JPH11289130A - 外部共振器型レーザ - Google Patents
外部共振器型レーザInfo
- Publication number
- JPH11289130A JPH11289130A JP10092056A JP9205698A JPH11289130A JP H11289130 A JPH11289130 A JP H11289130A JP 10092056 A JP10092056 A JP 10092056A JP 9205698 A JP9205698 A JP 9205698A JP H11289130 A JPH11289130 A JP H11289130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connector
- laser
- grating
- laser light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続されるコネクタに拘わらず、常時良好な
伝送品質を得る。 【解決手段】 グレーティング２２による反射光のブラ
ッグ波長が所定波長に設定されるＦＢＧ部２０と、ＦＢ
Ｇ部と光の入出力が可能なように光結合されるととも
に、生じた光を反射する高反射面１２を有し、高反射面
とグレーティングとの間で光を共振させて所定発振波長
のレーザ光を、コネクタ３０を介して発振するレーザ発
光素子１０とを少なくとも備えた外部共振器型レーザに
おいて、ＦＢＧ部は、レーザ発光素子とコネクタ間の光
路上に設けられ、高反射面とグレーティング間で共振器
を形成するとともに、ＦＢＧ部とコネクタ間の光路上に
アイソレータ２７を設けて、コネクタからの反射戻り光
である反射波をアイソレータで吸収して阻止する。
伝送品質を得る。 【解決手段】 グレーティング２２による反射光のブラ
ッグ波長が所定波長に設定されるＦＢＧ部２０と、ＦＢ
Ｇ部と光の入出力が可能なように光結合されるととも
に、生じた光を反射する高反射面１２を有し、高反射面
とグレーティングとの間で光を共振させて所定発振波長
のレーザ光を、コネクタ３０を介して発振するレーザ発
光素子１０とを少なくとも備えた外部共振器型レーザに
おいて、ＦＢＧ部は、レーザ発光素子とコネクタ間の光
路上に設けられ、高反射面とグレーティング間で共振器
を形成するとともに、ＦＢＧ部とコネクタ間の光路上に
アイソレータ２７を設けて、コネクタからの反射戻り光
である反射波をアイソレータで吸収して阻止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グレーティングに
よる反射光のブラッグ波長が所定波長に設定される光フ
ァイバ、すなわちファイバブラッググレーティング（以
下、「ＦＢＧ」という）を用いて所定波長のレーザ光を
発振する外部共振器型レーザに関する。
よる反射光のブラッグ波長が所定波長に設定される光フ
ァイバ、すなわちファイバブラッググレーティング（以
下、「ＦＢＧ」という）を用いて所定波長のレーザ光を
発振する外部共振器型レーザに関する。
【０００２】
【関連する背景技術】従来、この種のレーザには、例え
ば米国特許Ｎｏ．４，７８６，１３２に示されるよう
に、ＦＢＧを外部共振器に用いて、単一波長のレーザ光
を発振するものやOECC'96(First Optoelectronics and
Communications Conference TechnicalDigest, July 19
96, Makuhari Messe)の１８Ｐ−１８に示されるよう
に、ＦＢＧを外部共振器に用いたレーザにおいて、レー
ザ光源との間の光学的な結合部分であるファイバの端面
をレンズ加工した、いわゆるレンズドファイバ構成にな
っているものがあった。
ば米国特許Ｎｏ．４，７８６，１３２に示されるよう
に、ＦＢＧを外部共振器に用いて、単一波長のレーザ光
を発振するものやOECC'96(First Optoelectronics and
Communications Conference TechnicalDigest, July 19
96, Makuhari Messe)の１８Ｐ−１８に示されるよう
に、ＦＢＧを外部共振器に用いたレーザにおいて、レー
ザ光源との間の光学的な結合部分であるファイバの端面
をレンズ加工した、いわゆるレンズドファイバ構成にな
っているものがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記レーザ
では、伝送される信号の伝送品質は、雑音レベル対信号
レベル特性によって評価されており、例えば映像伝送を
行う場合には、−１３０ｄＢ／Ｈｚ以上の相対雑音強度
（ＲＩＮ）を想定している。そこで、本発明者らは、図
５に示すように、OECC'96の従来例と同様な構成の装置
モデルを用いて、以下の条件に基づいて信号を伝送する
実験を行った。すなわち、上記レーザは、例えば歪多重
量子井戸構造を持つレーザからなり、光源であるレーザ
ダイオードからなるレーザ発光素子１０と、導光路で、
かつブラッグ波長に反射のピークを有する狭帯域反射型
の光ファイバであるＦＢＧ部２０とを備えて構成され
る。上記構成におけるレーザ発光素子１０は、図示しな
い活性層と上記活性層を挟んで形成される無反射面１１
及び高反射面１２とを、またＦＢＧ部２０は、クラッド
の一端面２１が球面状にレンズ加工されたレンズドファ
イバと、ファイバコア内に形成されたグレーティング２
２と、コネクタ３０が接続されるクラッドの他端面２３
をそれぞれ有し、注入される電流によって活性層に光が
生じ、その光が高反射端面１２とグレーティング２２間
で形成される外部共振器によって反射され、レーザ光と
して他端面２３からコネクタ３０を介して出力してい
る。
では、伝送される信号の伝送品質は、雑音レベル対信号
レベル特性によって評価されており、例えば映像伝送を
行う場合には、−１３０ｄＢ／Ｈｚ以上の相対雑音強度
（ＲＩＮ）を想定している。そこで、本発明者らは、図
５に示すように、OECC'96の従来例と同様な構成の装置
モデルを用いて、以下の条件に基づいて信号を伝送する
実験を行った。すなわち、上記レーザは、例えば歪多重
量子井戸構造を持つレーザからなり、光源であるレーザ
ダイオードからなるレーザ発光素子１０と、導光路で、
かつブラッグ波長に反射のピークを有する狭帯域反射型
の光ファイバであるＦＢＧ部２０とを備えて構成され
る。上記構成におけるレーザ発光素子１０は、図示しな
い活性層と上記活性層を挟んで形成される無反射面１１
及び高反射面１２とを、またＦＢＧ部２０は、クラッド
の一端面２１が球面状にレンズ加工されたレンズドファ
イバと、ファイバコア内に形成されたグレーティング２
２と、コネクタ３０が接続されるクラッドの他端面２３
をそれぞれ有し、注入される電流によって活性層に光が
生じ、その光が高反射端面１２とグレーティング２２間
で形成される外部共振器によって反射され、レーザ光と
して他端面２３からコネクタ３０を介して出力してい
る。
【０００４】このような構成のレーザにおける各パラメ
ータを以下のように設定した。すなわち、レーザ発光素
子１０では、無反射面１１の電界反射率を１０-4以下、
無反射面１１から高反射面１２までの長さを６００μｍ
以下、ＦＢＧ部２０では、ブラッグ波長における電界反
射率を０．４以下、半値幅を０．１ｍｍに設定した。ま
た、上記クラッドの一端面２１は無反射コーティングが
施されており、その電界反射率を０．４以下に設定する
とともに、光の結合効率を０．５に設定した。
ータを以下のように設定した。すなわち、レーザ発光素
子１０では、無反射面１１の電界反射率を１０-4以下、
無反射面１１から高反射面１２までの長さを６００μｍ
以下、ＦＢＧ部２０では、ブラッグ波長における電界反
射率を０．４以下、半値幅を０．１ｍｍに設定した。ま
た、上記クラッドの一端面２１は無反射コーティングが
施されており、その電界反射率を０．４以下に設定する
とともに、光の結合効率を０．５に設定した。
【０００５】図６は、この実験結果である雑音特性を示
す特性図である。図６に示すように、コネクタの接続に
伴う雑音、つまりコネクタからレーザの方向に戻る反射
戻り光のレベルによって伝送帯域に影響を与えてしまう
ことを確認した。そこで、本発明者らは、フィジカルコ
ネクタ（ＰＣ）、スーパーフィジカルコネクタ（ＳＰ
Ｃ）、アングルドフィジカルコネクタ（ＡＰＣ）を、上
記クラッドの他端面２３にそれぞれ接続させた場合の相
対雑音強度を求めた。図７は、その結果を示す関係図で
あり、コネクタの種類に拘わらず相対雑音強度がいずれ
も−１３０ｄＢ／Ｈｚを上回ってしまい、このような状
態では、例えば映像伝送を行う場合には、画面に雑音が
発生して、映像の伝送品質が劣化するという問題点があ
った。
す特性図である。図６に示すように、コネクタの接続に
伴う雑音、つまりコネクタからレーザの方向に戻る反射
戻り光のレベルによって伝送帯域に影響を与えてしまう
ことを確認した。そこで、本発明者らは、フィジカルコ
ネクタ（ＰＣ）、スーパーフィジカルコネクタ（ＳＰ
Ｃ）、アングルドフィジカルコネクタ（ＡＰＣ）を、上
記クラッドの他端面２３にそれぞれ接続させた場合の相
対雑音強度を求めた。図７は、その結果を示す関係図で
あり、コネクタの種類に拘わらず相対雑音強度がいずれ
も−１３０ｄＢ／Ｈｚを上回ってしまい、このような状
態では、例えば映像伝送を行う場合には、画面に雑音が
発生して、映像の伝送品質が劣化するという問題点があ
った。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、接続されるコネクタに拘わらず、常時良好な伝送品
質を得ることができる外部共振器型レーザを提供するこ
とを目的とする。
で、接続されるコネクタに拘わらず、常時良好な伝送品
質を得ることができる外部共振器型レーザを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、グレーティングによる反射光のブラッ
グ波長が所定波長に設定されるＦＢＧと、前記ＦＢＧと
光の入出力が可能なように光結合されるとともに、生じ
た光を反射する反射面を有し、該反射面と前記グレーテ
ィングとの間で前記光を共振させて所定発振波長のレー
ザ光を、コネクタを介して発振するレーザ発光素子とを
少なくとも備えた外部共振器型レーザにおいて、前記光
ファイバは、前記レーザ発光素子とコネクタ間の光路上
に設けられるとともに、前記ＦＢＧとコネクタ間の光路
上に、前記コネクタからの反射波を阻止する例えばアイ
ソレータからなる阻止手段を備えた外部共振器型レーザ
が提供される。
め、本発明では、グレーティングによる反射光のブラッ
グ波長が所定波長に設定されるＦＢＧと、前記ＦＢＧと
光の入出力が可能なように光結合されるとともに、生じ
た光を反射する反射面を有し、該反射面と前記グレーテ
ィングとの間で前記光を共振させて所定発振波長のレー
ザ光を、コネクタを介して発振するレーザ発光素子とを
少なくとも備えた外部共振器型レーザにおいて、前記光
ファイバは、前記レーザ発光素子とコネクタ間の光路上
に設けられるとともに、前記ＦＢＧとコネクタ間の光路
上に、前記コネクタからの反射波を阻止する例えばアイ
ソレータからなる阻止手段を備えた外部共振器型レーザ
が提供される。
【０００８】すなわち、レーザ発光素子とコネクタ間の
光路上にアイソレータを設けて、コネクタからの反射戻
り光である反射波を上記アイソレータで吸収し阻止する
ことで雑音特性を改善する。
光路上にアイソレータを設けて、コネクタからの反射戻
り光である反射波を上記アイソレータで吸収し阻止する
ことで雑音特性を改善する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る外部共振器型レーザ
を図１乃至図４の図面に基づいて説明する。図１は、本
発明に係る外部共振器型レーザの第１実施例の概略構成
を示す構成図である。なお、以下の図において、図５と
同様の構成部分については、説明の都合上、同一符号を
付記するものとする。
を図１乃至図４の図面に基づいて説明する。図１は、本
発明に係る外部共振器型レーザの第１実施例の概略構成
を示す構成図である。なお、以下の図において、図５と
同様の構成部分については、説明の都合上、同一符号を
付記するものとする。
【００１０】図１において、外部共振器型レーザは、図
５と同様に、例えば歪多重量子井戸レーザからなり、レ
ーザ発光素子１０と、レンズ加工された一端面２１とグ
レーティング２２を有するＦＢＧ部２０とを備えるとと
もに、この他に光学レンズ２５，２６と、本発明に係る
阻止手段を構成して光学レンズ２５，２６間に設けられ
たアイソレータ２７と、一端にコネクタ３０が接続され
た光ファイバ２８とから構成されている。上記各構成部
分は、ＦＢＧ部２０の光路上にそれぞれ設けられてお
り、レーザ発光素子１０に生じた光は、高反射面１２と
グレーティング２２間で形成される共振器によって反射
増幅され、ブラッグ波長で規定される所定波長のレーザ
光としてアイソレータ２７、光ファイバ２８及びコネク
タ３０を介して出力されている。
５と同様に、例えば歪多重量子井戸レーザからなり、レ
ーザ発光素子１０と、レンズ加工された一端面２１とグ
レーティング２２を有するＦＢＧ部２０とを備えるとと
もに、この他に光学レンズ２５，２６と、本発明に係る
阻止手段を構成して光学レンズ２５，２６間に設けられ
たアイソレータ２７と、一端にコネクタ３０が接続され
た光ファイバ２８とから構成されている。上記各構成部
分は、ＦＢＧ部２０の光路上にそれぞれ設けられてお
り、レーザ発光素子１０に生じた光は、高反射面１２と
グレーティング２２間で形成される共振器によって反射
増幅され、ブラッグ波長で規定される所定波長のレーザ
光としてアイソレータ２７、光ファイバ２８及びコネク
タ３０を介して出力されている。
【００１１】このような外部共振器型レーザでは、コネ
クタ３０に例えば反射率の小さいＡＰＣを用いても、コ
ネクタ３０からレーザの方向に反射戻り光が発生し、こ
れによって伝送帯域に影響を与えてしまう。そのため
に、本実施例では、アイソレータ２７をＦＢＧ部２０と
光ファイバ２８間に設けて、上記戻り光を吸収して高反
射面１２とグレーティング２２間で形成される共振器に
反射波が戻らないように構成する。
クタ３０に例えば反射率の小さいＡＰＣを用いても、コ
ネクタ３０からレーザの方向に反射戻り光が発生し、こ
れによって伝送帯域に影響を与えてしまう。そのため
に、本実施例では、アイソレータ２７をＦＢＧ部２０と
光ファイバ２８間に設けて、上記戻り光を吸収して高反
射面１２とグレーティング２２間で形成される共振器に
反射波が戻らないように構成する。
【００１２】このような構成の外部共振器型レーザにお
ける各パラメータは、図５で設定したパラメータの他
に、光学レンズ２５，２６の電界反射率を１０-4以下、
アイソレータ２７のアイソレーションを６０ｄＢに設定
し、上記外部共振器型レーザによって伝送帯域に対する
雑音特性を求めた。図２は、上記外部共振器型レーザに
おける雑音特性を示す特性図である。この図から明らか
なように、雑音のレベルは伝送帯域の信号に影響を与え
ない程度に低減され、コネクタ３０にＰＣ、ＳＰＣ及び
ＡＰＣのいずれを用いた場合にも、相対雑音強度は、図
７の関係図に示すように、−１５０ｄＢ／Ｈｚを下回
り、伝送品質を向上させることができた。
ける各パラメータは、図５で設定したパラメータの他
に、光学レンズ２５，２６の電界反射率を１０-4以下、
アイソレータ２７のアイソレーションを６０ｄＢに設定
し、上記外部共振器型レーザによって伝送帯域に対する
雑音特性を求めた。図２は、上記外部共振器型レーザに
おける雑音特性を示す特性図である。この図から明らか
なように、雑音のレベルは伝送帯域の信号に影響を与え
ない程度に低減され、コネクタ３０にＰＣ、ＳＰＣ及び
ＡＰＣのいずれを用いた場合にも、相対雑音強度は、図
７の関係図に示すように、−１５０ｄＢ／Ｈｚを下回
り、伝送品質を向上させることができた。
【００１３】このように、本実施例では、ＦＢＧ部の後
段にアイソレータを設けてコネクタからの反射波を阻止
するので、接続されるコネクタの種類に拘わらず、雑音
レベルが伝送帯域の信号に影響を与えることがなくな
り、常時良好な伝送品質を得ることができ、例え映像伝
送を行う場合でも十分な映像の伝送品質を保つことがで
き、画面に雑音が発生することを防ぐことができる。
段にアイソレータを設けてコネクタからの反射波を阻止
するので、接続されるコネクタの種類に拘わらず、雑音
レベルが伝送帯域の信号に影響を与えることがなくな
り、常時良好な伝送品質を得ることができ、例え映像伝
送を行う場合でも十分な映像の伝送品質を保つことがで
き、画面に雑音が発生することを防ぐことができる。
【００１４】なお、本実施例の各パラメータは、あくま
でも上記実験を行うために設定したものであり、アイソ
レータを用いた本発明の外部共振器型レーザはこれ以外
の設定値のものにも用いることが可能である。例えば、
アイソレータ２７のアイソレーションを６０ｄＢ以下に
設定した場合でも、多少伝送品質の劣化はあるが、相対
雑音強度を改善でき、上記相対雑音強度をそれほど重要
視しない信号伝送であれば、十分に使用できるものであ
り、またこの他のパラメータの設定値にも本発明は拘束
されるものではなく、相対雑音強度の改善が可能であ
る。
でも上記実験を行うために設定したものであり、アイソ
レータを用いた本発明の外部共振器型レーザはこれ以外
の設定値のものにも用いることが可能である。例えば、
アイソレータ２７のアイソレーションを６０ｄＢ以下に
設定した場合でも、多少伝送品質の劣化はあるが、相対
雑音強度を改善でき、上記相対雑音強度をそれほど重要
視しない信号伝送であれば、十分に使用できるものであ
り、またこの他のパラメータの設定値にも本発明は拘束
されるものではなく、相対雑音強度の改善が可能であ
る。
【００１５】また、図３は、本発明に係る外部共振器型
レーザの第２実施例の概略構成を示す構成図である。図
３において、図１の第１実施例と異なる点は、レーザ発
光素子１０の後面側（無反射面１１側）に、レンズ加工
された一端面２１とグレーティング２２を有するＦＢＧ
部２０を配置して、レーザ発光素子１０の低反射面１３
とグレーティング２２間に共振器を形成させるととも
に、レーザ発光素子１０の低反射面１３の後段に第１実
施例と同様の光学レンズ２５，２６とアイソレータ２７
を設けたことである。
レーザの第２実施例の概略構成を示す構成図である。図
３において、図１の第１実施例と異なる点は、レーザ発
光素子１０の後面側（無反射面１１側）に、レンズ加工
された一端面２１とグレーティング２２を有するＦＢＧ
部２０を配置して、レーザ発光素子１０の低反射面１３
とグレーティング２２間に共振器を形成させるととも
に、レーザ発光素子１０の低反射面１３の後段に第１実
施例と同様の光学レンズ２５，２６とアイソレータ２７
を設けたことである。
【００１６】本実施例では、レーザ発光素子１０に生じ
た光は、低反射面１３とグレーティング２２間で形成さ
れる共振器によって反射増幅され、ブラッグ波長で規定
される所定波長のレーザ光として、低反射面１３からア
イソレータ２７、光ファイバ２８及びコネクタ３０を介
して出力されており、コネクタ３０からの反射波は、ア
イソレータ２７で阻止されている。
た光は、低反射面１３とグレーティング２２間で形成さ
れる共振器によって反射増幅され、ブラッグ波長で規定
される所定波長のレーザ光として、低反射面１３からア
イソレータ２７、光ファイバ２８及びコネクタ３０を介
して出力されており、コネクタ３０からの反射波は、ア
イソレータ２７で阻止されている。
【００１７】従って、本実施例でも、レーザ発光素子の
後段にアイソレータを設けてコネクタからの反射波を阻
止するので、第１実施例と同様に接続されるコネクタの
種類に拘わらず、常時良好な伝送品質を得ることができ
る。また、図４は、本発明に係る外部共振器型レーザの
第３実施例の概略構成を示す構成図である。図４は、第
１実施例とほぼ同様の構成であるが、第１実施例で示し
た光学レンズ２５，２６とアイソレータ２７をユニット
２９に構成にして、ＦＢＧ部２０と接続させるととも
に、導光路の延長が可能なように光ファイバ３１及びコ
ネクタ３２を介して光ファイバ２８に接続させたもので
ある。
後段にアイソレータを設けてコネクタからの反射波を阻
止するので、第１実施例と同様に接続されるコネクタの
種類に拘わらず、常時良好な伝送品質を得ることができ
る。また、図４は、本発明に係る外部共振器型レーザの
第３実施例の概略構成を示す構成図である。図４は、第
１実施例とほぼ同様の構成であるが、第１実施例で示し
た光学レンズ２５，２６とアイソレータ２７をユニット
２９に構成にして、ＦＢＧ部２０と接続させるととも
に、導光路の延長が可能なように光ファイバ３１及びコ
ネクタ３２を介して光ファイバ２８に接続させたもので
ある。
【００１８】本実施例では、レーザ発光素子１０に生じ
た光は、高反射面１２とグレーティング２２間で形成さ
れる共振器によって反射増幅され、ブラッグ波長で規定
される所定波長のレーザ光として、ＦＢＧ部２０からア
イソレータ２７、光ファイバ３１、２８やコネクタ３
２，３０を介して出力されており、各コネクタ３０，３
２からレーザの方向に戻る反射戻り光は、アイソレータ
２７で阻止される。
た光は、高反射面１２とグレーティング２２間で形成さ
れる共振器によって反射増幅され、ブラッグ波長で規定
される所定波長のレーザ光として、ＦＢＧ部２０からア
イソレータ２７、光ファイバ３１、２８やコネクタ３
２，３０を介して出力されており、各コネクタ３０，３
２からレーザの方向に戻る反射戻り光は、アイソレータ
２７で阻止される。
【００１９】このように、本実施例では、複数のコネク
タを介して導光路を延長させても、各コネクタからの反
射波をアイソレータで阻止することができ、接続される
コネクタの数に拘わらず、雑音レベルが伝送帯域の信号
に影響を与えることがなくなり、常時良好な伝送品質を
得ることができる。なお、本発明では、本実施例に限ら
ず、コネクタを３つ以上用いて導光路を延長した場合に
も、上記と同様にコネクタからの反射波をアイソレータ
で阻止することが可能である。
タを介して導光路を延長させても、各コネクタからの反
射波をアイソレータで阻止することができ、接続される
コネクタの数に拘わらず、雑音レベルが伝送帯域の信号
に影響を与えることがなくなり、常時良好な伝送品質を
得ることができる。なお、本発明では、本実施例に限ら
ず、コネクタを３つ以上用いて導光路を延長した場合に
も、上記と同様にコネクタからの反射波をアイソレータ
で阻止することが可能である。
【００２０】従って、これら実施例では、レーザ発光素
子とグレーティング間で形成される外部共振器の後段に
アイソレータを設けて、コネクタからの反射波を阻止す
るので、接続されるコネクタの種類や数に拘わらず、常
時良好な伝送品質を得ることができる。なお、これら実
施例では、反射波の阻止手段にアイソレータを用いた場
合について説明したが、本発明はこれに限らず、上記阻
止手段に例えばサーキュレータ等を用いることも可能で
ある。
子とグレーティング間で形成される外部共振器の後段に
アイソレータを設けて、コネクタからの反射波を阻止す
るので、接続されるコネクタの種類や数に拘わらず、常
時良好な伝送品質を得ることができる。なお、これら実
施例では、反射波の阻止手段にアイソレータを用いた場
合について説明したが、本発明はこれに限らず、上記阻
止手段に例えばサーキュレータ等を用いることも可能で
ある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、グレ
ーティングによる反射光のブラッグ波長が所定波長に設
定される光ファイバであるファイバブラッググレーティ
ング部と、前記ファイバブラッググレーティング部と光
の入出力が可能なように光結合されるとともに、生じた
光を反射する反射面を有し、該反射面と前記グレーティ
ングとの間で前記光を共振させて所定発振波長のレーザ
光を、コネクタを介して発振するレーザ発光素子とを少
なくとも備えた外部共振器型レーザにおいて、共振器と
前記コネクタの間の光路上に、前記コネクタからの反射
波を阻止する阻止手段を備えたので、接続されるコネク
タに拘わらず、常時良好な伝送品質を得ることができ
る。
ーティングによる反射光のブラッグ波長が所定波長に設
定される光ファイバであるファイバブラッググレーティ
ング部と、前記ファイバブラッググレーティング部と光
の入出力が可能なように光結合されるとともに、生じた
光を反射する反射面を有し、該反射面と前記グレーティ
ングとの間で前記光を共振させて所定発振波長のレーザ
光を、コネクタを介して発振するレーザ発光素子とを少
なくとも備えた外部共振器型レーザにおいて、共振器と
前記コネクタの間の光路上に、前記コネクタからの反射
波を阻止する阻止手段を備えたので、接続されるコネク
タに拘わらず、常時良好な伝送品質を得ることができ
る。
【図１】本発明に係る外部共振器型レーザの第１実施例
の概略構成を示す構成図である。
の概略構成を示す構成図である。
【図２】図１に示したレーザにおける雑音特性を示す特
性図である。
性図である。
【図３】本発明に係る外部共振器型レーザの第２実施例
の概略構成を示す構成図である。
の概略構成を示す構成図である。
【図４】本発明に係る外部共振器型レーザの第３実施例
の概略構成を示す構成図である。
の概略構成を示す構成図である。
【図５】従来の外部共振器型レーザの概略構成を示す構
成図である。
成図である。
【図６】図４に示したレーザにおける雑音特性を示す特
性図である。
性図である。
【図７】コネクタの種類に対するＲＩＮの関係を示す関
係図である。
係図である。
１０ レーザ発光素子 １１ 無反射面 １２ 高反射面 １３ 低反射面 ２０ ＦＢＧ部 ２２ グレーティング ２５，２６ 光学レンズ ２７ アイソレータ ２８，３１ 光ファイバ ２９ ユニット ３０，３２ コネクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 グレーティングによる反射光のブラッグ
波長が所定波長に設定される光ファイバであるファイバ
ブラッググレーティング部と、前記ファイバブラッググ
レーティング部と光の入出力が可能なように光結合され
るとともに、生じた光を反射する反射面を有し、該反射
面と前記グレーティングとの間で前記光を共振させて所
定発振波長のレーザ光を、コネクタを介して発振するレ
ーザ発光素子とを少なくとも備えた外部共振器型レーザ
において、 前記レーザ発光素子、グレーティング間で形成される共
振器とコネクタ間の光路上に、前記コネクタからの反射
波を阻止する阻止手段を備えたことを特徴とする外部共
振器型レーザ。 - 【請求項２】 前記ファイバブラッググレーティング部
は、前記レーザ発光素子とコネクタ間の光路上に設けら
れており、前記阻止手段は、前記ファイバブラッググレ
ーティング部とコネクタ間の光路上に設けられることを
特徴とする請求項１に記載の外部共振器型レーザ。 - 【請求項３】 前記ファイバブラッググレーティング部
は、前記レーザ発光素子に対して前記コネクタと対向す
る位置の光路上に設けられており、前記阻止手段は、前
記レーザ発光素子とコネクタの間に設けられることを特
徴とする請求項１に記載の外部共振器型レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10092056A JPH11289130A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 外部共振器型レーザ |
| US09/281,710 US6819703B1 (en) | 1998-04-03 | 1999-03-30 | External cavity laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10092056A JPH11289130A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 外部共振器型レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289130A true JPH11289130A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14043851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10092056A Pending JPH11289130A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 外部共振器型レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6819703B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11289130A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043689A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 外部共振器型無温調半導体レーザー装置 |
| JP2002055370A (ja) * | 1999-12-06 | 2002-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
| JP2002141608A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールとそれを用いたラマン増幅器 |
| JP2002148488A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールの製造方法、半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
| JP2004220008A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-05 | Kyocera Corp | 体積型位相格子とその製造方法及びそれを用いた光モジュール及び半導体レーザモジュール |
| WO2017164037A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 日本電気株式会社 | 光源装置 |
| JP2019175974A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA3044018C (en) * | 2016-08-22 | 2024-01-02 | Morton Photonics Incorporated | High power bragg grating based semiconductor laser |
| CN106253037A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-21 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 | 外腔型窄线宽v槽光纤光栅激光器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786132A (en) | 1987-03-31 | 1988-11-22 | Lytel Corporation | Hybrid distributed bragg reflector laser |
| US5200964A (en) * | 1991-03-12 | 1993-04-06 | General Instrument Corporation | Broad linewidth lasers for optical fiber communication systems |
| US5140456A (en) * | 1991-04-08 | 1992-08-18 | General Instrument Corporation | Low noise high power optical fiber amplifier |
| US5268910A (en) * | 1991-07-18 | 1993-12-07 | General Instrument Corporation | Superluminescent optical source |
| US5337375A (en) * | 1992-12-31 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Depolarizer using unpumped, doped optical fiber and method using same |
| JP3534550B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2004-06-07 | 住友電気工業株式会社 | Ｏｔｄｒ装置 |
| US5699377A (en) | 1996-04-30 | 1997-12-16 | E-Tek Dynamics, Inc. | Narrow linewidth, stabilized semiconductor laser source |
| US5910962A (en) * | 1997-08-29 | 1999-06-08 | E-Tek Dynamics, Inc. | Multiwavelength fiber laser sources for fiberoptic networks |
| US5892781A (en) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | E-Tek Dynamics, Inc. | High output fiber amplifier/lasers for fiberoptic networks |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10092056A patent/JPH11289130A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-30 US US09/281,710 patent/US6819703B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002055370A (ja) * | 1999-12-06 | 2002-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
| JP2002043689A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 外部共振器型無温調半導体レーザー装置 |
| JP2002141608A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールとそれを用いたラマン増幅器 |
| JP2002148488A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールの製造方法、半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
| JP4514312B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2010-07-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールの製造方法 |
| JP2004220008A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-05 | Kyocera Corp | 体積型位相格子とその製造方法及びそれを用いた光モジュール及び半導体レーザモジュール |
| JP4514448B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 体積型位相格子とその製造方法及びそれを用いた光モジュール及び半導体レーザモジュール |
| WO2017164037A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 日本電気株式会社 | 光源装置 |
| JPWO2017164037A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2018-12-13 | 日本電気株式会社 | 光源装置 |
| JP2019175974A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
| US11031750B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-06-08 | Nichia Corporation | Light source device |
| US11664641B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-05-30 | Nichia Corporation | Light source device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6819703B1 (en) | 2004-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3464804B2 (ja) | 縦モード選択レーザー | |
| EP0812039B1 (en) | Fiber light source with multimode fiber coupler | |
| JP3833708B2 (ja) | 偏光ファイバレーザ源 | |
| US5905745A (en) | Noise suppression in cladding pumped fiber lasers | |
| US5995692A (en) | Light emitting device module | |
| US6433920B1 (en) | Raman-based utility optical amplifier | |
| JPH09283847A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2552583B2 (ja) | 超蛍光光源を利用する干渉計 | |
| US6683902B1 (en) | Semiconductor laser module | |
| JPH11289130A (ja) | 外部共振器型レーザ | |
| JP4629852B2 (ja) | 半導体レーザモジュールとそれを用いた光増幅器 | |
| EP0150214A1 (en) | COUPLED CAVITY LASER. | |
| JPH06194544A (ja) | 光結合構造 | |
| JPH09162490A (ja) | 発光素子モジュール | |
| AU2003245161A1 (en) | A back reflection insensitive electro-optical interface and a method of coupling the same to a waveguide | |
| JP3710077B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
| JPS60207389A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP4215948B2 (ja) | 波長安定な可変調レーザ源を有する光送信器 | |
| JPH01143380A (ja) | ファイバレーザ用光ファイバ | |
| JP3936008B2 (ja) | 光モジュールの設計方法 | |
| JPH1117286A (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
| US6832021B2 (en) | Configuration for coupling radiation into an optical fiber | |
| JPH0736050B2 (ja) | 半導体発光素子と光導波路の結合方式 | |
| JP3833882B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| CA2392119A1 (en) | A back reflection insensitive electro-optical interface and method of coupling the same to a waveguide |