JP4005391B2 - ダイレクトコンバージョン送信回路及び集積化送受信回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は移動体通信機に係り、特に大規模集積化に適したダイレクトコンバージョン送信回路及びそれを用いた集積化送受信回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
移動体通信機の爆発的な普及につれ、小型、低コスト化への要求が強まっている。そのため、電圧制御形発振器(VCO)や、フィルタ数を低減し、集積度を上げた集積回路の適用が望まれている。送信機の従来例の1つとしては瀧川等によりアイ・イー・イー・イー 1999年、第25回欧州集積回路会議予稿集278頁から281頁に発表された「GSM、DCS1800向けデュアルバンドトランシーバIC高周波技術 」(K. Takikawa et. al. “RF Circuits Technique of Dual-Band Transceiver IC for GSM and DCS1800 applications,” IEEE 25th European Solid-State Circuits Conference pp. 278-281, 1999)が挙げられる。
【0003】
送信回路設計の上で重要な項目として受信周波数帯域への雑音漏洩の低減が挙げられる。図2に欧州携帯電話(GSM)の規格で定められている送信電力と、受信帯域での雑音の関係を示す。GSM受信帯域許容出力雑音レベル202で示すように、GSM出力信号201の最大出力電力33dBmに対して、送信帯域203の上限から僅か20MHz離れた受信帯域204での雑音は、−79dBm/100kHz(−129dBm/Hz)以下に抑圧する必要がある。すなわち、送信信号と雑音レベルの差は−112dBc以上必要となる。帯域通過フィルタなどを電力増幅器の出力部に適用すれば上記仕様は達成可能であるが、フィルタの損失の影響で効率の低下が生じる。このためフィルタを使用しない構成としてオフセットPLLが適用されている。
【0004】
オフセットPLLを適用した送信機の回路構成図を図18に示す。送信機は、IF信号発生部1815とPLL部1814より構成される。先ず、IF部の動作について説明する。I入力108、Q入力109に200kHzの帯域を持つI,Q信号が入力される。この入力信号は、90°位相差を持つ中間周波(IF)局部発信信号1812,1813とミキサ1808,1809においてそれぞれ混合される。ここで、局部発信信号1812,1813は、VCO1806の出力を90°位相器1807にて位相をずらして得られる。ミキサ1808,1809のそれぞれの出力を加算することでIF周波数(270MHz)のGMSK(Gaussian Minimum Shift Keying)変調信号に変換される。GMSK変調信号は、GSMシステムに採用されている変調信号であり、位相のみに信号情報をもち、振幅は一定である。後段の位相比較器1802に対して十分な振幅を与えるため、増幅器1810にてIF信号は増幅される。ミキサ1808,1809、増幅器1810で発生する高調波を低域通過フィルタ1811で取り除いた後、IF信号はPLL部1814の位相比較器1802に入力される。
【0005】
PLL部1814はミキサ1801を含むことが特徴であり、RF周波数で動作するVCO180の出力信号の周波数をミキサ1801にてIF周波数fIF(270MHz)に変換し、IF信号との誤差分を位相比較器1802より出力する。出力された誤差信号の周波数はI,Q入力信号と同じベースバンド信号帯域まで下がる。誤差信号の高周波雑音は、低域通過フィルタ1803にて抑圧する。参照符号1816で示したフィルタのPLL閉ループの遮断周波数は200kHzの信号帯域に対し、約1.6MHzであり、20MHzの雑音は大きく抑圧される。このため、VCO180の出力信号から20MHz離れた帯域の雑音は大きく抑圧される。したがって、VCO180の出力を直接、電力増幅器PAに接続しても新たにRF信号に対しフィルタを接続することなく、受信帯域の雑音を−79dBm/100kHz(−129dBm/Hz)以下に抑圧することが可能となる。
【0006】
オフセットPLLを用いた送信機では、図18内に示した実線で囲まれた部分1817は集積化されるが、VCO180は低雑音特性を必要とするため外付け部品となる。しかし、オフセットPLLを用いると高周波の外付けフィルタを必要としないので、高効率な送信機として広く適用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、オフセットPLLを適用した従来例によれば、外付けフィルタを必要としないので、広く送信機に用いられてきた。しかしながら、オフセットPLLを適用した送信機では、低雑音の外付けVCOを必要とするためコストの低減に限界があった。
【0008】
そこで、本発明の目的は、更なる低コスト、部品点数の低減を図るために、コスト低減の制限となる高性能な低雑音VCOを必要とせず、かつ、表面弾性波(SAW: Surface Acoustic Wave)フィルタ等の高価な外付け高周波フィルタを必要としないダイレクトコンバージョン送信回路を提供することにある。
【0009】
また、そのダイレクトコンバージョン送信回路を用いた送受信機を提供することも、本発明の目的である。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る送信回路では、送信用VCOを必要としないダイレクトコンバージョンを用い、かつ、受信帯域での雑音低減を図るために、I,Q(以下、「IQ」と略記する)信号をRF信号に変換する変調器のIQ入力部にそれぞれ低域通過フィルタを設ける回路構成とする。本発明に係る集積化送受信回路は、その送信回路部に、このダイレクトコンバージョン送信回路を用いるものである。具体的な内容については、以下の実施の形態にて述べる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るダイレクトコンバージョン送信回路及びそれを用いた集積化送受信回路の好適な実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【0012】
<実施の形態1>
本発明の第1の実施の形態を、図1〜8と図19を用いて説明する。ここではアプリケーションとして従来例と同じく、欧州セルラ電話GSM(900MHz帯)、GSM1800(1800MHz帯)を対象とする。すでに従来の技術の説明で触れたが、図2にGSM規格で満足すべき受信帯域での送信機からの雑音レベルを示した。図3にGSM1800で満たすべき条件を示す。送信帯域(TX Band)303は1710〜1785MHzであり、受信帯域(RX Band)304は1805〜1880MHzである。したがって、GSMの場合と同様に、20MHzの間隔がある。GSM1800の出力信号301の30dBmの最大送信電力に対して、受信帯域許容出力雑音302を満足するように、−71dBm/100kHz(−121dBm/Hz)以下に抑える必要がある。このため、送信信号の最大送信電力301と受信帯域雑音のレベル差は、同図に示したように−101dBcとなる。GSMと比較すると、11dB緩和された仕様である。
【0013】
ここで、図4を用いてダイレクトコンバージョン送信回路の解決すべき課題を明らかにする。
【0014】
ダイレクトアップコンバージョン送信機は図18で示した従来例のIF部1815と同じ回路構成を持つが、直接RF変調信号を発生させる変調方法を適用している。なお、ダイレクトコンバージョンは、ベースバンドから送信周波数帯域まで一気に周波数を上げる周波数変換を行う場合をダイレクトアップコンバージョン、受信周波数帯域からベースバンドまで一気に周波数を下げる周波数変換を行う場合をダイレクトダウンコンバージョンとも言う。
【0015】
図4には、ミキサ101,102から構成される直交変調器106のほか、IQ信号を発生するAD変換器(ADC)402,403も記載してある。AD変換器402の出力部の信号/雑音レベルの周波数特性を矩形410内に周波数fと出力Pの関係で示すように、AD変換器402の出力は、信号本体411、折り返し雑音412、回路の持つ熱雑音413を含む。なお、AD変換器403の出力部の特性も同様である。
【0016】
折り返し雑音を抑圧するために各AD変換器の出力部には、低域通過フィルタ404,405が設置される。低域通過フィルタ404の出力では、参照符号414の矩形内に示すように、フィルタ404の遮断周波数fCUTOFF以上の信号は抑圧され、信号415と遮断周波数以下の雑音416を含む。なお、低域通過フィルタ405の出力についても同様である。低域通過フィルタ404,405の出力信号が、送信回路のI入力108,Q入力109にそれぞれ印加される。AD変換器の最適な出力信号振幅は、通常差動で2Vpp程度である。これに対し、ミキサの最適入力レベルは回路構成に依存するが、例えば0.8Vppであり、AD変換器の出力信号レベルとは異なる。この他最適なバイアスレベルも異なるため、バイアスレベルのシフト機能を含む減衰器103,104を必要とする。
【0017】
減衰器103は雑音を発生するため、減衰器103の出力には矩形418内に示すように、信号419、低域通過フィルタの遮断周波数以下の雑音420に加え、減衰器の発生する雑音421を含む。なお、減衰器104の出力についても同様である。
【0018】
減衰器103,104の雑音は広帯域であり、雑音を含んだIQ信号はミキサ101,102において、それぞれキャリア周波数fcを中心としたRF周波数に変換される。2つのミキサ101,102には、それぞれ同一周波数で位相差が90°あるキャリア周波数と同一周波数の局部発振信号が印加される。局部発振信号は発振器105の出力を元に位相器100で発生させる。代表的な位相器としては、CRフィルタを用いるものと、分周器を用いるものとの2通りが存在するが、分周器を用いる場合は、発振器105の発振周波数はキャリア周波数の2倍になる。
【0019】
ミキサ101,102で構成される直交変調器106の出力は、矩形422内に示すように、キャリア周波数fcを中心に両側に変調された信号となる。この変調信号は、直交変調器出力信号424と、直交変調器出力のAD変換器起因の熱雑音425と、直交変調器出力の減衰器起因の雑音426を含む。特に、減衰器の雑音421は広帯域であり、変調された信号にも広帯域な減衰器起因の雑音426となって存在する。
【0020】
変調信号はドライバ増幅器107によってさらに増幅され、出力端子132を介して出力される。この信号には広帯域雑音が含まれるため、送信帯域から20MHz離れた受信帯域の雑音を削減するためにSAW(表面弾性波)デバイス、誘電体共振器などを適用した、急峻な特性を持つ高周波(RF)フィルタ430が必要となる。
【0021】
高周波フィルタを不要にするためには、減衰器103,104の発生する広帯域雑音の低減が必要である。このため、図1に示すように減衰器とミキサ101,102の間にそれぞれ低域通過フィルタ130,131を設ける。図1において、AD変換器402,403の各出力及びIQ入力端子108,109までの信号に含まれる雑音は図4の例と同様である。すなわち、AD変換器402の出力は、図4の矩形410内に示したように、信号本体411と、折り返し雑音412と、回路の持つ熱雑音413を含み、IQ入力端子108,109における信号には、図4の矩形414内に示したように、信号本体415と外付け低域通過フィルタ404,405の遮断周波数fCUTOFF1以下の雑音416が含まれる。
【0022】
減衰器103,104では、図4の例と同様に広帯域雑音が発生するが、ミキサ101,102の直前に接続された遮断周波数fCUTOFF2の低域通過フィルタにより、図1の矩形118内に示したように、遮断周波数fCUTOFF2以上の周波数の雑音が減衰され、減衰器起因の広帯域雑音は遮断周波数fCUTOFF2以下の雑音121となる。このため、ミキサ101,102で構成される直交変調器106の出力は、矩形123内に示すように、キャリア周波数fcを中心に両側に変調された信号となるが、直交変調されたRF信号からは、中心キャリア周波数fcからfCUTOFF2以上周波数の離れた雑音レベルは小さくなる。したがって、RF出力132に図4に示したRFフィルタ430を追加することなく受信帯域雑音レベルを低減することが出来る。
【0023】
図8にGSM1800の規格を満足させる送信機のレベルダイアグラムの一例を示す。送信機は直交変調器106、ドライバ増幅器107、電力増幅器801、スイッチ等で構成されるフロントエンド回路(FEM)802で構成される。なお、図8において、参照符号804は送信機の入力端、803は送信機の出力端である。ドライバ増幅器107、電力増幅器801、フロントエンド回路802のそれぞれの利得及び雑音指数NFの性能は、現状存在する回路から、実現可能な特性を推定した。直交変調器106の出力信号レベルが−8dBmの場合、送信機の入力端804における受信帯域雑音レベルが、−160dBm/Hz(−152dBc)以下でGSM1800の仕様を満足することがわかる。
