JP2000075523A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高感度、高画質で耐久時の電位変動の少ない電
子写真感光体を提供することである。 【解決手段】導電性支持体上に感光層を有する電子写真
感光体において、該感光層がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンと下記構造式のジスアゾ顔料とを含有すること
を特徴とする電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体並び
に該電子写真感光体を備えたプロセスカ−トリッジ及び
電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機光導電体を用いた電子写真感光体
は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層と電荷発生材料
を含有する電荷発生層を積層した機能分離方電子写真感
光体の開発により、感度・耐久性において著しい改善が
なされ実用化されるようになってきた。

【０００３】一方、近年、複写機にレ−ザ−光による書
き込み機能を持たせる等の目的で、可視域から赤外レ−
ザ−波長域まで幅広い分光感度を有する感光体の開発が
盛んである。こうした目的を達成する方法として、可視
光域に感度を有する電荷発生材料と赤外域に感度を有す
る電荷発生材料を混合あるいは積層した電荷発生層を用
いる方法が知られている。

【０００４】また、端末用プリンタ−として電子写真技
術を応用したプリンタ−が広く普及している。これ等は
主としてレ−ザ−光を光源とするレ−ザ−ビ−ムプリン
タ−であり、その光源としてはコスト、装置の大きさ等
の点から半導体レ−ザ−が用いられる。現在、主として
用いられている半導体レ−ザ−はその発振波長が７９０
〜８２０ｎｍと長波長のため、これ等長波長の光に十分
な感度を有する電子写真感光体の開発が進められてお
り、感度、耐久性の改良のために電荷発生材料を混合あ
るいは積層した電荷発生層を用いる方法が知られてい
る。

【０００５】例えば、アゾ化合物とフタロシアニン化合
物との組み合わせについては、特願平７−１７５２４１
号公報に特定アゾ顔料とチタニルフタロシアニンを組み
合わせる感光体、特開平７−１２８８８８号公報にアゾ
化合物とガリウムフタロシアニンを組み合わせる感光体
が開示されている。

【０００６】しかしながら、こうした感光体において
は、各々の電荷発生材料の特性が十分に発揮されなかっ
たり、特に混合使用した場合、メモリ−特性の悪化に伴
い耐久時の電位変動が大きくなるという欠点を有してお
り、ガリウムフタロシアニン化合物を用いた場合は、帯
電能が悪く、ポチ、かぶりによる画像劣化が見られた。
また、可視域及び赤外線緒感度自体も十分なものとは言
えなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の前記欠点を改善し、高感度、高画質で耐久時の電位変
動の少ない電子写真感光体を提供することである。また
該電子写真感光体を用いたプロセスカ−トリッジ並びに
電子写真装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層
がヒドロキシガリウムフタロシアニンと下記一般式
（１）で表わされるジスアゾ顔料とを含有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。 一般式（１）

【化２】 式中、Ａ₁ 及びＡ₂ は同一でも異なってもよく、フェノ
−ル性水酸基を有するカプラ−残基を表わし、Ｂは水素
原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
てもよいアリ−ル基、置換基を有してもよい複素環基を
表わし、ｍ及びｎは０または１の整数を表わす。

【０００９】また、本発明は、前記本発明の電子写真感
光体、及び帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段か
らなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支
持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴と
するプロセスカ−トリッジから構成される。

【００１０】また、本発明は、前記本発明の電子写真感
光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を
有することを特徴とする電子写真装置から構成される。

【００１１】

【発明の実施の形態】前記一般式（１）中、Ａ₁ 及びＡ
₂ の好ましい例としては、下記一般式（２）〜（５）で
表わされるカプラ−残基が挙げられる。 一般式（２）

【化３】 一般式（３）

【化４】 一般式（４）

【化５】 一般式（５）

【化６】

【００１２】一般式（２）、（３）及び（４）中、Ｘは
ベンゼン環と縮合して置換基を有してもよいナフタレン
環、アントラセン環、カルバゾ−ル環、ベンズカルバゾ
−ル環、ジベンゾフラン環等の多環芳香環または複素環
を形成するのに必要な残基を表わす。

【００１３】一般式（２）及び（３）中、Ｒ₁ 及びＲ₂
は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアリ−ル基、置換基を有してもよいアラ
ルキル基または置換基を有してもよい複素環基を表わ
し、Ｒ₁ 、Ｒ₂ は共に窒素原子と結合して窒素原子を環
内に含む環状アミノ基を形成してもよい。

【００１４】一般式（４）中、Ｒ₃ は水素原子、置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリ
−ル基、置換基を有してもよいアラルキル基または置換
基を有してもよい複素環基を表わす。

【００１５】一般式（５）中、Ｒ₄ は置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置
換基を有してもよいアラルキル基または置換基を有して
もよい複素環基を表わす。

【００１６】前記表現のアルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル等の基、アリ−ル基としてはフェニル、
ナフチル、アンスリル等の基、アラルキル基としてはベ
ンジル、フェネチル等の基、複素環基としてはピリジ
ル、チエニル、チアゾリル、カルバゾリル、ベンゾイミ
ダゾリル、ベンゾチアゾリル等の基が挙げられ、窒素原
子を環内に含む環状アミノ基としてはピロ−ル、ピロリ
ン、ピロリジン、ピロリドン、インド−ル、インドリ
ン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾ
リン、オキサジン、フェノキサジン等の基が挙げられ
る。

【００１７】また、置換基としては、メチル、エチル、
プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ等のジアルキルアミノ基、フェニルカルバモ
イル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル等の
ハロメチル基等が挙げられる。

【００１８】一般式（２）中、Ｚは酸素原子または硫黄
原子を表わし、ｐは０または１の整数を表わす。

【００１９】表１〜５に一般式（１）で表わされるジス
アゾ顔料の代表例を列挙するが、該顔料はこれ等に限定
されるものではない。

【００２０】

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【００２１】一般式（１）で表わされるジスアゾ顔料
は、相当するジアミンを常法によりテトラゾ化し、アル
カリの存在下、カプラ−と水系でカップリングするか、
または前記ジアミンのテトラゾニウム塩をホウフッ化塩
あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適当な
溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の溶剤中で酢酸ソ−ダ、トリエチルアミ
ン、Ｎ−メチルモルホリン等の塩基の存在下、前記カプ
ラ−とカップリングすることにより容易に合成できる。

【００２２】次に、本発明において用いられるヒドロキ
シガリウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称
す）の一般式を示す。

【化７】 式中、Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ 及びＸ₄ は、ＣｌまたはＢｒを
表わし、ｎ，ｍ，ｋ及びｊは０〜４の整数である。

【００２３】本発明においては、いかなる結晶形のＨＯ
ＧａＰｃも使用できるが、ＣｕＫαのＸ線回折における
ブラッグ角２θ±０．２°が７．４°、２８．２°に強
いピ−クを有する結晶のＨＯＧａＰｃが高感度で、本発
明において有効に作用し特に好ましい。

【００２４】本発明によれば可視光域に高い感度を示す
前記一般式（１）で表わされるジスアゾ顔料と赤外レ−
ザ−域の高い感度を示すＨＯＧａＰｃを共に電荷発生物
質として含有することから、可視光域から赤外域の光に
対して効率よく電荷を発生することができる。

【００２５】本発明において、ＨＯＧａＰｃと前記特定
のジスアゾ顔料の含有比は好ましくは２０／１〜１／２
０、更に好ましくは１０／１〜１／５に設定される。

【００２６】感光層を形成するに当たって、電荷発生材
料を混合する場合は、各材料を上記範囲の比率で適当な
結着樹脂と溶剤に分散するか、あるいは個々に分散した
液を所定の比率になるように混合する。個々に分散する
場合、結着樹脂や溶剤はそれぞれ異なっても差し支えな
い。積層する場合は個々に分散した液を、含まれる材料
の量が所定の比率になるような膜厚で各々塗布する。

【００２７】ここで用いられる結着樹脂としては、例え
ば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ
−ル、フェノキシ樹脂、ポリカ−ボネ−ト、ポリビニル
ブチラ−ル、ポリビニルベンザ−ル、ポリスチレン、ポ
リビニルアセテ−ト、ポリスルホン、ポリアリレ−ト、
塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体等が主とし
て挙げられる。

【００２８】本発明の電子写真感光体の構成は、電荷発
生層と電荷輸送層との積層型、あるいは電荷発生材料と
電荷輸送材料とが混在する単層型の両者が適用される。
更に積層型の場合、積層の順序が２通りあるが、そのう
ち、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順で積層す
る構成が一般的である。その構成を例にとって電子写真
感光体の態様を説明する。

【００２９】導電性支持体としては導電性を有するもの
であれば良く、アルミニウム、ステンレス等の金属ある
いは導電層を設けた金属、プラスチック、紙等が挙げら
れ、形状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられ
る。

【００３０】また、導電性支持体と感光層との間に、バ
リヤ−機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもで
きる。下引き層の材料としてはポリビニルアルコ−ル、
ポリエチレンオキシド、エチルセルロ−ス、メチルセル
ロ−ス、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチン等が
用いられる。これ等は、適当な溶剤に溶解して導電性支
持体上に塗布される。

【００３１】更に、支持体と下引き層との間に、支持体
のむらや欠陥の被覆及び画像入力がレ−ザ−光の場合に
は散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設けるこ
とが好適である。これはカ−ボンブラック、金属粒子、
金属酸化物等の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形成
することができる。導電層の膜厚は５〜４０μｍ、好ま
しくは１０〜３０μｍが適当である。

【００３２】電荷輸送層は、主として電荷輸送材料と結
着樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して形成
する。用いられる電荷輸送材料としては、各種のトリア
リ−ルアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベ
ンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾ−ル系
化合物、チアゾ−ル系化合物、トリアリルメタン系化合
物等が挙げられる。結着樹脂としては電荷発生層に用い
たと同様の樹脂を用いることができる。

【００３３】これ等の感光層の塗布方法としては、浸漬
コ−ティング法、スプレ−コ−ティング法、スピンナ−
コ−ティング法、ビ−ドコ−ティング法、ブレ−ドコ−
ティング法、ビ−ムコ−ティング法等の方法を用いるこ
とができる。

【００３４】本発明の電子写真感光体は、電子写真複写
機に利用するのみならず、レ−ザ−ビ−ムプリンタ−、
ＣＲＴプリンタ−、ＬＥＤプリンタ−、液晶プリンタ
−、レ−ザ−製版等電子写真応用分野にも広く利用する
ことができる。

【００３５】次に、本発明のプロセスカ−トリッジ並び
に電子写真装置について説明する。図５に本発明の電子
写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電子
写真装置の概略構成を示す。図において、１はドラム状
の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方
向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は回転過
程において、一次帯電手段３によりその周面に正または
負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光
やレ−ザ−ビ−ム走査露光等の像露光手段（不図示）か
らの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に
静電潜像が順次形成されていく。

【００３６】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナ−現像され、現像されたトナ−現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写
手段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写
材７は感光体面から分離されて像定着手段８へ導入され
て像定着を受けることにより複写物（コピ−）として装
置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表
面は、クリ−ニング手段９によって転写残りトナ−の除
去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）か
らの前露光光１０により除電処理がされた後、繰り返し
画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ロ
−ラ−等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は
必ずしも必要ではない。

【００３７】本発明においては、上述の感光体１、一次
帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９等の構
成要素のうち、複数のものをプロセスカ−トリッジとし
て一体に結合して構成し、このプロセスカ−トリッジを
複写機やレ−ザ−ビ−ムプリンタ−等の電子写真装置本
体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば一次帯電
手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９の少なくと
も１つを感光体１と共に一体に支持してカ−トリッジ化
し、装置本体のレ−ル１２等の案内手段を用いて装置本
体に着脱可能なプロセスカ−トリッジ１１とすることが
できる。また、画像露光光４は、電子写真装置が複写機
やプリンタ−である場合には、原稿からの反射光や透過
光を用いる、あるいは、センサ−で原稿を読み取り、信
号化し、この信号に従って行われるレ−ザ−ビ−ムの走
査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッタ−アレイの駆
動等により照射される光である。

【００３８】次に本発明において用いるＨＯＧａＰｃの
製造例を挙げる。 製造例１ ｏ−フタロジニトリル７３ｇ、三塩化ガリウム２５ｇ、
α−クロルナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下、２０
０℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物をろ過し
た。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを
用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、ろ過し、メタ
ノ−ルで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニン
を４５ｇ得た。この化合物の元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ₃₂Ｈ₁₆Ｎ₈ ＣｌＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６１．７８ ２．６６ １８．２８ ６．２５ 計算値（％） ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４

【００３９】ここで得られたクロロガリウムフタロシア
ニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解させ、氷水
２３００ｇ中に撹拌下に滴下して再析出させてろ過し
た。２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十
分に水洗した後、ろ別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰ
ｃを１３ｇ得た。

【００４０】製造例２ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージ
メチルホルムアミド３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ
４５０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時
間行った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ
−ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを
９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回
折角２θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−
クを有していた（図１）。この化合物の元素分析値を示
す。 元素分析値（Ｃ₃₂Ｈ₁₇Ｎ₈ ＣｌＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７７ ２．６１ １８．３３ ０．５３ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −

【００４１】製造例３ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、テトラヒド
ロフラン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと
共にミリング処理を室温（２２℃）下、２０時間行っ
た。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、
次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２
ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２
θ±０．２°は７．４°、２８．２°に強いピ−クを有
していた（図２）。この化合物の元素分析値を示す。 元素分析値（Ｃ₃₂Ｈ₁₇Ｎ₈ ＣｌＧａ） Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 実験値（％） ６２．７４ ２．５３ １８．３２ ０．５４ 計算値（％） ６４．１４ ２．８６ １８．７０ −

【００４２】製造例４ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、Ｎ，Ｎージ
メチルアニリン３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５
０ｇと共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行
った。この分散液により固形分を取り出し、メタノ−
ル、次いで水で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを
９．２ｇ得た。このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回
折角２θ±０．２°は７．６°、１６．４°、２５．０
°、２６．５°に強いピ−クを有していた（図３）。

【００４３】製造例５ 製造例１で得られたＨＯＧａＰｃを１０ｇ、クロロホル
ム３００ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ４５０ｇと共にミ
リング処理を室温（２２℃）下、２４時間行った。この
分散液により固形分を取り出し、メタノ−ル、次いで水
で十分に洗浄、乾燥してＨＯＧａＰｃを９．２ｇ得た。
このＨＯＧａＰｃのＸ線回折における回折角２θ±０．
２°は６．９°、１６．５°、２６．７°に強いピ−ク
を有していた（図４）。

【００４４】製造例６ 特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，
５９２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型といわれる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン
を得た。

【００４５】

【実施例】実施例１ １０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸
化チタン粉末５０部（重量部）、レゾ−ル型フェノ−ル
樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノ−ル５部
及びシリコ−ンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオ
キシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．０
０２部を１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミルで
２時間分散して導電性塗料を調製した。

【００４６】アルミニウムシリンダ−上に、上記塗料を
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μ
ｍの導電層を形成した。

【００４７】この上に、６−６６−６１０−１２四元系
ポリアミド共重合体５部をメタノ−ル７０部とブタノ−
ル２５部の混合溶媒に溶解した溶液を浸漬塗布、乾燥し
て膜厚１μｍの下引き層を形成した。

【００４８】次に、製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ結
晶７部と例示顔料１８のジスアゾ顔料１部をポリビニル
ブチラ−ル（商品名エスレックＢＸ−１、積水化学
（株）製）４部をテトラヒドロフラン１００部に溶解し
た液を添加し、１ｍｍθのガラスビ−ズを用いたサンド
ミルで６時間分散し、これに１００部の酢酸ブチルを加
えて、希釈した後回収して、これを下引き層上に浸漬塗
布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚０．２５μｍ
の電荷発生層を形成した。

【００４９】次に、下記構造式の電荷輸送材料１０部

【化８】 とビスフェノ−ルＺ型ポリカ−ボネ−ト１０部をモノク
ロルベンゼン６０部に溶解した溶液を調製し、電荷発生
層上に浸漬塗布し、１３０℃で１時間乾燥して膜厚２３
μｍの電荷輸送層を形成して電子写真感光体を作成し
た。

【００５０】比較例１ 実施例１において、例示顔料１８に代えて下記構造式の
ジスアゾ顔料を用いたことの他は、実施例１と同様にし
て電子写真感光体を作成した。

【化９】

【００５１】比較例２ 実施例１において用いたＨＯＧａＰｃに代えて前記製造
例６で得たＴｉＯＰｃを用いたことの他は、実施例１と
同様にして電子写真感光体を作成した。

【００５２】実施例１、比較例１及び比較例２で作成し
た電子写真感光体を像露光光源としてハロゲンランプを
用い、更に半導体レ−ザ−（波長７８５ｎｍ）によるイ
レ−ス露光手段を有する複写機（商品名ＮＰ−４８３
５、キヤノン（株）製改造機）に装着し、電子写真特性
を評価した。暗部電位を−６５０Ｖとした時に明部電位
が１３０Ｖとなる光量、イレ−ス後電位が８０Ｖとなる
レ−ザ−光量、更に１０００枚連続コピ−を行った時の
表面電位の変化を測定し、結果を表６に示す。

【００５３】

【表６】

【００５４】ここに示すように、実施例１で作成した電
子写真感光体は可視光光源、赤外レ−ザ−光源共に高い
感度を有していると同時に連続コピ−時の電位の安定性
も十分であり、優れた特性を示す。一方、比較例の電子
写真感光体においては、両光源での感度を満足しないと
共に、メモリ−特性の劣化に起因する連続電位変化が大
きい。

【００５５】実施例２ 実施例１において、ジスアゾ顔料とＨＯＧａＰｃとの比
率を１対１とした他は、実施例１と同様にして電子写真
感光体を作成した。

【００５６】実施例３ 実施例１において、ジスアゾ顔料として例示顔料１を用
い、ＨＯＧａＰｃとして製造例２で得られたＨＯＧａＰ
ｃを用い、ジスアゾ顔料対ＨＯＧａＰｃの比率を５対１
とした。また、電荷輸送材料として下記構造式のヒドラ
ゾン化合物を用いた。その他は実施例１と同様にして電
子写真感光体を作成した。

