JPS58115098A - 半導体結晶の前処理方法 - Google Patents

半導体結晶の前処理方法

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JPS58115098A
JPS58115098A JP21086181A JP21086181A JPS58115098A JP S58115098 A JPS58115098 A JP S58115098A JP 21086181 A JP21086181 A JP 21086181A JP 21086181 A JP21086181 A JP 21086181A JP S58115098 A JPS58115098 A JP S58115098A
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JP
Japan
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etching
methanol
nitric acid
pretreatment
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JP21086181A
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JPS5948797B2 (ja
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Yutaka Kishi
岸　豊
Jiro Okazaki
岡崎　二郎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｇａ５１．基板を用いる半゛導体Ｗｉ扁の前
処理法にかかわり、籍にＧａｓ　ｂ：Ｊｉｉ板を鏡面エ
ッチングする前処理方法に関する。
Ｇａｒｂ結晶は、水分による表面の酸化が着しい丸め、
研ｍ後の表面はかなり酸化されている。このｆ！の状暢
でＮｒ、メタノールによりエツチング金石なうと、研−
キズピット、エツチングムラが生じて一面状圃にならな
い。
便米のＧａＳｂ、ｉ板のエツチングＶｃは、　（１）１
００Ｈ。
、００（Ｊｌ（＋５ＨＮＯ，＋１ｌ（Ｐ系エッチャント
（ｔｌ）Ｂｒｔメタノール系エツチャ／トが王に用いら
れていた。前者の場合には、エツチング終了後の水洗い
の１程で、基板表面が酸化されやすいという欠点がｔｂ
９、鎌者は、メタノールによる洸Ｓｔ−行なうため酸化
を防止することがり舵であるが、エツチングの前処理工
程で酸化膜ｔ−ｐ去しなければ、ビットやエツチングム
ラを生ずるという欠点があった。
不発明は、上述の点に鑑みなされたものでｇｒ。
メタノール系エッチャント’を用いてＬ）ａＳｂ着板の
エツチングを行なう場合、前処理工程として濃硫酸によ
る脱脂処理、希硝酸にＬる戎ｍｌは化暎の泳云を行なっ
て、次面にピッｌ？エッナ／グムラが生じないようにす
るガ法ｔ−提供することにめる。
即ち、本＠明ｒｉＧａ８ｂの酸化膜が硝酸に溶解するこ
と、父、何崖有磯吻Ｖよ濃硫酸で分解さｎること金利用
し、Ｂｒ、メタノールエッチフグに　たち−硫酸によ／
）４４磯吻ｒ除去した上で希硝酸で酸化ｄｔ”ｍ云する
ことにより、鏡面エツチングすることｋｕｆｏヒにした
ものである。
以ト一本晃明ｔ−実施例で説明する。
〔大翔列〕　鏡面−着されたアンドープ（［１０１）Ｇ
ａＥｉｂ基板をエツチングした場合について説明する。
Ｇａ８ｂ基板をトリクレンで超音波脱脂洗浄し九後に、
濃硫酸に３分間浸しこのあと十分に水洗いシテ希硝酸（
１ｉ１０．　：　Ｈ，Ｏ−１：　ａ）中で約１分間浸し
て、酸化膜の除去を行なりた。次に水洗いは再び構１１
ｆが鹸化されないように３〜６秒ですませ友。
このあと、２％Ｂｒ、メタノールで１分間エツチングを
行なった結果、ビットやムラのない鏡面エツチングが行
なわれ友。なお濃硫酸処理は、付着している有機物によ
る汚染を除去する効果がある。
このような前処理ｔ−Ｌ７’ｔＪｍ合としない場合の表
面状態の相違を図に示す。図のム部は従来の前処理なし
によるＢｒ、メタノール系エッチャントによりエツチン
グを行った場合であり、図のＢ部は本発明の方法１−＋
−て前処理エッチ／グを行り九場合である。
本発明方法によれば、なめらかな鏡面が得られ従来方法
では複雑なしま状の模様が生ずる。本発明の半導体結晶
の前処理方法によれば、清浄な鏡良好なエピタキシャル
結晶を成長嘔せることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＧａＳｂを基板として用いる半導体結晶ゐ収量において
    、該Ｇａｒｂ基板を濃硫酸と希硝酸を用い処理する工程
    とＢｒ、−メタノールエツチング液でエツチング処理す
    る工程とｔ−イすること倉種値とする半導体結晶の前処
    理方法。
JP21086181A 1981-12-28 1981-12-28 半導体結晶の前処理方法 Expired JPS5948797B2 (ja)

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JPS58115098A true JPS58115098A (ja) 1983-07-08
JPS5948797B2 JPS5948797B2 (ja) 1984-11-28

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261077A (ja) * 1988-08-24 1990-03-01 Mitsubishi Metal Corp ＧａＡｓウェーハの鏡面エッチング液および鏡面エッチング方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261077A (ja) * 1988-08-24 1990-03-01 Mitsubishi Metal Corp ＧａＡｓウェーハの鏡面エッチング液および鏡面エッチング方法

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