JP3857868B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP3857868B2 JP3857868B2 JP2000250025A JP2000250025A JP3857868B2 JP 3857868 B2 JP3857868 B2 JP 3857868B2 JP 2000250025 A JP2000250025 A JP 2000250025A JP 2000250025 A JP2000250025 A JP 2000250025A JP 3857868 B2 JP3857868 B2 JP 3857868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fiber
- semiconductor laser
- optical fiber
- birefringent
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4216—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details incorporating polarisation-maintaining fibres
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザモジュールに関し、特に発振状態の安定した外部共振器を構成する半導体レーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体レーザは、光通信の分野において信号用光源や光ファイバ増幅器の励起用光源として大量に用いられるようになってきた。半導体レーザを光通信の信号用光源や励起用光源として用いる場合、半導体レーザ(半導体レーザ素子)からのレーザ光を、光結合手段によって光ファイバに光学的に結合させるデバイスである半導体レーザモジュールとして使用される場合が多い。
【0003】
この半導体レーザーモジュールは、半導体レーザ素子から出射される光の波長を安定させるために、例えば、半導体レーザ素子の光をファイバブラッググレーティング(以下単にFBGという)によって光帰還させている。
【0004】
しかし、FBGにより外部共振器を構成した場合、光ファイバの形状状態、例えば巻き方によって帰還光の偏光状態が半導体レーザの増幅可能な偏波方向とは異なる成分を持つことがあり、光の帰還量が実効的に変化し、結果として発振状態が変化してしまうことがある。
【0005】
この対策として、前記光ファイバとして複屈折ファイバを使用することが考えられる。複屈折ファイバによれば偏波面が保持され、光帰還量をほぼ一定に保つことができ、光ファイバの巻き方等の形状状態の変化に起因する発振状態の変動を抑制することが可能となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、複屈折ファイバを使用すると、スペクトル上に等間隔のピークが立ち、発振状態が時間的に不安定になるという悪影響を及ぼすことがわかった。
【0007】
ここで、光ファイバにおける光結合手段側の入射端から反射部の中心までの長さをL、光ファイバの複屈折量をΔn、発振波長をλとすると、複屈折ファイバの特性として、固有軸であるX軸、Y軸間における光の伝搬定数が異なるため、光がFBGから反射されて戻ってきたときに、それぞれの固有軸を伝搬した光の間で位相差4π・Δn・L/λが生じる。
【0008】
一方、半導体レーザ素子は、TE(transverse electric)モードで発振しているが、非常に極僅かではあるがTM(transverse magnetic)モードも存在する。
また、複屈折ファイバの固有軸が半導体レーザ素子のTEモードの方向と僅かにずれてモジュールに固定された場合、複屈折ファイバ中にはX軸、Y軸両方の光が入射されていることになる。
また、複屈折ファイバの固有軸間のクロストークも完全に0となることは有り得ない。
【0009】
以上のような要因によって僅かにでもX軸、Y軸の両軸に光が入射され、それぞれの光が伝搬したときの位相差により干渉を起こした光が、増幅可能な偏波方向で半導体レーザ素子に帰還されると、スペクトル上にλ2/(2・Δn・L)間隔のピークが立つことになると推量される。
【0010】
このような余分なピークは、上記FBG付き半導体レーザ素子の発振状態に時間的不安定性を引き起こす悪影響を及ぼす原因の一つになっていた。
【0011】
図6は従来の半導体レーザモジュール10の概要図である。
図6において、半導体レーザモジュール10は、パッケ−ジ12内に半導体レーザ素子12aとレンズ等からなる光結合手段12bを有している。
また、パッケ−ジ12内には、半導体レーザ素子12aから出射された光を、光結合手段12bを介して受光する複屈折ファイバからなる光ファイバ13aの一端(入射端)側が配置され、パッケ−ジ12の外に延出されている。
光ファイバ13aの他端側には光コネクタ15が設けられている。14は光ファイバ13a内に設けられ外部共振器を構成するFBGである。
【0012】
図7は、半導体レーザモジュール10の出力強度と発振波長の関係を示す説明図である。図7に示す通り、FBGの反射中心波長λFBGで高いモード抑圧比を確保して安定発振することができず、λ2/(2・Δn・L)間隔のピークが現れていることが分かる。
【0013】
本発明は、このような従来の半導体レーザモジュールの不安定な発振状態の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、巻き方等の形状状態の変動にかかわらず安定した発振状態が得られる半導体レーザモジュールを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をもって課題を解決する手段としている。すなわち、本第1の発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と光ファイバとが光結合手段によって光結合された半導体レーザモジュールであって、前記光ファイバには、前記半導体レーザ素子から出射された光を前記半導体レーザ素子側に反射する反射部と、固有軸を有して複屈折性を備えた複屈折ファイバとが設けられ、該複屈折ファイバは前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部直前までの間に設けられ、前記複屈折ファイバは、光ファイバの光結合手段側の入射端から反射部の中心までの長さをLとしたとき、前記光結合手段側からの長さがL/2±L/3以内の発振状態が安定化する位置に、複屈折ファイバ同士を接続してなる接続部を有しており、該接続部では、前記接続された複屈折ファイバの固有軸同士が互いに90度±10度以内の設定回転角度θだけずれた状態とされている。なお、前記固有軸は互いに屈折率が異なる。
【0018】
また、本第2の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1の発明の構成に加え、前記反射部が、ファイバブラッググレーティングである構成をもって課題を解決する手段としている。
【0019】
また、本第3の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1の発明の構成に加え、前記反射部が、光コネクタで構成されている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0020】
また、本第4の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1の発明の構成に加え、前記反射部が、ファイバ切断面で構成されている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0021】
また、本第5の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1ないし本第4のいずれか一つの発明の構成に加え、前記接続部が融着接続で構成されている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0022】
また、本第6の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1ないし本第5のいずれか一つの発明の構成に加え、前記複屈折ファイバは、コアに非軸対称性の応力を付与した光ファイバであって、その応力付与部が断面円形状であるパンダファイバ、断面扇状のボウタイファイバ、断面楕円状の楕円ジャケットファイバ、又はコアの導波構造を非軸対称にした光ファイバであって、コアを楕円にした楕円コア光ファイバのいずれかである構成をもって課題を解決する手段としている。
【0023】
また、本第7の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1または第2の発明の構成に加え、前記光ファイバは、反射部の長手方向中心位置より光の伝送方向側に設けられた設定長さL3の複屈折ファイバを有している構成をもって課題を解決する手段としている。
【0024】
また、本第8の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第7の発明の構成に加え、前記光ファイバは、前記設定長さL3の複屈折ファイバの先に接続された設定長さL4の偏光無依存ファイバを有している構成をもって課題を解決する手段としている。
【0025】
また、本第9の発明の半導体レーザモジュールは、上記第7または第8の発明の構成に加え、前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部直前までの間に設けられた複屈折ファイバの入射端から接続部までの長さをL1、前記複屈折ファイバの接続部から前記反射部の中心位置までの長さをL2、|L1−L2|をΔLと定義すると、ΔL≠0の時に、前記反射部の中心位置から光の伝送方向に設けられた前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部の中心位置間に設けられた複屈折ファイバの複屈折量と等しい複屈折量を有する複屈折ファイバの設定長さL3は、1/ΔL≦1/L3である構成をもって課題を解決する手段としている。
【0026】
また、本第10の発明の半導体レーザモジュールは、上記本第1または第2の発明の構成に加え、前記光ファイバは、反射部の中心位置から光の伝送方向に設けられた設定長さL3の複屈折ファイバを有し、光の発振波長をλ、複屈折ファイバの複屈折量をΔn、前記光ファイバの入射端から接続部までの長さをL1、複屈折ファイバの接続部から反射部の中心位置までの長さをL2とし、L1、L2、L3又はそれらの加法減法すべての組み合わせから計算される量で、次式で定義される量をLXとしたとき、
LX=|P1L1±P2L2±P3L3|
(Pi=0or1,ΣPi≠0,i=1,2,3)
発振スペクトルがλ2/(2・Δn・LX)で表す全てのピーク間隔を持たない構成をもって課題を解決する手段としている。
【0029】
かかる構成の本発明の半導体レーザモジュールによれば、発振状態の安定化のために、光が複屈折ファイバに入射し反射部から戻ってきた時点での、複屈折ファイバの固有軸間の位相差(以下、単に位相差という)を操作することにより目的を達成する。
【0030】
本発明では、複屈折ファイバの固有軸を外部共振器の途中(接続部)で設定角度θだけ回転させる、光ファイバ長手方向における接続部の位置を適切に調整する、という2つの具体的操作により位相差を操作し、その結果として発振状態の安定化を図っている。
【0031】
複屈折ファイバの軸を回転して接続することは、光の位相を操作するのみであり、本来の偏波保持の効果は失われないので光帰還量は一定に保たれる。
【0032】
ただし位相差があると、該位相差を生み出す原因となっている、外部共振器の一部を構成している光ファイバの部分的な長さLXに対応して、発振スペクトル上にλ2/(2・Δn・LX)の間隔のピークが立つことになる。なお、λは外部共振器の発振波長、Δnは複屈折ファイバの固有軸同士の屈折率差(以下、複屈折量という)である。
【0033】
そこで、本発明では、位相差を小さくすることによって、このピーク間隔を非常に広く、例えば半導体レーザ素子のゲインスペクトルより広く、またはFBGを用いた場合にはその反射スペクトルの半値幅より広くすることにより、発振スペクトルに現れるピークをなくす若しくは非常に小さくする。
好ましくは位相差を無くすことができれば、ピーク間隔が無限大となり、実質的にはピークが存在しないことになるので、外部共振器の発振状態は安定する。
【0034】
