JP3946786B2 - 除去可能なハンダ運搬媒体を用いる電子デバイスの相互接続方法 - Google Patents
除去可能なハンダ運搬媒体を用いる電子デバイスの相互接続方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3946786B2 JP3946786B2 JP13250195A JP13250195A JP3946786B2 JP 3946786 B2 JP3946786 B2 JP 3946786B2 JP 13250195 A JP13250195 A JP 13250195A JP 13250195 A JP13250195 A JP 13250195A JP 3946786 B2 JP3946786 B2 JP 3946786B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- particles
- contact pads
- medium
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 48
- 239000002609 medium Substances 0.000 claims description 33
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000006163 transport media Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 butyl vinyl Chemical group 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910017110 Fe—Cr—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HRPKYGWRFPOASX-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Ag].[Sn] Chemical compound [Zn].[Ag].[Sn] HRPKYGWRFPOASX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Sn].[In] Chemical compound [Zn].[Sn].[In] WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/111—Manufacture and pre-treatment of the bump connector preform
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/11332—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using a powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/08—Magnetic details
- H05K2201/083—Magnetic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10424—Frame holders
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/0425—Solder powder or solder coated metal powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0528—Patterning during transfer, i.e. without preformed pattern, e.g. by using a die, a programmed tool or a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
- H05K2203/0769—Dissolving insulating materials, e.g. coatings, not used for developing resist after exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/104—Using magnetic force, e.g. to align particles or for a temporary connection during processing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、電子回路とデバイスの相互接続方法に関し、特に、除去可能な運搬シート上に配置された移転可能なハンダ粒子アレイを用いる方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
コンピュータ、コンシューマーエレクトロニクス、遠隔通信機器や自動車エレクトロニクスを含む最新のエレクトロニクス製品は、回路の相互接続を必要とする。チップから離れた相互接続やパッケージ密度は長年にわたって多少向上したが、回路特徴サイズの劇的な減少がメモリデバイスにおけるIC回路密度を250Kから64MBに増加させたチップ上半導体素子のためのものよりははるかに進歩が遅くなっている。今日のハンダ相互接続用回路接点パッドの典型的な幅は、印刷配線基板については約25ミル(625μm)であり、シリコン−オン−シリコン フリップチップデバイスについては約4ミル(100μm))である。シリコンデバイスのこのミクロンレベルの特徴は接点パッドのために必要とされる数百ミクロンとは著しく不釣り合いなため、デバイス集積が非効率なものになっていた。広範囲のデバイス地所が、より広範囲のハンダ付け接点パッドに対するファンアウトに費やされている。また、このファンアウトは電子の進行経路をより長くすることになり、そのため、デバイス速度がコンパクト高密度相互接続方式で実現できるものより遅くなってしまう。
【0003】
合わせ接点パッド間の配線基板相互接続のほとんどは、共融鉛−すずハンダ(37Pb−63Sn)等のハンダ材料を使用している。このハンダ材料はウェーブハンダ付けか表面実装技術のどちらかによって溶かされたり固められたりする。これらの技術は、参照によりここに含まれる、1986年ニューヨークのエイチ・エイチ・マンコ(H.H.Manko) 及びバン ノストランド ラインホルド(Van Nostrand Reinhold) による印刷配線及び表面実装用ハンダ付けハンドブックに開示されている。表面実装手順は、典型的には、ハンダ相互接続されるべき基板の各配線パッド上に印刷されるウェットハンダペーストを用いるスクリーン印刷技術に基づいている。かけがえとして、ハンダは、写真食刻と組合せた、物理的もしくは化学的な蒸着または電気化学的溶着によって各接点パッド上に付けることができる。
【0004】
もっと小さいパッドサイズを用いる高密度または超高密度相互接続の達成に対する主な技術的障害のうちの2点は、i)約6ミルの線幅分解能以下のハンダペーストをスクリーン印刷するための工業的に実行可能な技術の欠如と、ii)約2ミルの分解能以下の広範囲フォトリソグラフィが困難でコストが高いことである。したがって、スクリーン印刷またはリソグラフィで制限されない新規な高密度相互接続技術が要求されている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
1つ以上の接点パッドを有する電子デバイスは、除去可能な運搬シート上の移転可能なハンダ粒子のアレイに付着される。この運搬シートは、例えば溶かすことにより、接点パッドに選択的に付着したハンダを残して除去される。好適な実施例では、ハンダ運搬媒体は水溶性であり、ハンダ粒子はハンダ被覆された磁気粒子からなる。媒体が乾くすなわち固まる間に磁性体を用いると、ハンダ被覆された粒子の規則正しいアレイが生じる。この方法を用いれば、従来より小さい接点構造を有するデバイスを容易に相互接続することができる。
【0006】
【実施例】
図面を参照すると、図1は本発明により高密度接続を行なうステップを示すブロック図である。ブロックAに示される最初のステップは、1つ以上の接点パッドを有する電子デバイスを準備することである。図2に示されているように、このような電子デバイス9は、典型的に、実質的に平らな表面11を有する基板10からなり、表面11上に隆起した複数の導電性接点パッド12を含む。基板10は、典型的に、半導体ウェハ、またはエポキシをベースとした印刷配線基板、またはセラミック基板である。接点パッド12は典型的には銅被覆されている。このパッドは、耐食性のためと溶融ハンダのぬれを改善するために種々の金属またはポリマー仕上げで被覆することができる。典型的な被覆物は金、すず、ハンダ及びイミダゾールである。デバイスは、パッド間領域13に多数の回路構成要素(図示しない)を備えることができる。
【0007】
図1のブロックBに示される次のステップは、除去可能な運搬媒体上または中に配置されたハンダ粒子のアレイを接点パッドに付着させることである。これは、加熱状態でハンダ運搬媒体を電子デバイスに接触させることによって行なうことができる。好適なハンダ運搬媒体は図3に示される。図4には、図3の構造が電子デバイスとの接触に近づいた状態が示されている。
【0008】
図3を参照すると、ハンダ運搬媒体30は、除去可能な媒体32に少なくとも部分的に埋め込まれたハンダ粒子31のアレイを含む。ハンダ粒子の表面の一部は、接合を容易にするために媒体の表面より突出している。媒体32は、溶剤に溶ける材料のような除去可能な材料からなる。模範的な除去可能な材料は、ゼラチン、のりまたはこれらの組合せのような水溶性材料のシートである。これらの材料は、人間に無害で、コストが低く、そして完全に乾く前にわずかに粘着するようなものが特に望ましい。他の有機ポリマー、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリジノン、ポリアクリルアミドを用いることもできる。典型的な可溶性材料は、これはアセトンに溶けるポリビニルアセテートや、メチルエチルケトンに溶けるポリビニルクロライド(PVC)及びアクリロニトリル−ブタジェン−スチレン(ABS)や、トルエンに溶けるブチルビニルアルコールを含む。媒体の酸化または変質をできるだけ少なくするために、窒素のような不活性雰囲気中で後続の加熱ステップを実行するのが効果的である。好適には、除去可能な媒体32は、紙やポリマーフィルムのような支持シート33にそっと付着させることができる。かけがえとして、揮発または焼失することができる除去可能な媒体例えば有機接着剤を用いることもできる。
【0009】
図4は、電子デバイス9との接触に近づいたハンダ運搬媒体30を示す。加熱は接点パッド12へのハンダ粒子の付着を促進する。運搬媒体32の表面からのハンダ粒子31の突出は、金属製デバイスパッド12へのハンダの接触及びぬれを容易にさせる。少なくとも5%の各ハンダ粒子突出の高さを持つのが望ましく、少なくとも20%の高さ突出が好適である。もし望むなら、電子デバイス9の合わせ面11は適当なフラックス40で被覆することができる。デバイス9は予熱することができ、次いでハンダ包含媒体30をその上に置くことができる。次いで、接点パッド上にハンダ粒子をくっ付けるまたは溶かすために、(例えば重量またはローラーによる)垂直の圧力または押圧を加えることができる。かけがえとして、ハンダ媒体は重量を加えた状態で基板と共に加熱される。付着を達成するのに望ましい温度は、好適には、室内温度以上だがハンダの溶融温度以下である。満足な付着に必要な温度は、加えられる圧力と使用されるフラックスによって決まり、処理の最適な組合せは実験的に容易に決定することができる。
【0010】
ハンダ粒子と接点パッドの寸法は、接点パッドに面するハンダ粒子のみが付着または溶融されるが、パッド間領域13内の粒子はパッド間領域上に付着または溶融されない程度に選ばれる。パッド間領域13の表面は典型的にポリマーのような非金属製絶縁材料で被覆され、したがってハンダは前記表面上に容易に付着または溶融されない。
【0011】
図1のブロックCに示される相互接続の3番目のステップは、接点パッド上に選択的にハンダを残して運搬媒体を除去することである。このステップは、適当な溶剤を用いて材料を溶かすことによって達成される。(支持シート33が用いられる場合は、除去可能な材料を溶かす前に支持シートを剥ぎ取っても良い。)接点パッドに付着または溶融されたハンダ粒子はパッド上にとどまり、パッド間領域13上の付着しないハンダ粒子は水または他の溶剤で流し去ることができる。
【0012】
図5は、運搬媒体と付着しないハンダ粒子が除去された後の図2のデバイスを示す。付着したハンダ粒子50は接点パッド12上にとどまっている。かけがえとして、ハンダ粒子50は、温度が溶融点以上に上昇すると、接点パッドの表面上に薄いハンダ層(図示しない)となって現われる。
【0013】
ハンダ粒子は、前に溶融されなかった場合は、運搬媒体の除去後に効果的に溶融することができる。接点パッドのぬれの間の溶融ハンダの接触角は、ハンダの選択とパッドの表面仕上げとにより制御することができる。小分けされたハンダが望ましい場合は、付着したハンダ粒子の溶け込みは、亜鉛含有ハンダのような高表面張力ハンダや、銅仕上げ上のすず−インジウム−亜鉛またはすず−銀−亜鉛合金を用いることによりできるだけ少なくすることができる。小分けが必要なければ、接触角を減らすために予めすずメッキした表面または銀被覆された表面を用いることができる。かけがえとして、小接触角を有する鉛−すずをベースとしたハンダを用いても良い。ハンダの温度は望ましくは、溶融点、例えば63Sn−37Pb共融ハンダの183℃、57Bi−43Snの139℃、49Sn−51Inの120℃及び96.5n−3.5Agの221℃、以上に上昇される。パッド間領域13にあるハンダ粒子は、たとえ溶融していても、非金属またはポリマーのパッド間表面を容易にぬらさない。接点パッドのみがハンダで被覆される。
【0014】
図1に示される相互接続プロセスの次のステップ、ブロックDは、図5のデバイスのハンダ包含接点パッドを接続されるべき表面との接触状態におくことである。これは、図6に示されるように、後続のリフロー相互接続作業において、ハンダが溶けて層61になって付着しているデバイス9上に、合わせるデバイス60を下ろすことにより好適に達成される。合わせられるデバイスは、典型的には、デバイス9に対応する合わせ接点パッド62を有する電子デバイスである。もし望むなら、デバイス9の合わせ面11は適当なフラックス63で被覆しても良い。溶融は、多くの既知の加熱方法、例えばオーブン加熱、赤外線加熱等で達成することができる。図6のハンダ層の厚さは、もし望むなら、最終のリフロー作業の前に適当なハンダ接合サイズ及び外形を得るために必要な多数回だけ、新しいハンダ運搬媒体を用いて図1の初めの3ステップを繰り返すことにより増加させることができる。
【0015】
図3のハンダ運搬媒体は少なくとも3つの異なる方法のいずれかで好便に製作される。第一の方法は、(硬度制御のために任意に追加された粒子状または可溶性の材料を伴う)水または溶剤に基質材料を溶かし、次いで例えばスピンコーティング、ドクターブレーディング、スプレーコーティング、ローリング等により材料を望ましい厚さの薄い層にシート化し、次いで液状または半液状層の上部にハンダ粒子をばらまくことである。基質溶液の一部は、ハンダ粒子が図3に示されるように突出するのを保証するために予め乾かすことができる。第二の方法は、ハンダ粒子と溶かされた媒体の両方を含有する混合溶液を予め作っておき、この混合溶液を薄い層にシート化することである。シート化される層の厚さは、溶液が乾かされて体積が減った後、基質材料の最終的厚さがハンダを突出させるためにハンダ粒子直径以下になるように調整される。リフロー相互接続に用いられるべきハンダ付け用フラックスは、ハンダ付け作業前または中にハンダ表面上の基質材料の残留被覆を除去するために、同じ溶剤を少し含むことができる。第三の方法は、十分に乾く前にまたは水または溶剤で最上部の表面を部分的にぬらすことにより、可溶性媒体の厚さを利用して、媒体にハンダ粒子を付着させることである。粘着性のある表面はハンダ粒子のアレイに押しつけられ、それらを拾い上げることができる。
【0016】
また、ハンダ包含媒体は、例えばスプールに巻き取ったりスプールからほどいたりするべく容易に取り扱えるように媒体を強くするために、任意の追加の支持層材料33を備えても良い。この支持層は、ポリマーもしくはプラスチックテープ(例えばポリエチレン)、またはハンダ包含シートの背面にくっつくが必要な時にはがすことができる任意にわずかに粘着性のある表面を有する紙もしくは他のシート状材料とすることができる。かけがえとして、ハンダ包含媒体は支持層を基板として用いて直接製作しても良い。
【0017】
望ましいハンダ粒子形状は、比較的一定のサイズと形状の複製を製造するのが容易なように球体とされ、均一に媒体から突出する粒子を提供する。望ましいハンダ粒子のサイズ範囲は0.2〜200μmであり、好適には0.5〜50μmである。接点パッド金属表面上のハンダのぬれを改善するために、例えばハンダ運搬媒体または基板のどちらかにスプレーコーティングをすることによりRMA(Rosin-Mildly-Activated)等のフラックスを用いることができる。
【0018】
例えば統計的に起こり得る粒子の伝播(数珠つなぎ形成)で引き起こされる隣接する接点パッド間の望ましくない電気的短絡をできるだけ少なくするために、ハンダ包含媒体中のハンダ粒子で覆われる領域部分は、好適には60%以下の範囲に、より好適には40%以下の範囲に制限される。
【0019】
短絡の確率(及びハンダ量の変化)を減らす新規な方法は、磁気分離を用いることである。ハンダ粒子は磁気コアを含むことができ、例えば、ハンダで強磁性粒子をエレクトロレスコーティングすることにより作ることができる。例えば、5μmの厚さのハンダ層が直径7μmの鉄粒子の表面に被覆された場合、ハンダ対鉄体積部分比は約4:1になる。基質ポリマーの表面張力に対して適当にバランスした垂直磁界の存在時、粘性媒体中の磁気粒子は互いに反発し合って分離する。このことは、参照によりここに含まれる1988年4月12日発行のジン(Jin) 等の米国特許第4,737,112 号に明示されている。図7及び図8の比較的な顕微鏡写真に示されるように、垂直磁界の存在は、数珠つなぎ形成がほとんどない粒子の規則的な散乱を達成する。図7は磁気分離のない場合のランダムな散乱を示し、図8は磁気分離で得られる規則的な散乱を示す。図3に示される構造は、この磁気分離手法で望ましく作られ、その後乾かされて、パッド間短絡またはハンダ粒子密度の相当なパッド対パッド変化のリスクを減らしてより多くのハンダ粒子を収容することができる洗えるハンダ運搬媒体を作ることができる。
【0020】
磁気コアは多くの強磁性体のうちのどれでも良く、例えば、Fe,Ni,Co,Ni−Fe(パーマロイ),Ni−Znフェライト,Mn−Znフェライト等の比較的軟質の磁気材料、またはFe−Al−Ni−Co(アルニコ),Fe−Cr−Co,ヘキサフェライト,希土類元素のコバルトもしくはNd−Fe−B型磁石等の永久磁石材料でも良い。軟質磁気材料は磁化が容易なので好適である。ハンダ材料と磁気コア材料間の冶金反応は、不注意のためにハンダ特性を劣化させないようにできるだけ少なくすべきである。
【0021】
また、本発明のハンダ運搬媒体は、高い配線密度用の多層3次元相互接続ばかりでなく領域−アレイ相互接続にも適している。従来のハンダペーストスクリーン印刷技術や沈積ハンダの広範囲リソグラフィックパターニングにおいてあった線幅分解能の制限は、本発明の転送可能なハンダ媒体を用いた新しい相互接続方法論にはない。細線で高密度な接点パッドは、本発明の媒体及び方法を用いて容易かつ安価に被覆することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】高密度接続を行なうステップを示すブロック図である。
【図2】導電性接点パッドを有する典型的な電子デバイスを示す。
【図3】図1のプロセスで用いるのに好適なハンダ運搬媒体の略断面図である。
【図4】電子デバイスとの接触に近づく図3の構造を示す。
【図5】運搬媒体と付着しなかったハンダ粒子とが除去された後の電子デバイスを示す。
【図6】パッドに接続されるべきデバイスとの接触に近づく電子デバイスのハンダ包含パッドを示す。
【図7】磁気分離のないハンダ粒子散乱を示す顕微鏡写真である。
【図8】磁気分離のあるハンダ粒子散乱を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
9 電子デバイス
10 基板
12 導電性接点パッド
Claims (9)
- 1つ以上の電気接点パッドを有する電子デバイスを第2のデバイスに接続するための方法であって、
1つ以上の接点パッドを有する前記電子デバイスを準備する工程と、
前記デバイスと可溶性材料を含む除去可能な運搬シート上に配置されたハンダ粒子のアレイを接触させる工程と、
前記アレイから前記接点パッドにハンダを選択的に付着させる工程と、
前記接点パッド上へハンダを残すために、前記可溶性材料を溶解する工程と、
前記接点パッドを前記第2のデバイスに接するように配置する工程とからなることを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、前記ハンダ粒子は該粒子に熱を加えることによって前記接点パッドに付着する方法。
- 請求項1記載の方法において、前記除去可能な運搬シートは可溶性材料からなり、溶剤に溶かすことにより除去される方法。
- 請求項1記載の方法において、前記除去可能な運搬シートは水溶性材料からなる方法。
- 請求項1記載の方法において、前記ハンダ粒子のアレイはハンダ被覆された磁気粒子のアレイからなる方法。
- 電気接点パッドの表面にハンダを付けるためのハンダ運搬シートであって、
水溶性運搬媒体層と、
前記水溶性媒体に少なくとも部分的に埋め込まれ、前記媒体の表面から突出しているハンダ粒子のアレイとからなることを特徴とするハンダ運搬シート。 - 請求項6記載のハンダ運搬シートにおいて、前記ハンダ粒子はハンダ被覆された磁気粒子からなるハンダ運搬シート。
- 請求項6記載のハンダ運搬シートにおいて、さらに、前記可溶性運搬媒体層に接着された支持層を含むハンダ支持シート。
- 請求項1または2または3または4または5の方法によって第2のデバイスに接続された1つ以上の電気接点パッドを有する電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/251,547 US5591037A (en) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | Method for interconnecting an electronic device using a removable solder carrying medium |
US08/251547 | 1994-05-31 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006349097A Division JP4065457B2 (ja) | 1994-05-31 | 2006-12-26 | ハンダ運搬シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07336033A JPH07336033A (ja) | 1995-12-22 |
JP3946786B2 true JP3946786B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=22952433
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13250195A Expired - Fee Related JP3946786B2 (ja) | 1994-05-31 | 1995-05-31 | 除去可能なハンダ運搬媒体を用いる電子デバイスの相互接続方法 |
JP2006349097A Expired - Fee Related JP4065457B2 (ja) | 1994-05-31 | 2006-12-26 | ハンダ運搬シート |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006349097A Expired - Fee Related JP4065457B2 (ja) | 1994-05-31 | 2006-12-26 | ハンダ運搬シート |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5591037A (ja) |
EP (1) | EP0685880B1 (ja) |
JP (2) | JP3946786B2 (ja) |
KR (1) | KR950035551A (ja) |
DE (1) | DE69518120T2 (ja) |
ES (1) | ES2149927T3 (ja) |
TW (1) | TW267251B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140084095A (ko) * | 2011-10-26 | 2014-07-04 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 리플로우 필름, 땜납 범프 형성 방법, 땜납 접합의 형성 방법 및 반도체 장치 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6099935A (en) * | 1995-12-15 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus for providing solder interconnections to semiconductor and electronic packaging devices |
KR100542552B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판, 및 이 인쇄회로기판을 갖는 화상기록장치 |
US20050221635A1 (en) | 2004-03-30 | 2005-10-06 | International Business Machines Corporation | Micro-bumps to enhance lga interconnections |
DE102004025279B4 (de) * | 2004-05-19 | 2011-04-28 | Infineon Technologies Ag | Anlage für ein Bestücken von Substraten mit Kugelkontakten und Verfahren zum Bestücken von Substraten mit Kugelkontakten |
US9821397B2 (en) | 2004-12-20 | 2017-11-21 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder precoating method and workpiece for electronic equipment |
US20090226696A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-09-10 | World Properties, Inc. | Conductive Polymer Foams, Method of Manufacture, And Uses Thereof |
US8623265B2 (en) * | 2007-02-06 | 2014-01-07 | World Properties, Inc. | Conductive polymer foams, method of manufacture, and articles thereof |
JP2010518227A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | ワールド プラパティーズ、 インコーポレイテッド | 導電性ポリマー発泡体、その作製方法、およびその使用 |
US7790597B2 (en) * | 2007-07-11 | 2010-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Solder cap application process on copper bump using solder powder film |
TWI462676B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-11-21 | Senju Metal Industry Co | The solder bumps for the circuit substrate are formed using the transfer sheet |
CN102686652A (zh) * | 2009-12-29 | 2012-09-19 | 罗杰斯公司 | 导电聚合物泡沫、其制造方法及其用途 |
DE102010002252A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | JENOPTIK Laser GmbH, 07745 | Verfahren zum Aufbringen von Weichlot auf eine Montagefläche eines Bauelementes |
JP2011189390A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | shuan-sheng Wang | 鉄粉を含有する錫基の複合はんだ合金ボール、及び、それを利用したフリップチップのバンプ形成方法 |
CN103180079B (zh) | 2010-11-08 | 2016-03-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 焊料转印基材的制造方法、焊料预涂方法、及焊料转印基材 |
US9238278B2 (en) * | 2011-03-29 | 2016-01-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solder transfer substrate, manufacturing method of solder transfer substrate, and solder transfer method |
JP2013093471A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | はんだプリコート及びその形成方法、並びにはんだプリコート付き基板 |
JP6009350B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-10-19 | 花王株式会社 | 電子部品が接合した回路基板の製造方法 |
JP2013229635A (ja) * | 2013-08-01 | 2013-11-07 | Senju Metal Ind Co Ltd | はんだプリコート法 |
DE102016123180A1 (de) * | 2016-11-30 | 2018-05-30 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterbauelements mit einem Gegenstück sowie Anordnung mit einem Halbleiterbauelement |
CN113948624B (zh) * | 2020-07-16 | 2023-10-24 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led焊料涂布方法、发光装置和显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4655382A (en) * | 1985-11-12 | 1987-04-07 | Raychem Corp. | Materials for use in forming electronic interconnect |
US4737112A (en) * | 1986-09-05 | 1988-04-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Anisotropically conductive composite medium |
US4820376A (en) * | 1987-11-05 | 1989-04-11 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Fabrication of CPI layers |
US4902857A (en) * | 1988-12-27 | 1990-02-20 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Polymer interconnect structure |
JPH0695462B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1994-11-24 | シャープ株式会社 | 電極上への導電性粒子の配置方法 |
US5323947A (en) * | 1993-05-03 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for use in forming pre-positioned solder bumps on a pad arrangement |
-
1994
- 1994-05-31 US US08/251,547 patent/US5591037A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-28 TW TW083109979A patent/TW267251B/zh not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-05-24 DE DE69518120T patent/DE69518120T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-24 EP EP95303496A patent/EP0685880B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-24 ES ES95303496T patent/ES2149927T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-31 JP JP13250195A patent/JP3946786B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-31 KR KR1019950014011A patent/KR950035551A/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006349097A patent/JP4065457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140084095A (ko) * | 2011-10-26 | 2014-07-04 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 리플로우 필름, 땜납 범프 형성 방법, 땜납 접합의 형성 방법 및 반도체 장치 |
KR101678749B1 (ko) | 2011-10-26 | 2016-12-06 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 리플로우 필름, 땜납 범프 형성 방법, 땜납 접합의 형성 방법 및 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950035551A (ko) | 1995-12-30 |
JP2007110158A (ja) | 2007-04-26 |
DE69518120T2 (de) | 2000-12-21 |
ES2149927T3 (es) | 2000-11-16 |
EP0685880B1 (en) | 2000-07-26 |
JPH07336033A (ja) | 1995-12-22 |
TW267251B (ja) | 1996-01-01 |
DE69518120D1 (de) | 2000-08-31 |
EP0685880A1 (en) | 1995-12-06 |
US5591037A (en) | 1997-01-07 |
JP4065457B2 (ja) | 2008-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4065457B2 (ja) | ハンダ運搬シート | |
US5846366A (en) | Method for interconnecting an electronic device using a transferable solder carrying medium | |
US5133495A (en) | Method of bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween | |
US5221417A (en) | Conductive adhesive film techniques | |
US5203075A (en) | Method of bonding flexible circuit to cicuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders | |
US5261155A (en) | Method for bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders | |
JP2596721B2 (ja) | Dca用集積回路チップ製造方法 | |
JP3339035B2 (ja) | ボール・グリッド・アレイ・モジュールを基板にはんだ付けするための方法および装置 | |
JP2002501821A (ja) | 粒子の非ランダム単層にコーティングを形成する方法、及びそれによって形成された製品 | |
KR20010082601A (ko) | 범프 형성 방법, 전자 부품, 및 땜납 페이스트 | |
JPH08116165A (ja) | プリント回路基板上に細かいピッチのはんだを形成する方法および製品 | |
JPH0273648A (ja) | 電子回路及びその製造方法 | |
KR100737498B1 (ko) | 반도체 소자의 실장 방법 및 실장 구조 | |
US6281105B1 (en) | Electrode modification using an unzippable polymer paste | |
US5435481A (en) | Soldering process | |
JP3202774B2 (ja) | はんだパターン転写フィルムおよびその製造方法 | |
US6875367B2 (en) | Attaching components to a printed circuit card | |
JPH11293206A (ja) | 接着剤層を有する巻重体 | |
JP3124224B2 (ja) | はんだバンプ形成方法 | |
JP2896296B2 (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
JPS62263645A (ja) | 電気的接点構造とその形成方法 | |
JP2646688B2 (ja) | 電子部品の半田付け方法 | |
JPH11168279A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
JP2000044922A (ja) | 活性水素を含有するフラックス活性化剤を含有する光硬化性組成物およびそれらの使用の方法 | |
JPS6030195A (ja) | リ−ド接続方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060926 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |