JP3841995B2 - 化学的機械的研磨用スラリー - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いる化学的機械的研磨用スラリーに関し、より詳しくは、銅の埋め込み配線の形成に好適な化学的機械的研磨用スラリーに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、微細化・高密度化が加速するULSI等の半導体集積回路の形成において、銅はエレクトロマイグレーション耐性に優れ且つ低抵抗であるため、非常に有用な電気的接続材料として着目されている。
【0003】
現在、銅を用いた配線の形成は、ドライエッチングによるパターニングが困難である等の問題から次のようにして行われている。すなわち、絶縁膜に溝や接続孔等の凹部を形成し、バリア金属膜を形成した後に、その凹部を埋め込むようにメッキ法により全面に銅膜を成膜し、その後、化学的機械的研磨(以下「CMP」という)法によって凹部以外の絶縁膜表面が完全に露出するまで研磨して表面を平坦化し、凹部に銅が埋め込まれた埋め込み銅配線やビアプラグ、コンタクトプラグ等の電気的接続部を形成している。
【0004】
以下、図3により埋め込み銅配線を形成する方法について説明する。
【0005】
まず、図3(a)に示すように、下層配線2が形成された第1層間絶縁膜1上にシリコン窒化膜3及び第2層間絶縁膜4をこの順で形成し、次いで第2層間絶縁膜4に、配線パターン形状を有する溝とその一部に下層配線2に達する接続孔が形成された凹部を常法により形成する。
【0006】
次に、図3(b)に示すように、バリア金属膜4をスパッタリング法により形成する。次いで、この上に、メッキ法により銅膜5を凹部が埋め込まれるように全面に形成する。ここで、メッキ厚は、溝の深さと接続孔の深さとメッキ工程の製造バラツキの総和以上の厚さにする。
【0007】
その後、図3(c)に示すように、研磨用スラリー存在下で研磨パッドにより銅膜6をCMP法により研磨して基板表面を平坦化する。続いて、図3(d)に示すように、第2層間絶縁膜4上の金属が完全に除去されるまで研磨を継続する。
【0008】
銅膜研磨用のCMP用スラリーは、酸化剤と研磨砥粒を主成分とするものが一般的である。酸化剤の化学的作用で銅表面を酸化するとともに、その酸化表面層を研磨砥粒により機械的に除去するのが基本的なメカニズムである。
【0009】
そして、銅膜の研磨速度が大きい研磨用スラリーに使用される研磨砥粒としては、所望の平均粒径を有する1次粒子が製造し易く、研磨速度が速いなどの理由により、これまで平均粒径が数100nm程度のαアルミナの1次粒子(図1(b)の30)を用いることが主流であった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
半導体集積回路が近年ますます微細化高密度化され、素子構造が複雑になるにしたがって、また、配線の微細化に伴う配線抵抗の増大に対処するため配線長の短縮を目的とした多層配線や、ロジック系の多層配線の層数が増えるにしたがって、基板表面はますます凹凸が増え、その段差が大きくなってきている。また、多層配線の上層配線部は、電源用配線、信号用配線、或いはクロック用配線に用いられており、これらの配線抵抗を低くして諸特性を改善するために配線溝を深くする必要がある。そのため、このような基板表面に形成される層間絶縁膜の厚さも増大し、厚い層間絶縁膜に埋め込み銅配線やビアプラグ等の埋め込み導電部を形成するためには、深い凹部を埋め込めるように厚い銅膜を形成することが必要になってきた。細線化された配線の抵抗を低減したり、信号配線やクロック用配線を低抵抗化して伝達スピードを速くするためには、深さ方向に厚い配線を形成する必要があり、深い凹部を形成し厚い銅膜が形成される。また、電源用配線を埋め込み銅配線で形成する場合にも電源用配線を低抵抗化して電位変化を最小に抑制するために厚い銅膜が形成される。従来、厚さ数100nm程度で十分であったのに対して数1000nmにも及ぶ厚い銅膜を形成する場合が生じるようになってきた。
【0011】
このように厚い銅膜を形成して埋め込み導電部を形成する場合は、1度のCMP工程で除去すべき銅の研磨量が増大するため、多量の銅や酸化銅の研磨屑がCMP装置の研磨パッド表面に付着、蓄積し、その結果、研磨不可能となる程度までに研磨速度が低下したり、均一な研磨面に仕上げることが困難となる。現在、生産性向上のため、ウェーハの大径化が求められており、ウェーハが大径化すると銅の厚さに加えて銅膜の面積も増大するため、銅の研磨量はますます増大する傾向にある(なお、以下、銅系金属膜を研磨したときに発生する銅や酸化銅などの研磨屑を「研磨生成物」と表記する)。
【0012】
一方、CMP装置の定盤については、定盤の面内均一性の確保、滴下したスラリーの均一拡散性、CMP装置の設置場所の制限、研磨パッドの交換の作業性、クリーンルーム内の清浄度の確保などの理由により、大型化に限界がある。
【0013】
また、銅の研磨量が増大すると、膜厚が薄い場合と同じ研磨速度ではスループットが低下するため、銅の研磨速度を上げる必要が生じてくる。しかし、銅の研磨速度を上げると、短時間で多量の研磨生成物が発生するため、研磨パッド表面への銅の付着は一層顕著になる。
【0014】
