JP3845079B2

JP3845079B2 - 半導体パッケージおよびその製造方法

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Publication number: JP3845079B2
Application number: JP2003339189A
Authority: JP
Inventors: 尚文岩本
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2003-09-30
Filing date: 2003-09-30
Publication date: 2006-11-15
Anticipated expiration: 2021-07-19
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Description

本発明は、半導体パッケージおよびその製造方法に関し、特にＩＣチップ等の半導体素子およびテープ基板と、それらを用いるフリップチップ方式により接続する半導体パッケージおよびその製造方法に関するものである。

以下、半導体素子として一般的なＩＣチップを用いて説明する。

図２０は従来例におけるＩＣチップの斜視図、図２１は従来例におけるテープ基板の斜視図、図２２は従来例におけるＩＣチップ接続状態の斜視図、図２３は従来例における樹脂充填開始状態の斜視図、図２４は従来例における樹脂充填完了状態の斜視図、図２５は従来例における完成品の断面図である。図２６は従来例におけるテープＢＧＡ完成品の断面図である。図２７は従来例における実装基板への実装状態の断面図である。

従来の構造は、以下に示すような構成を有するものであった。

まず、図２０に示すように、ＩＣチップ１のパッド２上にバンプ３を形成する。パッド２はＩＣチップ１上の配線によりＩＣチップ１上に配置されるものであり、通常はＩＣチップ１周辺に矩形状に配置される。バンプ３は実装性、接続抵抗などを考慮した接続面積を有し、また接続性を考慮した高さが確保されている。

次に、図２１に示すように、テープ基板５上にＩＣチップ１のバンプ３と接続するためのランド６を形成し、そのランド６から基板上の配線パターン１３を介して入出力リード１４に接続されている。ランド６はバンプ３との接続性や位置合わせ精度などを考慮した形状とし、実装方法によりメッキなどを施す場合がある。通常バンプ３とランド６は、１対１で形成され、そのＩＣチップ１のバンプ３に対応したランド６が配置されている。

次に、図２２に示すように、ＩＣチップ１上のバンプ３とテープ基板５上のランド６を位置合わせし、熱圧着手段や導電ペーストを用いる手段によるフェースダウンでＩＣチップ１とテープ基板５を機械的、電気的に接続する。

最後に、図２３に示すように、ＩＣチップ１の裏面側の側面から封止樹脂７を滴下し、バンプ３の高さの隙間があいたＩＣチップ１とテープ基板５の間に毛細管現象を利用して封止樹脂７を充填し、図２４に示すような完成品とするものである（例えば、特許文献１参照）。

このとき、図２５に示すように、ＩＣチップ１とテープ基板５の隙間に封止樹脂７を隙間なく充填する必要がある。

さらに図２６に示すようにテープ基板５にボール接続用のランド６ａを形成し、ＩＣ接続用のランド６とテープ基板５内の配線パターン１３、スルーホールなどによって接続し、ボール接続用のランド６ａにボール８を接続することにより、テープＢＧＡが得られるものである。
特開昭５６−１６００４８号公報

しかしながら、上記した従来のフリップチップ構造では、図２７に示すようにＩＣチップ等の半導体素子実装時に加熱や加圧などの影響で、テープ基板が変形し下記のような問題が発生する場合がある。
（１）樹脂注入時にＩＣチップ等の半導体素子とテープ基板の間隙が狭くなり、樹脂を完全に充填することができないか、もしくは必要な樹脂の厚さが確保できないため、耐湿信頼性、抗折強度が低下し、樹脂による遮光性が低下してＩＣ等の半導体素子が誤動作する。
（２）テープＢＧＡ構造でボールの高さが不均一となり、実装基板への実装時に、テープＢＧＡのボールと実装基板のランドとの接続が不完全となる。

本発明の目的は、上記問題点を解決し、容易に安定した封止をすることが可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供するものである。

本発明は、上記目的を達成するために、以下の解決手段を採用した。
（１）半導体パッケージは、表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出していることを特徴とする。
（２）上記（１）記載の半導体パッケージは、前記支持体が金で形成されていることを特徴とする。
（３）上記（１）記載の半導体パッケージは、前記支持体が絶縁材で形成されていることを特徴とする。
（４）表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出してなる上記（１）乃至（３）のいずれか１項記載の半導体パッケージの製造方法は、前記支持体と対向した部分に逃げ部を設けた冶具を用い、前記支持体を設けたとき該支持体が前記テープ基板を介して前記逃げ部と対向するように前記テープ基板を前記冶具に装着し、前記冶具の逃げ部に前記支持体が対向するように前記テープ基板上に前記バンプ及び前記支持体を介して前記半導体チップを配置して、前記テープ基板と前記半導体チップを接続することを特徴とする。
（５）表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出してなる上記（１）乃至（３）のいずれか１項記載の半導体パッケージの製造方法は、前記支持体上に液状又は熱可塑性の樹脂を前もって塗布しておき、前記テープ基板と前記半導体チップを少なくとも前記いずれか一方に設けられた前記支持体と前記樹脂により接続することを特徴とする。
（６）表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、バンプ配列枠を構成すると共に前記テープ基板の配線と電気的に接続される前記バンプと前記バンプ配列枠内に設けられる前記支持体を介して前記テープ基板と前記半導体チップが接続される半導体パッケージの製造方法は、前記支持体と対向した部分に逃げ部が設けられた冶具を用い、前記支持体を設けたとき該支持体が前記テープ基板を介して前記逃げ部と対向するように前記テープ基板を前記冶具に装着し、前記冶具の逃げ部に前記支持体が対向するように前記テープ基板上に前記バンプ及び前記支持体を介して半導体チップを配置して、前記テープ基板と前記半導体チップを接続することを特徴とする。
（７）表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、バンプ配列枠を構成すると共に前記テープ基板の配線と電気的に接続される前記バンプと前記バンプ配列枠内に設けられる前記支持体を介して前記テープ基板と前記半導体チップが接続される半導体パッケージの製造方法は、前記支持体上に液状又は熱可塑性の樹脂を前もって塗布しておき、前記テープ基板と前記半導体チップを少なくとも前記いずれか一方に設けられた前記支持体と前記樹脂により接続することを特徴とする。

本発明は以下の効果を奏する。
（１）半導体素子上に、支持体を形成することにより、半導体素子の実装時にテープ基板が変形しても支持体により強制的に半導体素子とテープ基板との間に封止樹脂の流入間隙を確保することができるため、テープ基板の変形により樹脂の流入を妨げられることなく樹脂注入をすることができるようになる。
（２）テープ基板のレジスト塗布と同時にレジスト樹脂でテープ基板側にレジスト支持体を形成することにより、別途支持体形成工程を追加することなく、容易にレジスト支持体を形成することが可能となる。
（３）支持体をレジスト樹脂で形成する前に、テープ基板上の配線パターンを支持体形成部に支持体として配置しておき、テープ基板側に配線パターンとレジスト樹脂で支持体を形成することにより、形成したレジスト支持体では、所望の高さが得られない場合でも、さらに配線パターンの厚さが加えられるため、比較的高さの高い支持体を得ることができる。
（４）接続時、接続用治具に逃げ部を形成し、支持体による加圧力を作用させずに、半導体素子とテープ基板を接続することにより、半導体素子接続のバンプより支持体が高くなった場合でも、半導体素子上の回路や保護膜を破壊することがないようにし、２段階で高さの違うバンプを作成したりする必要をなくし、支持体の高さの制御を比較的緩和できるものとなる。
（５）テープ基板上に支持体接続用の配線用パターンを前もって形成しておき、支持体を半導体素子実装のバンプと同様に接続することにより、テープ基板と支持体の微小な隙間を除去することが可能となり、リフロー時の樹脂クラックなどの発生を防止する効果がある。
（６）支持体上に液状や熱可塑性の支持体接続用樹脂を前もって塗布しておき、半導体素子実装時にテープ基板と支持体を接続して、テープ基板と支持体の微小な隙間を除去することにより、リフロー時の樹脂クラックなどの発生を防止することができる。
（７）支持体を樹脂で形成することにより、容易で自由度の高い支持体を形成することが可能となる。
（８）半導体素子上のバンプ形成時に同じくバンプにより支持体を形成することにより、別途支持体形成工程を追加することなく、容易に精度の高い支持体を形成することが可能となる。
（９）表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなる半導体パッケージにおいて、前記バンプはバンプ配列枠を構成すると共に前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記バンプ配列枠内に設けられているので、テープ基板を支持体により、バンプ配列枠内の前記支持体を設けた位置で支持することができる。

以下、本発明の実施の形態について図を用いて詳細に説明する。半導体素子として一般的なＩＣチップを用いて説明する。
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例におけるＩＣチップの斜視図、図２は本発明の第１実施例における実装状態の断面図である。

本発明の第１実施例は、通常のバンプ３が形成されたＩＣチップ１にさらに樹脂注入間隙確保のための支持体４を作成し、テープ基板５に従来のフリップチップ接続方式で接続し、封止樹脂７を充填したものである。

前記支持体４は、以下の特徴および構成を有する。
（１）ＩＣチップ１のバンプ３配置側で、図１に示すようにバンプ配列枠内の位置ならどこに配置してもよい。好ましくは各バンプ３から等距離の位置またはその近傍がよい。ここでいうバンプ配列枠とは、図１において、バンプ電極が配列されている形状、即ち、この場合□字形を配列枠という。
（２）支持体４で封止樹脂７の流入が妨げられない接続面積と、密度で配置できるなら、支持体４の形状およびバンプ配列枠内に設ける個数は適宜選択可能である。
（３）支持体４のＩＣチップ１表面からの高さは、バンプ３とランド６を熱圧着や導電ペーストを用いてフェースダウンで接続するときの両バンプ３とランド６の高さに等しい高さが好ましい。即ち、実装時にテープ基板５が平坦になるような高さが好ましい。テープ基板５は、主に絶縁フィルムからなり、可撓性を有するセラミック板でも可能である。実施上はその等しい高さを超えなければよい。とにかく、支持体があれば、従来の支持体がないものと比べ、支持の効果がある。
（４）支持体４の材質は、絶縁材、半導体、金属、特にバンプ電極材等、設ける位置、製法等により適宜選択可能である。

つぎに、第１実施例の製造方法を説明する。

第１実施例は、図１に示すように、パッド２上にバンプ３が形成された従来技術と同様のＩＣチップ１に支持体４を形成するものである。このとき、支持体４は、上記したとおりの特徴および構成を有する。

つぎに、従来技術と同様にテープ基板５上にＩＣチップ１のバンプ３と接続するためのランド６を形成し、ＩＣチップ１上のバンプ３とテープ基板５上のランド６を位置合わせし、熱圧着手段や導電ペーストを用いる手段によりフエースダウンでＩＣチップ１とテープ基板５を機械的、電気的に接続する。熱圧着すると、バンプ３とランド６は熱変形しながら相互に突き合わせ固着される。このとき、接続時の加熱や加圧によりテープ基板５が変形しても、支持体４によりＩＣチップ１とテープ基板５の間隙を強制的に確保することができる。

つぎに、ＩＣチップ１の裏面側の側面から封止樹脂７を滴下し、バンプ３および支持体４の高さの隙間があいたＩＣチップ１とテープ基板５の間に、毛細管現象を利用して封止樹脂７を充填することにより、図２に示すようなＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）構造を製造する。

以上のように、第１実施例では、ＩＣチップ１上に、支持体４を形成することにより、ＩＣチップ１の実装時にテープ基板５が変形しても支持体４により強制的にＩＣチップ１とテープ基板５との間に封止樹脂７の流入間隙を確保することができるため、テープ基板５の変形により樹脂の流入を妨げられることなく樹脂注入をすることができるようになる。

（第２実施例）
図３は本発明の第２実施例におけるテープＢＧＡ実装状態の断面図、図４は本発明の第２実施例における実装基板への実装状態の断面図である。

第２実施例は、前記第１実施例と同様に、通常のバンプ３が形成されたＩＣチップ１の面にさらに樹脂注入間隙とテープ基板平坦性確保のための支持体４を形成し、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続して、封止樹脂７を充填した後、テープ基板５の下面に、前もってテープ基板５に形成されたボール８接続用のランド６ａにボール８を接続することにより、テープＢＧＡとするものである。