逆に位相差を非常に大きくして、半導体レーザ素子の共振器長LLDから計算される縦モード間隔λ2/(2・nLD・LLD)よりもピーク間隔を狭くすることにより、位相差の発振状態に対する影響を少なくすることもできる。
【0035】
ここで、外部共振器の一部を構成している複屈折ファイバの中点で複屈折ファイバの軸を互いに90度回転させて接続することにより、ほとんど位相差がなくなる。
【0036】
ただし、この方法において、光ファイバに接続部を形成するので、接続部での反射を考慮することが好ましい。接続部を無反射にすることは事実上不可能であるし、無反射で無い限りどんなに小さい反射でも固有軸間の位相に影響がないとは言えないからである。
【0037】
また、反射部としてFBGを用いると、位相変化を伴う複素振幅反射率を考慮しなくてはならないので位相条件も単なる反射面とは異なる。
つまり、外部共振器を構成する複屈折ファイバの中点に接続部を設けると、以上の理由から、実際には、位相差は0とはなり得ない。
【0038】
このような場合、外部共振器を構成する複屈折ファイバの長さをL、複屈折ファイバの入射端から接続部までの長さをL1、該複屈折ファイバの接続部から前記反射部の中心位置までの長さをL2としたときに、L=L1+L2,L1=L2=L/2の条件ではなく、L1とL2の大きさを適切に変えることによって半導体レーザ素子に戻る光の位相状態を操作することが可能となる。
【0039】
また、FBGより光伝送方向側の光ファイバ端面からの反射を考慮する場合、L1、L2だけでなく、ΔL=|L1−L2|とL3の関係も最適化する必要がある。ΔL≠0のときは、L3によっておこるピーク間隔λ2/(2・Δn・L3)が、ΔLによる間隔λ2/(2・Δn・ΔL)よりも広ければ影響が少ない。つまり1/ΔL≦1/L3となるようにL3を選択すればよいことになる。
【0040】
以上のように、本発明ではL1、L2、L3を適切に選ぶことにより、LXから計算される全ての波長間隔のピークをさらに最適に抑制し、安定に外部共振器を発振させることが可能となる。
【0041】
また、FBGのない複屈折ファイバ付き半導体レーザモジュールも実用上重要である。半導体レーザモジュールは様々な地点からの反射に非常に敏感であり、FBGがない場合でもコネクタや光ファイバの切断面を波長選択性のない外部帰還部分とみなすことができる。光ファイバの切断面は光ファイバの長手方向に対して垂直あるいは斜めカットされてもよい。
【0042】
本発明によれば、コネクタや光ファイバの切断面の反射が影響するような状況であっても、上記のような適切な外部共振器を構成することによって安定発振を可能とすることができる。
【0043】
また、複屈折ファイバの固有軸を45度回転させて融着接続した場合には、完全には位相を補償することはできないが、固有軸間の相互作用を低減する効果がある。
【0044】
さらに、本発明は、複屈折ファイバの先に偏光無依存ファイバを接続することが可能である。その場合、他の偏光無依存ファイバと治具により接続した時、モードフィールドの違いなどによる損失が少ないという利点がある。
【0045】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(実施形態例1)
図1は本発明の実施形態例1を示す概要図である。図1において、半導体レーザモジュール1Aは、パッケ−ジ2内に半導体レーザ素子2aとレンズ等からなる光結合手段2bを有している。
【0046】
また、パッケ−ジ2内には、半導体レーザ素子2aから出射された光を、光結合手段2bを介して受光する光ファイバ3aの一端(入射端)側が配置され、パッケ−ジ2の外に延出されている。光ファイバ3aの他端側には光ファイバ3bが接続され、光ファイバ3bの他端には光コネクタ5が設けられている。
【0047】
4は光ファイバ3aに設けられた反射部であり、ここではFBGである。反射部4は半導体レーザ素子2aと共に外部共振器を形成している。6は、光ファイバ3aと光ファイバ3aとを融着接続した接続部である。7は光ファイバ3aと光ファイバ3bとを融着接続した接続部である。
なお、光結合手段2bは単体のレンズであってもよいし、楔形状などのレンズ形状をなした光ファイバ3aの端部であってもよい。
【0048】
光ファイバ3aとして複屈折ファイバが使用される。複屈折ファイバとしては、コアに非軸対称性の応力を付与したものを選定する。例えば、図3(a)に示す、応力付与部が断面円形状であるパンダファイバ30a、断面扇状のボウタイファイバ30b、断面楕円状の楕円ジャケットファイバ30c等が使用される。なお、図3(a)において、斜線の部分は応力付与部である。
【0049】
また、上記複屈折ファイバとして、図3(a)に示す、コアを楕円にした楕円コア光ファイバ30dが使用される。この楕円コア光ファイバは、コアの導波構造を非軸対称にした光ファイバである。
【0050】
複屈折ファイバでは、導波構造や応力の非軸対称性を作ることによって、屈折率の大きい固有軸と屈折率の小さい固有軸が形成され、固有軸同士には屈折率の差、すなわち複屈折量Δnが生じている。
【0051】
また、光ファイバ3bとしては、偏光無依存ファイバ、例えば、SMF(single mode fiber),DSF(dispersion sift fiber),RDF(reverse dispersion fiber,古河電気工業株式会社製)等が使用される。
【0052】
図3(b)は、複屈折ファイバの固有軸を回転して接続した状態を分かりやすくするために、複屈折ファイバの長手方向一部の断面を拡大して図示した説明図である。
図3(b)に示すように、接続部6は、複屈折ファイバ同士を、固有軸を設定回転角度θ(=90度)回転した状態で、互いに長手方向一連続に接続して形成されている。
【0053】
光ファイバ3aは、光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さをL1とし、接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、反射部4の中心位置から接続部7までの長さをL3としている。
【0054】
また、光ファイバ3aは、光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1と接続部6から反射部4の中心位置までの長さL2との合計の長さをLとしている。光ファイバ3bは接続部7からコネクタ5までの長さをL4としている。
【0055】
ここで本実施形態例1の具体例を以下に示す。
光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部4をFBGとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1およびL2をL/2±L/3以内に設定した、L1=0.9m、L2=1.2mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
(3)|L1−L2|をΔLと定義し、ΔL≠0のときに1/ΔL≦1/L3であることを満足する、L3=0.2mとする。
【0056】
このような構成で半導体レーザ素子2aと反射部4の中心位置の間で形成される外部共振器でレーザ発振を行うと、接続部6で接続された光ファイバ3aと光ファイバ3aでそれぞれ固有軸Xと固有軸Yの位相差が生じるが、これら光ファイバ3a同士が略同じ長さであり、かつ、回転角度θ=90度の状態で接続されているため、前記位相差がキャンセルされる。
【0057】
また、1/ΔL≦1/L3の条件も満たされているので、L3によっておこるピーク間隔λ2/(2・Δn・L3)が、ΔLによる間隔λ2/(2・Δn・ΔL)よりも広くなる。よって光伝送方向側の光ファイバ端面からの反射の影響が少なくなる。
よって、上記外部共振器におけるレーザ発振は時間的に安定する。
【0058】
また、光ファイバ3aの先に、偏光無依存ファイバである光ファイバ3bを介してコネクタ5が接続されているため、コネクタ5を他の一般的なコネクタ(図示せず)と接続した場合に、光ファイバのモードフィールドが一致する点で好ましい。
【0059】
(実施形態例2)
図2は本発明の実施形態例2を示す概要図である。図2の半導体レーザモジュール1Bの特徴は、実施形態例1の半導体レーザモジュール1Aに設けられている光ファイバ3bを省いて直接光ファイバ3aの端部に光コネクタ5が設けられていることである。また、光ファイバ3aは反射部4の中心位置からコネクタ5までの長さをL3としている。その他の構成は半導体レーザモジュール1Aと同様に付き詳細な説明は省略する。
【0060】
ここで本実施形態例2の具体例を以下に示す。
光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部4をFBGとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1およびL2をL/2±L/3以内に設定した、L1=0.9m、L2=1.2mとした。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とした。
(3)|L1−L2|をΔLと定義し、ΔL≠0のときに1/ΔL≦1/L3であることを満足する、L3=0.2mとした。
この例でも実施形態例1と同様に外部共振器のレーザ発振が安定した。
【0061】
また、本実施形態例2では、光ファイバ3bを省いて直接光ファイバ3aの端部に光コネクタ5が設けられていることにより、光コネクタ5に、光ファイバ3aと同様の複屈折ファイバが設けられた他の光コネクタ(図示せず)が接続される場合に、光のモードフィールドが合うので好ましい。
【0063】
(実施形態例3)
図4(a)は、本発明の実施形態例3を示す概要図である。図4(a)の半導体レーザモジュール1Cの特徴は、反射部として光コネクタ5を用いていることである。
この場合、光コネクタ5の先、出射側には光ファイバ3aは存在せず、該光コネクタ5の先端から光の空間伝送を行う構成となっている。その他の構成は半導体レーザモジュール1Aと同様に付き詳細な説明は省略する。
【0064】
ここで本実施形態例3の具体例を以下に示す。
図4(a)の半導体レーザモジュール1Cにおいて、光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部を光コネクタ5とし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から光コネクタ5までの長さをL2とし、L1およびL2をL/2±L/3以内に設定した、L1=1m、L2=1.2mとした。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とした。
この例でも実施形態例1と同様に外部共振器のレーザ発振が安定した。
【0065】
(実施形態例4)
図4(b)は本発明の実施形態例4を示す概要図である。図4(b)の半導体レーザモジュール1Dの特徴は、反射部としてファイバ切断面5Aを用いていることである。
したがって、この場合光ファイバ切断面5Aの先、出射側には光ファイバ3aは存在しない。その他の構成は半導体レーザモジュール1Aと同様に付き詳細な説明は省略する。
【0066】
本実施形態例の具体例を示す。図4(b)の半導体レーザモジュール1Dにおいて、光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部を光ファイバ切断面5Aとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から光ファイバ切断面5Aまでの長さをL2とし、L1およびL2をL/2±L/3以内に設定した、L1=2.2m、L2=2mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
この例でも実施形態例1と同様に外部共振器のレーザ発振が安定した。
【0067】
(参考例1)
本発明に関連する参考例1をここで説明する。この参考例は、図1,図2の半導体レーザモジュール1A、1Bにおいて、前記複屈折ファイバ3aの互いに屈折率が異なる2つの直交する固有軸をそれぞれX軸、Y軸としたとき、前記半導体レーザ素子から出た光が、光ファイバに入射し反射部で反射されて入射端に戻って来た際に、X軸偏光で入射しX軸偏光で戻ってきた光とY軸偏光で入射しY軸偏光で戻ってきた光の位相差の値ΔΦに特徴がある。
すなわち、本参考例は、前記位相差の値ΔΦが、少なくとも光ファイバの複屈折量Δn、発振波長λから導かれる4π・Δn・L/λのピーク間隔を形成する位相差より小さいことを特徴とする。
そのために光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部4をFBGとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1=0.6m、L2=0.4mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
【0068】
このような値に設定すると、
L=L1+L2=1m、
ΔL=|L1−L2|=0.2mとなり、
Δn=3×10-4,λ=980nmとしたとき、
4π・Δn・L/λ≒3800
ΔΦ≒4π・Δn・ΔL/λ≒770
となり、確かにΔΦが4π・Δn・L/λより小さくなっている。
このようにすると、前記位相差の値ΔΦを小さくできるので、発振スペクトルに現れるピークをなくす若しくは非常に小さくすることができ、光の発振状態を安定化することができる。
【0069】
(参考例2)
本参考例2では、図1、図2の半導体レーザモジュール1A、1Bにおいて、前記位相差の値ΔΦを、半導体レーザ(素子)の屈折率nLD、半導体レーザ(素子)共振器長LLDから導かれる4π・nLD・LLD/λの値の位相差より大きくしたことを特徴とする。そのために光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部4をFBGとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1=11m、L2=1mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
【0070】
このような値に設定すると、ΔL=|L1−L2|=10mとなり、
nLD=3.5,LLD=800μm,λ=980nm、Δn=3×10-4,したとき、
4π・nLD・LLD/λ≒36000
ΔΦ≒4π・Δn・ΔL/λ≒38000
となり、確かにΔΦが4π・nLD・LLD/λより大きくなっている。
このようにすると、前記位相差の値ΔΦを非常に大きくすることができるので、該位相差の発振状態に対する影響を少なくすることができる。
【0071】
(実施形態例5)
本実施形態例では、図1、図2の半導体レーザモジュール1A、1Bにおいて、L1、L2、L3又はそれらの加法減法のすべての組み合わせから計算される量で、次式で定義される量をLXとしたとき、
LX=|P1L1±P2L2±P3L3|
(Pi=0or1,ΣPi≠0,i=1,2,3)
λ2/(2ΔnLX)で表す、いわゆるビートによる全てのピーク間隔を持たないことを特徴とする。そのために光ファイバ3aにパンダファイバを使用しその長さを以下の値に設定し、反射部4をFBGとし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1=2m、L2=1m,L3=0.5mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
【0072】
このような値に設定すると、λ=980nm、Δn=3×10-4としたときLXは、LX=0.5m,1m,1.5m,2m,2.5m,3m,3.5mという値を取り、そこからそれぞれ、λ2/(2・Δn・LX)≒3.2nm,1.6nm,1.1nm,0.80nm,0.64nm,0.53nm,0.46nmと計算されるピーク間隔を持たない。
よってビートによる発振波長不安定化を防止することができる。
【0073】
(実施形態例6)
本実施形態例では、図2の半導体レーザモジュール1Bにおいて、光ファイバ3aとしてパンダファイバを使用し、その長さを以下の値に設定し、反射部を光コネクタ5とし、接続部6における回転角度θを以下の値に設定する。
(1)光ファイバ3aの一端(入射端)から接続部6までの長さL1および接続部6から反射部4の中心位置までの長さをL2とし、L1およびL2をL/2±L/3以内に設定した、L1=2m、L2=2.1mとする。
(2)接続部6における回転角度θを90度±10度以内に設定した、90度とする。
この例でも外部共振器のレーザ発振が安定した。
【0074】
以上説明したように、上記各実施形態例1ないし6及び参考例1、2において、それぞれ半導体レーザモジュールからの出力強度を確認したところ、従来の半導体レーザモジュールにみられたλ2/(2・Δn・L)間隔のピークが無く、各実施形態例のスペクトル代表図、図5に示すように、λFBGで発振しているモードが高いモード抑圧比を保って安定に発振させることが確認できた。
【0075】
また、上記実施形態例4または実施形態例6において、反射部として光コネクタ5または光ファイバ切断面5Aを使用した場合についても、接続部6における回転角度θを最適に設定すると、発振しているモードが高いモード抑圧比を保って安定に発振させることが確認できた。
【0076】
なお、上記各実施形態例および参考例において複屈折ファイバの軸を中心にして回転させて接続するための具体的手段として、複屈折ファイバ同士を長手方向一連続に接続したものを示したが、本発明においては、光カプラのごとく横並びに接続したものであってもよい。
【0077】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザモジュールによれば、巻き方等の形状状態の変動に基づく、不安定な発振状態となる半導体レーザモジュールに対して、外部共振器を構成する光ファイバに複屈折ファイバを使用し、外部共振器の途中で複屈折ファイバの軸を中心にして設定角度回転させて接続することによって、外部共振器を有する半導体レーザ素子の発振モードが、高いモード抑圧比を保って安定に発振する半導体レーザモジュールが達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザモジュールの第1の実施形態を示す説明図である。
【図2】本発明に係る半導体レーザモジュールの第2の実施形態を示す説明図である。
【図3】(a)は、本発明に係る半導体レーザモジュールに用いられる複屈折ファイバの断面を示す説明図である。
(b)は、本発明に係る半導体レーザモジュールの第2の実施形態を示す他の説明図である。
【図4】(a)は、本発明に係る半導体レーザモジュールの第3の実施形態を示す説明図である。
(b)は、本発明に係る半導体レーザモジュールの第4の実施形態を示す説明図である。
【図5】本発明に係る半導体レーザモジュールの出力スペクトル特性を示す説明図である。
【図6】従来の半導体レーザモジュールの一例を示す説明図である。
【図7】従来の半導体レーザモジュールの出力スペクトル特性を示す説明図である。
【符号の説明】
1A,1B,1C,1D 半導体レーザモジュール
2 パッケージ
2a 半導体レーザ素子
2b 光結合手段
3a 複屈折ファイバ
3b 偏光無依存ファイバ
4 反射部
5 光コネクタ
5A 光ファイバ切断面
6 接続部
Claims (10)
- 半導体レーザ素子と光ファイバとが光結合手段によって光結合された半導体レーザモジュールであって、
前記光ファイバには、前記半導体レーザ素子から出射された光を前記半導体レーザ素子側に反射する反射部と、固有軸を有して複屈折性を備えた複屈折ファイバとが設けられ、
該複屈折ファイバは前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部直前までの間に設けられ、
前記複屈折ファイバは、光ファイバの光結合手段側の入射端から反射部の中心までの長さをLとしたとき、前記光結合手段側からの長さがL/2±L/3以内の発振状態が安定化する位置に、複屈折ファイバ同士を接続してなる接続部を有しており、
該接続部では、前記接続された複屈折ファイバの固有軸同士が互いに90度±10度以内の設定回転角度θだけずれた状態とされていること
を特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記反射部が、ファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記反射部が、光コネクタで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記反射部が、ファイバ切断面で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記接続部が融着接続で構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記複屈折ファイバは、コアに非軸対称性の応力を付与した光ファイバであって、
その応力付与部が断面円形状であるパンダファイバ、
断面扇状のボウタイファイバ、
断面楕円状の楕円ジャケットファイバ、又は
コアの導波構造を非軸対称にした光ファイバであって、コアを楕円にした楕円コア光ファイバ
のいずれかである
ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。 - 前記光ファイバは、反射部の長手方向中心位置より光の伝送方向側に設けられた設定長さL3の複屈折ファイバを有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光ファイバは、前記設定長さL3の複屈折ファイバの先に接続された設定長さL4の偏光無依存ファイバを有していることを特徴とする請求項7記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部直前までの間に設けられた複屈折ファイバの入射端から接続部までの長さをL1、前記複屈折ファイバの接続部から前記反射部の中心位置までの長さをL2、|L1−L2|をΔLと定義すると、ΔL≠0の時に、前記反射部の中心位置から光の伝送方向に設けられた前記光ファイバの光結合手段側の入射端から前記反射部の中心位置間に設けられた複屈折ファイバの複屈折量と等しい複屈折量を有する複屈折ファイバの設定長さL3は、1/ΔL≦1/L3であることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光ファイバは、反射部の中心位置から光の伝送方向に設けられた設定長さL3の複屈折ファイバを有し、
光の発振波長をλ、複屈折ファイバの複屈折量をΔn、前記光ファイバの入射端から接続部までの長さをL1、複屈折ファイバの接続部から反射部の中心位置までの長さとL2とし、L1、L2、L3又はそれらの加法減法すべての組み合わせから計算される量で、次式で定義される量をLXとしたとき、
LX=|P1L1±P2L2±P3L3|
(Pi=0or1,ΣPi≠0,i=1,2,3)
発振スペクトルがλ2/(2・Δn・LX)で表す全てのピーク間隔を持たないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000250025A JP3857868B2 (ja) | 1999-09-16 | 2000-08-21 | 半導体レーザモジュール |
US09/662,118 US6683902B1 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-14 | Semiconductor laser module |
EP00308039A EP1085622B1 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | Semiconductor laser module with external cavity and birefringent fibers |
DE60036345T DE60036345T2 (de) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | Halbleiterlasermodul mit externem Resonator und doppelbrechenden Glasfasern |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26205599 | 1999-09-16 | ||
JP11-262055 | 1999-09-16 | ||
JP2000250025A JP3857868B2 (ja) | 1999-09-16 | 2000-08-21 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001154068A JP2001154068A (ja) | 2001-06-08 |
JP3857868B2 true JP3857868B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=26545363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000250025A Expired - Fee Related JP3857868B2 (ja) | 1999-09-16 | 2000-08-21 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6683902B1 (ja) |
EP (1) | EP1085622B1 (ja) |
JP (1) | JP3857868B2 (ja) |
DE (1) | DE60036345T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
CN1204662C (zh) | 2000-12-15 | 2005-06-01 | 古河电气工业株式会社 | 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器 |
WO2003005509A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module laser a semiconducteur, amplificateur de lumiere et procede de production de module laser a semiconducteur |
JP2004006439A (ja) | 2001-07-02 | 2004-01-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
WO2003005106A1 (fr) | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co., Ltd | Module de laser semi-conducteur et amplificateur optique |
WO2003005507A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module de laser semi-conducteur et son procede de production, et intensificateur |
DE60214727T2 (de) * | 2001-07-02 | 2007-09-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Halbleiterlasermodul, optischer verstärker und verahren zum herstellen des halbleiterlasermoduls. |
JP4137440B2 (ja) | 2001-12-28 | 2008-08-20 | 富士通株式会社 | 光デバイスの接続方法および光装置 |
JP3833621B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-10-18 | 株式会社フジクラ | 偏波保持光ファイバ |
US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
US7391795B2 (en) | 2003-08-01 | 2008-06-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Laser light source |
GB2439102A (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-19 | Univ Kent Canterbury | Optical fibre delay device with orthogonal polarisation axes |
EP1926188A1 (en) | 2006-11-27 | 2008-05-28 | JDS Uniphase Corporation | Power stabilization of laser harmonic frequency conversion |
DE102016118391B4 (de) | 2016-09-28 | 2019-03-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kurzpulslasersystem |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4603941A (en) * | 1982-09-27 | 1986-08-05 | Agency Of Industrial Science And Technology | Polarization-maintaining fiber system and method of manufacturing the same |
JPS60145689A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Nec Corp | ピグテ−ル付半導体レ−ザ装置 |
US4748687A (en) | 1984-09-25 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Narrow band laser transmitter |
CA2051943A1 (en) * | 1991-09-20 | 1993-03-21 | Tomas Valis | Fibre optic device |
US5841797A (en) | 1994-06-28 | 1998-11-24 | Ventrudo; Brian F. | Apparatus for stabilizing multiple laser sources and their application |
US5485481A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Seastar Optics Inc. | Fibre-grating-stabilized diode laser |
US5659559A (en) | 1994-06-28 | 1997-08-19 | Sdl, Inc. | Apparatus for generating a stabilized laser source |
DE69527830T2 (de) | 1994-11-14 | 2003-01-02 | Mitsui Chemicals Inc | Wellenlängenstabilisierter Lichtquelle |
JPH09162490A (ja) | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子モジュール |
US5881185A (en) * | 1996-08-19 | 1999-03-09 | Honeywell Inc. | Method and apparatus for accurately fabricating a depolarizer |
US6256330B1 (en) * | 1996-12-02 | 2001-07-03 | Lacomb Ronald Bruce | Gain and index tailored single mode semiconductor laser |
JP2000028852A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 偏光面保存ファイバ、ldモジュール及びその組立方法 |
-
2000
- 2000-08-21 JP JP2000250025A patent/JP3857868B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-14 US US09/662,118 patent/US6683902B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-15 DE DE60036345T patent/DE60036345T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-15 EP EP00308039A patent/EP1085622B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001154068A (ja) | 2001-06-08 |
EP1085622B1 (en) | 2007-09-12 |
DE60036345T2 (de) | 2008-05-29 |
EP1085622A1 (en) | 2001-03-21 |
US6683902B1 (en) | 2004-01-27 |
DE60036345D1 (de) | 2007-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4786132A (en) | Hybrid distributed bragg reflector laser | |
JP3857868B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
US6977769B2 (en) | Pump light source device for optical Raman amplification and optical Raman amplification system using the same | |
EP0489847B1 (en) | Interferometer utilizing superfluorescent optical source | |
US5463647A (en) | Broadband multi-wavelength narrow linewidth laser source using an electro-optic modulator | |
US4831631A (en) | Laser transmitter comprising a semiconductor laser and an external resonator | |
JP3905819B2 (ja) | 光モジュール | |
EP0563779B1 (en) | Laser light beam generating apparatus | |
US5936980A (en) | Internally modulated coupled cavity fiber lasers | |
US20080231861A1 (en) | Polarization Maintaining Optical Delay Circuit | |
US6524016B1 (en) | Semiconductor laser module | |
JPH11289130A (ja) | 外部共振器型レーザ | |
JP2000077771A (ja) | 半導体光増幅装置 | |
JP3710077B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
JP4176860B2 (ja) | 外部共振器型レーザ | |
JPH0964440A (ja) | 光ファイバレーザ | |
US6886995B2 (en) | Back reflection insensitive electro-optical interface and a method of coupling the same to a waveguide | |
JPS61125187A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR100281642B1 (ko) | 유도 브릴루앙 산란과 어븀 다 파장 생성기 | |
JPH11163469A (ja) | ファイバグレーティング外部共振器レーザ | |
JPH1168233A (ja) | 可変波長レーザ光源 | |
JPS6255983A (ja) | 光フアイバを用いた外部光帰還半導体レ−ザ | |
JP3833882B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPS6295886A (ja) | 分布帰還構造半導体レ−ザ | |
JP2009059953A (ja) | 光ファイバレーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040803 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041122 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060728 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |