JP3880225B2 - 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真感光体並びに該電子写真感光体を備えたプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機光導電体を用いた電子写真感光体は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層と電荷発生材料を含有する電荷発生層を積層した機能分離方電子写真感光体の開発により、感度・耐久性において著しい改善がなされ実用化されるようになってきた。
【０００３】
一方、近年、複写機にレ−ザ−光による書き込み機能を持たせる等の目的で、可視域から赤外レ−ザ−波長域まで幅広い分光感度を有する感光体の開発が盛んである。こうした目的を達成する方法として、可視光域に感度を有する電荷発生材料と赤外域に感度を有する電荷発生材料を混合あるいは積層した電荷発生層を用いる方法が知られている。
【０００４】
例えば、アゾ化合物とフタロシアニン化合物との組み合わせについては、特願平７−１７５２４１号公報に特定アゾ顔料とチタニルフタロシアニンを組み合わせる感光体、特開平７−１２８８８８号公報にアゾ化合物とガリウムフタロシアニンを組み合わせる感光体が開示されている。
【０００５】
しかしながら、こうした感光体においては、各々の電荷発生材料の特性が十分に発揮されなかったり、特に混合使用した場合、メモリ−特性の悪化に伴い耐久時の電位変動が大きくなるという欠点を有しており、ガリウムフタロシアニン化合物を用いた場合は、帯電能が悪く、ポチ、かぶりによる画像劣化が見られた。また、可視域及び赤外線緒感度自体も十分なものとは言えなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の前記欠点を改善し、高感度でかつ可視域から赤外域まで幅広い分光感度を有し、高画質で耐久時の電位変動の少ない電子写真感光体を提供することである。また該電子写真感光体を用いたプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層がヒドロキシガリウムフタロシアニンと下記一般式（１）で表わされるアゾ化合物とを含有することを特徴とする電子写真感光体から構成される。
一般式（１） Ａｒ−（Ｎ＝Ｎ−Ｃｐ）n
（式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してもよい、置換非置換の芳香族炭化水素基あるいは複素環基を表わし、Ｃｐはフェノ−ル性水酸基を有するカプラ−残基を表わし、Ｃｐの少なくとも一つは下記一般式（２）で表わされるカプラ−残基である。ｎは１〜３の整数を表わす。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
一般式（２）
【化３】
（式中、Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カリバモイル基またはニトロ基を表わし、Ｒ2 は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリ−ル基を表わし、Ｒ3 はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を表わす。ｑは０、１または２を表わし、ｑ＝２の時Ｒ3 は相異なる基であってもよい。）
【０００８】
また、本発明は、前記本発明の電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカ−トリッジから構成される。
【００９】
また、本発明は、前記本発明の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置から構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
前記一般式（１）中、Ａr としてはベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン等の芳香族炭化水素環基、フラン、チオフェン、ピリジン、インド−ル、ベンゾチアゾ−ル、カルバゾ−ル、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾ−ル等の複素環基、更に上記芳香族炭化水素環基または複素環基を直接あるいは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの、例えばビフェニル、ビナフチル、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、フルオレノン、フェナンスレンキノン、アントラキノン、ベンズアンスロン、タ−フェニル、ジフェニルオキサジアゾ−ル、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アゾベンゼン、アゾキシベンゼン、フェニルベンズオキサゾ−ル、ジフェニルメタン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエ−テル、ベンゾフェノン、テトラフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、テトラフェニルベンジジン、Ｎ−フェニル−２−ピリジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−２−ピリジルアミン等の基が挙げられる。
【００１１】
上記基が有してもよい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等のジアルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチル基等が挙げられる。
【００１２】
また、一般式（２）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の表わすハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等、アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボキシル基等、カルバモイル基としてはカルバモイル、フェニルカルバモイル基等、アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル等の基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ等の基、アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル等の基が挙げられる。
【００１３】
また、一般式（１）中、Ｃｐにおいて、一般式（２）で表わされるカプラ−残基以外に共存してもよいフェノ−ル性水酸基を有するカプラ−残基の好ましい例として、下記一般式（３）で表わされるカプラ−残基が挙げられる。
一般式（３）
【化４】
（式中、Ｒ4 及びＲ5 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有してもよい複素環基を表わす。また、Ｒ4 とＲ5 は窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよい。Ｚは酸素原子または硫黄原子を表わし、ｍは０または１を表わす。
【００１４】
Ｒ4 及びＲ5 のアルキル基としてはメチル、エチル、プロピル等の基、アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル等の基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル等の基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロ−ル、オイロリン、ピロリジン、ピロリドン、インド−ル、インドリン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾリン、オキサジン、フェノキサジン等の基が挙げられる。
【００１５】
上記基が有してもよい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等のジアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙げられる。
【００１６】
以下に、本発明において用いられる電荷発生材料の具体的な化合物例を列挙する。構造の表現としては、一般式（１）中、Ａｒ及びＣｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが２０及び３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ1 、Ｃｐ2 、Ｃｐ3としてその構造を示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【００１９】
【表７】
【００２０】
次に、本発明において用いられるヒドロキシガリウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称す）の一般式を示す。
【化５】
式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 は、ＣｌまたはＢｒを表わし、ｋ、ｐ、ｔ及びｕは０〜４の整数である。
【００２１】
本発明においては、いかなる結晶形のＨＯＧａＰｃも使用できるが、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°が７．４°、２８．２°に強いピ−クを有する結晶のＨＯＧａＰｃが高感度で、本発明において有効に作用し特に好ましい。
【００２２】
本発明によれば可視光域に高い感度を示す前記一般式（１）で表わされるアゾ化合物と赤外レ−ザ−域の高い感度を示すＨＯＧａＰｃを共に電荷発生物質として含有することから、可視光域から赤外域の光に対して効率よく電荷を発生することができる。
【００２３】
本発明において、ＨＯＧａＰｃと前記特定のジスアゾ顔料の含有比は好ましくは２０／１〜１／２０、更に好ましくは１０／１〜１／５に設定される。
【００２４】
感光層を形成するに当たって、電荷発生材料を混合する場合は、各材料を上記範囲の比率で適当な結着樹脂と溶剤に分散するか、あるいは個々に分散した液を所定の比率になるように混合する。個々に分散する場合、結着樹脂や溶剤はそれぞれ異なっても差し支えない。積層する場合は個々に分散した液を、含まれる材料の量が所定の比率になるような膜厚で各々塗布する。
【００２５】
ここで用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ−ル、フェノキシ樹脂、ポリカ−ボネ−ト、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニルベンザ−ル、ポリスチレン、ポリビニルアセテ−ト、ポリスルホン、ポリアリレ−ト、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体等が主として挙げられる。
【００２６】
本発明の電子写真感光体の構成は、電荷発生層と電荷輸送層との積層型、あるいは電荷発生材料と電荷輸送材料とが混在する単層型の両者が適用される。更に積層型の場合、積層の順序が２通りあるが、そのうち、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順で積層する構成が一般的である。その構成を例にとって電子写真感光体の態様を説明する。
【００２７】
導電性支持体としては導電性を有するものであれば良く、アルミニウム、ステンレス等の金属あるいは導電層を設けた金属、プラスチック、紙等が挙げられ、形状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられる。
【００２８】
また、導電性支持体と感光層との間に、バリヤ−機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層の材料としてはポリビニルアルコ−ル、ポリエチレンオキシド、エチルセルロ−ス、メチルセルロ−ス、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチン等が用いられる。これ等は、適当な溶剤に溶解して導電性支持体上に塗布される。
【００２９】
更に、支持体と下引き層との間に、支持体のむらや欠陥の被覆及び画像入力がレ−ザ−光の場合には散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適である。これはカ−ボンブラック、金属粒子、金属酸化物等の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は５〜４０ミクロン、好ましくは１０〜３０ミクロンが適当である。
【００３０】
電荷輸送層は、主として電荷輸送材料と結着樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して形成する。用いられる電荷輸送材料としては、各種のトリアリ−ルアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾ−ル系化合物、チアゾ−ル系化合物、トリアリルメタン系化合物等が挙げられる。結着樹脂としては電荷発生層に用いたと同様の樹脂を用いることができる。
【００３１】
これ等の感光層の塗布方法としては、浸漬コ−ティング法、スプレ−コ−ティング法、スピンナ−コ−ティング法、ビ−ドコ−ティング法、ブレ−ドコ−ティング法、ビ−ムコ−ティング法等の方法を用いることができる。
【００３２】
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レ−ザ−ビ−ムプリンタ−、ＣＲＴプリンタ−、ＬＥＤプリンタ−、液晶プリンタ−、レ−ザ−製版等電子写真応用分野にも広く利用することができる。
【００３３】
次に、本発明のプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置について説明する。図１に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。図において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレ−ザ−ビ−ム走査露光等の像露光手段（不図示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００３４】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナ−現像され、現像されたトナ−現像像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写材７は感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピ−）として装置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表面は、クリ−ニング手段９によって転写残りトナ−の除去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理がされた後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ロ−ラ−等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００３５】
本発明においては、上述の感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカ−トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ−トリッジを複写機やレ−ザ−ビ−ムプリンタ−等の電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば一次帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカ−トリッジ化し、装置本体のレ−ル１２等の案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカ−トリッジ１１とすることができる。また、画像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンタ−である場合には、原稿からの反射光や透過光を用いる、あるいは、センサ−で原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレ−ザ−ビ−ムの走査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッタ−アレイの駆動等により照射される光である。
【００３６】
次に本発明において用いるＨＯＧａＰｃの製造例を挙げる。
製造例１
ｏ−フタロジニトリル７３ｇ、三塩化ガリウム２５ｇ、α−クロルナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下、２００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物をろ過した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノ−ルで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを４５ｇ得た。この化合物の元素分析値を示す。
【００３７】
ここで得られたクロロガリウムフタロシアニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解させ、氷水２３００ｇ中に撹拌下に滴下して再析出させてろ過した。２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に水洗した後、ろ別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰｃを１３ｇ得た。
【００３８】
製造例２
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−クを有していた（図２）。
【００３９】
製造例３
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、テトラヒドロフラン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、２０時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−クを有していた（図３）。
【００４０】
製造例４
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージメチルアニリン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．６°、１６．４°、２５．０°、２６．５°に強いピ−クを有していた（図４）。
【００４１】
製造例５
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、クロロホルム３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、２４時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は６．９°、１６．５°、２６．７°に強いピ−クを有していた（図５）。
【００４２】
製造例６
特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，５９２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα型といわれる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
【００４３】
【実施例】
実施例１
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉末５０部、レゾ−ル型フェノ−ル樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノ−ル５部及びシリコ−ンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで２時間分散して導電性塗料を調製した。
【００４４】
アルミニウムシリンダ−上に上記塗料を浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
【００４５】
この上に、６−６６−６１０−１２四元系ポリアミド共重合体５部をメタノ−ル７０部とブタノ−ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布、乾燥して膜厚１μｍの下引き層を形成した。
【００４６】
次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ結晶７部と例示化合物Ｐ−４のアゾ化合物１部をポリビニルブチラ−ル樹脂（商品名エスレックＢＸ−１、積水化学（株）製）４部をテトラヒドロフラン１００部に溶解した液に添加し、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで７時間分散し、これに１００部の酢酸ブチルを加えて、希釈した後回収して、これを下引き層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚０．２２μｍの電荷発生層を形成した。
【００４７】
次に、下記構造式の電荷輸送材料１０部
【化６】
とビスフェノ−ルＺ型ポリカ−ボネ−ト１０部をモノクロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生層上に浸漬塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚２６μｍの電荷輸送層を形成して電子写真感光体を作成した。
【００４８】
比較例１
実施例１において、前記アゾ化合物に代えて下記構造式のアゾ化合物を用いたことの他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化７】
【００４９】
比較例２
実施例１において用いたＨＯＧａＰｃに代えて前記製造例６で得たＴｉＯＰｃを用いたことの他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５０】
実施例１、比較例１及び比較例２で作成した電子写真感光体を像露光光源としてハロゲンランプを用い、更に半導体レ−ザ−（波長７８５ｎｍ）によるイレ−ス露光手段を有する複写機（商品名ＮＰ−４８３５、キヤノン（株）製改造機）に装着し、電子写真特性を評価した。暗部電位を−６５０Ｖとした時に明部電位が１５０Ｖとなる光量、イレ−ス後電位が８０Ｖとなるレ−ザ−光量、更に１０００枚連続コピ−を行った時の表面電位の変化を測定し、結果を表８に示す。
【００５１】
【表８】
【００５２】
ここに示すように、実施例１で作成した電子写真感光体は可視光光源、赤外レ−ザ−光源共に高い感度を有していると同時に連続コピ−時の電位の安定性も十分であり、優れた特性を示す。一方、比較例の電子写真感光体においては、両光源での感度を満足しないと共に、メモリ−特性の劣化に起因する連続電位変化が大きい。
【００５３】
実施例２
実施例１において、アゾ化合物とＨＯＧａＰｃとの比率を１対１とした他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５４】
実施例３
実施例１において、アゾ化合物として例示化合物Ｐ−１１を用い、ＨＯＧａＰｃとして製造例２で得られたＨＯＧａＰｃを用い、アゾ化合物対ＨＯＧａＰｃの比率を５対１とした。また、電荷輸送材料として下記構造式のヒドラゾン化合物を用いた。その他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化８】
【００５５】
実施例４
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例３で得られたＨＯＧａＰｃ結晶を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５６】
実施例５
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例４で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５７】
実施例６
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例５で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５８】
実施例７
実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のフルオレノン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化９】
【００５９】
実施例８
実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のベンジジン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化１０】
【００６０】
実施例９
実施例１と同様にして下引き層までを形成した後、例示化合物Ｐ−１３を８部を、テトラヒドロフラン１００部に溶解したポリビニル−４−フルオロベンザ−ル４部に加え、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで３０時間分散し、これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後、回収した塗布液を下引き層上に塗布した。膜厚は層中のアゾ化合物の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整した。
【００６１】
次に、製造例２のＨＯＧａＰｃ５部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００部に溶解したポリビニルブチラ−ル樹脂（前出）３部に加え、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで３０時間分散し、これに２００部の酢酸エチルを加えて希釈した後、回収して、上記アゾ化合物を含有する層の上に積層塗布した。膜厚は層中のＨＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように調整した。
【００６２】
この上に実施例１と同様にして電荷輸送層を形成して電子写真感光体を作成した。
【００６３】
実施例２〜９で作成した各電子写真感光体について、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表８に示す。
【００６４】
【表９】
【００６５】
また、ポチ、かぶりの目視検査による画像評価で、実施例の電子写真感光体は画像欠陥のない良好な画像が得られたが、比較例の電子写真感光体は画像欠陥が見られた。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体は、可視光から赤外光までの幅広い波長域において高い感度を有し、高画質で、なお、かつ耐久時に良好な電位安定性を維持するなどの顕著な効果を奏する。また、プロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置においても同様に顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図。
【図２】製造例２で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図３】製造例３で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図４】製造例４で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図５】製造例５で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【符号の説明】
１ 本発明の電子写真感光体
２ 軸
３ 一次帯電手段
４ 画像露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 像定着手段
９ クリ−ニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカ−トリッジ
１２ レ−ル
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真感光体並びに該電子写真感光体を備えたプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機光導電体を用いた電子写真感光体は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層と電荷発生材料を含有する電荷発生層を積層した機能分離方電子写真感光体の開発により、感度・耐久性において著しい改善がなされ実用化されるようになってきた。
【０００３】
一方、近年、複写機にレ−ザ−光による書き込み機能を持たせる等の目的で、可視域から赤外レ−ザ−波長域まで幅広い分光感度を有する感光体の開発が盛んである。こうした目的を達成する方法として、可視光域に感度を有する電荷発生材料と赤外域に感度を有する電荷発生材料を混合あるいは積層した電荷発生層を用いる方法が知られている。
【０００４】
例えば、アゾ化合物とフタロシアニン化合物との組み合わせについては、特願平７−１７５２４１号公報に特定アゾ顔料とチタニルフタロシアニンを組み合わせる感光体、特開平７−１２８８８８号公報にアゾ化合物とガリウムフタロシアニンを組み合わせる感光体が開示されている。
【０００５】
しかしながら、こうした感光体においては、各々の電荷発生材料の特性が十分に発揮されなかったり、特に混合使用した場合、メモリ−特性の悪化に伴い耐久時の電位変動が大きくなるという欠点を有しており、ガリウムフタロシアニン化合物を用いた場合は、帯電能が悪く、ポチ、かぶりによる画像劣化が見られた。また、可視域及び赤外線緒感度自体も十分なものとは言えなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の前記欠点を改善し、高感度でかつ可視域から赤外域まで幅広い分光感度を有し、高画質で耐久時の電位変動の少ない電子写真感光体を提供することである。また該電子写真感光体を用いたプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層がヒドロキシガリウムフタロシアニンと下記一般式（１）で表わされるアゾ化合物とを含有することを特徴とする電子写真感光体から構成される。
一般式（１） Ａｒ−（Ｎ＝Ｎ−Ｃｐ）n
（式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してもよい、置換非置換の芳香族炭化水素基あるいは複素環基を表わし、Ｃｐはフェノ−ル性水酸基を有するカプラ−残基を表わし、Ｃｐの少なくとも一つは下記一般式（２）で表わされるカプラ−残基である。ｎは１〜３の整数を表わす。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
一般式（２）
【化３】
【０００８】
また、本発明は、前記本発明の電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカ−トリッジから構成される。
【００９】
また、本発明は、前記本発明の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置から構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
前記一般式（１）中、Ａr としてはベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン等の芳香族炭化水素環基、フラン、チオフェン、ピリジン、インド−ル、ベンゾチアゾ−ル、カルバゾ−ル、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾ−ル等の複素環基、更に上記芳香族炭化水素環基または複素環基を直接あるいは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの、例えばビフェニル、ビナフチル、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、フルオレノン、フェナンスレンキノン、アントラキノン、ベンズアンスロン、タ−フェニル、ジフェニルオキサジアゾ−ル、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アゾベンゼン、アゾキシベンゼン、フェニルベンズオキサゾ−ル、ジフェニルメタン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエ−テル、ベンゾフェノン、テトラフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、テトラフェニルベンジジン、Ｎ−フェニル−２−ピリジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−２−ピリジルアミン等の基が挙げられる。
【００１１】
上記基が有してもよい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等のジアルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチル基等が挙げられる。
【００１２】
また、一般式（２）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の表わすハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等、アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボキシル基等、カルバモイル基としてはカルバモイル、フェニルカルバモイル基等、アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル等の基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ等の基、アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル等の基が挙げられる。
【００１３】
また、一般式（１）中、Ｃｐにおいて、一般式（２）で表わされるカプラ−残基以外に共存してもよいフェノ−ル性水酸基を有するカプラ−残基の好ましい例として、下記一般式（３）で表わされるカプラ−残基が挙げられる。
一般式（３）
【化４】
【００１４】
Ｒ4 及びＲ5 のアルキル基としてはメチル、エチル、プロピル等の基、アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル等の基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル等の基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロ−ル、オイロリン、ピロリジン、ピロリドン、インド−ル、インドリン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾリン、オキサジン、フェノキサジン等の基が挙げられる。
【００１５】
上記基が有してもよい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等のジアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙げられる。
【００１６】
以下に、本発明において用いられる電荷発生材料の具体的な化合物例を列挙する。構造の表現としては、一般式（１）中、Ａｒ及びＣｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが２０及び３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ1 、Ｃｐ2 、Ｃｐ3としてその構造を示した。
【００１７】
【表１】
【表２】
【表７】
次に、本発明において用いられるヒドロキシガリウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称す）の一般式を示す。
【化５】
【００２１】
本発明においては、いかなる結晶形のＨＯＧａＰｃも使用できるが、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°が７．４°、２８．２°に強いピ−クを有する結晶のＨＯＧａＰｃが高感度で、本発明において有効に作用し特に好ましい。
【００２２】
本発明によれば可視光域に高い感度を示す前記一般式（１）で表わされるアゾ化合物と赤外レ−ザ−域の高い感度を示すＨＯＧａＰｃを共に電荷発生物質として含有することから、可視光域から赤外域の光に対して効率よく電荷を発生することができる。
【００２３】
本発明において、ＨＯＧａＰｃと前記特定のジスアゾ顔料の含有比は好ましくは２０／１〜１／２０、更に好ましくは１０／１〜１／５に設定される。
【００２４】
感光層を形成するに当たって、電荷発生材料を混合する場合は、各材料を上記範囲の比率で適当な結着樹脂と溶剤に分散するか、あるいは個々に分散した液を所定の比率になるように混合する。個々に分散する場合、結着樹脂や溶剤はそれぞれ異なっても差し支えない。積層する場合は個々に分散した液を、含まれる材料の量が所定の比率になるような膜厚で各々塗布する。
【００２５】
ここで用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ−ル、フェノキシ樹脂、ポリカ−ボネ−ト、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニルベンザ−ル、ポリスチレン、ポリビニルアセテ−ト、ポリスルホン、ポリアリレ−ト、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体等が主として挙げられる。
【００２６】
本発明の電子写真感光体の構成は、電荷発生層と電荷輸送層との積層型、あるいは電荷発生材料と電荷輸送材料とが混在する単層型の両者が適用される。更に積層型の場合、積層の順序が２通りあるが、そのうち、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順で積層する構成が一般的である。その構成を例にとって電子写真感光体の態様を説明する。
【００２７】
導電性支持体としては導電性を有するものであれば良く、アルミニウム、ステンレス等の金属あるいは導電層を設けた金属、プラスチック、紙等が挙げられ、形状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられる。
【００２８】
また、導電性支持体と感光層との間に、バリヤ−機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層の材料としてはポリビニルアルコ−ル、ポリエチレンオキシド、エチルセルロ−ス、メチルセルロ−ス、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチン等が用いられる。これ等は、適当な溶剤に溶解して導電性支持体上に塗布される。
【００２９】
更に、支持体と下引き層との間に、支持体のむらや欠陥の被覆及び画像入力がレ−ザ−光の場合には散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適である。これはカ−ボンブラック、金属粒子、金属酸化物等の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は５〜４０ミクロン、好ましくは１０〜３０ミクロンが適当である。
【００３０】
電荷輸送層は、主として電荷輸送材料と結着樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して形成する。用いられる電荷輸送材料としては、各種のトリアリ−ルアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾ−ル系化合物、チアゾ−ル系化合物、トリアリルメタン系化合物等が挙げられる。結着樹脂としては電荷発生層に用いたと同様の樹脂を用いることができる。
【００３１】
これ等の感光層の塗布方法としては、浸漬コ−ティング法、スプレ−コ−ティング法、スピンナ−コ−ティング法、ビ−ドコ−ティング法、ブレ−ドコ−ティング法、ビ−ムコ−ティング法等の方法を用いることができる。
【００３２】
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レ−ザ−ビ−ムプリンタ−、ＣＲＴプリンタ−、ＬＥＤプリンタ−、液晶プリンタ−、レ−ザ−製版等電子写真応用分野にも広く利用することができる。
【００３３】
次に、本発明のプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置について説明する。図１に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。図において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレ−ザ−ビ−ム走査露光等の像露光手段（不図示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００３４】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナ−現像され、現像されたトナ−現像像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写材７は感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピ−）として装置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表面は、クリ−ニング手段９によって転写残りトナ−の除去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理がされた後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ロ−ラ−等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００３５】
本発明においては、上述の感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカ−トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ−トリッジを複写機やレ−ザ−ビ−ムプリンタ−等の電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば一次帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカ−トリッジ化し、装置本体のレ−ル１２等の案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカ−トリッジ１１とすることができる。また、画像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンタ−である場合には、原稿からの反射光や透過光を用いる、あるいは、センサ−で原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレ−ザ−ビ−ムの走査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッタ−アレイの駆動等により照射される光である。
【００３６】
次に本発明において用いるＨＯＧａＰｃの製造例を挙げる。
製造例１
ｏ−フタロジニトリル７３ｇ、三塩化ガリウム２５ｇ、α−クロルナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下、２００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物をろ過した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノ−ルで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを４５ｇ得た。この化合物の元素分析値を示す。
ここで得られたクロロガリウムフタロシアニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解させ、氷水２３００ｇ中に撹拌下に滴下して再析出させてろ過した。２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に水洗した後、ろ別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰｃを１３ｇ得た。
【００３８】
製造例２
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−クを有していた（図２）。
【００３９】
製造例３
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、テトラヒドロフラン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、２０時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−クを有していた（図３）。
【００４０】
製造例４
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージメチルアニリン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は７．６°、１６．４°、２５．０°、２６．５°に強いピ−クを有していた（図４）。
【００４１】
製造例５
製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、クロロホルム３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、２４時間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．２°は６．９°、１６．５°、２６．７°に強いピ−クを有していた（図５）。
【００４２】
製造例６
特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，５９２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα型といわれる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
【００４３】
【実施例】
実施例１
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉末５０部、レゾ−ル型フェノ−ル樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノ−ル５部及びシリコ−ンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで２時間分散して導電性塗料を調製した。
【００４４】
アルミニウムシリンダ−上に上記塗料を浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
【００４５】
この上に、６−６６−６１０−１２四元系ポリアミド共重合体５部をメタノ−ル７０部とブタノ−ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布、乾燥して膜厚１μｍの下引き層を形成した。
【００４６】
次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ結晶７部と例示化合物Ｐ−４のアゾ化合物１部をポリビニルブチラ−ル樹脂（商品名エスレックＢＸ−１、積水化学（株）製）４部をテトラヒドロフラン１００部に溶解した液に添加し、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで７時間分散し、これに１００部の酢酸ブチルを加えて、希釈した後回収して、これを下引き層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚０．２２μｍの電荷発生層を形成した。
【００４７】
次に、下記構造式の電荷輸送材料１０部
【化６】
【００４８】
比較例１
実施例１において、前記アゾ化合物に代えて下記構造式のアゾ化合物を用いたことの他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化７】
比較例２
実施例１において用いたＨＯＧａＰｃに代えて前記製造例６で得たＴｉＯＰｃを用いたことの他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５０】
実施例１、比較例１及び比較例２で作成した電子写真感光体を像露光光源としてハロゲンランプを用い、更に半導体レ−ザ−（波長７８５ｎｍ）によるイレ−ス露光手段を有する複写機（商品名ＮＰ−４８３５、キヤノン（株）製改造機）に装着し、電子写真特性を評価した。暗部電位を−６５０Ｖとした時に明部電位が１５０Ｖとなる光量、イレ−ス後電位が８０Ｖとなるレ−ザ−光量、更に１０００枚連続コピ−を行った時の表面電位の変化を測定し、結果を表８に示す。
【００５１】
【表８】
ここに示すように、実施例１で作成した電子写真感光体は可視光光源、赤外レ−ザ−光源共に高い感度を有していると同時に連続コピ−時の電位の安定性も十分であり、優れた特性を示す。一方、比較例の電子写真感光体においては、両光源での感度を満足しないと共に、メモリ−特性の劣化に起因する連続電位変化が大きい。
【００５３】
実施例２
実施例１において、アゾ化合物とＨＯＧａＰｃとの比率を１対１とした他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５４】
実施例３
実施例１において、アゾ化合物として例示化合物Ｐ−１１を用い、ＨＯＧａＰｃとして製造例２で得られたＨＯＧａＰｃを用い、アゾ化合物対ＨＯＧａＰｃの比率を５対１とした。また、電荷輸送材料として下記構造式のヒドラゾン化合物を用いた。その他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化８】
実施例４
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例３で得られたＨＯＧａＰｃ結晶を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５６】
実施例５
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例４で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５７】
実施例６
実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例５で得られたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００５８】
実施例７
実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のフルオレノン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化９】
実施例８
実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のベンジジン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化１０】
実施例９
実施例１と同様にして下引き層までを形成した後、例示化合物Ｐ−１３を８部を、テトラヒドロフラン１００部に溶解したポリビニル−４−フルオロベンザ−ル４部に加え、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで３０時間分散し、これに１００部の２−ブタノンを加えて希釈した後、回収した塗布液を下引き層上に塗布した。膜厚は層中のアゾ化合物の含有量が１００ｍｇ／ｍ2 となるように調整した。
【００６１】
次に、製造例２のＨＯＧａＰｃ５部を４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００部に溶解したポリビニルブチラ−ル樹脂（前出）３部に加え、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで３０時間分散し、これに２００部の酢酸エチルを加えて希釈した後、回収して、上記アゾ化合物を含有する層の上に積層塗布した。膜厚は層中のＨＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ2 となるように調整した。
【００６２】
この上に実施例１と同様にして電荷輸送層を形成して電子写真感光体を作成した。
【００６３】
実施例２〜９で作成した各電子写真感光体について、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表８に示す。
【００６４】
【表９】
また、ポチ、かぶりの目視検査による画像評価で、実施例の電子写真感光体は画像欠陥のない良好な画像が得られたが、比較例の電子写真感光体は画像欠陥が見られた。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体は、可視光から赤外光までの幅広い波長域において高い感度を有し、高画質で、なお、かつ耐久時に良好な電位安定性を維持するなどの顕著な効果を奏する。また、プロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置においても同様に顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図。
【図２】製造例２で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図３】製造例３で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図４】製造例４で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【図５】製造例５で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
【符号の説明】
１ 本発明の電子写真感光体
２ 軸
３ 一次帯電手段
４ 画像露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 像定着手段
９ クリ−ニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカ−トリッジ
１２ レ−ル
Claims (6)
- 導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層がヒドロキシガリウムフタロシアニンと下記一般式（１）で表わされるアゾ化合物とを含有することを特徴とする電子写真感光体。
一般式（１） Ａｒ−（Ｎ＝Ｎ−Ｃｐ）n
（式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してもよい、置換非置換の芳香族炭化水素基あるいは複素環基を表わし、Ｃｐはフェノ−ル性水酸基を有するカプラ−残基を表わし、Ｃｐの少なくとも一つは下記一般式（２）で表わされるカプラ−残基である。ｎは１〜３の整数を表わす。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
一般式（２）
- 前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層を有し、少なくとも該電荷発生層は前記ヒドロキシガリウムフタロシアニンと前記一般式（１）で表わされるアゾ化合物とを含有する請求項１記載の電子写真感光体。
- 前記アゾ化合物が、下記構造式（１）で表わされるジスアゾ顔料である請求項１または２記載の電子写真感光体。
構造式（１）
- 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°が７．４°、２８．２°に強いピ−クを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１、２または３記載の電子写真感光体。
- 請求項１記載の電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカ−トリッジ。
- 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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