JP3960189B2

JP3960189B2 - 電力変換装置

Info

Publication number: JP3960189B2
Application number: JP2002296879A
Authority: JP
Inventors: 要佐々木; 晴喜浜田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2002-10-10
Filing date: 2002-10-10
Publication date: 2007-08-15
Anticipated expiration: 2022-10-10
Also published as: JP2004134542A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冷却装置を備えた電力変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電力変換装置の冷却装置としては、例えば特開２００１−３０８２４６号公報にて開示されているように、ヒートシンクの一面に開口部を有し、前記開口部を電気部品によって塞ぐようにしたものがある。
【特許文献１】
特開２００１−３０８２４６号公報（第３−４頁、第２図）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の電力変換装置は、数百Ｗの熱が発生するために電気部品の一部分を冷却液に直接晒して高い放熱性能が得ている。
また放熱性能を向上するために、電気部品の放熱部にはフィン等の拡大伝熱面を取り付けることが一般的に行われている。
【０００４】
さて、電気部品は冷却装置に対してボルトに代表される締結手段で取り付けるのが一般的であるが、電機部品近辺に冷却水が接近するため電気部品と冷却装置の間はガスケット等によるシール材で漏水を防いでいる。
【０００５】
ところが、実験結果によるとボルトの孔から水が滲み出ることが分かった。
【０００６】
本発明の目的は、冷却性能の向上と安全性に優れ、信頼性の高い電力変換装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、放熱フィンを備えた放熱板上に搭載された半導体素子と、この半導体素子を覆う第１のケースと、前記フィンを覆い内部に循環する冷却水を有する第２のケースと、この第２のケースと前記放熱板とを締結するボルトを備えた電力変換装置において、前記放熱板との接合面であって、前記第２のケースの鍔面に溝を設け、この溝に前記半導体素子とは反対方向に開口する貫通穴を設けたことにより達成される。
【０００８】
また、上記目的は、前記貫通穴を複数個設けたことにより達成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
電力変換装置は、各種動力機械に搭載されているが特に近年注目されているハイブリッド自動車や燃料電池自動車を例にとると、ハイブリット自動車は年々高出力が要求されており、その要求に対応するにはモータの容量を大きくする必要がある。また、燃料電池自動車の場合は、車輪を直接モータで駆動させるため、モータの容量が大きくなってしまう。
このように、モータの容量が大きくなると、その分電力変換装置も大容量を受け入れる必要がある。大容量を受け入れるためには、内部に搭載された半導体素子がその分高発熱化するため、この半導体素子の冷却効率を向上させなければならない。
【００１２】
冷却効率を向上させる手段として、例えば冷却液循環用ポンプの吐出能力を増やすことを考えられるが、ポンプの吐出能力増加は冷却のために用いられるエネルギーを増大させてしまうため、省エネルギーの観点からポンプは小容量であることが望ましい。
【００１３】
そこで、一般的な電力変換装置の冷却構造を図１、図２、図３で説明する。
図１は、電力変換装置の斜視図である。
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。
図１において、１は液冷放熱装置本体である。この液冷放熱装置１は上部の上蓋２（上ケース）と下部の底板３（下ケース）からなり、箱状に構成されている。２ａは液体の流入口である（図１に記載されていないが液体の流出口が対向する面にある）。４は上蓋２の上部に位置する半導体モジュールである（図示していないが、この半導体モジュールは上蓋２を貫通して上部に露出している）。この半導体モジュール４は内部に発熱する半導体素子（図２で詳述する）を収納するケース４ａと、このケース４ａを上蓋２に固定し、半導体素子を冷却するための放熱基板５からなっている。６は放熱基板５を上蓋２に固定するためのボルトである。７はケース４ａの上面に取り付けられた端子である。
【００１４】
図２において、８はケース４ａの内部に収納された半導体素子である。この半導体素子８は放熱基板５の上部に基板８ａを介して搭載されている。この半導体素子８をケース４ａが覆っている。ケース４ａと上蓋２とは接着剤等で接続されている。この放熱基板５は例えば銅で形成され熱伝導の向上を配慮してある。２ｂは液流入口２ａと対向する位置に設けられた液流出口である。２ｃは放熱基板５と上蓋２との間をシールするためのシール部である。このシール部２ｃは上蓋２に設けられた溝内にＯリングが挿入されている。５ａは放熱基板５の内面側に設けられたフィンである。このフィン５ａの先端は底板３と接触している。矢印は液の流れ方向を示す。
【００１５】
図３に示すように、櫛歯状になったフィン５ａが形成され、このフィン５ａの空間を冷却水が流通し放熱される。
尚、図２，３の符号と図１の符号が同一のものは同一物であるため、その説明は省略した。
【００１６】
この様に、一般的な電力変換装置は、ケース４の上部には端子７が取り付けられており、しかも端子７の近傍には冷却水が存在するという安全面では非常に不利な環境にある。
【００１７】
そこで、図１〜図３に示したように、放熱基板５と上蓋２とはシール部２ｃを介在させ放熱基板５側から差し込まれたボルト６で固定したことによって、放熱基板５と上蓋２との間からの水漏れは解消している。
【００１８】
ところが、水漏れを解消したとは言え、万が一水漏れが発生した場合も考慮に入れる必用がある。
【００１９】
従って、本発明の発明者らは、水漏れが発生した場合の最悪の状況を想定し、水漏れ方向を反端子方向にすることを考えた結果、以下のような実施例を得た。
【００２０】
以下、図４に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図４は、第１の実施例を備えた電力変換装置の斜視図（ネジ穴を説明するため部分的に断面している）である。
図４において、９はフィン９ａを一体に設けた放熱板である。この放熱板９はフィン９ａを覆うように底板１０が取り付けられている。この底板１０には図示していないが冷却水の吸入口と排出口が取り付けられている。１０ａは底板１０放熱板９とを接続さるための鍔である。１１は内部半導体部品を収納したケースである。このケース１１と放熱板９とは半田若しくは接着剤で接続されている。１２はケース１１の表面に取り付けられた端子である。１３は底板１０、放熱板９、ケース１１が一体にブロック化されたものが固定される固定板である。１４はボルトであって、底板１０鍔１０ａ、放熱板９を貫通し固定板１３にねじ込まれている。１３ａは固定板１３に設けられたネジ穴である。このネジ穴１３ａは固定板１３を貫通せず、袋状になっている。
【００２１】
ところで、半導体素子で発生した大量の熱を効率良く放熱するためには、液体を用いた強制対流冷却が有効である。しかしながら、例えば自動車のように、冬季において周囲を取り巻く環境温度が水の凝固点以下に下がる場合でも所定の冷却性能を保持する必要がある。そこで冷却液としては、エチレン・グリコールを含む不凍液を混入した水を用いることが一般的である。
【００２２】
本実施例によれば、拡大伝熱面を持つ放熱板９に、直接半導体素子及び電気回路が実装され、冷却液に直接晒されているので、良好な放熱性能を得ることができる。
【００２３】
ボルト１４は反半導体素子１５方向から挿入され、更に固定板１３のネジ穴１３ａは貫通することなく袋状になっているため、冷却水がネジ穴１３ａを通って半導体素子１５側漏出することはない。
【００２４】
仮に冷却水が鍔１０ａと放熱板との間を通り、鍔のネジ穴から滲み出してきたとしても液は反半導体素子側に滲み出すので、電気事故の可能性はない。
【００２５】
第１の実施例によれば、シール性能が劣化した場合においても、冷却水が半導体モジュール上側に漏れることがなく、信頼性を確保しつつ高い放熱性能を得ることに有効である。
【００２６】
次に、第２の実施例を図５乃至図６で説明する。
図５は、第２の実施例を備えた半導体モジュールの断面図であって、図６のＣ−Ｃ断面図である。
図６は、図５のＤ−Ｄ断面図である。
図５において、１５はケース１１の内部で、放熱板９の表面に直接取り付けられた半導体素子である。ボルト１４は底板１０の鍔１０ａ、放熱板９を貫通して固定板１３のネジ穴１３ａにねじ込まれている。１０ｂは鍔１０ａに設けられたシール部である。このシール部１０ａは鍔１０ａ面に溝が設けられ図示していないが溝内にＯリングなどが挿入されている。このシール部１０ｂに放熱板９が密着してシールされる。１０ｃボルト１４とシール部１０ｂとの合いだの鍔１０ａ面に設けられた溝である。
尚、溝１０は図６で詳細に説明する。
図６において、１０ｃはボルト１４とジール部１０ｂとの間に設けられた溝である。この溝に要所には貫通穴１０ｄが設けられている。この貫通穴１０ｄは、仮に冷却水がシール部１０ｂを乗り越えてしまった場合には、溝１０ｃに液を貯めて貫通穴１０ｄから外部に排出する。
【００２７】
本実施例によれば、シール部１０ｂのシール性能が劣化した場合に、半導体モジュール側から漏れ出た溝１０ｃに伝わり、最終的には貫通穴１０ｄから外部に放出される。このとき、貫通穴から放出される水はあくまでも反半導体方向へと放出されるので、電気事故を極力押さえるようにしている。
【００２８】
更に、溝１０ｃを越えてしまった水はボルト１４の穴に伝わって外部の放出される。
【００２９】
図７は、本実施例を備えた半導体モジュールの制御回路図である。
【００３０】
図７において、１００は直流電源、１１０は電力変換装置、１１１は平滑用コンデンサ、１１３〜１１８は半導体素子である。１２０は負荷である。直流電源１００が供給する直流電力は、電力変換装置１１０内に実装される半導体素子１１３〜１１８を用いて三相交流電力に変換され、負荷１２０に流される。
尚、半導体素子１１３〜１１８の一例としてＩＧＢＴ素子を示したが、実施に際しては、これに限定するものではない。
【００３１】
ここで１１３〜１１８の半導体素子は通電時の損失、及び高速度でスイッチングを行う際の損失のために数百Ｗ程度の熱を発生する。これらの素子が動作するためには、素子が持つ動作保証温度以下、または半導体素子が実装される半導体モジュールを構成する実装部品の熱応力から制限される温度以下に保持しなければならない。
【００３２】
以上のごとく、本実施例による電力変換装置の冷却装置によれば、半導体モジュールを構成する放熱基板を直接冷却液に接触することができると同時に、シール性能劣化による漏水の恐れが生じた場合にも、電力変換装置内に取り付けられる電気部品や回路への被水可能性を原理的に零にできるため、冷却性能が高くかつ信頼性の高い電力変換装置を得ることができる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、冷却性能の向上と安全性に優れ、信頼性の高い電力変換装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、一般的な液冷装置を備えた半導体モジュールの斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図４は、第１の実施例を備えた半導体モジュールの斜視図である。
【図５】図５は、第２の実施例を備えた半導体モジュールの断面図であり、図６のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】図６は、図５のＤ−Ｄ断面図である。
【図７】図７は、本実施例の制御回路図である。
【符号の説明】
９・・・放熱板、１０・・・底板１０、１１・・・ケース、１２・・・端子、１３・・・固定板、１４・・・ボルト、１０ｃ・・・溝、１０ｄ・・・貫通穴、１００…直流電源、１１０…電力変換装置、１１１…平滑用コンデンサ、１１３〜１１８…半導体素子、１２０…負荷。

Claims

放熱フィンを備えた放熱板上に搭載された半導体素子と、この半導体素子を覆う第１のケースと、前記フィンを覆い内部に循環する冷却水を有する第２のケースと、この第２のケースと前記放熱板とを締結するボルトを備えた電力変換装置において、前記放熱板との接合面であって、前記第２のケースの鍔面に溝を設け、この溝に前記半導体素子とは反対方向に開口する貫通穴を設けたことを特徴とする電力変換装置。
前記貫通穴を複数個設けたことを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。