【0024】
図19にGSMの場合の仕様を、図8と同様に示す。周波数が低くなり、ドライバ回路107、電力増幅器801の雑音指数NFの低減は期待できるが、仕様が厳しいため直交変調器106は−5dBm出力時に、受信帯域の雑音レベルを−171dBm/Hz(−166dBc)以下にする必要がある。
【0025】
本実施の形態で提案しているダイレクトアップコンバージョン送信回路について性能確認を行うため、図5に示す回路を0.35μmルールでトランジスタ遮断周波数fTが20GHzのBi−CMOSプロセスで試作し、評価を行った。試作した回路は、ミキサ101,102からなるIQ信号用ミキサ回路1組と、90°位相器100の入力端子505から入力されるミキサ用局部発振信号を増幅するバッファ増幅器501,502より構成される直交変調器510部分であり、90°位相器100、減衰器508,509、低域通過フィルタ506,507は個別部品で構成した。フィルタ506,507は1次の低域通過フィルタであり、参照符号500で示す点線内の回路図のように抵抗511と容量512で構成される。直交変調器510の出力端には、個別部品で構成した整合回路503を設け、50Ω整合と、差動−シングル変換を行って出力端子504から送信信号を取り出す構成である。
【0026】
本実施の形態で提案しているダイレクトアップコンバージョン送信回路における低域通過フィルタの効果を調べるため、フィルタを用いない場合、フィルタの遮断周波数を4.9MHz、440kHzとした場合について、GSM1800に向けた評価を行った。局部発振信号(LO)の入力レベルが0dBm、IQ入力信号の直流レベルが1.2V、出力の周波数が1.75GHzの時の評価結果を図6に示す。横軸はIQ入力信号の電圧レベル(dBV)であり、縦軸は送信信号と受信帯域雑音との比である。同図において、黒丸で示す特性線がフィルタを用いない場合の受信帯域雑音特性であり、四角で示す特性線が遮断周波数440kHzのフィルタを用いた場合、「*」で示す特性線が遮断周波数4.9MHzのフィルタを用いた場合の受信帯域雑音特性である。なお、−17dBVが、GSM、GSM1800等の歪の規格を満足するために許容できる最大入力レベルである。
【0027】
IQの入力レベルが−17dBV時に−7dBm出力であり、この場合の各特性を比較すると、フィルタの無い場合の−142dBc/Hz(−149dBm/Hz)に比べ、440kHzの遮断周波数を持つフィルタを用いる場合、−156dBc/Hz(−163dBm/Hz)と14dB改善していることがわかる。GSM送信周波数帯域でもほぼ同等な結果が得られた。本試作実験では、GSM規格に対しては性能未達であるが、SiGe(シリコン・ゲルマニウム)バイポーラトランジスタを用いるなどのデバイス特性の改善にて達成可能と考えられ、本発明の効果が期待される。
【0028】
フィルタの遮断周波数を下げると受信帯域での雑音レベルをより低減することが出来るが、群遅延の周波数特性の影響により、変調信号の位相精度の劣化が懸念される。フィルタの遮断周波数と変調信号の位相精度の関係を図7に示す。GSM規格では位相精度は5°以下であるが、マージンを見て位相精度の目標値を3°とすると、遮断周波数が約300kHz以下で急激な劣化が観測され、目標値とする位相精度3°を満足できない。集積回路の抵抗値のバラツキが±20%、容量値のバラツキが±30%であるとすると、遮断周波数の設計値は500kHz程度を下限とすることが望ましい。
【0029】
以上のように、ダイレクトアップコンバージョン送信回路を構成するミキサ回路のIQ入力の直前に低域通過フィルタを接続する本発明の第1の実施の形態の構成によれば、出力の受信帯域雑音レベルを大幅に改善できることがわかる。
【0030】
<実施の形態2>
図9および図10を用いて、本発明の第2の実施の形態を説明する。前述した第1の実施の形態の一例では1次のフィルタをミキサの直前に接続した場合の特性を示した。受信帯域での雑音低減には遮断周波数を下げることが望ましいが、フィルタの持つ群遅延偏差による位相精度に影響が出るため限界がある。このため、次数の高いフィルタを用いて受信帯域での減衰量の確保と信号帯域内での群遅延偏差の抑圧を図ったものが本実施の形態である。
【0031】
図9Aに1次低域通過フィルタ90aと、2次のバタワースフィルタ90bおよび3次のバタワースフィルタ90cの振幅特性を示す。1次低域通過フィルタの特性は遮断周波数が440kHzであり、第1の実施の形態で検証のために行った図6に「*」で示した実験結果と同じ条件に設定した。この1次低域通過フィルタの20MHzでの減衰量は約33dBである。2次および3次バタワースフィルタ90b,90cでも20MHzでの減衰量を33dBに設定した。
【0032】
図9Bに各フィルタの群遅延特性を示す。GSMの信号帯域は約100kHzであり、1次のフィルタ90aの特性では100kHzまでの帯域内で20nsecの群遅延偏差が有る。100kHzの信号で1度の誤差は28nsecに相当するため、1次のフィルタ90aを用いた場合、100kHz帯域内で約0.7度の偏差が生じる。GSMシステムで用いるGMSK変調信号のスペクトルは、100kHz帯域内で一様ではないので、この偏差と信号の位相精度の絶対値は同じものではないが、図7に示した実験結果における、フィルタの無い場合と遮断周波数が440kHzの1次フィルタを用いた場合の位相誤差の劣化分と良く一致している。2次および3次のバタワースフィルタ90b,90cの特性では群遅延偏差はどちらも0.1nsecを下回っており、位相誤差に影響は与えない。したがって、フィルタ次数を1次から、2次以上にした場合に大きな改善効果があることが判る。
【0033】
図10に具体的な回路構成例を示す。ミキサ101,102は、広く用いられているギルバート形ミキサである。ここではI系統の回路について詳細を説明し、Q系統の回路も同様なので説明は省略する。90°位相差を持つ局部発振信号は、分周器で構成する位相器1001にて生成される。局部発振信号はバッファ増幅器501にて増幅された後、ギルバートミキサ回路101内のスイッチ動作をする2組の差動対1006を駆動する。I信号入力108は減衰器103にて減衰され、帰還用トランジスタ1003、抵抗1004、容量1005より構成される2次サレンキー形のアクティブ低域通過フィルタ130にて20MHz以上の入力雑音を抑圧する。
【0034】
サレンキーフィルタは素子値の選択により、バタワース形フィルタでも、チェビシェフ形フィルタでも構成することができる。フィルタ出力はミキサ入力段トランジスタ1002を駆動し、2組の差動対1006により高周波信号に変換されてミキサの負荷抵抗1007と差動対1006の接続端から出力が取り出される。ここでは2次のフィルタを示したが、3次にすることも容易である。ただしGSMシステムに限れば、図9からも明らかように、2次のバタワース形フィルタにより必要にして十分な特性が得られる。本実施の形態により帯域外雑音の抑圧と、位相誤差の低減を両立させるダイレクトアップコンバージョン送信機を実現できる。
【0035】
<実施の形態3>
図11を用いて本発明の第3の実施の形態を説明する。なお、図1と同じ構成部分には同じ参照符号を付してある。本実施の形態は、前述した第1及び第2の実施の形態の回路構成において、ミキサ回路入力の直流オフセットの影響により発生するキャリアリークの低減に関するものである。本発明のダイレクトコンバージョン送信回路では、ミキサの入力にフィルタ、減衰器と多くの回路が接続されるため、ミキサの入力端子で発生する直流オフセットの増加が懸念さる。その対策案として本実施の形態の回路構成を提案する。
【0036】
先ず、ミキサのキャリアリークについて説明する。ミキサは掛け算器として機能し、式(1)に示すように、ベースバンド入力信号f(t)と局部発振信号cos(2πfc)との掛け算により、変調波fc(t)を生成する。
【0037】
fc(t)=f(t)×cos(2πfc) … (1)
ミキサの入力に直流オフセットαが加わると、式(2)に示すように、キャリア信号の単独項が発生し、変調精度の劣化要因となる。
【0038】
fc(t)=f(t)×cos(2πfc)+αcos(2πfc) … (2)
直流オフセットを校正するために、本実施の形態では、オフセットを検出するAD変換器ADCと、校正バイアスを発生させるDA変換器DACと、オフセットを最小化する制御を行うと同時に校正条件を記憶する制御部CNTとからなるバイアス校正回路1103をIQそれぞれのチャンネルに設ける。校正は電源が入った後、送信するまでの空き時間に行う。なお、制御部CNTは制御用レジスタ及び論理回路等から構成される。本実施の形態により、直流オフセットの影響を低減したダイレクトアップコンバージョン送信機を実現できる。
【0039】
<実施の形態4>
図12を用いて本発明の第4の実施の形態を説明する。なお、図11と同じ構成部分には同じ参照符号を付してある。前述した第3の実施の形態で、I,Q独立に直流オフセット校正回路1103を設けていたのに対して、本実施の形態では、回路規模が大きくなるAD変換器ADCをI,Qで共用し、全体回路規模の低減を図ったものである。
【0040】
AD変換器ADCは、スイッチSWにより、I,Q信号線に選択的に接続される。DA変換器DACは、I,Q信号線にそれぞれ専用に設ける。制御部CNTも、I,Q信号線に各々専用に設け、各直流オフセットをそれぞれ独立に制御する。校正はI,Q同時には行えないため、校正時間は第3の実施の形態に比べて約倍の時間が必要となる。本実施の形態により、直流オフセットの影響を低減したダイレクトアップコンバージョン送信機を小さな回路規模で実現できる。
【0041】
<実施の形態5>
図13を用いて本発明第5の実施の形態を説明する。なお、図10と同じ構成部分には同じ参照符号を付してある。図10に示した第2の実施の形態では、アクティブ低域通過フィルタ130とミキサ101は独立した回路で構成していた。これに対して本実施の形態では、図10に示したミキサの入力トランジスタ1002とアクティブ低域通過フィルタ130のエミッタフォロワ回路用トランジスタ1003の機能を、図13に示すトランジスタ1302に集約している。これにより大きなベースバンド信号を印加しても飽和することが無い回路を実現できる。
【0042】
I入力信号108は、PNP型トランジスタ1303で構成される差動入力回路にて電圧から電流に変換される。トランジスタ1301,1302はカレントミラー構造を構成し、電流はミキサ用の2組の差動対1006へ折り返されて負荷抵抗1007との接続端からミキサ出力が供給される。トランジスタ1301,1302のベースに直列に接続した抵抗R1,R2と、接地端子あるいはトランジスタ1302のエミッタに接続された容量C1,C2により低域通過フィルタ1300が構成される。また、トランジスタ1301,1302のエミッタは、それぞれ抵抗R3,R4を介して接地されている。本実施の形態により、大きなベースバンド入力信号に対応できる、ダイレクトコンバージョン送信機を実現できる。
【0043】
<実施の形態6>
図14を用いて本発明の第6の実施の形態を説明する。なお、図13と同じ構成部分には同じ参照符号を付してある。図13に示した第5の実施の形態では、フィルタを構成する抵抗R1,R2がトランジスタ1301,1302のベースに直列に接続されるため、トランジスタのベース・コレクタ電流増幅率hFEに起因するベース電流バラツキによる、ミキサ入力電圧の直流オフセットの増加が懸念される。
【0044】
これに対して、本実施の形態ではゲートに直流電流が流れないMOSFET1400,1401をカレントミラー部に適用することにより、抵抗R1,R2での電位降下のバラツキに起因する直流オフセットの発生を抑圧している。また、減衰器103を構成するトランジスタをPNPトランジスタ1303からP型MOSFET1402に変更しているのは、入力インピーダンスを高め、少ない電力で駆動できるようにしたためである。
【0045】
本実施の形態により、大きな抵抗をフィルタに適用することが可能になり、容量値を低減することができる結果、素子面積の小さな低雑音ダイレクトコンバージョン送信機を実現できる。
【0046】
<実施の形態7>
