは接触している。バリアリブ７は一般に無機バインダーを大量に含むにもかかわらず、放電不活性膜２１を有さない当該典型的なＰＤＰにおいて最小維持パルス電圧は一般実用的な値である。
【００９３】
そこで、本願発明者はこれらの現象を総合的に検討することにより、上述の２つの実験ではカソード膜１１の表面にガラス質の構造物が固着している点が共通することを見出し、更に放電不活性膜２１を有さない上述の典型的なＰＤＰでは無機バインダーを含んだバリアリブ７とカソード膜１１とは単に接触しているのみであることを見出した。つまり、カソード膜１１にガラス質の構造物が固着せずに接触しているだけであれば、最小維持パルス電圧は大幅に上昇しないことを見出した。
【００９４】
かくして、本願発明者は「放電不活性膜１１を無機バインダーを実質的に含まない、Ａｌ2Ｏ3やＴｉＯ2やＳｉＯ2等の放電不活性材料の粉体の単純な集合体で構成することによってカソード膜１１の表面に固着しないようにすれば、最小維持パルス電圧の大幅な上昇を招かないのであろう」との着想に至ったのである。ところで、上述のように放電不活性膜１１を形成しても、自然膜剥れを起こすような密着力では実用的ではない。しかし、本願発明者は当該放電不活性膜１１は自然膜剥がれを起こさないであろうことを、蛍光体に関する周知事実から期待していた。すなわち、蛍光体は無機バインダーを含まない、蛍光材料の粉体の集合体であるにもかかわらず、更に一般的に蛍光体の焼成温度は、下地のバリアリブ８やオーバーグレーズ層１０が含む無機バインダー成分が固着作用を発揮できないほどに低いにもかかわらず、ＰＤＰにおいて蛍光体は自然膜剥れを起こすことはないのである。
【００９５】
これらの考察に基づいて実験を行ったところ、自然膜剥れを起こすこともなく放電不活性膜２１が形成することができ、最小維持パルス電圧が大幅に増大しないこととの結果が得られた。従って、既述したように、放電不活性膜２１によれば、既述の効果（１），（２），（３）を発揮しうる膜をスクリーン印刷法で安価に形成することができ、しかも実用的駆動を容易に実現しうる前面基板５１Ｆ及びＰＤＰ５１を提供することができる。
【００９６】
さて、放電不活性膜２１は無機バインダーを実質的に含まない、放電不活性材料の粉体の集合体から成るので、バリアリブ７からの押圧で膜キズや表面形状の変形が生じる場合がある。しかし、そのような膜キズ等は放電不活性膜２１においてバリアリブ７と接触する部分に限られており、放電空間５１Ｓに晒される部分には発生しないことを、本願発明者は確認している。従って、膜キズ等による画素欠陥は発生しないし、放電不活性膜２１に期待される効果（１），（２），（３）が損なわれることはない。
【００９７】
それどころか放電不活性膜２１が表面形状が上述のように変形することにより、バリアリブ７と放電不活性膜２１との接触部分に作用する押圧が均等化されることが分かった。このため、バリアリブ７や封着前の放電不活性膜２１が僅かな表面凸形状を有する場合であっても、該箇所にピンポイント的な押圧が作用するのを緩和することができる。従って、放電不活性膜２１によれば、バリアリブ７の折損による画素欠陥の発生を防止できるという副次的効果が得られる。
【００９８】
ところで、バリアリブ７は一般に、高さｈ（図２３参照）が高いほど及び／又は平均パターン幅ｗ（図２３参照）が細いほど、前面基板５１Ｆとの接触による押圧で折損を生じる確率が高くなる。
【００９９】
ここで、バリアリブの高さｈとは第３方向Ｄ３（すなわち前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとの積み重ね方向）における寸法を言う。また、バリアリブの平均パターン幅ｗとはパターン幅（図２３の例では基板の積み重ね方向とバリアリブ７のパターンの伸長方向との双方に垂直な方向である第２方向Ｄ２の寸法）を第３方向Ｄ３について平均した寸法を言う。例えば図２３の例ではバリアリブ７の断面（伸長方向である第１方向Ｄ１に垂直な断面）が略台形なので、パターン幅は高さ方向（すなわち第３方向Ｄ３）の位置に依存する。そこで、高さ位置に依存するこれらのパターン幅を平均した値を平均パターン幅ｗと呼ぶ。なお、図２３では便宜的にバリアリブ７の高さ方向中央付近に符号”ｗ”を図示している。
【０１００】
かかるバリアリブ７の折損について、本願発明者は、図２３の構造から放電不活性膜２１を取り除きバリアリブ７がカソード膜１１（放電不活性膜２１よりも硬質である）に直接接触している構造のＰＤＰを用いて実験を行った。なお、実験に用いたＰＤＰにおいて、バリアリブ７の第２方向Ｄ２の配列ピッチは３９６μｍであり、画面サイズは１６：９タイプの４６インチである。かかる実験によれば、平均パターン幅ｗ＝７５μｍ及び高さｈ＝１４０μｍの場合にはリブ折損による画素欠陥は製造過程を含め実用上殆ど発生しないが、平均パターン幅ｗ＝７５μｍ及び高さｈ＝１６０μｍの場合にはリブ折損によって画面中５〜１０箇所の画素欠陥が発生した。また、同じ画面サイズ及び第２方向Ｄ２の配列ピッチが２６４μｍのバリアリブ７を有するＰＤＰで実験したところ、平均パターン幅ｗ＝６０μｍ及び高さｈ＝１４０μｍの場合にはリブ折損に起因した画素欠陥が画面中約５０箇所検出された。これらの実験結果から硬質なカソード膜１１にバリアリブ７が直接接触する構造では凡そｈ／ｗ≧２を満たす場合にリブ折損による画素欠陥の発生を抑えるのは困難であることが判明した。
【０１０１】
高さｈが高いほど（例えば、Proceedings of Asia Display/IDW'01 pp.781-784のFig.3を参照）及び／又はパターン幅ｗがより細いほど、言い換えれば隣接するバリアリブ７のパターン間隔が広いほど（例えばProceedings of IDW'99 pp.599-602を参照）、輝度及び発光効率を向上させることができるが、実験に用いた構造のＰＤＰでは画素欠陥の抑制と輝度及び発光効率の向上とは両立が困難であった。
【０１０２】
これに対して、放電不活性膜２１を適用することにより、第２方向Ｄ２の配列ピッチが２６４μｍ、平均パターン幅ｗが６０μｍ、高さｈが１４０μｍのバリアリブ７を用いてもリブ折損に起因した画素欠陥が実用上殆ど発生しないという実験結果が得られた。すなわち放電不活性膜２１の適用は画素欠陥の抑制と輝度及び発光効率の向上とを同時に可能にするのである。
【０１０３】
なお、ストライプ状のバリアリブ７では互いに隣接する表示ラインＬ間で（すなわち第１方向Ｄ１に）各放電セルＣの放電空間が連続するが、高さｈの増大及び／又はパターン幅ｗの減少により放電空間が広がっても、放電不活性膜２１によれば放電セルＣ間で放電が干渉し合うのを効果的に抑制することができる。
【０１０４】
上述のようにバリアリブ７を高くするほど輝度及び発光効率を向上させることができる。ここで、バリアリブにはストライプ状のバリアリブ７（図２３参照）の他に格子状のバリアリブ（例えば後述の図２１やProceedings of IDW'99 pp.587-590を参照）があり、以下の理由によりストライプ状のバリアリブ７の方が高さｈを大きくしやすい。
【０１０５】
まず、格子状のバリアリブは第１方向Ｄ１に伸長する成分（図２１に示す第１成分７Ｂ１参照）と第２方向Ｄ２に伸長する成分（図２１に示す第２成分７Ｂ２参照）とを含んでいるので、両成分が交差する箇所はバリアリブの形成（例えばサンドブラスト法や感光性リブ材による方法による）時に互いの形状に影響を及ぼし合う。このため、格子状のバリアリブが高いほど形状のコントロールが困難になるのである。
【０１０６】
また、格子状のバリアリブは放電セルＣを取り囲むように空間を区画しているので、当該空間内へ蛍光体８を塗布した際に空間内の空気が逃げにくく該空気が閉じ込められてしまう場合がある。そのような場合には蛍光体８を適切に塗布することができず、かかる不具合はバリアリブが高いほど起こりやすい。
【０１０７】
さらに、下記の(a)〜(d)に述べるように、格子状のバリアリブには上記サンドブラスト法や感光性リブ材による上記方法よりも高いｈを得るのに適した製法が少ない。
【０１０８】
(a)パターン積層印刷法では、スクリーンメッシュの重なりを平均化するために各層を印刷する毎に第１方向Ｄ１にスクリーン版をずらす必要があるが、格子状のバリアリブでは第２方向Ｄ２に伸長する成分があるので、ずらすことができない。
【０１０９】
(b)型プレス法では、格子状のバリアリブの場合、離型の際に逃げる方向が無く基板面に対して一斉に離型する必要があるので、離型が困難である。一方、ストライプ状のバリアリブによれば、バリアリブ（パターン）の伸長方向に逃げられるので、めくるように離型することができる。
【０１１０】
(c)基板上に形成したＤＦＲ（ドライフィルムフォトレジスト）のパターン溝にリブ材を埋込む方法では、格子状のバリアリブの場合、ＤＦＲパターンが各放電セルＣの位置に孤立島状に形成される。このため、ＤＦＲ剥離の際にセルの数だけ剥離のトリガーが必要になるので、剥離が困難である。
【０１１１】
(d)基板上に一様に塗布されたリブ材を、バリアリブのパターン間のスペースに対応するプローバーで掃引するという製法は、ストライプ状のバリアリブに適用されるが、格子状バリアリブにはもとより使えない。
【０１１２】
これに対して、ストライプ状のバリアリブ７であれば、格子状のバリアリブに特有の上記問題や制約はなく、比較的容易に高さｈを増大させることができる。このため、格子状のバリアリブは上述の製法の問題点及び制約から高さｈ≧１５０μｍにすることは実用的には無理であったが、ストライプ状のバリアリブ７によれば高さｈを１５０〜５００μｍにすることも可能である。つまり、放電不活性膜２１の適用で以てより高く形成されたストライプ状バリアリブは輝度及び発光効率を大幅に改善しうるものである。
【０１１３】
また、格子状のバリアリブのパターンは個々の放電セルＣを取り囲んで存在するので、放電によって発生したプラズマ粒子がバリアリブの側面上の蛍光体８に衝突してエネルギーを損失する割合が、ストライプ状のバリアリブに比べ大きい。このため、格子状バリアリブの方が相対的に発光効率が悪くなる。
【０１１４】
以上をまとめると、放電不活性膜２１の適用はストライプ状のバリアリブ７を利用可能にする。更に、放電不活性膜２１によれば、バリアリブ７が細く及び／又は高くなってｈ／ｗ≧２という関係になってもバリアリブの折損による画素欠陥の発生を抑えることができる。これらから放電不活性膜２１は輝度及び発光効率を向上させるために極めて有効である。
【０１１５】
ところで、ディスプレイの発光効率を向上させるためには、蛍光体８から発せられた可視光が放電不活性膜２１によって遮られない方が良い。このため、放電不活性膜２１は透明であることが望ましい。放電不活性膜２１を構成する放電不活性材料の粒子の平均粒径が小さいほど、放電不活性膜２１はより透明になる。一般に平均粒径が可視光波長域（０．４〜０．８μｍ）程度以下に下がるほど透明度が増すので、放電不活性材料の粒子の平均粒径は大略１μｍ以下であることが、より望ましくは０．１μｍレベル以下であることが適当である。
【０１１６】
また、放電不活性膜２１下のカソード膜１１が微視的にでも露出してしまうと、放電不活性膜２１上でも放電が発生しうるので、既述の効果（１），（２），（３）が十分に得られない場合が生じうる。このため、放電不活性膜２１上での放電を回避するためには、放電不活性膜２１の厚さｔ（図２参照）を大略、上記放電不活性材料の平均粒径以上に設定するのが望ましい。一方、放電不活性膜２１が厚過ぎると、放電ギャップ部ＤＧ近傍においてバリアリブ７とカソード膜１１との間の隙間が大きくなり、バリアリブ７を介して隣接する放電空間内の放電が互いに干渉し合い、その結果、セルＣの選択性が損なわれる場合が生じうる。これを回避するために、放電不活性膜２１の膜厚ｔは１０μｍレベル以下、より好ましくは５μｍ以下とするのがよい。
【０１１７】
また、ＰＤＰ５１は図２３のＰＤＰ５１Ｐ（すなわち特開平９−１０２２８０号公報に開示のＰＤＰ）に、実施の形態１に係る放電不活性膜２１を適用した構造にあたるが、その他の構造のＰＤＰに当該放電不活性膜２１を適用することも可能であり、ＰＤＰ５１と同様の効果が得られる。例えば、図３の平面図（レイアウト図）に示す実施の形態１に係る第２の前面基板５２Ｆに放電不活性膜２１を適用することができる。
【０１１８】
図３に示すように、前面基板５２Ｆの各維持放電電極ＸＡ，ＹＡは、上述の前面基板５１Ｆにおいて電極対間ギャップ部ＮＧを介して隣接する、互いには対を成さない２本の維持放電電極Ｘ，Ｙが一体化した構造にあたる。なお、維持放電電極ＸＡ，ＹＡの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５２Ｆでは電極対間ギャップ部ＮＧが無いので、維持放電電極ＸＡ，ＹＡ間には放電ギャップ部ＤＧのみが設けられている。このため、維持放電電極ＸＡ，ＹＡのそれぞれが隣接する表示ラインＬの双方を規定している。逆に言えば、前面基板５２Ｆでは隣接する表示ラインＬ間には１本の維持放電電極ＸＡ又はＹＡが配置されており、隣接する表示ラインＬが１本の維持放電電極ＸＡ又はＹＡを共有している。
【０１１９】
前面基板５２Ｆのその他の構成（図３中には不図示）は前面基板５１Ｆと同様であり、前面基板５２Ｆは上述の前面基板５１Ｆに変えてＰＤＰ５１に適用可能であり、更にそのようなＰＤＰ５１はプラズマディスプレイ装置１０１に適用可能である。なお、かかる点は後述の前面基板５３Ｆ（図４参照）等についても同様である。
【０１２０】
隣接する表示ラインが１本の維持放電電極を共有する他の構造のＰＤＰ（特開平１０−２５５６６４号公報、特開平１０−３３３６３６号公報、特開２０００−３９８６６号公報、及び、特開２０００−１４７６６０号公報を参照）に、実施の形態１に係る放電不活性膜２１を適用することも可能である。
【０１２１】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、放電不活性膜２１を前面基板５１Ｆの平面視において隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ近傍の維持放電電極Ｘ，Ｙの一部を被覆するようにスクリーン印刷法で直接にパターン形成する場合を説明した。この場合、１個の放電セルＣ当りにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ上で実際に面放電５０（図２３参照）が行なわれる部分の面積は、維持放電電極Ｘ，Ｙの放電ギャップ部側のパターンエッジから放電不活性膜２１のパターンエッジまでの距離ないしは寸法に大略比例する。従って、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置は放電電流を大きく左右する。
【０１２２】
放電不活性膜２１をスクリーン印刷法を用いて直接パターン形成する場合、パターンエッジの形成位置精度はスクリーン版の伸縮や、印刷・乾燥・焼成の工程を通じて生じる厚膜ペーストのダレやニジミ等に影響を受ける。このとき、前面ガラス基板５は大面積であるため、スクリーン版や厚膜ペーストや印刷・乾燥・焼成条件等を生産性を度外視し且つ手を尽くしたとしても、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置精度は±５０μｍくらいしか期待できない。生産性を考慮するとなれば±１００μｍ程度の精度を見込む必要がある。
【０１２３】
一方、各維持放電電極Ｘ，Ｙのパターン幅すなわち放電ギャップ部ＤＧ側のパターンエッジから隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ側のパターンエッジまでの距離ないしは寸法は一般に１００〜５００μｍくらいしかない。
【０１２４】
これらを勘案すると、実施の形態１の放電不活性膜２１ではパターンエッジの形成位置を十分な精度で形成するのが難しい場合がある。このため、実施の形態１に係るＰＤＰ５１では放電セル１個当りの放電電流に１０〜１００％の増減、標準的には２０〜５０％の増減を見込まなければならず、製品性能の再現性や表示に関する面内均一性の観点において容認し難い場合がある。
【０１２５】
また、実施の形態１のＰＤＰ５１では、放電不活性膜２１をスクリーン印刷法で形成した時に用いたスクリーン版に由来する輝度ムラ、具体的にはメッシュ状の輝度ムラやモアレ模様の輝度ムラが目立つ場合がある。詳細な調査によれば、スクリーン版に固有のメッシュ編み密度の局部的濃淡ムラが放電不活性膜２１のパターンエッジのガタツキに反映されており、該ガタツキがセル単位での放電電流の大小ムラを引き起こした結果、上記輝度ムラが生じることが判明した。
【０１２６】
そこで、実施の形態２では、放電不活性膜２１のパターンエッジの形成位置やガタツキに関する精度が上述のように低レベルであっても、パネル全体の放電電流や放電電流のパネル面内分布やセル単位での放電電流の大小ムラに対する影響を低減しうる前面基板及びＰＤＰを説明する。
【０１２７】
図４に実施の形態２に係る第１の前面基板５３Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図（レイアウト図）を示す。図４には前面基板５３Ｆの維持放電電極ＸＢ，ＹＢ、放電不活性膜２２及びカソード膜１１を主として図示しており、又、前面基板５３Ｆを適用したＰＤＰ５１におけるバリアリブ７（の頂部）を２点鎖線で模式的に図示している。なお、かかる図示化は後述の図６等の平面図において同様である。
【０１２８】
前面基板５３Ｆにおいて維持放電電極ＸＢ，ＹＢ及び放電不活性膜２２以外の構成は既述の５１Ｆと同様である。前面基板５３Ｆの維持放電電極ＸＢ，ＹＢは、図２の維持放電電極Ｘ，Ｙと同様に、前面ガラス基板５（図２参照）上において、第１方向Ｄ１に並んでいると共に第２方向Ｄ２に伸長しており、第２方向Ｄ２に伸長する複数の表示ラインＬを規定している。また、隣接する表示ラインＬ間には２つの維持放電電極ＸＢ，ＹＢ（但し対を成さない）が配置されている。
【０１２９】
特に、維持放電電極ＸＢ，ＹＢはそれぞれ複数の放電ギャップ隣接部ａと、１つの母線部ｂと、複数の架橋部ｃとを含んでいる。ここで、放電ギャップ隣接部ａ、架橋部ｃ、母線部ｂの境界線を破線で示している。詳細には、母線部ａは隣接維持放電電極対ギャップ部ＮＧに隣接して第２方向Ｄ２に伸長している。そして、複数の架橋部ｃが、母線部ｂから当該母線部ｂが隣接する放電ギャップ部ＤＧに向けて（ここでは第１方向Ｄ１に）伸長している。複数の架橋部ｃにはそれぞれ放電ギャップ隣接部ａが結合しており、これら複数の放電ギャップ隣接部ａは当該放電ギャップ部ＤＧに隣接し且つ第２方向Ｄ２に沿って（すなわち放電ギャップ部ＤＧに沿って）並んでいる。これにより、各放電ギャップ隣接部ａは対応の架橋部ｃを介して母線部ａと電気的に接続されている。なお、維持放電電極ＸＢ，ＹＢでは、放電ギャップ隣接部ａと架橋部ｃとはＴ字型を成して結合している（放電ギャップ隣接部ａがＴ字型の頭部にあたり、架橋部ｃがＴ字型の脚部にあたり、架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は放電ギャップ隣接部ａよりも狭い）。
【０１３０】
そして、前面基板５１Ｆと同様に、前面基板５３Ｆにおいても上述の維持放電電極ＸＢ，ＹＢは誘電体層３及びカソード膜１１（図２参照）で覆われている。
【０１３１】
前面基板５３Ｆの放電不活性膜２２は、既述の前面基板５１Ｆの放電不活性膜２１と同様にカソード膜１１上に配置されており、複数の帯状パターンから成るストライプ状をしている。放電不活性膜２２の各帯状パターンないしは露出表面２２Ｓは、前面基板５３Ｆの平面視において、複数の表示ラインＬ間に対応する領域に配置されており、しかも維持放電電極ＸＢ，ＹＢの放電ギャップ隣接部ａを覆わないように配置されている。このとき、放電不活性膜２２のパターンエッジは維持放電電極ＸＢ，ＹＢの架橋部ｃに対面している。放電不活性膜２２は既述の放電不活性膜２１と同様にスクリーン印刷法でパターン形成しても良いし、蒸着リフトオフ法等で形成しても良い。
【０１３２】
なお、ここでは、前面基板５３Ｆを適用したＰＤＰ５１において、放電ギャップ隣接部ａ間の間隙がバリアリブ７に対面するように、且つ、各架橋部ｃがバリアリブ７の帯状パターン間に配置されて各放電空間５１Ｓに対面するように、前面基板５３Ｆと背面基板５３Ｒとが配置される。
【０１３３】
ところで、上述の形状及び配置を有する維持放電電極と放電不活性膜とバリアリブとを備えたＰＤＰが特開２００１−１７６４００号公報に開示されているが、当該公報に開示のＰＤＰと実施の形態２に係るＰＤＰ５１とには以下の大きな相違がある。
【０１３４】
まず、実施の形態２の前面基板５３Ｆでは、ストライプ状の放電不活性膜２２の焼成後のパターンエッジが、平面視において、放電ギャップ隣接部ａ（の放電不活性膜２２側のパターンエッジ）から大略５０μｍ以上、より好ましくは大略１００μｍ以上離れている。このような配置はスクリーン印刷法の諸条件（例えば、スクリーン版のパターン設計）等の設定により可能である。具体的には、放電不活性膜２２のパターンエッジが上記平面視において放電ギャップ隣接部ａから大略５０μｍ以上又は大略１００μｍ以上離れるような位置にくるように設計することにより、たとえ印刷位置ずれが生じても上述の位置関係を満足する前面基板５３Ｆを歩留まり良く（平均的に）製造することができる。このような条件で形成された放電不活性膜２２であれば、基板面内の平均的な放電不活性膜２２のパターンエッジは上記平面視において放電ギャップ隣接部ａから大略５０μｍ以上又は大略１００μｍ以上離れるような位置に形成されることになる。従って基板面内の少なくとも一部には、それに該当する部分が存在する。
【０１３５】
このような距離設定により、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれたとしても、放電ギャップ隣接部ａが放電不活性膜２２で覆われないようにすることができるので、放電ギャップ隣接部ａでの放電が放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置やガタツキに影響されないようにすることができる。
【０１３６】
一方、架橋部ｃのうちで放電が行なわれる部分は放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置によって規定され、パターンエッジのガタツキの影響も受ける。しかし、架橋部ｃは放電ギャップ隣接部ａに比べて放電不活性膜２２のパターンエッジの伸長方向に平行な方向（つまり第２方向Ｄ２）のパターン幅が狭いので、架橋部ｃのうちで放電が行われる部分の面積は、放電ギャップ隣接部ａの面積に比べて充分小さい。また、架橋部ｃを架橋方向（すなわち第１方向Ｄ１）に沿って細長く形成するほど（第２方向Ｄ２のパターン幅を小さくするほど）、維持放電電極Ｘ，Ｙへの印加電圧が放電空間５１Ｓ内に形成する電界は架橋部ｃ上方で弱くなるので、架橋部ｃでの放電電流密度を放電ギャップ隣接部ａに比べて小さくまたは実質的にゼロにすることができる。このとき、放電不活性膜２２のパターンエッジは維持放電電極Ｘ，Ｙのうちでパターン幅の狭い架橋部ｃのみと交差するので、架橋部ｃの上記パターン幅を細くするほど当該交差部分をＰＤＰ５１よりも小さくすることが可能である。
【０１３７】
このように、前面基板５３Ｆによれば、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれても、放電セル１個当りの放電電流の増減を抑制することができるので、表示性能に関する再現性や面内均一性が改善することができる。更に、放電不活性膜２２のパターンエッジのガタツキに因るセル単位での放電電流の大小ムラを抑制することができるので、放電不活性膜２２を形成するためにのスクリーン版のメッシュ編み濃淡ムラに対応する輝度ムラを抑制することができる。
【０１３８】
ところで、蛍光体８のうちで母線部ｂに対面する部分付近からの発光はほとんどが母線部ｂに遮られてしまうので、可視光の取出し効率（又は発光効率）の観点から言えば、母線部ｂ上では放電が生じないようにした方が好ましい。母線部ｂ上で放電を生じさせないためには、放電不活性膜２２のパターンエッジが所望位置から５０〜１００μｍずれた場合であっても、母線部ｂが放電不活性膜２２の存在領域からはみ出ないようにすれば良い。
【０１３９】
しかし、放電不活性膜２２から母線部ｂの一部がはみ出した場合であっても、そのはみ出し量が５０μｍ程度であれば、母線部ｂで放電が生じないようにすることは可能である。例えば特開２０００−１１３８２８号公報には放電ギャップ隣接部と母線部と架橋部とを有する維持放電電極を備えているが放電不活性膜を備えていないＰＤＰが開示されており、当該公報によれば維持放電電極対間の面放電を放電ギャップ部付近に局在化可能であるとしている。かかる放電の局在化は、(I)放電ギャップ隣接部ａで始まった放電が架橋部ｃに拡張する過程において放電電流密度が上述のように小さくなり母線部ｂにまで拡張するのが困難であることと、(II)母線部ｂ上方の放電空間５１Ｓ内において架橋部ｃ付近では放電が生じるのに必要な電界が形成困難であることと、が主因と思われる。