このように研磨パッド表面へ研磨生成物が多量に付着すると、研磨の終了毎に研磨パッドの洗浄や交換を行わなければならず、さらには、研磨の途中で操作を一度停止し、研磨パッドの洗浄または交換を行った後に再び研磨操作を行う必要が生じるため、スループットが著しく低下する。
【0015】
特開平10−116804号公報には、CMP中に発生した銅イオンが研磨パッドに蓄積し、ウエーハ面上に再付着し、ウエーハ面の平坦性を悪化させたり、電気的短絡を起こしたりする問題が提示され、この問題を解決するために、ベンゾトリアゾール等の再付着抑制剤を含有する研磨用組成物を用いることが記載されている。しかしながら、この公報には、ウエーハ面上へ銅イオンの再付着による問題は記載されているが、研磨パッド表面への研磨生成物の付着による上記問題は何ら記載されてない。また、再付着防止剤として用いられているベンゾトリアゾールは酸化防止剤としても作用し(J.B.Cotton著、Proc. 2nd Intern. Congr. Metallic Corrosion、第590頁、1963年;D.Chadwickら著、CorrosionSci.、第18巻、第39頁、1978年;能登谷武雄著、防錆管理、第26巻、第3号、第74頁、1982年;岡部平八郎編「石油製品添加剤の開発と最新技術」、1998年、シーエムシー、第77〜82頁)、銅の研磨速度を低下させるため、その添加量は制限される。さらに、ベンゾトリアゾールは、本来ディッシングを防止するために添加されるものであるため(特開平8−83780号公報、特開平11−238709号公報)、ディッシング防止を優先させる場合は、その添加量の調整に制約を受ける。
【0016】
特開平10−44047号公報には研磨砥粒として、約1.0μm未満のサイズ分布と約0.4μm未満の平均凝集体直径を有する金属酸化物の凝集体、又は0.4μm未満の1次粒子を有する個々に独立した金属酸化物の球状粒子を用いることが記載されている。しかしながら、この公報に記載の発明は、CMPによる表面欠陥や汚染を抑制し、均一な金属層と薄膜を形成すること、及びバリア膜と絶縁膜の選択性を制御することを目的としている。そして本公報においては、研磨パッド表面への研磨生成物の付着による問題は何ら記載されていない。また、例示されているアルミナ研磨材としては、一般的な沈降アルミナ及びヒュームドアルミナが記載されているのみで、θアルミナに関する記載は全くない。更に、銅は接続材料として例示されているに過ぎず、実施例ではAlが用いられているのみである。
【0017】
特開平10−163141号公報には研磨砥粒として、θアルミナが記載されている。しかしながら、この公報においては、θアルミナは酸化アルミニウムの一例としてαアルミナなどと同格に記載されているに過ぎず、θアルミナの2次粒子に関しては全く記載されていない。また、この公報に記載される発明は、スクラッチやディッシングを防止し、銅膜の研磨速度が大きく、適度な選択比を有し、かつ保存時の安定性が良好な研磨用組成物を提供することを目的とするものであり、研磨パッド表面への研磨生成物の付着を抑制することに関しては何ら記載されていない。
【0018】
特開平10−46140号公報には、特定のカルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリによりpHが5〜9に調整されてなることを特徴とする化学的機械研磨用組成物が記載されており、その実施例には、カルボン酸としてクエン酸と、研磨砥粒として酸化アルミニウムとを含む研磨用組成物(実施例7)が例示されている。しかしながら、この公報には、クエン酸等の有機酸の添加効果としては、研磨速度の向上と腐食痕に伴うディッシングの発生防止について記載されているだけである。
【0019】
特開平11−21546号公報には、尿素、研磨材、酸化剤、膜生成剤および錯生成剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーが開示されており、研磨剤としてアルミナ、酸化剤として過酸化水素、膜生成剤としてベンゾトリアゾール、錯生成剤としてクエン酸が例示されている。しかし、錯生成剤の添加効果としては、ベンゾトリアゾール等の膜生成剤により形成された不動態層を攪乱すること、及び、酸化層の深さを制限すること、が記載されているにすぎない。
【0020】
そこで本発明の目的は、多量の銅系金属を研磨する場合であっても、研磨パッドへの研磨生成物の付着を抑え、研磨操作を中断することなく所望の研磨量を1度の研磨操作で良好に研磨し得る化学的機械的研磨用スラリーを提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明は、銅系金属膜を研磨するための化学的機械的研磨用スラリーであって、研磨砥粒として1次粒子が凝集してなる2次粒子を主成分として含むθアルミナ、酸化剤および有機酸を含むことを特徴とする化学的機械的研磨用スラリーに関する。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【0023】
本発明の化学的機械的研磨用スラリー(以下「研磨用スラリー」とも言う)は、図1(a)に示すように、研磨砥粒として1次粒子10が凝集してなる2次粒子20を主成分として含むθアルミナ(以下「含2次粒子θアルミナ」とも言う)を含有する。このような研磨用スラリーによれば、厚いあるいは大面積の銅系金属膜を研磨する場合であっても、すなわち1度の研磨操作において多量の銅系金属を研磨する場合であっても、研磨パッドへの研磨生成物の付着を抑えることができ、研磨操作を中断することなく良好な研磨を継続して実施することが可能となる。なお、本明細書において銅系金属とは銅または銅を主成分とする合金をいう。
【0024】
含2次粒子θアルミナの2次粒子の含有量は、研磨パッドへの研磨生成物の付着を、より十分に抑制する点から、含2次粒子θアルミナ全体に対して60質量%以上が好ましく、65質量%以上がより好ましく、70質量%以上が更に好ましい。
【0025】
また、この2次粒子の平均粒径は、0.05μm以上が好ましく、0.07μm以上がより好ましく、0.08μm以上が更に好ましい。上限としては、0.5μm以下が好ましく、0.4μm以下がより好ましく、0.3μm以下が更に好ましい。
【0026】
更に、θアルミナの2次粒子全体の中で、0.05μm以上0.5μm以下の粒径の2次粒子の占める割合は、50質量%以上が好ましく、55質量%以上がより好ましく、60質量%以上が更に好ましい。
【0027】
加えて、含2次粒子θアルミナは、好ましくは2μm、より好ましくは1.5μm、更に好ましくは1μmより粒径が大きい1次粒子及び2次粒子を実質的に含有しないことが望ましい。
【0028】
上記のようなθアルミナの2次粒子を構成する1次粒子の平均粒径は、0.005μm以上が好ましく、0.007μm以上がより好ましく、0.008μm以上が更に好ましい。上限としては、0.1μm以下が好ましく、0.09μm以下がより好ましく、0.08μm以下が更に好ましい。
【0029】
本発明における含2次粒子θアルミナを構成する1次粒子の平均粒径は、従来の研磨砥粒として一般に使用されているαアルミナの1次粒子と比較して格段に小さいため、このような1次粒子で構成される2次粒子の平均粒径は、従来のαアルミナの1次粒子の平均粒径と同程度に調製できる。そして、この2次粒子を主成分とするθアルミナ(含2次粒子θアルミナ)を研磨砥粒の主成分として含む研磨用スラリーを用いてCMPを行うと、銅の研磨表面と2次粒子を構成する1次粒子との接触面積が小さいため、機械的に除去され生成する研磨生成物は小さいものとなる。更に、研磨生成物は、2次粒子を構成する1次粒子間の空隙や凹凸により微細に粉砕されるため、更に微小な研磨生成物となる。
【0030】
また、含2次粒子θアルミナは、従来のαアルミナの1次粒子と比較して広い表面積を有しているため、良好な分散性を有し、このため、2次粒子の会合による巨大粒子の形成が抑制される。このため、巨大粒子によって削り取られることにより研磨表面より生成する、サイズの大きな研磨生成物の発生が抑制される。
【0031】
以上の理由により、本発明の研磨用スラリーを使用したCMPにおいては、生成する研磨生成物が微小であるため、研磨生成物が研磨パッド表面において目詰まりを起こしにくく、同時に微小な研磨生成物は、連続的に供給される研磨用スラリーによって容易に洗い流される。このため、多量の銅を研磨する場合でも、研磨パッド汚れは抑制される。
【0032】
本発明の研磨用スラリーを用いたCMPでは、研磨パッド汚れの抑制効果に加え、研磨表面のスクラッチの発生も抑制される。含2次粒子θアルミナは研磨パッドからの研磨荷重(研磨パッドの接触圧力)により変形し得るため、研磨表面と2次粒子を構成する1次粒子との接触部において応力集中が発生しない。この結果、研磨表面が大きく抉られることがなくスクラッチの発生が抑制される。
【0033】
また、θアルミナのモース硬度は、αアルミナのモース硬度が9であるのに対して、7である。すなわち、θアルミナはαアルミナと比べ硬度が低く、銅のような軟質金属の研磨には適当な硬度であるため、スクラッチが発生しにくい。
【0034】
更に、含2次粒子θアルミナの2次粒子は表面積が大きいため、分散性に優れており、また、1次粒子は格段に微小であるため、本発明の研磨用スラリーは長期安定性に優れているという特徴も有する。
【0035】
研磨砥粒の平均粒径、特定範囲の粒径を有する砥粒の割合および最大粒径は、光散乱法により研磨砥粒の粒径分布を測定し、得られた粒径分布に統計処理を施すことによって算出することができる。また、電子顕微鏡を用いて、十分に多数の研磨砥粒の粒径を計測することによって、研磨砥粒の粒径分布を求めることができる。
【0036】
θアルミナの製造は、Alを含有する塩の水和物または水酸化物よりなるコロイドから、昇温速度が制御された加熱処理により結晶水を除去することによって行うことができる。加熱処理中に隣接する1次粒子の接触部分が融着し生成した凝集体が2次粒子である。θアルミナの製造においては、微小で粒径が制御されたコロイドの粒子を調製できるため、本発明に好適な平均粒径および粒径分布を有する微小な1次粒子を得ることが可能である。このため、従来のαアルミナの1次粒子と同程度の粒径を有するθアルミナの2次粒子を形成することができる。更に、加熱処理中に形成される1次粒子間の融着の結合力は適度な値であるため、適当な条件下での分散によって幾つかの1次粒子間の結合を破壊することができ、本発明に好適な粒径を有する2次粒子を形成することができる。
【0037】
本発明の研磨用スラリーに含有される含2次粒子θアルミナは、上記のようにして形成されたθアルミナを適当な条件下で分散媒体中に分散することによって作製できる。コロイドの加熱処理により製造されたθアルミナは、多数の1次粒子が融着した平均粒径10μm程度の巨大な凝集体よりなる。これを10質量%以上70質量%以下の範囲で水系媒体に添加する。必要に応じて、0.01質量%以上10質量%以下の範囲で分散剤を添加することもできる。θアルミナ及び分散剤の添加量は、得られる2次粒子の粒径に影響する。
【0038】
分散は、超音波分散機、ビーズミル分散機、ボールミル分散機、ニーダー分散機などを用いて行うことができる。なかでも所望の粒径を有する2次粒子を安定に形成できるため、ビーズミル分散機やボールミル分散機を用いることが好ましい。また、粒径が2μm以上の粒子を除去するために、これらの分散機にフィルタ機構を設けることもできる。
【0039】
分散時間は2次粒子の粒径分布に影響し、単分散性の高い粒径分布を有する2次粒子を得るためには、好ましくは140分以上、より好ましくは150分以上、更に好ましくは180分以上分散を行う。また、異物の混入を抑制するために、分散時間の上限としては、400分以下が好ましく、350分以下がより好ましく、300分以下が更に好ましい。
【0040】
分散剤としては、界面活性剤系および水溶性高分子系の分散剤の1種類以上を使用できる。
【0041】
界面活性剤系の分散剤としては、アニオン性、カチオン性、両性及びノニオン系界面活性剤を挙げることができる。アニオン系界面活性剤としては、スルフォン酸、硫酸エステル、カルボン酸、燐酸エステル、フォスフォン酸などの可溶性塩が使用できる。これらの可溶性塩類には、例えば、アルキルベンゼンスルフォン酸ナトリウム(ABS)、ドテシル硫酸ナトリウム(SDS)、ステアリン酸ナトリウム、ヘキサメタ燐酸ナトリウムなどがある。カチオン系界面活性剤としては、造塩し得る第1〜3級アミンを含有するアミン塩、これらの変性塩類、第4級アンモニウム塩、フォスフォニウム塩やスルフォニウム塩などのオニウム化合物、ピリジニウム塩、キノリニウム塩、イミダゾリニウム塩などの環状窒素化合物、複素環化合物などを使用できる。これらのカチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化セチルトリメチルアンモニウム(CTAC)、臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB)、臭化セチルジメチルベンジルアンモニウム、塩化セチルピリジニウム、塩化ドテシルピリジニウム、塩化アルキルジメチルクロロベンジルアンモニウム、塩化アルキルナフタレンピリジニウムなどを挙げることができる。
【0042】
ノニオン系界面活性剤としては、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルなどの脂肪酸に酸化エチレンを付加重合させたものや、エーテル型ノニオン性界面活性剤、ポリエチレングリコール縮合型の界面活性剤を用いることができる。これらのノニオン系界面活性剤としては、例えば、POE(10)モノラウレート、POE(10)モノステアレート、POE(25)モノステアレート、POE(40)モノステアレート、POE(45)モノステアレート、POE(55)モノステアレート、POE(21)ラウリルエーテル、POE(25)ラウリルエーテル、POE(15)セチルエーテル、POE(20)セチルエーテル、POE(23)セチルエーテル、POE(25)セチルエーテル、POE(30)セチルエーテル、POE(40)セチルエーテル、POE(20)ステアリルエーテル、POE(2)ノニルフェニルエーテル、POE(3)ノニルフェニルエーテル、POE(5)ノニルフェニルエーテル、POE(7)ノニルフェニルエーテル、POE(10)ノニルフェニルエーテル、POE(15)ノニルフェニルエーテル、POE(18)ノニルフェニルエーテル、POE(20)ノニルフェニルエーテル、POE(10)オクチルフェニルエーテル、POE(30)オクチルフェニルエーテル、POE(6)ソルビタンモノオレエート、POE(20)ソルビタンモノオレエート、POE(6)ソルビタンモノラウレート、POE(20)ソルビタンモノラウレート、POE(20)ソルビタンモノパルミレート、POE(6)ソルビタンモノステアレート、POE(20)ソルビタンモノステアレート、POE(20)ソルビタントリステアレート、POE(20)ソルビタントリオレエート、POE(6)ソルビタンモノオレエート、POE(20)ソルビタンモノオレエートを挙げることができる。ただし、POEはポリオキシエチレンであり、括弧内の数字は、繰返単位−CH2CH2O−の繰返し数を表す。
【0043】
両性界面活性剤としては、分子中にアニオンになる−COOH基、−SO3H基、−OSO3H基及び−OPO3H2基などの中から少なくとも1種類以上の原子団と、カチオンになる原子団として、1〜3級アミン又は第4級アンモニウムとを含有する化合物を使用することができる。例えば、ベタイン、スルフォベタイン、サルフェートベタイン型などがあり、より具体的にはラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、N−ヤシ油脂肪酸アシル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチレンジアミンナトリウムなどが挙げられる。
【0044】
また、水溶性高分子系の分散剤としては、イオン性高分子と非イオン性高分子がある。イオン性高分子としては、例えばアルギン酸又はその塩、ポリアクリル酸又はその塩、ポリカルボン酸又はその塩、セルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシルエチルセルロースなどが挙げられ、非イオン性高分子としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミドなどが挙げられる。
【0045】
水溶性高分子系の分散剤の重量平均分子量は、100以上が好ましく、500以上がより好ましく、1000以上が更に好ましく、上限としては、100000以下が好ましく、80000以下がより好ましく、50000以下が更に好ましい。重量平均分子量がこの範囲内であれば、得られる研磨用スラリーの粘度上昇を抑制して、良好な粒径分布を有する2次粒子が形成できる。
【0046】
含2次粒子θアルミナの効果を損なわない範囲であれば、必要に応じて他の研磨砥粒を併用してもよい。他の研磨砥粒としては、α−アルミナやδ−アルミナ等のθアルミナ以外のアルミナ、ヒュームドシリカやコロイダルシリカ等のシリカ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、セリア、及びこれらの金属酸化物研磨砥粒からなる群より選ばれる2種以上の混合物を用いることができる。
【0047】
含2次粒子θアルミナの含有量は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、上限としては、30質量%以下が好ましく、10質量以下%がより好ましい。研磨用スラリーが2種類以上の研磨砥粒を含有する場合、各研磨砥粒の含有量の総和は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、上限としては、30質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましい。
【0048】
本発明の研磨用スラリーに含有される酸化剤としては、研磨精度や研磨能率を考慮して、水溶性の酸化剤から選択して用いることができる。例えば、重金属イオンのコンタミネーションを起こさないものとして、H2O2、Na2O2、Ba2O2、(C6H5C)2O2等の過酸化物、次亜塩素酸(HClO)、過塩素酸、硝酸、オゾン水、過酢酸やニトロベンゼン等の有機過酸化物を挙げることができる。なかでも、金属成分を含有せず、有害な複生成物を発生しない過酸化水素(H2O2)が好ましい。本発明の研磨用スラリーに含有させる酸化剤量は、十分な添加効果を得る点から、研磨用スラリー全量に対して0.01質量%以上が好ましく、0.05質量%以上がより好ましく、0.1質量%以上が更に好ましい。上限は、ディッシングの抑制や研磨速度を適度な値に調整する点から、15質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましい。なお、過酸化水素のように比較的経時的に劣化しやすい酸化剤を用いる場合は、所定の濃度の酸化剤含有溶液と、この酸化剤含有溶液を添加することにより所定の研磨用スラリーとなるような組成物を別個に調整しておき、使用直前に両者を混合してもよい。
【0049】
有機酸としては、酸化剤の酸化を促進し、また安定した研磨を行うために、プロトン供与剤としてカルボン酸やアミノ酸を用いることができる。
【0050】
カルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルタル酸、クエン酸、マレイン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、アクリル酸、乳酸、コハク酸、ニコチン酸、これらの塩、及びこれらのカルボン酸の混合物などを挙げることができる。
【0051】
特にクエン酸は、銅イオンと容易に錯体を形成し、研磨パッドの汚れを抑制するため好ましい。クエン酸の錯体形成作用と含2次粒子θアルミナの作用が相乗することにより、研磨パッド汚れはより一層抑制される。
【0052】
アミノ酸としては、例えば、L−グルタミン酸、D−グルタミン酸、L−グルタミン酸一塩酸塩、L−グルタミン酸ナトリウム一水和物、L−グルタミン、グルタチオン、グリシルグリシン、DL−アラニン、L−アラニン、β−アラニン、D−アラニン、γ−アラニン、γ−アミノ酪酸、ε−アミノカプロン酸、L−アルギニン一塩酸塩、L−アスパラギン酸、L−アスパラギン酸一水和物、L−アスパラギン酸カリウム、L−アスパラギン酸カルシウム三水塩、D−アスパラギン酸、L−チトルリン、L−トリプトファン、L−スレオニン、L−アルギニン、グリシン、L−シスチン、L−システイン、L−システイン塩酸塩一水和物、L−オキシプロリン、L−イソロイシン、L−ロイシン、L−リジン一塩酸塩、DL−メチオニン、L−メチオニン、L−オルチニン塩酸塩、L−フェニルアラニン、D−フェニルグリシン、L−プロリン、L−セリン、L−チロシン、L−バリン、これらアミノ酸の混合物などを挙げることができる。
【0053】
有機酸の含有量は、プロトン供与剤としての十分な添加効果を得る点から、研磨用スラリー全体量に対して0.01質量%以上が好ましく、0.05質量%以上がより好ましい。上限としては、ディッシングの抑制や適度な研磨速度に調整する点から、5質量%以下が好ましく、3質量%以下がより好ましい。なお、研磨用スラリーが複数の有機酸を含有する場合、上記含有量は、それぞれの有機酸の含有量の総和を意味する。
【0054】
本発明の研磨用スラリーには、さらに酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤の添加により、銅系金属膜の研磨速度の調整が容易となり、また、銅系金属膜の表面に被膜を形成することによりディッシングも抑制できる。
【0055】
酸化防止剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾフロキサン、2,1,3−ベンゾチアゾール、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、カテコール、o−アミノフェノール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、及びこれらの誘導体が挙げられる。中でもベンゾトリアゾール及びその誘導体が好ましい。ベンゾトリアゾール誘導体としては、そのベンゼン環にヒドロキシル基、メトキシやエトキシ等のアルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、メチル基やエチル基、ブチル等のアルキル基、又は、フッ素や塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン置換基を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾールや、ナフタレンビストリアゾール、上記と同様に置換された置換ナフタレントリアゾールや、置換ナフタレンビストリアゾールを挙げることができる。
【0056】
このような酸化防止剤の含有量としては、十分な添加効果を得る点から、研磨用スラリー全体量に対して0.0001質量%以上が好ましく、0.001質量%以上がより好ましい。上限としては、適度な研磨速度に調整する点から、5質量%以下が好ましく、2.5質量%以下がさらに好ましい。
【0057】
本発明の研磨用スラリーのpHは、研磨速度や腐食、スラリー粘度、研磨剤の分散安定性等の点から、下限としてはpH3以上が好ましく、pH4以上がより好ましく、上限としてはpH9以下が好ましく、pH8以下がより好ましい。
【0058】
研磨用スラリーのpH調整は、公知の方法で行うことができ、例えば、研磨砥粒を分散し且つカルボン酸を溶解したスラリーに、アルカリを直接添加して行うことができる。あるいは、添加すべきアルカリの一部又は全部をカルボン酸のアルカリ塩と添加してもよい。使用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩、アンモニア、アミン等を挙げることができる。
【0059】
本発明の研磨用スラリーには、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に研磨用スラリーに添加されている緩衝剤や粘度調整剤などの種々の添加剤を含有させてもよい。
【0060】
本発明の研磨用スラリーは、銅系金属を表面に有する基板の研磨において、1度の研磨操作で研磨パッド1cm2当たり2×10-4g以上の銅系金属のCMPを行う場合にも好適に用いることができ、また1×10-3g以上の研磨であっても、更に1×10-2g以上の研磨であっても、研磨パッドの汚れがなく好適に用いることができる。
【0061】
本発明の研磨用スラリーは、銅系金属膜の研磨速度が、好ましくは300nm/分以上、より好ましくは400nm/分以上になるように組成比を調整することが好ましい。また、本発明の研磨用スラリーは、銅系金属膜の研磨速度が、上限として、好ましくは1500nm/分以下、より好ましくは1000nm/分以下になるように組成比を調整することが好ましい。
【0062】
CMPを行う装置において、銅系金属膜が成膜されたウエーハは、スピンドルのウエーハキャリアに設置される。このウエーハの表面を、回転プレート(定盤)上に貼り付けられた多孔性ウレタンよりなる研磨パッドに接触させ、研磨用スラリー供給口から研磨用スラリーを研磨パッド表面に供給しながら、ウエーハと研磨パッドの両方を回転させて研磨する。必要により、パッドコンディショナーを研磨パッドの表面に接触させて、研磨パッド表面のコンディショニングを行う。
【0063】
CMPが終了した段階で、研磨用スラリー供給口を閉じて研磨用スラリーの供給を停止し、他の供給口から洗浄液を供給してリンスを15〜30秒間行う。その後ウエーハを乾燥しないような状態でメガソニック洗浄を行い、研磨用スラリーを除去した後、ウエーハを乾燥する。
【0064】
以上に説明した本発明の研磨用スラリーは、バリア金属膜が溝や開口等の凹部を有する絶縁膜上に形成され、その上にこの凹部を埋め込むように銅系金属膜が絶縁膜上の全面に形成された基板をCMPして埋め込み配線やビアプラグ、コンタクトプラグ等の電気的接続部を形成する場合に最も効果的に用いられる。バリア金属膜としては、Ta、TaN、Ti、TiN等が挙げられる。絶縁膜としては、シリコン酸化膜、BPSG膜、SOG膜等の絶縁膜が挙げられる。銅系金属膜としては、銅膜の他、銀、金、白金、チタン、タングテン、アルミニウム等の各種の導電性金属を含む銅合金膜を挙げることができる。
【0065】
本発明の研磨用スラリーによれば、銅膜が厚かったり大面積であるために銅の研磨量が多い場合であっても、研磨パッドへの研磨生成物の付着が抑えられ、研磨操作を中断することなく、多量の銅系金属を1度の研磨操作で良好にCMPできる。本発明の研磨用スラリーによれば、研磨パッド表面だけでなく研磨面にも研磨生成物が付着することが抑制されるため、配線間の電気短絡等の素子特性上の問題を起こすことがなく、また平滑性に優れた研磨面を形成することができる。
【0066】
【実施例】
以下に実施例により本発明を更に詳細に説明する。
【0067】
(含2次粒子θアルミナ分散液の調製)
含2次粒子θアルミナの調製は、住友化学工業社製θアルミナ(AKP−G008)を用いて行った。この調製前のθアルミナをSEMにより観察したところ、最小粒径0.03μm、最大粒径0.08μmの多数の1次粒子(平均粒径0.05μm)が融着により結合した凝集体からなることが判った。この凝集体の平均粒径は10μmであった。なお、この最小粒径に対して著しく小さい1次粒子や、この最大粒径に対してかなり大きい1次粒子が微量に観察される場合もあったが、最終的に得られる研磨用スラリーの特性には全く影響せず、また平均粒径の値にも全く寄与しない程度であった。
【0068】
次に、日本触媒社製の分散剤アクアリックHL415を4質量%となるようイオン交換水に混合し、引続き、調製前のθアルミナを40質量%となるよう混合した。得られた混合液について、井上製作所社製ビーズミル機(スーパーミル)により回転数1000回/分で分散を行った。20〜400分の間で分散時間を変化させ、複数の分散液を調製した。
【0069】
それぞれの分散液中に含まれるθアルミナについて、粒子全体の粒径分布をベックマン・コールター社製粒度分布測定装置LS−230で測定した。得られた粒子全体の粒径分布より、最大粒径を求めた。また、粒子全体の粒径分布から1次粒子の粒径分布を差し引いて、2次粒子の粒径分布を算出した。得られた2次粒子の粒径分布に統計処理を施すことにより、2次粒径の平均粒径を求めた。更に分散時間が200分の分散液については、含2次粒子θアルミナの全体に対する2次粒子の含有量、及び粒径が0.05μm以上で0.5μm以下の2次粒子の2次粒子全体に占める割合も求めた。
【0070】
図2に、各分散時間における分散液中のθアルミナの最大粒子径(●)及び2次粒子の平均粒径(○)を示した。分散時間が120分以下の場合、3μmを超える粒径の大きな2次粒子が含まれていたが、分散時間が140分以上となると、最大粒子径は1μm以下となった。
【0071】
分散時間が200分の場合、2次粒子の平均粒径は0.15μm、最大粒子径は0.6μm、含2次粒子θアルミナの全体に対する2次粒子の含有量は74質量%、粒径が0.05μm以上で0.5μm以下の2次粒子の2次粒子全体に占める割合は62質量%であった。また、特に異物は確認されなかった。
【0072】
(実施例1)
上記のようにして得られた分散液のうち、分散時間が200分のものを用いて、5.03質量%の含2次粒子θアルミナ、0.47質量%のクエン酸、1.9質量%のH2O2を含み、pHは7である研磨用スラリー1を調製した。なお、pHはアンモニアにより調整し、H2O2はCMP直前に添加した。
【0073】
次に、トランジスタ等の半導体素子が形成された6インチのウェハ(シリコン基板)上に(図示せず)、図3(a)に示すように、下層配線2を有する第1のシリコン酸化膜1を形成し、その上にシリコン窒化膜3と厚さ1.5μm程度の第2のシリコン酸化膜4を形成した後、リソグラフィ技術とエッチングによるパターニング等の常法によりこの第2のシリコン酸化膜4に配線溝およびその一部に下層配線2に達する接続孔を形成した。次いで、スパッタリング法により厚さ50nm程度のTa膜を形成し、引き続きスパッタリング法により厚さ50nm程度の銅膜を形成後、メッキ法により厚さ2μm程度の銅膜6を形成した。
【0074】
この銅膜を、研磨用スラリー1を用いてCMPした。CMPは、スピードファム・アイペック社製SH−24型を使用して行った。研磨機の定盤には、直径61cm(24インチ)の研磨パッド(ロデール・ニッタ社製IC 1400)を張り付けて使用した。研磨条件は、研磨パッドの接触圧力(研磨圧力):27.6kPa、研磨パッドの研磨面積:1820cm2、定盤回転数:55rpm、キャリア回転数:55rpm、スラリー研磨液供給量:100ml/分とした。銅膜を2μm程度研磨した後の研磨パッドの汚れを目視および研磨速度により評価した。
【0075】
上記の銅膜を2μm程度研磨した。研磨が終了するまで研磨速度は一定で、安定して研磨を行うことができた。その後、研磨パッドの汚れを目視により評価した結果、研磨パッドに研磨生成物は殆ど付着していないことが判った。更に、研磨表面をSEMにより観察したところ、スクラッチの発生も抑制されていた。
【0076】
(実施例2)
クエン酸に代えてリンゴ酸を用いた以外は研磨用スラリー1と同様にして、研磨用スラリー2を調製した。この研磨用スラリー2を用いて、上述と同様にしてCMPを行った。研磨が終了するまで研磨速度は一定で、安定して研磨を行うことができた。その後、上述と同様に研磨パッドの汚れを評価したところ、研磨パッドに研磨生成物は殆ど付着していないことが判った。更に、研磨表面をSEMにより観察したところ、スクラッチの発生も抑制されていた。
【0077】
(比較例1)
θアルミナに代えて市販のαアルミナを用いた以外は研磨用スラリー2と同様にして研磨用スラリー3を調製した。この研磨用スラリー3を用いて、上述と同様にしてCMPを行い研磨パッドの汚れを評価したところ、研磨パッドに多量の研磨生成物が付着していることが判った。
【0078】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明の研磨用スラリーによれば、銅膜が厚かったり大面積であるために銅の研磨量が多い場合であっても、研磨パッドへの研磨生成物の付着が抑えられ、研磨操作を中断することなく所望の研磨量を1度の研磨操作で良好にCMPできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】アルミナ研磨砥粒の構造を説明するための模式図である。
【図2】θアルミナの粒径が分散時間により変化する様子を示した図である。
【図3】埋め込み銅配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
1 第1層間絶縁膜
2 下層配線
3 シリコン窒化膜
4 第2層間絶縁膜
5 バリア金属膜
6 銅膜
10 θアルミナの1次粒子
20 θアルミナの2次粒子
30 αアルミナの1次粒子
Claims (10)
- 銅系金属膜を研磨するための化学的機械的研磨用スラリーであって、
研磨砥粒として1次粒子が凝集してなる2次粒子を主成分として含むθアルミナ、酸化剤および有機酸を含み、
前記θアルミナの含有量は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して1質量%以上30質量%以下であり、
前記θアルミナの2次粒子の平均粒径は、0.05μm以上0.5μm以下であり、
前記θアルミナの1次粒子の平均粒径は、0.005μm以上0.1μm以下であり、
前記θアルミナは、粒径が2μmより大きい1次粒子及び2次粒子を実質的に含有しないことを特徴とする化学的機械的研磨用スラリー。 - θアルミナからなる研磨砥粒、酸化剤および有機酸を含む銅系金属膜を研磨するための化学的機械的研磨用スラリーであって、
1次粒子の平均粒径が、0.005μm以上0.1μm以下である前記θアルミナが、分散剤を含有するイオン交換水中で140分以上400分以下の分散処理が施され、平均粒径が、0.05μm以上0.5μm以下で、且つ、2μmより大きい粒径の2次粒子を含有しない2次粒子の含有量が、前記θアルミナ全体に対して60質量%以上であることを特徴とする化学的機械的研磨用スラリー。 - 前記θアルミナの含有量は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して1質量%以上30質量%以下であることを特徴とする請求項2記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 前記θアルミナの2次粒子の含有量は、θアルミナ全体に対して60質量%以上であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 前記θアルミナは、0.05μm以上0.5μm以下の粒径の2次粒子を、2次粒子全体に対して50質量%以上含有することを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 前記有機酸の含有量は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して0.01質量%以上5質量%以下であることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 化学的機械的研磨用スラリー全体に対して0.01質量%以上5質量%以下のクエン酸を含有することを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- pHが4以上8以下であることを特徴とする請求項1乃至7いずれかに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 前記酸化剤の含有量は、化学的機械的研磨用スラリー全体に対して0.01質量%以上15質量%以下であることを特徴とする請求項1乃至8いずれかに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 化学的機械的研磨用スラリー全体に対して0.0001質量%以上5質量%以下の酸化防止剤を含有することを特徴とする請求項9記載の化学的機械的研磨用スラリー。
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