図15を用いて本発明の第7の実施の形態を説明する。本実施の形態は、GSM/GSM1800/GSM1900のトリプルバンドに適用する送受信共にダイレクトコンバージョンを採用したトランシーバICである。このトランシーバIC150の受信回路は、GSM/GSM1800/GSM1900それぞれ、925〜960MHz、1805〜1880MHz、1930〜1990MHzの周波数帯を受信する。外付けのRFフィルタ1506により各周波数帯以外の大きな妨害波を削除する。その後、各周波数帯に対して専用に設けられた低雑音増幅器1507,1508,1509にて信号が増幅される。低雑音増幅器の各出力は、すべての周波数帯で動作する共通のダイレクトコンバージョン用ミキサ1510,1511の入力に接続され、信号はベースバンド周波数のI成分とQ成分に直接変換される。ミキサ1510,1511は、それぞれ1/2分周器1512で発生される90°位相差をもつ局部発振信号にて駆動されている。I成分、Q成分の信号はベースバンドプログラマブル利得可変増幅器・チャネル低域通過フィルタ列(PGA&LPF)1513,1514において妨害波除去と利得調整の処理を受けた後、I信号、Q信号として後段に出力される。
【0047】
送信回路は、先に紹介したいずれかの実施の形態を適用している。IQ送信信号は、減衰器103にて所望の信号レベルに調整し、低域通過フィルタ130にて減衰器103の発生する広帯域雑音を抑圧する。フィルタ130にて雑音を抑圧された信号は、1組のミキサ101,102で構成される直交変調器106においてRF周波数の変調信号に変換される。GSMの場合は880〜915MHz、GSM1800の場合は1710〜1785MHz、GSM1900の場合は1850〜1910MHzで動作する。ミキサ101,102はそれぞれ分周器100で発生される90°位相差をもつ局部発振信号にて駆動されている。
【0048】
直交変調器106の出力信号は、GSM用ドライバ増幅回路1500か、GSM1800,GSM1900兼用ドライバ回路1501にて増幅される。GSMドライバ回路の出力には急峻な特性を持つSAWフィルタ等の帯域通過フィルタ1502を接続し、20MHz離れた受信帯域の残留雑音を除去する。ここでは、第1の実施の形態で示した実験結果を踏まえて、GSM出力には急峻なSAWフィルタを接続しているが、回路の高性能化に伴ない、安価なLCフィルタに起きかえることが可能となる。フィルタの出力は電力増幅器モジュール(PA Module)801にて信号を増幅する。
【0049】
GSM1800,GSM1900兼用ドライバ増幅回路1501の出力には簡易なLCフィルタ1503を接続し、高調波を除去した後、電力増幅器モジュール801にて信号を増幅する。ここで、電力増幅器モジュール801はGSM用増幅器とGSM1800,GSM1900兼用増幅器を実装している。電力増幅器モジュール801内の増幅器の出力で発生する高調波を取り除く低域通過フィルタ(LPF)1504を通して送受信切り替えスイッチ(S/W)1505を介してアンテナから送信される。
【0050】
電圧制御発振器(RF VCO)1515はシンセサイザ(RF PLLSynth)1516により帰還を受け安定に発振し、送受信の局部発振信号を以下のように生成する。
【0051】
GSM受信: 発振器1515が3700〜3840MHzで発振し、この発信器出力が分周器1517で2分周され、更に分周器1512にて2分周されてミキサ1510とミキサ1511を駆動するGSM受信用の局部発信信号が得られる。
【0052】
GSM1800受信: 発振器1515が3610〜3760MHzで発振し、この発信器出力は分周器1517を通らずにスイッチ1518で直接分周器1512に接続され2分周されて、ミキサ1510とミキサ1511を駆動するGSM1800受信用の局部発信信号が得られる。
【0053】
GSM1900受信: 発振器1515が3860〜3980MHzで発振し、この発信器出力が分周器1517を通らずにスイッチ1518で直接分周器1512に接続され2分周されて、ミキサ1510とミキサ1511を駆動するGSM1900受信用の局部発信信号が得られる。
【0054】
GSM送信: 発振器1515が3520〜3660MHzで発振し、この発振器出力は分周器1519で2分周され、更に分周器100にて分周されて、直交変調器106を駆動するGSM送信用の局部発信信号が得られる。
【0055】
GSM1800送信: 発信器1515が3420〜3570MHzで発振し、この発振器出力は分周器1519を通らずにスイッチ1520で直接分周器100に接続され2分周されて、直交変調器106を駆動するGSM1800送信用の局部発信信号が得られる。
【0056】
GSM1900送信: 発信器1515が3700〜3820MHzで発振し、この発振器出力は分周器1519を通らずにスイッチ1520で直接分周器100に接続され、2分周されて直交変調器106を駆動するGSM1900送信用の局部発信信号が得られる。
【0057】
この様な動作を行うため、発振器1515は3420〜3980MHzで動作する。本実施形態によりひとつの電圧制御発信器を用いて送受両方にダイレクトコンバージョン回路を実現することが出来る。
【0058】
<実施の形態8>
本発明の第8の実施の形態を図16と図20を用いて説明する。なお、図16において、図15と同じ構成部分には同じ参照符合を付してある。前述した第6の実施の形態では、GSM用は発振器1515の出力を4分周し、GSM1800,GSM1900用は2分周して局部発振信号を生成している。2分周器の入力(すなわち、発振器1515の出力)波形、2分周波形および4分周波形を図20に示す。
【0059】
発振器1515の出力が2分周器に入力されると、出力1と出力2の2つの波形を発生する。出力1と出力2の波形の立上りタイミング2007,2008の一方は、分周器の入力(すなわち発振器出力)の立上りタイミング2005に同期し、もう一方は分周器の入力の立下りタイミング2006に同期する。
【0060】
発振器1515の出力が50%のデューティ比を持つならば、2つの出力の位相差は90°となる。デューティ比が50%からずれる場合は、位相差に誤差が生じる。出力1の波形を更に2分周すると、出力3と出力4の波形を得る。どちらの波形の立上りタイミング2009,2010も発振器出力の立上りタイミング2005に同期しており、発振波形のデューティ比に依存することなく、正確な90°位相差を持つ信号を生成できる。
【0061】
したがって、前述した第6の実施の形態ではGSMに関しては正確な位相差を持つ信号が生成できるが、GSM1800,GSM1900では発振波形のデューティに依存する誤差が生じる。図16に示す本実施の形態におけるGSM/GSM1800/GSM1900のトリプルバンドに適用する送受信共にダイレクトコンバージョンを採用したトランシーバIC160では、電圧制御発振器1515の発振周波数を第6の実施形態の2倍の、6840〜7960MHzとし、新たに分周器1600を発振器出力に接続した構成とする。これにより、GSMは8分周、GSM1800,GSM1900は4分周を用い、発振器の波形のデューティ比に依存しない、正確な90°位相差をもつ局部発振信号を発生することが出来る。
【0062】
<実施の形態9>
本発明の第9の実施の形態を図17及び図19を用いて説明する。なお、図17において、図15と同じ構成部分には同じ参照符合を付してある。前述した第6及び第7の実施の形態がGSM、GSM1800、GSM1900のトリプルバンド対応ICであったのに対し、ここでは新たにGSM850を加えた4バンド対応のトランシーバICである。このトランシーバIC170の受信回路には869〜894MHzを受信する低雑音増幅器1700を追加した。送信回路ではGSM専用のドライバ回路1500がGSMおよびGSM850両方の信号に対して機能する。GSMおよびGSM850用の外付けRFフィルタはLCフィルタで構成され、高調波を除去する。GSMとGSM850の回路を兼用するには、GSMとGSM850の送信時に、ドライバ回路出力の受信帯域雑音レベルが、3dBm出力において、−160dBm/Hz以下を満足する必要がある(図19参照)。雑音レベルがこの条件に達しない場合は、現在兼用しているドライバ回路1500をGSM用とGSM850用にそれぞれ設けて2系統に増やし、それぞれの系統に専用のSAWフィルタを用いる構成とすればよい。
【0063】
以上のように本実施の形態により、少ない外付け素子で4バンド対応のトランシーバICを実現できる。
【0064】
以上、本発明の好適な幾つかの実施の形態を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない範囲内で種々の設計変更を成し得ることは勿論である。
【0065】
【発明の効果】
本発明により、従来のオフセットPLLを適用した送信機に比べ、RF集積回路、電力増幅器、フロントエンド回路のほか必要な外付けVCOを削減し、現状トランジスタ性能で構成してもVCOより安価なSAW等の急峻なフィルタ1つ用いることでGSM/GSM1800/GSM1900のトリプルバンド送受信機を実現できる。更にトランジスタ特性が向上すれば、高価な外付け部品を一切用いることなく、トリプルバンド、クアトロバンド送受信機が構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るダイレクトコンバージョン送信回路の1の実施の形態を示す構成図である。
【図2】GSMの規格で定められている送信電力と受信帯域での雑音の関係を示す図である。
【図3】GSM1800の規格で定められている送信電力と受信帯域での雑音の関係を示す図である。
【図4】ダイレクトコンバージョン送信機の雑音生成要因を示す図である。
【図5】本発明の効果を確認するために行った試作回路図である。
【図6】図5の回路の測定結果を示す入力信号レベルと雑音レベルの特性線図である。
【図7】図5の回路の測定結果を示すフィルタの遮断周波数と位相精度の特性線図である。
【図8】GSM1800を例にした本発明の第1の実施の形態における送信機のレベルダイアグラムである。
【図9A】1次と2次フィルタの振幅特性を示す図である。
【図9B】1次と2次フィルタの群遅延特性を示す図である。
【図10】本発明の第2の実施の形態を示す2次フィルタを用いたミキサ回路の構成図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態を示す図であって、直交変調器を構成するミキサの直流オフセットを校正する機能を設けた回路構成図である。
【図12】本発明の第4の実施の形態を示す図であって、直流オフセット校正用AD変換器の使用個数を低減した回路構成図である。
【図13】本発明の第5の実施の形態を示す図であって、直交変調器部を構成するミキサ部の入力に2次フィルタを用いた構成の要部回路図である。
【図14】本発明の第6の実施の形態を示す図であって、直交変調器部を構成するミキサ部の入力に設ける2次フィルタ回路にMOSFETを用いた構成の要部回路図である。
【図15】本発明の第7の実施の形態を示す図であって、GSM、GSM1800、GSM1900に対応する送受信一体集積回路の構成を示す要部回路図である。
【図16】本発明の第8の実施の形態を示す図であって、図15の回路において発振器の動作周波数を倍にした場合の構成図である。
【図17】本発明の第9の実施の形態を示す図であって、GSM850、GSM、GSM1800、GSM1900に対応する送受信一体集積回路の構成を示す要部回路図である。
【図18】オフセットPLL回路を用いた従来の送信機の構成を示す要部回路図である。
【図19】GSMを例にした本発明の第1の実施の形態における送信機のレベルダイアグラムである。
【図20】図16の構成において局部発信信号を生成するために用いる2分周器の入力波形、2分周波形および4分周波形を示す図である。
【符号の説明】
90a…1次低域通過フィルタ、90b…2次のバタワースフィルタ、90c…3次のバタワースフィルタ、100…90°位相器、101,102…ミキサ、103,104…減衰器、105…発信器、106…直交変調器、107…ドライバ増幅器、108…I信号入力端子、109…Q信号入力端子、121…ミキサ入力部の減衰器起因の熱雑音、130,131…低域通過フィルタ、132…出力端子、150,160,170…トランシーバIC、180…電圧制御発振器(VCO)、201…GSM出力信号、202…GSM受信帯域許容出力雑音レベル、301…GSM1800の出力信号、302…GSM1800受信帯域許容出力雑音、303…GSM1800送信帯域、304…GSM1800受信帯域、402,403…AD変換器、404,405…低域通過フィルタ、411…信号本体、412…折り返し雑音、413…回路の持つ熱雑音、415…低域通過フィルタ出力の信号、416…低域通過フィルタ出力熱雑音、419…ミキサ入力部の信号、420…低域通過フィルタの遮断周波数以下の雑音、421…減衰器の雑音、424…直交変調器出力信号、425…直交変調器出力のAD変換器起因の熱雑音、426…直交変調器出力の減衰器起因の雑音、430…高周波フィルタ、501,502…バッファ増幅器、503…整合回路、504…出力端子、505…位相器の入力端子、506,507…低域通過フィルタ、508,509…減衰器、510…直交変調器、511…抵抗、512…容量、801…電力増幅器(PA