JP3923620B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板およびその製造方法に係り、より詳しくは絶縁膜を媒介に二つの基板を取付けているSOI半導体基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
添付図面を参照して、従来のSOI半導体基板の製造方法について詳細に説明する。
【0003】
図10ないし図14は従来の技術に従うSOI(Silicon on insulator)半導体基板の製造方法をその工程の順序に従い示す断面図である。
【0004】
図10に示すように、従来のSOI半導体基板の製造方法は、第1基板1の表面にN型またはP型の不純物を高濃度でイオン注入した後、拡散して不純物層3を形成する。
【0005】
次いで、第1基板1上部に酸化膜からなる絶縁膜5を形成しドーピングしない第2基板7を絶縁膜5上部に取付ける(図11および図12参照)。
【0006】
次に、図13および図14に示すように、ドーピングしない第2基板7を下部基板とし、第1基板を素子に必要な所定の厚さに削った後、第1基板1上部にドーピングしない酸化膜を形成し活性マスクにパターニングして酸化膜の一部をエッチングする。酸化膜をマスクにして第1基板1および不純物層3を同一の幅に絶縁膜5に達する深さまでエッチングして二つの部分のトレンチ構造9を形成した後、熱酸化によってトレンチ構造9の内部に酸化膜11を形成し二つのトレンチ構造9の間に第1基板1の一部からなる活性領域Aを形成する。
【0007】
かかる従来のSOI基板においては活性領域Aにベース、コレクタおよびエミッタ領域を形成して所望する特性を有する素子を形成することになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来のSOI半導体基板およびその製造方法においては第2基板7と第1基板1との間に絶縁膜5が全面にわたって形成されているため選択的な分布が難しい。また、活性領域Aの不純物層3をP型またはN型のうちのいずれかで全面にわたって形成しなければならないので、選択的にN型またはP型を所望する部分に形成することが困難である。そして、図10の段階においてフォトリソグラフィーを通じて選択的にイオン注入しても二つの基板1、7を互いに取付けた後にはドーピングされた領域に対する整列が不可能で、絶縁膜5を選択的にエッチングしても同様に以後の工程において整列することが非常に難しいという問題点がある。
【0009】
従って、本発明は前記従来の問題点を解決するためのものであって、その目的は、選択的に絶縁膜が形成され、N型とP型の不純物層が一つの基板上に形成されているSOI半導体基板およびその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によるSOI半導体基板はトレンチ構造が形成されており、トレンチ構造を境界にして同一の基板上に互いに異なる導電型の不純物層を有する活性領域が形成されている。
【0011】
また、互いに異なる不純物層の下部に形成されている絶縁膜もトレンチ構造を境界にして相互分離している。
【0012】
かかる本発明に従うSOI半導体基板の製造方法は第1基板に第1導電型および第2導電型の不純物層を形成し熱酸化によって前記第1基板上に第1絶縁膜を形成し第1導電型と第2導電型とを分離するトレンチ構造を所定の深さまで形成する。次いで、第1基板上部にドーピングしない第2基板を取付け第1基板をトレンチ構造の高さまで削って互いに異なる導電型の不純物層を有する第1、第2活性領域を形成する。
【0013】
ここで、さらにトレンチ構造の内部に絶縁膜を形成した後、多結晶シリコン層を形成することができる。
【0014】
かかる本発明に従うSOI半導体基板においては第1、第2活性領域内にそれぞれエミッタ、コレクタおよびベース領域を形成して互いに異なる不純物層を有する素子が形成される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【0016】
図1ないし図7は本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断平面図である。
【0017】
図1および図2に示すように、本発明の実施例によるSOI半導体基板の製造方法は、第1基板10上に酸化膜を蒸着し一部をエッチングした後、残った酸化膜20をマスクにしてN型不純物を高濃度にイオン注入し拡散して高濃度N型不純物層30を形成する。次いで、第1基板10に酸化膜20を除去し再び酸化膜を蒸着しN型不純物層30の上部にのみ酸化膜40を残し一部をエッチングした後、残った酸化膜40をマスクにして同一の方法でN型不純物層30を覆いP型不純物を高濃度にイオン注入してP型不純物層60を形成する。
【0018】
次に、図3および図4に示すように、熱酸化によって第1基板10上に酸化膜である第1絶縁膜50を形成する。第1基板10上に感光膜を蒸着した後フォトリソグラフィーを通じて感光膜の一部を除去し、感光膜をマスクにしてN型不純物層30とP型不純物層60の境界部分の上部に形成された第1絶縁膜50を一部エッチングする。一部エッチングされた第1絶縁膜50をマスクにして第1基板10を所定の深さにトレンチ構造100を形成する。ここで、トレンチ構造100の深さは不純物層30、60の深さより深く形成する。次いで、再び熱酸化によりトレンチ構造100内部に第1絶縁膜50と連結される第2絶縁膜80を形成する。
【0019】
次に、第1基板10の上部に多結晶シリコンまたは酸化膜を蒸着し第1絶縁膜50の高さまで平坦化させてトレンチ構造100内部に多結晶シリコン層120または酸化膜を形成する。次いで、ドーピングしない第2基板70を平坦化した第1絶縁膜50および多結晶シリコン層120または酸化膜が形成されている面に取付け、第1基板10を上部基板に、第2基板70を下部基板にした後、第1基板10に形成されているトレンチ構造100に形成された第2絶縁膜80の上部が露出されるように第1基板10を所定の厚さに削る(図5ないし図7参照)。
【0020】
このとき、基板10と基板70の厚さが位置によって一定していなくても最初に一定の深さにトレンチ構造100だけつくらせしめると、切り出すとき酸化膜80にかかるので、一定の厚さの基板10をつくることができる。
【0021】
かかる本発明に従うSOI半導体基板は図7に示すように、ドーピングしないシリコン基板70上にトレンチ構造100を境界にして一方には第1絶縁膜50、N型不純物層30および第1活性領域であるシリコン層10が順に形成されており、他方には第1絶縁膜50、P型不純物層60および第2活性領域であるシリコン層10が順に形成されている。
【0022】
次に、本発明に従うSOI半導体基板に電子素子が適用された実施例について説明する。
【0023】
図8および図9は本発明によるSOI半導体基板に形成された相補型双極性トランジスタを示す。図8および図9にあるように、活性層10の左側部分にN+エミッタ、P-ベースおよびコレクタを含むN−P−N型双極性トランジスタが形成されている。前記コレクタはN領域とN+不純物層30を含む。前記エミッタ、ベースおよびコレクタにはそれぞれエミッタ電極130、ベース電極140およびコレクタ電極150が連結されており、これら電極は酸化シリコンからなる絶縁層160により分離されている。
【0024】
活性層10の右側部分にはP+エミッタ、N-ベースおよびコレクタを含むP−N−P型双極性トランジスタが形成されている。前記コレクタはP領域とP+不純物層60を含む。前記エミッタ、ベースおよびコレクタにはそれぞれエミッタ電極130、ベース電極140およびコレクタ電極150が連結されており、これら電極は酸化シリコンからなる絶縁層160により分離されている。
【0025】
【発明の効果】
以上のように、本発明に従うSOI半導体基板およびその製造方法においては同一の基板上に露出されたトレンチ構造を中心に異なる導電型の不純物層を有する半導体素子を設計することができ、トレンチ構造を露出させることにより、露出されたトレンチ構造を後続工程における整列に用いることにより、素子の製造の際連続する工程についても整列に対する問題点を解決することができ、基板の全面に均一の厚さを有する活性領域を形成することができる効果がある。
【0026】
本発明に従うSOI半導体基板には前記トランジスタ以外に多様な他の電子素子も適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図2】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図3】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図4】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図5】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図6】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図7】本発明の実施例に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図8】活性領域にトランジスタが適用された本発明に従うSOI半導体基板の平面図である。
【図9】図3Aの断面図である。
【図10】従来の技術に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図11】従来の技術に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図12】従来の技術に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図13】従来の技術に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【図14】従来の技術に従うSOI半導体基板の製造方法をその工程順序に従い示す断面図である。
【符号の説明】
10 第1基板(シリコン層)
20 酸化膜
30 N型不純物層
40 酸化膜
50 第1絶縁膜
60 P型不純物層
70 第2基板
80 第2絶縁膜
100 トレンチ構造
130 エミッタ電極
140 ベース電極
150 コレクタ電極
160 絶縁層
Claims (5)
- 半導体基板の第1基板上に第1導電型および第2導電型の不純物層を形成する段階と、
前記第1基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1導電型と第2導電型の不純物層を分離するトレンチ構造を所定の深さまで形成する段階と、
前記第1基板の第1絶縁膜が形成されている面にドーピングしない第2基板を取付ける段階と、
第1基板をトレンチ構造の一部が露出されるように平坦化させる段階とを含むSOI(Silicon on insulator)半導体基板の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は熱酸化によって形成される、請求項1に記載のSOI半導体基板の製造方法。
- 前記第2基板を取付ける段階の前に、前記トレンチ構造の内部に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体基板上に多結晶シリコン層を蒸着した後平坦化させて前記トレンチ構造の内部に多結晶シリコン層を形成する段階とをさらに含む、請求項1に記載のSOI半導体基板の製造方法。 - 前記第2絶縁膜は熱酸化によって形成される、請求項3に記載のSOI半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板上に少なくとも一つ以上の電子素子を形成する段階をさらに含む、請求項3に記載のSOI半導体基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960046530A KR100218538B1 (ko) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
KR1996-46530 | 1996-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10149962A JPH10149962A (ja) | 1998-06-02 |
JP3923620B2 true JP3923620B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=19477842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28370597A Expired - Fee Related JP3923620B2 (ja) | 1996-10-17 | 1997-10-16 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6087244A (ja) |
JP (1) | JP3923620B2 (ja) |
KR (1) | KR100218538B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-10-17 KR KR1019960046530A patent/KR100218538B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-10-16 JP JP28370597A patent/JP3923620B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-27 US US09/300,115 patent/US6087244A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100218538B1 (ko) | 1999-09-01 |
KR19980027682A (ko) | 1998-07-15 |
JPH10149962A (ja) | 1998-06-02 |
US6087244A (en) | 2000-07-11 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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