DE3941677A1 - Differenzverstaerker - Google Patents
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- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
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- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45351—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more FETs with multiple sources
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45371—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising parallel coupled multiple transistors at their source and gate and drain or at their base and emitter and collector, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor or the composite common emitter transistor respectively
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Description
Die Erfindung betrifft einen Differenzverstärker mit
erweitertem Aussteuerbereich für Verstärker, Mischer,
Multiplizierer, Regelschaltungen usw.
Da Verstärker grundsätzlich nichtlineare Elemente sind,
ist der Bereich der Eingangsspannung für die eine hin
reichend lineare Charakteristik gilt, beschränkt. So
beträgt z. B. bei Differenzstufen aus bipolaren Sili
zium-Transistoren der Linearitätsbereich der Eingangs
spannung nur etwa 10 bis 15 mV. Der Linearitätsbereich
kam zwar durch Stromgegenkopplung mit Reihenwiderstän
den vergrößert werden, dies ergibt jedoch geringere
Verstärkung, Nachteile im Rauschverhalten und die
Fähigkeit zur Verstärkungsregelung geht drastisch zu
rück.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Diffe
renzverstärker anzugeben, dessen Eingangsspannungsbe
reich vergrößert werden kann, und zwar ohne Einbuße an
Verstärkung durch Stromgegenkopplung, ohne Einführung
rauschender Widerstände und ohne die Fähigkeit zur Ver
stärkungsregelung zu verlieren. Diese Aufgabe wird er
findungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 ge
löst.
Die Lösung macht Gebrauch von unsymmetrischen Diffe
renzstufen. Eine Differenzstufe im hier verwendeten
Sinne hat im wesentlichen die Aufgabe, einen eingespei
sten Strom in Abhängigkeit von einer Eingangsspannung
auf zwei Ausgangsanschlüsse zu verteilen. Bei einer
symmetrischen Differenzstufe werden die beiden Aus
gangsströme gleich, wenn die Eingangsspannung null ist.
Demgegenüber ist bei einer unsymmetrischen Differenz
stufe eine bestimmte Eingangsspannung notwendig, um die
Gleichheit der Ausgangsströme herzustellen. Diese Span
nung heißt Offsetspannung. Reale Differenzstufen haben
auch bei symmetrischer Ausführung gewisse Offsetspan
nungen, die aber klein gegenüber dem Aussteuerbereich
sind. Für den vorliegenden Zweck sind Differenzstufen
vorgesehen, die eine Offsetspannung in der Größenord
nung des Aussteuerbereichs haben.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen
erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen
Fig. 1 das grundsätzliche Schaltschema nach Anspruch
1;
Fig. 2 die Bildung unsymmetrischer Differenzstufen
mit entgegengesetzt gleichen Offsetspannun
gen;
Fig. 3 eine unsymmetrische Differenzstufe aus Tran
sistoren verschiedener Basis-Emitter-Fläche;
Fig. 4 eine unsymmetrische Differenzstufe durch
Parallelschaltung mehrerer Transistoren;
Fig. 5 einen Differenzverstärker mit 2 Differenzstu
fen;
Fig. 6 den Verlauf der Ausgangsströme für das letzt
genannte Beispiel.
In Fig. 1 ist eine Verknüpfung von n Differenzstufen F1,
F2, . . . Fn dargestellt. Die ersten Eingangsanschlüsse
A1, A2, . . . An der Differenzstufen sind zu einem ge
meinsamen, ersten Eingangsanschluß A verbunden. Ebenso
sind die zweiten Eingangsanschlüsse B1, B2, . . . Bn zu
einem gemeinsamen, zweiten Eingangsanschluß B, die er
sten Ausgangsanschlüsse C1, C2, . . . Cn zum ersten
Ausgangsanschluß C und die zweiten Ausgangsanschlüsse
D1, D2, . . . Dn zum gemeinsamen, zweiten Ausgangsan
schluß D verbunden. Ferner besitzen die Differenzstufen
F1, F2, . . . Fn je einen Versorgungseingang E1, E2, . . .
En zur Stromeinspeisung, der von je einer Stromquelle
I1, I2, . . . In oder stromliefernden Schaltung gespeist
wird. Die Differenzstufen F1, F2, . . . Fn sind bis auf
höchstens eine unsymmetrisch.
Es ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß zu jeder Diffe
renzstufe Fi mit einer Offsetspannung Vabi eine Diffe
renzstufe Fj mit der Offsetspannung Vabj = -Vabi exi
stiert, wie es auch in Fig. 2 schematisch dargestellt
ist. Das bedeutet, daß sich die Differenzstufen F1,
F2, . . . Fn zu Paaren ordnen lassen, die jeweils
entgegengesetzt gleiche Offsetspannung haben. Nur wenn
die Anzahl der Differenzstufen ungerade ist, verbleibt
eine restliche Differenzstufe, die dann die Offsetspan
nung null haben muß.
In Fig. 2 sind zwei Differenzstufen Fi, Fj dargestellt,
die aus je zwei Verstärkerelementen Via, Vib gebildet
sind. Zur Erzeugung der gewünschten Offsetspannung sind
die Verstärkerelemente untereinander verschieden, was
durch verschieden hohe Schraffur symbolisiert ist. Die
Differenzstufe Fj erhält gegenüber der Differenzstufe
Fi eine Offsetspannung der entgegengesetzten Polarität
dadurch, daß die Verstärkerelemente Via, Vib in umge
kehrter Reihenfolge angeordnet sind.
Eine Ausführung mit bipolaren Transistoren ist in Fig.
3 dargestellt. Sie enthält zwei Transistoren Tia, Tib
in üblicher Differenzschaltung, wobei Basis und Kollek
tor des ersten Transistors Tia den ersten Eingangsan
schluß Ai und ersten Ausgangsanschluß Ci, Basis und
Kollektor des zweiten Transistors Tib den zweiten Ein
gangsanschluß Bi und zweiten Ausgangsanschluß Di bil
den. Die beiden Emitter sind untereinander verbunden
und bilden den Versorgungsanschluß Ei zur Stromeinspei
sung. Die benötigte Offsetspannung erreicht man da
durch, daß einer der Transistoren, z. B. der Transistor
Tib, mit einer größeren Basis-Emitter-Fläche ausgeführt
wird. Dies kann aber nach Fig. 4 auch dadurch gesche
hen, daß dem Transistor Tib weitere Transistoren
Tic, . . . Tin parallel geschaltet sind.
Eine besonders einfache Ausführung ergibt sich bei Ver
wendung zweier Differenzstufen F1, F2 nach Fig. 5. Die
Kennlinie dieser Anordnung wird durch die Abhängigkeit
der Ausgangsströme IC = I1a+I2a oder ID = I1b+I2b von
der Eingangsspannung VAB beschrieben. I1a bzw. I1b,
I2a, I2b ist der Ausgangsstrom des Transistors T1a bzw.
T1b, T2a, T2b. VAB ist die am Anschlußpaar AB angelegte
Spannung. Die beiden Stromquellen I1, I2 führen unter
einander den gleichen Strom. Wählt man das Flächenver
hältnis der Basis-Emitter-Dioden einer Differenzstufe
zu (SQR(3)+1) /(SQR(3)-1) = 3732, so verschwindet die
Ableitung dritter Ordnung in der Kennlinie des Aus
gangsstromes und man erhält eine Art der besten
Linearität. Bei einem Flächenverhältnis von 4 wird die
Kennlinie wellenförmig, dies ist in Fig. 6 dargestellt.
Die Abweichung von der Linearität ist in diesem Fall
noch sehr gering. Der Aussteuerbereich gegenüber einer
konventionellen Differenzstufe ist um etwa einen Fak
tor 3 vergrößert. Will man einen noch höheren Aus
steuerbereich der Eingangsspannung erzielen, so muß man
mehr als zwei Differenzstufen anwenden. Um einen mög
lichst großen Aussteuerbereich bei vorgegebener
Linearitätsabweichung zu erhalten, müssen die Versor
gungsströme der Differenzstufen gestaffelt werden.
Dabei zeigt sich, daß der höheren Offsetspannung ge
wöhnlich ein höherer Versorgungsstrom zugeordnet werden
muß. Variiert man bei Differenzstufen aus bipolaren
Transistoren die Versorgungsströme unter Wahrung ihrer
Größenverhältnisse, so wird die Steilheit des Diffe
renzverstärkers entsprechend geändert ohne den Aus
steuerbereich der Eingangsspannung zu beeinflussen.
Damit ist diese Schaltung im Gegensatz zu einer Diffe
renzstufe mit Gegenkopplung durch Emitterwiderstände
für Regelverstärker, Mischer, Multiplizierer usw. ohne
Nachteile anwendbar.
Claims (7)
1. Differenzverstärker mit mehreren Differenzstufen
(F1, F2, . . . Fn) mit je einem ersten Eingangsanschluß
(A1, A2, . . . An), einem zweiten Eingangsanschluß (B1,
B2, . . . Bn), einem ersten Ausgangsanschluß (C1,
C2, . . . Cn), einem zweiten Ausgangsanschluß (D1,
D2, . . . Dn) und einem Versorgungsanschluß zur Stromein
speisung (E1, E2, . . . En) wobei der erste Eingang (A)
des Differenzverstärkers aus der Verbindung der ersten
Eingänge (A1, A2, . . . An), der zweite Eingang (B) des
Differenzverstärkers aus der Verbindung der zweiten
Eingänge (B1, B2, . . . Bn), der erste Ausgang (C) des
Differenzverstärkers aus der Verbindung der ersten Aus
gänge (C1, C2, . . . Cn) und der zweite Ausgang des Dif
ferenzverstärkers (D) aus der Verbindung der zweiten
Ausgänge (D1, D2, . . . Dn) der Differenzstufen (F1,
F2, . . . Fn) besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die
Differenzstufen bis auf höchstens eine unsymmetrisch
und derart ausgebildet sind, daß sie in Paare mit
gleich großen, aber entgegengesetzten Offsetspannungen
geordnet werden können.
2. Differenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine der Differenzstufen (Fi) aus zwei
unterschiedlich dimensionierten Verstärkerelementen
(Via, Vib) besteht um die gewünschte Offsetspannung zu
erzeugen, und daß die Differenzstufe (Fj) mit entgegen
gesetzter Offsetspannung die gleichen Verstärkerele
mente (Vib, Via) wie die eine Differenzstufe, jedoch in
umgekehrter Reihenfolge aufweist.
3. Differenzverstärker nach Anspruch 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Differenzstufe (Fi) aus zwei
bipolaren Transistoren (Tia, Tib) besteht, daß die
Basis und der Kollektor des ersten Transistors (Tia)
den ersten Eingang (Ai) bzw. ersten Ausgang (Ci) bil
den, daß die Basis und der Kollektor des zweiten Tran
sistors (Tib) den zweiten Eingang (Bi) bzw. den zweiten
Ausgang (Di) bilden, daß die miteinander verbundenen
Emitter den Versorgungsanschluß (Ei) zur Stromeinspei
sung bilden und daß die Fläche der Basis-Emitter-Sperr
schicht des zweiten Transistors (Tib) ein Mehrfaches
der Fläche des ersten Transistors (Tia) ist oder umge
kehrt.
4. Differenzverstärker nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Differenzstufe (Fi) aus mehr
als zwei, untereinander gleichen bipolaren Transistoren
(Tia, Tib, . . . Tin) besteht, wobei dem zweiten Transi
stor (Tib) alle weiteren Transistoren (Tic, . . . Tin)
parallel geschaltet sind.
5. Differenzverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Differenzstufen
(F1, F2) mit bipolaren Transistoren (T1a, T1b, T2a,
T2b) vorgesehen sind und daß der zweite Transistor
(T1b) der ersten Differenzstufe (F1) und der erste
Transistor (T2a) der zweiten Differenzstufe (F2) je
weils eine Basis-Emitter-Fläche aufweisen, die viermal
größer ist als die Basis-Emitter-Fläche des ersten
Transistors (T1a) der ersten Differenzstufe (F1) oder
des zweiten Transistors (T2b) der zweiten Dif
ferenzstufe (F2), oder daß statt eines Einzeltransi
stors mit vierfacher Basis-Emitter-Fläche vier Transi
storen einfacher Fläche parallel geschaltet sind.
6. Differenzverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungsströme
(I1, I2, . . . In) der Differenzstufen (F1, F2, . . . Fn)
unterschiedlich sind.
7. Differenzverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Änderung der
Versorgungsströme (I1, I2, . . . In) ihr Größenverhältnis
gewahrt bleibt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893941677 DE3941677A1 (de) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Differenzverstaerker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893941677 DE3941677A1 (de) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Differenzverstaerker |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3941677A1 true DE3941677A1 (de) | 1991-06-20 |
Family
ID=6395654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893941677 Withdrawn DE3941677A1 (de) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Differenzverstaerker |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3941677A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329896A1 (de) * | 1993-09-04 | 1995-03-09 | Thomson Brandt Gmbh | Verstärkerstufe mit einer dB-linearen Ausgangsspannung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3027071A1 (de) * | 1980-07-17 | 1982-02-11 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Transistorverstaerker mit zwei emittergekoppelten transisorpaaren |
US4460872A (en) * | 1981-12-03 | 1984-07-17 | Inventab Audio Kb | Low noise differential amplifier |
-
1989
- 1989-12-18 DE DE19893941677 patent/DE3941677A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3027071A1 (de) * | 1980-07-17 | 1982-02-11 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Transistorverstaerker mit zwei emittergekoppelten transisorpaaren |
US4460872A (en) * | 1981-12-03 | 1984-07-17 | Inventab Audio Kb | Low noise differential amplifier |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 62 190908 A. In: Patents Abstracts of Japan, E-580, Febr. 4, 1988, Vol.12, No.38 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329896A1 (de) * | 1993-09-04 | 1995-03-09 | Thomson Brandt Gmbh | Verstärkerstufe mit einer dB-linearen Ausgangsspannung |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
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