Module)、802…フロントエンド回路(FEM)、803…送信機の出力端、804…送信機の入力端、1001…分周器で構成する位相器、1002…トランジスタ、1003…帰還用トランジスタ、1004…抵抗、1005…容量、1006…差動対、1007…負荷抵抗、1103…バイアス校正回路、1300…低域通過フィルタ、1301,1302…トランジスタ、1303…PNP型トランジスタ、1400,1401…MOSFET、1402…P型MOSFET、1505…送受信切り替えスイッチ(S/W)、1500…GSM用高周波増幅器、1501…GSM1800,GSM1900用高周波増幅器、1502…帯域通過フィルタ、1503…LCフィルタ、1504…低域通過フィルタ、1506…RFフィルタ、1507〜1509…低雑音増幅器、1510、1511…ミキサ、1512…分周器、1513,1514…ベースバンドプログラマブル利得増幅器・チャネル低域通過フィルタ列(PGA&LPF)、1515…電圧制御発振器(RF VCO)、1516…シンセサイザ(RF PLLSynth)、1517,1519…分周器、1518,1520…スイッチ、1600…分周器、1700…低雑音増幅器、1701…帯域通過フィルタ、1801…ミキサ、1802…位相比較器、1803…低域通過フィルタ、1805…アンテナ、1806…電圧制御発振器(VCO)、1807…90°位相器、1808,1809…ミキサ、1810…増幅器、1812,1813…局部発信信号、1814…PLL部、1815…IF信号発生部、1816…PLL閉ループ、1817…集積化部分、2005…発振器出力立上りタイミング、2006…発振器出力立下りタイミング、2007,2008…2分周波形立上りタイミング、2009,2010…4分周波形立下りタイミング、ADC…AD変換器、C1,C2…容量、DAC…DA変換器、CNT…制御部、PA…電力増幅器、R1,R2…抵抗、LPF…低域通過フィルタ。
Claims (10)
- 第1および第2のミキサと、第1および第2の低域通過フィルタと、第1および第2の利得・バイアス調整手段と、第1の位相器より構成される直交変調回路であって、
前記第1および第2のミキサの高周波出力端子を互いに接続し、前記第1のミキサの入力端子に前記第1の低域通過フィルタの出力端子を接続し、該第1の低域通過フィルタの入力端子を前記第1の利得・バイアス調整手段の出力端子に接続し、第2のミキサの入力端子に第2の低域通過フィルタの出力端子を接続し、第2の低域通過フィルタの入力端子を前記第2の利得・バイアス調整手段の出力端子に接続し、前記第1のミキサの局部発振信号入力端子に前記第1の位相器の第1出力端子を接続し、前記第2のミキサの局部発振信号入力端子に前記第1の位相器の第2出力端子を接続し、前記第1の利得・バイアス調整手段の入力端子と前記第2の利得・バイアス調整手段の入力端子にそれぞれ入力信号を印加する構成としたことを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項1記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
前記位相器は、分周回路で構成したことを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項1または請求項2に記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
前記第1および第2の低域通過フィルタ回路は、各々少なくとも2次の次数のフィルタで構成することを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項3記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
前記第1および第2の低域通過フィルタ回路をそれぞれサレンキー形フィルタ回路で構成し、
各サレンキー形フィルタを第1および第2の抵抗と第1および第2の容量と第1のトランジスタで構成し、
前記第1の抵抗の第1端子をフィルタの入力とし、前記第1の抵抗の第2端子を前記第2の抵抗の第1端子と接続し、前記第2の抵抗の第2端子を第1のトランジスタのベースに接続し、前記第1の容量の第1端子を前記第1の抵抗の第2端子に接続し、前記第1の容量の第2端子を前記第1のトランジスタのエミッタに接続し、前記第2の容量の第1端子を前記第2の抵抗の第2端子に接続し、前記第2の容量の第2端子を接地電位に接続し、前記第1のトランジスタのコレクタを電源電位に接続し、前記第1のトランジスタのエミッタをフィルタの出力端子とすることを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項3記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
前記第1および第2の低域通過フィルタ回路のそれぞれは、2組の第1および第2のサレンキー形フィルタ回路で構成され、かつ、
前記第1および第2のサレンキー形フィルタ回路はそれぞれ、
第1、第2、第3、および第4の抵抗と、
第1および第2の容量と、
第1および第2のトランジスタとからなり、かつ、
前記第1の抵抗の第1端子を前記フィルタ回路の入力端子とし、前記第1の抵抗の第2端子を前記第2の抵抗の第1端子と接続し、前記第2の抵抗の第2端子を前記第1のトランジスタのベースに接続し、前記第1の容量の第1端子を前記第1の抵抗の第2端子に接続し、前記第1の容量の第2端子を前記第1のトランジスタのエミッタに接続し、前記第2の容量の第1端子を前記第2の抵抗の第2端子に接続し、前記第2の容量の第2端子を接地電位に接続し、前記第1のトランジスタのコレクタを前記フィルタ回路の出力端子とし、前記第3の抵抗の第1端子を前記第1のトランジスタのエミッタに接続し、前記第3の抵抗の第2端子を接地電位に接続し、前記第2のトランジスタのコレクタとベースを第1の抵抗の第1端子に接続し、前記第2のトランジスタのエミッタ端子に前記第4の抵抗の第1端子を接続し、前記第4の抵抗の第2端子を接地電位に接続して構成し、
前記第1および第2の利得・バイアス調整手段はそれぞれ、
差動電圧を差動電流に変換する電圧電流変換回路となる第1の差動対と、
第1および第2のコレクタ出力端子と第1および第2のベース入力端子とエミッタ結合入力端子を具備する第2および第3の差動対とからなり、かつ、
前記第1の差動対の第1コレクタ出力端子を前記第1のサレンキーフィルタ回路の前記入力端子に接続し、前記第1の差動対の第2コレクタ出力端子を前記第2のサレンキーフィルタ回路の入力端子に接続し、前記第1のサレンキーフィルタ回路の出力端子を前記第2の差動対のエミッタ結合入力端子に接続し、前記第2のサレンキーフィルタ回路の出力端子を前記第3の差動対のエミッタ結合入力端子に接続し、前記第2および第3の差動対の第1コレクタ出力端子同士を接続し、前記第2および第3の差動対の第2コレクタ出力端子同士を接続し、前記第2の差動対の第1ベース入力端子と前記第3の差動対の第2ベース入力端子を接続し、前記第2の差動対の第2ベース入力端子と前記第3の差動対の第1ベース入力端子を接続したことを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項1記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
前記第1および第2のミキサは、それぞれ差動回路で構成され、かつ、前記第1および第2のミキサの入力端子対に、出力端子対が接続された第1および第2の直流オフセット校正回路を具備し、
前記第1および第2の直流オフセット校正回路はそれぞれ、DA変換器とAD変換器と2出力を有する制御手段とから構成され、
前記制御手段の一方の出力は前記DA変換器の入力端子に接続され、前記制御手段の他方の出力は前記AD変換器の入力端子に接続され、前記DA変換器と前記AD変換器の各出力対同士が接続されて前記出力端子対となり、
ダイレクトコンバージョン送信回路が信号を発生させる前に、前記DA変換器を動作させ、前記第1および第2のミキサの入力端子に発生する直流成分の大きさに応じた論理信号に変換し、その論理信号の値に基づいて直流成分を打ち消す直流レベルを前記AD変換器から発生させる機能と、前記論理信号に変換された最適レベルを記憶する機能とを制御手段に持たせたことを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項1記載のダイレクトコンバージョン送信回路において、
第1および第2のDA変換器とAD変換器と2出力を各々有する第1および第2制御手段とからなり、第1、第2、および第3出力端子対を有する直流オフセット校正回路と、
2組の出力端子対を有する切替手段とをさらに具備し、
前記第1制御手段の出力は前記第1のDA変換器の入力に接続され、前記第2制御手段の出力は前記第2のDA変換器の入力に接続され、前記第1のDA変換器の出力対が前記直流オフセット校正回路の第1出力端子対に接続され、前記第2のDA変換器の出力対が前記直流オフセット校正回路の第2出力端子対に接続され、前記AD変換器の出力が前記直流オフセット校正回路の第3出力端子対に接続され、
前記第1および第2のミキサは差動回路で構成されて、前記第1のミキサの入力端子対に前記直流オフセット校正回路の第1出力端子対が接続され、前記第2のミキサの入力端子対に前記直流オフセット校正回路の第2出力端子対が接続され、前記切替手段の入力端子対に前記直流オフセット校正回路の第3出力端子対が接続され、
前記切替手段の一方の出力端子対が前記第1のミキサの入力端子対に接続され、前記切替手段の他方の出力端子対は前記第2のミキサの入力端子対に接続されてなり、
ダイレクトコンバージョン送信回路が信号を発生させる前に、前記第1および第2のDA変換器を動作させ、前記第1および第2のミキサの入力端子に発生する直流成分の大きさに応じた論理信号に変換し、その論理信号の値に基づいて前記第1および第2のミキサの入力端子対に発生する直流成分を打ち消すために前記AD変換器で生成した直流レベルを、前記第1および第2のミキサの入力端子対に異なる期間に印加するように前記切替手段により切替える機能と、前記論理信号に変換された最適レベルを記憶する機能とを前記第1および第2制御手段に持たせたことを特徴とするダイレクトコンバージョン送信回路。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のダイレクトコンバージョン送信回路を用いた第1のダイレクトコンバージョン送信回路と、第3および第4の増幅器とからなる送信部と、
第1〜第3の低雑音増幅器と、第3および第4のミキサと、第1〜第3の分周器と、第1の周波数シンセサイザと、第1の電圧制御形発振器と、第1および第2のベースバンド周波数増幅器・フィルタ列とからなる受信部とが、同一チップ上に集積化された集積化送受信回路おいて、
前記第1のダイレクトコンバージョン送信回路の出力と前記第3および第4の増幅器の入力回路を接続し、前記第3および第4の増幅器を独立した出力端子とし、前記第1〜第3の低雑音増幅器の入力端子を独立した入力端子とし、前記第1〜第3の低雑音増幅器の出力端子を互いに接続して前記第3および第4のミキサ回路の入力に接続し、前記第3および第4のミキサ回路の出力を前記第1および第2のベースバンド周波数増幅器・フィルタ列に接続し、前記第1の分周器の第1出力を前記第3のミキサの局部発振信号入力端子に接続し、前記第1の分周器の第2出力を前記第4のミキサの局部発振信号入力端子に接続し、前記第1の電圧制御発振器の制御電圧入力端子に、前記第1の周波数シンセサイザの出力端子を接続し、前記第1の電圧制御発振器の出力を前記第1の周波数シンセサイザの入力に接続し、前記第1の電圧制御発振器の出力を、分周機能を発揮する場合とバイパスする場合の2つの機能を持つ前記第2の分周器の入力端子に接続し、前記第2の分周器を前記第1の分周器の入力に接続し、前記第1の電圧制御発振器の出力を、分周機能を発揮する場合と、バイパスする場合の2つの機能を持つ前記第3の分周器の入力端子に接続し、前記第3の分周器を前記第1のダイレクトコンバージョン送信回路内の第1の位相器の入力端子に接続し、前記第1の位相器が分周器であることを特徴とする集積化送受信回路。 - 請求項8記載の集積化送受信回路において、
前記第1の電圧制御発振器と互いに入力端子を接続した前記第2および第3の分周器の間に、第4の分周器を挿入したことを特徴とする集積化送受信回路。 - 請求項9記載の集積化送受信回路において、
前記第4の分周器は分周機能を発揮する場合とバイパスする場合の2つの機能を持ち、
更に、入力端子が他の低雑音増幅器の入力端子と独立し、かつ、出力端子が他の低雑音増幅器の出力端子に接続される第4の低雑音増幅器を設けることを特徴とする集積化送受信回路。
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