JP3986553B2 - デシベル−線形出力電圧を有する増幅段 - Google Patents
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
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- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
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- H03G3/20—Automatic control
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- H—ELECTRICITY
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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Description
従来の利得制御の場合、出力信号は、制御信号に対し直線的に出力される。1ボルトの入力信号と、0と10ボルトの間の制御信号が与えられた場合、0と100の間の倍率を有する線形利得特性を実現することが可能である。即ち、利得倍率100は、10ボルトの制御信号に対し生成され、5ボルトの制御信号に対し利得倍率は50である。利得倍率をデシベル単位で表わした場合、利得倍率100は40dBの値に対応し、利得倍率50は値34dBに対応する。従って、線形増幅器は、出力信号の変化が低い方の制御レンジに大きい影響を与え、一方、高い方の制御レンジにおいて制御された変数の変化は出力信号に大きな影響を与えないので、dB線形性に適していない。
利得倍率は、中間周波(IF)レンジの場合、値1と1000の間にある。上記利得倍率は制御電圧上に均等に分配する必要があるので、出力電圧と制御信号の間のデシベル線形性が目標になる。
更に、出力電圧を入力電圧の対数関数として変えることは米国特許出願第5 057 717号明細書及び米国特許出願第4 004 141号明細書から周知である。
本発明は、デシベル線形であるべき制御された乗算増幅器を設計する目的に基づいている。上記目的は、請求の範囲の第1項に記載された本発明の特長によって実現される。本発明の有利な展開は従属項に記載されている。
本発明によれば、乗算増幅器の入力には、ドライブの目的で上流に接続されたトランジスタがある。上記トランジスタは、チップのトランジスタ領域上で等しくさせる必要がある。
乗算器の各入力の上流のトランジスタ、又は、上流のトランジスタ領域の数が一致するよう選択された場合に、乗算器は線形に動作する。入力の上流の上記トランジスタ又はトランジスタ領域の数が別個に選択された場合に、トランジスタ又はトランジスタ領域の比の適当な分配比が与えられたならば、デシベル線形化を実現することが可能である。
トランジスタを介して乗算器の入力に供給される電流を制御することにより、デシベル線形性を厳密に設定することが可能である。トランジスタの適当な分配比、即ち、適当な制御電流は級数展開によって定めることができる。
制御ユニットは、一方で制御電圧を電流に変換し、他方で温度の影響を補償するため使用される。制御ユニットは最小利得1を補償する一定成分を有する。
可能な最良のデシベル線形化は、1:5のトランジスタ分配比の場合に生成される。上記回路の利点は、デシベル線形化を低コストで実現し得ることである。
以下、添付図面を参照して本発明を説明する。添付図面中:
図1は本発明に従って構成された回路を示す図であり、
図2は図1の回路で得られた特性を示す図であり、
図3は本発明により構成された回路の展開を示す図であり、
図4−11は、本発明により構成された回路の展開を示す図である。
図1はデシベル−線形化された乗算器を示している。IF電圧UEは、トランジスタT11、T12及び抵抗REにより形成される電圧/電流変換器1を用いて電流IEに変換される。電流IEは上側の乗算器2によって送出される。直流信号U2は乗算器2の入力に現れる。出力電圧VCは乗算器2の出力に現れる。直流U1はトランジスタT1、T2、T3、T4、T5、T6のベースに現れる。直流信号U2は、電流Ia、Ibの関数としてその値を変える。制御ユニット3は制御電圧VAGCを電流Ia及びIbに変換する。電流Iaは、制御ユニット3に依存してトランジスタT1によって送出される。電流Ibは、制御ユニット3に依存して、トランジスタT2、T3、T4、T5、T6によって送出される。電流Ia及びIbは、制御電圧VAGCの関数として制御ユニット3を用いて制御される。電流Ia及びIbは相互に補完的、即ち、一方の電流が増加すると、もう一方の電流は減少する。制御ユニット3は一定成分Iconstを有し、これを用いて、最小利得の1が生成される。直流信号U2は電流Ia、Ibに依存し、電流IEが切り換えられ、電流I1又は電流I2が得られるように乗算器をドライブする。IaのIbに対する比はI1のI2に対する比に一致する。電流I1は抵抗RCの両端間の電圧降下に影響を与え、電圧VCによる増幅信号を供給する。電流I2は抵抗RCの両端間の電圧効果には影響を与えず、電圧VCによる増幅信号を低減する。このようにして、IF電圧UEと制御電圧VAGCの関数としての出力電圧VCのデシベル線形性を実現することができるように信号分配が制御される。
乗算器2の入力に関し同一タイプのトランジスタの分配比NTの影響を以下に説明する。ベースとエミッタの間の電圧降下は、トランジスタT1乃至T6の電流分配を制御する。同一分配比の場合、全ての電流は均等に分配される。即ち、IaのIbに対する比は、I1のI2に対する比に一致する。これは、上記例の場合1:1の分配比で電流の高周波分配を制御する通常の直接電流分配である。例えば、1:5のように別個に選択された分配比が与えられた場合、電流Ibの小さい方の部分電流は、5個のトランジスタの並列配置の中の各個別のトランジスタを流れ、電圧降下は特定の規則に従って減少する。上記規則は、ダイオードの特性
に従って作成され、次式
が得られる。上の式において、Isはダイオードの逆飽和電流を表わしている。ベース/エミッタ電圧は、電流比の自然対数関数の関数として変化することが分かる。電圧飽和電流は、従って、トランジスタの個数に依存し、トランジスタT2乃至T6の間で均等に分配されている。逆飽和電流IsはトランジスタT2乃至T6から生成され、ベース/エミッタ比は、かくして、倍率5で減少する。電圧
は、選択された比1:5に対し生成される。従って、選択された比は対数を用いた式に採用される。比1:5、即ち、T1:T2、T3、T4、T5、T6は、出力のデシベル線形性を保証する。
図2には所望の曲線プロフィールが示されている。出力電圧VC〔dB〕は制御電圧VAGC〔V〕の関数として示されている。上記曲線プロフィールaは、選択された分配比NT=1:5が与えられた場合に制御電圧VAGCに対するデシベル−線形性プロフィールを示している。曲線プロフィールbは、選択された分配比NT=1:3が与えられた場合の略直線的な曲線プロフィールを示している。デシベル線形性は、選択された分配比NT=1:5の場合に得られることが明らかに示されている。
図3には図1と比較して制御ユニット3が具現化されている点で変更された他の回路が示されている。制御ユニット3は、トランジスタT13、T14、T15、T16、T17、T18と、抵抗R1、R2、R3、R4、R5、R6と、基準電圧源Urefと、定電流源Iconstとからなる。制御ユニット3は、制御電圧VAGCを電流Ia及びIbに変換する。別の分配比により、種々の電流による温度応答が得られ、この温度応答は補償する必要がある。上記回路配置の場合、電流Ia、Ibは、利得が温度の関数として一定に維持されるように再調整される。
図4には、平衡エミッタ領域を有する制御可能な増幅器が示されている。この増幅器は、3個の結合された差動増幅器n1、n2、ncからなる。トランジスタのエミッタ領域は別々である。中央の差動増幅器ncは、エミッタの面積nc*Aeを有し、ここで、ncは整数であり、Aeはエミッタの単位面積(例えば、5μm*5μm)である。二つの外側の差動増幅器n1、n2は、夫々、エミッタ面積n1*Ae、n2*Ae及びn2*Ae、n1*Aeを有する。差動増幅器の制御電流は、Ia、Ib及びIcである。コレクタ電流Ic1は、
として表わされる。
電圧利得Av=va/veは、
として表わされる。
微分係数
は、利得の線形性の測定量である。従って、利得Avは変調に依存する。Ia=Ibならば、
である。
線形増幅器の設計の目的は、電圧利得Av=一定の場合に最大の実現可能な変調xを得ることである。数学的な最適化法を使用して、Ia、Ib、Ic、n1、n2及びncは上記変調が得られるように定めることができる。
図5において、曲線aは、中央の差動増幅器ncだけからなる増幅器の電圧利得Av(x)のプロフィールを示している。曲線bは、二つの外側の差動増幅器n1だけからなる増幅器を示している。曲線cは、3台の差動増幅器n1、n2、ncの全部からなる増幅器を示している。曲線2cに従う解は、全変調レンジにおいて明らかに改良された線形性を示している。1%の許容された改良の変調限界は、種々の形の曲線a、曲線b及びcに対し以下の表1に掲載されている。
新しい解、曲線cは、従来の解法、曲線a及びbと比べて略2倍の変調レンジを示している。
図6には、制御電流がVT発生器の助けで温度に比例して増加するとき、温度依存性利得を有する回路が示されている。
図7には他の実施例が示されている。増幅器は、連鎖的に接続され、モノリシック的に集積された4台の増幅器からなる。歪み係数k≦1%の場合の最大許容入力電圧Vinは60mVppである。利得は0dBから60dBまで変えることができる。増幅器に関するノイズ電圧レベルは、5nV/νである。増幅器の帯域幅は120MHzよりも広い。
図8は変調レンジの多重化を示している。変調レンジは差動増幅器のエミッタラインにm個のダイオードを介在させることによりm倍に増大される。
図9は帯域幅を増大する回路を示している。カスコード回路を用いることにより、寄生的なコレクタ/基板容量Csを無効にさせることが可能であるので、帯域幅を増大することができる。
図10には入力電圧に依存する利得が示されている。差動増幅器n1、n2、nc、ia、ib及びicを適当に選択することにより、実質的に全ての所望の形状の利得曲線を実現することが可能である。更に他の例は、コレクタラインを置き換えることにより生成される。
図11は他の差動増幅器10を示している。更なる差動増幅器10を付加することにより増幅器が線形である変調レンジを拡張することが可能である。
Claims (7)
- 制御電圧(VGAC)が特定の割合だけ変化したとき、デシベル単位で同じ割合だけ出力信号の大きさを変化させて、出力信号(VC)の大きさが前記制御電圧(VAGC)の対数と線形に変化するようにした増幅段であって、
前記制御電圧(VGAC)に対応した電圧が第1の入力信号として、その第1の入力と第2の入力との間に供給される乗算器(2)と、
前記制御電圧(VGAC)を受ける制御ユニット(3)と、
前記制御ユニット(3)の第1及び第2の出力と、前記乗算器(2)の前記第1及び第2の入力と、の間に接続された複数のトランジスタ(T1,T2,T3,T4,T5,T6)とを有し、
前記複数のトランジスタのそれぞれのトランジスタは、前記制御ユニット(3)の第1の出力又は第2の出力に、及び、前記乗算器(2)の前記第1の入力又は第2の入力に、割り当てられて、1:5の分配比(NT)とされることによって、出力信号(VC)の上記制御電圧(VAGC)に対するデシベル−線形依存を得ることを特徴とする増幅段。 - 上記制御ユニット(3)は、上記制御電圧(VGAC)を、相互に補完的な二つの電流(Ia,Ib)に変換し、その電流は、上記制御ユニット(3)の上記第1の出力及び第2の出力を介して、前記複数のトランジスタのそれぞれのトランジスタに供給されていることを特徴とする請求項1記載の増幅段。
- 乗算器(2)のトランジスタ(T7,T8;T9,T10)は、チップ上に異なるエミッタ領域を有する結合されたトランジスタ(n1、n2、nc)を形成することによって構成されることを特徴とする請求項1記載の増幅段。
- 一定の電圧利得(Av)が与えられたならば、変調レンジの増加が、エミッタ領域を異にする差動増幅器(nc)を結合することにより得られることを特徴とする請求項3記載の増幅段。
- 上記変調レンジは、乗算器(2)のトランジスタ(T7,T8;T9,T10)のエミッタラインにm個のダイオードを挿入することによりm倍に増加されることを特徴とする請求項4記載の増幅段。
- 帯域幅はカスケード回路を用いることによって、増加されることを特徴とする請求項1記載の増幅段。
- VT発生器により、増幅段の利得が温度に対応して変動するように、電流源(Ia,Ib、Ic)を制御することを特徴とする請求項1ないし6いずれか一項に記載の増幅段。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4329896.6 | 1993-09-04 | ||
DE4329896A DE4329896A1 (de) | 1993-09-04 | 1993-09-04 | Verstärkerstufe mit einer dB-linearen Ausgangsspannung |
PCT/EP1994/002810 WO1995007574A1 (de) | 1993-09-04 | 1994-08-25 | Verstärkerstufe mit einer db-linearen ausgangsspannung |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304368A Division JP4291354B2 (ja) | 1993-09-04 | 2006-11-09 | デシベル−線形出力電圧を有する増幅段 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09502316A JPH09502316A (ja) | 1997-03-04 |
JP3986553B2 true JP3986553B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=6496826
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50841995A Expired - Fee Related JP3986553B2 (ja) | 1993-09-04 | 1994-08-25 | デシベル−線形出力電圧を有する増幅段 |
JP2006304368A Expired - Lifetime JP4291354B2 (ja) | 1993-09-04 | 2006-11-09 | デシベル−線形出力電圧を有する増幅段 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304368A Expired - Lifetime JP4291354B2 (ja) | 1993-09-04 | 2006-11-09 | デシベル−線形出力電圧を有する増幅段 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5874857A (ja) |
EP (1) | EP0716783B1 (ja) |
JP (2) | JP3986553B2 (ja) |
KR (1) | KR100319009B1 (ja) |
CN (1) | CN1061490C (ja) |
BR (1) | BR9407380A (ja) |
DE (2) | DE4329896A1 (ja) |
ES (1) | ES2117290T3 (ja) |
MY (1) | MY110755A (ja) |
WO (1) | WO1995007574A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5933771A (en) * | 1997-06-20 | 1999-08-03 | Nortel Networks Corporation | Low voltage gain controlled mixer |
US6049251A (en) * | 1998-03-30 | 2000-04-11 | Maxim Integrated Products, Inc. | Wide-dynamic-range variable-gain amplifier |
US7276970B2 (en) * | 1998-11-12 | 2007-10-02 | Broadcom Corporation | System and method for linearizing a CMOS differential pair |
US6985035B1 (en) | 1998-11-12 | 2006-01-10 | Broadcom Corporation | System and method for linearizing a CMOS differential pair |
ATE276605T1 (de) | 1998-11-12 | 2004-10-15 | Broadcom Corp | Integrierte tunerarchitektur |
US6525609B1 (en) * | 1998-11-12 | 2003-02-25 | Broadcom Corporation | Large gain range, high linearity, low noise MOS VGA |
JP2000232328A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 可変利得増幅器の利得制御回路 |
US7696823B2 (en) | 1999-05-26 | 2010-04-13 | Broadcom Corporation | System and method for linearizing a CMOS differential pair |
JP4073152B2 (ja) | 2000-06-30 | 2008-04-09 | 富士通株式会社 | 利得可変増幅器 |
JP2002043875A (ja) | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Nec Corp | 可変利得増幅器及びそれを備えた電子機器 |
US6522200B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Process-insensitive, highly-linear constant transconductance circuit |
DE10106388C2 (de) * | 2001-02-12 | 2002-12-12 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Bereitstellung einer exponentiellen Vorverzerrung für einen einstellbaren Verstärker |
DE10150476A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-04-17 | Thomson Brandt Gmbh | Wireless LAN |
JP4027102B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、及び制御プログラム |
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- 1993-09-04 DE DE4329896A patent/DE4329896A1/de not_active Withdrawn
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1994
- 1994-08-25 EP EP94925475A patent/EP0716783B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 US US08/600,974 patent/US5874857A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 ES ES94925475T patent/ES2117290T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 BR BR9407380A patent/BR9407380A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-08-25 DE DE59405728T patent/DE59405728D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 CN CN94193276A patent/CN1061490C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-25 JP JP50841995A patent/JP3986553B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-25 KR KR1019960701101A patent/KR100319009B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-08-25 WO PCT/EP1994/002810 patent/WO1995007574A1/de active IP Right Grant
- 1994-09-02 MY MYPI94002292A patent/MY110755A/en unknown
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006304368A patent/JP4291354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59405728D1 (de) | 1998-05-20 |
JPH09502316A (ja) | 1997-03-04 |
JP2007082257A (ja) | 2007-03-29 |
WO1995007574A1 (de) | 1995-03-16 |
EP0716783A1 (de) | 1996-06-19 |
EP0716783B1 (de) | 1998-04-15 |
US5874857A (en) | 1999-02-23 |
JP4291354B2 (ja) | 2009-07-08 |
KR100319009B1 (ko) | 2002-07-03 |
BR9407380A (pt) | 1996-07-16 |
ES2117290T3 (es) | 1998-08-01 |
DE4329896A1 (de) | 1995-03-09 |
KR960705400A (ko) | 1996-10-09 |
CN1130448A (zh) | 1996-09-04 |
CN1061490C (zh) | 2001-01-31 |
MY110755A (en) | 1999-02-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050112 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061109 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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