【化１０】

【００５７】実施例４ 実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例３で得ら
れたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして
電子写真感光体を作成した。

【００５８】実施例５ 実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例４で得ら
れたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして
電子写真感光体を作成した。

【００５９】実施例６ 実施例１において、ＨＯＧａＰｃとして製造例５で得ら
れたＨＯＧａＰｃを用いた他は、実施例１と同様にして
電子写真感光体を作成した。

【００６０】実施例７ 実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のフ
ルオレノン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして
電子写真感光体を作成した。

【化１１】

【００６１】実施例８ 実施例１において、電荷輸送材料として下記構造式のベ
ンジジン化合物を用いた他は、実施例１と同様にして電
子写真感光体を作成した。

【化１２】

【００６２】実施例９ 実施例１と同様にして下引き層までを形成した後、例示
顔料１１のジスアゾ顔料８部をテトラヒドロフラン１０
０部に溶解したポリビニル−４−フルオロベンザ−ル４
部に加え、１ｍｍφのガラスビ−ズを用いたサンドミル
で３０時間分散し、これに１００部の２−ブタノンを加
えて希釈した後回収して、これを下引き層上に塗布し、
膜厚は、層中のジスアゾ顔料の含有量が１００ｍｇ／ｍ
² となるように調整した。

【００６３】次に製造例２のＨＯＧａＰｃ５部を４−メ
トキシ−４−メチル−２−ペンタノン２００部に溶解し
たポリビニルブチラ−ル（前出）３部に加え、１ｍｍφ
のガラスビ−ズを用いたサンドミルで３時間分散し、こ
れに２００部の酢酸エチルを加えて希釈した後回収し
て、上記ジスアゾ顔料層の上に積層塗布した。膜厚は、
層中のＨＯＧａＰｃの含有量が１５０ｍｇ／ｍ² となる
ように調整した。

【００６４】この上に実施例１と同様にして電荷輸送層
を形成し、電子写真感光体を作成し、前述のような評価
を行った。結果を表７に示す。

【００６５】

【表７】

【００６６】また、ポチ、かぶりの目視検査による画像
評価で、実施例の電子写真感光体は画像欠陥のない良好
な画像が得られたが、比較例の電子写真感光体は画像欠
陥が見られた。

【００６７】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、可視光から
赤外光までの幅広い波長域において高い感度を有し、高
画質で、なお、かつ耐久時に良好な電位安定性を維持す
るなどの顕著な効果を奏する。また、プロセスカ−トリ
ッジ並びに電子写真装置においても同様に顕著な効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例２で製造したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンのＸ線回折図

【図２】製造例３で製造したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンのＸ線回折図

【図３】製造例４で製造したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンのＸ線回折図

【図４】製造例５で製造したヒドロキシガリウムフタロ
シアニンのＸ線回折図

【図５】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ−
トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図。

【符号の説明】

１ 本発明の電子写真感光体 ２ 軸 ３ 一次帯電手段 ４ 画像露光光 ５ 現像手段 ６ 転写手段 ７ 転写材 ８ 像定着手段 ９ クリ−ニング手段 １０ 前露光光 １１ プロセスカ−トリッジ １２ レ−ル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 幹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 AA19 BA39 BA45 FA27

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
   真感光体において、該感光層がヒドロキシガリウムフタ
   ロシアニンと下記一般式（１）で表わされるジスアゾ顔
   料とを含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式（１） 【化１】 式中、Ａ₁ 及びＡ₂ は同一でも異なってもよく、フェノ
   −ル性水酸基を有するカプラ−残基を表わし、Ｂは水素
   原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
   てもよいアリ−ル基、置換基を有してもよい複素環基を
   表わし、ｍ及びｎは０または１の整数を表わす。
2. 【請求項２】 前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層
   を有し、少なくとも該電荷発生層は前記ヒドロキシガリ
   ウムフタロシアニンと前記一般式（１）で表わされるジ
   スアゾ顔料とを含有する請求項１記載の電子写真感光
   体。
3. 【請求項３】 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
   が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．
   ２°が７．４°、２８．２°に強いピ−クを有するヒド
   ロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１また
   は２記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 請求項１記載の電子写真感光体、及び帯
   電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群より
   選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写
   真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセス
   カ−トリッジ。
5. 【請求項５】 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手
   段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを
   特徴とする電子写真装置。