JP3881517B2 - 仕上げを向上したスパッターターゲットを製造する方法 - Google Patents
仕上げを向上したスパッターターゲットを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3881517B2 JP3881517B2 JP2000568696A JP2000568696A JP3881517B2 JP 3881517 B2 JP3881517 B2 JP 3881517B2 JP 2000568696 A JP2000568696 A JP 2000568696A JP 2000568696 A JP2000568696 A JP 2000568696A JP 3881517 B2 JP3881517 B2 JP 3881517B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputter target
- target
- solution
- water
- sputter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
本発明は、向上した仕上げを有するスパッターリングターゲットを製造する方法に関するものであり、更に具体的には向上した仕上げを達成するスパッターターゲットの表面を化学的にエッチングする方法に関するものである。
【0002】
半導体工業に用いるスパッター製造において、半導体ウェハー上にスパッターしている間にフィルム均一性及び最小パーティクルの発生を提供するスパッター表面を有するターゲットを生成することが望ましい。スパッターターゲットの典型的な製造方法は、表面欠陥を有するターゲットの原因となる。更に、チタン、アルミニウム、タンタル、ニッケル、クロム、コバルト、及びそれらの合金のようなスパッターターゲットを含む物質は、本質的に問題の多い特性(即ち、パーティクル寸法及び均一性並びに試しスパッターリング時間の要求)を有し、これらの特性は、機械加工プロセスの結果である。これらの本質的欠陥及び特性は、スパッターターゲット生成物の最終使用者に悪影響を及ぼす可能性がある。
【0003】
スパッターターゲット製造の望ましくない効果のうちの1つは、需要者での新しいスパッターターゲットについての非常に長い試しスパッターリング時間である。チタンターゲットのようなスパッターターゲットは、低品質のフィルム均一性及びターゲットの使用の初期の段階の間に高いパーティクルカウントを呈するのが典型的である。結果として、ターゲット表面が高品質薄膜ウェハーを生成する前に、ターゲットの表面欠陥を除去する試しスパッターリングサイクルを、30kW時もの間行わなければならない。標準的なターゲットは、ターゲット表面が高品質ウェハーを生成する前に、約6.7kW時と等価な試しスパッターリングサイクル中に約50個のウェハーを必要とすることは普通である。この試しスパッターリングサイクルなしで付着すれば、低品質のウェハーの比較的高い不良率の原因となるであろう。かくして、試しスパッターリングサイクルが、所望のフィルム均一性及びパーティクル発生を提供するスパッター表面を達成するために要求される。しかし、試しスパッターリングサイクルは、貴重な処理時間及び物質を消耗することを需要者に要求する。例えば、チタンターゲットについて、0.75〜1.0%のフィルム均一性が望ましく、8インチ(20.3cm)ウェハー当たりに発生するパーティクルが10個以下であることが望まれる。
【0004】
スパッターターゲットについて製造プロセスに起因する本質的に望まれない特性を減ずること、除去すること又は制御することを種々試みた。例えば、研磨、ラップ仕上げ、精密機械加工、旋盤加工及び手磨きを用いてターゲットの表面物質を除去した。物質除去のこれらの方法は、時間がかかり、大きな労働力を要し、高価で、汚れを伴うものであり、一致しない結果を提供する。鏡面仕上に磨くことは、良好な表面仕上げを提供するが、高価な調整及び時間(大抵20〜60時間)を要求し、これらは生産環境に不適当である。そして、その後に仕上げられるターゲットについて同一の結果を一貫して得ることができるという保証はない。更に製造における説明のつかない変動に由来する欠陥のためかろうじて受容可能なスパッターターゲットは、上記技術により回収することができない。
【0005】
かくして、低いパーティクルカウント及び最小限の表面欠陥を有する安定した仕上がり(それにより使用前の試しスパッターリング時間を短縮又は省略する。)を提供するスパッターターゲット製造する方法を供給する要求が存在する。
【0006】
発明の概要
約10〜30μインチ(2.5×10-7〜7.6×10-7m)の表面の粗さ、初期の使用中の良好なフィルム均一性及び低パーティクルカウントを有するスパッターターゲットを実現し、かくして試しスパッターリング時間の要求を大きく短縮する方法を提供する。スパッターターゲット表面を使用前に表面を化学的にエッチングすることにより達成される。表面を第1酸溶液でエッチングして水ですすぎ、第2酸溶液中でエッチングして水ですすぎ、アルコール溶液ですすぎ、そして乾燥するのが好都合である。酸は好ましい腐食剤であるが、他の塩基性の薬品を本発明用の腐食剤として用いてもよい。本発明において用いられる酸又は他のエッチング薬品は以下のもの:フッ化水素酸、硝酸、リン酸、硫酸、塩酸、酢酸、乳酸、水酸化アンモニウム、酸化クロム、過酸化水素、フェリシアン化カリウム及び水酸化ナトリウムから選択されるのが好都合である。第1及び第2エッチング溶液は、各々約1〜10%及び約20〜60%の腐食剤を含むのが好都合である。第2溶液が、約1〜10%の第1腐食剤及び約20〜50%の第2腐食剤を含むのがより好都合である。エッチングを各溶液で1〜15分間行うのが好都合であり、溶液を断続的に又は常時のいずれかで撹拌しながらエッチングを行うのが好都合である。
【0007】
本発明の1つの具体例において、チタンスパッターターゲットの表面を仕上げる方法を提供する。この目的のために、表面をフッ化水素酸の溶液でエッチングして水ですすぎ、フッ化水素酸及び硝酸の溶液でエッチングして水ですすぎアルコール溶液ですすぎ、そして乾燥する。好ましい方法では、チタンスパッターターゲット表面をまず1〜8%のフッ化水素酸溶液で約1〜10分間エッチングして、次に(すすいだ後に)1〜6%フッ化水素酸/25〜45%硝酸溶液で約2〜10分間エッチングする。
【0008】
本発明のこれら及び他の目的並びに利点は、それについての添付の記載からより明らかになるであろう。
【0009】
発明の具体的な説明
本発明により仕上げるために適したスパッターターゲットは、スパッターターゲットとして用いるのに適した金属、合金又は組成物のターゲット(例えばチタン、アルミニウム、タンタル、ニッケル、クロム又はコバルトターゲット又はそれらの合金)であってもよい。本発明に特に適するのは、HCP(六方最密)金属から作られるターゲットである。
【0010】
製造後、スパッターターゲット表面は、旋盤上で研磨して、研削、ラップ仕上げすることにより、又は他の同様の技術により初めに仕上げをする。これらの全ては、当該技術において周知である。旋盤上で仕上げることが好ましい。25μインチ(6.4×10-7m)未満の表面の粗さ(Ra-5算術平均粗さ)を達成するまで、初期仕上げ工程を行う。その後、本発明の化学的エッチング技術により、スパッターターゲットを約10〜30μインチ(2.5×10-7〜7.6×10-7m)のRaに仕上げる。本発明の第1工程において、ターゲットの表面を第1エッチング溶液(例えば酸及び水の溶液)中に浸漬する。本発明に有用な腐食剤は、フッ化水素酸、硝酸、リン酸、硫酸、塩酸、酢酸、乳酸、水酸化アンモニウム、酸化クロム、過酸化水素、フェリシアン化カリウム及び水酸化ナトリウムを含むが、これらには決して限定されない。水は、常用の水又は脱イオン水でよい。第1エッチング溶液は、約10%以下(好ましくは約1〜10%)の腐食剤を含み、残りは水であることが好ましい。当業者は、特定の腐食剤及び溶液濃度を改変して最適な結果を特定のターゲット物質に提供することができるということを評価するであろう。チタンターゲットについては、腐食剤は約1〜8%の量のフッ化水素酸が好ましく、約2.5%がより好ましい。エッチング中溶液を撹拌することも、本発明において好都合であることと考えられる。この撹拌は、断続的に又は常時行われるものであってもよく、当業者に公知の手段により実施できる。パーコレーション又は閉じ込められた空気の気泡により溶液中にそれら特有の撹拌も存在する可能性がある。
【0011】
本発明の工程2において、ターゲットの表面を水ですすいで工程1由来のエッチング溶液を除去する。一般的な用心として、水は脱イオン水でもよい。このすすすぎ工程は、第1エッチング溶液からの表面の除去の直後に行われ、全腐食剤を表面から除去してターゲット表面の変色を防ぐようにするまで行われるのが好ましい。
【0012】
本発明の工程3において、ターゲット表面を第2エッチング溶液(例えば酸及び水の溶液)に浸漬する。この工程に有用な腐食剤は、第1エッチング溶液について記載されたものと同一であるが、それらには決して限定されない。水は、常用又は脱イオン水であってもよい。第2エッチング溶液は、約60%以下の腐食剤(例えば酸)、好ましくは約20〜60%を含み、残りは水であることが好ましい。第2溶液用の腐食剤は、ターゲット物質に依存して2種以上の酸から構成されることが好ましい。当業者は、特定の腐食剤及び溶液濃度を改変して最適な結果を特定のターゲット物質に提供することができるということを評価するであろう。例えばチタンターゲットについては、腐食剤は約1〜6%の量のフッ化水素酸及び約25〜45%の量の硝酸が好ましく、約3.5%のフッ化水素酸及び35%の硝酸がより好ましい。アルミニウム又はクロムターゲットについては、腐食剤は、フッ化水素酸及び硝酸に加えて塩酸を含むことができるのが好都合である。タンタルターゲットについては、腐食剤は、フッ化水素酸及び硝酸に加えて硫酸を含むことができるのが好都合である。エッチング中溶液を撹拌することも、本発明において好都合であると考えられる。このエッチング工程における撹拌は、ターゲットの表面上を流れる不均一混合物による表面上の酸条痕を防止すると考えられる。この撹拌は、断続的又は常時行われるものであってもよく、当業者は公知の手段により実施することができる。例えば、30秒ごとに溶液容器を持ち上げて傾けることが、有用なことであると分かっている。
【0013】
本発明の工程4において、ターゲットの表面を水ですすいで工程3からのエッチング溶液を除去する。一般的な用心として、水は脱イオン水でもよい。このすすすぎ工程は、第2エッチング溶液からの表面の除去の直後に行われ、全腐食剤を表面から除去してターゲット表面の変色を防ぐようにするまで行われるのが好ましい。
【0014】
本発明の第5工程において、ターゲットの表面をアルコール及び水の溶液ですすぐ。アルコール溶液は、約20〜80%のアルコールを含むことが好ましく、約50%のアルコールを含むことがより好ましい。溶液中のあまりに少量の又はあまりに多量のアルコールは、水がターゲット表面上で着色する原因となる。一般的な用心として、水は脱イオン水でもよい。
【0015】
本発明の第6工程において、ターゲットの表面を乾燥させる。乾燥窒素、乾燥アルゴン、又は清潔で乾燥した圧縮空気の強制流れにより、これを達成するのが好ましい。例えば、強制流れは、ある角度をなしてターゲット表面から約1インチ(2.5cm)のところに置かれたホース上のエアノズル、任意の型の空気配管から来るものであってもよい。
【0016】
スパッターターゲットを仕上げるための上記方法の結果、機械的な変形がなく、かつ約10〜30μインチ(2.5×10-7〜7.6×10-7m)のRa値を有する表面となる。その方法は、製造に起因するターゲット物質中の残留応力を緩和し、ターゲット組立品を安定化させ、その結果一定の製品とする。以前の技術において必要な試しスパッターリング時間を(その試しスパッターリングを省略しなければ)大きく短縮させる。本発明の向上した仕上げを有するターゲットは、試しスパッターリングのためにウェハー6個以下を要求するだけであり、これは1kW時以下と等価であると考えられる。本発明の化学的エッチング技術の公知の悪影響は存在しない、そしてその方法は製造プロセスに容易に適合させることができる。例えば、その方法は、特別注文の小さなターゲットのために使うことができ、又は大量生産のための自動化されたラインに適合させることができる。
【0017】
本発明はこれらの具体例の記載により例示してきたし、具体例はかなり詳細に記載してきているが、特許請求の範囲をそのような詳細事項に限定したり又は決して制限しようと意図するものではない。追加的利点及び改変は、当業者に容易に明らかになるだろう。それ故、より広い面における本発明は、記載された特定の詳細事項及び方法並びに例示的な例に限定されない。従って、出願人の全体的な創作概念の範囲及び精神から逸脱していなければ、そのような詳細事項から逸脱がなされてもよい。
Claims (2)
- スパッターターゲットを試しスパッタリング時間が減少したものに仕上げる方法において、
前記スパッターターゲットの表面を25μインチ(6.4×10-7m)未満の表面粗さに仕上げ、
(1)スパッターターゲットの表面を第1エッチング溶液中に浸漬させてエッチングし、
(2)スパッターターゲットの表面を水ですすぎ該第 1 エッチング溶液を除去し、
(3)スパッターターゲット表面を上記エッチング溶液と同一の又は異なった第2エッチング溶液中に浸漬させてエッチングし、
(4)スパッターターゲットの表面を水ですすいで前記第2エッチング溶液を除去し、
(5)スパッターターゲットの表面をアルコール及び水の溶液ですすぎ、次いで
(6)スパッターターゲットターゲットを乾燥させること、
からなり、前記工程(1)及び(3)が、スパッターターゲットの表面を10〜30μインチ(2.5×10-7〜7.6×10-7m)の表面粗さRaになるように調整される、スパッターターゲットの仕上げ方法。 - スパッターターゲットを試しスパッタリング時間が減少したものに仕上げる方法において、
前記スパッターターゲットの表面を25μインチ(6.4×10-7m)未満の表面粗さに仕上げ、
(1)スパッターターゲットの表面をフッ化水素酸の水溶液よりなる第1エッチング溶液中に浸漬させてエッチングし、
(2)スパッターターゲットの表面を水ですすぎ該第 1 エッチング溶液を除去し、
(3)スパッターターゲット表面をフッ化水素酸と硝酸の水溶液よりなる第2エッチング溶液中に浸漬させてエッチングし、
(4)スパッターターゲットの表面を水ですすいで前記第2エッチング溶液を除去し、
(5)スパッターターゲットの表面をアルコール及び水の溶液ですすぎ、次いで
(6)スパッターターゲットターゲットを乾燥させること、
からなり、前記工程(1)及び(3)が、スパッターターゲットの表面を10〜30μインチ(2.5×10-7〜7.6×10-7m)の表面粗さRaになるように調整される、スパッターターゲットの仕上げ方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/146,600 US6309556B1 (en) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
US09/146,600 | 1998-09-03 | ||
PCT/US1999/020241 WO2000013917A1 (en) | 1998-09-03 | 1999-09-02 | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002524312A JP2002524312A (ja) | 2002-08-06 |
JP3881517B2 true JP3881517B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=22518130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000568696A Expired - Lifetime JP3881517B2 (ja) | 1998-09-03 | 1999-09-02 | 仕上げを向上したスパッターターゲットを製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6309556B1 (ja) |
EP (2) | EP1115584B1 (ja) |
JP (1) | JP3881517B2 (ja) |
KR (1) | KR100560985B1 (ja) |
AU (1) | AU6025899A (ja) |
WO (1) | WO2000013917A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050040030A1 (en) * | 2003-08-20 | 2005-02-24 | Mcdonald Peter H. | Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof |
US20050236270A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Heraeus, Inc. | Controlled cooling of sputter targets |
JP2006316339A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-11-24 | Kobe Steel Ltd | Al系スパッタリングターゲット |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US20070215463A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc. | Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering |
US20080121516A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-05-29 | Jaydeep Sarkar | Method and apparatus for treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering targets made thereby |
KR20090106641A (ko) * | 2007-01-29 | 2009-10-09 | 토소우 에스엠디, 인크 | 극도로 매끄러운 면의 스퍼터 타겟 및 그 제조 방법 |
US9279178B2 (en) * | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
JP4948634B2 (ja) | 2010-09-01 | 2012-06-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
US9238093B2 (en) * | 2011-11-21 | 2016-01-19 | Medtronic, Inc | Surface improvement on electric discharge machined titanium alloy miniature parts for implantable medical device |
JP5074628B1 (ja) * | 2012-01-05 | 2012-11-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR20160085907A (ko) | 2012-08-22 | 2016-07-18 | 제이엑스금속주식회사 | 인듐제 원통형 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
CN103343343A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-09 | 合肥亿恒机械有限公司 | 一种模具腐蚀溶液 |
US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
CN103553350B (zh) * | 2013-10-17 | 2016-06-15 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种石英材料腐蚀液和腐蚀方法 |
SG11201808205QA (en) * | 2016-03-25 | 2018-10-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ti-Nb ALLOY SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREOF |
JP6420393B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-07 | 住友化学株式会社 | ターゲット材をリサイクルするための方法、リサイクル鋳塊の製造方法およびリサイクル鋳塊 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2981609A (en) * | 1956-11-20 | 1961-04-25 | United Aircraft Corp | Etching bath for titanium and its alloys and process of etching |
US3844859A (en) * | 1969-12-16 | 1974-10-29 | Boeing Co | Titanium chemical milling etchant |
US3745079A (en) * | 1971-04-21 | 1973-07-10 | North American Rockwell | Chemically milling titanium alloy workpieces |
US3788914A (en) * | 1971-11-18 | 1974-01-29 | Mc Donnell Douglas Corp | Chemical milling of titanium,refractory metals and their alloys |
JPS5141638A (en) * | 1974-10-05 | 1976-04-08 | Kobe Steel Ltd | Renzokugaimensanaraihoho |
US4116755A (en) * | 1977-09-06 | 1978-09-26 | Mcdonnell Douglas Corporation | Chem-milling of titanium and refractory metals |
JPH02259068A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US4900398A (en) * | 1989-06-19 | 1990-02-13 | General Motors Corporation | Chemical milling of titanium |
US5282943A (en) * | 1992-06-10 | 1994-02-01 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a titanium containing sputter target to a backing plate and bonded target/backing plate assemblies produced thereby |
US5464520A (en) * | 1993-03-19 | 1995-11-07 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same |
EP0634498A1 (en) * | 1993-07-16 | 1995-01-18 | Applied Materials, Inc. | Etched sputtering target and process |
US5630918A (en) * | 1994-06-13 | 1997-05-20 | Tosoh Corporation | ITO sputtering target |
US5705052A (en) * | 1996-12-31 | 1998-01-06 | Exxon Research And Engineering Company | Multi-stage hydroprocessing in a single reaction vessel |
JP3755559B2 (ja) * | 1997-04-15 | 2006-03-15 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
US6030514A (en) * | 1997-05-02 | 2000-02-29 | Sony Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
-
1998
- 1998-09-03 US US09/146,600 patent/US6309556B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-02 WO PCT/US1999/020241 patent/WO2000013917A1/en active IP Right Grant
- 1999-09-02 KR KR1020007015064A patent/KR100560985B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-09-02 EP EP99968653A patent/EP1115584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-02 EP EP10185974A patent/EP2280093A1/en not_active Withdrawn
- 1999-09-02 AU AU60258/99A patent/AU6025899A/en not_active Abandoned
- 1999-09-02 JP JP2000568696A patent/JP3881517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6309556B1 (en) | 2001-10-30 |
WO2000013917A1 (en) | 2000-03-16 |
EP1115584A4 (en) | 2002-03-20 |
EP2280093A1 (en) | 2011-02-02 |
EP1115584B1 (en) | 2011-06-22 |
KR20010053325A (ko) | 2001-06-25 |
EP1115584A1 (en) | 2001-07-18 |
KR100560985B1 (ko) | 2006-03-15 |
AU6025899A (en) | 2000-03-27 |
JP2002524312A (ja) | 2002-08-06 |
WO2000013917B1 (en) | 2000-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3881517B2 (ja) | 仕上げを向上したスパッターターゲットを製造する方法 | |
US5660640A (en) | Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment | |
JP3820787B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JPH0225430B2 (ja) | ||
US3073765A (en) | Process for electrolytically graining aluminum lithographic plates | |
JP2011137206A (ja) | アルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
JP2001312817A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の洗浄方法、該洗浄方法により洗浄された磁気記録媒体用ガラス基板、および該基板を使用した磁気記録媒体 | |
US6063205A (en) | Use of H2 O2 solution as a method of post lap cleaning | |
US6394106B1 (en) | Cleaning solutions and methods for semiconductor wafers | |
JP2682828B2 (ja) | イオンプレーティングの前処理方法 | |
JP3515076B2 (ja) | 超硬材表面のTi系被膜の剥離剤、剥離方法及び超硬材の再生処理方法 | |
JP2008031038A (ja) | 石英ガラス表面の洗浄方法 | |
JPH0441656A (ja) | チタン材の鏡面研磨方法 | |
JP3400694B2 (ja) | シリコンウエハのエッチング方法 | |
JP3416555B2 (ja) | ガラス基板の高精度洗浄方法 | |
JPH0392263A (ja) | チタン合金基板の鏡面仕上げ方法 | |
JPS63255821A (ja) | 磁気デイスク用基盤の変色防止法 | |
JPH01196729A (ja) | 磁気ディスク用下地Ni−Cu−Pメッキ基盤の表面処理法 | |
JPH0752030A (ja) | 陽極酸化処理基盤及び研磨方法 | |
JPH10324368A (ja) | 高純度イソプロピルアルコール収納容器 | |
JP2002038259A (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JPS5816080A (ja) | アルミニウム及びアルミニウム合金板の洗浄法 | |
JPS58115098A (ja) | 半導体結晶の前処理方法 | |
EP1021597A1 (en) | A procedure for electrochemical polishing of an aluminium substrate to obtain a specular surface thereof | |
JP2004327878A (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20051109 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060704 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060711 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3881517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131117 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |