JP3945939B2 - 圧縮テスト可能なメモリ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧縮テスト可能なメモリ回路に関し、特に複数ビット入出力に対応したメモリ構成において圧縮テストの圧縮度を向上させたメモリ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体記憶装置などのメモリ回路は、その入出力ビット構成を考慮してメモリバンク内のセグメント構成及びコラムデコーダ構成が設計される。例えば、8ビットの読み出しデータを同時に出力し、8ビットの書き込みデータを同時に入力する構成のメモリデバイスがある。かかる複数ビット入出力構成の場合は、入出力数に対応した数の共通データバスを有し、その複数の共通データバスに同時に読み出しデータを出力し、また、同時に書き込みデータを入力する。それにより、入出力数に対応した入出力回路から読み出しまたは書き込みが同時に行われる。
【0003】
一方、メモリ回路の試験において、同じコラム選択信号によって選択される複数のセンスアンプに対して、同じデータ(HレベルまたはLレベル)を同時に書き込み、その同じデータを同時に読み出す圧縮リードテストが行われる。この試験は、メモリセルへの基本的な書き込みと読み出し動作が正常に行われるか否かをチェックする試験であるが、大容量のメモリセルに対して行うために、複数のセンスアンプに対して同時に行うことで試験に要する時間を短くすることができる。
【0004】
図1は、従来の圧縮リードテストを説明する図である。図1には、あるメモリバンク内に設けられた8つのセグメントSGM0−7が示される。これらの8つのセグメントには、初段コラムデコーダcacdecにより生成される4つのセグメント選択信号cac0−cac3が、それぞれ4つづつのセグメントグループSGM0−3と、SGM4−7とに供給される。セグメント選択信号cac0−cac3は、それぞれのセグメントのプリコラムデコーダpcdecを介してセグメント内のコラムデコーダC/Decに供給される。コラムデコーダC/Decは、64本のコラム選択信号CL0−63のうち一本を選択する。そして、1本のコラム選択信号により選択された4本の読み出し用グローバルデータバス線rgdb0x/z−rgdb3x/zの信号が、セグメント内の4つのセンスバッファSBにより増幅され、それに接続されたテスト用読み出しデータバスtrdb0x/z、trdb3x/zが駆動される。なお、各信号やバスにおけるxはLレベル時にアクティブを示し、zはHレベル時にアクティブになることを示す。従って、テスト用読み出しデータバスtrdb0x/zは、逆相信号を出力する1対のバスで構成される。もう一方のテスト用読み出しデータバスtrdb3x/zも同じである。
【0005】
図2は、従来例の初段コラムデコーダcacdecの回路図である。図2の初段コラムデコーダは、4つのNANDゲート51〜54と、2つのインバータ55,56を有する。2つのコラムアドレス信号ca06z、ca07zと、バンク選択信号cbnk0zとが供給され、コラムアドレス信号は、インバータ55,56によりそれぞれ逆相信号にされ、合計4本のコラムアドレス信号の組み合わせが、NANDゲート51〜54に供給される。また、バンク選択信号cbnk0zは、NANDゲート51〜54に供給される。
【0006】
この初段コラムデコーダでは、バンク選択信号cbnk0zがHレベルの時、コラムアドレスの組み合わせに従って、4本のセグメント選択信号cac0x〜cac3xのうち、1本が活性化レベル(Lレベル)になる。このセグメント選択信号cac0x〜cac3xは、図1に示したインバータ18により反転されて、逆相のセグメント選択信号cac0z〜cac3zとして、各セグメントのプリコラムデコーダpcdecに供給される。
【0007】
図1に戻り、上記4本のセグメント選択信号cac0x−cac3xのうち1本が活性化レベル(Lレベル)になることにより、8個のセグメントのうち2個のセグメントが選択され、活性化状態になる。図1の例では、セグメント選択信号cac3zが活性化レベル(Hレベル)になり、2つのセグメントSGM3、SGM7が選択されて活性化状態(Active)になる。その結果、セグメントSGM3、SGM7から、それぞれ4つのセンスバッファSBからの読み出しデータ、即ち合計で8つの読み出しデータが、図示しない共通データバス線を介して8つの入出力回路に並列に供給され、8つの入出力端子から出力される。
【0008】
かかる構成は、複数ビットの同時入出力を想定している。つまり、所定のコラムアドレスに対して、バンク内の2つのセグメントが同時に選択され、8つの読み出しデータがそれぞれのセンスバッファに同時に出力される。そして、それに対応する8本の共通データバスと入出力回路を経由して、8個の入出力端子から同時に読み出しデータが出力される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記の読み出しモードに対応して構成されたコラムデコーダ及びセグメントに対して、圧縮リードテストが行われる。圧縮リードテストとは、複数のメモリセルの読み出しデータを、全て同じか一部異なるかを判定して、テスト端子から出力するテストである。それにより、読み出し判定を容易にし、読み出しテストの工数を減らすことができる。
【0010】
この圧縮リードテストの為に、図1に示される通り、第1のセグメント群SGM0−SGM3に対して、第1の共通のテスト用リードデータバスtrdb0x/zと、第2のセグメント群SGM4−SGM7に対して、第2の共通のテスト用リードデータバスtrdb3x/zとが設けられる。上記の読み出し動作と同様に所定のコラムアドレスを供給することにより、第1及び第2のセグメント群から1つづつのセグメントが活性化される。そして、第1の共通のテスト用リードデータバスtrdb0x/zには、例えばセグメントSGM3における4つのセンスバッファSBの出力が同時に供給される。また、第2の共通のテスト用リードデータバスtrdb3x/zには、例えばセグメントSGM7における4つのセンスバッファSBの出力が同時に供給される。その結果、8個のセンスバッファSBに対して同時に読み出しテストを行うことができる。
【0011】
従来の構成は、複数ビット入出力構成であるので、複数の共通データバスが設けられ通常の読み出し動作で複数の読み出しデータが同時に出力される。従って、かかる動作を利用して、圧縮リードテストであh、それらの同時読み出されたデータを、共通のテスト用リードデータバスtrdb0x/z、trdb3x/zにより、すべて一致か不一致かの信号に加工して出力する。
【0012】
しかしながら、同時に読み出しテストできる数が8つのメモリセルであるので、圧縮率がそれほど高くないという課題がある。1つのメモリバンク内に8個のセグメントを有しているが、選択されたメモリバンク内で、その一部の2個のセグメントしか活性化していないので、残りの6個のセグメントに対しては、引き続きメモリバンクを選択状態にして別の時間にテストする必要がある。従って、圧縮読み出しテストの効率が悪いという問題がある。
【0013】
そこで、本発明の目的は、圧縮読み出しテストの効率を高めることができるメモリ回路を提供することにある。
【0014】
更に、本発明の別の目的は、通常の読み出し動作と異なる動作を可能にして、圧縮読み出しテストの効率を高くすることができるメモリ回路を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの側面は、通常の読み出し時においてM個のセグメントのうちN個(但しN<M)のセグメントを選択するメモリ回路において、読み出しテスト時に、M個のセグメントを全て活性化して、M個のセグメント内の複数のセンスバッファにより共通のテスト用データバスを駆動することを特徴とする。そのために、コラムデコーダにテスト信号を供給し、それに応答してM個のセグメントを活性化するセグメント選択信号を生成する。これにより、選択状態のメモリバンク内の複数のセグメントを同時に選択して読み出しテストをすることができ、圧縮読み出しテストの効率を上げることができる。
【0016】
上記の目的を達成するために、本発明の別の側面は、それぞれ複数のメモリセルを有するセグメントをM個(Mは整数)有するメモリ回路において、
前記M個のセグメントに対して、共通に設けられたのテスト用データバスを有し、
通常の読み出し時において、前記M個のセグメントのうち同時にN個(Nは整数でN<M)のセグメントを活性化し、
圧縮読み出しテスト時に、前記M個のセグメントを全て活性化して、当該M個のセグメント内の複数のセンスバッファにより前記共通のテスト用データバスを駆動することを特徴とする。
【0017】
また、本発明の好ましい実施の形態によれば、更に、コラムアドレス信号をデコードして、前記セグメントにセグメント選択信号を生成するコラムデコーダを有し、
前記コラムデコーダは、更に圧縮テスト制御信号を供給され、前記圧縮テスト制御信号が活性状態の時に、前記コラムアドレス信号にかかわらず前記M個のセグメントを同時に活性化するセグメント選択信号を生成することを特徴とする。
【0018】
また、本発明の好ましい実施の形態によれば、前記M個のセグメントがL群(Lは整数)に分けられ、前記共通のテスト用データバスは、各群のM/L個のセグメントに共通に設けられ、
前記通常読み出し時は、各群のM/L個のセグメントから1個のセグメントが選択され、前記圧縮読み出しテスト時に、各群のM/L個のセグメントが同時に活性化されて前記共通のテスト用データバスにデータが供給されることを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【0020】
図3は、本実施の形態例におけるメモリ回路を示す図である。図3には、メモリデバイス内の複数のメモリバンクのうち、1つのメモリバンクBNK0が示されている。メモリバンクBNK0内には、8個のセグメントSGM0〜SGM7が設けられる。8個のセグメントSGM0−SGM7は、それぞれ4個づつに分離され、セグメントSGM0−SGM3からなる第1のセグメント群SGIと、セグメントSGM4〜SGM7からなる第2のセグメント群SGIIとを構成する。各セグメントには、それぞれ4個づつのセンスバッファSBと、書き込みアンプWAが設けられ、通常読み出し動作時及び圧縮読み出しテスト時において、活性化状態のセグメント内に設けられた4個のセンスバッファSBが同時に活性化される。
【0021】
第1のセグメント群SGIに対して、第1群の4本の共通データバスcdb0z−cdb3zが設けられ、各セグメント内の4つのセンスバッファSB及び4つの書き込みアンプWAにそれぞれ接続される。但し、共通データバスcdb0zは、各セグメントSGM0−SGM3の第1のセンスバッファSB及び書き込みアンプWAに共通に接続される。また、共通データバスcdb1zは、各セグメントSGM0−SGM3の第2のセンスバッファSB及び書き込みアンプWAに共通に接続される。同様に、共通データバスcdb2z、cdb3zも、各セグメントSGM0−SGM3内の第3及び第4のセンスバッファ及び書き込みアンプにそれぞれ共通に接続される。
