JP2004080856A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱基板に直接冷却液を接触させて冷却性能を向上させる半導体モジュールを利用する電力変換装置において、流路における圧力損失を低減するとともに、均一な流れによる高い放熱性能を得ること。
【解決手段】液冷放熱装置1にフィンを設けて冷却液流路断面積の拡大縮小を抑制すると共に、前記フィンの形状を放熱基板2の拡大伝熱面の接触面において同一にする。
【選択図】 図1
【解決手段】液冷放熱装置1にフィンを設けて冷却液流路断面積の拡大縮小を抑制すると共に、前記フィンの形状を放熱基板2の拡大伝熱面の接触面において同一にする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の電力変換装置の冷却構造として、例えば特開2001−308246号公報がある。この従来技術は内部を冷却用の液体が流通するヒートシンクがあり、このヒートシンクの一面に設けられた開口部を閉塞するように、発熱する半導体素子と熱的に接続されたフィンが挿入され、このフィンを通過する液体で半導体素子の熱を放熱するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術の電力変換装置は、数百Wからの熱が発生するためフィンを冷却液に直接晒しているため、非常に有効な冷却手段である。
【0004】
ところが、電力変換装置は年々大容量化の要求が高くなっているため、冷却効率の向上を図り、信頼性を向上させる必要が生じてきている。
【0005】
本発明の目的は、冷却性能の信頼性を向上させた電力変換装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、複数の電力変換用半導体素子が実装された半導体モジュールと、この半導体モジュールの一部に設けられた複数枚の第1のフィンと、このフィンを通過する冷却液を有する冷却ケースを備えた電力変換装置において、前記冷却ケースを構成する上ケースと下ケースと、前記冷却ケースの一部に設けられた冷却液流入口と冷却液流出口と、前記上ケースの一部に設けられた開口と、前記冷却液流入口と流出口の近傍に設けられた第2のフィンとを備え、前記開口から前記第1のフィンを挿入し、この第1のフィンと前記第2のフィンとが接続されたことにより達成される。
【0007】
また、上記目的は、前記第2のフィンが前記上ケースの内面に取り付けられたことにより達成される。
【0008】
また、上記目的は、前記第2のフィンが前記下ケースの内面に取り付けられたことにより達成される。
【0009】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィンの枚数と同一であることにより達成される。
【0010】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に外広がりの形状であることにより達成される。
【0011】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に厚みが増し、前記第1のフィンと同等の形状で前記第1のフィンと接続されていることにより達成される。
【0012】
【発明の実施の形態】
電力変換装置は、各種動力機械に搭載されているが特に近年注目されているハイブリッド自動車や燃料電池自動車を例にとると、ハイブリット自動車は年々高出力が要求されており、その要求に対応するにはモータの容量を大きくする必要がある。また、燃料電池自動車の場合は、車輪を直接モータで駆動させるため、モータの容量が大きくなってしまう。
このように、モータの容量が大きくなると、その分電力変換装置も大容量を受け入れる必要がある。大容量を受け入れるためには、内部に搭載された半導体素子がその分高発熱化するため、この半導体素子の冷却効率を向上させなければならない。
【0013】
冷却効率を向上させる手段として、例えば冷却液循環用ポンプの吐出能力を増やすことを考えられるが、ポンプの吐出能力増加は冷却のために用いられるエネルギーを増大させてしまうため、省エネルギーの観点からポンプは小容量であることが望ましい。
【0014】
そこで、本発明の発明者らは、流通する冷却液の圧力損失を低減して放熱性能を向上させることに注目し種々検討した結果、以下のような実施例を得た。
【0015】
以下、本発明の実施例を図1〜図7を用いて説明する。なお、各実施例を説明する図で同一符号は同一物であるため、その説明は省略する。
【0016】
図1は、本発明の一実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図である。
図1において、1は液冷放熱装置本体である。この液冷放熱装置1は上部の上蓋2(上ケース)と下部の底板3(下ケース)からなり、箱状に構成されている。2aは液体の流入口である(図1に記載されていないが液体の流出口が対向する面にある)。4は上蓋2の上部に設けられた半導体モジュールである。この半導体モジュール4は内部に発熱する半導体素子(図2で詳述する)を収納するケース4aと、このケース4を上蓋2に固定し、半導体素子を冷却するための放熱基板5からなっている。6は放熱基板5を上蓋2に固定するためのボルトである。7はケース4aの上面に取り付けられた端子である。
【0017】
図2は、図1のA−A’線断面図である。
図2において、8はケース4aの内部に収納された半導体素子である。この半導体素子8は放熱基板5の上部に基板を介して搭載されている。この半導体素子8をケース4aが覆っている。ケース4aと上蓋2とは接着剤等で接続されている。この放熱基板5は例えば銅で形成され熱伝導の向上を配慮してある。2bは液流入口2aと対向する位置に設けられた液流出口である。2cは上蓋2の内面であって、液流入口2a側に設けられたフィンである。2dは液流出2b側のフィンである。このフィン2c、2dの一端は後述する放熱基板5のフィンと同じ高さとなるように傾斜している。5aは放熱基板5の内面側に設けられたフィンである。このフィン5aの先端は底板3と接触している。矢印は液の流れ方向を示す。
【0018】
図3は、図2のB−B’線断面図である。
図3において、放熱基板5(図示せず)のフィン5aは複数本設けられ(本実施例では7本)ている。このフィン5aと連続するように上蓋2のフィン2c、2dもフィン5aと同じ本数で扇状に配列されている。フィン2cは液の上流側を薄くし、下流側に行くしたがって厚く、最終的にはフィン5aの厚さと同じ厚さにしてある。一方フィン2dは液の上流側はフィン5aと同じ厚さとなっており、下流側では薄くなっている。5bはボルト6用の穴である。
矢印で示した液体は液流入口2aに侵入し、フィン2c、フィン5a、フィン2dを経由して液流出口2bから排出される。
【0019】
図4は、図1のC−C’線断面図である。
図4において、放熱基板5のフィン5aは上蓋2を貫通し、底板3にまで達している。9は放熱基板5と上蓋2との間に取り付けられたシール材である。このシール材9はOリングやメタルガスケットを挟むことが望ましい。
【0020】
ここで、冷却液の流れを説明する。
液流入口2aから流入した冷却液は先端が薄くなったフィン2cによってスブーズに侵入し、徐々に太くなったフィン2cによって流路断面積の変化が緩やかとなっているため複数のフィン5aで形成される複数の冷却液通路に対して冷却液が均等流れる。
同様に、液流入口1a側のフィン2cの高さは段階的に高く変化しているため、冷却液の流路断面積の変化が緩やかとなり、圧力損失の増大を抑えるのに有効となる。
【0021】
一方、液流出口1b側のフィン1dの高さは段階的に低く変化しているため、冷却液は徐々に絞られて流出する。
【0022】
このように、液冷放熱装置1における圧力損失の発生を抑制できるため、フィン5aを流れる冷却液の乱れが抑えられるため、フィン5aとの熱交換効率が高くなり、高い放熱性能を確保できる。
【0023】
次に、本発明の他の一実施例を図5を用いて説明する。
図5は、放熱基板とケースの斜視図であって一部を断面した図である。
図5において、10は半導体素子8と放熱基板5との間に介在されたセラミック基板である。本来、半導体素子5と放熱基板5とは出来るだけ密着させて放熱効果を向上させるのが望ましいが、絶縁が必要であるためセラミック基板10を取り付けたものである。
【0024】
図6は、他の実施例を備えた図2に相当する液冷放熱装置の断面図である。
【0025】
図6において、本実施例では図2に示したフィン2c、2dが底板3に取り付けられたものである。
3aは液流入口2a側に設けられたフィンである。3bは液流出口2b側に設けられたフィンである。このフィン3a、3bも図2で示したフィン2c、2dと同じようにフィン5aに向かって傾斜し、フィン5aと同じ高さで接触している。
【0026】
本実施例によれば、フィン3a、3bが緩やかな傾斜から最終的には、フィン5aと同じ高さと厚みで接触しているので、フィン5a内に侵入するまでの冷却液の偏りが抑えられ圧力損失の低減を図ることができる。
【0027】
また、本実施例では、フィン3a,3bを底板3に設けているので、フィン3a,3bの製造が容易である。
【0028】
次に、電力変換装置の電力の流れを図7を用いて説明する。
図7は、電力変換装置の負荷制御回路図である。
図7において、100は直流電源、110は電力変換装置、111は平滑用コンデンサ、113〜118は半導体素子、120は負荷である。直流電源100が供給する直流電力は、電力変換装置110内に実装される半導体素子113〜118を用いて三相交流に変換され、負荷120に流される。半導体素子113〜118の一例としてIGBT素子を示したが、実施に際しては、これに限定されるものではない。
【0029】
ここで、113〜118の半導体素子は通電時の損失及び高速度でスイッチングを行う際の損失のために数百W程度の熱を発生する。これらの素子が動作するためには、素子が持つ動作保証温度以下、または半導体素子が実装される半導体モジュールを構成する実装部品の熱応力から制限される温度以下に保持しなければならない。
