JP3964567B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は固体撮像装置に関し、詳しくはフォトダイオードなどの光電変換素子に蓄積された信号電荷をCCD(Charge Coupled Device)シフトレジスタにより転送して読み出すCCDリニアイメージセンサの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3は、この種の固体撮像装置の従来例を示す概略平面図であり、とくに2ラインの画素列を備えた固体撮像装置の構成を示している。この固体撮像装置は、画素となるフォトダイオードをライン状に配置した第1の画素列21及び第2の画素列22と、これら画素列に蓄積された信号電荷をCCDシフトレジスタへ転送する第1のシフトゲート23及び第2のシフトゲート24と、前記信号電荷を所定の転送クロックに同期して出力側へ転送する第1のCCDシフトレジスタ25及び第2のCCDシフトレジスタ26と、信号電荷を電圧信号に変換する電荷検出部27と、電圧信号を出力した後の不要電位を初期化するリセットゲート28と、出力回路29とから構成されている。
【0003】
この固体撮像装置では、高解像度化にともなう画素数の増加に対応するために、2つの画素列を並列配置し、本来は1つの画素列で読みとる画像を2つの画素列で交互に読み取るようにしている。このために、本来の1つの画素列における奇数番目(1、3、5…)の画素を第1の画素列21に、偶数番目(2、4、6…)の画素を第2の画素列22に配置している。また、各画素列の画素は平面的に千鳥配列となるように半画素分だけオフセットした状態で配置されている。
【0004】
前記第1のCCDシフトレジスタ25と第2のCCDシフトレジスタ26は、出力側の最終段で連結されて電荷検出部27に接続されている。これらCCDシフトレジスタには、信号電荷の転送手段として図示しないφ1転送電極とφ2転送電極が交互に配置されており、それぞれの電極には信号電荷を出力側へ転送する転送クロックφ1、φ2が印加される。
【0005】
図4は、図3の固定撮像装置の各部に印加されるクロック信号と出力信号の一例を示す波形図である。図4において、シフトクロックSHは第1のシフトゲート23及び第2のシフトゲート24に、転送クロックφ1、φ2は第1のCCDシフトレジスタ25及び第2のCCDシフトレジスタ26の図示しないφ1転送電極とφ2転送電極に、またリセットクロックRSはリセットゲート28にそれぞれ印加される。
【0006】
次に、2ラインの画素列により画像を読み取る場合の動作について説明する。図4において、シフトクロックSHがLowレベルの間に読み取り画像の1ラインが画素列に読み取られ、その入射光の強度に応じた信号電荷が各画素列の画素に蓄積される。続いて、シフトクロックSHがHighレベルの間に、画素列に蓄積されていた信号電荷は画素列からシフトゲートを通じてCCDシフトレジスタへ一斉に転送される。このとき、第1の画素列21の信号電荷は第1のCCDシフトレジスタ25へ、また第2の画素列22の信号電荷は第2のCCDシフトレジスタ26へ転送される。その後、シフトクロックSHがLowレベルになると、読み取り画像の次の1ラインが画素列に読み取られる。また、同じくクロックSHがLowレベルの間、先にCCDシフトレジスタへ転送された信号電荷は、φ1転送電極及びφ2転送電極により転送クロックφ1、φ2に同期して出力側へ転送される。このとき、φ1、φ2は互いに逆相になっているため、第1のCCDシフトレジスタ25と第2のCCDシフトレジスタ26からの信号電荷は電荷検出部27へ1クロックごとに交互に転送される。電荷検出部27では、信号電荷の変換が行われ、続くリセットゲート28で不要電位が初期化される。そして、出力回路29では出力信号が画素の配列順に時系列の信号として取り出される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の装置では、画像を読み取る際には2ライン分の全画素を読み出していた。そして、高密度(精細な画像)のモードが設定されている場合には2ライン分の全画素の画像信号を出力し、低密度(粗い画像)のモードが設定されている場合には画像信号の一部を間引くなどの処理を施して出力していた。通常、低密度は読み取り時間を短くしたい場合に設定されるが、この場合でも2ライン分の全画素を読み出しているため、高密度の時と同じ時間がかかっていた。
