SU954517A1 - Раствор дл травлени нихрома - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к технике травлени  металлов, а именно к рас .творам дл  химического травлени  нихрома , примен емого при изготовлении интегргшьных схем методом фотолитографии .

Дл  травлени  нихрома обычно примен ют составы на основе сильных окислителей , например,сол ной кислоты. Процесс травлени  характеризуетс  бурным газовыделением. Пузырьки водорода , образующиес  при травлении, прилипа  к участкам травлени , преп тствуют равномерному удалению ни хрома, что приводит к по влению значительного количества непротравленных островков. Это затрудн ет осуществление процесса травлени  подложек групповым методом (цетаоли парти ми) .

Кроме того,примен емые в фотолитографии фоторезисты ограниченно стойки в агрессивных средах, поэтому при т{&влении нихрома часто происходит протрав фоторезиста и низлежаищх под ним.слоев, что ведет к необрати- мому-браку микросхем.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  раствор дл  травлени  нихрома , содержащий сол ную кислоту и во . ду М ..

Недостатками раствора  вл ютс  значительное боковое подтравливание рисунка схемы, неравномерность травлени , протрав фоторезиста и низлежащих слоев, например, алюмини  и нихрома при изготовлении резистивных микросхем с контактными площадками из алюмини .

Цель изобретени  - повышение ка10 чества и эффективности Травлени  нихрома.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что раствор дополнительно содержит изопропиловый спирт, при следую15 щем соотношении компонентов, г/л: Кислота сол на  (уд,вес 1,19 r/cif) «00-800 Спирт изопропиловыйДо 1 л

20 Дл  приготовлени  раствора сол ную кислоту вливают в изопропиловый спирт. Полученный раствор прозрачный. Добавление изопропилового спирта см гчает агрессивное действие сол ной

25 кислоты на фоторезист,  вл  сь стабилизирующей добавкой, обеспечивает равномерное травление без бокового подтравливани  и позвол ет осуществить травление подложек групповым

30 методом. Пример 1. Дл  травлени  ни хрома в окнах фоторезиста берут раствор, содержащий компоненты в следующих соотношени х, мл: Кислота сол на  ( уд.вес 1,19 r/CNf) 600 Спирт изопропиловый400 В полученный раствор погружают кассету с подложками с нанесенным, про вленным и задубленным фоторезис том. Длительность процесса травлени в таком растворе составл ет 30 с пр Контроль готовности подложек, т.е. определение окончани  процесса травлени , осуществл етс  визуально Качество травлени  определ етс  с помощью микроскопа:исчезает металли ческий блеск, по вл етс  поверхност подложки. Пример 2. Дл  травлени  ни . хрома в окнах фоторезиста готов т раствор, содержащий компоненты в сл дующей оптимальной концентрации,мл Кислота сол на  ( уд.вес 1,19 г/см) 800 Спирт йзопропиловый200 Длительность процесса травлени  растворе такой концентрации составл ет 14 с. Температура раствора та же, что в примере 1. При содержании в растворе изопропилового спирта менее 200 мл качество травлени  повышаетс  незначительно , а более 400-мл резко снижают трав ьдае свойства.раствора, т.е. понижаетс  качество травлени  и увеличиваетс  длительность процесса. Сравнительные результаты травлени  деталей (40 штук с нанесенным , про вленным-и задубленным фоторезистом , протравленных)в известном и описываемом растворах, представлены в табл.1. Результаты применени  изделий после травлени  приведены в табл.2. Таким образом, предлагаемый раствор дл  травлени  нихрома прост в приготовлении, не требует сложного оборудовани  и имеет следующие -преимущества по сравнению с известными: повышаетс  качество травлени , т.е. исчезает боковое подтравливание резистивных элементов, нихром в окнах фоторезиста травитс  более равномерно; при изготовлении многослойных микрополосковых плат,, содержащих резистивные элементы, резко повышаетс  процент выхода годных микросхем (с 20% до 90%) ; по вл етс  возможность осуществлени  процесса травлени  групповым методом, что уменьшает трудоемкость при изготовлении микросхем. Таблица 1

Температура

Врем  выдержки 10-15 мин

Температура 80-90°С Врем  выдержки 2-3 мин

Температура

,

Врем  выдержки 14 с

Полное стравливание схем с фоторезистом , нихромом и .алюминием

Подтрав каждой схемы составил 150200 мкм (при допуске 25 мкм) и ширине контактов 220 мкм

Боковое под-. травливание 1-2 мкм

Известный 40

Раствор из примера № 1 30

Claims (1)

1. Раствор из примера № 2 14 Формула изобретени  25 Раствор дл  травлени  нихрома, содержащий сол ную кислоту, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества поверхности и эффективности обработки, раствор до- зО полнительно содержит изопропиловый , спирт при следующем соотношении компонентов: Сол на  кислота уд.вес. 1,19 г/см,« г/л. 600-800

   Таблица 2

   20

   8-40

   Протрав фоторезиста и низлежащих слоев

   Протрав фото90

   1-2 резиста отсутствует

   90 Изопропиловый спирт, л Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Попилов Л.Я., Трактирова Т.Н. -Химические и электрохимические способы травлени  поверхностей деталей и изделий в.судостроении. Обзор ЦНИИ РУМБ, 1974, с.52-53.