【０１４０】
以上のことから、放電不活性膜２２のパターンエッジは、前面基板５３Ｆの平面視において放電ギャップ隣接部ａよりも母線部ｂに近い位置に設けられている。換言すれば、上記平面視において、放電不活性膜２２と放電ギャップ隣接部ａとの両パターンエッジ間の距離は、放電不活性膜２２と母線部ｂとの両パターンエッジ間の距離よりも長く設定されている。このような位置関係はスクリーン印刷法の諸条件（例えば、スクリーン版のパターン設計）等の設定により可能である。具体的には、放電不活性膜２２のパターンエッジが上記平面視において放電ギャップ隣接部ａよりも母線部ｂに近い位置に来るように設計する。このような条件によれば、たとえ印刷位置ずれが生じても、平面視において放電ギャップ隣接部ａに放電不活性膜２２のパターンが及ばず、且つ、平面視において母線部ｂが放電不活性膜２２のパターンから少々はみ出しても母線部ｂで放電が発生しない、前面基板５３Ｆを歩留まり良く（平均的に）製造することができる。このような条件で形成された放電不活性膜２２であれば、基板面内の平均的な放電不活性膜２２のパターンエッジは、上記平面視において放電ギャップ隣接部ａより母線部ｂに近い位置に形成される。したがって基板面内の少なくとも一部にはそれに該当する部分が存在する。
【０１４１】
なお、上記特開２０００−１１３８２８号公報に開示された上述のＰＤＰ（放電ギャップ隣接部と母線部と架橋部とを有する維持放電電極を備えているが放電不活性膜を備えていないＰＤＰ）において母線部間の面放電が起こらないようにするためには、母線部全体の上部放電空間での電界を充分に弱くする必要がある。そのような電界は、維持放電のために維持放電電極間に印加する交流電圧を相当に低く設定すれば得られるが、放電ギャップ隣接部での正規の維持放電が不安定になってしまう。あるいは、母線部の維持放電電極に伸長方向に垂直な方向に関するパターン幅を相当に細くすれば上述の弱い電界を得ることはできるが、母線部のライン抵抗が上昇して母線部に流れる放電電流による電圧損失や電力消費が大きくなってしまう。
【０１４２】
これに対して、前面基板５３Ｆのように平面視において母線部ｂ上を覆うように放電不活性膜２２を設けることにより（しかもスクリーン印刷法という簡便なプロセスで配置可能である）、維持放電のための上記交流電圧をそれほど下げなくても、且つ、母線部の上記パターン幅をそれほど細くしなくても、放電不活性膜２２の作用によって維持放電が母線部ｂに及ぶ（拡大する）のを抑えることができる。
【０１４３】
ところで、維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおいて透明部（透明電極のうちでバス電極が載っておらず透明電極のみから成る部分）を設けないことも可能である。この場合、透明電極を形成する必要が無いので、コストを削減することができる。
【０１４４】
しかし、透明部が無いと蛍光体８からの可視光が維持放電電極ＸＢ，ＹＢに遮られる割合が大きいので、十分な発光取出し効率が得られない。このため、少なくとも蛍光体８の発光強度の高い放電ギャップ隣接部ａの全部または大部分を透明部ないしは透明電極で以て形成した方が、発光効率上、有利である。更に、架橋部ｃも全部または大部分を透明部とした方が発光効率にとって有利である。このとき、放電ギャップ隣接部ａに近い部分ほど発光強度が高いので、架橋部ｃのうちで放電ギャップ隣接部ａに近い部分だけでも透明部にするのが良い。
【０１４５】
一方、母線部ｂは放電電流を流す役割を担うので、母線部ｂは、透明電極よりも導電性に優れたバス電極を少なくとも有する構造にする必要がある。つまり、各維持放電電極ＸＢ，ＹＢの少なくとも一部分（放電ギャップ部ＤＧから遠い方がより好ましい）に維持放電電極ＸＢ，ＹＢの伸長方向（第２方向Ｄ２）に沿って間断なく続くように、バス電極を適用する必要がある。
【０１４６】
このとき、導電性を重視して（維持放電電極ＸＢ，ＹＢのライン抵抗を低減するために）母線部ｂの透明電極上の全体にバス電極を設けても良く（すなわち母線部ｂを金属電極部のみで構成しても良く）、あるいは、母線部ｂ全体をバス電極のみで形成しても良い。そのような母線部ｂであっても蛍光体８からの可視光のうちで母線部ｂの全体による損失は小さくてすむ。これは、母線部ｂは面放電５０の全部または大部分が行なわれる放電ギャップ隣接部ａから離れているので、蛍光体８からの発光は母線部ｂ付近において弱く（発光強度が低く）、母線部ｂは単にそのような弱い発光を遮光するからである。このため、母線部ｂの全体にバス電極を適用しても発光の取り出し効率の損失を抑えることができる。更に、上述のように母線部ｂ付近では蛍光体８の発光強度が弱いので、母線部ｂの一部に透明部を設けて上述の弱い発光を取り出すよりも、金属電極部のみから成る母線部ｂによって蛍光体８での外光反射（外部から入射して蛍光体８で反射する光）を低減した方が、明室下での表示コントラストが向上する場合がある。
【０１４７】
更に、図５の断面図に示す母線部ｂのように多層構造の（ここでは２層構造の）バス電極２Ａを採用しても良い。詳細には、バス電極２Ａは透明電極１上に配置された外側層２Ｏと、当該外側層２Ｏを介して前面ガラス基板５に対面する内側層２Ｉとを含んでいる。特に、外側層２Ｏは内側層２Ｉと比して可視光吸収率が高く、内側層２Ｉは外側層２Ｏよりも可視光反射率が高い。外側層２Ｏ及び内側層２Ｉは、例えば黒色顔料の含有量を違えることにより形成可能である。あるいは、例えば外側層２Ｏを黒色顔料を含んだペーストで形成すると共に内側層２Ｉを銀電極用ペーストで形成することにより、両層２Ｏ，２Ｉを形成可能である。このとき、バス電極２Ａは前面ガラス基板５に対面する外向き表面ＳＯ及び当該外向き表面ＳＯを介して前面ガラス基板５に対面する内向き表面ＳＩを有しており、外向き表面ＳＯは内向き表面ＳＩよりも可視光吸収率が高く、内向き表面ＳＩは外向き表面ＳＯよりも可視光反射率が高い。なお、図５では母線部ｂが透明電極１を含む場合を図示しているが、上述のように当該透明電極１を省いても良い。
【０１４８】
このようなバス電極２Ａによれば、外向き表面ＳＯによって外光反射量を減らして明室下での表示コントラストを向上させることができると共に、内向き表面ＳＩによって蛍光体８からの発光を放電セルＣ内で二次反射させることにより、表示光としてより多くの発光を取り出すことができる。従って、発光効率を上げることができる。
【０１４９】
維持放電電極ＸＢ，ＹＢと放電不活性膜２２との配置関係に関する説明や、維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおける透明電極及びバス電極に関する説明や、バス電極の可視光反射率及び可視光吸収率に関する説明は、放電ギャップ隣接部、母線部及び架橋部を含んだ維持放電電極並びに放電不活性膜を備えた各種の前面基板（後述の前面基板５４Ｆ等を含む）及び該前面基板を適用したＰＤＰについても妥当であり、同様の効果が得られる。そこで、以下に実施の形態２の変形例を説明する。
【０１５０】
図６に実施の形態２に係る第２の前面基板５４Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５４Ｆの維持放電電極ＸＣ，ＹＣは、図４の維持放電電極ＸＢ，ＹＢにおいて各母線部ｂに属する複数の放電ギャップ隣接部ａを一体化（連続化）した平面パターンを有する。すなわち、維持放電電極ＸＣ，ＹＣはそれぞれ、複数の放電ギャップ隣接部ａを一体化したパターンにあたる１つの放電ギャップ隣接部ｄが、第２方向Ｄ２に隣接する複数の架橋部ｃの全てに共通に接続している。なお、前面基板５４Ｆのその他の構成は図４の前面基板５３Ｆと同様である。
【０１５１】
前面基板５１Ｆに変えて前面基板５４Ｆを適用したＰＤＰ５１では、図４の前面基板５３Ｆと同様に、各架橋部ｃがバリアリブ７の帯状パターン間に配置される。
【０１５２】
前面基板５４Ｆによれば、維持放電電極ＸＣ，ＹＣとバリアリブ７との相対位置が維持放電電極ＸＣ，ＹＣの伸長方向（すなわち第２方向Ｄ２）にずれたとしても、放電ギャップ隣接部ｄのうちで各放電空間５１Ｓに対面する各部分（すなわち各セルＣ内で面放電が行なわれる各主要部分）の面積や形状は上記ずれに影響を受けない。従って、各放電空間５１Ｓにおいてもパネル全面においても安定した表示性能が得られる。
【０１５３】
ところで、放電ギャップ隣接部ｄは第２方向Ｄ２に延在し、バリアリブ７を挟んで第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電セルＣに跨っている。このため、先述の図４のように各放電セルＣ毎に設けられた放電ギャップ隣接部ａに比べると、放電ギャップ隣接部ｄを有するＰＤＰでは隣接する放電セルＣが相互に干渉して放電セルＣの選択性が低くなる場合がある。ここで、例えば特開２０００−１９５４３１号公報や特開２０００−３１１６１２号公報には、維持放電電極を覆う誘電体層の厚さを放電ギャップ部及び放電ギャップ隣接部を覆う部分よりも母線部を覆う部分で充分に厚くすることにより、母線部ｂ上での放電を抑止する技術が開示されている。この場合、誘電体層における被覆厚さの差を実用上１０μｍレベル以上にする必要があると考えられ、必然的に放電ギャップ部及び放電ギャップ隣接部上方にはバリアリブとカソード膜との間に１０μｍレベル以上の隙間が形成されてしまう。つまり、当該隙間を介して、隣接する放電セル間で放電が干渉しうる。従って、誘電体層に厚さ分布を持たせた場合、上記隙間を介した放電の干渉を抑制するためには、バリアリブを挟んで並ぶ複数の放電セルに跨った放電ギャップ隣接部を用いることは難しく、各放電セル毎に設けられる放電ギャップ隣接部を用いる必要がある。
【０１５４】
これに対して、誘電体層３の厚さ分布を与えるのではなく放電不活性膜２２を用いることによって、バリアリブ７を挟んで並ぶ複数の放電セルＣに跨った放電ギャップ隣接部ｄが適用可能になる。なぜならば、放電不活性膜２２は２次電子放出特性が低いという性質を利用して放電の発生を抑えるので、実施の形態１で述べたように膜厚を１０μｍレベル以下、更には５μｍレベル以下に設定することにより（このような厚さであっても充分に放電抑止効果は得られる）、上記隙間をより狭くすることができるからである。放電ギャップ隣接部ｄは複数の架橋部ｃに跨って連続する（複数の架橋部ｃに接続されている）ので、たとえ１個の架橋部ｃが断線しても他の架橋部ｃが断線していなければ、断線した架橋部ｃに近接する放電ギャップ隣接部ｄへの給電は充分に可能である。このため、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０１５５】
ところで、図７の平面図に示すように、バリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＣ，ＹＣの各架橋部ｃとが対面するように、前面基板５４Ｆ及び背面基板５１Ｒ（図２３参照）を、従ってＰＤＰ５１を構成しても良い。
【０１５６】
このＰＤＰ５１では各架橋部ｃの一部又は全体が放電空間５１Ｓに対面しないので、架橋部ｃでの放電は、架橋部ｃと放電空間５１Ｓが対面する図６の場合に比して弱くなるかゼロになる。このため、各放電ギャップ隣接部ａでの放電が各放電セルＣの放電特性をより一層支配する又は全て支配することになる。従って、上述の放電不活性膜２２のパターンエッジの形成位置ずれやガタツキによる不具合を、より一層弱めることができる又は解消することができる。
【０１５７】
同様に、図８の平面図に示すように、バリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＢ，ＹＢの各架橋部ｃとが対面するように、換言すれば第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電ギャップ隣接部ａ間の各領域がバリアリブ７の各帯状パターンに対面しないように、既述の前面基板５３Ｆ及び背面基板５１Ｒ（図２３参照）を、従ってＰＤＰ５１を構成しても良い。なお、かかる構成のＰＤＰ５１は、上述の図７のＰＤＰ５１の１つの放電ギャップ隣接部ｄを平面視においてバリアリブ７の帯状パターン間で維持放電電極ＸＣ，ＹＣの伸長方向（第２方向Ｄ２）に分断した構造に相当する。
【０１５８】
図８のＰＤＰ５１では、図７のＰＤＰ５１と比較して、各放電セルＣでの放電ギャップ隣接部のパターン面積が小さい。しかし、放電ギャップ隣接部ａ上方の放電空間５１Ｓ内に生じたプラズマは隣接する放電ギャップ隣接部ａ間の領域（上記分断領域）に広がる。このため、図８のＰＤＰ５１によれば、図７のＰＤＰ５１と比べて放電電流を減少させることができると共にプラズマから発せられる紫外線量は図７のＰＤＰ５１と同程度とすることができる。つまり、放電電流の割にはプラズマから発せられる紫外線量を多くすることができる。従って、発光効率が向上する。特に、この効果は放電不活性膜２２を設けない場合でも得られる。
【０１５９】
図９に実施の形態２に係る第３の前面基板５５Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５５Ｆの維持放電電極ＸＤ，ＹＤは、図４の前面基板５３Ｆにおいて隣接する表示ラインＬ間の２つの維持放電電極ＸＢ，ＹＢを、より具体的には２つの母線部ｂを一体化（連続化）した平面パターンを有する。このため、隣接する表示ラインＬが１本の維持放電電極ＸＤ又はＹＤを共有している。逆に言えば、維持放電電極ＸＤ，ＹＤのそれぞれが隣接する表示ラインＬの双方を規定している。
【０１６０】
前面基板５５Ｆでは、隣接維持放電電極対間ギャップ部ＮＧ（図４参照）が無く、複数の維持放電電極Ｘ，Ｙ間に在る複数のギャップ部は全て放電ギャップ部ＤＧにあたる。各維持放電電極ＸＤ，ＹＤにおいて、隣接する表示ラインＬ間ないしは隣接する放電ギャップ部ＤＧ間には１つの母線部ｂが配置されており、複数の架橋部ｃは当該１つの母線部ｂの両側（図９では上下に）に分けて設けられており各側の架橋部ｃは上記隣接する表示ラインＬに向けて伸長している。そして、維持放電電極ＸＤ，ＹＤの各架橋部ｃにそれぞれ放電ギャップ隣接部ａが接続している。なお、母線部ｂの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５５Ｆのその他の構成は図４の前面基板５３Ｆと同様であり、前面基板５５Ｆによれば図４の前面基板５３Ｆと同様の効果を奏する。
【０１６１】
図１０に実施の形態２に係る第４の前面基板５６Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。前面基板５６Ｆの維持放電電極ＸＥ，ＹＥは、図６の前面基板５４Ｆにおいて隣接する表示ラインＬ間の２つの維持放電電極ＸＣ，ＹＣを、より具体的には２つの母線部ｂを一体化（連続化）した平面パターンを有する。
【０１６２】
各維持放電電極ＸＥ，ＹＥは、図９の維持放電電極ＸＤ，ＹＤと同様の１つの母線部ｂ及び複数の架橋部ｃを含んでおり、更に２つの放電ギャップ隣接部ｄを含んでいる。複数の架橋部ｃの一部の架橋部ｃ（具体的には母線部ｂの一方の側において第２方向Ｄ２に並ぶ（複数の）架橋部ｃ）の全てに共通に１つの放電ギャップ隣接部ｄが接続しており、同様に、複数の架橋部ｃの残りの架橋部ｃ（具体的には母線部ｂの他方の側において第２方向Ｄ２に並ぶ（複数の）架橋部ｃ）の全てに共通にもう一つの放電ギャップ隣接部ｄが接続している。なお、母線部ｂの幅（第１方向Ｄ１の寸法）は適宜設定される。前面基板５６Ｆのその他の構成は図６の前面基板５４Ｆと同様であり、前面基板５６Ｆによれば図６の前面基板５４Ｆと同様の効果を奏する。
【０１６３】
なお、図７のＰＤＰ５１と同様に、前面基板５６Ｆと背面基板５１Ｒ（図２３参照）とをバリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＥ，ＹＥの各架橋部ｃとが対面するように配置しても良い（図１１参照）。また、図８のＰＤＰ５１と同様に、既述の前面基板５５Ｆと背面基板５１Ｒ（図２３参照）とをバリアリブ７の各帯状パターンと各維持放電電極ＸＤ，ＹＤの各架橋部ｃとが対面するように、換言すれば第２方向Ｄ２に並ぶ複数の放電ギャップ隣接部ａ間の各領域がバリアリブ７の各帯状パターンに対面しないように、配置しても良い（図１２参照）。図１１及び図１２のＰＤＰ５１によれば、図７及び図８のＰＤＰ５１と同様の効果がそれぞれ得られる。
【０１６４】
＜実施の形態３＞
図１３に実施の形態３に係る前面基板５７Ｆ及び当該前面基板５７Ｆを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図を示す。なお、図１３中の符号Ｒ，Ｇ，Ｂは第１方向Ｄ１に並ぶ各放電セル群ないしは第１方向Ｄ１に伸長する各放電空間５１Ｓに接する蛍光体８の発光色（赤色，緑色，青色）を示している。
【０１６５】
前面基板５７Ｆは既述の放電不活性膜２１（図２参照）に相当の放電不活性膜２３を備えており、その他の構成は前面基板５１Ｆ（図２参照）と同様である。前面基板５７Ｆの放電不活性膜２３は、図２の放電不活性膜２１とは異なる平面パターンの露出表面２３Ｓを有している。
【０１６６】
詳細には、放電不活性膜２３は第１方向Ｄ１に伸長した各蛍光体８のうちで青色発光用の蛍光体８に対面する部分においてパターン幅（第１方向Ｄ１の寸法）が他の部分よりも狭くなっている。これに対応して、前面基板５７Ｆにおいてカソード膜１１の露出表面１１Ｓは青色発光用の蛍光体８に対面する部分のパターン幅（第１方向Ｄ１の寸法）が他の部分よりも広くなっている。このため、青色発光用セルＣでは赤色及び緑色発光用セルＣよりもカソード膜１１の露出表面１１Ｓが広い。これにより、各放電セルＣ内において前面基板５７Ｆ上に形成される各面放電５０（図２３参照）及びそれの放電電流を、赤色及び緑色発光用セルＣ内よりも青色発光用セルＣ内において大きくすることができる。従って、前面基板５７Ｆを備えたＰＤＰ５１によれば、赤色及び緑色に比べて青色がより強く発光するので、白色表示の色温度をより高くすることができる。
【０１６７】
なお、例えば緑色発光用セルＣ内の面放電５０を赤色及び青色発光用セルＣ内の面放電５０よりも小さくなるように放電不活性膜２３及びカソード膜の露出表面２３Ｓ，１１Ｓのパターン形状を調整することにより、白色表示の黒体輻射軌跡からのずれをより低くすることができる。
【０１６８】
このように、複数の放電セルＣ内において前面基板５７Ｆ上に形成される各面放電５０の大きさが複数の放電セルそれぞれの発光色に依存するように、放電不活性膜２３及びカソード膜１１の露出表面２３Ｓ，１１Ｓがパターニングされているので、前面基板５７Ｆ及びそれを備えたＰＤＰ５１によれば、発光色毎に発光強度を調整できる。これにより、表示の色バランスを改善することができる。
【０１６９】
なお、図１３では放電不活性膜２３のパターンエッジがパターン幅が変化する部分で平面視において角張っている場合を図示しているが、当該パターンエッジを曲線的に（滑らかに）形成してパターン幅を変化させても良い。また、放電不活性膜２３は（既述の放電不活性膜２１と同様の）スクリーン印刷法や蒸着リフトオフ法等でパターン形成可能である。
【０１７０】
また、実施の形態３に係る放電不活性膜２３と既述の維持放電電極ＸＡ〜ＸＥ，ＹＡ〜ＹＥと組み合わせても、同様の効果が得られる。
【０１７１】
＜実施の形態４＞
図１４に実施の形態４に係る前面基板５８Ｆを説明するための平面図を示す。前面基板５８Ｆは既述の放電不活性膜２１（図２参照）に相当の放電不活性膜２４を備えており、その他の構成は前面基板５１Ｆ（図２参照）と同様である。前面基板５８Ｆの放電不活性膜２４は、放電不活性膜２１の露出表面２１Ｓ（図２参照）と同様の複数の帯状パターン及び更なる複数の帯状パターンから成る。
【０１７２】
詳細には、放電不活性膜２４の上記更なる複数の帯状パターンは前面基板５８Ｆの平面視において維持放電電極Ｘ，Ｙに対面して配置されており、しかも平面視において維持放電電極Ｘ，Ｙの各々を維持放電電極Ｘ，Ｙの配列方向すなわち第１方向Ｄ１に分断する（ここでは２分割する）ように配置されている。つまり、放電不活性膜２４は複数の表示ラインＬ間に対応する領域及び平面視において複数の維持放電電極Ｘ，Ｙの各々を第１方向に分断する領域に露出表面２４Ｓを有している。なお、放電不活性膜２４は（既述の放電不活性膜２１と同様の）スクリーン印刷法や蒸着リフトオフ法等でパターン形成可能である。
【０１７３】
これに対応して、前面基板５８Ｆのカソード膜１１（の露出表面１１Ｓ）は、前面基板５１Ｆの同露出表面１１Ｓが上述の更なる複数の帯状パターンによって分断されたパターンになる。従って、各放電セルＣでの面放電５０（図２３参照）は、放電ギャップ部ＤＧに近い（ないしは放電ギャップ部ＤＧ上の）露出表面１１Ｓから、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓへ段階的に（ステップ的に）広がっていく。このため、前面基板５８Ｆでは、放電ギャップ部ＤＧに近い露出表面１１Ｓ上で放電が盛んに生じている最中には、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓ上では放電は未だ盛んではなく、放電ギャップ部ＤＧから遠い露出表面１１Ｓ上で放電が盛んに生じる頃には、放電ギャップ部ＤＧに近い露出表面１１Ｓでの放電が殆ど終息している。
【０１７４】
このような放電形態によれば、放電の瞬間ピーク電流を減少させることができるので、図１の駆動装置９１のピーク負荷を減少させることができる。その結果、駆動装置９１のコストを低減することができる。
【０１７５】
更に、前面基板５８Ｆを備えたＰＤＰ５１では、前面基板５１Ｆを備えたＰＤＰ５１と比べて、カソード膜１１の露出表面１１Ｓ上に形成される放電（プラズマ）の瞬間ピーク量が少ないが、プラズマは同程度に広がるので瞬間の紫外線の発生量はほとんど同じである。つまり、放電のために投入されたエネルギーに対する紫外線発生の効率が向上するので、表示の発光効率が向上する。
【０１７６】
ところで、例えば特開平１０−１４９７７４号公報には、放電不活性膜を備えておらず且つ維持放電電極のパターンが維持放電電極の配列方向に分断されたＰＤＰが開示されている。これに対して、前面基板５８Ｆでは放電不活性膜２４のうちで維持放電電極Ｘ，Ｙを分断するように設けられた部分の下方の維持放電電極Ｘ，Ｙ自体はパターン分断されてはいない。従って、前面基板５８Ｆを備えたＰＤＰ５１の方がより強い電界を放電空間５１Ｓ内に印加できるので放電開始電圧が低くてすむという点で優位性を有する。
【０１７７】
なお、放電不活性膜２４と既述の図３の前面基板５２Ｆの維持放電電極ＸＡ，ＹＡとを組み合わせても同様の効果が得られる。
【０１７８】
＜実施の形態５＞
既述のように、本願発明者の調査によれば、上述の蒸着リフトオフ法で形成された放電不活性膜２１Ｐを備えるＰＤＰ５１Ｐに図２５の駆動方法を適用すると、書込み期間ＡＤで選択したにもかかわらず、放電維持期間ＳＵで維持放電が発生しないという不具合が生じることが見出された。経験的には、このような不具合は、書込み期間ＡＤに先行するリセット期間ＲＥＰでの壁電荷の初期化が不安定なことに起因する場合が多い。これに基づくと当該不具合のメカニズムは以下のように推定される。
【０１７９】
放電維持期間ＳＵでの維持パルスの電圧（１５０〜２００Ｖ）程度では、面放電５０は維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで放電不活性膜２１Ｐに被覆されていない部分でしか起こらない。しかし、図２５のリセット期間ＲＥＰの第２期間ＲＥ２Ｐでは、全てのセル内に充分に強力なプライミング放電を形成するために、維持パルスよりも高い電圧（２５０〜４００Ｖ）が急峻なスイッチングで以て維持放電電極Ｘ，Ｙ間に印加される。このため、維持放電電極Ｘ，Ｙのうちで放電不活性膜２１Ｐに被覆された部分でもプライミング放電が確率的に発生し、該部分上方の放電不活性膜２１Ｐの表面上にも壁電荷が蓄えられる。ところが、後続の第３期間ＲＥ３では、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧は維持パルスの電圧と同程度（１５０〜２００Ｖ）でしかないので、壁電荷を初期化するための消去放電は維持放電電極Ｘ，Ｙのうちの放電不活性膜２１Ｐに被覆された上記部分では発生し難い。従って、上述の確率的なプライミング放電が発生すると、上述のようにして放電不活性膜２１Ｐに蓄えられた壁電荷が初期化されないまま書込み期間ＡＤに移行してしまい、その結果として書込み放電が不安定になり上述の不具合が生じる。
【０１８０】
そこで、実施の形態５では、かかる問題点を解決しうるＰＤＰ及びプラズマディスプレイ装置を提供する。
【０１８１】
図１５に実施の形態５に係るＰＤＰの駆動方法ないしは駆動シーケンスを説明するためのタイミングチャート（電圧波形）を示す。図１の駆動装置９１は当該タイミングチャートに従ってＰＤＰ５１の電極Ｘ，Ｙ，Ｗに所定の電位を与えてＰＤＰ５１を駆動する。ここでは、プラズマディスプレイ装置１０１のＰＤＰ５１が前面基板５１を備える場合を説明するが、前面基板５２Ｆ（図３参照）等が適用されたＰＤＰ５１に対しても本駆動方法は適用可能である。
【０１８２】
図１５に図示のリセット期間ＲＥは図２５のリセット期間ＲＥＰに変えて適用される。特に、実施の形態５に係るリセット期間ＲＥは図２５の第２期間ＲＥ２Ｐに変えて第２期間ＲＥ２を備え、第１及び第３期間ＲＥ１，ＲＥ３は図２５のタイミングチャートと同様である。具体的には、図２５の第２期間ＲＥＰでは、全てのセル内にプライミング放電を発生させるために維持放電電極Ｘに印加する電圧を、中間電位Ｖｘｍから最高電位Ｖｘｈへ急峻に遷移させる（パルスＰ３Ｐの立ち上がりを参照）のに対して、実施の形態５に係る駆動方法では駆動装置９１が維持放電電極Ｘの電位を漸増することによって上記電位の遷移を行う（パルスＰ３Ｐに変わるパルスＰ３の立ち上がりを参照）。これにより、隣接する維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増する。なお、図１５にはパルスＰ３が直線的に漸増する場合（いわゆるランプ波形）を図示しているが、パルスＰ３として曲線的に漸増するパルスを用いることも可能である。
【０１８３】
このような駆動方法によれば、維持放電電極Ｘの電位が最高電位Ｖｘｈへ到達する途中のあるタイミングで放電空間５１Ｓ内の電界強度が放電開始に必要なレベルに達し、放電ギャップ部ＤＧ近傍で維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電５０が開始する。放電が開始すると放電空間５１Ｓ内に荷電粒子による放電電流が流れるので、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧とは逆向きの電界が生じるようにカソード膜１１の露出表面１１Ｓ上の放電ギャップ部ＤＧ近傍に電荷が蓄えられる（壁電荷の蓄積）。
【０１８４】
特に、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増するペースを充分に遅くすることによって、維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差の漸増ペースよりも壁電荷が蓄えられるペースの方を速くすることができる。この場合、維持放電電極Ｘ，Ｙ間への印加電圧及び壁電荷による両電界の相殺作用によって、放電が開始するや否や放電空間５１Ｓ内の電界が放電を持続するのに必要なレベル以下になり、放電ギャップ部ＤＧ近傍で発生した維持放電電極Ｘ，Ｙ間の面放電５０が第１方向Ｄ１に充分に広がる前に、一旦停止する。引き続き維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差が漸増していき放電空間５１Ｓ内の電界が放電開始に必要なレベルに達すると、再び面放電５０が始まる。しかし、再度の面放電５０も上述のメカニズムによって充分には広がらない。なお、この現象は、例えば特開平９−２３７５８０号公報に開示される、放電不活性膜を有さない面放電ＡＣ型ＰＤＰにおいても同様である。
【０１８５】
従って、リセット期間ＲＥにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ間の電位差を漸増することによって、プライミング放電としての面放電５０が放電不活性膜２１の露出表面２１Ｓに及ぶ（届く）のを抑制することができる。これにより、放電不活性膜２１にプライミング放電を通じて確率的に壁電荷が蓄えられるのを防止することができるので、後続の第３期間ＲＥ３を通じた壁電荷の初期化が安定化する。その結果、書込み期間ＡＤでのセル選択性が確保され、選択された放電セルＣ内に放電維持期間ＳＵにおいて確実に維持放電を発生させることができる。
【０１８６】
さて、前面基板５３Ｆ，５４Ｆが適用されたＰＤＰ５１（図４〜図８参照）において、架橋部ｃの維持放電電極の伸長方向（すなわち第２方向Ｄ２）の幅を充分に細くすることによっても、既述のメカニズムの通りに、リセット期間ＲＥにおいて放電ギャップ隣接部ａ，ｄで発したプライミング放電（面放電）を放電ギャップ隣接部ａ，ｄの範囲内又は架橋部ｃの途中までに局在化することができる。なお、この現象に関しては、例えば特開平９−２３７５８０号公報やProceedings of the 5th International Display Workshops(IDW'98), pp.531-534において、放電不活性膜を有さない面放電ＡＣ型ＰＤＰに関して説明されている。
【０１８７】
従って、前面基板５３Ｆ，５４Ｆ（図４〜図８参照）の放電不活性膜２２のパターンを平面視において放電ギャップ隣接部ａ，ｄを被覆しないように配置し、更に好ましくは放電ギャップ隣接部ａ，ｄから充分に離すことによって、リセット期間ＲＥにおいて維持放電電極間に生じるプライミング放電（面放電）が、放電不活性膜２２の露出表面２２Ｓに及ぶ（届く）のを抑制することができる。なお、上述のように、このような前面基板５３Ｆ，５４Ｆを備えたＰＤＰ５１と図１５の駆動方法とを組み合わせて良い。
【０１８８】
更に、隣接する表示ラインで１本の維持放電電極を共有する構造に放電不活性膜を適用したＰＤＰにおいても、上述の駆動方法及び構造によって放電不活性膜の露出表面にまでプライミング放電が及ぶのを抑制することは可能であり、同様の効果が得られる。なお、隣接する表示ラインで１本の維持放電電極を共有する構造に放電不活性膜を適用した上述のＰＤＰには、例えば図３の前面基板５２Ｆや図９〜図１２の前面基板５５Ｆ，５６Ｆを備えたＰＤＰ５１、及び、例えば特開２０００−３９８６６号公報や特開２００１−１４７６６０号公報に開示されるＰＤＰが含まれる。また、これらのＰＤＰを、例えば上記特開２０００−３９８６６号公報や上記特開２００１−１４７６６０号公報に開示される駆動シーケンスにおいてリセット期間に相当する期間を例えば図１５のリセット期間ＲＥに変えたシーケンスで駆動することにより、放電不活性膜にまでプライミング放電が届かないようにすることができる。その結果、書込み期間で選択された放電セル内に放電維持期間で確実に維持放電を発生させることができる。また、特開２００１−１５０３４号公報の図８及び図１０に開示される駆動シーケンスや、Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops (Asia Display/IDW'01)のpp.869-872のFig.4及びFig.5に開示される駆動シーケンスや、同pp.1757-1758のFig.3及びFig.4に開示される駆動シーケンスは維持放電電極Ｘ，Ｙ間の印加電圧を漸増することによりプライミング放電を発生させるので、これらの駆動シーケンスを適用することによっても同様の効果が得られる。
【０１８９】
＜実施の形態１〜５に共通の変形例＞
例えば上述の前面基板５１ではカソード膜１１上に放電不活性膜２１を配置しているが、カソード膜及び放電不活性膜を図１６及び図１７の断面図に示す前面基板５９Ｆ，６０Ｆのように配置しても良い。
【０１９０】
詳細には、図１６の前面基板５９Ｆでは誘電体層３、放電不活性膜２５及びカソード膜１５がこの順序で配置されている。そして、放電不活性膜２５は、既述のカソード膜１１（図２参照）と同様に、維持放電電極Ｘ，Ｙを覆って誘電体層３上に全面的に形成されている。また、カソード膜１５は、既述の放電不活性膜２１（図２参照）と同様に、複数の帯状パターンから成る。但し、前面基板５９Ｆの平面視において放電不活性膜２５及びカソード膜１５の両露出表面２５Ｓ，１５Ｓが、既述の放電不活性膜２１及びカソード膜１１の両露出表面２１Ｓ，１１Ｓと同様に配置されるように、カソード膜１５はパターニングされている。
【０１９１】
また、図１７の前面基板６０Ｆでは誘電体層３上に放電不活性膜２６及びカソード膜１６の双方が配置されている。そして、前面基板６０Ｆの平面視において放電不活性膜２６及びカソード膜１６の両露出表面２６Ｓ，１６Ｓが、既述の放電不活性膜２１及びカソード膜１１の両露出表面２１Ｓ，１１Ｓと同様に配置されるように、放電不活性膜２６及びカソード膜１６はパターニングされている。
【０１９２】
カソード膜１５と放電不活性膜２５との配置関係及びカソード膜１６と放電不活性膜２６との配置関係は、既述の他の前面基板５２Ｆ等にも適用可能であることは言うまでもない。
【０１９３】
また、ＰＤＰ５１ではバリアリブ７は背面基板５１Ｒ上に設けられているが、バリアリブ７を前面基板５１Ｆ上にカソード膜よりも先に形成されるように配置しても構わない。また、ＰＤＰ５１ではバリアリブ７は第１方向Ｄ１に伸長する帯状のパターンで設けられているが、表示ラインＬ間に対応する位置で第２方向Ｄ２に伸長する成分が加わった格子状のパターンで設けても構わない。
【０１９４】
また、ＰＤＰ５１では前面基板５１Ｆ側のみならず背面基板５１Ｒ側からも表示光を取り出すことは可能である。
【０１９５】
また、プラズマディスプレイ装置１０１ではアドレス期間ＡＤにおいて維持放電電極Ｙを、従って表示ラインＬを順次選択（走査）する場合を述べたが、アドレス電極Ｗを走査電極として駆動することも可能である。
【０１９６】
＜実施の形態６＞
図１８に実施の形態６に係る第１の前面基板６１Ｆ及びこれを備えたＰＤＰ５１を説明するための平面図（レイアウト図）を示す。前面基板６１Ｆは既述の図７に示す前面基板５４Ｆの維持放電電極ＸＣ，ＹＣを維持放電電極ＸＦ，ＹＦに変えた構造を有しており、前面基板６１Ｆのその他の構造は基本的に前面基板５４Ｆと同様である。前面基板６１Ｆの維持放電電極ＸＦ，ＹＦは、前面基板５４Ｆと同様の母線部ｂ及び架橋部ｃと、放電ギャップ隣接部ｅとを含んでいる。
【０１９７】
放電ギャップ隣接部ｅは、平面視において、当該放電ギャップ隣接部ｅが接する放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、バリアリブ７の隣接する帯状パターン（ないしは第１成分）によって規定される領域において第２方向Ｄ２に関する中心部（中央部）よりも当該バリアリブ７の帯状パターンに近い部位で広くなるような形状を有している。すなわち、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１の寸法が上述のようになるように、放電ギャップ隣接部ｅの放電ギャップ部ＤＧ側のアウトライン（又はパターンエッジ）が設計されている。具体的には、図１８の前面基板６１Ｆにおいて放電ギャップ隣接部ｅは、第２方向Ｄ２に沿って隣接する複数の放電ギャップ隣接部（複数の放電ギャップ隣接部ａに対応するが、平面視上台形をしている）が互いに接して一体化したパターンを有している（第２方向Ｄ２に沿って隣接する複数の架橋部ｃに跨って連続したパターンを有している）。なお、図１８の前面基板６１Ｆでは放電ギャップ隣接部ｅの母線部ｂ側のアウトライン（又はパターンエッジ）は直線的に形成されている。
【０１９８】
図１８の形状の放電ギャップ隣接部ｅによれば、放電ギャップ部ＤＧを挟む維持放電電極ＸＦ，ＹＦ間に電圧が印加された時に放電ギャップ部ＤＧ上方の放電空間に形成される電界強度をバリアリブ７に近い部分よりバリアリブ７から離れた上記中央部において強いものとすることができる。これによって、維持放電電極ＸＦ，ＹＦ間の面放電は上記中央部を起点として広がるようにすることができる。従って、バリアリブ７に近い部分が上記面放電の起点となることが殆ど無くなるので、プラズマ中の荷電粒子がバリアリブ７もしくはバリアリブ７の側壁面を被覆している蛍光体８に衝突してエネルギーを損失するに至るまでのプラズマのエネルギーを大きくすることができる。しかも、バリアリブ７に近い部分では放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が広くなることで、実際に維持放電を起こしている維持放電電極部分の面積に比してプラズマの広がり領域を大きなものにすることができる。これらの理由により、維持放電電流と対比してプラズマから発せられる紫外線量を増やすことができるので、発光効率が向上するという効果が得られる。
【０１９９】
図１８の前面基板６１Ｆの放電ギャップ隣接部ｅは図７の放電ギャップ隣接部ｄの放電ギャップ部ＤＧに面した側のアウトラインだけを変えたものにあたるが、図１９に示す実施の形態６に係る第２の前面基板６２Ｆのように放電ギャップＤＧと反対側の（つまり母線部ｂ側の）アウトラインも同時にバリアリブ７に近い部分で変えることは自在である。図１９の前面基板６２Ｆでは、平面視上、放電ギャップ隣接部ｅの第１方向Ｄ１に沿った寸法は、バリアリブ７に近い部分においても、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部においても同じものとしている。従って、図１８の前面基板６１Ｆよりも維持放電電流が大きくなるので、輝度が向上する。
【０２００】
また、図２０に示す実施の形態６に係る第３の前面基板６３Ｆのように、単位当り（１つの放電セル当たり又はバリアリブ７の隣接する２つの帯状パターンで規定される１つの領域当たり）の放電空間５１Ｓ内における放電ギャップ隣接部ｅを、放電ギャップ部ＤＧに向かって突き出すアーチ形状としても、同様の効果が得られる。
【０２０１】
ところで、図１８〜図２０のように、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部に比べて、バリアリブ７に近い部分で広くなるようにした例が、特開２００１−１６０３６１号公報の図１１〜図１５や、Society for Information Displayの２００１年国際シンポジウム会議（SID 01）DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1に開示されている。
【０２０２】
しかし、特開２００１−１６０３６１号公報においては、母線部（基部）においても維持放電が行なわれている。この場合、互いに隣接する表示ラインの境界に面する母線（ないしは隣接する表示ライン間に在る２つの母線）の間隔を相当に広いものとしなければ、互いの表示ラインにおける面放電が干渉して誤放電が起こり易くなるという問題がある。ところが、母線間の上記間隔を広くすると、遮光質の母線がセルの発光中心に近付くことになるので、発光効率が低くなる。また、母線部で放電を起こしても、遮光質なので、放電による電力消費が増える割に輝度は増えないことになり、発光効率は更に低いものとなる。
【０２０３】
これに対して、本発明に係る図１８〜図２０の前面基板６１Ｆ，６２Ｆ，６３Ｆでは、既述の実施の形態１，２に準じた放電不活性膜２２を母線部ｂに対して形成するので、母線部ｂで放電を起こさないようにすることができる。従って、上記の誤放電の問題に配慮する必要がなくなるので、隣接する表示ラインＬの境界に面する母線部ｂの間隔を狭くすることができる。これにより発光効率が向上するという効果が得られる。
【０２０４】
また、特開２００１−１６０３６１号公報に開示される維持放電電極Ｘ，Ｙは放電ギャップ隣接部を含め全体が透明電極を含まず、金属電極のみから成るので、放電ギャップ隣接部によって蛍光体からの発光が遮られてしまう。これに対して、実施の形態６及び後述の実施の形態７では放電ギャップ隣接部を透明電極（透明部）で構成することによって当該放電ギャップ隣接部が蛍光体からの発光を遮らないようにすることができるので、発光効率をより高めることができる。
【０２０５】
一方、SID 01 DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1の構造では、バリアリブをメアンダ状のパターンにし、バス電極もメアンダ状のパターンとし、母線部であるバス電極を、メアンダ状リブによって縊れている放電ガス空間の部分に一部存在するのを除いては、バリアリブとオーバーラップさせることによって、母線部で放電が起こらないようにしている。しかし、一般にバリアリブのパターン幅は、放電空間をなるべく広く取って高い輝度が得られるよう、加工精度の限界（大面積ディスプレイなら５０μｍ程度）まで細くするのが普通である。従って、バス電極のパターン幅も５０μｍ程度以下とする必要があるが、それにより導抵抗が高くなりバス電極に電流が流れる時の電圧降下や電力損失が大きくなるという問題や、バス電極パターン形成時のパターン断線が起こり易くなるという問題を伴う。また、メアンダ状バリアリブパターンとメアンダ状バス電極パターンとの位置合わせが上記SID 01 DIGEST，pp.1328-1331のFigure 1の状態から少しでもずれると、放電の起こり易い広い放電空間にバス電極の一部が面するようになる。しかも、放電が行なわれるアーチ状透明電極とバス電極との結合部分が、上記広い放電空間に面するようになるので、当該結合部分に近接するバス電極の部分にまで放電が広がるのを抑えるのが困難になる。このため、上記の僅かのずれによってもセルの発光効率は低くなり、セルの放電電流も少なからず変化するという問題がある。実際には、大面積のプラズマディスプレイパネルの表示領域の全域に渡って、メアンダ状バリアリブパターンとメアンダ状バス電極とのずれを性能上無視できるほどのレベルにするのは非常に困難であるため、パネルの発光効率を最大化することも、セルの放電・発光特性の面内均一性を良好にすることも難しいと考えられる。
【０２０６】
これに対して、本発明に係る図１８〜図２０では、放電不活性膜２２がバス電極２を含む母線部ｂを被覆している。たとえ放電不活性膜２２のパターンの形成位置ずれ等の要因から母線部ｂの一部が放電不活性膜２２から少しはみ出たとしても、放電ギャップ隣接部ｅと母線部ｂとは第１方向Ｄ１に関して距離を隔てているので、放電ギャップ隣接部ｅで始まった維持放電が当該母線部ｂにまで及ばないようにすることができる。換言すれば、本発明に係る図１８〜図２０の構造では、維持放電が開始される放電ギャップ隣接部ｅと電流が流れる幹線である母線部ｂとを離間して配置することによって（架橋部ｃを介して配置することによって）、母線部ｂに維持放電が及び難いような構造としている。このため、大面積化に有利である。
【０２０７】
ところで、図１８〜図２０において、架橋部ｃとバリアリブ７との第２方向Ｄ２に関する位置ずれが大きくなると、架橋部ｃがバリアリブ７からはみ出して放電空間５１Ｓに面する部分が大きくなって、架橋部ｃにも維持放電が及ぶ場合がある。このとき更に例えば放電不活性膜２２も大きく位置ずれして母線部が放電不活性膜２２からはみ出ると、放電ギャップ隣接部ｅ→架橋部ｃ→母線部ｂへと維持放電が飛び火していく可能性がある。これを抑えるには、実施の形態２の図４の構造で説明したように架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅を充分に小さくすることによって、架橋部ｃにおける放電を母線部ｂへ飛び火しない程度に充分に弱くするか実質ゼロにすればよい。すなわち、架橋部ｃを被覆している誘電体層３及びカソード膜１１を介して放電空間５１Ｓに及ぼす電界強度を相応に弱くすれば良く、それに適した架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は、当該架橋部ｃを被覆している誘電体層３及びカソード膜１１の被覆厚さ（第３方向Ｄ３の寸法）の最大で略２倍以下、好ましくは略１倍以下と言える。このような架橋部ｃを有するＰＤＰによれば、架橋部ｃでの放電を抑えられるので、バリアリブ７と架橋部ｃとの位置合わせ精度への要求が緩和される。このため、大面積化に有利である。通常、誘電体層３の維持放電電極上の被覆厚さは、絶縁耐力の確保と放電開始電圧の抑制との事由から２５〜５０μｍの範囲であり、一方カソード膜４のそれはせいぜい１μｍレベルである。従って、架橋部ｃの第２方向Ｄ２のパターン幅は略５０μｍ以下にすることが求められる。このような細いパターン幅では、架橋部ｃのパターン形成時において断線が発生しやすくなるが、本発明に係る図１８〜図２０の構造によれば放電ギャップ隣接部ｅが複数の架橋部ｃに跨って連続したパターンとなっているので、１個の架橋部ｃが断線しても他の架橋部ｃが断線していなければ、断線した架橋部ｃに近接する放電ギャップ隣接部ｅへの給電は充分に可能である。このため、高い製造歩留を得るのに有利である。また、架橋部ｃは母線部ｂに比べると流れる最大電流が極めて少ないので、架橋部ｃを金属電極より導電性が桁違いに低い透明電極で構成した場合であっても、パターン幅を細くすることに伴って架橋部ｃにおける導電性が低下することが、性能上問題になることは殆ど無い。従って、架橋部ｃを上記のように細くすることは、本発明に係る図１８〜図２０では実用可能なことである。なお、上記のことは、図６，図７，図１０，図１１においても放電ギャップ隣接部ｄが複数の架橋部に跨って連続したパターンとなっているので同様である。一方、図４，図８，図９，図１２では、放電ギャップ隣接部ａは架橋部ｃの１個単位で分断されたパターンとなっているので、架橋部ｃが断線するとそれに近接する（接続した）放電ギャップ隣接部ａへの給電はできなくなる。しかし、この場合の表示欠陥は点欠陥であり、電流を流す幹線であるバス電極２或いは母線部ｂが断線した場合の連続的線欠陥と比較すると、表示品位を著しく低下させるものではない。
【０２０８】
なお、図１８〜図２０では、図７の構造において、放電ギャップ隣接部ｄの形状を、放電ギャップ部ＤＧの第１方向Ｄ１に沿った寸法が、隣接するバリアリブ７で挟まれて規定される放電空間５１Ｓの第２方向Ｄ２に関する中央部に比べて、バリアリブ７に近い部分で広くなるように変形する例を示したが、これらと同じように、図４，図６，図９，図１０，図１１の放電ギャップ隣接部ａ又はｄの形状を変えても同様の効果が得られる。また、当実施の形態６に係る放電ギャップ隣接部ｅを、既述の実施の形態３，５或いはそれらの共通の変形例に適用しても同様の効果が得られる。
【０２０９】
なお、特開平１０−２３３１７１号公報に開示されるＰＤＰはバス電極（母線部ｂに相当）、接続部（架橋部ｃに相当）及び放電ギャップ隣接部ａ又はｄに相当の部分を有する電極を含んでいる。そして、当該公報には、上記接続部がバリアリブ（データ線（アドレス電極６に相当）間に当該データ線に平行に設けられる）に対向して設けられる場合及びセルの中心線上に設けられる場合が述べられているが、バリアリブがバス電極（母線部）に対向する構造、すなわちバリアリブが第２方向Ｄ２に相当の方向の成分を有する構造には言及されていない。また、この公報には上記接続部の幅は１０〜８０μｍ（好ましくは４０μｍ程度）であること、及び、誘電体層の被覆厚さは約２５μｍであることが、開示されている。また、当該公報には隣接する電極が互いに接続された構造が開示されている。更に、当該公報に開示されるこれらのＰＤＰでは上記バス電極上に絶縁体層を設けることによって母線部で放電が発生しないようにしている。しかしながら、この絶縁体層はＭｇＯで被覆され放電空間には直接晒されないので、本願発明に係る放電不活性膜とは異なる。また、当該絶縁体層は上記バス電極を被覆する誘電体層の一部又は全部をポーラス状にしたものと考えられ、バリアリブであるとも言えない。
【０２１０】
また、Proceedings of The 7th International Display Workshops (IDW'00) pp.623-626のFig.2には架橋部の幅を４０μｍとする構造が示されているが、母線部（バス電極）で放電が起こらないようにするためのバリアリブの第２成分や放電不活性膜は設けられていない。
【０２１１】
＜実施の形態７＞
上述の実施の形態１〜６では放電不活性膜２２で母線部ｂ或いはバス電極２を被覆することによって維持放電が母線部ｂに波及しないようにしたが、ＰＤＰにおいて、放電不活性膜２２を用いる代りに、バリアリブ７を格子状或いはワッフル状のパターンに変形しても同様の効果が得られる。図２１の平面図に示すＰＤＰのように、格子状のパターンを有するバリアリブ７Ｂは、ＰＤＰの平面視において、第１方向Ｄ１に伸長する複数の第１成分７Ｂ１（既述のバリアリブ７の複数の帯状パターンに相当）と、第２方向Ｄ２に伸長して第３方向Ｄ３において母線部ｂの対面に位置する複数の第２成分７Ｂ２と、を含んでいる。なお、図面の煩雑化を避けるため図２１にはバリアリブ７Ｂ、母線部ｂ（破線で模式的に示す）及び表示ラインＬのみを図示している。この場合、放電空間をなるべく広く取って高い輝度が得られるよう、バリアリブ７Ｂの第２成分７Ｂ２は、放電セルの第１方向Ｄ１に関する中心に向く側のパターンエッジをなるべく放電セルの中心から離れた位置に置くのが望ましい。但し、そのような場合では、母線部ｂとバリアリブ７Ｂとの第１方向Ｄ１に関する位置合わせが少しでもずれると、母線部ｂが、放電セルの中心を取り巻く放電空間に面するようになるので、実施の形態６で言及したように架橋部ｃの第２方向Ｄ２に関するパターン幅を細くして架橋部ｃに維持放電が波及しないようにすることにより母線部ｂに維持放電が波及するのを抑制するのが望ましい。なお、図２１には隣接する表示ラインＬ間に２つの母線部ｂが在る場合を図示しているが、例えば図９の構造のように隣接する表示ラインＬ間に母線部ｂが１つの場合にもバリアリブ７Ｂは適用可能である。また、図２１ではバリアリブ７Ｂの各第２成分７Ｂ２は隣接する表示ラインＬ間の２つの母線部ｂに跨るように設けられているが、該２つの母線部ｂのそれぞれに第２成分７Ｂ２を設けても良い（図２２のワッフル状パターンを有するバリアリブ７Ｃを参照）。
【０２１２】
図２１の格子状のバリアリブ７Ｂ及び図１８〜図２０の維持放電電極ＸＦ，ＹＦを備えたＰＤＰ５１によれば、放電ギャップ部ＤＧの上方の放電空間に形成される電界強度は、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分よりも当該第１成分７Ｂ１から離れた放電セルの中央部において強いものとすることができる。これによって、維持放電電極ＸＦ，ＹＦによる面放電は、当該中央部を起点として広がるようになり、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分が起点となることが殆ど無くなるので、プラズマのエネルギーが損失する割合が減る。しかも、バリアリブ７Ｂの第１成分７Ｂ１に近い部分では、実際に面放電を起こしている維持放電電極ＸＦ，ＹＦの面積に比してプラズマの広がり領域を大きなものにすることができるので、発光効率が向上する。また、隣接する表示ラインＬ間で互いの母線部ｂを近付けてもバリアリブ７Ｂの第２成分７Ｂ２により母線部ｂでの放電が抑制されて誤放電が発生しないようにできるので、発光効率向上が可能である。かかる効果はバリアリブ７Ｂに変えて図２２のワッフル状パターンを有するバリアリブ７Ｃを備えたＰＤＰ５１についても同様である。
【０２１３】
なお、第２方向Ｄ２に伸長する成分を有するバリアリブによって母線部（バス電極）で放電が起こらないようにした事例として、特開２０００−３９８６６号公報の図１２、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops（Asia Display / IDW'01），pp869-872のFig.1もしくはpp1757-1758のFig.1などが挙げられる。しかし、これらの事例では、架橋部ｃに相当する部分が存在しないか、架橋部ｃでの放電を抑えることは意図していないかのいずれかである。このため、母線部とバリアリブとの第１方向Ｄ１に関する位置合わせが少しでもずれて、母線部が放電セルの中心を取り巻く放電空間に面すると、母線部での放電を抑制するのが困難であるという点で、当実施の形態７とは異なる。
【０２１４】
＜実施の形態１〜７に関して＞
実施の形態１〜７のように、放電ギャップ部ＤＧから第１方向Ｄ１に関して最遠方に位置する、維持放電電極Ｘ，Ｙ等（以下の説明では維持放電電極Ｘ，Ｙで代表する）を構成する母線部ｂ或いはバス電極２の部位で放電が起こらないようにすることによって、書込み期間（アドレス期間）ＡＤにおける維持放電電極Ｘ，Ｙ間の選択的書込み放電（アドレス放電）の発生が容易になるという効果がある。なぜなら、書込み放電は、先ずＯＮ電圧が入力されたアドレス電極Ｗと選択走査中の維持放電電極Ｙとの間で対向放電が発生し、当該電極Ｗ，Ｙ間の対向放電をトリガーとして当該放電セルにおいて維持放電電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電が発生することにより成立するので、放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が発生した方が、放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電が発生し易いからである。すなわち、実施の形態１〜７では、放電ギャップ部ＤＧから第１方向Ｄ１に関して最遠方に位置する、維持放電電極Ｘ，Ｙを構成する母線部ｂ或いはバス電極２の部位で放電が起こらないようにしているので、書込み期間ＡＤにおける電極Ｗ，Ｙ間の対向放電も、上記部位ではなく、上記部位よりも放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で発生するからである。
【０２１５】
一般に電極Ｗ，Ｙ間の対向放電はアドレス電極Ｗを陽極として且つ維持放電電極Ｙを陰極として成立っており、このとき電極Ｗ，Ｙ間に作用する電界の第１方向Ｄ１に関する強度は放電ギャップ部ＤＧに近い側では電極Ｙに対して正極性の電圧が印加されている電極Ｘの影響で一部相殺されてしまう。従って、放電ギャップ部ＤＧから遠い方が、電極Ｗ，Ｙ間に作用する電界強度は大きい。しかも、バス電極２は電流の流れる幹線としての機能を担うため導抵抗を相応に低く抑える必要があることからその厚さ（第３方向Ｄ３の寸法）は数μｍから１０μｍのレベルであり、厚さがサブμｍレベルの透明電極１だけで構成される透明部に比べるとバス電極２上の誘電体層３の被覆厚さは小さいので、放電空間５１Ｓにおける電界はより強いものとなる。このため、バス電極２を放電ギャップ部ＤＧから最遠方に位置させて維持放電電極Ｘ，Ｙが構成される一般的なセル構造においては、書込み期間ＡＤでの電極Ｗ，Ｙ間の対向放電は、バス電極２の付近で放電が起こり難いくくなるような処置を施さない限りは、放電ギャップ部ＤＧから最遠方の部位で発生するので、放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする維持放電電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電を誘発し難くなる。
【０２１６】
これに対して実施の形態１〜７、既述の公知事例である特開２０００−３９８６６号公報の図１２、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、特開２００１−１７６４００号公報、及び、Proceedings of Asia Display / IDW'01，pp869-872のFig.１もしくはpp1757-1758のFig.１の構造によれば、放電ギャップＤＧから最遠方に位置するバス電極２を含む母線部ｂでの放電は、放電不活性膜或いはバリアリブの第２方向Ｄ２に伸長する成分を当該母線部ｂに対面する位置に設けることによって抑えられる。このため、放電ギャップ部ＤＧにより近い部分で電極Ｗ，Ｙ間の対向放電を発生させることができ、これにより放電ギャップ部ＤＧの近傍を起点とする電極Ｘ，Ｙ間の書込み面放電をより誘発し易くなるので、書込み（アドレス動作）の応答性が改善される。また、発光効率を向上させる目的で放電空間５１Ｓに充填する放電ガスの圧力やＸｅ濃度を増やすと書込みの応答性が低下する場合があるが、このような場合の対処として当該構造は有効である。
【０２１７】
なお、実施の形態２，６，７、実施の形態２の変形例、特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、及び、特開２００１−１７６４００号公報の構造では、放電ギャップ隣接部ａ，ｄ，ｅよりも第２方向Ｄ２に関する寸法が小さい架橋部ｃを設けることによって、母線部ｂの部分を除く維持放電電極Ｘ，Ｙの中で放電ギャップＤＧの近傍に位置する部分の割合が、他の事例よりも大きい。このため、電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が、放電ギャップ部ＤＧにより近い部位で発生する可能性が高まるので、書込みの応答性はより良いものとなる。
【０２１８】
この内、実施の形態２，６や特開２００１−１７６４００号公報の構造では、放電不活性膜２２を母線部ｂに設けているので、バリアリブ７は第２方向Ｄ２に伸長する成分を持たなくとも母線部ｂでの放電発生を抑えることができる。このため、放電空間５１Ｓを第１方向Ｄ１に連続した（延在する）空間とすることができるので、放電開始のための補助となる放電空間中のプライミング粒子が、放電セル１個の範囲を越えて拡散して行き、放電セルで放電が発生するのを補助できるので、更に書込みの応答性が良くなる。
【０２１９】
また、実施の形態２，６，７で説明したように架橋部ｃのパターン幅を充分に細くしたり、図７，図１１，図１２のように架橋部ｃを第１方向Ｄ１に伸長するバリアリブ７の対面に設けることによって、架橋部ｃにおける放電を起こり難くすれば、書込み期間ＡＤにおける電極Ｗ，Ｙ間の対向放電は専ら放電ギャップ隣接部ａ，ｄ，ｅで発生することになる。すなわち、本発明の構造によれば、架橋部ｃで電極Ｗ，Ｙ間の対向放電が発生する可能性のある特開２０００−１９５４３１号公報、特開２０００−３１１６１２号公報、特開２００１−１７６４００号公報の構造よりも、書込みの応答性は良くなる。
【０２２０】
なお、以上の説明では、画像信号に基づいて維持放電が発生するべき放電セルに対して、放電維持期間に先立つアドレス期間において必要な壁電荷を付与するという書込みアドレス方式の場合を述べたが、予め全ての放電セルに維持放電が開始可能な壁電荷を付与しておき、続くアドレス期間において画像信号に基づいて選択的に壁電荷を消去するための放電を起こすことにより、後続の放電維持期間に備えるという消去アドレス方式の場合にも、上記選択的消去放電の応答性を良くすることができる。
【０２２１】
＜応用例＞
以上で説明した例えば放電不活性膜２１等、維持放電電極Ｘ，Ｙ等、及び、バリアリブ７等を種々に組み合わせる（形状、寸法、配置形態、材料、製造方法を含む）ことにより数多くの応用例が考えられることは言うまでもない。
【０２２２】
また、例えば図１，２，４，６〜８，１３，１４，１６〜２０では維持放電電極Ｘ，Ｙの第１方向Ｄ１の配列を…Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，Ｘ，Ｙ，…としているが、これを…Ｘ，Ｙ，Ｙ，Ｘ，Ｘ，Ｙ，Ｙ，Ｘ…に変えても構わない。後者の配列によれば、隣接維持放電電極対ギャップ部ＮＧを挟んで隣接する維持放電電極がＸ同士又はＹ同士になるので、Ｘ電極群とＹ電極群との間の静電容量が相対的に小さくなる。これにより、両電極群の間にＡＣ電圧が印加される放電維持期間ＳＵにおいて、上記容量成分による電力消費を小さくすることができるという効果が得られる。
【０２２３】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成るので、放電不活性膜をカソード膜と固着しないように配置することができる。これにより、第１電極間に形成する維持放電に必要な最小維持パルス電圧が大幅に増大しないプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を提供することができる。更に、放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成るので、放電不活性膜とバリアリブとの接触部分に作用する押圧が均等化され、ピンポイント的な押圧が作用するのを緩和することができる。このため、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰでは、バリアリブの折損による画素欠陥の発生を防止することができる。なお、当該放電不活性膜はスクリーン印刷法で安価に形成することができ又自然剥がれを起こすことなく、上述の効果を奏する。
【０２２４】
請求項２に係る発明によれば、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2とＳｉＯ2はカソード膜に一般的に使用されるＭｇＯに比して２次電子放出特性が低いので、放電不活性膜を確実に提供することができる。
【０２２５】
請求項３に係る発明によれば、可視光透過性の高い（透明度な）放電不活性膜を形成することができるので、発光効率の高いＰＤＰを提供することができる。
【０２２６】
請求項４に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても下地のカソード膜の表面が微視的にも露出しないようすることができる。従って、放電不活性膜上で放電が発生するのを防止して放電不活性膜の作用を確実に発揮させることができる。
【０２２７】
請求項５に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰにおいてカソード膜とバリアリブとの間の隙間を充分小さくすることができる。これにより、バリアリブを介して隣接する放電空間内ないしは放電セル内の放電が互いに干渉するのが抑制され、放電セルの選択性を確保可能なＰＤＰを提供することができる。
【０２３４】
請求項６に係る発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれかのＰＤＰ用基板に起因した効果が得られる。
【０２３６】
請求項７に係る発明によれば、バリアリブが細く及び／又は高くなってｈ／ｗ≧２という関係になっても、請求項１の放電不活性膜によってバリアリブの折損が抑制される。このため、バリアリブの折損による画素欠陥の発生を低減することができる。更に、バリアリブを細く及び／又は高く形成可能なので、放電空間を広げて輝度及び発光効率を向上させることができる。
【０２３７】
請求項８に係る発明によれば、格子状のバリアリブよりも製造方法の選択の自由度が高く又製造時の不具合も少ない。また、プラズマ粒子がバリアリブ上の蛍光体に衝突してエネルギーを損失する割合は格子状バリアリブよりもストライプ状バリアリブの方が小さいので、より高い発光効率が得られる。
【０２４９】
請求項９に係る発明によれば、ある架橋部で断線が生じても、それに近接する放電ギャップ隣接部への給電は、他の断線していない架橋部を通じて可能となるので、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０２５０】
請求項１０に係る発明によれば、ある架橋部で断線が生じても、それに近接する放電ギャップ隣接部への給電は、他の断線していない架橋部を通じて可能となるので、高い製造歩留を得るのに有利である。
【０２５３】
請求項１１に係る発明によれば、放電不活性膜をカソード膜上に形成した場合であっても、当該ＰＤＰ用基板を適用したＰＤＰにおいてカソード膜とバリアリブとの間の隙間を充分小さくすることができる。これにより、バリアリブを介して隣接する放電空間内ないしは放電セル内の放電が互いに干渉するのが抑制される。従って、放電ギャップ隣接部が第２方向に沿って隣接する複数の架橋部に跨って連続するパターンを形成していても、放電セルの選択性を確保可能なＰＤＰを提供することができる。
【０２５４】
請求項１２に係る発明によれば、放電ギャップから近い部位で第１電極と第２電極との間の対向放電が起こるので、放電ギャップ近傍が起点となる第１電極によるアドレス面放電（書込み面放電）を誘発し易くなる。このため、アドレス動作（書込み動作）の応答性が良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係るプラズマディスプレイ装置を説明するためのブロック図である。
【図２】 実施の形態１に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図３】 実施の形態１に係る第２の前面基板を説明するための平面図である。
【図４】 実施の形態２に係る第１の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図５】 実施の形態２に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図６】 実施の形態２に係る第２の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図７】 実施の形態２に係る第２の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図８】 実施の形態２に係る第１の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図９】 実施の形態２に係る第３の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１０】 実施の形態２に係る第４の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１１】 実施の形態２に係る第４の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１２】 実施の形態２に係る第３の前面基板を備えた他のＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１３】 実施の形態３に係る前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１４】 実施の形態４に係る前面基板を説明するための平面図である。
【図１５】 実施の形態５に係るＰＤＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１６】 実施の形態１〜５に共通の変形例に係る第１の前面基板を説明するための断面図である。
【図１７】 実施の形態１〜５に共通の変形例に係る第２の前面基板を説明するための断面図である。
【図１８】 実施の形態６に係る第１の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図１９】 実施の形態６に係る第２の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図２０】 実施の形態６に係る第３の前面基板及び当該前面基板を備えたＰＤＰを説明するための平面図である。
【図２１】 実施の形態７に係るバリアリブを説明するための平面図である。
【図２２】 実施の形態７に係る第２のバリアリブを説明するための平面図である。
【図２３】 放電不活性膜を備えるＰＤＰを説明するための斜視図である。
【図２４】 表示画面のサブフィールド分割を説明するための図である。
【図２５】 従来のＰＤＰの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ 透明電極、２，２Ａ バス電極、３ 誘電体層、５ 前面ガラス基板、６，Ｗ，Ｗ１〜Ｗｍ アドレス電極（第２電極）、７，７Ｂ，７Ｃ バリアリブ、７Ｂ１ 第１成分、７Ｂ２ 第２成分、１１，１５，１６ カソード膜、１１Ｓ，１５Ｓ，１６Ｓ，２１Ｓ〜２６Ｓ 露出表面、２１〜２６ 放電不活性膜、５０ 面放電、５１ プラズマディスプレイパネル、５１Ｆ〜６３Ｆ 前面基板（ＰＤＰ用基板，第１基板）、５１Ｒ 背面基板（第２基板）、９１ 駆動装置、１０１ プラズマディスプレイ装置、ＡＤ 書込み期間（アドレス期間）、Ｃ 放電セル、ＤＧ 放電ギャップ部、Ｌ 表示ライン、ＲＥ，ＲＥＰ リセット期間、ＳＩ 内向き表面、ＳＯ 外向き表面、Ｘ，Ｘ１〜Ｘｎ，ＸＡ〜ＸＦ，Ｙ，Ｙ１〜Ｙｎ，ＹＡ〜ＹＦ 維持放電電極（第１電極）、ａ，ｄ，ｅ 放電ギャップ隣接部、ｂ 母線部、ｃ 架橋部、ｔ 厚さ、ｈ 高さ、ｗ 平均パターン幅。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上において第１方向に並んでいると共に前記第１方向に交差する第２方向に伸長しており、前記第２方向に伸長する複数の表示ラインを規定する複数の第１電極とを備え、前記複数の第１電極間に設けられた複数のギャップ部は前記複数の表示ラインに対応する複数の放電ギャップ部を少なくとも含み、
前記複数の第１電極を覆って前記基板上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ラインに対応する領域に露出表面を有するカソード膜と、
前記誘電体層を介して前記基板に対面して配置されており、前記複数の表示ライン間に対応する領域に露出表面を有する、前記カソード膜よりも２次電子放出特性が低い放電不活性膜とを更に備え、前記放電不活性膜及び前記カソード膜の両前記露出表面は平面視において接しており、前記放電不活性膜は無機バインダーを実質的に含まない、粉体の集合体から成る、
プラズマディスプレイパネル用基板。 - 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板であって、
前記粉体は、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2とＳｉＯ2との各粉体の少なくとも１種を含む、
プラズマディスプレイパネル用基板。 - 請求項１又は請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板であって、
前記粉体は、平均粒径が大略１μｍ以下である、
プラズマディスプレイパネル用基板。 - 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板であって、
前記放電不活性膜は、大略前記粉体の平均粒径以上の厚さを有する、
プラズマディスプレイパネル用基板。 - 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板であって、
前記放電不活性膜は、大略１０μｍ以下の厚さを有する、
プラズマディスプレイパネル用基板。 - 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板を第１基板として備え、
前記第１基板に対面配置された第２基板と、
前記第１及び第２基板間に配置されたバリアリブとを更に備える、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板を第１基板として備え、
前記第１基板に対面配置された第２基板と、
前記第１及び第２基板間に配置されたバリアリブとを更に備え、
前記バリアリブは定方向に伸長するパターンを含んでおり、
前記バリアリブの前記パターンについて、前記第１及び第２基板の積み重ね方向の寸法である高さをｈと表記し、前記積み重ね方向及び前記定方向の双方に垂直な方向の寸法であるパターン幅を前記積み重ね方向について平均して与えられる平均パターン幅をｗと表記するとき、ｈ／ｗ≧２を満たす、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
前記バリアリブはストライプ状のバリアリブである、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板を第１基板として備え、
前記第１基板に対面配置された第２基板を更に備え、
前記複数の第１電極の各々は、
前記第２方向に伸長した母線部と、
前記母線部から前記複数の放電ギャップ部のうちで前記母線部が隣接する少なくとも１つの放電ギャップ部に向けて伸長した複数の架橋部と、
前記複数の架橋部の少なくとも１つを介して前記母線部と電気的に接続されており、前記少なくとも１つの放電ギャップ部に隣接して配置された少なくとも１つの放電ギャップ隣接部とを含み、
前記少なくとも１つの放電ギャップ隣接部は、前記第２方向に沿って隣接する複数の前記架橋部に跨って連続するパターンを形成している、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項７と請求項８とのいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルであって、
前記複数の第１電極の各々は、
前記第２方向に伸長した母線部と、
前記母線部から前記複数の放電ギャップ部のうちで前記母線部が隣接する少なくとも１つの放電ギャップ部に向けて伸長した複数の架橋部と、
前記複数の架橋部の少なくとも１つを介して前記母線部と電気的に接続されており、前記少なくとも１つの放電ギャップ部に隣接して配置された少なくとも１つの放電ギャップ隣接部とを含み、
前記少なくとも１つの放電ギャップ隣接部は、前記第２方向に沿って隣接する複数の前記架橋部に跨って連続するパターンを形成している、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項９乃至請求項１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルであって、
前記放電不活性膜は、前記母線部に対応する領域に前記露出表面を有するように前記カソード膜上に大略１０μｍ以下の厚さで形成されている、
プラズマディスプレイパネル。 - 請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動装置と、を備え、
前記第２基板は、前記複数の第１電極と交差する方向に伸長する複数の第２電極を含み、
前記駆動装置によるアドレス動作において、前記第１電極と前記第２電極との間の対向放電が、平面視において該第１電極の前記放電ギャップ部に近い部位で行なわれる、
プラズマディスプレイ装置。
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