JP3916252B2 - ジメチルアミン安息香酸塩若しくはアニス酸塩触媒による4−(ニトロフェニル)−ジヒドロピリジン類の製造プロセス - Google Patents

ジメチルアミン安息香酸塩若しくはアニス酸塩触媒による4−(ニトロフェニル)−ジヒドロピリジン類の製造プロセス Download PDF

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Description

本発明は、4−(ニトロフェニル)−ジヒドロピリジン類の製造プロセスに関する。これらの生成物はその注目すべき薬剤的性質により広く用いられており、現在までは種々の合成方法で製造されていた。例えば、ハンチの合成(Ann.215,1, 72; 1882)が1モルのアルデヒドと2モルのアセト酢酸とアンモニアを用いて1段反応で3,5−ジカルボン酸対称エステルを合成するのに利用される。
一方、非対称エステルを合成するためにクネベナーゲル合成(Ber.31, 370; 1898)が用いられ、先ずアルデヒドをピペリジンの存在下でアセト酢酸エステルと反応させ、引き続いて生成してくるベンジリデン誘導体を適当なアミノクロトン酸エステルで処理する。
クネベナーゲル縮合についてはG.JonesによりOrganic Reactions, 15, 1967, 204-599頁に余すところなく開示されている。ジヒドロピリジン類の合成に関する数多くの方法や特許が文献にある。
これらの中で、EP 0,124,743およびEP 0,173,126には適当な触媒、例えば、最初の特許ではピペリジン酢酸塩、2番目の特許では、なかんずく、o−アニシジン、及びm-トルイジン等の触媒を用いるベンジリデン誘導体の合成を開示している。一方、EP 319,814にはジイソプロピルアミン酢酸塩またはジメチルベンジルアミン酢酸塩触媒によるこれらの重要なジヒドロピリジン類の一つの最終閉鎖反応が開示されている。
しかしながら、驚くべきことに、今までに考えられなかった有機塩を反応触媒として用いることによりジヒドロピリジン非対称エステルが高収率、高純度で、時間およびエネルギーを著しく節約でき、従って低コストで合成できることがわかった。
本発明のジヒドロピリジン類は一般式(I)で表される。
Figure 0003916252
(式中、R1は2位または3位のニトロ基;R2及びR3は互に異なり、メチル、エチル、イソプロピル、2−メトキシエチル、またはイソブチル基、R4及びR5はメチル基である。)
本発明によれば、化合物(I)は、一般式(II)のベンジリデン誘導体から
Figure 0003916252
(式中、R1,R2,およびR4は前に定義したものと同じである)
一般式(III)のエナミン誘導体
Figure 0003916252
(式中、R3およびR5は前に定義したものと同じである)
と反応させることにより合成される。
ベンジリデン誘導体(II)は、一般式(IV)のベンズアルデヒドを
Figure 0003916252
(式中、R1は前に定義したものと同じである。)
一般式(V)のアセト酢酸エステルと反応させて合成される。
Figure 0003916252
(R2及びR4は前に定義したものと同じである。)
上記2つの反応はC1−C4の低級アルコール中で行われ、ジメチルアミン安息香酸塩若しくはp−アニス酸塩を触媒とする。
本発明の触媒を使用すると驚くべきことに穏和な条件下(20−40℃の反応温度範囲)で(II)の合成に必要な反応を行うことができる。この方法では、著しくエネルギーを節約でき、好ましくない副生成物の生成を抑制し、かつ、高純度の中間体(II)が高収率で、従って低コストで得られる。
さらに、引き続き行う反応でジメチルアミン安息香酸塩若しくはアニス酸塩を用いると、2、3時間の加熱で(I)を生成させることができる。またこの場合もエネルギーを節約でき従って低コストで生成することができる利点がある。
反対に、主生成物(I)を合成する反応を、触媒を用いずに行うときは、24時間に及ぶ加熱還流が必要である(例えば、EP 0,124,743に開示されているように)。
さらに、ジメチルアミン安息香酸塩若しくはアニス酸塩を用いると、これらのジヒドロピリジンの主な好ましくない不純物、即ち一般式(II)のR2とR3が同じである相当するジカルボン酸対称エステルの生成を最小にすることができる。
本発明のプロセスではニトロベンズアルデヒド1モルについて0.01−0.06モルの触媒を、ニトロベンジリデン誘導体1モルについて0.005−0.015モル使用する。
化学物質の毒性データを比較すると、本発明の触媒は上記引用特許で現在まで使用されているものより毒性が低いことがわかった。
例えば、EP 0,124,743では、ピペリジンが触媒として使用されている。該生成物はその毒性の特性により明らかに取り扱い上の問題がある。
最後に、単一の、毒性もほとんどない触媒を用いると最終生成物(I)中にあるその僅かの痕跡をも容易に調べることができる。
以下の実施例は本発明のプロセスをさらに説明するものであるが、本発明を限定するものではない。
実施例1
a)アセト酢酸エチルエステル300kgと3−ニトロベンズアルデヒド348kgを1550Lのイソプロパノールに懸濁させる。その後、p−アニス酸5.235kgと33%ジメチルアミンのエタノール溶液4.4kgを加える。混合物を約35℃で約30分加熱し溶液にする。反応混合物を20/25℃に冷却し、その後流水で約12時間、さらに24時間ブラインで0℃で冷却し、遠心分離しイソプロパノールで洗浄する。
乾燥後、578kgの2−(3−ニトロベンジリデン)アセト酢酸エチルエステルが約95%の収率で得られる。
b)2−(3−ニトロベンジリデン)アセト酢酸エチルエステル362kgと3−アミノクロトン酸メチルエステル158.3kgを840Lのイソプロパノールに懸濁し、アニス酸2.2kg及び33%ジメチルアミンのエタノール溶液1.85kgで処理する。加熱すると溶液になり、12時間還流し、その後水で冷却し、さらに−5℃でブラインで冷却し生成した沈殿物を遠心分離する。
イソプロパノールで再結晶し、476kgのニトレンジピンが約96%の収率で得られる。ジメチルエステル、及びジエチルエステル中の含量を、HPLC分析すると、それぞれの当該不純物は0.1%以下である。
実施例2
a)アセト酢酸2−メトキシエチルエステル200kgと3−ニトロベンズアルデヒド185.lkgを800Lのイソプロパノールに懸濁する。p−アニス酸5.65kgと33%ジメチルアミンのエタノール溶液5.05kgを加える。約35℃で30分間加熱する。反応混合物を20/25℃に冷却し、そして、流水で12時間冷却し、さらにその後ブラインで約0℃で24時間冷却し、遠心分離してイソプロパノールで洗浄する。
乾燥後、327kgの2−(3−ニトロベンジリデン)アセト酢酸2−メトキシエチルエステルを約91%の収率で得られる。
b)2−(3−ニトロベンジリデン)アセト酢酸2−メトキシエチルエステル490kgと3−アミノクロトン酸イソプロピルエステル244.4kgを1500Lのイソプロパノールに懸濁し、p−アニス酸3kgと33%ジメチルアミンのエタノール溶液2.5kgで処理する。加熱すると溶液が得られ、約10時間還流しその後水で冷却し、さらに、ブラインで約0℃で冷却し、生成した沈殿を遠心分離する。イソプロパノールで再結晶すると、657kgのニモジピンが約94%の収率で得られる。2−メトキシエチルエステル、及びジイソプロピルエステル中の含量をHPLCで分析したらそれぞれの当該不純物は0.1%以下であった。

Claims (4)

  1. 一般式(I)の4−(ニトロフェニル)ジヒドロピリジンの非対称エステルの製造プロセスで、
    Figure 0003916252
    (式中、R1は2または3位のニトロ基で;R2およびR3はそれぞれ異なり、メチル、エチル、イソプロピル、2−メトキシエチル、またはイソブチル基であり、R4およびR5はメチル基である。)
    一般式(II)のベンジリデン誘導体を、
    Figure 0003916252
    (式中、R1,R2,及びR4は前に定義したものと同じである。)
    一般式(III)のエナミン誘導体と反応させることよりなり、
    Figure 0003916252
    (式中、R3及びR5は前に定義したものと同じものである。)
    当該反応を触媒としてジメチルアミン安息香酸塩若しくはアニス酸塩の存在下にを行うことを特徴とする製造プロセス。
  2. 一般式(II)のベンジリデン誘導体の製造プロセスで、
    Figure 0003916252
    (式中、R1,R2及びR4は前に定義したものと同じである。)
    一般式(IV)のベンズアルデヒドを、
    Figure 0003916252
    (式中、R1は前に定義したものと同じである。)
    一般式(V)のアセト酢酸エステルと反応させ、
    Figure 0003916252
    (式中、R2及びR4は前に定義したものと同じである。)
    その反応を触媒としてジメチルアミン安息香酸塩若しくはp−アニス酸塩の存在下20℃から40℃までの温度範囲で行うことを特徴とする製造プロセス。
  3. 触媒がニトロベンズアルデヒド1モルにつき0.01から0.06モル、及びニトロベンジリデン誘導体1モルにつき0.005から0.015モル存在することを特徴とする請求項1及び2記載の製造プロセス。
  4. 両反応を溶媒としてC1−C4の低級アルコール中で行うことを特徴とする請求項1及び2記載の製造プロセス。
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