JP4015343B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4015343B2
JP4015343B2 JP2000080372A JP2000080372A JP4015343B2 JP 4015343 B2 JP4015343 B2 JP 4015343B2 JP 2000080372 A JP2000080372 A JP 2000080372A JP 2000080372 A JP2000080372 A JP 2000080372A JP 4015343 B2 JP4015343 B2 JP 4015343B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
shaft
push
processed
dry etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000080372A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001262375A (ja
Inventor
野 卓 細
野 秀 史 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2000080372A priority Critical patent/JP4015343B2/ja
Publication of JP2001262375A publication Critical patent/JP2001262375A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4015343B2 publication Critical patent/JP4015343B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、励起されたプロセスガスによって被処理基板をエッチング処理するドライエッチング装置に係わり、特に、プリント基板のように両面が処理される被処理基板をエッチング処理するドライエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、真空容器内に形成された処理室の内部においてプリント基板に対してエッチング処理を施すためにドライエッチング装置が用いられている。
【0003】
処理中のプリント基板は基板保持手段によって保持されており、処理が終了したら基板保持手段から処理済みのプリント基板が取り外され、基板搬送機構によって処理室から搬出される。
【0004】
処理済みのプリント基板を基板保持手段から取り外すための機構として、真空容器の容器壁に貫通孔を形成し、この貫通孔にシャフトを移動自在に挿入して、前記シャフトの端部をプリント基板の裏面に押し当ててプリント基板を押し上げるものがある。
【0005】
この基板押上機構においては、真空容器内の真空を維持するために、Oリングによってシャフト周囲の間隙を気密に封止するようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来のドライエッチング装置においては、処理室の内部に導入されたプロセスガスが前記貫通孔の内部に侵入して前記Oリングに達することにより、Oリングが損傷してしまうという問題があった。
【0007】
そこで、従来は、Oリングを頻繁に(例えば1日1回)交換することで、真空容器内の真空を維持するようにしており、生産効率の低下が引き起こされていた。
【0008】
本発明は、上述した事情を考慮してなされたものであって、生産効率の向上を図ることができるドライエッチング装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明によるドライエッチング装置は、励起されたプロセスガスによって被処理基板をエッチング処理するための処理室が内部に形成された真空容器と、前記処理室の内部において前記被処理基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段によって保持された前記被処理基板をその裏面側から押し上げて前記基板保持手段から分離させる基板押上手段と、を備え、前記基板保持手段により保持された前記被処理基板の裏面に対向する位置において前記真空容器の容器壁に貫通孔が形成されており、前記基板押上手段は、前記貫通孔に上下動自在に挿通された押上シャフトと、前記押上シャフトの上部に設けられたキャップと、前記押上シャフトを昇降駆動するためのシャフト駆動手段と、前記押上シャフトの周囲の間隙を気密に封止するシール部材と、を有し、前記キャップは、前記シャフト駆動手段によって前記押上シャフトを降下させたときに前記貫通孔の上端開口を封止することを特徴とする。
【0010】
また、好ましくは、前記シャフト駆動手段と前記押上シャフトとの連結部分に設けられた弾性部材をさらに有し、前記押上シャフトを降下させたときの前記貫通孔の上端開口に対する前記キャップの密着力を前記弾性部材の弾発力により高めるようにする。
【0011】
また、好ましくは、前記基板保持手段は、前記被処理基板の縁部を支持することにより前記被処理基板の表面及び裏面のそれぞれの処理領域全体を前記処理室内に露出させるものである。
【0012】
また、好ましくは、前記基板保持手段は、前記被処理基板を保持する機能と共に、保持した前記被処理基板を回転させる機能も有する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態によるドライエッチング装置について図面を参照して説明する。
【0014】
図1は、本実施形態によるドライエッチング装置の概略構成を示した縦断面図であり、このドライエッチング装置は処理室1が内部に形成された真空容器2を備え、真空容器2は、容器本体3と蓋部4とを有している。
【0015】
さらに、このドライエッチング装置は、処理中のプリント基板(被処理基板)Sを保持する機能と共に保持したプリント基板Sを回転させる機能を有する基板保持手段5を備え、この基板保持手段5は、プリント基板Sが支持される額縁形状の基板受け6と、この基板受け6に連結された回転軸7とを有している。回転軸7はモータ19によって回転駆動される。
【0016】
額縁形状の基板受け6は、プリント基板Sの縁部のみを支持することにより、プリント基板Sの表面及び裏面の処理領域全体を処理室1内に露出させることができるようになっている。
【0017】
また、本実施形態によるドライエッチング装置は、基板保持手段5によって保持されたプリント基板Sをその裏面側から押し上げて基板保持手段5の基板受け6から分離させる基板押上手段8を備えている。
【0018】
図1及び図2に示したように、基板保持手段5により保持されたプリント基板Sの裏面に対向する位置において、真空容器2の容器本体3の容器壁に貫通孔9が形成されている。
【0019】
基板押上手段8は、貫通孔9に上下動自在に挿入された押上シャフト10を有し、この押上シャフト10の先端部にはキャップ11が取り付けられている。基板押上手段8はさらに、押上シャフト10を昇降駆動するためのシャフト駆動手段であるエアーシリンダ12を有し、このエアーシリンダ12の出力軸には連結部材13が取り付けられている。
【0020】
連結部材13の先端部には係合孔14が形成されており、押上シャフト10の下端部に形成された小径部10aが係合孔14内に上下動自在に挿入されている。押上シャフト10の大径部10bは係合孔14よりも大きな径から成り、連結部材13が上昇した場合には係合孔14の周囲で連結部材13が大径部10bの下面に当接され、押上シャフト10が押し上げられる。処理室1内には、プリント基板Sを搬送するための基板搬送アーム18が設けられている。
【0021】
また、連結部材13よりも下方の部分において、押上シャフト10の小径部10aに弾性部材であるバネ15が填められており、小径部10aの下端に螺着されたナット16によってバネ15の下端が支持されている。
【0022】
押上シャフト10の容器本体3近くの周囲にはシール部材であるOリング17が設けられており、このOリング17によって、押上シャフト10の上下動を妨げることなく真空容器2内部の真空が維持されている。Oリング17の材質はバイトンである。
【0023】
押上シャフト10の先端に設けられたキャップ11は、エアーシリンダ12によって押上シャフト10を降下させたときに貫通孔9の上端開口を封止するような寸法を有している。
【0024】
連結部材13と押上シャフト10との連結部分に設けられたバネ15の弾発力により、押上シャフト10を降下させたときの貫通孔9の上端開口に対するキャップ11の密着力を高めることができる。
【0025】
真空容器2の側方にはプラズマ生成手段(図示せず)が設けられており、このプラズマ生成手段ではプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマが生成される。プラズマ生成手段にはガス供給手段(図示せず)が接続されており、このガス供給手段を介して、プラズマ生成手段にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスが、基板保持手段5の基板受け6で保持されたプリント基板Sの側方からプリント基板Sに向けて放出され、プリント基板Sの表面及び裏面の両方に対してプロセスガスが同時に供給される。これにより、プリント基板Sの表面及び裏面の両面が同時にエッチングされる。
【0026】
このとき、貫通孔9の上端開口はキャップ11によって封止されているので、プロセスガスがOリング17に達することがなく、プロセスガスによるOリング17の損傷を防止することができる。
【0027】
以上述べたように本実施形態によるドライエッチング装置によれば、プリント基板Sを処理する際には貫通孔9の上端開口がキャップ11によって封止されているので、プロセスガスがOリング17に達することがなく、プロセスガスによるOリング17の損傷を防止することが可能であり、Oリング17の交換までの期間が長くなり、生産効率の向上を図ることができる。
【0028】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によるドライエッチング装置によれば、被処理基板を処理する際には貫通孔の上端開口がキャップによって封止されているので、プロセスガスがシール部材に達することがなく、プロセスガスによるシール部材の損傷を防止することが可能であり、シール部材の交換までの期間が長くなり、生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるドライエッチング装置の概略構成を示した縦断面図。
【図2】図1に示したドライエッチング装置の要部を拡大して示した縦断面図。
【符号の説明】
1 処理室
2 真空容器
3 容器本体
4 蓋部
5 基板保持手段
6 基板受け
7 回転軸
8 基板押上手段
9 貫通孔
10 押上シャフト
10a 小径部
10b 大径部
11 キャップ
12 エアーシリンダ(シャフト駆動手段)
13 連結部材
14 係合孔
15 バネ(弾性部材)
16 ナット
17 Oリング(シール部材)
S プリント基板(被処理基板)

Claims (4)

  1. 励起されたプロセスガスによって被処理基板をエッチング処理するための処理室が内部に形成された真空容器と、
    前記処理室の内部において前記被処理基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段によって保持された前記被処理基板をその裏面側から押し上げて前記基板保持手段から分離させる基板押上手段と、を備え、
    前記基板保持手段により保持された前記被処理基板の裏面に対向する位置において前記真空容器の容器壁に貫通孔が形成されており、
    前記基板押上手段は、前記貫通孔に上下動自在に挿通された押上シャフトと、前記押上シャフトの上部に設けられたキャップと、前記押上シャフトを昇降駆動するためのシャフト駆動手段と、前記押上シャフトの周囲の間隙を気密に封止するシール部材と、を有し、前記キャップは、前記シャフト駆動手段によって前記押上シャフトを降下させたときに前記貫通孔の上端開口を封止することを特徴とするドライエッチング装置。
  2. 前記シャフト駆動手段と前記押上シャフトとの連結部分に設けられた弾性部材をさらに有し、前記押上シャフトを降下させたときの前記貫通孔の上端開口に対する前記キャップの密着力を前記弾性部材の弾発力により高めるようにしたことを特徴とする請求項1記載のドライエッチング装置。
  3. 前記基板保持手段は、前記被処理基板の縁部を支持することにより前記被処理基板の表面及び裏面のそれぞれの処理領域全体を前記処理室内に露出させるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング装置。
  4. 前記基板保持手段は、前記被処理基板を保持する機能と共に、保持した前記被処理基板を回転させる機能も有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のドライエッチング装置。
JP2000080372A 2000-03-22 2000-03-22 ドライエッチング装置 Expired - Fee Related JP4015343B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000080372A JP4015343B2 (ja) 2000-03-22 2000-03-22 ドライエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000080372A JP4015343B2 (ja) 2000-03-22 2000-03-22 ドライエッチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001262375A JP2001262375A (ja) 2001-09-26
JP4015343B2 true JP4015343B2 (ja) 2007-11-28

Family

ID=18597482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000080372A Expired - Fee Related JP4015343B2 (ja) 2000-03-22 2000-03-22 ドライエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4015343B2 (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63151452U (ja) * 1987-03-25 1988-10-05
JPH0686669B2 (ja) * 1987-06-09 1994-11-02 株式会社芝浦製作所 腐蝕性ガス使用の処理装置
JPH0444317A (ja) * 1990-06-11 1992-02-14 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理装置の電極装置
JP3042057B2 (ja) * 1991-08-22 2000-05-15 日新電機株式会社 基体処理装置
JPH06244147A (ja) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
GB9324002D0 (en) * 1993-11-22 1994-01-12 Electrotech Ltd Processing system
JP2975885B2 (ja) * 1996-02-01 1999-11-10 キヤノン販売株式会社 ガス分散器及びプラズマ処理装置
JPH10183329A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理用バルブ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001262375A (ja) 2001-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6649689B2 (ja) 減圧処理装置及びウエーハの保持方法
TW201246327A (en) Focus ring and substrate processing apparatus having same
EP1568797A3 (en) In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
JP2007115979A (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
KR970008449A (ko) 표면처리장치 및 방법과 이 표면처리장치를 이용하는 와이어 본딩장치 및 방법
JPH0774231A (ja) 処理装置及びその使用方法
CN101258579B (zh) 便携式模具清洗设备及其方法
JP4015343B2 (ja) ドライエッチング装置
JP5269568B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置内部の工程空間を開閉する方法
JP4622972B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3690372B2 (ja) プラズマ処理装置
US20040161940A1 (en) Semiconductor wafer processing method
KR100764036B1 (ko) 대면적 기판의 건식 세정모듈 및 이를 이용한 세정장치 및방법
JP2010146927A (ja) 試料搬送機構、及び試料搬送機構を備えた走査電子顕微鏡
JPH03289154A (ja) 半導体ウエーハチャック装置
JPH05343507A (ja) 静電吸着方法
JP2003311145A (ja) プラズマ処理装置
JP2003142565A (ja) 基板ホルダ
JP2007098191A (ja) 真空超音波洗浄液装置
JP2013149666A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6226191B2 (ja) バリア膜形成装置、及び内部電極
JP2885150B2 (ja) ドライエッチング装置のドライクリーニング方法
JP2006049472A (ja) 部品実装方法
JP2006066602A (ja) プラズマ処理方法および部品実装方法
JP2014165301A (ja) 半導体チップのピックアップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070116

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070913

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4015343

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees