JP3416555B2 - ガラス基板の高精度洗浄方法 - Google Patents
ガラス基板の高精度洗浄方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 118
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 109
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 55
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 24
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 20
- -1 compound ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 11
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 10
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 claims description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 2
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 claims description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKQVKDSMLBJBJ-UHFFFAOYSA-N ammonium carbonate Chemical compound N.N.OC(O)=O PRKQVKDSMLBJBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N ammonium phosphates Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])([O-])=O ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O oxonium Chemical compound [OH3+] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000006058 strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの大規模
記憶媒体として用いられるハードディスクなどとして使
用される磁気（垂直磁化）ディスク、光ディスク、光磁
気ディスクなど各種ディスク基板、半導体ガラス基板、
液晶用ガラス基板などの洗浄方法に関し、特に、研磨メ
ディアに対する表面のＳｌａｋｉｎｇ（ 表面が空気ま
たは水にさらされてぼろぼろにくだけて分解すること、
または、ぼろぼろに分解された状態）による残留物およ
びアルカリ金属成分により、その放置期間内に生ずる腐
食の発生の防止するガラス基板の高精度洗浄方法に関す
る。
記憶媒体として用いられるハードディスクなどとして使
用される磁気（垂直磁化）ディスク、光ディスク、光磁
気ディスクなど各種ディスク基板、半導体ガラス基板、
液晶用ガラス基板などの洗浄方法に関し、特に、研磨メ
ディアに対する表面のＳｌａｋｉｎｇ（ 表面が空気ま
たは水にさらされてぼろぼろにくだけて分解すること、
または、ぼろぼろに分解された状態）による残留物およ
びアルカリ金属成分により、その放置期間内に生ずる腐
食の発生の防止するガラス基板の高精度洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの大規模記憶媒体と
して用いられるハードディスク（磁気ディスク基板）
は、アルミニウム合金を用い、その表面をニッケルーリ
ンメッキした基板が広く用いられてきたが、最近のハー
ドディスクドライブの小型化、高密度化およびこのため
の磁気ヘッドの低浮上化、対衝撃性の向上等のためガラ
ス基板の使用される割合が増えてきている。このような
磁気（垂直磁化）ディスク、光ディスク、光磁気ディス
クなど各種ディスク基板、半導体ガラス基板、液晶用ガ
ラス基板などのディスク基板は、特に、高精度ディスク
基板として使用されるガラス基板の研磨仕上げ粗度は、
Ｒａ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）としては、５Å＜であっ
た。
して用いられるハードディスク（磁気ディスク基板）
は、アルミニウム合金を用い、その表面をニッケルーリ
ンメッキした基板が広く用いられてきたが、最近のハー
ドディスクドライブの小型化、高密度化およびこのため
の磁気ヘッドの低浮上化、対衝撃性の向上等のためガラ
ス基板の使用される割合が増えてきている。このような
磁気（垂直磁化）ディスク、光ディスク、光磁気ディス
クなど各種ディスク基板、半導体ガラス基板、液晶用ガ
ラス基板などのディスク基板は、特に、高精度ディスク
基板として使用されるガラス基板の研磨仕上げ粗度は、
Ｒａ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）としては、５Å＜であっ
た。
【０００３】また、半導体用ガラス基板（フォトマスク
など）、液晶ガラス基板においても、その粗度、スリー
クにおいて、Ｒａ ５Å≧、Ｒｐ２０Å≧の面精度が、
高密度化と共に要求されてきている。
など）、液晶ガラス基板においても、その粗度、スリー
クにおいて、Ｒａ ５Å≧、Ｒｐ２０Å≧の面精度が、
高密度化と共に要求されてきている。
【０００４】このように、磁気ディスク、光ディスク、
光磁気ディスクなど各種ディスク基板、半導体ガラス基
板、液晶用ガラス基板などの各種ディスク基板の基板材
料として、ガラスが用いられる理由は、まず、ガラス組
成が、物理化学的に非常に安定した組成であること、容
易に、その表面の平滑性が得られやすいことによる。
光磁気ディスクなど各種ディスク基板、半導体ガラス基
板、液晶用ガラス基板などの各種ディスク基板の基板材
料として、ガラスが用いられる理由は、まず、ガラス組
成が、物理化学的に非常に安定した組成であること、容
易に、その表面の平滑性が得られやすいことによる。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】特に、上述のよう
に、その表面の品位が要求されるディスクは、表面平滑
性の要求故に、例えば、これを磁気ディスクとして使用
した場合における発生する媒体ノイズとの関係について
いえば、このようなディスク表面の粗度に基づく媒体ノ
イズは、ガラス基板の表面平滑性と、磁性膜スパッタ附
着工程中に吸着される水分が原因とされる。この水分
は、製造時に、媒体製造工程に入る直前に洗浄される際
の洗浄水が残存することもあれば、また、製造時、完全
に乾燥させて、水分除去されたものであっても、ディス
ク表面に僅かのアルカリ成分が存在することにより、デ
ィスクが継続使用される間に、該アルカリ成分が加水分
解により、水分を吸着せしめ、この吸着される水分によ
り、媒体特性であるディスクのＳ／Ｎ比が劣化する原因
となっていた。
に、その表面の品位が要求されるディスクは、表面平滑
性の要求故に、例えば、これを磁気ディスクとして使用
した場合における発生する媒体ノイズとの関係について
いえば、このようなディスク表面の粗度に基づく媒体ノ
イズは、ガラス基板の表面平滑性と、磁性膜スパッタ附
着工程中に吸着される水分が原因とされる。この水分
は、製造時に、媒体製造工程に入る直前に洗浄される際
の洗浄水が残存することもあれば、また、製造時、完全
に乾燥させて、水分除去されたものであっても、ディス
ク表面に僅かのアルカリ成分が存在することにより、デ
ィスクが継続使用される間に、該アルカリ成分が加水分
解により、水分を吸着せしめ、この吸着される水分によ
り、媒体特性であるディスクのＳ／Ｎ比が劣化する原因
となっていた。
【０００６】さらに、ガラス基板表面にアルカリ成分が
存在すると、スレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）現象（表
面が空気または水にさらされてぼろぼろにくだけて分解
する現象）により、表面粗度が劣化するとともに、その
アルカリ成分自体が、ガラス基板表面に形成される磁性
膜中に拡散し、ディスク表面のコロージョン（腐食）の
原因となる。特に、ディスク表面にナトリウムイオンが
存在すると、ディスク製造時の記憶媒体の膜形成に際
し、記憶媒体層の劣化をまねく最悪な状態となる。すな
わち、ディスク表面に突起物が成長したり、また、浸食
によってクレーター状の凹みが発生したりして、その面
粗度に大きな影響を与えることとなる。
存在すると、スレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）現象（表
面が空気または水にさらされてぼろぼろにくだけて分解
する現象）により、表面粗度が劣化するとともに、その
アルカリ成分自体が、ガラス基板表面に形成される磁性
膜中に拡散し、ディスク表面のコロージョン（腐食）の
原因となる。特に、ディスク表面にナトリウムイオンが
存在すると、ディスク製造時の記憶媒体の膜形成に際
し、記憶媒体層の劣化をまねく最悪な状態となる。すな
わち、ディスク表面に突起物が成長したり、また、浸食
によってクレーター状の凹みが発生したりして、その面
粗度に大きな影響を与えることとなる。
【０００７】また、同様に、半導体ディスク製造におい
ても、これらのアルカリ成分が存在することは、半導体
自体に抵抗変化を引き起こし、部分的不良個所を招来せ
しめ、問題が多発することとなる。
ても、これらのアルカリ成分が存在することは、半導体
自体に抵抗変化を引き起こし、部分的不良個所を招来せ
しめ、問題が多発することとなる。
【０００８】表面粗度Ｒａが、１０〜２０Å程度のガラ
ス基板を製造するには、アルカリ成分の存在、メディア
残滓、特に、ナトリウムイオンの存在を考慮する必要は
あまりないが、今後必要とされる表面粗度Ｒａが５Å以
下のガラス基板においては、ファイナルポリッシュ（最
終研磨工程）が必要となり、この研磨工程により、露出
した面はアルカリ成分のリッチ条件となる。
ス基板を製造するには、アルカリ成分の存在、メディア
残滓、特に、ナトリウムイオンの存在を考慮する必要は
あまりないが、今後必要とされる表面粗度Ｒａが５Å以
下のガラス基板においては、ファイナルポリッシュ（最
終研磨工程）が必要となり、この研磨工程により、露出
した面はアルカリ成分のリッチ条件となる。
【０００９】また、この最終の研磨工程を経たディスク
基板は、微小のひび割れであるマイクロクラックが多発
する場合があり、その場合には、このマイクロクラック
内に上記の研磨液などが浸透し、これがため、長期間の
使用のうちには、接触する媒体を腐食させる原因とな
る。
基板は、微小のひび割れであるマイクロクラックが多発
する場合があり、その場合には、このマイクロクラック
内に上記の研磨液などが浸透し、これがため、長期間の
使用のうちには、接触する媒体を腐食させる原因とな
る。
【００１０】そして、この最終研磨工程を経た後にもデ
ィスク表面には、アルカリ成分が存在することがあり、
このようなアルカリ成分は、空気等にさらされてぼろぼ
ろにくだけて分解した表面を有する（ｓｌａｋｉｎｇ現
象）。このスレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）現象による
化合物を除去するためには、そのディスク表面を塩酸、
硝酸、硫酸、燐酸等の無機酸からなる酸系物質を用いて
洗浄しても、アルカリ成分は除去出来るかも知れない
が、今度は逆に、酸を含む液による処理により、エッチ
ング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはスレイキング（ｓｌａｋ
ｉｎｇ）が生じ、表面粗度が低下する。さらに、酸を含
む液による処理によるガラス基板の表面に残留する酸成
分を除去するため、新たな洗浄工程を必要とする。
ィスク表面には、アルカリ成分が存在することがあり、
このようなアルカリ成分は、空気等にさらされてぼろぼ
ろにくだけて分解した表面を有する（ｓｌａｋｉｎｇ現
象）。このスレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）現象による
化合物を除去するためには、そのディスク表面を塩酸、
硝酸、硫酸、燐酸等の無機酸からなる酸系物質を用いて
洗浄しても、アルカリ成分は除去出来るかも知れない
が、今度は逆に、酸を含む液による処理により、エッチ
ング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはスレイキング（ｓｌａｋ
ｉｎｇ）が生じ、表面粗度が低下する。さらに、酸を含
む液による処理によるガラス基板の表面に残留する酸成
分を除去するため、新たな洗浄工程を必要とする。
【００１１】また、酸による洗浄を行った場合には、酸
を主体とする成分が、表面に依然として残留し、あるい
は、ガラス基板のマイクロクラックに浸透して、これら
の表面残留物やマイクロクラックへの浸透物によって、
特に、磁性記録媒体の離膜およびスパッタにより、磁性
記録媒体膜中にイオンマイグレーンマンを生じて、Ｓ／
Ｎ比を下げる結果ともなり得る。また、半導体、液晶用
ガラス基板においても同様である。
を主体とする成分が、表面に依然として残留し、あるい
は、ガラス基板のマイクロクラックに浸透して、これら
の表面残留物やマイクロクラックへの浸透物によって、
特に、磁性記録媒体の離膜およびスパッタにより、磁性
記録媒体膜中にイオンマイグレーンマンを生じて、Ｓ／
Ｎ比を下げる結果ともなり得る。また、半導体、液晶用
ガラス基板においても同様である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
上の問題点を解決せんとなされたものであり、最終の研
磨仕上げ後のガラス基板（結晶化ガラスを含む）につい
て、従来の最終洗浄の後に発生する突起物、附着物、す
なわち、最終洗浄工程で浸食（ＥＲＲＯＳＩＯＮ）や腐
蝕（ＣＯＲＲＯＳＩＯＮ）により発生する突起物や付着
物を電気分極によるアノード電解水（以下、「活性イオ
ン水」または「イオン水」ともいう。）にて洗浄して、
基板表面のアルカリイオンを除去することを目的とし、
ガラス基板を所定の寸法に加工研磨後、該ガラス基板の
表面に附着したアルカリ塩を通常の酸で溶かし除去する
工程と、前記ガラス基板の表面粗度Ｒａを５Å以下にな
るまでの最終研磨工程と、前記ガラス基板を所定の濃度
の水素イオン（ヒドロニユウムイオン）を含むアノード
電解水とで所定の時間浸漬する工程と、その後、純水で
洗浄する工程と、純水での洗浄後、乾燥する工程とから
なる。なお、電解の際の電解質として、特にアンモニウ
ム塩を含む電解水を使用するようにした。
上の問題点を解決せんとなされたものであり、最終の研
磨仕上げ後のガラス基板（結晶化ガラスを含む）につい
て、従来の最終洗浄の後に発生する突起物、附着物、す
なわち、最終洗浄工程で浸食（ＥＲＲＯＳＩＯＮ）や腐
蝕（ＣＯＲＲＯＳＩＯＮ）により発生する突起物や付着
物を電気分極によるアノード電解水（以下、「活性イオ
ン水」または「イオン水」ともいう。）にて洗浄して、
基板表面のアルカリイオンを除去することを目的とし、
ガラス基板を所定の寸法に加工研磨後、該ガラス基板の
表面に附着したアルカリ塩を通常の酸で溶かし除去する
工程と、前記ガラス基板の表面粗度Ｒａを５Å以下にな
るまでの最終研磨工程と、前記ガラス基板を所定の濃度
の水素イオン（ヒドロニユウムイオン）を含むアノード
電解水とで所定の時間浸漬する工程と、その後、純水で
洗浄する工程と、純水での洗浄後、乾燥する工程とから
なる。なお、電解の際の電解質として、特にアンモニウ
ム塩を含む電解水を使用するようにした。
【００１３】すなわち、本願発明は、ガラス基板の高精
度洗浄方法において、ガラス基板を電解質添加による活
性イオン水にて洗浄し、従来の洗浄工程に最中で付着す
る基板表面のアルカリ金属附着物や、同洗浄工程中で生
じるスレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）により発生する化
合物を除去することを目的とする。
度洗浄方法において、ガラス基板を電解質添加による活
性イオン水にて洗浄し、従来の洗浄工程に最中で付着す
る基板表面のアルカリ金属附着物や、同洗浄工程中で生
じるスレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）により発生する化
合物を除去することを目的とする。
【００１４】また、本願発明は、各該ガラス基板をアン
モニウム塩等の電解質液を添加して電気分解によって得
られる電気分極を有する活性イオン水（「アノード電解
水」）にて、該ガラス基板を洗浄して、該ガラス基板表
面のアルカリ金属を除去しようとするものであり、ま
た、洗浄の工程中に招来するスレイキング（ｓｌａｋｉ
ｎｇ）による残留物や汚れを同時に除去することを目的
とする。
モニウム塩等の電解質液を添加して電気分解によって得
られる電気分極を有する活性イオン水（「アノード電解
水」）にて、該ガラス基板を洗浄して、該ガラス基板表
面のアルカリ金属を除去しようとするものであり、ま
た、洗浄の工程中に招来するスレイキング（ｓｌａｋｉ
ｎｇ）による残留物や汚れを同時に除去することを目的
とする。
【００１５】このため、本願発明は、精密ガラス基板
（磁気ディスク用ガラス、半導体用ガラス、結晶用ガラ
ス基板等）の洗浄に使用する前記活性イオン水は、ｐＨ
２．０〜５．０、ｐＨ８．０〜１１．０のＨ＋イオン、
ＮＨ４ +イオン、ＣＯ３ ＋＋ イオンまたはＯＨ−イオ
ン、ＮＯ３ −−イオン、Ｃｌ−イオン、ＳＯ４ −−イオ
ン、ＰＯ４ ３−イオンのいずれかのイオンを有するアノ
ード電解水であることを特徴とする。
（磁気ディスク用ガラス、半導体用ガラス、結晶用ガラ
ス基板等）の洗浄に使用する前記活性イオン水は、ｐＨ
２．０〜５．０、ｐＨ８．０〜１１．０のＨ＋イオン、
ＮＨ４ +イオン、ＣＯ３ ＋＋ イオンまたはＯＨ−イオ
ン、ＮＯ３ −−イオン、Ｃｌ−イオン、ＳＯ４ −−イオ
ン、ＰＯ４ ３−イオンのいずれかのイオンを有するアノ
ード電解水であることを特徴とする。
【００１６】また、本願発明は、所定の表面粗度に仕上
げる製造工程後に、電気分極による活性イオン水中に所
定時間浸漬してガラス基板表面のスレイキング（ｓｌａ
ｋｉｎｇ）によって発生する成分およびアルカリ成分を
選択的に除去することを目的とする。具体的には、本願
請求項１に係る発明は、ガラス基板の高精度洗浄方法に
おいて、研磨仕上げ後のガラス基板（結晶化ガラスを含
む）を電気分極による活性イオン水に浸漬または当該活
性イオン水で洗浄して前記ガラス基板表面に付着するア
ルカリ成分およびスレイキング崩壊金属イオンまたはそ
れらの化合物イオンを除去する前記研磨仕上げ後の洗浄
工程において、電気分解の際に使用する電解質としてア
ンモニア塩（塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム塩、
硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、水酸化アンモニ
ウム、リン酸アンモニウム塩など）を使用し、Ｈ ＋ イオ
ン、ＮＨ ４ ＋ イオンおよび／またはＯＨ − 、Ｃ
Ｏ ３ ２− 、Ｃｌ − 、ＮＯ ３ −− 、ＳＯ ４ −− 、ＰＯ ４
３− のいずれか一を含み、前記ガラス基板表面に付着す
るスレイキング崩壊金属イオンまたはその化合物イオン
の種類によって、前記アンモニア塩を選択して生成され
たアノード電解水である活性イオン水で前記ガラス基板
表面に付着するアルカリ成分およびスレイキング崩壊金
属イオンまたはそれらの化合物イオンを除去することを
特徴する。
げる製造工程後に、電気分極による活性イオン水中に所
定時間浸漬してガラス基板表面のスレイキング（ｓｌａ
ｋｉｎｇ）によって発生する成分およびアルカリ成分を
選択的に除去することを目的とする。具体的には、本願
請求項１に係る発明は、ガラス基板の高精度洗浄方法に
おいて、研磨仕上げ後のガラス基板（結晶化ガラスを含
む）を電気分極による活性イオン水に浸漬または当該活
性イオン水で洗浄して前記ガラス基板表面に付着するア
ルカリ成分およびスレイキング崩壊金属イオンまたはそ
れらの化合物イオンを除去する前記研磨仕上げ後の洗浄
工程において、電気分解の際に使用する電解質としてア
ンモニア塩（塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム塩、
硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、水酸化アンモニ
ウム、リン酸アンモニウム塩など）を使用し、Ｈ ＋ イオ
ン、ＮＨ ４ ＋ イオンおよび／またはＯＨ − 、Ｃ
Ｏ ３ ２− 、Ｃｌ − 、ＮＯ ３ −− 、ＳＯ ４ −− 、ＰＯ ４
３− のいずれか一を含み、前記ガラス基板表面に付着す
るスレイキング崩壊金属イオンまたはその化合物イオン
の種類によって、前記アンモニア塩を選択して生成され
たアノード電解水である活性イオン水で前記ガラス基板
表面に付着するアルカリ成分およびスレイキング崩壊金
属イオンまたはそれらの化合物イオンを除去することを
特徴する。
【００１７】また、本願請求項２に係る発明は、前記請
求項１に係るガラス基板の高精度洗浄方法において、前
記ガラス基板表面に付着するスレイキング崩壊金属イオ
ンまたはそのその化合物イオンは、アルカリ金属イオン
であることを特徴とする。
求項１に係るガラス基板の高精度洗浄方法において、前
記ガラス基板表面に付着するスレイキング崩壊金属イオ
ンまたはそのその化合物イオンは、アルカリ金属イオン
であることを特徴とする。
【００１８】そして、本願請求項３に係る発明は、前記
請求項１に係るガラス基板の高精度洗浄方法において、
前記活性イオン水はｐＨ２．０〜５．０、ｐＨ８．０〜
１１．０のアノード電解水であることを特徴とする。
請求項１に係るガラス基板の高精度洗浄方法において、
前記活性イオン水はｐＨ２．０〜５．０、ｐＨ８．０〜
１１．０のアノード電解水であることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の態様】本発明に係るガラス基板の高精度
洗浄方法を実施する一実施の形態について説明する。ま
ず、本実施の形態においては、被処理用ガラス素材基板
のガラス組成としては、次のものを採用した。 ＳｉＯ２ ６２．４ Ａｌ２Ｏ３ ３．０ Ｂ２Ｏ３ １．１ Ｎａ２Ｏ ９．０ Ｋ２Ｏ ９．０ ＭｇＯ ３．０ ＺｎＯ １２．０ ＴｉＯ２ ０．６ Ａｓ２Ｏ３ ０．２ Ｓｂ２Ｏ３ ０．３ 数値は、いずれも（ＷＴ％）で示す。なお、本実施の形
態においては、上記組成を有するガラス素材基板を使用
したが、これは、上記組成に限られるものではなく、適
宜のガラス素材基板、例えば、結晶化ガラス基板であっ
ても良い。
洗浄方法を実施する一実施の形態について説明する。ま
ず、本実施の形態においては、被処理用ガラス素材基板
のガラス組成としては、次のものを採用した。 ＳｉＯ２ ６２．４ Ａｌ２Ｏ３ ３．０ Ｂ２Ｏ３ １．１ Ｎａ２Ｏ ９．０ Ｋ２Ｏ ９．０ ＭｇＯ ３．０ ＺｎＯ １２．０ ＴｉＯ２ ０．６ Ａｓ２Ｏ３ ０．２ Ｓｂ２Ｏ３ ０．３ 数値は、いずれも（ＷＴ％）で示す。なお、本実施の形
態においては、上記組成を有するガラス素材基板を使用
したが、これは、上記組成に限られるものではなく、適
宜のガラス素材基板、例えば、結晶化ガラス基板であっ
ても良い。
【００２０】上記成分を溶解し、気泡（シーズを含む）
脈理のない超均質なガラス素材基板を得るように、ダイ
レクトプレスまたはシート化法にてガラス素材基板を成
形する。その後、内外周加工およびラフ（Ｒｏｕｇｈ）
研磨、精密研磨を経て所定の寸法に加工する。
脈理のない超均質なガラス素材基板を得るように、ダイ
レクトプレスまたはシート化法にてガラス素材基板を成
形する。その後、内外周加工およびラフ（Ｒｏｕｇｈ）
研磨、精密研磨を経て所定の寸法に加工する。
【００２１】次いで、加工されたガラス素材基板は、
後、１０〜１００００オングストローム(Å)(１〜１０
００nm)の大きさの粒子相が他相に分散している、いわ
ゆるコロイダルシリカ等の研磨剤を使用し、ガラス素材
基板表面粗度Ｒａが５Å以下になるよう研磨する。
後、１０〜１００００オングストローム(Å)(１〜１０
００nm)の大きさの粒子相が他相に分散している、いわ
ゆるコロイダルシリカ等の研磨剤を使用し、ガラス素材
基板表面粗度Ｒａが５Å以下になるよう研磨する。
【００２２】その後、該ガラス基板の表面に附着したア
ルカリ塩を通常の酸で溶かし除去する。この酸として、
例えば、所定濃度の塩酸、硫酸、燐酸、クロム酸塩、過
塩素酸塩等であっても良い。また、コロイダルシリカを
用いて、前記ガラス基板の表面粗度Ｒａを５Å以下にな
るまでの最終研磨を行う。
ルカリ塩を通常の酸で溶かし除去する。この酸として、
例えば、所定濃度の塩酸、硫酸、燐酸、クロム酸塩、過
塩素酸塩等であっても良い。また、コロイダルシリカを
用いて、前記ガラス基板の表面粗度Ｒａを５Å以下にな
るまでの最終研磨を行う。
【００２３】さらに、前記ガラス基板を所定の濃度のヒ
ドロニユウムイオン（具体的には、電気分極された活性
イオン水）を含むアノード電解水に所定の時間浸漬す
る。
ドロニユウムイオン（具体的には、電気分極された活性
イオン水）を含むアノード電解水に所定の時間浸漬す
る。
【００２４】このアノード電解水は、図１に示す装置に
より生成される。図１は、このアノード電解水生成装置
の概要を示すものであり、図１において、１は、アノー
ドおよびカソードを備えた電解槽であり、２は、電解質
槽、３は、水道栓７からの水を純水にする純水器（イオ
ン交換器）、４は、アルカリ性貯水タンク、５は、酸性
貯水タンク、６は、各アノード、カソードに給電するＤ
Ｃ電源である。図１に示すアノード電解水生成装置で
は、前記水道栓７からの給水を受け、これを前記純水器
３で純水化して、これに、前記電解質槽２において、所
定の割合の電解質を添加し、これを前記電解槽１に導い
て、前記ＤＣ電源により、カソード、アノードに印加し
て、電気分解を行い、各貯水タンク４，５にカソード電
解水、アノード電解水を貯水する。このため、ＤＣ電源
６その他の電解条件は、以下の通りとした。
より生成される。図１は、このアノード電解水生成装置
の概要を示すものであり、図１において、１は、アノー
ドおよびカソードを備えた電解槽であり、２は、電解質
槽、３は、水道栓７からの水を純水にする純水器（イオ
ン交換器）、４は、アルカリ性貯水タンク、５は、酸性
貯水タンク、６は、各アノード、カソードに給電するＤ
Ｃ電源である。図１に示すアノード電解水生成装置で
は、前記水道栓７からの給水を受け、これを前記純水器
３で純水化して、これに、前記電解質槽２において、所
定の割合の電解質を添加し、これを前記電解槽１に導い
て、前記ＤＣ電源により、カソード、アノードに印加し
て、電気分解を行い、各貯水タンク４，５にカソード電
解水、アノード電解水を貯水する。このため、ＤＣ電源
６その他の電解条件は、以下の通りとした。
【００２５】第一に、電気分解する水は、予め、イオン
交換器かＲＯＣ器でイオン交換した純水を供給する。こ
の場合の電気伝導度は２μｓ／ｃｍ２以下（アルカリイ
オンを除く）とする。
交換器かＲＯＣ器でイオン交換した純水を供給する。こ
の場合の電気伝導度は２μｓ／ｃｍ２以下（アルカリイ
オンを除く）とする。
【００２６】第二に、電解質は、基本的には、アンモニ
ウム塩を使用し、アルカリイオンのないものを使用す
る。特に、後に詳述するように、除去対象により添加す
る電解質を適宜選択するものとする。
ウム塩を使用し、アルカリイオンのないものを使用す
る。特に、後に詳述するように、除去対象により添加す
る電解質を適宜選択するものとする。
【００２７】第三に、使用する電解槽および電極材質は
チタン（Ｔｉ）をベース（Ｂａｓｅ）とし、これに、白
金（Ｐｔ）とイリジュウム（Ｉｒ）の合金をメッキした
ものと使用する。また、電解電力として、約２００ｗの
場合、吐水量として、酸性側で１ｌ（リットル）／分、
アルカリ性側で１ｌ（リットル）／分の性能を出すよう
にする。
チタン（Ｔｉ）をベース（Ｂａｓｅ）とし、これに、白
金（Ｐｔ）とイリジュウム（Ｉｒ）の合金をメッキした
ものと使用する。また、電解電力として、約２００ｗの
場合、吐水量として、酸性側で１ｌ（リットル）／分、
アルカリ性側で１ｌ（リットル）／分の性能を出すよう
にする。
【００２８】第四に、得られる電解水のｐＨ範囲とし
て、酸性側で：ｐＨ２．０〜５．０、アルカリ側でｐＨ
８．０〜１１．０の電解水が得られるようにする。ま
た、第五に、吐水電解水のｐＨおよび酸化還元電位は電
解質の濃度により定める。このため、酸性イオン水およ
びアルカリイオン水の２液を混合して所望のｐＨおよび
酸化還元電位を得られるように、前記電解質槽２におけ
る添加ポンプ（図示外）の速度を制御することで調整を
行うようにする。
て、酸性側で：ｐＨ２．０〜５．０、アルカリ側でｐＨ
８．０〜１１．０の電解水が得られるようにする。ま
た、第五に、吐水電解水のｐＨおよび酸化還元電位は電
解質の濃度により定める。このため、酸性イオン水およ
びアルカリイオン水の２液を混合して所望のｐＨおよび
酸化還元電位を得られるように、前記電解質槽２におけ
る添加ポンプ（図示外）の速度を制御することで調整を
行うようにする。
【００２９】前述するように、この電解水の生成に関し
て、使用する電解質としては、アンモニア塩、例えば、
塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム塩、硝酸アンモニ
ウム、硫酸アンモニウム、水酸化アンモニウム、リン酸
アンモニウム塩などを適宜使用して、これを所定割合で
混入した電解質を用い、これを所定の電解の後、陽極側
に得られるアノード電解水を使用する。
て、使用する電解質としては、アンモニア塩、例えば、
塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム塩、硝酸アンモニ
ウム、硫酸アンモニウム、水酸化アンモニウム、リン酸
アンモニウム塩などを適宜使用して、これを所定割合で
混入した電解質を用い、これを所定の電解の後、陽極側
に得られるアノード電解水を使用する。
【００３０】このアノード電解水は、酸性側アルカリ側
のいづれからも生成されるものが使用可能であるが、ガ
ラス基板の洗浄は金属イオンが中心のため、酸性側の使
用がよく、また、スレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）によ
り付着する成分等の附着物の性質により、他のアンモニ
ウム塩を選択するようにしても良い。例えば、前記ガラ
ス基板表面のスレーキング（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩
壊金属イオンまたはその化合物、特に、アルカリ金属イ
オンＮａ+イオン、Ｋ+イオンが付着する場合には、その
イオンを除去するため、ＯＨ-、ＣＯ3 2-、Ｃｌ-、ＮＯ3
2-、ＳＯ4 2-、ＰＯ4 3-等のイオンを含むように、前記電
解質を適宜選択して、前記アノード電解水を生成する。
のいづれからも生成されるものが使用可能であるが、ガ
ラス基板の洗浄は金属イオンが中心のため、酸性側の使
用がよく、また、スレイキング（ｓｌａｋｉｎｇ）によ
り付着する成分等の附着物の性質により、他のアンモニ
ウム塩を選択するようにしても良い。例えば、前記ガラ
ス基板表面のスレーキング（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩
壊金属イオンまたはその化合物、特に、アルカリ金属イ
オンＮａ+イオン、Ｋ+イオンが付着する場合には、その
イオンを除去するため、ＯＨ-、ＣＯ3 2-、Ｃｌ-、ＮＯ3
2-、ＳＯ4 2-、ＰＯ4 3-等のイオンを含むように、前記電
解質を適宜選択して、前記アノード電解水を生成する。
【００３１】また、例えば、前記ガラス基板表面のスレ
ーキング（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩壊金属イオンまた
はその化合物、特に、アルカリ金属イオンＣｅ++ イオ
ンが付着する場合には、そのイオンを除去するために、
Ｃｌ-、ＮＯ3 2-等のイオンを含むように、前記電解質を
適宜選択して。前記アノード電解水を生成する。
ーキング（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩壊金属イオンまた
はその化合物、特に、アルカリ金属イオンＣｅ++ イオ
ンが付着する場合には、そのイオンを除去するために、
Ｃｌ-、ＮＯ3 2-等のイオンを含むように、前記電解質を
適宜選択して。前記アノード電解水を生成する。
【００３２】さらに、前記ガラス基板表面のスレーキン
グ（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩壊金属イオンの化合物、
特に、アルカリ金属イオンＣａ++イオン、Ｍｇ++イオン
が付着する場合には、そのイオンを除去するため、Ｃｌ
-、ＮＯ3 2-等のイオンを含むように、前記電解質を適宜
選択して、前記アノード電解水を生成する。
グ（Ｓｌａｋｉｎｇ）による崩壊金属イオンの化合物、
特に、アルカリ金属イオンＣａ++イオン、Ｍｇ++イオン
が付着する場合には、そのイオンを除去するため、Ｃｌ
-、ＮＯ3 2-等のイオンを含むように、前記電解質を適宜
選択して、前記アノード電解水を生成する。
【００３３】なお、このアノード電解水は、前記電解質
添加濃度を、単体および複数液混合（酸性液、アルカリ
液の混合など）等、前記電解質の添加濃度を適宜選択す
ることにより、ｐＨ２．０〜５．０またはｐＨ８．０〜
１１．０のＨ＋イオンおよびＮＨ4 ＋イオンおよびＯＨ
−、ＣＯ３ ２−、Ｃｌ−、ＮＯ３ −−、ＳＯ４ −−、Ｐ
Ｏ４ ３−等のイオンを有するアノード電解水としても良
い。
添加濃度を、単体および複数液混合（酸性液、アルカリ
液の混合など）等、前記電解質の添加濃度を適宜選択す
ることにより、ｐＨ２．０〜５．０またはｐＨ８．０〜
１１．０のＨ＋イオンおよびＮＨ4 ＋イオンおよびＯＨ
−、ＣＯ３ ２−、Ｃｌ−、ＮＯ３ −−、ＳＯ４ −−、Ｐ
Ｏ４ ３−等のイオンを有するアノード電解水としても良
い。
【００３４】次に、前記ガラス素材基板を該イオン濃度
を有するアノード電解水に、所定の時間浸漬した後、純
水で洗浄後、圧水での、いわゆるシャワーリング洗浄
や、ディスク基板自体を回転させる、いわゆるスピン洗
浄を行う。すなわち、純水での洗浄後、乾燥を行う。
を有するアノード電解水に、所定の時間浸漬した後、純
水で洗浄後、圧水での、いわゆるシャワーリング洗浄
や、ディスク基板自体を回転させる、いわゆるスピン洗
浄を行う。すなわち、純水での洗浄後、乾燥を行う。
【００３５】これらのシャワーリング洗浄、スピン洗浄
の概要について説明する。図２（ａ）は、前記シャワー
リング洗浄機の概要を示す図であり、図２（ｂ）は、前
記スピン洗浄機の概要を示す図である。
の概要について説明する。図２（ａ）は、前記シャワー
リング洗浄機の概要を示す図であり、図２（ｂ）は、前
記スピン洗浄機の概要を示す図である。
【００３６】図２（ａ）において、１０は、ガラスディ
スク基板、１１は、該ガラスディスク基板１０の表面お
よび裏面を研磨・洗浄する表裏面ブラシ、１２は、前記
ガラスディスク１０の内周を研磨・洗浄する内周ブラ
シ、１３、１４は、同外周を研磨・洗浄する外周ブラシ
であり、それぞれ逆転外周ブラシ１３および正転外周ブ
ラシ１４からなる。
スク基板、１１は、該ガラスディスク基板１０の表面お
よび裏面を研磨・洗浄する表裏面ブラシ、１２は、前記
ガラスディスク１０の内周を研磨・洗浄する内周ブラ
シ、１３、１４は、同外周を研磨・洗浄する外周ブラシ
であり、それぞれ逆転外周ブラシ１３および正転外周ブ
ラシ１４からなる。
【００３７】また、１５，１６は、前記ガラスディスク
基板１０に純水シャワーを散水しながら研磨・洗浄する
ためのシャワーノズル、１７，１８は、同ノズルタッ
プ、１９は、飛散防止カバーである。この図２（ａ）に
示したシャワーリング洗浄機でガラスディスク基板を研
磨・洗浄するには、まず、前記ガラスディスク１０を装
着し、前記シャワーノズル１５，１６から、純水を散水
しつつ、前記表裏面ブラシ１１を回転させて、ディスク
の表面および裏面を研磨・洗浄する。この際、この表裏
面の研磨・洗浄を行いながら、前記内周ブラシ１２を逆
回転させ、さらに、前記正転外周ブラシ１４および逆転
外周ブラシ１３をそれぞれ回転させるとともに、前記内
周ブラシ１２を逆回転させて、ディスク１０の内周部分
の研磨・洗浄を行う。
基板１０に純水シャワーを散水しながら研磨・洗浄する
ためのシャワーノズル、１７，１８は、同ノズルタッ
プ、１９は、飛散防止カバーである。この図２（ａ）に
示したシャワーリング洗浄機でガラスディスク基板を研
磨・洗浄するには、まず、前記ガラスディスク１０を装
着し、前記シャワーノズル１５，１６から、純水を散水
しつつ、前記表裏面ブラシ１１を回転させて、ディスク
の表面および裏面を研磨・洗浄する。この際、この表裏
面の研磨・洗浄を行いながら、前記内周ブラシ１２を逆
回転させ、さらに、前記正転外周ブラシ１４および逆転
外周ブラシ１３をそれぞれ回転させるとともに、前記内
周ブラシ１２を逆回転させて、ディスク１０の内周部分
の研磨・洗浄を行う。
【００３８】また、図２（ｂ）において、１０は、前記
と同じガラスディスク基板、２０は、同ディスク基板１
０を支持し、スピン動作を与える支持器、２１，２２
は、該ディスク基板１０の表面および裏面に散水する温
純水リンスノズル、２３は、カバー部材である。
と同じガラスディスク基板、２０は、同ディスク基板１
０を支持し、スピン動作を与える支持器、２１，２２
は、該ディスク基板１０の表面および裏面に散水する温
純水リンスノズル、２３は、カバー部材である。
【００３９】この図２（ｂ）に示したスピン洗浄機ガラ
スディスク基板１０を洗浄・乾燥するには、まず、前記
ガラスディスク基板１０を支持器２０に装着し、該ディ
スク基板１０に、緩い回転を与えながら、前記温純水リ
ンスノズルから、該ディスク基板の表裏面に温純水リン
スを散布し、前工程で使用した酸等を中和させ、しかる
後、該ディスク基板１０に高速回転を与え、表裏面に付
着する洗浄液、リンス液等を吹き飛ばし乾燥する。
スディスク基板１０を洗浄・乾燥するには、まず、前記
ガラスディスク基板１０を支持器２０に装着し、該ディ
スク基板１０に、緩い回転を与えながら、前記温純水リ
ンスノズルから、該ディスク基板の表裏面に温純水リン
スを散布し、前工程で使用した酸等を中和させ、しかる
後、該ディスク基板１０に高速回転を与え、表裏面に付
着する洗浄液、リンス液等を吹き飛ばし乾燥する。
【００４０】このようにして得られたガラスディスク基
板について、その後、８０℃９０％の相対湿度（Ｒｅｌ
ａｔｉｖｅ Ｈｕｍｉｌｉｔｙ）で１０日間耐蝕テスト
をし、ガラス基板の基板粗度および最大突起量を測定し
た。
板について、その後、８０℃９０％の相対湿度（Ｒｅｌ
ａｔｉｖｅ Ｈｕｍｉｌｉｔｙ）で１０日間耐蝕テスト
をし、ガラス基板の基板粗度および最大突起量を測定し
た。
【００４１】表１は、イオン水によるガラス基板処理状
況を示し、電解質としてＮＨ４Ｃｌ３％溶液を加えた生
成活性イオン水により処理したものである。
況を示し、電解質としてＮＨ４Ｃｌ３％溶液を加えた生
成活性イオン水により処理したものである。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１において、符号Ｒａは、初期の中心線
平均粗度を示し、粗さ曲線から、その中心線の方向に測
定長さの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線と
粗さ曲線との偏差の絶対値を算術平均した値であり、同
符号Ｒｐは、具体的には、測定した線上での、最大山高
さおよび最小谷深さとの差を示す、いわゆる、最大最小
のｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋを示すものである。
平均粗度を示し、粗さ曲線から、その中心線の方向に測
定長さの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線と
粗さ曲線との偏差の絶対値を算術平均した値であり、同
符号Ｒｐは、具体的には、測定した線上での、最大山高
さおよび最小谷深さとの差を示す、いわゆる、最大最小
のｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋを示すものである。
【００４４】表１から知り得るように、ｐＨ濃度２〜６
程度のイオン濃度のアノード電解水で浸漬しても、この
処理により、ガラス基板の表面粗度を劣化させないこと
がわかる。また、イオン処理したガラス基板を、半導体
評価基準の一種である８０℃９０％ＲＨ１０日間テスト
を実施し、ガラス基板表面の最大表面突起を検証した。
比較のため、図３に、通常の純水洗浄、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）蒸着（ｖａｐｏｕｒ）処理における
ガラス基板のコロージョンによる基板表面の突起の状態
を示す図であり、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて撮影したものである。
程度のイオン濃度のアノード電解水で浸漬しても、この
処理により、ガラス基板の表面粗度を劣化させないこと
がわかる。また、イオン処理したガラス基板を、半導体
評価基準の一種である８０℃９０％ＲＨ１０日間テスト
を実施し、ガラス基板表面の最大表面突起を検証した。
比較のため、図３に、通常の純水洗浄、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）蒸着（ｖａｐｏｕｒ）処理における
ガラス基板のコロージョンによる基板表面の突起の状態
を示す図であり、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて撮影したものである。
【００４５】図３から知り得るように、この処理を行っ
たものは、８０℃９０％ＲＨ１０日間耐蝕テスト後のＲ
ａ、Ｒｔは、殆ど変化はないことがわかる。
たものは、８０℃９０％ＲＨ１０日間耐蝕テスト後のＲ
ａ、Ｒｔは、殆ど変化はないことがわかる。
【００４６】また、図４，図５，図６は、それぞれ、活
性イオン水洗浄によるアルカリ析出成分および前記スレ
イキング（ｓｌａｋｉｎｇ）等によるコロージョン突起
が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を示
す図であり、図５および図６は、前述の図３と同様、Ａ
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｅ）で撮影したものである。
性イオン水洗浄によるアルカリ析出成分および前記スレ
イキング（ｓｌａｋｉｎｇ）等によるコロージョン突起
が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を示
す図であり、図５および図６は、前述の図３と同様、Ａ
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｅ）で撮影したものである。
【００４７】一般に、ｐＨイオン濃度の高い状態で前記
アルカリイオン交換強化型ガラス基板の表面を処理する
と、ガラスマトリクスが破壊され、前記ガラス基板の表
面の腐食が促進されることとなるが、表１に示すよう
に、適度のｐＨ濃度のアノード電解水で、すなわち、本
実施の態様では、ｐＨ濃度（イオン濃度）が、２〜６の
アノード電解水で、ガラス基板表面を処理すると、ガラ
ス基板のガラスマトリクスが破壊されることなく、か
つ、ガラス基板表面に存在するアルカリ金属が除去さ
れ、この結果、図４ないし図６から知り得るように、む
しろ、ガラス基板の耐蝕性が向上することがわかる。
アルカリイオン交換強化型ガラス基板の表面を処理する
と、ガラスマトリクスが破壊され、前記ガラス基板の表
面の腐食が促進されることとなるが、表１に示すよう
に、適度のｐＨ濃度のアノード電解水で、すなわち、本
実施の態様では、ｐＨ濃度（イオン濃度）が、２〜６の
アノード電解水で、ガラス基板表面を処理すると、ガラ
ス基板のガラスマトリクスが破壊されることなく、か
つ、ガラス基板表面に存在するアルカリ金属が除去さ
れ、この結果、図４ないし図６から知り得るように、む
しろ、ガラス基板の耐蝕性が向上することがわかる。
【００４８】さらに、このようなｐＨ濃度５〜６程度の
イオン濃度のアノード電解水で浸漬して処理したガラス
基板は、アルカリ表面濃度が低いため、吸着水が少なく
高密度磁気記録媒体として適している。
イオン濃度のアノード電解水で浸漬して処理したガラス
基板は、アルカリ表面濃度が低いため、吸着水が少なく
高密度磁気記録媒体として適している。
【００４９】すなわち、前記ガラス基板の媒体製造の最
終研磨工程では、基板の表面粗度を向上させるため、ア
ルカリ成分を含む研磨液を使用するが、その研磨液に存
在するアルカリ成分故に、この成分が、研磨の工程で発
生する珪酸成分を反応して、媒体ガラスの骨格であるＳ
ｉ−Ｏ結合を破壊し、このため、その表面硬度が著しく
減少する。したがって、研磨の最終工程で、イオン水に
浸漬することにより、アルカリ成分を除去し、表面を脱
アルカリ処理およびエッチング処理を同時に行うことに
より、表面粗度を向上させ、また、表面硬度およびコロ
ージョン性を向上させることができることとなる。
終研磨工程では、基板の表面粗度を向上させるため、ア
ルカリ成分を含む研磨液を使用するが、その研磨液に存
在するアルカリ成分故に、この成分が、研磨の工程で発
生する珪酸成分を反応して、媒体ガラスの骨格であるＳ
ｉ−Ｏ結合を破壊し、このため、その表面硬度が著しく
減少する。したがって、研磨の最終工程で、イオン水に
浸漬することにより、アルカリ成分を除去し、表面を脱
アルカリ処理およびエッチング処理を同時に行うことに
より、表面粗度を向上させ、また、表面硬度およびコロ
ージョン性を向上させることができることとなる。
【００５０】
【発明の効果】以上のようにヒドロニュウムイオンを含
むイオン水によるイオン突起強化型磁気ディスク基板の
洗浄は基板表面のアルカリ成分濃度をその表面粗度を下
げることなく低下させる事ができこのタイプの基板の問
題点である基板の腐食および媒体のＳＮ比の向上、磁気
記録膜の腐食防止に有効性が期待できる使用するイオン
濃度はガラス成分、イオン強化の条件により適宜変化さ
せうる。
むイオン水によるイオン突起強化型磁気ディスク基板の
洗浄は基板表面のアルカリ成分濃度をその表面粗度を下
げることなく低下させる事ができこのタイプの基板の問
題点である基板の腐食および媒体のＳＮ比の向上、磁気
記録膜の腐食防止に有効性が期待できる使用するイオン
濃度はガラス成分、イオン強化の条件により適宜変化さ
せうる。
【００５１】すなわち、また、本発明は、ガラス中のア
ルカリ金属の拡散は、ヒドロニュウムイオンＨ３Ｏによ
り顕著に加速されるという現象に着目し、ヒドロニュウ
ムイオンを多く含むアノード電解水により、特に、イオ
ン交換強化型磁気ディスク基板の洗浄に使用したもので
ある。アノード電解水は、水の電気分解により得られる
ものであり、非常に活性であり、ガラス基板表面のアル
カリ金属成分と選択的に置換され、その結果、ガラス基
板の表面のアルカリ成分濃度を低減させることができ、
より特徴的には、前記アルカリ成分との置換反応が、選
択的に行われるため、適度に使用するアノード電解水の
濃度を所望のものとすることにより、ガラス基板の表面
粗度を劣化させることなく、ガラス基板表面のアルカリ
イオン濃度のみを低減できるという顕著な効果がある。
ルカリ金属の拡散は、ヒドロニュウムイオンＨ３Ｏによ
り顕著に加速されるという現象に着目し、ヒドロニュウ
ムイオンを多く含むアノード電解水により、特に、イオ
ン交換強化型磁気ディスク基板の洗浄に使用したもので
ある。アノード電解水は、水の電気分解により得られる
ものであり、非常に活性であり、ガラス基板表面のアル
カリ金属成分と選択的に置換され、その結果、ガラス基
板の表面のアルカリ成分濃度を低減させることができ、
より特徴的には、前記アルカリ成分との置換反応が、選
択的に行われるため、適度に使用するアノード電解水の
濃度を所望のものとすることにより、ガラス基板の表面
粗度を劣化させることなく、ガラス基板表面のアルカリ
イオン濃度のみを低減できるという顕著な効果がある。
【００５２】また、アノード電解水は、一般に、分子サ
イズが小さくなるため、ガラス基板中のミクロクラック
（マイクロクラック）への浸透性が良く、クラック中へ
も容易に浸透するため、クラック中にアルカリ成分が存
在していたとしても、このクラック中のアルカリ成分を
効率よく除去できる。さらには、ヒドロニュウムイオン
以外の他の塩基イオン等は、比較的少なくてすむため、
アノード電解水での洗浄処理の後は、特別な酸やアルカ
リを用いた洗剤を必要とせず、純水による洗浄のみで足
り、従来ならば、必要とされる余分な洗浄工程をとる必
要がないという効果がある。
イズが小さくなるため、ガラス基板中のミクロクラック
（マイクロクラック）への浸透性が良く、クラック中へ
も容易に浸透するため、クラック中にアルカリ成分が存
在していたとしても、このクラック中のアルカリ成分を
効率よく除去できる。さらには、ヒドロニュウムイオン
以外の他の塩基イオン等は、比較的少なくてすむため、
アノード電解水での洗浄処理の後は、特別な酸やアルカ
リを用いた洗剤を必要とせず、純水による洗浄のみで足
り、従来ならば、必要とされる余分な洗浄工程をとる必
要がないという効果がある。
【００５３】このような洗浄方法としたので、従来まで
のように、洗浄槽でのＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸着（ｖ
ａｐｏｕｒ）乾燥ラインは、使用する必要がなくなり、
全ての洗浄工程を超純水にて行うことができ、その分、
設備を簡易に、かつ、安価に構成することができる。
のように、洗浄槽でのＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸着（ｖ
ａｐｏｕｒ）乾燥ラインは、使用する必要がなくなり、
全ての洗浄工程を超純水にて行うことができ、その分、
設備を簡易に、かつ、安価に構成することができる。
【図１】 図１は、電解水生成装置の概要を示す図
【図２】 図２（ａ）は、前記シャワーリング洗浄機の
概要を示す図であり、図２（ｂ）は、前記スピン洗浄機
の概要を示す図
概要を示す図であり、図２（ｂ）は、前記スピン洗浄機
の概要を示す図
【図３】 図３は、通常の純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）蒸着（vapour）処理後におけるガラス
基板のコロージョンによる基板表面の突起の状態を示す
ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｅ）写真
ピルアルコール）蒸着（vapour）処理後におけるガラス
基板のコロージョンによる基板表面の突起の状態を示す
ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｅ）写真
【図４】 活性イオン水洗浄によるアルカリ折出成分お
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示す図
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示す図
【図５】 活性イオン水洗浄によるアルカリ折出成分お
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示すＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）写真
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示すＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）写真
【図６】 活性イオン水洗浄によるアルカリ折出成分お
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示すＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）写真
よびｓｌａｋｉｎｇｅｔｃによるコロージョンによる突
起が優先的に除去され平坦になることを示す測定結果を
示すＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）写真
１・・・電解槽、
２・・・電解質槽、
３・・・純水器（イオン交換器）、
４・・・アルカリ性貯水タンク、
５・・・酸性貯水タンク、
６・・・ＤＣ電源、
７・・・水道栓、
１０・・・ガラスディスク基板、
１１・・・表裏面ブラシ、
１２・・・内周ブラシ、
１３・・・逆転外周ブラシ
１４・・・正転外周ブラシ、
１５，１６・・・シャワーノズル、
１７，１８・・・同ノズルタップ、
１９・・・飛散防止カバー、
２０・・・ディスク支持器、
２１，２２・・・温純水リンスノズル、
２３・・・カバー部材、
ＡＦＭ・・・ＡＴＯＭＩＣ ＦＯＲＣＥ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ Ｒａ・・・中心線平均粗さ （表面粗度） Ｒｐ・・・中心線山の高さ Ｒｔ・・・表面粗度最大値
ｃｏｐｅ Ｒａ・・・中心線平均粗さ （表面粗度） Ｒｐ・・・中心線山の高さ Ｒｔ・・・表面粗度最大値
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 風間 賢男
長野県岡谷市川岸上３丁目３番16号 カ
サマエンジニアリング株式会社内
(72)発明者 馬渕 泰太郎
長野県上伊那郡辰野町平出1842番地７号
マブチ・エスアンドティー株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−296198（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−7990（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−126873（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B08B 3/08
B08B 1/04
C02F 1/46
G11B 5/84
Claims (3)
- 【請求項１】 研磨仕上げ後のガラス基板（結晶化ガラ
スを含む）を電気分極による活性イオン水に浸漬または
当該活性イオン水で洗浄して前記ガラス基板表面に付着
するアルカリ成分およびスレイキング崩壊金属イオンま
たはそれらの化合物イオンを除去する前記研磨仕上げ後
の洗浄工程において、電気分解の際に使用する電解質と
してアンモニア塩（塩化アンモニウム、炭酸アンモニウ
ム塩、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、水酸化ア
ンモニウム、リン酸アンモニウム塩など）を使用し、Ｈ
＋ イオン、ＮＨ ４ ＋ イオンおよび／またはＯＨ − 、ＣＯ
３ ２− 、Ｃｌ − 、ＮＯ ３ −− 、ＳＯ ４ −− 、ＰＯ ４ ３−
のいずれか一を含み、前記ガラス基板表面に付着するス
レイキング崩壊金属イオンまたはその化合物イオンの種
類によって、前記アンモニア塩を選択して生成されたア
ノード電解水である活性イオン水で前記ガラス基板表面
に付着するアルカリ成分およびスレイキング崩壊金属イ
オンまたはそれらの化合物イオンを除去することを特徴
するガラス基板の高精度洗浄方法。 - 【請求項２】 前記ガラス基板表面に付着するスレイキ
ング崩壊金属イオンまたはそのその化合物イオンは、ア
ルカリ金属イオンであることを特徴とする請求項１に記
載のガラス基板の高精度洗浄方法。 - 【請求項３】 前記活性イオン水はｐＨ２．０〜５．
０、ｐＨ８．０〜１１．０のアノード電解水であること
を特徴とする請求項１に記載のガラス基板の高精度洗浄
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02816399A JP3416555B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-02-05 | ガラス基板の高精度洗浄方法 |
| DE19938786A DE19938786A1 (de) | 1998-12-16 | 1999-08-16 | Verfahren zur Hochpräzisionsreinigung von Glassubstraten |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35792698 | 1998-12-16 | ||
| JP10-357926 | 1998-12-16 | ||
| JP02816399A JP3416555B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-02-05 | ガラス基板の高精度洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000233161A JP2000233161A (ja) | 2000-08-29 |
| JP3416555B2 true JP3416555B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=26366206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02816399A Expired - Fee Related JP3416555B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-02-05 | ガラス基板の高精度洗浄方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416555B2 (ja) |
| DE (1) | DE19938786A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4526023B2 (ja) | 2004-12-24 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 農業用殺菌剤組成物 |
| MY145034A (en) * | 2006-07-13 | 2011-12-15 | Konica Minolta Opto Inc | Method for fabricating a glass substrate, method for fabricating a magnetic disk, and magnetic disk |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02816399A patent/JP3416555B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-16 DE DE19938786A patent/DE19938786A1/de not_active Withdrawn
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|---|---|
| JP2000233161A (ja) | 2000-08-29 |
| DE19938786A1 (de) | 2000-06-21 |
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