つぎに、第２実施例のテープＢＧＡの製造方法を順に説明する。
第２実施例は、図３に示すように、第１実施例と同様にパッド２上にバンプ３が形成されたＩＣチップ１の面に支持体４を形成する。また、テープ基板５には、ＩＣチップ接続面と反対の面に、ボール８接続用のランド６ａを形成し、ＩＣ接続用のランド６とテープ基板５内の配線パターンをスルーホールなどにより接続しておく。

つぎに、ＩＣチップ１上のバンプ３とテープ基板５上のランド６を位置合わせし、熱圧着手段や導電ペーストを用いる手段によりフェースダウンでＩＣチップ１とテープ基板５を機械的、電気的に接続する。このとき、接続時の加熱や加圧によりテープ基板５が変形しても、支持体４によりＩＣチップ１とテープ基板５の間隙は強制的に確保される。

つぎに、ＩＣチップ１の裏面側の側面から封止樹脂７を滴下し、バンプ３および支持体４の高さの隙間があいたＩＣチップ１とテープ基板５の間に、毛細管現象を利用して封止樹脂７を充填する。つぎに、ボール８接続用のランド６ａにボール８を接続することにより、テープＢＧＡを製造する。

その後、図４に示すように、テープＢＧＡを実装基板９にリフロー法などにより接続する。

以上のように、第２実施例は、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、テープＢＧＡでは、ＩＣチップ１実装後テープ基板５に前もってボール８接続用のランド６ａを形成し、このランド６ａにボール８を接続することにより、テープ基板５とＩＣチップ１の実装時にテープ基板５が変形しても支持体４により強制的にテープ基板５を平坦にでき、全てのボール８を一括して安定して実装できるので、安定した封止樹脂７の注入と、安定した実装基板９への接続が可能となる。

（第３実施例）
図５は本発明の第３実施例におけるＩＣチップの斜視図、図６は本発明の第３実施例におけるテープＢＧＡ実装状態の断面図である。

第３実施例は、ＩＣチップ１のバンプ３配列枠内に、樹脂注入間隙とテープ基板５の平坦性確保のための支持体４を、テープＢＧＡのボール８配置部に対応して複数個形成する。

第３実施例の製造方法を説明する。

ＩＣチップ１のバンプ３が形成されたパッド２上に支持体４を形成する。このとき、支持体４を、ボール８と１対１の関係で、ボール８配置部位置に対応づけて形成する。

つぎに、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続し、ＩＣチップ１とテープ基板５の間隙に封止樹脂７を充填し、テープ基板５にボール８を接続する。

その後、図６に示すように、ボール８を実装基板にリフロー法などにより接続する。

以上のように、第３実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、ボール８配置部に対応して支持体４が形成されているため、各々のボール８の高さはボール８に対応した支持体４で決まり、テープ基板５の変形に影響されないボール高さを持ったテープＢＧＡ実装構成が得られ、安定した実装基板ヘの実装が可能となる。

また、ボール８配置部に対応した支持体４を形成することにより、比較的大きいチップサイズ、小さいボールサイズで、精度の高いボール高さの制御が必要であっても、ボール８毎の高さを各支持体４で制御することが可能となり、実装基板９への接続安定性を向上させることが可能となる。

（第４実施例）
図７は本発明の第４実施例におけるＩＣチップの斜視図、図８は本発明の第４実施例におけるＩＣチップの断面図である。

第４実施例は、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続する前に、ＩＣチップ１のバンプ３側の面に樹脂で支持体４ａを形成するものである。

つぎに、第４実施例の製造方法を説明する。

パッド２上にバンプ３が形成されたＩＣチップ１上に、液状樹脂などの樹脂を所望の支持体４ａ形成部にバンプ高さに相当する程度まで滴下し硬化させて形成し、その後支持体４ａにより樹脂注入間隙とテープ基板平坦性を確保しながらＩＣチップ１とテープ基板５を接続し、ＩＣチップ１とテープ基板５の間隙に封止樹脂７を注入する。

支持体４ａ樹脂の形成方法は、所望の配置位置および高さが確保できれば、液状樹脂を滴下し硬化させたり、型に充填したり、スクリーン印刷などで形成することも可能であり、樹脂量の制御により、ある程度の高さの調整が可能である。

また、ＩＣチップ１とテープ基板５の接続時に、剥がれ落ちたり、変形して高さが変わらなければ、支持体４ａ配置後樹脂を完全に硬化させなくとも、仮硬化でも効果が得られ、封止樹脂７の硬化時に合わせて、支持体４ａを硬化させることも可能である。

以上のように、第４実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、支持体４ａを樹脂で形成することにより、製造工程が容易で自由度の高い支持体４ａを形成することが可能となる。

（第５実施例）
図９は本発明の第５実施例におけるテープ基板の斜視図、図１０は本発明の第５実施例におけるテープ基板の断面図である。

第５実施例は、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続する前に、テープ基板５のレジスト樹脂１０で、レジスト樹脂１０塗布と同時にテープ基板５側にレジスト支持体４ｂを形成するものである。

第５実施例の製造方法を説明する。

テープ基板５は、テープ基板５上の配線パターン１３の保護や配線パターン１３間のショートを防ぐため、レジスト樹脂１０が塗布される場合がある。

第５実施例は、図９、図１０に示すように、ＩＣチップ１のバンプ３と接続するためのランド６が形成されたテープ基板５上に、レジスト樹脂１０を塗布するときに、所望の支持体形成部にもレジスト樹脂１０を配置して硬化させ、レジスト支持体４ｂを形成する。

以上のように、第５実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、テープ基板５のレジスト１０塗布と同時にレジスト樹脂１０でテープ基板５側にレジスト支持体４ｂを形成することにより、別途支持体形成工程を追加することなく、容易にレジスト支持体４ｂを形成することが可能となる。

（第６実施例）
図１１は本発明の第６実施例におけるテープ基板の斜視図、図１２は本発明の第６実施例におけるテープ基板の断面図である。

第６実施例は、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続する前に、テープ基板５の配線パターン１３およびレジスト樹脂１０で、配線パターン形成とレジスト樹脂１０塗布と同時に、テープ基板５側に支持体４ｂおよび４ｃを形成するものである。

第６実施例の製造方法を説明する。

ＩＣチップ１のバンプ３と接続するためのランド６が形成されたテープ基板５上に、配線パターンを形成すると共に支持体形成部位置にも配線パターン１３にて支持体４ｃを形成し、次に、基板周辺にレジスト樹脂１０を塗布すると共に前記支持体４ｃ上にもレジスト樹脂１０を塗布して支持体４ｂを形成する。

以上のように、第６実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、支持体４ｂをレジスト樹脂１０で形成する前に、テープ基板５上の配線パターン１３を支持体形成部に支持体４ｃとして配置しておき、テープ基板５側に配線パターン１３とレジスト樹脂１０で支持体４ｂ、４ｃを形成することにより、第５実施例で形成したレジスト支持体４ｂでは、所望の高さが得られない場合でも、さらに配線パターン１３の厚さが加えられるため、比較的高さの高い支持体４ｂ、４ｃを得ることができる。

（第７実施例）
図１３は本発明の第７実施例におけるＩＣチップの斜視図である。

第７実施例は、第３実施例と同様に支持体を形成するものであるが、図１３に示すように、IＣチップ１上のバンプ３形成時にバンプで支持体４ｄを形成するものである。

第７実施例の製造方法を説明する。

第７実施例は、図１３に示すように、ＩＣチップ１上のバンプ３形成時に、同じくバンプを所望の支持体形成部位置に配置して支持体４ｄを形成するものである。

このように、第７実施例ではバンプで支持体４ｄを形成するため、支持体高さ、サイズを、比較的精度よく形成できる。このバンプで構成した支持体４ｄは、テープ基板上の配線と電気的に接続されていないダミーバンプという。ダミーバンプとは、この第７実施例の支持体および次の第８実施例の支持体のように、バンプ材と同じ組成を有するが、バンプ本来の電気的接続の機能を有しないものをいう。例えば、本来のバンプに比べ高さが低く電気的接続できない形状、テープ基板上の配線と接続されていないもの等をいう。

以上のように、第７実施例は、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、ＩＣチップ１上のバンプ３形成時に同じくバンプにより支持体４ｄを形成することにより、別途支持体形成工程を追加することなく、容易に精度の高い支持体４ｄを形成することが可能となる。

（第８実施例）
図１４は本発明の第８実施例におけるＩＣチップの斜視図である。

第８実施例は、第７実施例と同様にバンプにより支持体を形成するものであるが、図１４に示すように、支持体４ｄをテープ基板５との接続に使用する接続用バンプ３よりも低く形成するものである。

第８実施例の製造方法を説明する。

ＩＣチップ１上にバンプ３を形成すると共にバンプ３を所望の支持体形成部位置に配置して支持体４ｄを形成する。

このとき、支持体４ｄの高さを、テープ基板５との接続に使用するバンプ３よりも低く形成する。これはバンプ３が必ず接続できる効果を有する。

高さの異なるバンプを形成する方法は、メッキ法バンプにおいて最初接続用バンプ３と支持体４ｄを同時に形成し、支持体４ｄが所望の高さになった後支持体４ｄをマスクして、さらに所望の接続用バンプ３の高さになるまでメッキをする方法や、スタッドバンプ法において支持体４ｄは１段で形成し、接続用バンプ３は、２段で形成するなどの方法が考えられる。

支持体４ｄの高さは、樹脂流入を妨げないＩＣチップ１とテープ基板５との間隙を確保する当初の目的を考慮するのは当然であるが、ＩＣチップ１をテープ基板５へ実装後に接続用バンプ３が実装時の加圧、加熱によりバンプ高さが減少することを考慮し、支持体４ｄがＩＣチップ１実装時にＩＣに接触しない高さとする必要がある。

その後、ＩＣチップとテープ基板を接続するが、支持体４ｄが接続用バンプ３よりも低く形成されているため、接続時ＩＣチップが加圧されても、支持体４ｄがＩＣチップ１に接触せず、ＩＣチップ１上の回路や回路上の保護膜が破壊されないものである。この例では、支持体４ｄはバンプ３より低く形成されているが、支持体がない従来例と比べると、程度の差こそあれ、支持体としての効果は当然あることになる。

以上のように、第８実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、支持体４ｄをＩＣチップ１実装のバンプ３より低く作成することにより、ＩＣチップ１上の回路や回路上の保護膜の破損を防ぐことが可能となる。

（第９実施例）
図１５は本発明の第９実施例におけるテープ基板への治具を用いた実装状態の断面図である。

第９実施例は、バンプにより支持体４ｄを形成するが、支持体４ｄを設けるＩＣチップ１の部分が圧力を加えることができない場合、図１５に示すように、ＩＣチップ１とテープ基板５との接続時に支持体４ｄに圧力を加えないように逃げ部分１５を形成した接続用治具１２にて接続する。この実装方法は支持体裁置位置とＩＣチップの弱い部分との関係で用いられる特殊な方法である。

第９実施例の製造方法を説明する。

ＩＣチップ１上のバンプ３形成時に、バンプを所望の支持体形成部位置に配置して支持体４ｄを形成する。

その後、ＩＣチップ１とテープ基板５とを接続用治具１２にて接続する。このとき、図１５に示すように、テープ基板５側の接続用治具１２の支持体４ｄに当たる部分をざぐり加工などにより逃げて、支持体４に接続用治具１２による圧力が加わらないようにする。

以上のように、第９実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、接続時、接続用治具１２に逃げ部１５を形成し、支持体４ｄによる加圧力を作用させずに、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続することにより、ＩＣチップ１接続のバンプ３より支持体４ｄが高くなった場合でも、ＩＣチップ１上の回路や保護膜を破壊することがないようにし、２段階で高さの違うバンプ３を作成したりする必要をなくし、支持体４ｄの高さの制御を比較的緩和できるものとなる。

（第１０実施例）
図１６は本発明の第１０実施例における基板実装状態の断面図である。

第１０実施例は、バンプ３により支持体４ｄを形成するが、図１６に示すように、テープ基板５上に支持体４ｄ接続用のランド６ｂを前もって形成しておき、支持体４ｄをＩＣチップ１実装のバンプ３と同様に接続するものである。

第１０実施例の製造方法を説明する。

このとき、ＩＣチップ１とテープ基板５の接続時にＩＣチップ１上の回路や保護膜が支持体４ｄに加圧され破壊されるおそれのある場合は、導電部は支持体部位置に回路を設けることを避け、接続用バンプ３の位置をパッド２構造の位置と同じ配置位置とする必要がある。

つぎに、テープ基板５上に支持体接続用のランド６ｂを前もって形成しておき、接続用バンプ３とテープ基板５を接続するときに、支持体４ｄをＩＣチップ１実装のバンプ３と同様に接続する。

その後、封止樹脂７を注入するが、封止樹脂７の流動性が低く、支持体４ｄとテープ基板５の微小な間隙に樹脂注入が困難な場合でも、支持体４ｄとテープ基板５がテープ基板５上のランド６ｂにより接続されてボイドが残らないため、リフローなどにより高温で加熱しても、ボイドが熱膨張を起こし樹脂の剥離やクラックなどが発生することを防止することが可能となる。

以上のように、第１０実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、テープ基板５上に支持体４ｄ接続用のランド６ｂを前もって形成しておき、支持体４ｄをＩＣチップ１実装のバンプ３と同様に接続することにより、テープ基板５と支持体４ｄの微小な隙間を除去することが可能となり、リフロー時の樹脂クラックなどの発生を防止する効果がある。

（第１１実施例）
図１７は本発明の第１１実施例におけるテープ基板への実装工程説明図（その１）、図１８は第１１実施例におけるテープ基板への実装工程説明図（その２）である。

本発明の第１１実施例は、第７実施例と同様にバンプ３により支持体４ｄを形成するものであるが、図１７で示すように、支持体４ｄ上に液状や熱可塑性の支持体接続用樹脂１１を前もって塗布しておき、ＩＣチップ１とテープ基板５との実装時に支持体４ｄをテープ基板５と接続するものである。

第１１実施例の製造方法を説明する。

その後、支持体４ｄ上に液状や熱可塑性の支持体接続用樹脂１１を塗布する。

つぎに、ＩＣチップ１とテープ基板５を接続するが、このときテープ基板５と支持体４ｄ上の支持体接続用樹脂１１が接続される。

その後封止樹脂７を注入するが、封止樹脂７の流動性が低く、支持体４ｄとテープ基板５の微小な間隙に樹脂注入が困難な場合でも、前もって支持体４ｄとテープ基板５が支持体接続用樹脂１１により接続されてボイドが残らないため、リフローなどにより高温で加熱しても、ボイドが熱膨張を起こし樹脂の剥離やクラックが発生することを防止することが可能となる。

以上のように、第１１実施例では、前記支持体の（１）から（４）の特徴および構成を備えるのは当然であるが、その他に、支持体４ｄ上に液状や熱可塑性の支持体接続用樹脂１１を前もって塗布しておき、ＩＣチップ１実装時にテープ基板５と支持体４ｄを接続して、テープ基板５と支持体４ｄの微小な隙間を除去することにより、リフロー時の樹脂クラックなどの発生を防止することができる。

（第１２実施例）
図１９は本発明の第１２実施例におけるＩＣチップ断面図である。

実際には、ＩＣチップ１の一側にアルミパッド２２を設け、それらの上にパッシベーション膜２１が成膜され、このパッシベーション膜２１に開口を設け、この開口にバリアメタル層２３を設け、このバリアメタル層２３に金バンプ３を形成する。

一方、支持体４は、パッシベーション膜２１上にバリアメタル層２４を形成し、その上に前記バンプ３と同じ金の支持体として設ける。なお、この実施例は支持体の材料を金としたが、他の材料とすることは上述したとおりである。

本発明の第１実施例におけるＩＣチップの斜視図である。本発明の第１実施例における実装状態の断面図である。本発明の第２実施例におけるテープＢＧＡ実装状態の断面図である。本発明の第２実施例における実装基板への実装状態の断面図である。本発明の第３実施例におけるＩＣチップの斜視図である。本発明の第３実施例におけるテープＢＧＡ実装状態の断面図である。本発明の第４実施例におけるＩＣチップの斜視図である。本発明の第４実施例におけるＩＣチップの断面図である。本発明の第５実施例におけるテープ基板の斜視図である。本発明の第５実施例におけるテープ基板の断面図である。本発明の第６実施例におけるテープ基板の斜視図である。本発明の第６実施例におけるテープ基板の断面図である。本発明の第７実施例におけるＩＣチップの斜視図である。本発明の第８実施例におけるＩＣチップの斜視図である。本発明の第９実施例における治具を用いた実装説明図である。本発明の第１０実施例における基板実装状態の断面図である。本発明の第１１実施例におけるテープ基板への実装工程説明図である。本発明の第１１実施例におけるテープ基板への実装工程説明図である。本発明の第１２実施例におけるＩＣチップ断面図である。従来例におけるＩＣチップの斜視図である。従来例におけるテープ基板の斜視図である。従来例におけるＩＣチップ接続状態の斜視図である。従来例における樹脂充填開始状態の斜視図である。従来例における樹脂充填完了状態の斜視図である。従来例における完成品の断面図である。従来例におけるテープＢＧＡ完成品の断面図である。従来例における実装基板への実装状態の断面図である。

符号の説明

１ＩＣチップ
２パッド
３バンプ
４支持体
４ａ樹脂支持体
４ｂレジスト支持体
４ｃ配線パターン支持体
４ｄバンプ支持体
５テープ基板
６ランド
６ａボール接続用ランド
６ｂ支持体接続用ランド
７封止樹脂
８ボール
９実装基板
１０レジスト樹脂
１１支持体接続用樹脂
１２接続用治具
１３配線パターン
１４入出力リード
１５逃げ部分
２１パッシベーション膜
２２アルミパッド
２３、２４バリアメタル層

Claims

表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出していることを特徴とする半導体パッケージ。
前記支持体が金で形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
前記支持体が絶縁材で形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出してなる請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記支持体と対向した部分に逃げ部を設けた冶具を用い、前記支持体を設けたとき該支持体が前記テープ基板を介して前記逃げ部と対向するように前記テープ基板を前記冶具に装着し、前記冶具の逃げ部に前記支持体が対向するように前記テープ基板上に前記バンプ及び前記支持体を介して前記半導体チップを配置して、前記テープ基板と前記半導体チップを接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、前記バンプは金で形成されて前記テープ基板の配線と電気的に接続され、前記支持体は前記テープ基板の配線と電気的に接続されないように配置され、前記支持体は前記半導体チップのバンプ取付面を基準面としてこの基準面から前記バンプよりも突出してなる請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記支持体上に液状又は熱可塑性の樹脂を前もって塗布しておき、前記テープ基板と前記半導体チップを少なくとも前記いずれか一方に設けられた前記支持体と前記樹脂により接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、
バンプ配列枠を構成すると共に前記テープ基板の配線と電気的に接続される前記バンプと前記バンプ配列枠内に設けられる前記支持体を介して前記テープ基板と前記半導体チップが接続される半導体パッケージの製造方法であって、
前記支持体と対向した部分に逃げ部が設けられた冶具を用い、前記支持体を設けたとき該支持体が前記テープ基板を介して前記逃げ部と対向するように前記テープ基板を前記冶具に装着し、前記冶具の逃げ部に前記支持体が対向するように前記テープ基板上に前記バンプ及び前記支持体を介して半導体チップを配置して、前記テープ基板と前記半導体チップを接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
表面に配線が設けられているテープ基板と、バンプおよび支持体と、該バンプおよび支持体を介して前記テープ基板上に設けられる半導体チップとからなり、
バンプ配列枠を構成すると共に前記テープ基板の配線と電気的に接続される前記バンプと前記バンプ配列枠内に設けられる前記支持体を介して前記テープ基板と前記半導体チップが接続される半導体パッケージの製造方法であって、
前記支持体上に液状又は熱可塑性の樹脂を前もって塗布しておき、前記テープ基板と前記半導体チップを少なくとも前記いずれか一方に設けられた前記支持体と前記樹脂により接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。