【0008】
低密度の場合の読み取りを高速化したい場合、図5に示すように転送クロックφ1、φ2の周波数を2倍にし、φ1がHighレベル、φ2がLowレベルのときのリセットクロックRSを一回間引くことにより、データレートを変えることなく半分の時間で読み取ることができる。しかし、この場合は信号電荷を電圧信号へ変換する際に、一つの画素列上で1つおきに存在する連続しない画素の信号電荷が合成されるため、画質が劣化するという問題点があった。
【0009】
また、図6に示すように、1つの画素列に対し1つの出力回路を設けた配置とすることも考えられる。図6は、第1の画素列21に出力回路29−1を、第2の画素列22に出力回路29−2をそれぞれ設け、読み取り密度に応じて1ライン読み取り(低密度)、2ライン読み取り(高密度)などの切替えを行うようにしたものである。この場合、低密度の読み取りでは1つおきに存在する画素の信号電荷が合成されることなく出力されるため、画質の劣化を防ぐことができる。しかし、図6に示すように構成した場合は、システム的に2倍の画像処理回路が必要となるため、回路規模が増大するという問題点があった。
【0010】
この発明は、画質の劣化や回路規模の増大を招くことなしに、低密度での読み取りを高速化することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換素子からなる第1及び第2の光電変換部と、前記各光電変換部から信号電荷を読み出す第1及び第2の電荷読み出し部と、前記各電荷読み出し部から読み出された信号電荷を出力側へ転送する複数の転送電極からなり、各々出力側の最終段で連結された第1及び第2の電荷転送部と、前記第1及び第2の電荷転送部により転送された信号電荷を電圧信号に変換する電荷検出部とを備え、前記第1及び第2の光電変換部は光電変換素子が平面的に千鳥配列され、1ラインの画像を2つの光電変換部の各光電変換素子で交互に読み取るように構成された固体撮像装置において、前記第2の電荷転送部の終端部分にのみ信号電荷を外部へ排出する排出ゲートを設け、前記第2の光電変換部から読み出された信号電荷を前記電荷検出部又は前記排出ゲートのいずれか一方へ転送することを特徴とする。
【0012】
また請求項2の発明は、請求項1において、画像を高密度で読み取る場合は前記第1及び第2の電荷転送部からの信号電荷を交互に前記電荷検出部へ転送し、画像を低密度で読み取る場合は第1の電荷転送部からの信号電荷を前記電荷検出部へ転送し、前記第2の電荷転送部からの信号電荷を前記排出ゲートへ転送することを特徴とする。
【0013】
上記構成によると、高密度で画像を読み取る場合は、排出ゲートを閉じることにより、2つの画素列で読み取った信号電荷の全てが電荷検出部へ転送される。一方、低密度で画像を読み取る場合は、第1の電荷転送部の終端部分にある転送電極の転送を停止し、排出ゲートを開くことにより、2つの画素列で読み取った信号電荷のうち、第1の光電変換部で読み出された信号電荷は排出ゲートから排出され、第2の光電変換部で読み出された信号電荷のみが電荷検出部へ転送される。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係わる固体撮像装置の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
【0015】
図1は、この実施形態に係わる固体撮像装置を示す概略平面図であり、2ラインの画素列を備えた固体撮像装置の構成を示している。この固体撮像装置の基本的な構成は図3の従来例と同じであり、フォトダイオードをライン状に配置した第1の画素列1及び第2の画素列2と、これら画素列に蓄積された信号電荷をCCDシフトレジスタへ転送する第1のシフトゲート3及び第2のシフトゲート4と、前記信号電荷を所定の転送クロックに同期して出力側へ転送する第1のCCDシフトレジスタ5及び第2のCCDシフトレジスタ6と、信号電荷の変換を行う電荷検出部7と、不要電位を初期化するリセットゲート8と、出力回路9とから構成されている。なお、図3と共通部分の構成、動作については説明を省略する。
【0016】
上記2つのCCDシフトレジスタ5、6の連結位置には、最終段の転送電極としてφ1転送電極10、φ2転送電極11が配置されている。このうち、φ1転送電極10の一つ前のφ2転送電極12には、第2のCCDシフトレジスタ6から転送されてくる信号電荷を排出する電荷排出ドレイン13を備えた排出ゲート14が設けられている。
【0017】
排出ゲート14には、高密度での読み取りの際にはLowレベルのゲート制御信号が印加され、また低密度での読み取りの際にはHighレベルのゲート制御信号がそれぞれ印加される。Lowレベルのゲート制御信号が印加されたときは、ゲートがoffして第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷は電荷検出部7へ転送される。一方、Highレベルのゲート制御信号が印加されたときはゲートがonするとともに、最終段のφ1転送電極10にはLowレベルの転送クロックが印加され、第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷は電荷排出ドレイン13から外部に排出される。
【0018】
前記排出ゲート14は、2つのCCDシフトレジスタのいずれか一方に設ければよい。また、前記第1のCCDシフトレジスタ5又は第2のシフトレジスタ6は、半導体基板表面の絶縁膜上に各種の電極を配列したMOS−FETにより構成することができる。
【0019】
図2は、図1に示す固定撮像装置の各部に印加されるクロック信号と出力信号の一例を示す波形図である。この図2は低密度で画像を読み取る場合の波形を示している。図2において、シフトクロックSHは第1のシフトゲート3及び第2のシフトゲート4に、転送クロックφ1、φ2は第1のCCDシフトレジスタ5及び第2のCCDシフトレジスタ6のφ1転送電極とφ2転送電極に、リセットクロックRSはリセットゲート8にそれぞれ印加される。また、最終段クロックφ1e、最終段クロックφ2eは、図1のφ1転送電極10とφ2転送電極11に印加される転送クロックを示し、ゲート制御信号Gは排出ゲート14に印加される信号波形を示している。
【0020】
次に、2ラインの画素列を使って画像を高密度及び低密度で読み取る場合の動作について説明する。
【0021】
高密度で画像を読み取る場合は、従来例である図4のように、シフトクロックSHがLowレベルの間に、読み取り画像の1ラインが画素列に読み取られ、その入射光の強度に応じた信号電荷が各画素列の画素に蓄積される。続いて、シフトクロックSHがHighレベルの間に、画素列に蓄積されていた信号電荷は画素列からシフトゲートを通じてCCDシフトレジスタへ一斉に転送される。その後、シフトクロックSHがLowレベルになると、CCDシフトレジスタへ転送された信号電荷は、図示しないφ1転送電極及びφ2転送電極により転送クロックφ1、φ2に同期して出力側へ交互に転送される。なお、転送クロックφ1、φ2は、図示しない最終段のφ1転送電極及びφ2転送電極にも印加されている。
【0022】
したがって、第1のCCDシフトレジスタ5からの信号電荷は最終段のφ2転送電極11から転送クロックに同期して電荷検出部7に転送される。この間、ゲート制御信号GはLowレベルが保持されるために、排出ゲート14のゲートはoffし、第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷についても最終段のφ1転送電極10から転送クロックに同期して電荷検出部7へ転送される。このように、電荷検出部7には第1のCCDシフトレジスタ5からの信号電荷と第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷が交互に転送される。
【0023】
低密度で画像を読み取る場合は、図2に示すように、転送クロックφ1、φ2の周波数は2倍になる。このとき、最終段クロックφ1eはLowレベルに保持され、他の転送クロックφ1は通常のクロック信号が印加される。また、最終段クロックφ2eと他の転送クロックはφ2はともに同じ転送クロックが印加される。ゲート制御信号GはHighレベルに保持される。
【0024】
これによると、最終段のφ2転送電極11では他のφ2転送電極と同じ転送クロックが印加されるので、第1のCCDシフトレジスタ5からの信号電荷は最終段のφ2転送電極11から転送クロックに同期して電荷検出部7へ転送される。一方、最終段のφ1転送電極10では電位がLowレベルに保持されるために信号電荷の転送が停止し、また排出ゲート14のゲートがonするために、第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷は電荷排出ドレイン13から外部に排出される。したがって、電荷検出部7には第1のCCDシフトレジスタ5からの信号電荷のみが転送されることになる。
【0025】
上述したように、図1に示す固体撮像装置では、高密度/低密度のいずれの場合にも2ラインによる画像の読み取りが行われるが、低密度の場合には、第2のCCDシフトレジスタ6からの信号電荷は排出ゲート14から排出され、第1のCCDシフトレジスタ5からの信号電荷のみが転送される。したがって、電荷検出部7からは、一つの画素列上で1つおきに存在する画素の信号電荷が合成されることなく出力されることになるため、画質の劣化を防ぐことができる。この場合、転送クロックφ1、φ2の周波数は2倍となるので、データレートを変えることなく半分の時間で読み出すことができる。しかも、画像処理回路の数を2倍にする必要がないため、回路規模の増大を回避することができる。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に係わる固体撮像装置においては、高密度で画像を読み取る場合は2ラインで読み取った信号電荷を全て出力側に転送し、低密度で画像を読み取る場合は2ラインで読み取った信号電荷のうち一方のみを出力側に転送するようにしたので、転送クロックの周波数を2倍にしても画質を劣化させることがなく、また1ラインごとに画像処理回路を設けることなしに信号を処理することができる。
【0027】
したがって、画質の劣化や回路規模の増大を招くことなしに、低密度での読み取りを高速化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係わる固体撮像装置を示す概略平面図。
【図2】図1に示す固定撮像装置の各部に印加されるクロック信号と出力信号の一例を示す波形図。
【図3】固体撮像装置の従来例を示す概略構成図。
【図4】図3の固定撮像装置の各部に印加されるクロック信号と出力信号の一例を示す波形図。
【図5】図4で転送クロックの周波数を2倍にした場合の波形図。
【図6】1つの画素列に対し1つの出力回路を設けた固体撮像装置を示す概略構成図。
【符号の説明】
1、21 第1の画素列
2、22 第2の画素列
3、23 第1のシフトゲート
4、24 第2のシフトゲート
5、25 第1のCCDシフトレジスタ
6、26 第2のCCDシフトレジスタ
7、27 電荷検出部
8、28 リセットゲート
9、29 出力回路
10 φ1転送電極(最終段)
11 φ2転送電極(最終段)
13 電荷排出ドレイン
14 排出ゲート
Claims (2)
- 入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換素子からなる第1及び第2の光電変換部と、前記各光電変換部から信号電荷を読み出す第1及び第2の電荷読み出し部と、前記各電荷読み出し部から読み出された信号電荷を出力側へ転送する複数の転送電極からなり、各々出力側の最終段で連結された第1及び第2の電荷転送部と、前記第1及び第2の電荷転送部により転送された信号電荷を電圧信号に変換する電荷検出部とを備え、前記第1及び第2の光電変換部は光電変換素子が平面的に千鳥配列され、1ラインの画像を2つの光電変換部の各光電変換素子で交互に読み取るように構成された固体撮像装置において、前記第2の電荷転送部の終端部分にのみ信号電荷を外部へ排出する排出ゲートを設け、前記第2の光電変換部から読み出された信号電荷を前記電荷検出部又は前記排出ゲートのいずれか一方へ転送することを特徴とする固体撮像装置。
- 画像を高密度で読み取る場合は前記第1及び第2の電荷転送部からの信号電荷を交互に前記電荷検出部へ転送し、画像を低密度で読み取る場合は第1の電荷転送部からの信号電荷を前記電荷転送部へ転送し、前記第2の電荷転送部からの信号電荷を前記排出ゲートへ転送することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
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