JP3946690B2 - インバータ回路の作製方法 - Google Patents
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Description
(チャネル長)=(ゲイト電極幅)−(回り込み量)
という関係から、ゲイト電極幅が決定されると、チャネル長も決定される。ゲイト電極に陽極酸化等の処理を施す場合も同様である。
2 Nチャネル型TFTのゲイト電極
3 Pチャネル型TFTのソース電極・配線
4 ドレイン電極・配線
5 Nチャネル型TFTのソース電極・配線
6 ゲイト絶縁膜
7 Pチャネル型TFTのソース
8 Pチャネル型TFTのドレイン
9 Nチャネル型TFTのソース
10 Nチャネル型TFTのドレイン
11 層間絶縁物
12、13 陽極酸化物
Claims (2)
- 同じ構造で同等な条件で形成するNチャネル型薄膜トランジスタとPチャネル型薄膜トランジスタのチャネル長を、前記Nチャネル型薄膜トランジスタのチャネル長より前記Pチャネル型薄膜トランジスタのチャネル長を短く形成することにより、前記Nチャネル型薄膜トランジスタと前記Pチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧の絶対値を等しくしたインバータ回路の作製方法であって、
第1の絶縁膜を透過しないように燐イオンを照射して第1の島状領域の前記第1の絶縁膜に覆われていない領域に第1のソースおよび第1のドレインを形成し、
前記第1の絶縁膜を透過するように燐イオンを照射して前記第1の島状領域に前記第1のソース及び前記第1のドレインよりも燐の濃度が低濃度のN型領域を前記第1のソース、前記第1のドレインそれぞれに隣接して、上面及び側面に酸化物が形成された第1のゲイト電極と重ならないように形成し、
第2の絶縁膜を透過しないようにP型の不純物のイオンを照射して第2の島状領域の前記第2の絶縁膜に覆われていない領域に第2のソース及び第2のドレインを形成し、
前記第2の絶縁膜を透過するようにP型の不純物のイオンを照射して前記第2の島状領域に前記第2のソース及び前記第2のドレインよりもP型の不純物の濃度が低濃度のP型領域を前記第2のソース、前記第2のドレインそれぞれに隣接して、上面及び側面に酸化物が形成された前記第1のゲイト電極より幅の短い第2のゲイト電極と重ならないように形成することによって、
前記Pチャネル型薄膜トランジスタのチャネル長は前記Nチャネル型薄膜トランジスタのチャネル長よりも短く形成し
前記Pチャネル型薄膜トランジスタ及び前記Nチャネル型薄膜トランジスタ上に第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホール上に配線を形成し、前記Pチャネル型薄膜トランジスタと前記Nチャネル型薄膜トランジスタとを電気的に接続することを特徴とするインバータ回路の作製方法。 - 請求項1において、前記第2のゲイト電極の幅は、前記第1の電極の幅の25〜80%であることを特徴とするインバータ回路の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003376821A JP3946690B2 (ja) | 1994-02-08 | 2003-11-06 | インバータ回路の作製方法 |
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JP3661594 | 1994-02-08 | ||
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JP04340795A Division JP3741741B2 (ja) | 1994-02-08 | 1995-02-07 | 相補型集積回路の作製方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2004104146A JP2004104146A (ja) | 2004-04-02 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6346730B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate |
TWI654689B (zh) | 2008-12-26 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2004104146A (ja) | 2004-04-02 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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