JP3824357B2 - 光半導体装置 - Google Patents

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    • G06K7/10702Particularities of propagating elements, e.g. lenses, mirrors

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体装置に関し、特に、バーコードの読み取り、物体検知等に使用されるフォトインタラプタ等の光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2は、発光部と受光部を備え、物体表面で反射された発光部からの光を受光部で検出する反射型フォトインタラプタ20の構成を示している。このような従来のフォトインタラプタ20では、発光素子チップ2と受光素子チップ3がヘッダ4に、例えば金線等でワイヤーボンディングされて取り付けられている。さらに、このようなフォトインタラプタは、発光素子チップ2からの読み取り光を物体表面に集光させあるいは物体表面で反射された読み取り光を受光素子チップ3に集光させるためのレンズ5、各部材を保持すると共に受光素子チップ3に入射する外乱光を遮断するためのケース1、レンズ5を保護するためのレンズカバー18等を備えている。
【0003】
このように構成された反射型フォトインタラプタ20をバーコードの読み取りに使用する場合、反射型フォトインタラプタ20上でバーコード6を移動させ、もしくは、バーコード6上で反射型フォトインタラプタ20を移動させて読み取りを行う。
【0004】
このとき、バーコードを構成する白の面がレンズ5によって読み取り光が集光される位置にあるときは、反射光の強度が高くなり、受光素子チップ3に集光される反射光の強度が高くなって受光素子チップ3により発生される光電流が増加する。また、バーコードを構成する黒の面が読み取り光が集光される位置にあるときは、反射光の強度が弱くなり、受光素子チップ3により発生される光電流は相対的に少なくなる。これにより、バーコードのパターンが受光素子チップ3により発生される光電流の変化に変換される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のフォトインタラプタ20では、レンズ5の焦点距離をある程度以下に短くすると、レンズ5の収差が大きくなるために、発光素子チップ2及び受光素子チップ3とバーコード6の間の距離をある程度確保しておく必要があり、このようなフォトインタラプタ20を用いた機器の小型化を阻害する。
【0006】
また、無理に発光素子チップ2及び受光素子チップ3とバーコード6の間の距離を短くすると、例えばレンズ5の焦点距離を短くするためにレンズ5の曲率を小さくすると、レンズ5の収差が大きくなってバーコードの白の面と黒の面の判別に支障を生じ、また、焦点深度が取れなくなってバーコードのバタツキ(光軸方向の位置の変化)にも弱くなる。
【0007】
また、上述の図2に示すような反射型フォトインタラプタでは、作りやすさを考えて発光側、受光側が左右対象につくられている。このため、発光素子チップ2により発する光がバーコードに反射し、その直接反射光がそのまま受光素子チップ3に入射される。このような直接反射光はバーコードの白と黒よりも表面の光沢による強弱があり、表面の光沢の強いバーコードでは、ほとんど読み取り不能になってしまう。そこでセンサを傾けて図3に示すように散乱光の割合を大きくして使用する。
【0008】
しかしながら、フォトインタラプタを傾けて使用することで、フォトインタラプタの収納スペースが大きくなり、取り付けも難しくなる。従って、このようなフォトインタラプタを用いた機器の小型化がさらに難しくなる。
【0009】
本発明は、上述のような問題点に鑑みてなされたものであり、機器の小型化に寄与することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光半導体装置は、読み取り光を発生する発光素子と、物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、該発光光学系により集光された読み取り光を反射させて進行方向を変える読み取り光反射手段と、物体表面で反射された読み取り光(以下、反射光という。)を反射させて進行方向を変える反射光反射手段と、該反射光反射手段により進行方向が変えられた反射光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段を備え、上記発光光学系及び受光光学系を保護するためのレンズカバーとを有し、
上記レンズカバーに取り付け用突起部を設けたことを特徴とする。
【0011】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、読み取り光を発生する発光素子と、物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、上記物体表面で反射された読み取り光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、上記発光光学系及び上記受光光学系を保護するための透明なレンズカバーとを有し、
上記レンズカバーは、上記発光光学系で集光された光を反射させて前記物体表面に導き、前記物体表面で反射された読み取り光を反射させて上記受光光学系に導く傾斜面を有することを特徴とする
【0013】
【発明の実施の形態】
図1(A)及び同図(B)は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、発光素子、受光素子、光学系等を備えたフォトインタラプタに本発明を適用したものである。
【0014】
このフォトインタラプタ10は、読み取り光を発生する発光素子チップ2と、被測定物(物体)の表面で反射された読み取り光(以下、反射光という。)を受光する受光素子チップ3と、発光素子チップ2と受光素子チップ3が配置されたヘッダ4と、発光素子チップ2、受光素子チップ3上に配設され、発光素子チップ2からの読み取り光を集光すると共に、反射光を受光素子チップ3に集光するレンズ5と、発光素子チップ2〜ヘッダ4を収納するためのケース1と、レンズ5上に配置されたレンズカバー8より構成されている。
【0015】
レンズ5は、読み取り光をバーコード6等の被測定物(以下、単にバーコード6という。)の表面に集光するための部分と、バーコード6の表面で反射された読み取り光を受光素子チップ3に集光させるための部分とを有し、各々異なる光軸を有する。
【0016】
レンズカバー8は、透明なガラス、樹脂等からなり、レンズ5の2つの光軸を含む平面に対して45°の傾きを持つ傾斜面を備えている。
【0017】
発光素子チップ2により発生された読み取り光はレンズ5によって集光され、レンズカバー8の傾斜面によって反射され、進行方向が変えられてバーコード6に到達する。(例えばレンズカバー8の屈折率Nが1.5である場合には、傾斜面に対する読み取り光の入射角(すなわち傾斜角α1)が41.8°以上であれば傾斜面に入射した光が全反射する。)バーコード6の表面で反射された読み取り光は、レンズカバー8の傾斜面で進行方向が変えられ、レンズ5によって集光されて受光素子チップ3に入射する。
【0018】
この第1の実施形態では、上述のようにレンズカバーの傾斜面で読み取り光を反射させる構成としたことによって、図4に示すように、フォトインタラプタを収納するための読み取り光の照射方向のスペースが短くなり、このようなフォトインタラプタを組み込む装置の小型化を実現することができる。
【0019】
また、従来は読み取り光の進行方向を変更する場合等に、レンズカバーとは別個にプリズム等を設けていたが、上述のような形状のレンズカバーを用いることにより、レンズ5を保護するために設けていたレンズカバーがプリズムと同様に機能するため、別個のプリズム等を設ける必要がない。従って、このようなフォトインタラプタを用いた機器のコストを低減させることができる。
【0020】
図5(A)及び同図(B)は、本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第1の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図5では上述の図1中と同様若しくは対応する構成要素は図1と同様な符号で示されている。
【0021】
このフォトインタラプタ30は、上述の図1に示すフォトインタラプタ10と同様に、発光素子チップ2と受光素子チップ3が配置されたヘッダ4と、発光素子チップ2、受光素子チップ3上に配設されたレンズ5と、発光素子チップ2〜ヘッダ4を収納するためのケース1と、レンズ5上に配置されたレンズカバー8とを備えている。
【0022】
さらに、このフォトインタラプタ30は、レンズカバー8のバーコード6に対向する面に一体成形された、当該フォトインタラプタ30の取り付け及び取り付け時の位置決めに用いる取り付け用突起部7を備えている。
【0023】
この取り付け用突起部7は、円柱状とされており、その口径L2は、図6に示すように、取り付け用突起部7の先端より出射するときの読み取り光の光の広がり径D1より大きくなっており、また、バーコード6の表面で反射した反射光の入射をさまたげない程度の径(あるいはケースの内面が低反射率化されていない場合には、レンズ5により受光素子チップ3に集光されうる反射光の入射をさまたげない程度の径)とされている。
【0024】
このような構成のフォトインタラプタ30を用いた機器は、図7に示すように、その筐体11のフォトインタラプタ30を取り付ける部分に上述の取り付け用突起部7の径D1に相当する径の取り付け孔12を備えている。
【0025】
このような筐体11にフォトインタラプタ30を取り付ける際には、図8に示すように、取り付け用突起部7を取り付け孔12に嵌入する。取り付け孔12の径が適切であれば、これによりフォトインタラプタ30が筐体11に固定される。これにより、フォトインタラプタ30の取り付けが容易となる。
【0026】
あるいは、取り付け孔12の径に若干の遊びを持たせた場合には、取り付け用突起部7を取り付け孔12に挿入することにより、フォトインタラプタ30の位置決めを容易に行うことができる。この場合は、接着、融着、ケース1の部材によりフォトインタラプタ30を挟持、その他の方法により、フォトインタラプタ30を固定する。
【0027】
このフォトインタラプタ30では、読み取り光、反射光の光路である取り付け用突起部7により取り付けあるいは位置決めを行っているために、例えばフォトインタラプタ30の他端(ヘッダ4付近)で取り付けあるいは位置決めを行っている場合等に比較して、光学特性のばらつきが少ない。また、図9に示すように、フォトインタラプタ30に設けられた取り付け用突起部7を介して読み取り光、反射光の入出力を行っているために、筐体11に対するフォトインタラプタ30の位置が多少変動したとしても、フォトインタラプタ30自体のフォーカス位置のずれ等はない。
【0028】
なお、上述の説明では、取り付用突起部7の形状を円柱状としているが、角柱等他の形状でもよい。この場合においても、取り付け孔12の形状が適切であれば上述と同様にフォトインタラプタ30を固定することができる。あるいは、若干の遊びを有する場合では、位置決めを容易に行うことができる。特に、角柱等の回転防止面を有する形状とした場合には、フォトインタラプタ30の回転を防止することができる。
【0029】
図10(A)及び同図(B)は、本発明の第3の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第1及び第2の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図10では上述の図1、図5中と同様若しくは対応する構成要素はこれらの図と同様な符号で示されている。
【0030】
このフォトインタラプタ40は、上述の図5に示すフォトインタラプタ30と同様に、発光素子チップ2と、受光素子チップ3の配置されたヘッダ4と、発光素子チップ2、受光素子チップ3上に配設されたレンズ5と、全体を収納するためのケース1とレンズ上に配されたレンズカバー8と、レンズカバー8のバーコードの対向する面に一体形成された取り付け用突起部7とを備えている。
【0031】
上述の図5に示すフォトインタラプタ30では、レンズカバー8の傾斜面の傾斜角α1を45°としていたが、この図8に示すフォトインタラプタ30では、この傾斜角α2を45°以外、例えば55°としている。この傾斜角α2は、直接反射光が取り付け用突起部7に入射しにくい程度とすればよい。(バーコードまでの距離、取り付け用突起部7の径等によって変化する。)
ここで、傾斜面の傾斜角を45°とした場合、図11に示すように、読み取り光がバーコード6に垂直に入射すると、この読み取り光に対する直接反射光が読み取り光と逆の経路をたどってレンズカバー8に入射する。
【0032】
これに対し、図12に示すように、傾斜角α2を45°以外とすればバーコード6の表面で反射された直接反射光は入射方向と異なる方向に反射され、代わりにバーコード6の表面で散乱反射された散乱反射光(散乱光)が入射する。これにより、傾斜面で反射されてレンズ5により受光素子チップ3に集光される反射光中の散乱反射光の割合が直接反射光の割合に対して相対的に増加する。
【0033】
直接反射光は、光強度が比較的強いが、被測定物表面の色だけでなく光沢等によってもその強度が影響されるため、例えば黒い部分であっても表面に光沢がある場合には、強度が高くなってしまい、白と黒の判断が難しくなってしまうことがある。これに対し散乱反射光は、光強度が比較的弱いが、表面の光沢等に比較的影響されない。このため、散乱反射光の比率を多くすれば、全体としての光強度は低下するが、被測定物表面の光沢等によって影響を受けにくくなり、S/N比を高くすることができる。
【0034】
また、傾斜角α2を45°より大きくするか小さくすれば反射光中の直接反射光の比率を低下させることができる。上述したように、レンズカバー8の屈折率が、例えば1.5である場合では読み取り光の入射角(すなわち、傾斜角)が41.8°以上であれば、傾斜面で読み取り光が全反射されるため、傾斜角α2を41.8°以上45°未満に設定してもよいが、バーコード6の表面がレンズ5の光軸に平行である状態からずれた場合のマージンを考慮して、傾斜角α2を45°以上とすることが望ましい。
【0035】
このフォトインタラプタ40は、上述のように、傾斜面の傾斜角を45°以外としているため、入射される反射光中の散乱反射光の比率を高くすることができ、S/N比を向上させることができる。また、このフォトインタラプタ40では、傾斜面の傾斜角が読み取り光及び(散乱)反射光の全反射条件を満たす角度とされていることにより、入射した光の一部が傾斜面を透過して光強度の低下を生じることがない。
【0036】
図13(A)及び同図(B)は本発明の第4の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。この実施形態は、上述の第1〜第3の実施形態と同様に本発明をフォトインタラプタに適用したものである。なお、この図13では上述の図1、図5、図10中と同様若しくは対応する構成要素はこれらの図と同様な符号で示されている。
【0037】
このフォトインタラプタ50は、上述の図1に示すフォトインタラプタ10と同様に、発光素子チップ2と、受光素子チップ3の配置されたヘッダ4と、発光素子チップ2、受光素子チップ3上に配設されたレンズ5と、全体を収納するためのケース1とレンズ上に配されたレンズカバー8とを備えている。
【0038】
上述の図1、図5、図10に示すフォトインタラプタ10、30、40では、レンズカバー8に傾斜面を1つだけ設けていたが、この図13に示すフォトインタラプタ30では、この傾斜面を2つ備えている。
【0039】
このような2つの傾斜面を設けない場合には、レンズカバー8の基端部(ケース1に接している部分)からバーコード6までの距離は、図13(B)中の距離a+距離bとなる。これに対し、このフォトインタラプタ50では、レンズカバー8の基端部からバーコード6までの距離は同図中の距離bとなり、2つの傾斜面が無い場合に比較して距離aだけ短くなっている。この距離aは、2つの傾斜面の間隔を調節することにより自由に設定することができる。従って、上述のような2つの傾斜面が無い場合に比較して、このようなフォトインタラプタ50を設ける機器の小型化に寄与することができる。
【0040】
また、このフォトインタラプタ50は、上述のような2つの傾斜面を備えることにより、例えば図14に示すように、このようなフォトインタラプタ50を組み込む装置内に複雑な凹凸があり、読み取り光を出力する位置と、レンズ5の光軸とを離すことが望まれる場合であっても対応することができる。これにより、このようなフォトインタラプタ50を用いた機器の設計の自由度を高めることができる。また、自由度が高くなることにより、これらの機器の小型化等にも寄与することができる。
【0041】
上述の各実施形態では、反射型フォトインタラプタに本発明を適用した場合について説明したが、第5の実施形態では、図15に示すように、単体の発光素子60又は受光素子70に本発明を適用した。
【0042】
この発光素子60は、発光素子チップ2と、この発光素子チップ2を封入した透明な樹脂等からなるパッケージ21を備えている。このパッケージ21の一端には、上述の各実施形態のレンズカバー8に形成された傾斜面(反射面)に相当する傾斜面22が形成されている。
【0043】
また、受光素子70は、上述の発光素子60における発光素子チップ2の代わりに受光素子チップ3を備えている。
【0044】
このように、発光素子60、受光素子70のパッケージ21の一端に傾斜面22を設けることにより、これらの発光素子60、受光素子70の配置の自由度が高くなる。従って、これらの発光素子60、受光素子70を用いた機器の小型化等に寄与することができる。
【0045】
また、第6の実施形態では、図16に示すように、上述の第5の実施形態と同様に単体の発光素子80又は受光素子90に本発明を適用した。
【0046】
この発光素子80は、上述の図15に示す発光素子60と同様に、発光素子チップ2と、この発光素子チップ2を封入した透明な樹脂等からなる基体21を備えている。この基体21の一端には、上述の第4の実施形態のレンズカバー8に形成された2つの傾斜面(反射面)に相当する傾斜面23、24が形成されている。
【0047】
また、受光素子90は、上述の発光素子80における発光素子チップ2の代わりに受光素子チップ3を備えている。
【0048】
このように、発光素子80、受光素子90のパッケージ21の一端に2つの傾斜面22、24を設けることにより、上述の第5の実施形態と同様に、これらの発光素子80、受光素子90の配置の自由度が高くなる。従って、これらの発光素子80、受光素子90を用いた機器の小型化等に寄与することができる。
【0049】
また、第7の実施形態のフォトインタラプタでは、図17に示すように、上述の各実施形態ではレンズカバー8の傾斜面により構成していた反射面をミラーで構成している。
【0050】
このフォトインタラプタ99では、ケース1’はヘッダ4と対向する面に傾斜面を有している。この傾斜面の内側には、ミラー25が取り付けられている。また、ケース1’には読み取り光、反射光の出入射のための開口部が設けられており、この開口部には、レンズカバー8’が取り付けられている。
【0051】
このような構成のフォトインタラプタ99では、レンズ5によって集光された読み取り光がミラー25表面で反射され、バーコード表面6に照射される。また、バーコード6表面で反射された反射光は、ミラー25で反射され、レンズ5によって受光素子チップ3に集光される。
【0052】
従って、このフォトインタラプタ99では、上述の各実施形態のフォトインタラプタと同様に、このようなフォトインタラプタ99を用いた機器の小型化、低コスト化等に寄与する。
【0053】
また、上述のケース1’の傾斜面の角度を45°以外とすることにより、上述の第3の実施形態と同様に、受光する反射光中の散乱光の割合を相対的に増加させS/N比を増加させることができる。
【0054】
また、上述の各実施形態では、本発明に係る光半導体装置による被測定物としてバーコードを挙げたが、被測定物を、例えば文字等が印刷されたラベル等としてもよい。
【0055】
【発明の効果】
本発明に係る光半導体装置では、発光光学系により集光された受光素子からの読み取り光の進行方向を、読み取り光反射手段により変え、反射光反射手段により反射光の進行方向を変え、受光光学系によって受光素子に集光させることにより、これにより、読み取り光の出射方向、反射光の入射方向と各光学系の光軸方向を異ならせることができる。従って、当該光半導体の、読み取り光の出射方向、反射光の入射方向の長さを短縮することができる。これにより、当該光半導体装置を用いた機器の小型化に寄与することができる。
【0056】
また、従来は、読み取り光、反射光の進行方向を変えるために、光半導体素子とは別個にプリズム等を設けていたが、この光半導体装置を用いる場合には、このようなプリズム等を設ける必要がないため、この光半導体装置を用いる機器の低コスト化等に寄与することができる。
【0057】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、反射手段により、発光素子からの光を反射させて外部に出射させることにより、当該光半導体装置を用いた機器の構成の自由度を向上させて、これらの機器の小型化に寄与することができる。
【0058】
とを備えている。
【0059】
また、本発明に係る他の光半導体装置は、反射手段により、外部から入射する光を反射させて受光素子に導くことにより、当該光半導体装置を用いた機器の構成の自由度を向上させて、これらの機器の小型化に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2】 従来のフォトインタラプタの構成を示す図である。
【図3】 従来のフォトインタラプタの使用態様を示す図である。
【図4】 上記本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図5】 本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図6】 上記第2の実施形態に係る光半導体装置を構成する取り付け用突起部の詳細を示す図である。
【図7】 上記第2の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図8】 上記第2の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図9】 上記第2の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図10】 本発明の第3の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図11】 上記第3の実施形態に係る光半導体装置を構成するレンズカバーの動作を説明するための図である。
【図12】 上記レンズカバーの動作を説明するための図である。
【図13】 本発明の第4の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図である。
【図14】 上記第4の実施形態に係る光半導体装置の使用態様を示す図である。
【図15】 本発明の第5の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【図16】 本発明の第6の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【図17】 本発明の第7の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す側面図である。
【符号の説明】
1 ケース、2 発光素子チップ、3 受光素子チップ、4 ヘッダ、5 レンズ、6 バーコード、7 取り付け用突起部、8 レンズカバー

Claims (6)

  1. 読み取り光を発生する発光素子と、
    物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、
    前記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、
    該発光光学系により集光された読み取り光を反射させて進行方向を変える読み取り光反射手段と、
    物体表面で反射された読み取り光(以下、反射光という。)を反射させて進行方向を変える反射光反射手段と、
    該反射光反射手段により進行方向が変えられた反射光を前記受光素子に集光させる受光光学系と、
    上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段を備え、上記発光光学系及び受光光学系を保護するためのレンズカバーと
    を有し、
    上記レンズカバーに取り付け用突起部を設けたことを特徴とする光半導体装置。
  2. 読み取り光を発生する発光素子と、
    物体表面で反射された読み取り光を受光する受光素子と、
    上記発光素子からの読み取り光を物体表面近傍に集光させる発光光学系と、
    上記物体表面で反射された読み取り光を上記受光素子に集光させる受光光学系と、
    上記発光光学系及び上記受光光学系を保護するための透明なレンズカバーと
    を有し、
    上記レンズカバーは、上記発光光学系で集光された光を反射させて前記物体表面に導き、前記物体表面で反射された読み取り光を反射させて上記受光光学系に導く傾斜面を有することを特徴とする光半導体装置。
  3. 上記受光素子に入射する外乱光を遮光する遮光手段を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体装置。
  4. 上記読み取り光反射手段及び上記反射光反射手段は、1つの傾斜面から構成されることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  5. 上記傾斜面の傾斜角度は、上記物体表面で反射され、上記傾斜面に入射する散乱反射光の割合が、直接反射光に対して相対的に増加する角度とされている
    ことを特徴とする請求項2又は4記載の光半導体装置。
  6. 上記読み取り光反射手段及び反射光反射手段は、各々2以上の反射面を備える
    ことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
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