JP3923256B2 - ドーピングされた領域を分離するためのトレンチを備えた半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体素子を製造する際に頻繁に生じる問題の1つは、半導体基板におけるドーピングされた領域を効果的にアイソレーションすることである。この問題は殊に、半導体素子に、比較的広く拡散されているドーピングされた領域が存在しているときに発生する。これに対する例は、集積回路におけるCMOSウェルまたはパワートラジスタまたはIGBTにおいてセルフィールドを取り囲みかつエッジ領域を流れる電流を放出するものであるリング形状のドーピング領域である。数多くの例において、このような領域は別のドーピング領域から空間的にかつ電気的にアイソレーションされているようになっている。
【0002】
ドーピング領域を空間的にかつ電気的にアイソレーションするための1つの手段は、この種領域が後続の拡散プロセスにおいて互いの中に拡散せずに、十分に大きな間隔を保持するように大きな間隔でインプランテーションすることである。その際インプランテーションの間隔は、製造プロセスの終了時に所望される間隔より、ドーピング領域の拡散幅の合計だけ大きくなければならない。それ故に、拡散領域が深い場合には不都合にも、大きなストラクチャが生じる。
【0003】
US5525821号明細書には、まず、拡散領域を生成し、かつこれらを引き続いて深いトレンチストラクチャによって相互にアイソレーションする方法が記載されている。確かにこの方法によって、横方向の拡がりは僅かであるストラクチャを製造することができる。しかしトレンチの深さが少なくとも、拡散領域の深さに達していなければならないことは不都合である。この場合に結果的にストラクチャ化ステップは一層煩雑になり、他方において、拡散領域をアイソレーションするためのトレンチと同時に、例えばトレンチトランジスタのために利用するようになってるトレンチも製造するように設定したいときには制限が生じる。トレンチの深さが既に、拡散領域によって前以て決められた後、トレンチトランジスタの最適化のためのストラクチャ化にもはや十分な自由度は残されていない。
【0004】
深さが拡散領域の深さより浅くてもよいトレンチによる拡散領域のアイソレーションはUS5430324号明細書またはGB2314206号から公知である。しかしここでも、まず、ドーピング領域のインプランテーションが十分に大きな間隔で行われなければならないという問題が生じる。そうしなければ、トレンチの深さが浅いことによって、ドーピングされた領域の空間的かつ電気的なアイソレーションが十分には保証されないというおそれがある。
【0005】
従って本発明の課題は、半導体基板においてドーピングされた領域をトレンチにより効果的にアイソレーションするための方策を提供することであるが、ストラクチャの大きさをできるだけ抑えかつトレンチの製造の際の自由度を大きくできるようにしたい。
【0006】
この課題は、請求項1の特徴部分によって解決される。この種の装置を製造するための方法は、請求項14の特徴部分に記載されている。
【0007】
上述したように、半導体装置の種々異なった領域におけるドーピングされた領域をアイソレーションするための必要性が生じることがある。すなわち、例えば半導体装置のアクティブ領域、すなわちトランジスタが配置されている領域におけるドーピングされた領域をアイソレーションすることが必要になってくることがある。同様に、半導体装置のエッジストラクチャの領域、すなわちトランジスタ装置と基板エッジとの間の領域におけるドーピングされた領域を相互にアイソレーションしなければならないことも生じ得る。このような領域において、基板の表面から基板内部に延在しかつトランジスタ装置をリングとして取り囲んでいるドーピングされた領域をトランジスタ装置と基板エッジとの間に設けようという可能性がある。その際トランジスタ装置自体は任意の数および形式から成っていることがある。その際殊に、電界効果トランジスタとして実現されておりかつ基板内部に埋め込まれている少なくとも2つのドーピングされた領域並びに少なくとも1つのゲート電極を有しているトランジスタを使用することができる。しかし基本的に、例えば、バイポーラ・トランジスタが使用されていてもよい。
【0008】
そこでドーピングされた領域を効果的にアイソレーションするために、少なくともそれぞれ2つの隣接する、アイソレーショントレンチ領域が設けられ、これら領域はドーピングされた領域の間に配置されておりかつ基板の表面から基板内部に延在している。従って、本発明によれば、2つのドーピングされた領域の間に、効果的なアイソレーションのために場合によっては十分ではないただ1つのトレンチが存在しているのではなく、ドーピングされた領域の間に2つまたはそれ以上の複数のトレンチが配置される。これにより、ドーピングされた領域の深さより浅い、比較的浅めの深さのトレンチでも、ドーピングされた領域を電気的および空間的に一層申し分なくアイソレーションすることができる。その際トレンチの深さは、例えばトレンチトランジスタを生成するなど与えられている条件に整合させることができる。
【0009】
既述のように、本発明では、ドーピングされた領域のアイソレーションのためのトレンチの深さの形成の際の自由度は比較的大きくなる。すなわちこの種のトレンチの深さは、ドーピングされた領域の深さより浅くすることができる。勿論、ドーピングされた領域の深さに相応するかまたはドーピングされた領域の深さより深い深さを有するトレンチを設けることもできる。
【0010】
トレンチには種々の材料を充填することができる。すなわち例えば、それぞれのトレンチ領域またはトレンチ領域の少なくとも一部がアイソレーション層によって充填されているもしくはアイソレーション層によって形成されるようにすることもできる。しかしこれらに対して択一的に、トレンチ領域に導電層が存在していて、それをアイソレーション層によって取り囲むようにすることもできる。ドーピングされた領域の相互の十分なアイソレーションが実現されることが保証されさえすればよい。従って、トレンチ領域におけるアイソレーション層ないし導電層に対して、その都度与えられている条件に整合することができる種々の材料を選択することができる。すなわちアイソレーション層として例えば酸化層または窒化層を設けることができ、導電層として例えばポリシリコン層を設けることができる。
【0011】
導電層を含んでいるトレンチ領域が設けられているのであれば、個々のトレンチ領域相互の導電接続部を設けることができる。このことは、相互に接続されているトレンチ領域を1つのまとまった電位に保持することによって実現される。その際正確に定められた電位を実現するために、導電層を有している個々のまたはすべてのトレンチがトランジスタ装置の電極の1つ、例えばゲート電極またはカソード電極に接続されるようにすることができる。例えば、トランジスタ装置に最も隣接して配置されている少なくとも最も内側のトレンチ領域がゲート電極またはカソード電極に接続されているようにすることができる。
【0012】
ドーピングされた領域は、フローティングゲート電極として実現されていてよいし、例えばトランジスタ装置の電極とつながっている導電接続部を介して定められた電位に保持されていてもよい。有利には、トランジスタ装置に接している少なくとも最も内側のドーピングされた領域がフローティングゲート電極として実現される、すなわち定められた電位に保持されないようにされる。このことは、トランジスタ装置の領域において、トレンチIGBTの場合にそうであるように、キャリアができるだけ良好に溢れ出ることが望まれるときに殊に効果的である。
【0013】
他方において、有利には、基板エッジに最も隣接している、少なくとも最も外側のドーピングされた領域がトランジスタ装置の電極、殊にカソード電極に導電接続されているようにされる。これにより、スイッチング過程の際にエッジ領域からホールを一層効果的に放出することができかつこのようにして半導体装置のスイッチング特性を最適化することができるようになる。
【0014】
本発明の思想は、半導体装置のアクティブ領域、すなわちトランジスタ装置と基板エッジとの間に配置することができる装置に対しても使用してもよいことは既に述べたとおりである。その場合には更に、本発明の装置と本来の基板エッジとの間に、更に別のエッジストラクチャが設けられるようにすることができる。すなわちこの領域において、例えば更に、磁気抵抗効果素子または磁界リング並びにチャネルストッパを設けることができる。このような個々のエッジストラクチャエレメントを組み合わせるようにしてもよい。すなわち例えば、複数の磁気抵抗効果素子および磁界リングが設けられており、ここでそれぞれ磁界リングは磁気抵抗効果素子に接続されている。磁気抵抗効果素子と磁界リングとのこの組み合わせは、磁気抵抗効果素子と磁界リングから成るそれぞれ隣接する組み合わせに対して同様に種々の方法で配置するようにしてもよい。すなわち、この装置の相互のオーバラップはなされていないようにすることができる。どのようなオーバラップもないこのような装置は例えば、エッジストラクチャの外周領域、すなわちエッジストラクチャの近傍に設けるようにすることができる。他方において、磁気抵抗効果素子と磁界リングとの一方の組み合わせの磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子と磁界リングとの他方の組み合わせの磁界リングとのオーバラップをカスコード回路の形において設けることもできる。この種の装置は有利には、トランジスタ装置に最も隣接している、エッジストラクチャの領域に対して推奨される。磁気抵抗効果素子またはエッジストラクチャの磁界リングは、トランジスタ装置の電極に通じている導電接続部によって規定の電位に保持することができる。
【0015】
通例、基板エッジに直接配置されているチャネルストッパに対しても、種々様々な実現形態を実現することができる。すなわち、例えばチャネルストッパは、基板と同じ導電型またはそれとは反対の導電型を有し、かつ基板のエッジに配置されているドーピングされた領域からだけ成っていてよい。しかしチャネルストッパは、双方が相互に導電接続されている、この種の層と磁気抵抗効果素子との組み合わせによって形成することもできる。別の実施形態において、チャネルストッパのドーピングされた層は反対の導電型の別の層によって取り囲まれているようにすることができる。これにより、ドーピングされた層の、チャネルストッパとしての作用は低減されかつチャネルストッパの本来の作用は大幅に磁気抵抗効果素子に制限される。
【0016】
次に、少なくとも2つの構造的にも電気的にも相互にアイソレーションされている領域を有する半導体装置の製造を可能にする本発明の方法について説明する。ここでまず、生成すべきこの種領域の範囲にドープ剤を注入する。半導体基板へのドープ剤の注入は種々異なった方法で行うことができ、その際従来技術から公知のすべての方法を使用することができる。例えば、インプランテーションを用いて半導体基板へドープ剤を注入するようにすることができ、ここでインプランテーションは基板の表面に設けられた酸化物を通して行われる。ドープ剤の注入後、第1の拡散ステップを行うようにすることができる。これにより、ドープ剤は後の完成したドーピングされた領域の所望の深さより浅い深さまで拡散されることになる。しかしこの第1の拡散ステップは省略することもでき、その場合には第1のステップだけで適当なインプランテーションが行われる。
【0017】
その際この領域が基板内に形成される間隔は、完成して実現された後の領域の所望の間隔より多少大きく選択されるべきである。しかしこの間隔は、後に所望されるストラクチャ間隔の和より大きく選択されてはならない。第1の拡散ステップの場合には、第1の拡散ステップにおける拡散の幅の2倍より大きくてはならない。
【0018】
ドープ剤の注入に続いて、それぞれのトレンチの生成は、ドーピングされる領域のそれぞれの、それぞれ他方の領域の方を向いている側の境界にて行われる。しかしトレンチは、ドープ剤注入後、および場合により引き続く第1の拡散後の該領域の深さより大きい深さを有していなければならない。しかしトレンチの深さは、後のドーピングされる領域の深さより浅く選択することができる。それから例えば、トレンチの深さがトレンチトランジスタの同時の製造のための相応のストラクチャ化ステップによって前以て決められているのであれば、ドープ剤の注入および場合により第1の拡散ステップをこの条件に整合させて、ドープ剤の注入および場合により第1の拡散がトレンチの深さを上回らないようにすることができる。
【0019】
トレンチの製造後、所望の深さへのドープ剤の第2の拡散が行われる。この所望の深さは、普通はトレンチの深さより深い。しかし少なくとも2つのトレンチがそれぞれ2つのドーピングされた領域の間に生成されたので、トレンチの深さより大きい深さへの拡散にも拘わらず、ドーピングされた領域が相互に混じり合うまたは十分な空間的なアイソレーションがもはや保証されていないというおそれはない。
【0020】
引き続いて、形成されたトレンチにアイソレーション層を充填することができる。この層は完全に酸化物または窒化物のようなアイソレーション材料から成っていてもよいし、マルチ層ストラクチャとして実現されていてもよく、この場合まず、トレンチはアイソレーション層によって被覆され、それから、例えば導電材料から成る別の層で充電される。すなわち、例えばアイソレーション層を形成するために、トレンチの内側および基板の上表面にアイソレーション層を生成することができる。このことは例えば、シリコン酸化物を形成するための半導体基板の酸化によって行われる。次いでトレンチには、導電層、例えばポリシリコンが充填される。
【0021】
本発明の固有の実施例を図1ないし図7並びに以下の記述に基づいて説明する。
【0022】
その際:
図1は、トレンチIGBTを有する半導体装置の横断面を示し、
図2は、図1のエッジストラクチャの択一的な実施例を示し、
図3ないし図7は、2つアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す。
【0023】
図1には、トランジスタ装置2の部分として2つのトレンチ形状のゲート電極5,6を有するIGBTが図示されている半導体装置が示されており、ここでp型ボデー領域4およびn+ソース領域3がn型基板1に埋め込まれている。基板1には更に、導電型pのアノード層22が設けられており、それには裏面金属化部21が被着されている。更に、基板1内部にp型の2つのドーピングされた領域7および8が延在している。これら2つの領域は2つのトレンチ10および11によって相互にアイソレーションされている。トレンチ10および11のそれぞれには、アイソレーション層14が張りめぐらされており、このためにゲート電極5,6のゲート酸化物を形成するのと同じ層が使用された。更に、トレンチ10および11には、ゲート電極の導電層と同じ層によって形成される導電層12および13が充填されている。従ってトレンチ10および11はゲート電極5,6を有するストラクチャ化ステップにおいて同時に生成することができる。その際アイソレーション層14は酸化層として、導電層12,13はポリシリコン層として設けられていてよい。
【0024】
IGBTのゲート電極6に接しているドーピングされた領域7はフローティング領域として設けられている。これにより、IGBTの作動の際、キャリアが改善されて溢れでることを保証することができる。これに対して第2のドーピングされた領域8はソース領域3に導電接続されている。従ってこの領域はソース電位に保持される。
【0025】
ドーピング領域7,8と基板エッジ9との間に、エッジストラクチャが設けられている。これは図1の実施例では磁気抵抗効果素子並びにチャネルストッパとして形成される。このために例えば、酸化層に埋め込まれておりかつ基板1の上に配置されている磁気抵抗効果素子15が図示されている。磁気抵抗効果素子15はソース電極3またはゲート電極5,6に導電接続されている。チャネルストッパ16はドーピングされた層19によって形成される。この層は導電型pであってもnであってもよく、基板エッジ9に直接配置されている。このドーピングされた層は磁気抵抗効果素子18と導電接続されている。この磁気抵抗効果素子も酸化層に埋め込まれておりかつ基板1の上に配置されている。
【0026】
エッジストラクチャの択一的な実施例は図2に示されている。ここには、複数の磁気抵抗効果素子が示されている。これらはそれぞれ、磁界リング17に接続されている。磁界リングはドーピング領域として基板1内に埋め込まれている。エッジストラクチャの、ドーピング領域7,8に接している領域では、磁気抵抗効果素子15がそれぞれ接している磁界リング17の上にカスコードの形で重なっているようになっている。
【0027】
これに対して、基板エッジ9の領域に配置されている、エッジストラクチャの領域においては、磁気抵抗効果素子の、隣接している磁気抵抗効果素子または磁界リングとの重なりは生じないようになっている。
【0028】
チャネルストッパ16の方は、磁気抵抗効果素子18と、ドーピング領域19とによって形成される。これらは相互に導電接続されている。しかし今や、例えば導電型nのドーピングを有しているこのドーピング領域19は反対の導電型を有する別の層、すなわちこの場合は導電型pの層によって取り囲まれている。従ってチャネルストッパの作用は、磁気抵抗効果素子18の作用に大幅に制限される。
【0029】
図1および図2の例において、それぞれ2つのドーピングされた領域7,8が示されている。これらは2つのトレンチ10,11によってアイソレーションされており、ここでこれらトレンチは相互にかつゲート電極6と導電接続されている。しかし2つだけではなくそれ以上の数のドーピングされた領域7,8を設けてもいいし、2つだけではなくそれ以上の数のトレンチ10,11を設けてもよい。図1および図2のエッジストラクチャは例示されているにすぎず、図1に図示の例よりずっと多くの数の磁気抵抗効果素子15および磁界リング17を使用することもできる。
【0030】
図3ないし図7には、2つのトレンチ10,11によって相互にアイソレーションされている2つのドーピングされた領域7,8の製造ステップが略示されている。このために、第1のステップにおいて、基板1への酸化物23によるインプランテーションが行われ、その際基板のその他の領域はマスク24によって被覆されている。第1の拡散ステップにおいて拡散領域25が生成され、この領域の深さは後の、拡散し終わった領域8の所望の深さより浅い。酸化物23は基板表面から除去されかつ基板内部にトレンチ11のストラクチャ化が行われ、ここでこのトレンチ11の深さは拡散領域25より深いが、拡散し終わった領域8の所望の深さより浅い。
【0031】
第2の拡散ステップにおいて、ドープ剤の、拡散し終わって完成した領域8の所望の深さまでの拡散が行われる。その際この深さは、図6に示されているように、トレンチ11の深さより深くてよい。更に、基板表面およびトレンチ11の内壁に対するアイソレーション層14の生成、並びにトレンチの、導電層13による充填が行われる。基本的に、トレンチのこの充填は、領域8を最終的に生成するための第2の拡散ステップの前に行うこともできる。
【0032】
第2のドーピングされた領域7並びに第2のトレンチ10の生成は、領域8並びにトレンチ11の生成と並列に行うことができる。図3ないし図6において、簡単にする理由から、領域8並びにトレンチ11の生成だけが図示されている。図7には、2つのドーピングされた領域7および8から成り、2つのトレンチ10,11によってアイソレーションされている完成した装置が示されている。2つのトレンチには導電層12,13が充填されている。これらは共通のステップにおいて例えば、ポリシリコンのデポジットによって生成することができ、ここで導電層12,13はアイソレーション層14によって取り囲まれている。この層は、同じく共通のステップにおいて例えば基板の酸化によって生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 トレンチIGBTを有する半導体装置の横断面である。
図1のエッジストラクチャの択一的な実施例を示し、
【図2】 図1のエッジストラクチャの択一的な実施例を示す横断面である。
【図3】 2つのアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す略図である。
【図4】 2つのアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す略図である。
【図5】 2つのアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す略図である。
【図6】 2つのアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す略図である。
【図7】 2つのアイソレーショントレンチ領域によってアイソレーションされた2つのドーピングされた領域を製造するためのステップを示す略図である。
Claims (11)
- 第1の導電型の基板(1)上の半導体装置であって、
該基板(1)に埋め込まれているソース領域およびボデー領域(3,4)並びにゲート電極(5,6)から成る、少なくとも1つの電界効果トランジスタから成るトランジスタ装置(2)と、
相互にアイソレーションされる該第2の導電型の領域(7,8)が、該トランジスタ装置のソース領域およびボデー領域と基板エッジとの間に形成されており、
該第2の導電型の領域(7,8)は、該少なくとも1つの電界効果トランジスタのソース領域およびボデー領域(3,4)と基板エッジ(9)との間に配置されており、基板(1)の表面から基板(1)内部に延在して、トランジスタ装置(2)を取り囲んでいる形式のものにおいて、
前記少なくとも2つの第2の導電型の領域(7,8)の相互間に配置するためのそれぞれ2つのアイソレーショントレンチ領域(10,11)が、相互にアイソレーションされる該第2の導電型の領域(7,8)の、それぞれ他方の相互にアイソレーションされる第2の導電型の領域(7,8)の方を向いている側の境界に設けられており、
該2つのアイソレーショントレンチ領域は基板(1)の表面から基板(1)内に延在している
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記アイソレーショントレンチ領域(10,11)が該基板の表面から該基板の内部に挿入される深さ方向の長さは、第2の導電型の領域(7,8)が該基板の表面から該基板の内部に挿入される深さ方向の長さより小さい、
請求項1記載の半導体装置。 - それぞれのアイソレーショントレンチ領域(10,11)は、該基板の表面から該基板内部に延在するアイソレーション層によって形成される
請求項1または2記載の半導体装置。 - それぞれのアイソレーショントレンチ領域(10,11)は、アイソレーション層(14)によって取り囲まれている導電層(12,13)によって形成される
請求項1または2記載の半導体装置。 - 少なくとも、隣接するアイソレーショントレンチ領域(10,11)の導電層(12,13)は相互に導電接続されている
請求項4記載の半導体装置。 - 隣接するアイソレーショントレンチ領域(10,11)の導電層は、該トランジスタ装置(2)のゲート電極(6)またはカソード電極(3)に導電接続されている
請求項4記載の半導体装置。 - 少なくとも、トランジスタ装置(2)に接している、第2の導電型の最も内側の領域(7)は、フローティング領域として実現されている
請求項1から6までのいずれか1項記載の半導体装置。 - 少なくとも、基板エッジ(9)に最も隣接している、最も外側の第2の導電型の領域(8)は、該トランジスタ装置(2)のカソード電極(3)に導電接続されている
請求項1から7までのいずれか1項記載の半導体装置。 - 基板(1)の表面から基板(1)中に延在している、相互にアイソレーションされた少なくとも2つの第2の導電型の領域(7,8)を有する半導体装置を第1の導電型の基板(1)に製造するための方法であって、
ソース領域とボデー領域とゲート電極とを含む少なくとも1つの電界効果トランジスタを備えたトランジスタ装置を形成し、
相互にアイソレーションされる該第2の導電型の領域(7,8)を、該トランジスタ装置のソース領域およびボデー領域と基板エッジとの間に形成する形式の方法において、
前記生成すべき相互にアイソレーションされた第2の導電型の領域(7,8)の範囲にドープ剤を注入し、
相互にアイソレーションされる該第2の導電型の領域(7,8)の、それぞれ他方の相互にアイソレーションされる第2の導電型の領域(7,8)の方を向いている側の境界にそれぞれ1つのトレンチ(10,11)を生成し、ここで該トレンチの深さは、ドープ剤注入後の該第2の導電型の領域(7,8)の深さより深いが、相互にアイソレーションされる該第2の導電型の領域(7,8)の深さより浅くなっており、
トレンチ(10,11)の深さより深い深さまでドープ剤を拡散させ、
該トレンチ(10,11)内部と基板(1)の表面とにアイソレーション層(14)を生成する
ことを特徴とする方法。 - ドープ剤の注入を、基板(1)の表面に設けられた酸化物を通して行う
請求項9記載の方法。 - トレンチ(10,11)の内面および基板(1)の表面にアイソレーション層(14)を生成しかつ該トレンチを引き続いて導電層(12,13)によって充填する
請求項9または10記載の方法。
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