JP2001044155A - 浸漬を用いた化学的機械的研磨後のシリコンウエハーのブラシレス多重パス洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ウエハーをメガソニック洗浄処理に当てる時
間の長さを表わす暴露時間が増加するにつれて、微粒子
の再析出が減少する。爆露時間を増加することに伴う問
題は、サイクル時間が増加するため、余分な製造費用及
び生産時間を増加することである。 【解決手段】 メガソニックウエハー表面の物質のＰＨ
を測定し、メガソニック化学浴のＰＨを上記物質のＰＨ
と同等に調整し、上記ウエハーを除去される物質のＰＨ
と同等のＰＨを有する第一のメガソニック化学浴に浸漬
し、このメガソニック浴でウエハーを洗浄する。界面活
性剤にデップ、ソニック液に浸漬、水洗、同等ＰＨ溶液
に浸漬、水洗、フッ酸液にデップ、水洗、過酸化水素液
にデップ、水洗等の段過を経る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、浸漬を用いた化学
的機械的研磨後のシリコンウエハーのブラシレス多重パ
ス洗浄方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体は製造後に化学的機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）を受ける。化学的機械的研磨後のシリコンウエハ
ーを洗浄する最も一般的な方法はブラシ洗浄具を用いる
ものであるが、この方式はブラシの磨損性によってしば
しばウエハーが損傷する問題がある。代わりに、噴霧器
を用いてウエハー表面を洗浄する幾つかの方式がある
が、これらの方法は最善の洗浄力を有するものではな
い。別の技術として、メガソニックを他の溶剤への浸漬
と併せて使用するものがある。

【０００３】メガソニックは汚染感度の強い製品に対す
る洗浄方法である。汚染に作用される集積回路、ハード
ドライブ、未加工シリコン、マスク、フラットパネルデ
ィスプレイ及びその他の装置は、厳しい清浄条件に適合
するようにメガソニックを用いて洗浄される。メガソニ
ック法は一般的に半導体ウエハー自体の洗浄に使用され
る。メガソニック洗浄方式は、液体中に生成される高周
波（７００−１，０００ＫＨｚ）音響エネルギー圧力波
（acoustic energy pressure waves）を用いるもの
で、上記液体は洗浄タンクに収納される。上記圧力波は
シリコンウエハー自体を損傷させずに微粒子を除去する
のに有効であるので本方式は優れた非破壊洗浄技術であ
る。メガソニックはシリコンウエハー及び他の製品から
０．１５ミクロンの微粒子を損傷無しに効果的に除去す
るために使用することができる。

【０００４】メガソニック洗浄では、基板から１ミクロ
ン未満の微粒子を除去できるようにするために圧電効果
（機械的応力の付加によりある種の誘電体結晶において
電気的な分極が発生すること）を利用する。高周波ＡＣ
電圧によりセラミック圧電結晶を励起して振動させる
と、この振動は洗浄液（cleaning fluid）中を伝搬す
る音響波を発生し、制御されたキャビテーション(contr
olled cavitation)を生成する。キャビテーションは機
械的な力が加わることによって創出される液体内の気泡
構造である。キャビテーションは音響波によって形成さ
れるため、メガソニックでは“音響波キャビテーショ
ン”と称している。音響波キャビテーションは、洗浄液
中を移動する音波の圧力変動によって生じる。音響波が
ウエハーの表面を横断する際に微粒子が除去される。音
響キャビテーションは微粒子の付着力に勝り且つ微粒子
を除去するに十分なエネルギ−を備えている。制御され
たメガソニックキャビテーションは音響流となって微粒
子を被洗浄材料から離れた位置に押しやるので、微粒子
は被洗浄材に再付着しない。

【０００５】メガソニックス洗浄を超音波洗浄と対照し
てみるとメガソニック法を十分に理解することができ
る。超音波洗浄とメガソニック洗浄の基本的な相違点
は、音響波を発生させる周波数にある。超音波洗浄は２
０−３５０ｋＨの周波数を使用するが、これにより生ず
るキャビテイションは一定しない。メガソニック洗浄は
これより高い７００−１０００ｋＨzの周波数を用いて
制御されたキャビテイションを形成する。

【０００６】上記二つの方法の重要な差異は、より高い
メガソニックの周波数は、超音波の周波数を用いた場合
に見られる極端なキャビテイション効果を引き起こさな
いことである。これはキャビテイションによる被洗浄材
の腐食及び表面損傷の可能性を著しく低減し又は無く
す。超音波周波数又はキャビテイション効果によって損
傷を受けると思われる部品も、同じ溶液を用いたメガソ
ニック浴（megasonic bath) で損傷無く洗浄できること
が多い。超音波ではタンク全体に亙ってキャビテイショ
ンが生じ浸漬された部品の全面が洗浄されるが、メガソ
ニックでは部品の圧電装置に面した一面だけが洗浄され
る。

【０００７】メガソニック洗浄は種々の化学的作用と共
に用いることができる。メガソニックは主に微粒子除去
の目的で使用されるが、界面活性剤又は洗浄剤を用いた
化学的洗浄の効率を上げる目的にも使用することができ
る。他の汚染物質の除去はタンク中の溶液に依存する。

【０００８】メガソニックを適用する場合、一般に脱イ
オン（ＤＩ）水が使用される。“イオン”は電気的に中
性でなく正又は負の電荷を持つ原子又は原子団である。
脱イオン水はその名が示唆する通り、このようなイオン
が存在しない水である。極めて高い純度の（汚染物質が
非常に少ない）脱イオン水は大きな電気抵抗を有するた
め種々の半導体基板の洗浄に有用である。

【０００９】ウエハ−は化学薬品の浴(chemical bath)
に浸漬した後、しばしば当該化学薬品の除去と更なる洗
浄の両方の目的で純度の高いＤＩ水で水洗いされる。メ
ガソニック関連で選択される化学薬品は、半導体ウエハ
−（又は他のアッセンブリ−）の表面に存在する汚染物
質を溶解により洗浄するための物質（水溶性又は有機
質）である。ＤＩ水の水洗いによりウエハ−上に残存す
る前段階の浸漬処理からの化学薬品の残留物が除去され
る。ＤＩ水はｐＨ７で、アルカリ性又は酸性のいずれで
もなく中性に近い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ウエハ−をメガソニッ
ク洗浄処理に当てる時間の長さを表す暴露時間(exposur
etime)はメガソニック洗浄に影響を及ぼす非常に重要な
変数である。暴露時間が増加するにつれて微粒子の再析
出が減少することは周知の事実である。暴露時間を増加
することに伴う固有の問題は、サイクル時間（ウエハ−
の個々のバッチを洗浄するのに必要な時間）がこれに相
応して増加するため、余分な製造費用及び生産時間を増
加す要があることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、シリコンウエ
ハ−表面の物質のｐＨを判定し、メガソニック化学浴(m
egasonic chemical bath)のｐＨを上記物質のｐＨと
同等に調整し、上記ウエハ−を除去される物質のｐＨと
同等のｐＨを有する第一のメガソニック化学浴に浸漬
し、このメガソニック浴でウエハ−を洗浄することを特
徴とするシリコンウエハ−の表面から物質を洗浄する方
法を含む。

【００１２】ＤＩ水は叉メガソニック浴（又は他の浸漬
浴）の化学薬品の濃度を希釈するために使用できる。種
々の濃度の種々の化学薬品をＤＩ水で混合することは普
通に行われている。一般的に使用される化学薬品の一つ
は水酸化アンモニウムで、もう一つは過酸化水素であ
る。過酸化水素は微粒子除去作用において使用される強
力な酸化剤（oxidizing chemical）である。ＳＣ−１
はメガソニックにおいて一般的に使用される溶液で、水
酸化アンモニア、過酸化水素及び水の混合物である。フ
ッ化水素酸（ＨＦ）も又一般的に使用されている。フッ
化水素酸はエッチング及び洗浄に使用される腐食性の酸
で、金属又は薄いガラス酸化物の除去に用いる。微粒子
除去に使用される別の腐食性酸は塩酸（ＨＣＬ）であ
る。塩酸は金属の除去に使用されるＳＣ−２又はＨＰＭ
溶液において普通に見られる。

【００１３】シリコンウエハ−の洗浄方法は下記の逐次
的な段階を特徴とする。すなわち、シリコンウエハ−を
界面活性剤ディップのために希釈した界面活性剤にデイ
ップする段階と、第一の化学メガソニック副サイクル(c
hemical megasonic sub-cycle)のために上記ウエハ−
を除去される物質のｐＨと同等の超純水、水酸化アンモ
ニウム及び過酸化水素からなる溶液を有するメガソニッ
ク浴に浸漬する段階と、上記第一の化学メガソニック副
サイクルの後すぐに、第一水洗サイクル(firstrinse c
ycle)のために上記ウエハ−をメガソニックユニットを
用いて洗浄水(water rinse)で水洗いする段階と、第二
の化学メガソニック副サイクルのために上記ウエハ−を
第一の化学メガソニック副サイクルで使用したものと同
じ溶液の浴に浸漬する段階と、第二水洗サイクルのため
に上記ウエハ−をメガソニックユニットを用いて洗浄水
で水洗いする段階と、フッ化水素酸ディップのために上
記ウエハ−をフッ化水素酸の溶液にディップする段階
と、第三の水洗サイクルのために上記ウエハ−をメガソ
ニックユニット又は急速ダンプリンサ−を用いて洗浄水
で水洗いする段階と、硫酸及び過酸化水素ディップのた
めに上記ウエハ−を硫酸と過酸化水素からなる溶液にデ
ィップする段階と、第四水洗サイクルのために上記ウエ
ハ−をメガソニックユニット又は急速ダンプリンサ−を
用いて洗浄水で水洗いする段階と、第三の化学メガソニ
ックサイクルのために上記ウエハ−を超純水(ultra-pur
e water)、水酸化アンモニウム及び過酸化水素からな
る溶液を有するメガソニックス浴に浸漬する段階と、第
五水洗サイクルのために上記ウエハ−をメガソニックユ
ニット又は急速ダンプリンサ−を用いて洗浄水で水洗い
する段階と、第四の化学メガソニックサイクルのために
上記ウエハ−を水、塩酸及び過酸化水素からなる溶液の
メガソニックス浴に浸漬する段階と、第六水洗サイクル
のためにウエハ−をメガソニックユニット又は急速ダン
プリンサ−を用いて洗浄水で水洗いする段階とからな
る。

【００１４】界面活性剤も叉メガソニックにおいて使用
することができる。界面活性剤は表面活性溶液で液体の
表面張力を緩和するために使用される。界面活性剤は二
種類の液体間又は液体と固体間の界面張力を弱める特性
を有しており、この特性によってウエハ−への微粒子の
付着力を低減する。洗浄剤は主に界面活性剤で構成され
ている。ウエハ−の洗浄に一般的に使用されている界面
活性剤の一つとして業界ではＮＷＣ−６０１が知られて
いる。

【００１５】ウエハ−をメガソニック洗浄処理に当てる
時間の長さを表す暴露時間(exposure time)はメガソニ
ック洗浄に影響を及ぼす非常に重要な変数である。暴露
時間が増加するにつれて微粒子の再析出が減少すること
は周知の事実である。暴露時間を増加することに伴う固
有の問題は、サイクル時間（ウエハ−の個々のバッチを
洗浄するのに必要な時間）がこれに相応して増加するた
め、余分な製造費用及び生産時間を増加する必要がある
ことである。現今の典型的な暴露時間は１０から２０分
である。７分以下の暴露時間は現在化学的機械的研磨又
は背面研磨後の洗浄には採用されておらず、所望の水準
の洗浄効率に達するには不十分であると考えられてい
る。より短い時間の二以上のメガソニックサイクルを使
用すると、より長い時間の単一サイクルに比べて、全体
のサイクル時間への著しい影響なしに洗浄効率（洗浄処
理前の材料上の微粒子と洗浄後の残留微粒子との比率）
が増大することは知られていない。

【００１６】用語“サイクル”は、半導体製造産業にお
いては特定の意味を有しているが、本発明の用語“化学
サイクル”は、所望の結果を得るためにウエハ−を時間
的に非常に接近した状態で同一又はほぼ同一の化学薬品
に晒すことを意味する。本発明の一面(aspect)は、一つ
の“化学サイクル”を二つに分離した化学的メガソニッ
ク“副サイクル(sub-cycle)”として実施することであ
る。好ましくは、第一の化学メガソニック副サイクルの
化学薬品浴そのものを再度第二の化学メガソニック副サ
イクルに使用し、両者間に水洗いを設ける。メガソニッ
ク化学薬品浴が副サイクルでない場合は、“化学メガソ
ニック副サイクル”の代わりに単に“化学メガソニック
サイクル”と言う。同様に、用語“第一の化学メガソニ
ック副サイクル”及び“第二の化学メガソニック副サイ
クル”は、両者で単一の“化学メガソニックサイクル”
を形成するものであるので使用されている。しかしなが
ら、用語“第三の化学メガソニックサイクル”及び“第
四の化学メガソニックサイクル”は、それらが副サイク
ルではなくそれ自体で完全且つ独自の化学サイクルを構
成しているので使用している。

【００１７】暴露時間を短縮することによる他の利点が
ある。例えば暴露時間がより短いと、同一の化学薬品を
より多数のロットに使用できる。又、ウエハ−がより頻
繁に水洗いされるので、化学薬品浴それ自体の汚染をよ
り少ない状態に保つことができる。

【００１８】ウエハ−表面へ粒子を付着させる主な力
は、ファンデルワ−ルス力（弱エネルギー）、静電力及
び化学結合である。（ファンデルワ−ルス力は二つの原
子又は無極性分子間の弱い引力で、一方の分子の変動双
極子モ−メントが別の分子の双極子モ−メントを誘起し
て当該二つの双極子モ−メントが相互作用して生ず
る）。もう一つの発見は、使用する溶液のｐＨレベルを
表面から除去される微粒子のｐＨと釣り合うものとする
ことに関係する。ｐＨ調整により、洗浄される物質の表
面に汚染物質を留める静電力に対する破断効率が向上す
る。現在実施のものは脱イオン水５部、水酸化アンモニ
ア１部と過酸化水素１部からなる標準比率のＳＣ−１溶
液である。

【００１９】以前には薬液(chemical solution) のｐＨ
をウエハ−から除去すぁれる物質と同等にするのは望ま
しくないと考えられていた。例えば、除去される物質が
アルカリ性（ｐＨ７を超えｐＨ１４まで）であれば、化
学薬品は酸性（ｐＨ０からｐＨ７未満）にすべきで、そ
の逆も又同じと考えられていた。これに反し、本発明者
は薬液のｐＨを除去する物質のｐＨと同等にするのが洗
浄効率を高める上で望ましいことを発見した。化学薬品
のｐＨレベルを除去される物質のｐＨに見合うものにす
ると、化学薬品は除去物質を溶解する作用をしない。
叉、除去される溶液を塩又は他の物質に変化させる働き
もしない（アルカリ性物質を酸に混合すると塩と水が生
成されることは周知である）。この特性は洗浄液への浸
漬を容易にするものである。例えば塩が形成されると洗
浄処理にとって特に有害なことは証明されている。

【００２０】多重パスのウエハ−洗浄処理では、ウエハ
−からスラリ−を洗浄して微粒子や金属汚染の少ない状
態にしておくために浸漬浴、メガソニックユニット及び
種々の化学的作用を用いる。ウエハ−をメガソニック浴
の化学薬品に晒す行為を“化学メガソニック副サイク
ル”と言う。本発明は二以上の化学メガソニック副サイ
クルを予定しているので、その各々を示すために“第一
のメガソニックサイクル”、“第二のメガソニックサイ
クル”等の用語を用いている。しかし、用語“第一”は
順序における一番目を意味するものではない。第一のメ
ガソニックの時間は、２０分、１７分、１４分、１１
分、９分、６分、４分、２分、１分を予定している。

【００２１】スラリ−は液体中を遊離流動する細かな固
体材料からなる懸濁液である。スラリ−は半流動性物質
で通常は水溶性溶液中の研磨用コンパウンドからなる混
合物であり、ウエハ−を平滑にするための化学的機械的
研磨（ＣＭＰ）の段階で意図的に加えられるものであ
る。本発明は、最初の（第一番目に行う）化学メガソニ
ック副サイクルの間じゅう化学薬品好ましくはＳＣ−１
のｐＨを除去されるスラリ−のｐＨに合致させるのが最
良である、との発見により促進されている。

【００２２】本発明は又、ウエハ−を汚れのないＤＩ水
のメガソニックス浴に浸漬する多数のメガソニックサイ
クルを用いる。これらを“ＤＩ水洗サイクル”と呼ぶ。
ここでも、“第一のＤＩ水洗サイクル”、“第二のＤＩ
水洗サイクル”等の用語を使用する。本発明は、ＤＩ水
洗サイクルを用いないでも実施できようが、上記の水洗
いを加えると洗浄効率は劇的に向上する。これにより、
半導体の一つのバッチを別のバッチが水洗いされている
間メガソニックユニットに存在させることができる。好
ましい実施態様は処理が完了するまでウエハ−が乾燥し
ないように全段階を連続的に行うことである。

【００２３】水洗サイクルの幾つかは急速ダンプリンサ
−を用いて行うことができる。ダンプリンサ−の場合、
ウエハ−は乾いたリンサ−に置かれ直ちにＤＩ水でスプ
レ−される。ウエハ−がスプレ−されている間リンサ−
の空洞には急速に水が充満する。水が上部から溢れると
底部のはね蓋が開いて直ちに水は排水システムに投棄さ
れる。この充満−及び−投棄の行為はウエハ−が完全に
ミックスされる迄数回繰り返される。ダンプ水洗は水洗
いの全部を１つの空洞で行うので設備及び所要面積の節
約となり有利である。又、自動化できる方式のため作業
はウエハ−を装填して（自動的に行うことができる）ボ
タンを押すだけである。

【００２４】

【実施例】本発明を下記の通り実施例に基いて説明す
る。逐次的に実施される下記の段階を用いてウエハ−を
洗浄する方法。 （ａ）まず、ウエハ−をＮＷＣ−６０１のような界面活
性剤の希釈液に好ましくは５乃至１０分浸す。これを
“界面活性剤ディップ”と呼ぶ。

【００２５】（ｂ）次に、ウエハ−を“第一の化学メガ
ソニック副サイクル”に晒す。これは除去される物質と
同じｐＨの化学薬品を用いたメガソニック浴である。除
去される物質は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）処理からの
スラリ−であり、化学薬品のｐＨは除去されるスラリ−
のｐＨに合致するようにする。好ましくは上記化学薬品
を超−純ＤＩ水、水酸化アンモニウムと過酸化水素から
なる希釈液（ＳＣ−１を形成する）にして、２乃至１０
分間晒す。ＤＩ水中の過酸化アンモニアは体積で約０．
８％乃至約３％の範囲、過酸化水素は体積で約１．５％
乃至約６％の範囲とする。溶液の温度は室温から約摂氏
５０度の範囲とする。除去されるスラリ−は水酸化カリ
ウム及び僅かなシリコン酸化物の微粒子を有する。スラ
リ−は表面研磨に用いる前に水で薄められている。叉、
スラリ−中に見られる水酸化カリウムはスラリ−をアル
カリ性にする。スラリ−のｐＨに相応する同様にアルカ
リ性を有するＳＣ−１を十分使用することにより洗浄効
率が向上する。ＳＣ−１は希釈前のｐＨが約１３から１
４であるが希釈後のｐＨは約１０から約１１で、除去さ
れるスラリ−のｐＨと同等である。大半のスラリ−はこ
のパスで除去される。

【００２６】（ｃ）次に、第一の水洗サイクルのため、
ウエハ−をメガソニックユニットを用い超−純ＤＩ水で
水洗いする。

【００２７】（ｄ）次に、第二の化学メガソニック副サ
イクルのため、ウエハ−を再度超−純ＤＩ水、水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素からなる希釈液のメガソニック
浴に２乃至２０分間浸漬する。前述の通り、ＤＩ水中の
過酸化アンモニアは体積で約０.８％乃至約３％であ
り、過酸化水素は体積で約１．５％乃至６％である。こ
こでも、溶液の温度は室温から摂氏５０度の範囲であ
る。第一の化学メガソニック副サイクル及び第二の化学
メガソニック副サイクルは単一の化学サイクルを形成す
る。好ましくは第一の化学メガソニック副サイクルで使
用した浴そのものを第二の化学メガソニック副サイクル
に用いる。

【００２８】（ｅ）次に、第二の水洗サイクルのため、
ウエハ−をメガソニックユニットを用い超−純ＤＩ水中
で水洗いする。

【００２９】（ｆ）ウエハ−をフッ化水素酸の希釈液
（４０：１）に約１５乃至約４０秒デイップする。これ
を“フッ化水素酸デイップ”と呼ぶ。

【００３０】（ｇ）次に、第三の水洗サイクルのため、
ウエハ−をメガソニックユニット又は急速ダンプリンサ
−を用いて超−純ＤＩ水中で水洗いする。当初２回の水
洗サイクルはメガソニックで行わなければならない。

【００３１】（ｈ）次に、ウエハ−を摂氏８０度の硫酸
と過酸化水素の溶液に１５乃至４０秒デイップする。こ
れを“硫酸及び過酸化水素デイップ”と呼ぶ。

【００３２】（ｉ）次に、第四水洗サイクルのため、ウ
エハ−を再びメガソニックユニット又は急速ダンプリン
サ−を用いて超−純ＤＩ水中で水洗いする。

【００３３】（ｊ）次に、第三の化学メガソニックサイ
クルのため、ウエハ−を超−純ＤＩ水、水酸化アンモニ
ウム及び過酸化水素からなる希釈溶液のメガソニック浴
に今度は２乃至６分間浸漬する。ＤＩ水中の過酸化アン
モニアは体積で約０.８％乃至約３％であり、過酸化水
素は体積で約１．５乃至６％の範囲にある。溶液の温度
は室温から摂氏５０度の範囲である。

【００３４】（ｋ）次に、第五リンスサイクルのため、
ウエハ−をメガソニックユニット又は急速ダンプリンサ
−を用いて超−純ＤＩ水中で水洗いする。

【００３５】（ｌ）次に、第四の化学メガソニックサイ
クルのため、ウエハ−を超−純ＤＩ水、塩酸及び過酸化
水素からなる希釈液を有するメガソニック浴に２乃至６
分浸漬する。ＤＩ水中の塩酸は体積で約７乃至約１３
％、過酸化水素は体積で約７乃至１３％である。上述の
化学薬品は業界ではＳＣ−２の名で広く知られている。
溶液の温度は室温から摂氏５０度の範囲である。

【００３６】（ｍ）その後、第五の水洗サイクルのた
め、ウエハ−をメガソニックユニット又は急速ダンプリ
ンサ−を用いて超−純ＤＩ水中で水洗いする。上記好ま
しい実施態様において、前述の諸段階は逐次的に行わな
くても良い。諸段階が迅速に実施されるのでウエハ−の
乾燥する機会が無くなる。化学薬品を多数のサイクルに
使用できるように、メガソニック及び浸漬漕の双方がフ
ィルタ−付の再循環漕(re-circulate bath) であるのが
好ましい。

【００３７】

【発明の効果】より短い時間の二以上のメガソニックサ
イクルを使用すると、より長い時間の単一サイクルに比
べて、全体のサイクル時間への著しい影響なしに洗浄効
率（洗浄処理前の材料上の微粒子と洗浄後の残留微粒子
との比率）が増大する。また、暴露時間を短縮すること
により、同一の化学薬品をより多数のロットに使用でき
る。又、ウエハ−がより頻繁に水洗いされるので、化学
薬品浴それ自体の汚染をより少ない状態に保つことがで
きる。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコンウエハ−表面の物質のｐＨを判定
   し、メガソニック化学浴のｐＨを上記物質のｐＨと同等
   になるように調整し、上記ウエハ−を除去される物質の
   ｐＨと同等のｐＨを有する第一のメガソニック化学浴に
   浸漬し、上記メガソニック浴内で上記ウエハ−を洗浄す
   ることを特徴とするシリコンウエハ−の表面から物質を
   洗浄する方法。
2. 【請求項２】上記除去される物質が化学的機械的研磨に
   おいて使用されるスラリ−であり、且つ上記ウエハ−を
   更に第二のメガソニック化学浴に浸漬する段階を含む請
   求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】上記ウエハ−を上記除去される物質のｐＨ
   とほぼ同等のｐＨを有する第二のメガソニック化学浴に
   浸漬することを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】上記第一のメガソニック化学浴に当てる時
   間が約１０分乃至約１５分であることを特徴とする請求
   項１に記載の方法。
5. 【請求項５】上記第一のメガソニック化学浴に当てる時
   間が約２分乃至約１０分であることを特徴とする請求項
   １に記載の方法。
6. 【請求項６】最初に第一の化学メガソニック副サイクル
   のためにシリコンウエハ−を所定の時間メガソニック浴
   に浸漬する段階と、次に第二の化学メガソニック副サイ
   クルのために上記ウエハ−を所定の時間メガソニック浴
   に浸漬する段階とを含み、上記第一の化学メガソニック
   副サイクル及び第二の化学メガソニック副サイクルは単
   一化学サイクルの第一部分及び第二部分であり、上記ウ
   エハ−は上記第一の化学メガソニック副サイクルと第二
   の化学メガソニック副サイクルとの間で濡れの状態に維
   持される、逐次的段階からなることを特徴とするシリコ
   ンウエハ−を洗浄する方法。
7. 【請求項７】上記第一のメガソニック化学浴及び第二の
   メガソニック化学浴に当てる時間の合計が約１０乃至２
   ０分であり、好ましくは上記第一のメガソニック化学浴
   の化学薬品浴を上記第二のメガソニック浴に用いる請求
   項６に記載の方法。
8. 【請求項８】上記第一及び第二のメガソニック浴は双方
   がそれぞれ水、水酸化アンモニウム及び過酸化水素の溶
   液からなり、好ましくは第一及び第二メガソニック浴の
   双方がそれぞれ脱イオン水（ＤＩ水）、約０.８％乃至
   約３％の水酸化アンモニウム及び１．５％乃至約６％の
   過酸化水素の溶液からなり、上記第一のメガソニック浴
   のｐＨが上記除去される物質のｐＨと実質的に同等であ
   る請求項７に記載の方法。
9. 【請求項９】上記第二のメガソニック浴の実施後に第三
   の化学メガソニックサイクルのために上記ウエハ−をメ
   ガソニック浴に浸漬する付加的な段階を有し、上記第
   一、第二及び第三のメガソニック化学浴が水、水酸化ア
   ンモニウム及び過酸化水素からなる溶液であることを特
   徴とする請求項１から８のいずれかに記載のウエハ−を
   洗浄する方法。
10. 【請求項１０】上記第三のメガソニック化学浴の実施後
    に第四の化学メガソニックサイクルのために上記ウエハ
    −をメガソニック槽に浸漬する段階を有し、上記第一、
    第二及び第三の化学メガソニック浴が水、水酸化アンモ
    ニウム及び過酸化水素からなる溶液であり、上記第四の
    メガソニック化学浴が水、塩酸及び過酸化水素からなる
    溶液であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 【請求項１１】上記第二のメガソニック化学浴の後で且
    つ上記第三のメガソニック化学浴の前に上記ウエハ−を
    フッ化水素酸ディップのためにフッ化水素酸と水とから
    なる溶液にデイップし、当該ウエハ−を第三のメガソニ
    ック浴の後で且つ第四のメガソニック浴の前に硫酸及び
    過酸化水素デイップのために硫酸と過酸化水素からなる
    溶液にデイップする逐次的段階を含むことを特徴とする
    請求項１０に記載の方法。
12. 【請求項１２】上記フッ化水素酸ディップの上記フッ化
    水素酸及び水は更に水及びフッ化水素酸の比率が４０：
    １である特徴を有する請求項１１に記載の方法。
13. 【請求項１３】ウエハ−を界面活性剤ディップのために
    界面活性剤の希釈液にデイップする段階と、第一の化学
    メガソニック副サイクルのために上記ウエハ−を当該ウ
    エハ−から除去される物質のｐＨに合致する超−純水、
    水酸化アンモニウム及び過酸化水素からなる溶液のメガ
    ソニック浴に浸漬する段階と、第一水洗サイクルのため
    に上記第一の化学メガソニック副サイクルの後直ちに上
    記ウエハ−をメガソニックユニットを用いて洗浄水で水
    洗いする段階と、第二の化学メガソニック副サイクルの
    ために上記ウエハ−を上記第一の化学メガソニック副サ
    イクルで使用したものと同一の浴を有するメガソニック
    浴に浸漬する段階と、第二水洗サイクルのために上記ウ
    エハ−をメガソニックユニットを用いて洗浄水で水洗い
    する段階と、フッ化水素酸デイップのために上記ウエハ
    −をフッ化水素酸の溶液にデイップする段階と、第三水
    洗サイクルのために上記ウエハ−をメガソニックユニッ
    ト又は急速ダンプリンサ−を用いて洗浄水で水洗いする
    段階と、硫酸及び過酸化水素デイップのために上記ウエ
    ハ−を硫酸と過酸化水素からなる溶液にデイップする段
    階と、第四水洗サイクルのために上記ウエハ−をメガソ
    ニックユニット又は急速ダンプリンサ−を用いて洗浄水
    で水洗いする段階と、上記ウエハ−を第三の化学メガソ
    ニックサイクルのために超−純水、水酸化アンモニウム
    及び過酸化水素からなる溶液のメガソニック浴に浸漬す
    る段階と、第五水洗サイクルのために上記ウエハ−をメ
    ガソニックユニット又は急速ダンプリンサ−を用いて洗
    浄水で水洗いする段階と、第四の化学メガソニックサイ
    クルのために上記ウエハ−を、水、塩酸及び過酸化水素
    からなる溶液のメガソニックス槽に浸漬する段階と、第
    六水洗サイクルのために上記ウエハ−をメガソニックユ
    ニット又は急速ダンプリンサ−を用いて洗浄水で水洗い
    する段階との逐次的な段階からなることを特徴とするシ
    リコンウエハ−を洗浄する方法。
14. 【請求項１４】上記界面活性剤ディップにおいて、上記
    ウエハ−を上記界面活性剤の希釈液に５乃至１０分デイ
    ップし、上記第一のメガソニックサイクル及び第二のメ
    ガソニックサイクルにおいて、上記水はＤＩ水であり、
    上記過酸化アンモニアは当該ＤＩ水中に体積で約０.８
    ％乃至約３％、上記過酸化水素は約１．５％乃至６％の
    範囲にあり、上記溶液の温度は室温から摂氏５０度の範
    囲にあり、上記化学メガソニック副サイクルは約２分乃
    至約１０分続行し、上記第一、第二、第三、第四、第五
    及び第六水洗サイクルにおいて、上記水はＤＩ水であ
    り、上記フッ化水素酸デイップにおいて、上記水とフッ
    化水素酸の比率は約４０：１で且つ上記サイクルは１５
    乃至４０秒間続行し、上記硫酸及び過酸化水素デイップ
    において、上記ウエハ−を摂氏８０度の硫酸と過酸化水
    素の溶液に１５乃至４０秒間浸し、上記第三の化学メガ
    ソニックサイクルにおいて、上記水はＤＩ水、上記過酸
    化アンモニアはＤＩ水に体積で約４％乃至約６％、上記
    過酸化水素は約８乃至約１４％含まれており、上記溶液
    の温度は室温から摂氏５０度の範囲にあり、上記化学メ
    ガソニック副サイクルは約２秒乃至約１０秒続行し、上
    記第四の化学メガソニックサイクルにおいて、上記水は
    ＤＩ水、上記塩酸はＤＩ水に体積で約７％から約１３
    ％、上記過酸化水素は約７乃至１３％の範囲にあり、上
    記溶液の温度は室温から約摂氏５０度の範囲にあること
    を特徴とする請求項１３に記載の方法。