【0030】
以上のごとく、本実施例によれば、半導体モジュールを構成する放熱基板を直接冷却液に接触して高い放熱性能を得られると同時に、急激な流路断面積の変化に伴う圧力損失増大を抑制することができる。
また、放熱基板から構成される流路間を流れる冷却液は均一な流量を確保でき、結果として、簡便な構造によって信頼性が高い電力変換装置を得ることができる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、冷却性能の信頼性を向上させた電力変換装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の一実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図である。
【図2】図2は、図1のA―A’線断面図である。
【図3】図3は、図2のB−B’線断面図である。
【図4】図4は、図1のC−C’線断面図である。
【図5】図5は、他の実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図であって、一部を断面した図である。
【図6】図6は、他の実施例を備えた図2相当の断面図である。
【図7】図7は、電力変換装置の電力の流れを説明するブロック図である。
【符号の説明】
1…液冷放熱装置、2…上蓋、3…底板、4…半導体モジュール、5…放熱基板、6…ボルト、7…端子、8…半導体素子、9…シール材。
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の電力変換装置の冷却構造として、例えば特開2001−308246号公報がある。この従来技術は内部を冷却用の液体が流通するヒートシンクがあり、このヒートシンクの一面に設けられた開口部を閉塞するように、発熱する半導体素子と熱的に接続されたフィンが挿入され、このフィンを通過する液体で半導体素子の熱を放熱するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術の電力変換装置は、数百Wからの熱が発生するためフィンを冷却液に直接晒しているため、非常に有効な冷却手段である。
【0004】
ところが、電力変換装置は年々大容量化の要求が高くなっているため、冷却効率の向上を図り、信頼性を向上させる必要が生じてきている。
【0005】
本発明の目的は、冷却性能の信頼性を向上させた電力変換装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、複数の電力変換用半導体素子が実装された半導体モジュールと、この半導体モジュールの一部に設けられた複数枚の第1のフィンと、このフィンを通過する冷却液を有する冷却ケースを備えた電力変換装置において、前記冷却ケースを構成する上ケースと下ケースと、前記冷却ケースの一部に設けられた冷却液流入口と冷却液流出口と、前記上ケースの一部に設けられた開口と、前記冷却液流入口と流出口の近傍に設けられた第2のフィンとを備え、前記開口から前記第1のフィンを挿入し、この第1のフィンと前記第2のフィンとが接続されたことにより達成される。
【0007】
また、上記目的は、前記第2のフィンが前記上ケースの内面に取り付けられたことにより達成される。
【0008】
また、上記目的は、前記第2のフィンが前記下ケースの内面に取り付けられたことにより達成される。
【0009】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィンの枚数と同一であることにより達成される。
【0010】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に外広がりの形状であることにより達成される。
【0011】
また、上記目的は、前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に厚みが増し、前記第1のフィンと同等の形状で前記第1のフィンと接続されていることにより達成される。
【0012】
【発明の実施の形態】
電力変換装置は、各種動力機械に搭載されているが特に近年注目されているハイブリッド自動車や燃料電池自動車を例にとると、ハイブリット自動車は年々高出力が要求されており、その要求に対応するにはモータの容量を大きくする必要がある。また、燃料電池自動車の場合は、車輪を直接モータで駆動させるため、モータの容量が大きくなってしまう。
このように、モータの容量が大きくなると、その分電力変換装置も大容量を受け入れる必要がある。大容量を受け入れるためには、内部に搭載された半導体素子がその分高発熱化するため、この半導体素子の冷却効率を向上させなければならない。
【0013】
冷却効率を向上させる手段として、例えば冷却液循環用ポンプの吐出能力を増やすことを考えられるが、ポンプの吐出能力増加は冷却のために用いられるエネルギーを増大させてしまうため、省エネルギーの観点からポンプは小容量であることが望ましい。
【0014】
そこで、本発明の発明者らは、流通する冷却液の圧力損失を低減して放熱性能を向上させることに注目し種々検討した結果、以下のような実施例を得た。
【0015】
以下、本発明の実施例を図1〜図7を用いて説明する。なお、各実施例を説明する図で同一符号は同一物であるため、その説明は省略する。
【0016】
図1は、本発明の一実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図である。
図1において、1は液冷放熱装置本体である。この液冷放熱装置1は上部の上蓋2(上ケース)と下部の底板3(下ケース)からなり、箱状に構成されている。2aは液体の流入口である(図1に記載されていないが液体の流出口が対向する面にある)。4は上蓋2の上部に設けられた半導体モジュールである。この半導体モジュール4は内部に発熱する半導体素子(図2で詳述する)を収納するケース4aと、このケース4を上蓋2に固定し、半導体素子を冷却するための放熱基板5からなっている。6は放熱基板5を上蓋2に固定するためのボルトである。7はケース4aの上面に取り付けられた端子である。
【0017】
図2は、図1のA−A’線断面図である。
図2において、8はケース4aの内部に収納された半導体素子である。この半導体素子8は放熱基板5の上部に基板を介して搭載されている。この半導体素子8をケース4aが覆っている。ケース4aと上蓋2とは接着剤等で接続されている。この放熱基板5は例えば銅で形成され熱伝導の向上を配慮してある。2bは液流入口2aと対向する位置に設けられた液流出口である。2cは上蓋2の内面であって、液流入口2a側に設けられたフィンである。2dは液流出2b側のフィンである。このフィン2c、2dの一端は後述する放熱基板5のフィンと同じ高さとなるように傾斜している。5aは放熱基板5の内面側に設けられたフィンである。このフィン5aの先端は底板3と接触している。矢印は液の流れ方向を示す。
【0018】
図3は、図2のB−B’線断面図である。
図3において、放熱基板5(図示せず)のフィン5aは複数本設けられ(本実施例では7本)ている。このフィン5aと連続するように上蓋2のフィン2c、2dもフィン5aと同じ本数で扇状に配列されている。フィン2cは液の上流側を薄くし、下流側に行くしたがって厚く、最終的にはフィン5aの厚さと同じ厚さにしてある。一方フィン2dは液の上流側はフィン5aと同じ厚さとなっており、下流側では薄くなっている。5bはボルト6用の穴である。
矢印で示した液体は液流入口2aに侵入し、フィン2c、フィン5a、フィン2dを経由して液流出口2bから排出される。
【0019】
図4は、図1のC−C’線断面図である。
図4において、放熱基板5のフィン5aは上蓋2を貫通し、底板3にまで達している。9は放熱基板5と上蓋2との間に取り付けられたシール材である。このシール材9はOリングやメタルガスケットを挟むことが望ましい。
【0020】
ここで、冷却液の流れを説明する。
液流入口2aから流入した冷却液は先端が薄くなったフィン2cによってスブーズに侵入し、徐々に太くなったフィン2cによって流路断面積の変化が緩やかとなっているため複数のフィン5aで形成される複数の冷却液通路に対して冷却液が均等流れる。
同様に、液流入口1a側のフィン2cの高さは段階的に高く変化しているため、冷却液の流路断面積の変化が緩やかとなり、圧力損失の増大を抑えるのに有効となる。
【0021】
一方、液流出口1b側のフィン1dの高さは段階的に低く変化しているため、冷却液は徐々に絞られて流出する。
【0022】
このように、液冷放熱装置1における圧力損失の発生を抑制できるため、フィン5aを流れる冷却液の乱れが抑えられるため、フィン5aとの熱交換効率が高くなり、高い放熱性能を確保できる。
【0023】
次に、本発明の他の一実施例を図5を用いて説明する。
図5は、放熱基板とケースの斜視図であって一部を断面した図である。
図5において、10は半導体素子8と放熱基板5との間に介在されたセラミック基板である。本来、半導体素子5と放熱基板5とは出来るだけ密着させて放熱効果を向上させるのが望ましいが、絶縁が必要であるためセラミック基板10を取り付けたものである。
【0024】
図6は、他の実施例を備えた図2に相当する液冷放熱装置の断面図である。
【0025】
図6において、本実施例では図2に示したフィン2c、2dが底板3に取り付けられたものである。
3aは液流入口2a側に設けられたフィンである。3bは液流出口2b側に設けられたフィンである。このフィン3a、3bも図2で示したフィン2c、2dと同じようにフィン5aに向かって傾斜し、フィン5aと同じ高さで接触している。
【0026】
本実施例によれば、フィン3a、3bが緩やかな傾斜から最終的には、フィン5aと同じ高さと厚みで接触しているので、フィン5a内に侵入するまでの冷却液の偏りが抑えられ圧力損失の低減を図ることができる。
【0027】
また、本実施例では、フィン3a,3bを底板3に設けているので、フィン3a,3bの製造が容易である。
【0028】
次に、電力変換装置の電力の流れを図7を用いて説明する。
図7は、電力変換装置の負荷制御回路図である。
図7において、100は直流電源、110は電力変換装置、111は平滑用コンデンサ、113〜118は半導体素子、120は負荷である。直流電源100が供給する直流電力は、電力変換装置110内に実装される半導体素子113〜118を用いて三相交流に変換され、負荷120に流される。半導体素子113〜118の一例としてIGBT素子を示したが、実施に際しては、これに限定されるものではない。
【0029】
ここで、113〜118の半導体素子は通電時の損失及び高速度でスイッチングを行う際の損失のために数百W程度の熱を発生する。これらの素子が動作するためには、素子が持つ動作保証温度以下、または半導体素子が実装される半導体モジュールを構成する実装部品の熱応力から制限される温度以下に保持しなければならない。
【0030】
以上のごとく、本実施例によれば、半導体モジュールを構成する放熱基板を直接冷却液に接触して高い放熱性能を得られると同時に、急激な流路断面積の変化に伴う圧力損失増大を抑制することができる。
また、放熱基板から構成される流路間を流れる冷却液は均一な流量を確保でき、結果として、簡便な構造によって信頼性が高い電力変換装置を得ることができる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、冷却性能の信頼性を向上させた電力変換装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の一実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図である。
【図2】図2は、図1のA―A’線断面図である。
【図3】図3は、図2のB−B’線断面図である。
【図4】図4は、図1のC−C’線断面図である。
【図5】図5は、他の実施例を備えた液冷放熱装置の斜視図であって、一部を断面した図である。
【図6】図6は、他の実施例を備えた図2相当の断面図である。
【図7】図7は、電力変換装置の電力の流れを説明するブロック図である。
【符号の説明】
1…液冷放熱装置、2…上蓋、3…底板、4…半導体モジュール、5…放熱基板、6…ボルト、7…端子、8…半導体素子、9…シール材。
Claims (6)
- 複数の電力変換用半導体素子が実装された半導体モジュールと、この半導体モジュールの一部に設けられた複数枚の第1のフィンと、このフィンを通過する冷却液を有する冷却ケースを備えた電力変換装置において、
前記冷却ケースを構成する上ケースと下ケースと、前記冷却ケースの一部に設けられた冷却液流入口と冷却液流出口と、前記上ケースの一部に設けられた開口と、前記冷却液流入口と流出口の近傍に設けられた第2のフィンとを備え、前記開口から前記第1のフィンを挿入し、この第1のフィンと前記第2のフィンとが接続されたことを特徴とする電力変換装置。 - 前記第2のフィンが前記上ケースの内面に取り付けられたことを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記第2のフィンが前記下ケースの内面に取り付けられたことを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記第2のフィンは前期第1のフィンの枚数と同一であることを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に外広がりの形状であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電力変換装置。
- 前記第2のフィンは前期第1のフィン方向に厚みが増し、前記第1のフィンと同等の形状で前記第1のフィンと接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電力変換装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002234294A JP2004080856A (ja) | 2002-08-12 | 2002-08-12 | 電力変換装置 |
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JP2002234294A JP2004080856A (ja) | 2002-08-12 | 2002-08-12 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004080856A true JP2004080856A (ja) | 2004-03-11 |
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---|---|---|---|---|
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