JPH02259068A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH02259068A JPH02259068A JP8108889A JP8108889A JPH02259068A JP H02259068 A JPH02259068 A JP H02259068A JP 8108889 A JP8108889 A JP 8108889A JP 8108889 A JP8108889 A JP 8108889A JP H02259068 A JPH02259068 A JP H02259068A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスパッタリングターゲットの製造方法［従来の
技術］ 希土類遷移金属系光磁気記録媒体の製造に用いられるス
パッタリングターゲットには、希土類元素と遷移金属元
素の金属間化合物相だけからなる単相タイプと、金属間
化合物相と構成元素の金属相からなる多相混在タイプが
ある。これらのうち後者のタイプは作成したスパッタ膜
の組成の均一性が前者に比べて優れていることから、現
在では主流となっている。
技術］ 希土類遷移金属系光磁気記録媒体の製造に用いられるス
パッタリングターゲットには、希土類元素と遷移金属元
素の金属間化合物相だけからなる単相タイプと、金属間
化合物相と構成元素の金属相からなる多相混在タイプが
ある。これらのうち後者のタイプは作成したスパッタ膜
の組成の均一性が前者に比べて優れていることから、現
在では主流となっている。
ところが多相混在タイプは、スパッタリングターゲット
の金属組織を構成する相によるスパッタリングイールド
の差異が原因となって、スパッタリングターゲット表面
の状態を平衡状態にしてスパッタ膜の組成を安定させる
のに、長いプレスパツタ時間を要するという欠点が指摘
されている。
の金属組織を構成する相によるスパッタリングイールド
の差異が原因となって、スパッタリングターゲット表面
の状態を平衡状態にしてスパッタ膜の組成を安定させる
のに、長いプレスパツタ時間を要するという欠点が指摘
されている。
この欠点を解決するために、スパッタリングターゲット
の表面全面を事前にドライエツチングするかあるいはウ
ェットエツチングすることによって、表面をスパッタリ
ング時の平衡状態に近づけるスパッタリングターゲット
の製造方法が提案されている。
の表面全面を事前にドライエツチングするかあるいはウ
ェットエツチングすることによって、表面をスパッタリ
ング時の平衡状態に近づけるスパッタリングターゲット
の製造方法が提案されている。
［発明が解決しようとする課題 ］
しかしながら、このような表面処理を施したスパッタリ
ングターゲットを用いて成膜すると、膜組成そのものの
経時変化は飛躍的に抑えることができるが、新たに組成
の分布特性に経時変化が認められる。このため、厳密な
意味での組成の安定化にはさらにプレスパツタを行なう
必要があり、成膜コストの上昇をもたらすという課題を
有している。
ングターゲットを用いて成膜すると、膜組成そのものの
経時変化は飛躍的に抑えることができるが、新たに組成
の分布特性に経時変化が認められる。このため、厳密な
意味での組成の安定化にはさらにプレスパツタを行なう
必要があり、成膜コストの上昇をもたらすという課題を
有している。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、スパッタ膜の組成ならびに組成分
布の安定化に要するプレスパツタリング時間の短い多相
混在タイプの希土類遷移金属スパッタリングターゲット
を提供するところにある。
目的とするところは、スパッタ膜の組成ならびに組成分
布の安定化に要するプレスパツタリング時間の短い多相
混在タイプの希土類遷移金属スパッタリングターゲット
を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、希土
類元素と遷移金属元素の金属間化合物相、希土類金属相
ならびに遷移金属相が存在する希土類遷移金属スパッタ
リングターゲット、あるいは希土類元素と遷移金属元素
の金属間化合物相と希土類金属相が存在する希土類遷移
金属スパッタリングターゲット表面のエツチング工程を
有するスパッタリングターゲットの製造方法において、
スパッタリングターゲット表面の一部分にのみエツチン
グを行うことを特徴とする。
類元素と遷移金属元素の金属間化合物相、希土類金属相
ならびに遷移金属相が存在する希土類遷移金属スパッタ
リングターゲット、あるいは希土類元素と遷移金属元素
の金属間化合物相と希土類金属相が存在する希土類遷移
金属スパッタリングターゲット表面のエツチング工程を
有するスパッタリングターゲットの製造方法において、
スパッタリングターゲット表面の一部分にのみエツチン
グを行うことを特徴とする。
［実施例］
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
直径４インチのＴｂＦｅＣｏ合金スパッタリングターゲ
ットを用意した。組成はＴ ｂ ２２Ｆ ｅ ７３Ｃｏ
５（ａｔ％）である。このスパッタリングターゲットの
金属組織はＴｂ金属相とＦｅＣｏ合金相、Ｔ ｂｌ（Ｆ
ｅ Ｃｏ）２金属間化合物相からなり、多相混在タイ
プのものである。このスパッタリングターゲットを以下
に示すような工程で処理を行った。先ず第１図に示すご
とく、バッキングプレート１にボンディングしたスパッ
タリングターゲット２の表面に油性ワックスによるマス
ク３を形成した。マスク３の形状はスパッタリングの二
ローションの形によって決めることができるが、この場
合はリング状エロージョンの形を残すようなマスク形状
とした。次にこれらを１規定硝酸に５分間浸し、マスク
３によって覆われていない部分のみウェットエツチング
した後、有機溶剤中でこれらを洗浄して油性ワックスを
取り除いた。以上の処理を施したスパッタリングターゲ
ットを真空槽内が第２図に示すような構成のスパッタリ
ング装置に取り付けた。図中４はスパッタリングターゲ
ット、５は回転する基板ホルダー ６はガラス基板であ
る。このスパッタ装置の真空槽を５Ｘ１０””Ｔ ｏ
ｒ ｒまで排気した後、Ａｒガス圧２ｍＴ。
ットを用意した。組成はＴ ｂ ２２Ｆ ｅ ７３Ｃｏ
５（ａｔ％）である。このスパッタリングターゲットの
金属組織はＴｂ金属相とＦｅＣｏ合金相、Ｔ ｂｌ（Ｆ
ｅ Ｃｏ）２金属間化合物相からなり、多相混在タイ
プのものである。このスパッタリングターゲットを以下
に示すような工程で処理を行った。先ず第１図に示すご
とく、バッキングプレート１にボンディングしたスパッ
タリングターゲット２の表面に油性ワックスによるマス
ク３を形成した。マスク３の形状はスパッタリングの二
ローションの形によって決めることができるが、この場
合はリング状エロージョンの形を残すようなマスク形状
とした。次にこれらを１規定硝酸に５分間浸し、マスク
３によって覆われていない部分のみウェットエツチング
した後、有機溶剤中でこれらを洗浄して油性ワックスを
取り除いた。以上の処理を施したスパッタリングターゲ
ットを真空槽内が第２図に示すような構成のスパッタリ
ング装置に取り付けた。図中４はスパッタリングターゲ
ット、５は回転する基板ホルダー ６はガラス基板であ
る。このスパッタ装置の真空槽を５Ｘ１０””Ｔ ｏ
ｒ ｒまで排気した後、Ａｒガス圧２ｍＴ。
ｒｒ、ＤＣ２Ａ３５０Ｖで成膜し、膜の組成ならびに膜
組成の分布状態をスパッタ時間に対して調べた。比較の
ため対比例１として上述の表面処理を行わない同組成の
スパッタリングターゲットと、対比例２としてターゲッ
ト表面全体をウェットエツチングした従来の技術による
ところのスパッタリングターゲットに対しても同様のテ
ストを行った。
組成の分布状態をスパッタ時間に対して調べた。比較の
ため対比例１として上述の表面処理を行わない同組成の
スパッタリングターゲットと、対比例２としてターゲッ
ト表面全体をウェットエツチングした従来の技術による
ところのスパッタリングターゲットに対しても同様のテ
ストを行った。
第３図は基板回転中心におけるスパッタ膜組成のうちＴ
ｂ含有量の経時変化を、本発明の実施例と対比例１、対
比例２とあわせて示したものである。この結果によれば
対比例１は１２０分程０のスパッタの後組成が安定する
のに対して、本発明の実施例ならびに対比例２はいずれ
もスパッタの初期より安定した組成の膜が得られること
が判る。
ｂ含有量の経時変化を、本発明の実施例と対比例１、対
比例２とあわせて示したものである。この結果によれば
対比例１は１２０分程０のスパッタの後組成が安定する
のに対して、本発明の実施例ならびに対比例２はいずれ
もスパッタの初期より安定した組成の膜が得られること
が判る。
第４図は基板回転中心から半径６ｃｍの位置におけるス
パッタ膜のＴｂ組成の範囲をスパッタ時間に対して表し
たもので、本発明の実施例と対比例１、対比例２とあわ
せて示した。この結果によれば対比例２は６０分程度の
スパッタの後組成分布が安定するのに対して、本発明の
実施例ならびに対比例１はいずれもスパッタの初期より
安定した組成分布の膜を得ることができることを示して
いる。
パッタ膜のＴｂ組成の範囲をスパッタ時間に対して表し
たもので、本発明の実施例と対比例１、対比例２とあわ
せて示した。この結果によれば対比例２は６０分程度の
スパッタの後組成分布が安定するのに対して、本発明の
実施例ならびに対比例１はいずれもスパッタの初期より
安定した組成分布の膜を得ることができることを示して
いる。
［発明の効果］
以上に述べたように本発明によれば、多相混在タイプの
スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの使い
始めより安定した膜組成と膜組成の分布特性を得ること
ができる。尚、この効果は実施例で示したターゲット組
成、スパッタ装置構成、マスクの材料ならびにマスキン
グの方法、エツチングの方法等で限定されるものでない
ことは言うまでもない。
スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの使い
始めより安定した膜組成と膜組成の分布特性を得ること
ができる。尚、この効果は実施例で示したターゲット組
成、スパッタ装置構成、マスクの材料ならびにマスキン
グの方法、エツチングの方法等で限定されるものでない
ことは言うまでもない。
示す図。
４・・・・スパッタリングターゲット
５・・・・基板ホルダー
６・・・・基板
第３図はスパッタ膜組成をスパッタ時間に対してプロッ
トした図。
トした図。
第４図はスパッタ膜組成の分布をスパッタ時間に対して
プロットした図。
プロットした図。
以上
第１図は本発明にかかるスパッタリングターゲットの製
造方法を説明する図。 １・・・・バラキングプレート ２・・・・スパッタリングターゲット ３・・・・マスク 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 静水喜三部 他１名 第２図は実施例におけるスパッタ装置の構成を＝７− 第１図 第２図 スパッタ時間 （分） 第３図 スパッタ時間 （分） 第４図
造方法を説明する図。 １・・・・バラキングプレート ２・・・・スパッタリングターゲット ３・・・・マスク 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 静水喜三部 他１名 第２図は実施例におけるスパッタ装置の構成を＝７− 第１図 第２図 スパッタ時間 （分） 第３図 スパッタ時間 （分） 第４図
Claims (1)
- 希土類元素と遷移金属元素の金属間化合物相、希土類金
属相ならびに遷移金属相が存在する希土類遷移金属スパ
ッタリングターゲット、あるいは希土類元素と遷移金属
元素の金属間化合物相と希土類金属相が存在する希土類
遷移金属スパッタリングターゲット表面のエッチング工
程を有するスパッタリングターゲットの製造方法におい
て、スパッタリングターゲット表面の一部分にのみエッ
チングを行うことを特徴とするスパッタリングターゲッ
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108889A JPH02259068A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8108889A JPH02259068A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02259068A true JPH02259068A (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=13736638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8108889A Pending JPH02259068A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02259068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115584A1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-07-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8108889A patent/JPH02259068A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115584A1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-07-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
| EP1115584A4 (en) * | 1998-09-03 | 2002-03-20 | Praxair Technology Inc | MANUFACTURING METHOD OF TARGET SURFACES FOR MICROWAVE SPUMBING |
| EP2280093A1 (en) * | 1998-09-03 | 2011-02-02 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of manufacturing enhanced finish sputtering targets |
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