【0022】
第2のセグメント群SGIIに対しても、同様にして第2群の4本の共通データバスcdb4z−cdb7zが設けられ、各セグメント内の第1のセンスバッファSB及び書き込みアンプWAに対して共通に共通データバスが接続される。
【0023】
そして、通常の読み出し動作時には、バンク選択信号cbnk0zに応答して、初段のコラムデコーダcacdecが、2ビットのコラムアドレス信号ca06z、ca07zをデコードして、4つのセグメント選択信号cac0-3zのうち、一つを活性化レベルにする。その結果、第1及び第2のセグメント群SGI、SGIIからそれぞれ1つのセグメントが活性化状態にされる。
【0024】
各セグメント群SGI、SGIIでそれぞれ選択され活性化状態にされたセグメント、例えばセグメントSGM0、SGM4内の4つのセンスバッファSBは、それぞれ第1群及び第2群の共通データバスcdb0z−cdb3z及びcdb4z−cdb7zを駆動する。その結果、8ビットの読み出しデータが8本の共通データバスに出力される。
【0025】
8本の共通データバスは、それぞれ8個の入出力回路I/Oに接続され、8ビットの入出力信号は、8個の入出力端子DQ0−DQ7から同時に入出力される。その入出力信号は、内部同期クロックCLKに同期して入出力される。
【0026】
上記の通り、通常書き込み、読み出し動作時において、複数ビットの同時入出力を考慮して、8個のセグメントの内、各セグメント群SGI、SGII内からそれぞれ1つのセグメントを活性化する。そして、各活性化セグメントがそれぞれ4本の共通データバスを駆動し、合計で8本の共通データバスcdb0z−cdb7zが駆動される。それにより、8ビットの読み出しデータの同時出力に対応可能になる。また、8ビット同時書き込みにも対応可能になる。
【0027】
次に、圧縮読み出しテストについて説明する。図3には、テスト用読み出しデータバス対trdb0x/z、trdb3x/zが、第1のセグメント群SGIと第2のセグメント群SGIIのセンスバッファSBにそれぞれ接続される。図3中では1本で示されるが、実際には後述する通り、それぞれ反転レベルを有する1対の構成になっている。また、テスト用の書き込みデータバス対twdb0x/z、twdb3x/zが、第1のセグメント群SGIと第2のセグメント群SGIIの書き込みアンプWAにそれぞれ接続される。このテスト用書き込みデータバス対も1対の構成になっている。これらのテスト用データバス対は、テスト用入出力回路24を介して、テスト用入出力端子TDQに接続される。
【0028】
本実施の形態例では、初段コラムデコーダcacdec内の回路が、テスト制御信号test1zが圧縮テスト状態にある場合は、コラムアドレスca06z、ca07zにかかわらず、全てのセグメント選択信号cac0z−cac3zを活性化状態(選択状態、Hレベル)にする。その結果、第1及び第2のセグメント群内の4つのセグメントが、全て同時に活性化状態になる。従って、各セグメント内の4つのセンスバッファSBは、テスト用読み出しデータバス対trdb0x/z、trdb3x/zに、同時に読み出しデータを出力する。または、各セグメント内の4つの書き込みアンプWAは、テスト用書き込みデータバス対twdb0x/z、twdb3x/zから書き込みデータを供給される。
【0029】
図4は、図1に対応する本実施の形態例における圧縮テスト時のメモリ回路の構成例を示す図である。前述した通り、圧縮テスト時は、セグメント選択信号cac0z−cac3zが全て選択状態になるので、全てのセグメントSGM0−SGM7が活性化状態になる。
【0030】
図5は、テスト用入出力回路の出力部の例を示す回路図である。テスト用入出回路24の出力部は、出力トランジスタP1,N2からなる最終段トランジスタに対して、それぞれテスト用読み出しデータバス対trdb0x、trdb0zの信号が供給される。テスト用読み出しデータバス対は、内部同期クロックCLKに応答して導通するトランスファーゲート26,27に接続され、読み出しデータは、それぞれ2つのインバータで構成されるラッチ回路30,31で保持される。Pチャネル側の出力トランジスタP1には、テスト用読み出しデータバスtrdb0zの反転信号がそのまま供給され、Nチャネル側の出力トランジスタN2には、テスト用読み出しデータバス対trdb0xの反転信号がインバータ33を介して供給される。
【0031】
複数のセンスバッファSBは、それぞれの出力トランジスタN30〜N45により、共通のテスト用読み出しデータバスtrdb0z、trdb0xにワイヤードオア接続される。従って、同じデータバスに接続される複数の出力トランジスタN30〜N45のうち一つでも導通すると、テスト用読み出しデータバスは、Lレベルになり、全ての出力トランジスタが非導通で初めてHレベルになる。
【0032】
図6は、圧縮読み出しテストにおけるテスト用読み出しデータバスとテスト用入出力端子のレベルの関係を示す図である。図6の例では、圧縮読み出しテスト時において、時刻T1では、センスバッファSBの全ての出力がHレベルの時であり、反転側のテスト用読み出しデータバスtrdb0xはLレベル、非反転側のテスト用読み出しデータバスtrdb0zはHレベルになる。その結果、入出力回路24のPチャネルトランジスタP1が導通し、NチャネルトランジスタN2は非導通になり、テスト用入出力端子TDQは、Hレベルになる。その結果、全ての読み出しデータがHレベルであることが検出される。
【0033】
時刻T2では、センスバッファSBの全ての出力がLレベルの時であり、反転側のテスト用読み出しデータバスtrdb0xはHレベル、非反転側のテスト用読み出しデータバスtrdb0zはLレベルになる。その結果、入出力回路24のNチャネルトランジスタN2が導通し、PチャネルトランジスタP1は非導通になり、テスト用入出力端子TDQは、Lレベルになる。その結果、全ての読み出しデータがLレベルであることが検出される。
【0034】
そして、センスアンプSBの出力がHレベルとLレベルが混在する場合は、両テスト用読み出しデータバスtrdb0z、trdb0xは、前述のワイヤードオア接続により、いずれもLレベルになる。その結果、入出力回路24の出力トランジスタP1,N2は共に非導通になり、テスト用入出力端子TDQは、高インピーダンス状態になる。この状態は、テスト装置により簡単に検出することができる。
【0035】
上記のように、圧縮読み出しテストでは、メモリバンク内の8個のセグメントを同時に活性化状態にし、全てのセンスバッファSBが共通のテスト用データバス対を駆動する。そして、読み出しデータが全てHレベル、全てLレベル、またはHレベルとLレベルが混在しているの3つの状態を検出することができる。つまり、テスト書き込みでは同じデータを書き込み、上記の圧縮読み出しテストを行うことにより、4×8=32の複数のメモリセルへの書き込みと読み出し動作を同時に行うことができ、テスト時間を圧縮することができる。
【0036】
図7は、本実施の形態例における初段コラムデコーダcacdecの一例の論理回路図である。図2の従来例と同じ部分には同じ引用番号を与えた。図7の初段コラムデコーダcacdecは、バンク選択信号cbnk0zとコラムアドレスca07z、ca06zに加えて、圧縮テスト制御信号test1zが供給される。NANDゲート51〜54がコラムアドレス信号の組み合わせによって活性化レベル(Lレベル)を生成することは、従来例と同じである。但し、図7の例では、更に圧縮テスト制御信号test1zの活性化レベル(Hレベル)によって、強制的に全てのセグメント選択信号cac00z−cac03zを活性化状態(Hレベル)にするために、NANDゲート61〜63及びインバータ57が設けられる。即ち、セグメントを選択する初段コラムデコーダに圧縮テスト制御信号の論理を組み込んで、強制的に全てのセグメントを選択可能にする。
【0037】
かかる初段コラムデコーダでは、圧縮テスト制御信号test1zが非活性化レベル(Lレベル)の時は、通常の動作により、4つのセグメント選択信号cac00z−cac03zのうち、一つのセグメント選択信号が活性化状態(選択状態になる。また、圧縮テスト制御信号test1zが活性化レベル(Hレベル)の時は、コラムアドレスにかかわらず、4つのセグメント選択信号cac00z−cac03zが全て活性化状態(Hレベル)になる。その結果、8つのセグメントが全て活性化状態に制御される。
【0038】
図8は、本実施の形態例におけるプリコラムデコーダpcdecの一部の回路例を示す図である。図8は、図3,4におけるセグメントSGM0に対応するプリコラムデコーダpcdecの場合の部分的回路例である。このプリコラムデコーダpcdecには、c系の初段コラムデコーダcacdecにより生成されたセグメント選択信号cac0zと、図示しないa系の初段コラムデコーダにより生成された8本のコラム選択信号caa0z−caa7zと、同様に図示しないb系の初段コラムデコーダにより生成された8本のコラム選択信号cab0z−cab7zの内の1本のコラム選択信号cab0zとが供給される。
【0039】
このプリコラムデコーダは、Nチャネルトランジスタ68,69と、Pチャネルトランジスタ群66,67と、CMOSインバータ群65とで構成される。また、図8のプリコラムデコーダpcdecは、実際のプリコラムデコーダ構成の1/8が示される。即ち、他の7/8の回路は、図8と同様の構成で、b系のコラム選択信号のみが異なる。
【0040】
図8のデコーダでは、b系のコラム選択信号cab0zとセグメント選択信号cac0zとが共に活性化レベル(Hレベル)の時に、Nチャネルトランジスタ68,69が共に導通し、Pチャネルトランジスタ66,67が共に非導通となる。従って、8本のa系のコラム選択信号caa0z−caa7zのうち活性化レベル(Hレベル)に対応するプリコラム選択信号pcl00nzがLレベルに駆動される。即ち、図8のプリコラムデコーダで1/8にデコードされ、残りの7/8のプリコラムデコーダと共に、1/64にデコードされる。
【0041】
図4に示されるコラムデコーダC/Decは、そのプリコラム選択信号pcl00nzに対応するコラム選択信号CL0−CL63を活性化状態(選択状態)にし、後述するコラム選択ゲートに供給する。即ち、各セグメント内では、1/64にデコードされて、64組のビット線若しくはセンスアンプの内、1組のビット線若しくはセンスアンプが選択され、センスバッファSAまたは書き込みアンプWAに接続される。尚、各組のビット線数若しくはセンスアンプ数は、4本若しくは4個である。この構成は、後に詳述する。
【0042】
図9は、本実施の形態例における別の初段コラムデコーダを示す論理回路図である。この回路では、図7の例と異なり、コラムアドレスca06z、ca07z及び圧縮テスト制御信号test1xとが、NANDゲート65〜68に供給される。従って、通常動作時には、圧縮テスト制御信号test1xがLレベルであり、NANDゲート65〜68は、コラムアドレスca06z、ca07zをデコードして、出力n0〜n3を出力する。そして、バンク選択信号cbnk0zが選択状態(Hレベル)の時は、NANDゲート70〜73がそれらの出力n0〜n3を反転し、更に圧縮テスト制御信号test1xが与えられるNORゲート75〜78により再度反転され、最後にインバータ80乃至83により再反転される。その結果、セグメント選択信号cac00z−cac03zのうちの1つが選択状態(Hレベル)になる。バンク選択信号cbnk0zが非選択状態(Lレベル)の時は、それらのNANDゲート70〜73の出力は全てHレベルになり、セグメント選択信号cac00z−cac03zは全て非選択状態のLレベルになる。
【0043】
一方、圧縮テスト制御信号test1xがテスト状態であるHレベルになると、NORゲート75〜78の出力は強制的にLレベルになり、セグメント選択信号cac00z−cac03zは全て活性化状態(選択状態)のHレベルになる。従って、全てのセグメントが選択され、圧縮読みだしテストので同時にテストできるメモリセルの数を増やすことができる。
【0044】
次に、各セグメント内の構成について説明する。
【0045】
図10は、本実施の形態例におけるメモリデバイスのより詳細な構成図である。図10には、特に、複数のメモリセルを有するセグメントの詳細構成が示される。図10には、8つのセグメントSGM0〜7が示され、それぞれのセグメントには、コラムデコーダC/Decと、4組のセンスバッファSB及び書込アンプWAとが設けられる。
【0046】
例えば、セグメントSGM0を例にすると、セグメント内には、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイMCAと、センスアンプアレイSAAとが、縦方向(コラム方向)に交互に配置される。そして、上下2列のセンスアンプアレイSAAが1つのメモリセルアレイMCAの両側に設けられ、メモリセルアレイMCA内にビット線の電位を増幅するセンスアンプがセンスアンプアレイSAA内に設けられる。
【0047】
また、メモリセルアレイMCAに対応して、メインワードデコーダMW/DとサブワードデコーダSW/Dが設けられる。メインワードデコーダMW/Dは、8つのセグメント内にワード方向(図中横方向)の全てのサブワードデコーダSW/Dを選択し、その選択されたサブワードデコーダSW/Dのうち、選択されたセグメントに属するサブワードデコーダSW/Dが、ワード線を駆動する。
【0048】
図10のセンスアンプアレイSAA上には、ワード方向(図中横方向)に延びる読み出し用のローカルデータバスrldb#x/zと書込用のローカルデータバスwldb#x/zとが設けられる。尚、ここでデータバスの引用符号におけるx/zは、逆相の信号が供給される1対のデータバスであることを意味する。従って、セグメント内のローカルデータバス14A,14Bは、それぞれ2対の読み出し用ローカルデータバス線対を有する。図中、上から奇数番目のセンスアンプアレイSAA上には、読み出し用のローカルデータバスrldb0x/z、rldb1x/zと、書込用ローカルデータバスwldb0x/z、wldb1x/zとが設けられる。また、偶数番目のセンスアンプアレイSAA上には、読み出し用のローカルデータバスrldb2x/z、rldb3x/zと、書込用ローカルデータバスwldb2x/z、wldb3x/zとが設けられる。従って、セグメント内のローカルデータバスは、4対の読み出し用のローカルデータバスと4対の書込用ローカルデータバスからなる。
【0049】
セグメントのメモリセルアレイMCAやセンスアンプアレイSAA上には、ビット方向(図中縦方向)に延びる読み出し用のグローバルデータバスrgdb#x/z(rgdb0x/z〜rgdb7x/z、(#は数字を代表する。以下同じ))と、書込用のグローバルデータバスwgdb#x/z(wgdb0x/z〜wgdb7x/z)とが設けられる。即ち、グローバルデータバス16は、読み出し用と書込用のそれぞれ8対のグローバルデータバス線対で構成される。
【0050】
これらのグローバルデータバスrgdb#x/z、wgdb#x/zは、それぞれのセグメント内に設けられた複数のローカルデータバスrldb#x/z、wldb#x/zの対応するバスに接続される。そして、セグメント内では、4つの読み出し用のグローバルデータバスrgdb0x/z〜rgdb3x/zが、そのセグメントに属する4つのセンスバッファSBに接続される。また、セグメント内では、4つの書込用のグローバルデータバスwgdb0x/z〜wgdb3x/zが、そのセグメントに属する4つの書込アンプWAに接続される。
【0051】
そして、それらのセンスバッファSBは、図3に示した通り、共通データバス及び共通のテスト用読み出しデータバスに接続され、書込アンプWAも、共通のテスト用書込データバスに接続される。
【0052】
図11は、セグメント内の1つのメモリセルアレイとその両側のセンスアンプアレイとを示す図である。メモリセルアレイMCA内には、サブワードデコーダSW/Decで駆動される複数のワード線WLと、それぞれセンスアンプS/Aに接続される複数のビット線対BL,/BLとが設けられ、それらの交差位置に1トランジスタと1キャパシタで構成されるメモリセルが設けられる。
【0053】
