JP3872581B2 - Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 - Google Patents
Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3872581B2 JP3872581B2 JP33205697A JP33205697A JP3872581B2 JP 3872581 B2 JP3872581 B2 JP 3872581B2 JP 33205697 A JP33205697 A JP 33205697A JP 33205697 A JP33205697 A JP 33205697A JP 3872581 B2 JP3872581 B2 JP 3872581B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- amorphous silicon
- silicon film
- forming
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はキャパシタ形成方法に係り、特にHSGポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近半導体素子が高集積化するにつれ、微細パターンを形成する方法についての多くの研究が進められている。このような高集積半導体素子の中でDRAMのような半導体記憶素子はメモリセルの占める面積が段々減少するため、メモリセルの特性を向上するための方案が求められている。
【0003】
DRAM素子において、メモリセルの特性は、セルキャパシタンスと直接的な関わりがあってセルキャパシタンスが増加すればするほどメモリセルの特性は向上される。このようなセルキャパシタンスが蓄積電極の表面積に比例するので、高性能メモリセルを具現するためには蓄積電極の表面積を増さなければならない。従って、制限された面積内に表面積の増えた蓄積電極を形成するため3次元構造を持つ蓄積電極、例えばシリンダ型またはフィン(fin)型の蓄積電極を形成する方法が提案されたことがある。しかし、前述した3次元的な構造を持つ蓄積電極はその形成方法が非常に複雑であり、セルアレイ領域(cell array region)と周辺回路領域(periphery region)との間に大きな段差が形成され、写真工程の時パターン不良が生じる問題点がある。
【0004】
このような工程のややこしさを解決するため、最近蓄積電極の表面にHSG(Hemi−spherical Grain)ポリシリコン膜を形成し蓄積電極の表面積を増大する方法が提案されたことがある。このHSGポリシリコン膜は、半球形のグレインを有するポリシリコン膜で、このHSGポリシリコン膜は非晶質シリコン膜などの物質膜の表面に多数のシリコン核を形成し、このシリコン核をアニーリング工程で成長されることにより形成される。このとき、シリコン核は、非晶質シリコン膜から供給されるシリコン原子により成長される。そして、非晶質シリコン膜は、シリコン核が成長される途中にアニーリングにより結晶化がなされる。
【0005】
図1及び図2は従来技術によるキャパシタの蓄積電極を形成する方法を説明するための断面図である。
【0006】
図1は非晶質シリコン膜パターンを形成する段階を説明するための断面図である。まず、半導体基板1上に層間絶縁膜を形成し、これを写真/蝕刻工程でパターニングして半導体基板1の所定領域を露出させるコンタクトホール、即ち、ストレージノードコンタクトホールを具備する層間絶縁膜パターン3を形成する。この時、前記露出された半導体基板1の表面は、蝕刻工程、即ち乾式蝕刻または湿式蝕刻工程により発生する蝕刻損傷と、それから大気中の不純物吸着により半導体基板1のバルク領域と比べて結晶構造が異なり、高い結合エネルギー(bonding energy)を持つ。
【0007】
次いで、前記結果物の全面にコンタクトホールを埋める非晶質シリコン膜を形成する。ここで、非晶質シリコン膜は480℃乃至550℃の温度でシリコンソースガスであるシラン(silane;SiH4 )ガスまたはジシラン(disilane;Si2 H6 )ガスとドーパント(dopant)ガスであるフォスフィン(phosphine;PH3 )ガスを反応させて形成する。この時、非晶質シリコン膜が形成される初期に参照符号Aと示した円の内部に図示したようにコンタクトホールの底に多数のシリコン核が形成される。これは、コンタクトホールの底、即ち蝕刻工程により露出された半導体基板1表面の結合エネルギーが高いからである。続いて、前記非晶質シリコン膜をパターニングし前記コンタクトホールを覆う非晶質シリコン膜パターンを形成する。
【0008】
図2は蓄積電極を完成する段階を説明するための断面図である。具体的に説明すれば、前記非晶質シリコン膜パターン5の形成された結果物を密閉されたチェンバまたは炉(furnace)内に投入する。次いで、前記結果物を600℃乃至620℃の温度で加熱し、その後シリコンソースガスを注入して前記非晶質シリコン膜パターン5の表面にシリコン核を形成する。続いて、前記シリコンソースガスを遮断させアニーリングし、シリコン核を成長させることによって非晶質シリコン膜パターン5の表面に半球型のグレインの形成されたHSGポリシリコン膜7を形成する。このように形成された非晶質シリコン膜パターン5及びHSGポリシリコン膜は一つの蓄積電極を構成する。この度、前記非晶質シリコン膜パターン5の下部に形成されたシリコン核が一緒に成長し参照符号Bと示したように非晶質シリコン膜パターン5の上部表面まで結晶化が進み大きなシリコングレインが形成される。従って、半球型のグレインを持つHSGポリシリコン膜7が非晶質シリコン膜パターン5表面の一部のみに局部的に形成される。言い換えれば、シリコングレインBの表面にHSGポリシリコン膜7が形成されない現象が生じる。これは、シリコングレインB内にあるシリコン原子たちの結合エネルギーが非常に高いのでその表面にシリコン核が形成されなく、たとえシリコン核が形成されるとしてもアニーリング工程時にシリコングレインB内のシリコン原子たちがシリコン核に容易に移動することができなくて、シリコン核が正常的に成長しないからである。
【0009】
前述した通り、従来の技術によると、蓄積電極の表面にHSGポリシリコン膜が局部的に形成されるため、蓄積電極の表面積を極大化し難い問題点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、蓄積電極の表面にHSGポリシリコン膜を均一に形成することによって蓄積電極の表面積を極大化させられるキャパシタ形成方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため本発明は、まず、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する。次いで、前記層間絶縁膜を写真/蝕刻工程でパターニングし半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホール、即ちストレージノードコンタクトホールを備える層間絶縁膜パターンを形成する。この時、前記露出された半導体基板の表面に蝕刻工程による損傷が加えられ、コンタクトホールにより露出された半導体基板の表面は高いエネルギーを持つ。続いて、前記コンタクトホールの形成された結果物を密閉された空間、即ちチェンバまたは炉(furnace)内にローディグンし、半導体基板を所定の温度で加熱する。次いで、前記密閉された空間内にシリコンソースガス、ドーパントガス、及びシリコン核形成の阻止ガス(anti−silicon nucleation gas)を注入させ、前記半導体基板上に所定の厚さを持つ第1非晶質シリコン膜を形成する。ここで、前記シリコンソースガスとしてはシランガスまたはジシランガスを使うのが好ましく、前記ドーパントとしてはN型の不純物に対してフォスフィン(phosphin;PH3)ガスまたはアルシン(arsine;AsH3)ガスを使うのが好ましい。それから前記シリコン核形成の阻止ガスとしては酸化窒素(N2O)ガスまたは酸素ガスを使うのが好ましい。このようにシリコン核形成の阻止ガスを使って第1非晶質シリコン膜を形成すると、前記露出された半導体基板の表面にシリコン核が形成されるのを防ぐことができる。しかし、シリコン核形成の阻止ガス、例えば酸素ガスの流量がシリコンソースガスと比べて多すぎると第1非晶質シリコン膜の非抵抗が高まるので適当に調節するべきである。続いて、前記第1非晶質シリコン膜が形成された後、前記シリコン核形成の阻止ガスの供給を中断させる。そして、前記シリコンソースガス及び前記ドーパントガスを反応させ前記第1非晶質シリコン膜上に連続的に第2非晶質シリコン膜を形成する。次いで、前記第1及び第2非晶質シリコン膜を連続的にパターニングし前記コンタクトホールを覆う非晶質シリコン膜パターンを形成する。続いて、前記非晶質シリコン膜パターンの表面にHSGポリシリコン膜を形成する。この時、前記非晶質シリコン膜パターン及び半導体基板が接触し合う界面にシリコン核が存在しないので前記非晶質シリコン膜パターンはこれ以上結晶化が進めなく非晶質状態を保つ。従って、HSGポリシリコン膜は非晶質シリコン膜パターンの表面に均一に形成される。次いで、前記HSGポリシリコン膜の形成された結果物全面に遺伝体膜及びプレート電極を順番に形成することで本発明によるキャパシタを完成する。
【0012】
本発明によると、非晶質シリコン膜パターンの全表面にHSGポリシリコン膜を均一に形成することができる。従って、蓄積電極の表面積を極大化させることが可能になる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【0014】
図3は層間絶縁膜パターン13及び非晶質シリコン膜パターン15を形成する段階を説明するための断面図である。まず、半導体基板11上に層間絶縁膜を形成し、これをパターニングして前記半導体基板11の所定領域を露出させるコンタクトホール、即ち、ストレージノードコンタクトホールを具備する層間絶縁膜パターン13を形成する。続いて、前記結果物全面にコンタクトホールを埋める非晶質シリコン膜を形成する。
【0015】
前記非晶質シリコン膜を形成する工程は、前記半導体基板11の所定領域を露出させる層間絶縁膜パターン13の形成された結果物を密閉された空間、例えばチェンバ又は炉(furnace)内に投入させる段階と、前記結果物を所定の温度で加熱した状態でシリコンソースガス、ドーパントガス及びシリコン核形成の阻止ガスを密閉された空間の内部に注入させ前記露出された半導体基板11上に所定の厚さ、例えば800Å乃至1200Åの厚さで第1非晶質シリコン膜14を形成する段階と、前記シリコン核形成の阻止ガスを遮断させる状態で前記第1非晶質シリコン膜14上に連続的に第2非晶質シリコン膜16を形成する段階とで構成される。ここで前記所定の温度は非晶質シリコン膜を形成するために450℃乃至550℃の温度で調節するのが望ましく、前記シリコンソースガスはシランガスまたはジシランガスを使うのが望ましい。かつ、前記ドーパントガスとしてはN型の不純物に対してフォスフィン(PH3)ガスまたはアルシン(AsH3)ガスを使い、P型不純物に対してジボランガス(B2H6)ガスを使うのが望ましく、前記シリコン核形成の阻止ガスとしては酸化窒素(N2O)ガスまたは酸素ガスを使うのが望ましい。この度、前記シリコンソースガス及び前記シリコン核形成の阻止ガスとしてそれぞれシランガス及び酸素ガスを使う場合、シランガス、及び酸素ガスの注入量は、各々、500sccm(standard cubic centi−meter)乃至1500sccm、及び1sccm乃至100sccmで調節するのが望ましい。
【0016】
ここで、酸素ガスの量を注入しすぎれば、露出された半導体基板の表面に酸化膜が形成され半導体基板11と非晶質シリコン膜との接触抵抗が増加するので前述した通りシランガスの量に比べて非常に少量を注入するべきである。このように、初期の非晶質シリコン膜、即ち第1非晶質シリコン膜14の形成時に酸素ガスを注入すると、前記露出された半導体基板11表面にシリコン核が形成する現象を大いに抑えられる。このようなシリコン核は半導体基板11上に非晶質シリコン膜が所定の厚さ、例えば800Å乃至1200Åの厚さで形成された以降にはそれ以上形成されないので、前記第1非晶質シリコン膜14が形成された後で酸素ガスを遮断させ非晶質シリコン膜の比抵抗を減少させるのが好ましい。
【0017】
前述した非晶質シリコン膜を形成するため密閉された空間内に注入されるそれぞれの工程ガスの流量を経時的に図示したグラフが図5である。ここで横軸は時間を、縦軸は工程ガスの流量を表わす。
【0018】
図5を簡単に参照すれば、参照符号aはシリコンソースガスの注入量、参照符号bはドーパントガスの注入量、参照符号cはシリコン核形成の阻止ガスの注入量を表わす。図示するように、シリコン核形成の阻止ガスを注入させる時間T1は前記シリコンソースガス及びドーパントガスを注入させる時間T2と比べて非常に短く、時間T1は前述した通り、第1非晶質シリコン膜が800Å乃至1200Å程度で形成される瞬間までの時間を意味する。
【0019】
続いて、前記非晶質シリコン膜をパターニングし前記コンタクトホールを覆う非晶質シリコン膜パターン15を形成する。
【0020】
図4は本発明によるキャパシタを完成する段階を説明するための断面図である。具体的に説明すれば、前記非晶質シリコン膜パターン15の形成された結果物を密閉されたチャンバまたは炉(furnace)内で600℃乃至620℃の温度で加熱し、その後シリコンソースガス、例えばシランガスまたはジシランガスを注入して前記非晶質シリコン膜パターン15の表面に多数のシリコン核を形成する。次いで、前記シリコンソースガスを遮断させてアニーリングし、前記多数のシリコン核が成長したHSGポリシリコン膜17を形成する。ここで、前記非晶質シリコン膜パターン15と半導体基板11との間の界面にシリコン核が存在しないので非晶質シリコン膜パターン15内部にグレインが形成されない。従って、図示されたようにHSGポリシリコン膜17が蓄積電極の全表面に均一に形成される。
【0021】
次いで、図示はしなかったが、前記蓄積電極の形成された結果物全面に誘電体膜及びプレート電極を次々に形成しキャパシタを完成する。
【0022】
なお、前記実施形態は、本発明の単に一例にすぎなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で、且つ当分野での通常の知識を有する者によって可能であることは明らかである
【0023】
【発明の効果】
前述の如く、本発明によれば、非晶質シリコン膜の形成時に少量のガスを注入することによって半導体基板の表面にシリコン核が形成されるのを大いに抑えられる。従って、非晶質シリコン膜パターンの全表面にHSGポリシリコン膜を均一に形成できるので蓄積電極の表面積を極大化するのが可能であり、これによって高集積半導体記憶素子に当てはまるキャパシタを具現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のキャパシタ形成方法を説明するための断面図である。
【図2】 従来のキャパシタ形成方法を説明するための断面図である。
【図3】 本発明によるキャパシタ形成方法を説明するための断面図である。
【図4】 本発明によるキャパシタ形成方法を説明するための断面図である。
【図5】 本発明によるキャパシタの蓄積電極(storage electrode)を形成するための工程ガスの量を経時的に図示したグラフである。
【符号の説明】
11…半導体基板、
13…層間絶縁膜パターン、
14…第1非晶質シリコン膜、
15…非晶質シリコン膜パターン、
16…第2非晶質シリコン膜、
17…HSGポリシリコン膜。
Claims (7)
- 半導体基板上に前記半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを持つ層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記層間絶縁膜パターンの形成された前記半導体基板上に、シリコンソースガス及びシリコン核形成の阻止ガスを反応させ第1非晶質シリコン膜を形成する段階と、
前記第1非晶質シリコン膜上に前記シリコン核形成の阻止ガスの供給を中断させ、前記シリコンソースガスを使って第2非晶質シリコン膜を連続的に形成する段階と、
前記第1及び第2非晶質シリコン膜を連続的にパターニングして前記コンタクトホールを覆う非晶質シリコン膜パターンを形成する段階と、
前記非晶質シリコン膜パターンの表面にHSGポリシリコン膜を形成する段階を含むことを特徴とするキャパシタ形成方法。 - 前記シリコンソースガスはシランガスまたはジシランガスであることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ形成方法。
- 前記シリコン核形成の阻止ガスはN2 Oガスまたは酸素ガスであることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ形成方法。
- 前記第1非晶質シリコン膜は800Å乃至1200Åの厚さで形成することを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ形成方法。
- 前記第1非晶質シリコン膜は450℃乃至550℃の温度で形成することを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ形成方法。
- 前記第1非晶質シリコン膜または前記第2非晶質シリコン膜を形成する段階はドーパントガスを使って実施することを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ形成方法。
- 前記ドーパントガスはフォスフィンガス、アルシンガス、またはジボランガスであることを特徴とする請求項6に記載のキャパシタ形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33205697A JP3872581B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33205697A JP3872581B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11177041A JPH11177041A (ja) | 1999-07-02 |
JP3872581B2 true JP3872581B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=18250655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33205697A Expired - Fee Related JP3872581B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3872581B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8895435B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-11-25 | United Microelectronics Corp. | Polysilicon layer and method of forming the same |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP33205697A patent/JP3872581B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11177041A (ja) | 1999-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2795313B2 (ja) | 容量素子及びその製造方法 | |
JPH0714797A (ja) | 半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法 | |
JPH0629219A (ja) | 気相核生成を利用したポリシリコンのテクスチヤ化方法 | |
JP3614290B2 (ja) | 半球型グレーンの多結晶シリコン膜を持つ半導体装置の製造方法 | |
KR100299784B1 (ko) | 요철상폴리실리콘층의형성방법및이방법의실시에사용되는기판처리장치와반도체메모리디바이스 | |
US5854095A (en) | Dual source gas methods for forming integrated circuit capacitor electrodes | |
JPH09298284A (ja) | 半導体容量素子の形成方法 | |
KR0131743B1 (ko) | 디램셀의 저장전극 형성방법 | |
JPH05315543A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3313840B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5885867A (en) | Methods of forming hemispherical grained silicon layers including anti-nucleation gases | |
JPH1070249A (ja) | キャパシタの製造方法及び半導体装置 | |
JP3872581B2 (ja) | Hsgポリシリコン膜を利用する高集積半導体記憶素子のキャパシタ形成方法 | |
JPH10335607A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3362839B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6146966A (en) | Process for forming a capacitor incorporated in a semiconductor device | |
JP2861343B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH10275901A (ja) | コンデンサおよびメモリ構造体とその製造法 | |
JP3576790B2 (ja) | 半球型グレーンの多結晶シリコン膜を有する半導体装置の製造方法 | |
KR100195217B1 (ko) | 커패시터 형성방법 | |
JPH05175450A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06151753A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
GB2313477A (en) | Hemispherical grain formation on amorphous silicon | |
KR960003217B1 (ko) | 반도체 캐패시터 장치 및 이의 형성방법 | |
JPH0786601A (ja) | 多結晶シリコンmosトランジスタ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |