KR930006495B1 - 알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선 에칭후의 이물질 제거방법 - Google Patents

알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선 에칭후의 이물질 제거방법 Download PDF

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구길서
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문정환
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material

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Abstract

내용 없음.

Description

알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선 에칭후의 이물질 제거방법.
본 발명은 알루미늄과 텅스텐(또는 텅스텐+티타늄)의 이중 금속선 에칭 공정에서 발생하는 무기성(금속성 또는 비금속성 포함)과 유기성 이물질을 무기용제인 순수황산/과산화수소 혼합용액으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 특히 선택적 반응의 원리를 이용 알루미늄/텅스텐의 이중금속선에 손상이 없도록한 웨이퍼 세척에 관한 것이다.
종래의 무기성분과 유기성분의 이물질 또는 파티클(Particle)을 제거한 무기용제(특히 황산 또는 암모늄용액)는 다량의 수분을 포함할 경우 알루미늄과 반응하므로해서 금속박막을 입힌 웨이퍼 제조공정의 세척방법으로는 적용할 수 없었다.
또한, 금속박막 이후의 웨이퍼 세척공정에 사용되는 유기용제의 대부분을 세척능력이 부족하고 유기성 이물질을 오히려 발생시키며, 알루미늄 도선을 손상시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 알루미늄과 텅스텐의 이중금속선의 에칭공정에서 발생하는 무기성 또는 유기성의 이물질제거 용액으로 순수 황산 대 순수 과산화수소의 부피비가 6대 4인 황산과 과산화수소의 혼합 용액을 사용하여 이물질을 제거하고, 이 혼합 용액은 고도의 분사압력을 가진 탈이온수 스프레이 세척으로 씻어낸다.
본 혼합용액의 화학반응식은
로 되는데, H2SO5가 알루미늄과 텅스텐의 이중금속선 에칭공정에서 발생하는 이물질들을 제거하는 역할을 한다.
텅스텐은 본 제거용액에 대하여 안전하고, 알미늄과의 반응은 미세하여, 즉
으로 되어 알미늄층을 손상시키지 않는다.
본 제거 용액에 의한 이물질 제거 작업이 완료된 후, 웨이퍼 표면에 남아있는 제거 용액을 탈이온수를 이용한 강력 분사로 가장 짧은 시간내에 제거하고 통상적인 덤프(Dump)세척을 실시한다.
이러한 방법으로 이물질을 제거하게 되면 알미늄이나 텅스텐을 거의 손상 시키지 않으므로 알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선의 손상으로 인한 문제점을 충분히 제거 할 수 있게 된다.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선 에칭공정후의 이물질 제거방법에 있어서, 순수황산대 순수과산화수소의 부피비가 6대 4가 되는 혼합용액을 제거 용액으로 사용하여 이물질을 제거하는 것이 특징인 알루미늄과 텅스텐의 이중금속선 에칭후의 이물질 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이물질 제거 공저후에 탈이온수의 강한 분사압을 이용하여 웨이퍼의 이물질 제거용액을 짧은 시간내에 제거하고, 통상적인 덤프 탈이온수 세척을 하는 것이 특징인 알루미늄과 텅스텐의 이중 금속선 에칭후의 이물질 제거방법.
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