セグメントに対して設けられたコラムデコーダC/Decは、それぞれコラム選択信号CLを生成する。そのコラム選択信号CLにより導通する図示しないコラムゲートを介して、コラム方向に2組づつ配置される4組のセンスアンプS/Aの出力が、4組の読み出し用ローカルデータバスrldb0x/z〜rldb3x/zに接続される。また、コラム選択信号CLと書込用コラム選択信号swclとにより導通するコラムゲートを介して、4組の書込用ローカルデータバスwldb0x/z〜wldb3x/zが、コラム方向に2組づつ配置される4組のセンスアンプS/Aに接続される。この書込用コラム選択信号swclは、書込用コラム選択信号ドライバswcldrvにより駆動される。
【0054】
図11内には、図中左端に上記の4組のセンスアンプS/Aが、右端に同様の4組のセンスアンプS/Aがそれぞれ示される。
【0055】
図中、メモリセルアレイMCAの上側のセンスアンプアレイSAA上、若しくはその近傍に、ローカルデータバス群14Aが設けられ、メモリセルアレイMCAの下側のセンスアンプアレイSAA上、若しくはその近傍に、ローカルデータバス群14Bが設けられる。ローカルデータバス群14Aは、2対の読み出し用ローカルデータバスrldb0x/z、rldb1x/zと、2対の書込用ローカルデータバスwldb0x/z、wldb1x/zとを有する。また、下側のローカルデータバス群14Bも、2対の読み出し用ローカルデータバスrldb2x/z、rldb3x/zと、2対の書込用ローカルデータバスwldb2x/z、wldb3x/zとを有する。それぞれのローカルデータバス群14A,14Bに沿って、書込用コラム選択信号swclが配置される。
【0056】
ワード方向(横方向)に延びるそれぞれ4対の読み出し用ローカルデータバスrldb#x/zと書込用ローカルデータバスwldb#x/zとは、コラム方向(縦方向)に延びるそれぞれ4対の読み出し用グローバルデータバスrgdb#x/zと書込用グローバルデータバスwgdb#x/zとに、それぞれ接続される。そして、このグローバルデータバス群16は、前述の通り、セグメントに属するセンスバッファSBと書込アンプWAとに接続される。
【0057】
図12は、セグメント内のローカルデータバスとグローバルデータバスの構造を示す図である。図12には、メモリセルMCからビット線対BL,/BL、コラムゲート、ローカルデータバス群14A、グローバルデータバス群16A、センスバッファSB及び書込アンプWA、そして共通データバス群10までの構成が示される。図12の例では、共通データバス群10が、読み出し専用の共通データバスrcdb0z−rcdb3zと、書き込み専用の共通データバスwcdb0z−wcdb3zとを有し、それぞれがセンスバッファSBと書き込みアンプWAとに接続される。
【0058】
メモリセルアレイMCA内には、ワード線WLとビット線BLとの交差位置に、メモリセルMCが配置される。センスアンプアレイSAA内には、ビット線対BL,/BLに接続されたセンスアンプSAと、トランジスタN10〜N17で構成されるコラムゲートと、ローカルデータバス群14Aが設けられる。
【0059】
トランジスタN10〜N13は、読み出し用のコラムゲートであり、トランジスタN14〜N17は、書込用のコラムゲートである。読み出し時は、コラムデコーダC/Decにより供給されるHレベルのコラム選択信号CLによって、トランジスタN12,N13が導通する。そのとき、センスアンプSAによりHレベルとLレベルに駆動されたビット線対BL,/BLに応じて、トランジスタN10,N11のいずれか一方が導通し、読み出し用のローカルデータバスrldb0x、rldb0zのいずれか一方がHレベルに、他方がLレベルに駆動される。
【0060】
この時、コラム選択信号CLによりトランジスタN14,N15側の導通状態になるが、書込用コラム選択信号swclがLレベルであるので、トランジスタN16,N17が導通せず、ビット線対BL,/BLが書込用のローカルデータバスwldb0x、wldb0zに接続されることはない。従って、書き込み用ローカルデータバスwldb0x、wldb0zは、例えばプリチャージレベルに維持される。
【0061】
読み出し用のローカルデータバスrldb0x、rldb0zは、読み出し用のグローバルデータバスrgdb0x、rgdb0zにも接続され、読み出しデータは、グローバルデータバスrgdb0x、rgdb0zを経由して、センスバッファSB0に供給される。センスバッファSBは、その読み出し用のグローバルデータバスrgdb0x、rgdb0zの電圧をセンスし、その出力を読み出し用共通データバスrcdb0zに供給する。読み出し用共通データバスrcdb0zは、図示しない出力回路を経由して、データ入出力端子DQ0に伝達され、出力される。
【0062】
一方、書込動作においては、データ入出力端子DQ0に書込データが供給されると、書込用の共通データバスwcdb0zを経由して、書込データが書込アンプWA0に供給される。この書込データに応じて、書込アンプWA0は、書き込み用のグローバルデータバス線対wgdb0x/zをHレベルとLレベルに駆動する。同時に、グローバルデータバス線対wgdb0x/zに接続された書込用ローカルデータバス線対wldb0x/zも駆動されて、HレベルとLレベルになる。
【0063】
書込動作では、コラム選択信号CLがHレベルになると同時に、書込用コラム選択信号swclもHレベルになり、書込用ローカルデータバス線対wldb0x/zは、トランジスタN14〜N17を介してビット線対BL,/BLに接続される。その結果、書込アンプWA0は、グローバルデータバス線対とローカルデータバス線対とを介して、ビット線対を駆動する。
【0064】
図12に示される通り、トランジスタN10,N11により、読み出し用のローカルデータバス線対と書込用のローカルデータバス線対とは電気的に分離されている。従って、書込アンプWAによって書込用のローカルデータバスとグローバルデータバスに加えて、読み出し用のローカルデータバス及びグローバルデータバスとを駆動する必要はない。
【0065】
図12から明らかな通り、本実施の形態例では、センスアンプSAとデータ入出力端子DQとの間は、全て読み出し用のデータバスと書込用のデータバスとに分離された構成になっている。従って、読み出し動作時に、メモリセルの有効な読み出しデータが、センスアンプ、コラムゲート、ローカルデータバス、グローバルデータバス及び共通データバスを経由してデータ入出力端子DQから出力された直後に、例えば共通データバス内に読み出しデータが残っていても、書込用の別の経路である書込用共通データバス、書込用グローバルデータバス、書込用ローカルデータバスを介して、書込データをビット線対に供給することができる。
【0066】
図12には、読み出し用と書込用それぞれ2対のグローバルデータバス16A(rgdb#x/z、wgdb#x/z)、ローカルデータバス14A(rldb#x/z、rldb#x/z)しか示していない。残りの半分のグローバルデータバスとローカルデータバスも同様に構成であり、グローバルデータバスは、センスバッファSB2,3及び書込アンプWA2,3にそれぞれ接続される。また、図12中、テスト用入出力端子TDQは、それぞれの図示しない入出力回路を介してテスト用の読み出し及び書込データバスtrdb0zとtwdb0zとに接続される。
【0067】
図13は、センスバッファ回路の一例を示す回路図である。このセンスバッファ回路は、通常動作時には、読み出し用のグローバルデータバスrgdbx/zの逆相信号を検出し増幅し、ノードn57に検出信号を生成し、インバータ70及び出力トランジスタN29を介して、読み出し用の共通データバスrdbzを駆動する。また、圧縮テスト時には、圧縮テスト制御信号test1xに応答して、ノードn57,n60の検出信号を、インバータ70,71及び72,74、そしてNORゲート73,75を介して出力トランジスタN30,N31に供給し、そのトランジスタによりテスト用読み出しデータバス線対trdbx/zを駆動する。
【0068】
センスバッファ回路において、PチャネルトランジスタP50、P51は、常時導通状態の負荷回路であり、ノードn50、n51に電流を供給する。センスバッファ・イネーブル信号sbezが非活性状態(Lレベル)にある時は、PチャネルトランジスタP54、P55が共に導通状態にあり、ノードn52、n53を共にHレベルにリセットする。同様に、PチャネルトランジスタP62、P63が導通し、ノードn57、n60をHレベルにリセットする。
【0069】
次にセンスバッファ・イネーブル信号sbezが活性状態(Hレベル)になると、NチャネルトランジスタN50、N51、N52が導通し、上記のPチャネルトランジスタP54、P55、P62、P63は非導通状態になる。トランジスタN51、N52の導通により、ノードn52、n53が共にグランド側に引っ張られ、電位が下がり、トランジスタP52、P53のゲートの低下により共に導通しようとする。
【0070】
そこで、仮に読み出し用のグローバルデータバスrgdbxがLレベル、他方のグローバルデータバスrgdbzがHレベルとする。すると、ノードn50の電位が低下して、トランジスタP52のゲート・ソース間電圧が閾値電圧以上にならず、トランジスタP52は導通しない。一方、ノードn51の電位は低下せずに、トランジスタp53のゲート・ソース間電圧が閾値電圧以上になり、トランジスタP53は導通する。即ち、トランジスタP52とP53による差動動作である。
【0071】
上記差動動作に伴い、ノードn52は、Hレベルに引き上げられたままで、ノードn53はLレベルに引き下げられる。ノードn52は、トランジスタP59、P60、P61のゲートに接続され、また、ノードn53は、トランジスタP56、P57、P58のゲートに接続されているので、ノードn52及びn53の逆相動作は、更にソースが共通に内部電源Viiに接続されたトランジスタP57、P58及びトランジスタP59、P60の差動アンプ回路により、更に増幅される。トランジスタN53、N54はトランジスタP58、P60に対してカレントミラー回路を構成し、同様に、トランジスタN55、N56はトランジスタP57、P59に対してカレントミラー回路を構成する。即ち、差動回路が2組設けられている。
【0072】
これらの差動回路により増幅された信号が、ノードn57(Hレベル)とn60(Lレベル)に出力され、それぞれインバータ70,71に供給される。そして、通常読み出し動作時には、インバータ70のLレベル出力により、出力トランジスタN29は非導通に維持され、読み出し用共通データバスrdbzは、プリチャージレベルのHレベルを維持する。上記のグローバルデータバス線の信号が逆の場合は、出力トランジスタN29が導通され、読み出し用共通データバスrdbzは、プリチャージレベルのHレベルからLレベルに駆動される。
【0073】
圧縮読み出し時には、インバータ70,71の出力の反転信号により、出力トランジスタN30、N31が駆動され、いずれか一方のテスト用読み出しデータバスtrdbx/zがプリチャージレベルのHレベルからLレベルに駆動され、他方がHレベルに維持される。それ以降の回路構成は、図5に示した通りである。
【0074】
図14は、他の実施の形態例におけるメモリ回路を示す図である。図4とは、テスト用読み出しデータバスの構成を除いては、同じであり、同じ引用番号を与えている。図14の例では、テスト用の読み出しデータバス線対が、4対trdb0x/z、trdb1x/z、trdb2x/z、trdb3x/z設けられ、それぞれのテスト用読み出しデータバス線対が、2つのセグメントのセンスバッファSBに接続される。この場合も、図4の場合と同様に、初段コラムデコーダcacdecにて、圧縮テスト制御信号test1zにより4つのセグメント選択信号を全て選択状態にすることで、全てのセグメントSGM0−SGM7を活性化状態にし、圧縮読み出しテストをより効率的に行うことができる。初段コラムデコーダcacdecの回路構成は、図7または図9に示した回路と同じ構成である。
【0075】
上記の実施の形態例では、テスト用読み出しデータバスを介して、より多くのセンスバッファからの出力を同時にチェックできることを説明した。同様に、同じ初段コラムデコーダを利用することで、テスト用書き込みデータバスを介して、より多くの書き込みアンプWAを介して同時にテスト用データを書き込むことができる。
【0076】
以上、本発明の保護範囲は、上記の実施の形態例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【0077】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、読み出し構成に最適なメモリ回路構成において、圧縮テストの効率をより高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の圧縮リードテストを説明する図である。
【図2】従来例の初段コラムデコーダの回路図である。
【図3】本実施の形態例におけるメモリ回路を示す図である。
【図4】本実施の形態例における圧縮テスト時のメモリ回路の構成例を示す図である。
【図5】テスト用入出力回路の出力部の例を示す回路図である。
【図6】圧縮読み出しテストにおけるテスト用読み出しデータバスとテスト用入出力端子のレベルの関係を示す図である。
【図7】本実施の形態例における初段コラムデコーダの一例の論理回路図である。
【図8】本実施の形態例におけるプリコラムデコーダの一部の回路例を示す図である。
【図9】本実施の形態例における別の初段コラムデコーダを示す論理回路図である。
【図10】本実施の形態例におけるメモリデバイスのより詳細な構成図である。
【図11】セグメント内の1つのメモリセルアレイとその両側のセンスアンプアレイとを示す図である。
【図12】セグメント内のローカルデータバスとグローバルデータバスの構造を示す図である。
【図13】センスバッファ回路の一例を示す回路図である。
【図14】他の実施の形態例におけるメモリ回路を示す図である。
【符号の説明】
BNK バンク
SGM0〜SGM7 セグメント
SB センスバッファ
WA 書き込みアンプ
trdb0x/z、trdb3x/z テスト用読み出しデータバス線対
cacdec 初段コラムデコーダ
pcdec プリデコーダ
Claims (3)
- それぞれ複数のメモリセルを有するセグメントをM個(Mは整数)有するメモリ回路において、
前記M個のセグメントに対して、共通に設けられ、各セグメント内のセンスバッファと第1の出力トランジスタを介して接続される通常用データバスと、
前記M個のセグメントに対して、共通に設けられ、各セグメント内のセンスバッファと第2の出力トランジスタを介して接続されるテスト用データバスを有し、
通常の読み出し時において、前記M個のセグメントのうち同時にN個(Nは整数でN<M)のセグメントを活性化して、当該N個のセグメント内のセンスバッファの出力がそれぞれに対応する通常用データバスを前記第1の出力トランジスタにより駆動し、
圧縮読み出しテスト時に、前記M個のセグメントを全て活性化して、当該M個のセグメント内の複数のセンスバッファの出力が当該複数のセンスバッファの第2の出力トランジスタによるワイヤードオア接続で生成される論理和信号により前記共通のテスト用データバスを駆動し、
前記通常の読み出し時において、前記第2の出力トランジスタによる駆動が行われないことを特徴とするメモリ回路。 - 請求項1において、
更に、コラムアドレス信号をデコードして、前記セグメントにセグメント選択信号を生成するコラムデコーダを有し、
前記コラムデコーダは、更に圧縮テスト制御信号を供給され、前記圧縮テスト制御信号が活性状態の時に、前記コラムアドレス信号にかかわらず前記M個のセグメントを同時に活性化するセグメント選択信号を生成することを特徴とするメモリ回路。 - 請求項1において、
前記M個のセグメントがL群(Lは整数)に分けられ、前記共通のテスト用データバスは、各群のM/L個のセグメントに共通に設けられ、
前記通常読み出し時は、各群のM/L個のセグメントから1個のセグメントが選択されて前記通常用データバスにデータが供給され、前記圧縮読み出しテスト時に、各群のM/L個のセグメントが同時に活性化されて前記共通のテスト用データバスにデータが供給されることを特徴とするメモリ回路。
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