JP3854265B2 - 電子部品実装用プリント配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップと、コンデンサー、レジスターなどの受動部品とを１つのプリント配線板上に実装することができる電子部品実装用プリント配線基板（例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ＣＯＦ（Chip On Film）のような電子部品実装用フィルムキャリアテープなど）およびその製造方法、ならびに該電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成した半導体装置に関する。

電子部品をパーソナルコンピュータや携帯電話の液晶装置、プリンタ用などに実装する際に各種のプリント配線基板が使用されている。これらのプリント配線基板は、ポリイミドフィルムのようなフレキシブルな、あるいはガラスエポキシのようなリジッドな絶縁フィルムの少なくとも一方の面に導電性金属層を形成し、次いでこの導電性金属層上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を感光することにより所望のパターンを形成し、この感光された感光樹脂をマスキング材として導電性金属層をエッチングすることにより、導電性金属からなる配線パターンを形成し、次いで、実装する電子部品と接触する端子（インナーリード）部分およびこの端子と接続し、外部と接続するための端子（アウターリード）部分を残して配線パターン上にソルダーレジストを塗布、硬化し、インナーリードおよびアウターリードに錫などのメッキを施すことにより製造されている。

こうして製造された電子部品実装用プリント配線基板のインナーリードに、半導体チップに形成されたバンプ電極が当接するように載置し、ボンディングツールなどを用いてバンプ電極とインナーリードとを電気的に接続することにより、プリント配線基板に電子部品を実装する。

最近では、プリント配線板上にＩＣ、ＬＳＩのような半導体チップとともに、コンデンサー、レジスターのような受動部品などを１つのプリント配線基板上に実装した半導体装置が使用されている（例えば特許文献１を参照）。

電子機器の小型化、軽量化に伴って電子部品の実装密度の向上が要望されているが、このような半導体装置では、実装密度を上げようとすると実装部品間の配線が交差してしまうため結線できない。こうした問題点を解決するために、例えば絶縁フィルムの両面に配線パターンを形成し、両面のパターンをビアを通じて結線して立体交差するようにした、いわゆる２メタルＴＡＢテープ、２メタルＦＰＣのような両面プリント配線基板が使用されている。
特開２００３−１２４６０１号公報

しかし、両面プリント配線基板では、その製造工程において片面ずつ配線パターンを形成するためコストが増加する。このため、配線パターンを絶縁フィルムの片面側だけに形成し、結線の交差が避けられない実装部品については、ビアを通じて配線パターンを形成した面とは反対側の面に実装して実装密度を上げるという方法が考えられる。

ところが、配線パターン形成のためのエッチング処理工程において、あるいは錫メッキ、金メッキなどのメッキ処理工程において、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッ
チング液やメッキ液あるいはこれらの洗浄液が浸入し、後工程においてこの間隙から酸性のメッキ液等が滲み出したり、半導体チップのボンディングなどにおいて熱が加わるとこれらの残留液が気化膨張して小爆発が起きるといった問題が生じていた。

本発明は、上記した従来技術における問題点を解決するために為されたものであり、絶縁フィルムの片面に配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面にも電子部品を実装可能な電子部品実装用プリント配線基板を得るに際して、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッチング液やメッキ液等の湿式処理液が浸入することのない電子部品実装用プリント配線基板およびその製造方法ならびに該プリント配線基板を用いて形成された半導体装置を提供することを目的としている。

上記した目的を達成するために、本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、絶縁フィルムの片面にのみ、導電性金属からなり、実装される半導体チップと接触するインナーリードおよび外部と接続するためのアウターリードを有する配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面に半導体チップおよび／または受動部品が実装される電子部品実装用プリント配線基板であって、
配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは配線パターンを形成するための導電性金属層が絶縁フィルム上に積層された積層体の上に、インプラント用導電材からなる導電性金属シートを重ね合わせ、次いで、ポンチによって導電性金属シートの小片を打ち抜いて、前記配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは前記積層体のビアに充填することにより、絶縁フィルムと配線パターンとを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビアが形成され、
前記フィルドビアの一方の端部は配線パターンと接続され、他方の端部には、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように導電性ペーストを塗布して得られた被覆層が形成され、
前記被覆層の表面に、導電性金属をメッキした被せメッキ層が形成されていることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記被せメッキ層は、配線パターンと同種の導電性金属によって形成されており、前記フィルドビアの配線パターン側の端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンとの境界を覆うように形成されていることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記被せメッキ層は、銅からなることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記被せメッキ層の上に、端子メッキ処理が施されていることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記配線パターンは、前記被せメッキ層を形成し、その後、エッチング処理工程を含むフォトリソグラフ法によって形成したものであることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、前記電子部品実装用プリント配線基板は、ＣＯＦ（Chip On Film）であることを特徴としている。
本発明の半導体装置は、上記の電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成されていることを特徴としている。
本発明の半導体装置は、半導体チップおよび／または受動部品が、配線パターンが形成された面とは反対側の面に実装されていることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルムの片面にのみ、導電性金属からなり、実装される半導体チップと接触するインナーリードおよび外部と接続するためのアウターリードを有する配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面に半導体チップおよび／または受動部品が実装される電子部品実装用プリント配線基板の製造方法であって、
配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは配線パターンを形成するための導電性金属層が絶縁フィルム上に積層された積層体の上に、インプラント用導電材からなる導電性金属シートを重ね合わせ、次いで、ポンチによって導電性金属シートの小片を打ち抜いて、前記配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは前記積層体のビアに充填することにより、フィルドビアを形成する工程と、
前記フィルドビアにおける前記配線パターンもしくは導電性金属層が形成された側とは反対側の端部に、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように導電性ペーストを塗布して被覆層を形成する工程と、
前記被覆層の表面に導電性金属をメッキして被せメッキ層を形成する工程とを含むことを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記被覆層の表面に導電性金属をメッキして被せメッキ層を形成する工程において、配線パターンと同種の導電性金属
によって前記被せメッキ層を形成し、前記配線パターンもしくは前記導電性金属層に、少なくともフィルドビアとの境界を覆うように前記被せメッキ層を形成することを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記被せメッキ層は、銅からなることを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記被せメッキ層の上に、端子メッキ処理を施すことを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記被せメッキ層を形成した後、エッチング処理工程を含むフォトリソグラフ法により配線パターンを形成することを特徴としている。
本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法は、前記電子部品実装用プリント配線基板は、ＣＯＦ（Chip On Film）であることを特徴としている。

本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙にエッチング液やメッキ液等の湿式処理液およびそれらの洗浄水が浸入することを防止することができるため、品質の良い半導体装置を歩留まり良く得ることができる。

本発明の半導体装置は、片面にのみ配線パターンが形成され、かつ両面に電子部品を実装できるため、低コストで製造可能であるとともに実装密度が高い。

本発明の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法によれば、フィルドビアと絶縁フィルムとの間隙に錫メッキ液、金メッキ液などのメッキ液が浸入することのない電子部品実装用プリント配線基板を提供することができる。

以下、本発明について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の電子部品実装用プリント配線基板は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ＣＯＦ（Chip On Film）などの電子部品実装用フィルムキャリアテープを含み、主に、１つのプリント配線基板上にＩＣ、ＬＳＩのような半導体チップとともにコンデンサー、レジスターのような受動部品などを実装するためのものであり、長尺状、シート状あるいは板状の絶縁フィルムの片面に、導電性金属からなる配線パターンが絶縁フィルムの長手方向にあるいは幅方向にも複数形成されている。

図１は本発明の一実施形態における電子部品実装用プリント配線基板の一部を示した断面図である。このように、半導体チップ、受動部品などが実装される絶縁フィルム２の片面には配線パターン３が形成されている。電子部品実装用プリント配線板１の所定位置には、絶縁フィルム２と配線パターン３とを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビア４が形成され、このフィルドビア４を通じて配線パターン３が形成された面とは反対側の面にも電子部品が実装される。

フィルドビア４の一方の端部は配線パターン３と電気的に接続されている。その他方の端部には、少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を覆うように導電性ペーストを塗布して得られた被覆層５が形成され、被覆層５の表面には銅のような導電性金属をメッキした被せメッキ層６が形成されている。この被せメッキ層６の表面に錫メッキなどを施した後、半導体チップなどの端子と接続する。

本発明で使用される絶縁フィルム２は、エッチングする際に酸などと接触することから、こうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱によっても変質しないような耐熱性を有していることが望ましい。この絶縁フィルム２を形成する素材の例としては、ガラスエポキシ、ビスマレイミド−トリアジン、ポリエステル、液晶ポリマー、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明では、ポリイミドからなる可撓性のフィルムを用いることが好ましい。

このポリイミド樹脂の例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。本発明で使用可能な絶縁フィルム２の厚さは、通常は１２．５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μｍである。

このような絶縁フィルム２は、フィルムキャリアテープの場合、スプロケットホールなどの必要な貫通孔をパンチング装置などにより形成することができる。

配線パターン３は、絶縁フィルム２の一方の表面に積層した導電性金属層に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を感光することにより所望のパターンを形成し、この感光された感光樹脂をマスキング材として、導電性金属層をエッチングすることにより形成される。マスキング材はアルカリ洗浄などにより除去される。また、アディティブ法等によってパターンを形成することもできる。このような配線パターン形成はインプラント前に行ってもよいし、あるいは後述する被覆層５を形成後に、または被覆層５および被せメッキ層
６を形成後に行ってもよい。被せメッキ層６の厚さを均一にするためには、被覆層５および被せメッキ層６を形成後に配線パターン３を形成する手順の製造方法がよい。配線パターン３は、導電性を有する金属からなり、その例としては、銅、アルミニウムなどを挙げることができる。上記の導電性金属層は、例えば電解銅箔または圧延銅箔を貼着するか、あるいは粗面化処理した絶縁フィルムの表面にスパッタリングなどにより金属蒸着層を形成した後、電解銅メッキなどにより銅を厚付けして得ることができる。配線パターン形成後には、導電性の配線の酸化防止等の目的にために、配線パターン前面に無電解錫メッキを施してもよい。

フィルドビア４は、例えば、ポンチが形成された上型と、このポンチに対応する位置にダイス孔が形成された下型とを備えた金型を用いてプレスにより形成することができる（特許第３２５０９８８号明細書を参照）。すなわち、図２に示したように、配線パターン３が形成された絶縁フィルム２上に（導電性金属層が絶縁フィルム２上に積層されたパターン形成前の積層体であってもよい）、銅などのインプラント用導電材からなる導電性金属シート１１を重ね合わせて下型１２に供給し（図２（ａ））、次いで上型１３を下降させてポンチ１３ａによって導電性金属シート１１と絶縁フィルム２とを打ち抜く（図２（ｂ））。

この際、上型１３のストロークはポンチ１３ａの下端が導電性金属シート１１の下面とほぼ一致するまで下降し、それ以上は下降しないで導電性シート１１のみを貫通するように制御される。これにより、絶縁フィルム２はポンチ１３ａによって下方に押された導電性シート１１の小片によって打ち抜かれ、打ち抜き孔が形成されると同時にこの小片が打ち抜き孔に位置し、フィルドビア４が形成される。次いで上型１３を上昇させ、導電性金属シート１１が取り外される。なお、絶縁フィルム２と配線パターン３（導電性金属層）を事前にポンチで打ち抜いておき、次いで導電性シート１１を重ね合わせ、その空いたビアに導電性シート１１の小片をポンチで打ち抜き充填することもできる。

フィルドビア４は、上記のような金型で絶縁フィルム２を打ち抜いて貫通孔を形成し、次いで、この貫通孔に対応する開口部を有するメタルマスクとスキージとを用いたスクリーン印刷法により、導電性ペーストを貫通孔に押し込むことによっても形成することができる。

このようなフィルドビア４の断面方向の幅は、通常は２０〜２０００μｍ、好ましくは７０〜１０００μｍであり、さらに好ましくは８０〜２００μｍである。また、フィルドビアの水平方向の断面形状は任意であり、例えば丸、楕円、四角および六角等の角形状などのいずれであってもよい。

被覆層５を形成する導電性ペーストとしては、熱硬化性樹脂のようなバインダー機能を有する樹脂と必要に応じて硬化剤などを溶解した有機溶剤に、銀、銅などの金属微粉末やカーボン微粉末、あるいはこれらの微粉末が複合された微粉末を分散したものを用いることができ、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップの端子とプリント配線基板のリード線との接着を行うためのペーストなどを使用することができる。

このような導電性ペーストは、スクリーン印刷、ディスペンス、スタンピングなどの方法により塗布され、乾燥および必要に応じて加熱硬化することにより被覆層（パッド）５が形成される。被覆層５は、錫メッキ液、金メッキ液などがフィルドビア４と絶縁フィルム２との間隙に浸入することを防止するために、少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を覆うように任意のサイズ、任意の形状に形成される。

被せメッキ層６は、配線パターン３と同種の導電性金属、例えば銅を電解メッキもしく
は無電解メッキにより被覆層５の表面に形成したものであり、これによりフィルドビア４と絶縁フィルム２との境界を確実に封止する。また、この被せメッキを行う工程において、配線パターン３上にも同様に被せメッキ層６を形成し、フィルドビア４と配線パターン３との境界も確実に封止することができる。

この被せメッキ層の厚さは、通常は０．１〜２０μｍ、好ましくは１〜６μｍである。

以下、本発明の電子部品実装用配線基板の製造方法について工程順に説明する。最初に、前述した方法によって、絶縁フィルム２と、配線パターン３もしくはエッチングにより配線パターン３を形成するための導電性金属層とを穿孔するとともにインプラント用導電材を充填してフィルドビア４を形成する（図３）。この際、図２に示した導電性金属シート１１を用いた方法によりフィルドビア４を形成する場合には、図５（ａ）に示したように、複数形成された各フィルドビアに対応する位置にポンチが設けられた、かしめ用ポンチ１４をフィルドビア４の配線パターン３側の端部に打ち込むことによりこの端部を外方に押し広げるか、あるいは、図５（ｂ）に示したように、貫通孔からやや突出したインプラント用導電材をかしめて端部にかしめ部１５を形成することによって、フィルドビア４と配線パターン３との接続を確実にするとともに、これらの境界に錫メッキ液、金メッキ液などの湿式処理液が浸入することを防止することが好ましい。

次いで、フィルドビア４に対応する位置に孔部が形成されたメタルマスクを絶縁フィルムの上方に配置し、メタルマスク上にスキージを移動させて導電性ペーストをフィルドビア４上に押し出す方法などによって、フィルドビア４の配線パターン３（または導電性金属層）が形成された側とは反対側の端部に、少なくともフィルドビア４と絶縁フィルム４との境界を覆うように導電性ペーストを塗布し、乾燥もしくは加熱硬化することによって被覆層５を形成する（図４）。

次いで、このフィルドビア４上に被覆層５を形成した絶縁フィルム２に電解銅メッキもしくは無電解銅メッキを施し、被せメッキ層６を形成する（図１）。

次いで、配線パターン３が形成されていない場合には導電性金属層から配線パターン３をフォトリソグラフ法により形成し、必要に応じて配線パターン全面に無電解錫メッキにより錫メッキを施した後、配線パターン３上の所定位置および被せメッキ層６の表面に、リード部分と半導体チップなどの端子との間で共晶物を形成するなどして安定した接合性を与える目的で、錫メッキなどの端子メッキ処理を施す。

なお、端子メッキ処理前には一般に、配線パターン保護のため、端子部を除いてソルダーレジストが塗布、硬化される。

ここで形成するメッキ層は、この後のボンディング工程に対応するように種々選択することができる。例えばここで形成可能なメッキ層の例としては、錫メッキ、金メッキ、半田メッキ、ニッケルメッキ、および、これらの複合メッキ層を挙げることができる。メッキ処理には、条件に応じて電解メッキ、無電解メッキのいずれを選択してもよい。ここで形成されるメッキ層の厚さは、通常は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜７μｍである。必要に応じて、錫メッキ層の表面に金バンプを形成してもよい。

このようにして本発明の電子部品実装用プリント配線基板が製造される。次いで配線パターン３上に半導体チップと受動部品を実装し、配線パターン３が形成された面とは反対側の面においてもメッキ処理部に半導体チップおよび受動部品の端子を接続して実装され、こうして半導体装置が製造される。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

厚さ３８μｍのポリイミドフィルムにスパッタリング法でＮｉ合金のシード層を設け、その上に厚さ８μｍの銅をメッキ法により積層した二層タイプのＣＯＦ基材を、図２に示した金型を用いて、銅シートをインプラント導電材として、一方の端部が導電金属層と接続されるようにフィルドビア（断面幅１００μｍ）を５０箇所に形成した。

導電性ペーストとして銅ペースト（商品名：ＳＦ−１９、三井金属塗料化学社製）を用い、スクリーン印刷法によりフィルドビア上にその周囲のポリイミドフィルムを含むように０．５ｍｍ角のサイズで塗布し、加熱乾燥した。次いで、電解銅メッキにより、インプラント材が埋め込まれた導電金属層（銅層）表面全面および、銅ペーストを塗布して得られた被覆層の表面に被せ銅メッキを施した。

次いでこのフィルム上にフォトレジストを塗布、乾燥し、パターンを形成したフォトマスクで露光し現像した後、酸性塩化銅水溶液を用いてエッチングして配線パターンを形成した。

得られた配線パターンの端子部分を除いた領域にソルダーレジストを塗布、硬化した後、ホウフッ化錫、アルカンスルホン酸、次亜燐酸等を含有する無電解メッキ浴により配線パターン上の端子部および銅の被せメッキ層の表面に錫メッキを施した。

このようにして製造した電子部品実装用フィルムキャリアテープをリールに巻回した状態で常温にて５日間放置した後、銅ペーストを塗布した部分を外観検査したが、腐食痕などの異常は検出されなかった。その後、このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、これらを順次３００℃に加熱したホットプレートの上に１０秒間載置したが、これらのフィルムキャリアについて特に異常は検出されなかった。

このように製造されたフィルムキャリアの配線パターンが形成された面側にはコンデンサーとレジスターとを実装し、それとは反対面側にある、銅ペーストを塗布するとともに被せメッキ、錫メッキを施したフィルドビア部にはＩＣチップのバンプを接続し、樹脂封止して半導体装置を製造した。

厚さ２５μｍのポリイミドフィルムに厚さ１２μｍの電解銅箔を積層した基材フィルム上にフォトレジストを塗布、乾燥し、次いでパターンを形成したフォトマスクで露光し現像した後、酸性塩化銅水溶液を用いてエッチングして配線パターンを形成した。図２に示した金型を用いて、銅シートをインプラント導電材として、一方の端部が配線パターンと接続されるようにフィルドビア（断面幅１００μｍ）を形成した。

導電性ペーストとして銅ペースト（商品名：ＳＦ−１９、三井金属塗料化学社製）を用い、スクリーン印刷法によりフィルドビア上にその周囲のポリイミドフィルムを含むように直径０．３ｍｍのサイズに塗布し、加熱乾燥した。次いで、電解銅メッキにより、配線パターンおよび、銅ペーストを塗布して得られた被覆層の表面に被せ銅メッキを施した。

次いで、配線パターンの端子部分を除いた領域にソルダーレジストを塗布、硬化した後、実施例１と同様に無電解メッキにより配線パターン上の所定位置および銅の被せメッキ層の表面に錫メッキを施した。

このようにして製造した電子部品実装用フィルムキャリアテープをリールに巻回した状態で常温にて５日間放置した後、銅ペーストを塗布した部分を外観検査したが、腐食痕などの異常は検出されなかった。その後、このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、これらを順次３００℃に加熱したホットプレートの上に１０秒間載置したが、これらのフィルムキャリアについて特に異常は検出されなかった。

このように製造されたフィルムキャリアの配線パターンが形成された面側にはコンデンサーとレジスターとを実装し、それとは反対面側にある、銅ペーストを塗布するとともに被せメッキ、錫メッキを施したフィルドビア部にはＩＣチップのバンプを接続し、樹脂封止して半導体装置を製造した。
[比較例１]
銅ペーストを塗布せずに被せメッキをした以外は実施例１と同様にして電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造した。このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、実施例１と同様に外観検査を行ったところ、１００個のうち３個に腐食痕が認められた。次いで、残りの９７個を実施例１と同様にしてホットプレートの上に順次載置したところ、７個が水蒸気爆発と考えられる小爆発を起こした。
[比較例２]
銅ペーストを塗布せずに被せメッキをした以外は実施例２と同様にして電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造した。このフィルムキャリアテープからフィルムキャリアの個片１００個を切り出し、実施例２と同様に外観検査を行ったところ、１００個のうち１個に腐食痕が認められた。次いで、残りの９９個を実施例２と同様にしてホットプレートの上に順次載置したところ、６個が水蒸気爆発と考えられる小爆発を起こした。

図１は、本発明の一実施形態における電子部品実装用プリント配線板の一部を示した断面図である。 図２は、金型を用いてフィルドビアを形成する工程を説明する図であり、図２（ａ）はポンチによるインプラント用導電材の充填前、図２（ｂ）は充填後の状態を示している。 図３は、絶縁フィルムおよび配線パターンを貫通してフィルドビアを形成した状態を示した断面図である。 図４は、導電性ペーストを塗布して被覆層を形成した状態を示した断面図である。 図５（ａ）は、櫛形ポンチをフィルドビアの配線パターン側の端部に打ち込んだ状態を示した図、図５（ｂ）は、フィルドビアの配線パターン側の端部にかしめ部１５を形成した状態を示した図である。

符号の説明

１ 電子部品実装用プリント配線基板
２ 絶縁フィルム
３ 配線パターン
４ フィルドビア
５ 被覆層
６ 被せメッキ層
１１ 導電性金属シート
１２ 下型
１３ 上型
１３ａ ポンチ
１４ 櫛形ポンチ
１５ かしめ部

Claims (14)

1. 絶縁フィルムの片面にのみ、導電性金属からなり、実装される半導体チップと接触するインナーリードおよび外部と接続するためのアウターリードを有する配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面に半導体チップおよび／または受動部品が実装される電子部品実装用プリント配線基板であって、
   配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは配線パターンを形成するための導電性金属層が絶縁フィルム上に積層された積層体の上に、インプラント用導電材からなる導電性金属シートを重ね合わせ、次いで、ポンチによって導電性金属シートの小片を打ち抜いて、前記配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは前記積層体のビアに充填することにより、絶縁フィルムと配線パターンとを貫通した孔にインプラント用導電材を充填したフィルドビアが形成され、
   前記フィルドビアの一方の端部は配線パターンと接続され、他方の端部には、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように導電性ペーストを塗布して得られた被覆層が形成され、
   前記被覆層の表面に、導電性金属をメッキした被せメッキ層が形成されていることを特徴とする電子部品実装用プリント配線基板。
2. 前記被せメッキ層は、配線パターンと同種の導電性金属によって形成されており、前記フィルドビアの配線パターン側の端部に、少なくともフィルドビアと配線パターンとの境界を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装用プリント配線基板。
3. 前記被せメッキ層は、銅からなることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装用プリント配線基板。
4. 前記被せメッキ層の上に、端子メッキ処理が施されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板。
5. 前記配線パターンは、前記被せメッキ層を形成し、その後、エッチング処理工程を含むフォトリソグラフ法によって形成したものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板。
6. 前記電子部品実装用プリント配線基板は、ＣＯＦ（Chip On Film）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
8. 半導体チップおよび／または受動部品が、配線パターンが形成された面とは反対側の面に実装されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 絶縁フィルムの片面にのみ、導電性金属からなり、実装される半導体チップと接触するインナーリードおよび外部と接続するためのアウターリードを有する配線パターンが形成され、フィルドビアを通じて配線パターンが形成された面とは反対側の面に半導体チップおよび／または受動部品が実装される電子部品実装用プリント配線基板の製造方法であって、
   配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは配線パターンを形成するための導電性金属層が絶縁フィルム上に積層された積層体の上に、インプラント用導電材からなる導電性金属シートを重ね合わせ、次いで、ポンチによって導電性金属シートの小片を打ち抜いて、前記配線パターンが形成された絶縁フィルムまたは前記積層体のビアに充填することにより、フィルドビアを形成する工程と、
   前記フィルドビアにおける前記配線パターンもしくは導電性金属層が形成された側とは反対側の端部に、少なくともフィルドビアと絶縁フィルムとの境界を覆うように導電性ペーストを塗布して被覆層を形成する工程と、
   前記被覆層の表面に導電性金属をメッキして被せメッキ層を形成する工程とを含むことを特徴とする電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
10. 前記被覆層の表面に導電性金属をメッキして被せメッキ層を形成する工程において、配線パターンと同種の導電性金属によって前記被せメッキ層を形成し、前記配線パターンもしくは前記導電性金属層に、少なくともフィルドビアとの境界を覆うように前記被せメッキ層を形成することを特徴とする請求項９に記載の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
11. 前記被せメッキ層は、銅からなることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品実装用プリント配線基板。
12. 前記被せメッキ層の上に、端子メッキ処理を施すことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
13. 前記被せメッキ層を形成した後、エッチング処理工程を含むフォトリソグラフ法により配線パターンを形成することを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
14. 前記電子部品実装用プリント配線基板は、ＣＯＦ（Chip On Film）であることを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の電子部品実装用プリント配線基板の製造方法。
    

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