FR2586033A1 - Procede et solution pour l'attaque du cuivre - Google Patents
Procede et solution pour l'attaque du cuivre Download PDFInfo
- Publication number
- FR2586033A1 FR2586033A1 FR8611521A FR8611521A FR2586033A1 FR 2586033 A1 FR2586033 A1 FR 2586033A1 FR 8611521 A FR8611521 A FR 8611521A FR 8611521 A FR8611521 A FR 8611521A FR 2586033 A1 FR2586033 A1 FR 2586033A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- copper
- acid
- solution
- attack
- surfactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 29
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 sulpho Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CO1 SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N retene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C(C)C)C=C3C=CC2=C1C NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 241000238876 Acari Species 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/062—Etching masks consisting of metals or alloys or metallic inorganic compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
LA PRESENTE INVENTION A POUR OBJET UN PROCEDE ET UNE SOLUTION POUR L'ATTAQUE DU CUIVRE. CETTE ATTAQUE EST EFFECTUEE AU MOYEN D'UNE SOLUTION AQUEUSE D'ACIDE NITRIQUE, D'UN POLYMERE QUI INHIBE LA GRAVURE SOUS-JACENTE DU CUIVRE, D'UN SURFACTANT, ET D'ACIDE SULFURIQUE ETOU D'UN ACIDE ALCANE-SULFONIQUE COMME L'ACIDE METHANE-SULFONIQUE. CE PROCEDE ET CETTE SOLUTION SONT UTILISES, PAR EXEMPLE, POUR ELIMINER LE CUIVRE DES SUBSTRATS DE CARTES A CIRCUITS IMPRIMES.
Description
La présente invention concerne de manière géné-
rale l'attaque des métaux, et plus précisément un procédé et une solution pour l'attaque du cuivre dans la production
de cartes à circuits imprimés.
Le brevet des E.U.A. No. 4 497 687 décrit un pro- cédé pour l'attaque du cuivre et d'autres métaux avec une solution aqueuse d'acide nitrique, etla demande de brevet des E.U.A. N 642 150 décrit un procédé similaire dans lequel la solution décapante est régénérée au fur et à mesure que la matière est éliminée. Dans chacun de ces procédés, du nitrate de cuivre ou un autre sel de cuivre est utilisé
dans la solution décapante comme électrolyte de base.
Le sel de cuivre procure une concentration élevée de NO
et une réactivité vis-à-vis du cuivre sans rendre la so-
lution suffisamment acide pour qu'elle soit également réactive vis-à-vis des réserves organiques et des matières
de substrat.
Avec le nitrate de cuivre comme électrolyte, cer-
taines difficultés ont été rencontrées lorsque de la soudure tendre
et d'autres métaux sont utilisés comme une réserve proté-
geant de l'attaque des portions de la feuille de cuivre
devant être conservées sur une carte à circuits imprimés.
Si la solution décapante est réactive vis-à-vis de l'agent de réserve, une certaine quantité de l'agent de réserve
peut être éliminée avec le cuivre d'une manière relative-
ment imprévisible et incontrôlable.
De manière générale, un objectif de la présente
invention consiste à proposer un procédé nouveau et per-
fectionné ainsi qu'une solution pour l'attaque du cuivre.
Un autre objectif de la présente invention con-
siste à proposer un procédé et une solution ayant les caractéristiques cidessus,qui sont particulièrement appropriés pour éliminer le cuivre de cartes à circuits
imprimés,dans lesquelles les portions du cuivre à conser-
ver sont protégées par de la soudure tendre ou une autre réserve
métallique.
Ces objectifs, parmi d'autres,sont atteints con-
formément à la présente invention par la mise en contact du cuivre avec une solution aqueuse d'acide nitrique, d'un polymère qui inhibe la gravure sous-jacente du cuivre, d'un surfactant et d'un acide additionnel choisi dans le groupe comprenant l'acide sulfurique, un acide alcane- sulfonique comme l'acide méthane-sulfonique et
leurs mélanges.
Il a été découvert que le procédé et la solution décapante de la présente invention produisent pratiquement les mêmes résultats souhaitables qu'une solution à base
de nitrate de cuivre en ce qui concerne les caractéris-
tiques d'ensemble de la réaction comme la vitesse, les
résidus de décapage et la manipulation. En outre, le nou-
veau procédé et la nouvelle solution sont plus tolérants vis-à-vis des réserves métalliques, en particulier l'étain.
Une solution décapante utilisant de l'acide sul-
furique possède une capacité de transport du cuivre infé-
rieure à celle d'une solution au nitrate de cuivre, et
cela réduit la quantité de cuivre dissous dans les ma-
tières entraînées. Cela réduit à son tour la nécessité de traitement des eaux usées. Le cuivre restant précipite
lorsque la solution refroidit sous forme de sulfate penta-
hydraté et est aisément éliminé.
Avec la capacité de transport du cuivre infé-
rieuredes solutions d'acide sulfurique, des cristallites de cuivre ont tendance à précipiter à la surface des cartes à circuits imprimés lorsque la solution décapante approche de la saturation. Lorsque cela est souhaitable, cette tendance peut être évitée en utilisant un acide alcanesulfonique ' la place ou en mélange avec l'acide sulfurique. Des acides alcane- sulfoniques convenables comprennent l'acide méthane-sulfonique et d'autres acides sulfoniques d'alcanes n'ayant pas plus d'environ 4 atomes
de carbone par molécule. Le sel de cuivre de l'acide sul-
fonique est considérablement plus soluble que le sulfate,
réduisant ainsi la tendance à former des cristallites.
La force des acides alcane -sulfoniques est équivalente à celle de l'acide sulfurique, et les acides sont aisément
interchangeables dans cette application. L'acide alcane-
sulfonique h'est pas consommé au cours du procédé d'at-
taque et, après la charge initiale, il est seulement né-
cessaire d'en ajouter pour compenser toute perte par affai-
blissement.
Le procédé est régénératif en ce que la solution décapante est rechargée par addition d'acide nitrique et
d'acide sulfurique au fur et à mesure que l'attaque pro-
gresse. La régénération est décrite plus en détail dans l de-
mande debrevetdesE.U.A. N 6421, déposée le 20 Août 1984.
L'utilisation d'acide sulfurique et d'acide méthane-sulfonique dans un procédé en solution aqueuse pour l'attaque du cuivre est illustrée par les exemples suivants. Exemplte 1
Une solution d'attaque du cuivre ayant la formula-
tion suivante a été préparée par mélange et chauffée à 45 C
avant utilisation.
25860 33
1500 cm3 Eau désionisée 400 cm 3 Acide sulfurique (100%) 600 cm Acide nitrique (70%) cm Acide phosphorique (85%) 100 cm Solution à 2% de Separan CP-7HS (un poly- acrylamide de Dow Chemical)
1 cm Zonyl FCS (un surfactant de DuPont).
Cette solution a été utilisée pour attaquer un échantillon de 7,08 g de feuille de cuivre ayant un motif plaqué délimité par une réserve en étain. L'échantillon
était nettement et uniformément attaqué en 37 secondes.
Le motif délimité par la réserve en étain est resté.
Une section transversale de ce motif a montré que l'atta-
que a produit des traits possédant des parois rectilignes
et que la réserve en étain n'a pas été soumise à une gra-
vure sous-jacente.
Exemplte 2
Une solution d'attaque ayant la composition sui-
vante a été préparée par mélange et chauffée à 45 C avant utilisation. 1100 cm3 Eau désionisée 800 cm Acide méthane-sulfonique (70%) 200 cm Acide sulfurique (100%) 900 cm Acide nitrique (70%) cm3 Acide phosphorique (85%)
cm Solution à 2% de Reten 520 (un poly-
acrylamide de Hercules)
5 cm Varion H.C. (un surfactant de Sherex Chemical).
Cette solution a été utilisée pour attaquer un certain nombre d'échantillons possédant des motifs plaqués en cuivre délimités par une réserve en étain ou une réserve en soudure tendre. Un échantillon ayant un motif délimité par de l'étain sur une feuille de 10,63 g a été
nettement et uniformément attaqué en 28 secondes; un échan-
tillon similaire avec une feuille de 14,17 g a été atta-
qué en 32 secondes. Un échantillon avec un motif en soudure tendre sur une feuille de 7,09 g a été nettement et uniformément attaqué en 24 secondes. Un
échantillon similaire ayant un motif en étain a été at-
taqué en 20 secondes. Une section transversale de ce
dernier échantillon a montré que les structures atta-
quées possédaient des parois rectilignes avec une gra-
vure sous-jacente minimale.
Exempte 3 Une solution décapante possédant la formulation suivante a été préparée par mélange et chauffée à 45 C
avant utilisation.
1100 cm Eau désionisée 1000 cm3 Acide méthane-sulfonique (70%) 900 cm3 Acide nitrique (70%)
100 cm3 Solution à 2% de Reten 520 (un poLy-
acrylamide de Hercules) cm Varion H.C. (un surfactant de Sherex Chemical). Cette solution a été utilisée pour attaquer un échantillon possédant un motif plaqué délimité par une réserve en étain. L'échantillon a été attaqué nettement et uniformément en 35 secondes. Une section transversale du motif attaqué a montré que les structures attaquées
possédaient une paroi rectiligne avec une gravure sous-
jacente minimale.
On peut constater d'après ces exemples que la solution décapante avec de l'acide sulfurique et/ou un acide alcane-sulfonique conserve les caractéristiques souhaitables du procédé à base de nitrate de cuivre décrit
dans le brevet des E.U.A. No. 4 497 687.
De plus, le procédé à base d'acide sulfurique/acide
sulfonique est beaucoup plus tolérant envers les réser-
ves métalliques comme la soudure tendre.
Il apparaît d'après ce aui précède qu'un pro-
cédé et une solution nouveaux et améliorés pour l'atta- que du cuivre ont été révélés. Bien que certaines formes de réalisation actuellement préférées aient été décrites en détail, comme cela est apparent pour l'homme de l'art,
certains changements et modifications peuvent être appor-
tés sans s'écarter du cadre de la présente invention tel
que défini par les revendications suivantes.
Claims (9)
1. Procédé pour l'attaque du cuivre, caractérisé en ce qu'il consiste: à mettre en contact le cuivre avec une solution aqueuse d'acide nitrique, d'un polymère, d'un surfactant et d'un acide additionnel choisi dans
le groupe comprenant l'acide sulfurique, un acide sulfo-
nique d'un alcane n'ayant pas plus de quatre atomes de
carbone par molécule et leurs mélanges.
2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que
l'acide sulfonique est l'acide méthane-sulfonique.
3. Solution aqueuse pour l'attaque du cuivré, carac-
térisée en ce qu'elle contient de l'acide nitrique, un polymère, un surfactant et un acide additionnel choisi dans le groupe comprenant l'acide sulfurique, un acide sulfonique d'un alcane n'ayant pas plus de quatre atomes
de carbone par molécule et leurs mélanges.
4. Solution suivant la revendication 3, caractérisée en ce que
l'acide sulfonique est l'acide méthane-sulfonique.
5. Procédé pour éliminer du cuivre d'un substrat de carte à circuits imprimés comprenant un métal résistant à l'attaque recouvrant une portion du cuivre devant être conservée, caractérisé en ce qu'il consiste à mettre en contact le cuivre avec une solution aqueuse d'acide nitrique, d'acide
sulfurique, d'un polymère qui inhibe la gravure sous-ja-
cente du cuivre et d'un surfactant.
6. Procédé pour éliminer du cuivre d'un substrat de carte
à circuits imprimés avec un métal résistant à l'attaque recou-
vrant une portion du cuivre devant être retenue, caracté-
risé en ce qu'il consiste à mettre en contact le cuivre
avec une solution aqueuse d'acide nitrique, d'acide sul-
furique, d'un acide sulfonique n'ayant pas plus de quatre atomes de carbone par molécule, d'un polymère qui inhibe
la gravure sous-jacente du cuivre et d'un surfactant.
7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que
l'acide sulfonique est l'acide méthane-sulfonique.
8. Procédé pour éliminer du cuivre d'un substratde carte à circuits imprimés avec un métal résistant à l'attaque recouvrant une portion du cuivre decant être retenue, caractérisé en ce qu'il consiste à mettre en contact le cuivre avec une solution aqueuse d'acide nitrique, d'un acide sulfonique n'ayant pas plus de quatre atomes de carbone par molécule, d'un polymère qui inhibe la gravure
sous-jacente du cuivre, et d'un surfactant.
9. Procédé suivant la revendication 8,,caractérisé en ce que
l'acide sulfonique est l'acide méthane-sulfonique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/764,582 US4632727A (en) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | Copper etching process and solution |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2586033A1 true FR2586033A1 (fr) | 1987-02-13 |
Family
ID=25071140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8611521A Withdrawn FR2586033A1 (fr) | 1985-08-12 | 1986-08-08 | Procede et solution pour l'attaque du cuivre |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4632727A (fr) |
| JP (1) | JPS6240385A (fr) |
| CA (1) | CA1274455A (fr) |
| DE (1) | DE3624667A1 (fr) |
| FR (1) | FR2586033A1 (fr) |
| GB (1) | GB2178700B (fr) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695348A (en) * | 1986-09-15 | 1987-09-22 | Psi Star | Copper etching process and product |
| DE3642604A1 (de) * | 1986-12-13 | 1988-06-23 | Henkel Kgaa | Verwendung kurzkettiger alkansulfonsaeuren in reinigungs- und desinfektionsmitteln |
| GB2206541A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-11 | Psi Star Inc | Manufacturing printed circuit boards |
| US4944851A (en) * | 1989-06-05 | 1990-07-31 | Macdermid, Incorporated | Electrolytic method for regenerating tin or tin-lead alloy stripping compositions |
| US4921571A (en) * | 1989-07-28 | 1990-05-01 | Macdermid, Incorporated | Inhibited composition and method for stripping tin, lead or tin-lead alloy from copper surfaces |
| US4952275A (en) * | 1989-12-15 | 1990-08-28 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Copper etching solution and method |
| US5104688A (en) * | 1990-06-04 | 1992-04-14 | Macdermid, Incorporated | Pretreatment composition and process for tin-lead immersion plating |
| US5304284A (en) * | 1991-10-18 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Methods for etching a less reactive material in the presence of a more reactive material |
| US5225034A (en) * | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
| US6090214A (en) * | 1998-06-22 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Cleaning method using ammonium persulphate to remove slurry particles from CMP substrates |
| SG99289A1 (en) | 1998-10-23 | 2003-10-27 | Ibm | Chemical-mechanical planarization of metallurgy |
| US6375693B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy |
| WO2004090937A2 (fr) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Technion Research & Development Foundation Ltd | Composition de dispersion de polissage mecano-chimique de cuivre |
| KR20070092219A (ko) | 2004-12-06 | 2007-09-12 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 에칭 용액 및 이를 위한 첨가제 |
| US20090057155A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Battey James F | Process of preparing copper foil for use in fine geometry circuit boards |
| US8349739B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conformal etch material and process |
| US8647523B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-02-11 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching composition |
| TWI577834B (zh) | 2011-10-21 | 2017-04-11 | 富士軟片電子材料美國股份有限公司 | 新穎的鈍化組成物及方法 |
| CN102691063B (zh) * | 2012-06-13 | 2013-11-13 | 南京大学 | 一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液 |
| US8709277B2 (en) | 2012-09-10 | 2014-04-29 | Fujifilm Corporation | Etching composition |
| WO2014064050A1 (fr) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Basf Se | Traitement de corps moulés contenant du cuivre avec un mélange contenant des acides exempts de chlore et de carboxyle et des agents d'oxydation |
| JP6218000B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-10-25 | メック株式会社 | 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法 |
| EP3518631A1 (fr) | 2018-01-29 | 2019-07-31 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Gravure anisotrope faisant appel à des polymères fortement ramifiés |
| US11678433B2 (en) | 2018-09-06 | 2023-06-13 | D-Wave Systems Inc. | Printed circuit board assembly for edge-coupling to an integrated circuit |
| US11647590B2 (en) | 2019-06-18 | 2023-05-09 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for etching of metals |
| US12033996B2 (en) | 2019-09-23 | 2024-07-09 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for assembling processor systems |
| CN113774382B (zh) * | 2021-08-30 | 2024-01-16 | 漳州思美科新材料有限公司 | 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU514912A1 (ru) * | 1973-01-26 | 1976-05-25 | Уральский научно-исследовательский институт трубной промышленности | Раствор дл химического полировани |
| DE2800851A1 (de) * | 1978-01-10 | 1979-07-19 | Shipley Co | Aetzmittel und dessen verwendung zum aetzen von metall |
| GB2074103A (en) * | 1980-04-17 | 1981-10-28 | Dart Ind Inc | Metal stripping composition and method |
| DE3421064A1 (de) * | 1983-06-06 | 1984-12-06 | PSI Star, Inc., Hayward, Calif. | Verfahren zum aetzen eines metalls |
| FR2569206A1 (fr) * | 1984-08-20 | 1986-02-21 | Psi Star Inc | Procede et solution regenerable d'attaque d'un metal |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3367874A (en) * | 1966-09-23 | 1968-02-06 | Haviland Products Co | Process and composition for acid dissolution of metals |
| US3702273A (en) * | 1970-12-21 | 1972-11-07 | Ibm | Etching compositions and method for etching cu and ni based metals at a uniform rate |
| US4497687A (en) * | 1983-07-28 | 1985-02-05 | Psi Star, Inc. | Aqueous process for etching cooper and other metals |
-
1985
- 1985-08-12 US US06/764,582 patent/US4632727A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-06-24 CA CA000512260A patent/CA1274455A/fr not_active Expired
- 1986-07-21 GB GB8617766A patent/GB2178700B/en not_active Expired
- 1986-07-22 DE DE19863624667 patent/DE3624667A1/de not_active Withdrawn
- 1986-08-08 FR FR8611521A patent/FR2586033A1/fr not_active Withdrawn
- 1986-08-11 JP JP61188364A patent/JPS6240385A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU514912A1 (ru) * | 1973-01-26 | 1976-05-25 | Уральский научно-исследовательский институт трубной промышленности | Раствор дл химического полировани |
| DE2800851A1 (de) * | 1978-01-10 | 1979-07-19 | Shipley Co | Aetzmittel und dessen verwendung zum aetzen von metall |
| GB2074103A (en) * | 1980-04-17 | 1981-10-28 | Dart Ind Inc | Metal stripping composition and method |
| DE3421064A1 (de) * | 1983-06-06 | 1984-12-06 | PSI Star, Inc., Hayward, Calif. | Verfahren zum aetzen eines metalls |
| FR2569206A1 (fr) * | 1984-08-20 | 1986-02-21 | Psi Star Inc | Procede et solution regenerable d'attaque d'un metal |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 85, no. 18, 1er novembre 1976, page 367, résumé no. 129219n, Columbus Ohio, US; & SU-A-514 912 (ALL-UNION SCIENTIFIC-RESEARCH AND DESIGN-TECHNOLOGICAL INSTITUTE OF THE PIPE INDUSTRY) 25-05-1976 * |
| Résumé * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8617766D0 (en) | 1986-08-28 |
| GB2178700B (en) | 1989-07-26 |
| GB2178700A (en) | 1987-02-18 |
| JPH0344151B2 (fr) | 1991-07-05 |
| DE3624667A1 (de) | 1987-02-19 |
| CA1274455A (fr) | 1990-09-25 |
| JPS6240385A (ja) | 1987-02-21 |
| US4632727A (en) | 1986-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2586033A1 (fr) | Procede et solution pour l'attaque du cuivre | |
| US4687545A (en) | Process for stripping tin or tin-lead alloy from copper | |
| RU97112397A (ru) | Способ извлечения меди из сернистой медной руды или концентрата | |
| EP0432223A1 (fr) | Procede electrolytique de regeneration des compositions d'elimination de revetements a base d'etain ou d'alliages d'etain et de plomb | |
| CN108950562B (zh) | 一种pcb板两段法退锡的方法 | |
| US4957653A (en) | Composition containing alkane sulfonic acid and ferric nitrate for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces, and method for stripping tin or tin-lead alloy | |
| CN1057800C (zh) | 铜蚀刻液用添加剂 | |
| FR2429262A1 (fr) | Procede de recuperation de cuivre | |
| EP2594662B1 (fr) | Composition aqueuse pour gravure du cuivre et des alliages de cuivre | |
| FR2551078A1 (fr) | Perfectionnements aux compositions pour la dissolution de metaux et procede de dissolution | |
| JPS63502600A (ja) | はんだ剥離溶液の再生方法 | |
| FR2601968A1 (fr) | Bains decapants et procede pour eliminer un revetement comprenant du niobium sur un substrat. | |
| JPH01129491A (ja) | 錫または錫一鉛合金の剥離方法 | |
| FR2617667A1 (fr) | Procede de fabrication d'une plaquette a circuit imprime et cette plaquette | |
| JPH0242904B2 (fr) | ||
| FR2555600A1 (fr) | Compositions ameliorees pour la dissolution de metaux et procede de dissolution | |
| CZ287495A3 (cs) | Způsob zpracování odpadních leptacích lázní s obsahem mědi | |
| SU1696614A1 (ru) | Электролит дл удалени медных покрытий | |
| FR2551079A1 (fr) | Compositions perfectionnees pour la dissolution de metaux et procede de dissolution | |
| RU2247073C2 (ru) | Способ получения дигидрата тетрахлорокупрата (ii) аммония | |
| SU570659A1 (ru) | Способ изготовлени сетчатых металлических трафаретов | |
| JP2000129470A (ja) | パラジウムまたはパラジウム合金の剥離液 | |
| SU1126629A1 (ru) | Способ химической обработки медной фольги | |
| KR20010088260A (ko) | 염화동 폐액으로부터 고순도 황산동의 제조방법 | |
| JPS5887275A (ja) | Ｃｕ及びＣｕ合金上のＳｎ層の剥離法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |