JP3821899B2 - BiCMOS/CMOSスイッチング回路 - Google Patents
BiCMOS/CMOSスイッチング回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3821899B2 JP3821899B2 JP01153597A JP1153597A JP3821899B2 JP 3821899 B2 JP3821899 B2 JP 3821899B2 JP 01153597 A JP01153597 A JP 01153597A JP 1153597 A JP1153597 A JP 1153597A JP 3821899 B2 JP3821899 B2 JP 3821899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- power supply
- supply potential
- vcc
- gate terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00315—Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
この発明はH動作の間、ハイブリッドVCC装置内のBiCMOS/CMOS回路に対する保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術及び課題】
従来、ハイブリッドVCC装置は周知である。こういう装置では、少なくとも2種類の異なるHレベル、例えば、3.3V及び5Vが、異なるBiCMOS/CMOS回路内の2つの適当な部品によってバスに供給される。
大多数のハイブリッドVCC装置では、電力消費の小さい部品を保護する為に、H動作の間、保護回路が要求される。
次にこの理由を図2を参照して詳しく説明する。図2は、従来のハイブリッドVCC装置のBiCMOS/CMOS回路の出力段の一部分を示す。
【0003】
図2で、MP4はPMOS出力トランジスタを表わし、その導電状態では、例えば3.3VのHレベルを、回路の出力AUSであるソース端子からバス(図に示してない)に供給する作用を有する。PMOS出力トランジスタMP4のドレイン端子が第1の電源電位VCCに接続される。この電位が、バスに供給されるHレベルに従って選ばれる。
出力AUSとPMOS出力トランジスタMP4のゲート端子の間にPMOSトランジスタMP7の主電流通路があり、そのゲート端子が第1の電源電位VCCに接続されている。
【0004】
更に、出力AUSがPMOSトランジスタMP8の主電流通路を介してPMOSトランジスタMP4、MP7及びMP8の基板に接続される。これらの基板がショットキー・ダイオードD1を介して第1の電源電位VCCに接続される。このショットキー・ダイオードD1は、それがVCCへ向う電流の流れを妨げるように回路内に配置されている。PMOSトランジスタMP8のゲート端子にもVCCがかかっている。
2つのPMOSトランジスタMP7、MP8は、PMOS出力トランジスタMP4からバスへのHレベルの出力が、そのゲート端子がVCCに接続された為に不作動になった時、PMOS出力トランジスタMP4のターンオンを防止する作用を持つ。
このようなターンオンは、別の部品が5Vをバスに印加して、出力AUSの電圧VOHが5Vになり、PMOS出力トランジスタMP4のゲート又は基板に於ける電圧VCC、即ち3.3Vより大きくなった場合、実際に起り得る。この影響に対抗するのがPMOSトランジスタMP7、MP8である。これは、VCC+VtMP7又はVCC+VtMP8より大きな、出力AUSの電圧では、PMOS出力トランジスタMP4からのゲート又は基板電位を、出力AUSの電圧VOHより大きくさせる為に、それらがターンオンされるからである。VtMP7が及びVtMP8は、夫々PMOSトランジスタMP7、MP8の閾値電圧である。
【0005】
これに関連して、PMOSトランジスタMP7、MP8を正確にVCCでターンオンする事が出来るようにする為に、MP7、MP8のゲート端子には、これに対応して一層低い第3又は第4の電源電位VCC−VtMP7並びにVCC−VtMP8が存在する事がある。
更に、出力AUSにHレベルを発生する為に第2の電源電位GND(例えば、アース電位)と、又は出力AUSにLレベルを発生する為に第1の電源電位VCCとPMOS出力トランジスタMP4のゲート端子を選択的に接続する駆動回路が設けられている。
この駆動回路は次の部品、即ち、PMOSトランジスタMP1、MP2、NMOSトランジスタMN1、MN2、pnpバイポーラ・トランジスタQ1及びショットキー・ダイオードD2、D3を含む。
【0006】
PMOSトランジスタMP2は、ドレイン端子が第1の電源電位VCCに接続され、ソース端子がショットキー・ダイオードD3を介してPMOS出力トランジスタMP4のゲート端子に接続されている。PMOSトランジスタMP2はそのゲート端子に入力信号EINを受取る。
PMOS出力トランジスタMP4のゲート端子が更に、互いに直列に配置されたNMOSトランジスタMN2、MN3を介して第2の電源電位GNDに接続されている。ここでは、例として、この電位がアース電位である。
【0007】
NMOSトランジスタMN3はそのゲート端子に入力信号EINを受取り、この信号がH状態である時、これがNMOSトランジスタMN3をターンオンする。
NMOSトランジスタMN2がショットキー・ダイオードD2を介してPMOSトランジスタMP1のソース端子に接続され、そのドレイン端子が第1の電源電位VCCに接続される。MOSトランジスタMP1及びMN2がそのゲート端子に付能信号NCTRLを受取る。この信号は、H状態にある時、NMOSトランジスタMP1をターンオフし、NMOSトランジスタMN2をターンオンする。
pnpバイポーラ・トランジスタQ1は、そのベース端子の付能信号(enabling signal)NCTRLの補数CTRLに応じた形で、PMOSトランジスタMP1を分路する。
【0008】
EINが“H”に等しく、NCTRLが“H”に等しく、従ってCTRLが“L”に等しい状態では、出力AUSはH状態になる。これは、この時、PMOS出力トランジスタMP4のゲート端子が2つのNMOSトランジスタMN2、MN3を介してアースに接続され、PMOS出力トランジスタMP4がこの為ターンオンするからである。
【0009】
NCTRLの“L”状態、従ってCTRLの“H”状態、又はEINが“L”である時、PMOS出力トランジスタMP4のゲート端子には、バイポーラ・トランジスタQ1及びショットキー・ダイオードD2を介して、又はPMOSトランジスタMP2及びショットキー・ダイオードD3を介して、第1の電源電位VCCが供給され、その結果、PMOS出力トランジスタMP4はターンオフになる。その時、やはりショットキー・ダイオードD2、D3がVCCへ向う電流の流れを防止する。
【0010】
ここで、出力AUSの電圧VOHがH状態である、即ち、バスに接続された別の部品が、そのH状態で、VCC(=5V)をバスに供給した時に、PMOS出力トランジスタMP4が駆動回路によってターンオンされた時に、それからバスに送出された電圧VCC(3.3V)より大きくなると仮定する。 その時、対応する電流IexがPMOS出力トランジスタMP4に流れる。出力AUSの電圧VOHが引続いて増加し、VCC+VtMP7より高くなると、PMOSトランジスタMP7がターンオンになり、別の電流成分が出力AUSからトランジスタMP7、MN2及びMN3を介してアースに流れる。
【0011】
このようにして発生した電流Iexは消費電力の小さい部品を損傷する事があり、装置の電源にとって実質的な負荷になる。この問題を扱う事が出来るのは、適当な保護回路を使う事だけである。
しかし、従来の保護回路は2つの実質的な欠点があった。即ち、第1に、それが、それを用いる回路の機能、例えば応答挙動を損なう事、第2に、かなりの場所を必要とし、その為、このような回路の漸進的な集積化を妨げる事である。
従って、この発明の1つの目的は、それを用いる回路に対する影響を可能な限り少なくし、僅かな場所しか占めないような保護回路を提供する事である。
【0012】
この発明では、この目的が、H動作の間、ハイブリッドVCC装置内にあるBiCMOS/CMOS回路に対する保護回路を提供する事によって達成される。このBiCMOS/CMOS回路は、そのドレイン端子が第1の電源電位に接続され、そのソース端子がBiCMOS/CMOS回路の出力となり、ゲート端子を持つ第1のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタのゲート端子に接続されていて、第1のMOSトランジスタのゲート端子を、出力にLレベルを発生する為に第1の電源電位と、又は出力にHレベルを発生する為にH動作中に第2の電源電位と選択的に接続する駆動回路と、その主電流通路が出力及び第1のMOSトランジスタのゲート端子の間にあって、そのゲート端子が第3の電源電位に接続されて、出力の電圧が予定の値を越える時に、出力を第1のMOSトランジスタのゲート端子と短絡する第2のMOSトランジスタとで構成される。この発明の保護回路は、その主電流通路が第1の電源電位及び第1のMOSトランジスタのゲート端子の間にあって、ゲート端子を有する第3のMOSトランジスタと、その主電流通路が第1のMOSトランジスタのゲート端子と第2の電源電位の間で駆動回路と直列になっていて、ゲート端子を持つ第4のMOSトランジスタと、出力の電圧を求め、出力の電圧を予定の基準電圧と比較する為に、出力から取出した監視電流成分を制限し、出力の電圧が基準電圧より大きい時に、第3のMOSトランジスタをターンオンすると共に第4のMOSトランジスタをターンオフする為、H動作の間、トリガ信号を出力する保護回路トリガ回路とを有する。
【0013】
この発明の保護回路では、出力が第5のMOSトランジスタの主電流通路を介して、第1、第2及び第5のMOSトランジスタの基板に接続されている事が好ましい。基板が第1の電源電位に接続され、第4の電源電位がPMOSトランジスタのゲート端子にかけられる。
【0014】
更にこの発明の保護回路では、第1の電源電位及び基板の間にショットキー・ダイオードを配置して、このショットキー・ダイオードを、それが第1の電源電位への電流のあらゆる流れを防止するように、回路内に配置することが好ましい。
更にこの発明の保護回路では、駆動回路が、その主電流通路が第1の電源電位及び第1のMOSトランジスタのゲート端子の間にあって、入力信号を受取るゲート端子をもつ第6のMOSトランジスタと、互いに直列に配置されていて、一方では第1のMOSトランジスタのゲート端子に接続されると共に、他方では第4のMOSトランジスタを介して第2の電源電位に接続され、その第8のMOSトランジスタは入力信号をそのゲート端子に受取り、第7のMOSトランジスタが付能信号をそのゲート端子に受取るような第7及び第8のMOSトランジスタと、その主電流通路が第1のMOSトランジスタのゲート端子と第1の電源電位の間にある第9のMOSトランジスタと、そのベース端子にある付能信号の補数に応じた形で、第9のMOSトランジスタを分路するバイポーラ・トランジスタとで構成されていることが好ましい。
【0015】
この発明の保護回路では、第1のMOSトランジスタのゲート端子と第9のMOSトランジスタの間にショットキー・ダイオードを配置し、それが第1の電源電位へ向う電流の流れを防止する事が好ましい。
この発明の保護回路では、第6のMOSトランジスタと第1のMOSトランジスタのゲート端子の間にショットキー・ダイオードを配置して、それが第1の電源電位へ向う電流の流れを防止する事が好ましい。
この発明の保護回路では、第3のMOSトランジスタと第1のMOSトランジスタのゲート端子の間に、ショットキー・ダイオードを配置し、それが第1の電源電位へ向う電流の流れを防止する事が好ましい。
【0016】
更にこの発明の保護回路では、保護回路トリガ回路が、そのソース端子が出力に接続され、そのゲート端子が基準電圧を受取る第10のMOSトランジスタと、そのドレイン端子が第10のMOSトランジスタのドレイン端子に接続され、そのゲート端子が付能信号を受取る第11のMOSトランジスタと、第11のMOSトランジスタのソース端子及び第2の電源電位に接続された抵抗と、その入力端子が、第11のMOSトランジスタのソース端子及び抵抗の間にある節に接続され、その出力端子が第3及び第4のMOSトランジスタのゲート端子に接続されたインバータとで構成される事が好ましい。
【0017】
この発明の保護回路では、第10のMOSトランジスタの基板がショットキー・ダイオードを介して第1の電源電位に接続され、このショットキー・ダイオードが、第1の電源電位に向う電流のあらゆる流れを防止するように回路内に配置されている事が好ましい。
この発明の保護回路の特に有利な特徴は、オフ切換え電流及びターンオフ電圧の両方を精密に設定する事が出来る事、回路が殆ど場所を必要としない事、並びにそれを用いた回路の応答挙動に悪影響を持たない事である。
次にこの発明を図面に示した好ましい実施例について説明する。
【0018】
【実施例】
この発明の保護回路をH動作中のハイブリッドVCC装置内にあるBiCMOS/CMOS回路に用いた場合が図1に示されている。
図1で、図2と同じ部品には、その部品の説明の繰返しを避ける為に、同じ参照数字が付けられている。この発明の保護回路は3つの主な構成要素からなる。
第1に、追加のPMOSトランジスタMP3が設けられ、そのドレイン端子が第1の電源電位VCCに接続され、そのソース端子が、VCCに向っての電流の流れを防止する為のショットキー・ダイオードD5を介して、PMOS出力トランジスタMP4のゲート端子に接続されている。
更に、NMOSトランジスタMNC1が設けられ、その主電流通路がNMOSトランジスタMN3と第2の電源電位GND(例えばアース電位)の間に入るように接続されている。
【0019】
最後に、保護回路トリガ回路が設けられていて、トランジスタMP3及びMNC1のゲート端子を駆動する。この保護回路トリガ回路は、図示の好ましい実施例では、PMOSトランジスタMPC1、NMOSトランジスタMNC3、抵抗R1、インバータINV1及びショットキー・ダイオードDC1を含む。
PMOSトランジスタMPC1のソース端子が出力AUSに接続されている。このトランジスタは、ゲート端子に基準電圧REFを受取る。この基準電圧は、例えば分圧器、又は既に存在している電圧源、例えば「パワー・オン・デマン
ド」に対する基準電圧源から来る。
【0020】
PMOSトランジスタの基板がショットキー・ダイオードDC1を介して第1の電源電位VCCに接続され、このショットキー・ダイオードは、それがVCCに向う電流の流れを防止するように回路内に設けられている。
PMOSトランジスタMPC1のドレイン端子がNMOSトランジスタMNC2のドレイン端子に接続され、このトランジスタは上に述べた付能信号NCTRLをゲート端子に受取る。
【0021】
NMOSトランジスタMNC2のソース端子が抵抗R1を介して第2の電源電位GND(図ではアース電位)に接続される。
NMOSトランジスタMNC2のソース端子と抵抗R1の間の節(node)がインバータINV1の入力端子に接続され、その出力端子が駆動回路の出力端子Sを構成しており、この出力SがトランジスタMNC1及びMP3のゲート端子に接続されている。
【0022】
次に、この発明の保護回路の動作を更に詳しく説明する。
電流Iexを制限する為の保護回路のトリガ作用は、基準電圧REFの選び方次第である。この電圧がトランジスタMPC1のゲート端子にかかる。例えば、保護回路が、VCCより大きな出力電圧(VOH)に対して作用するように保証する為には、基準電圧はVCC−VtMPC1に等しい値に設定しなければならない。ここでVtMPC1はPMOSトランジスタMPC1の閾値電圧である。これは、下記の式(1)が満たされた時、
【数1】
VOH>REF+VtMPC1 (1)
又は、上に示したREFの値に達した後、次の式(2)が満たされる時
【数2】
VOH>VCC (2)
PMOSトランジスタMPC1がターンオンする事に由る。
【0023】
PMOSトランジスタMPC1が式(2)に従ってオンに切換えられてH状態になった時、インバータINV1の前にある節がHレベルになる。これは、前に述べたように、H状態では、NMOSトランジスタMNC2も、NCTRLの状態が“H”である事によってターンオンするからである。
【0024】
この結果、保護回路に対するトリガ回路の出力端子Sは、反転レベル、即ち、Lレベルに変化する。従って、PMOSトランジスタMP3がターンオンし、その為、PMOSトランジスタMP4がターンオフになる。更に、NMOSトランジスタMNC1がターンオフになる。こういう事情により、電流Iexのこれ以外の妨害作用を持つ成分が流れる事が出来ない。これは、PMOS出力トランジスタMP4を通る電流通路もPMOSトランジスタMP7を通る電流通路も阻止されているからである。
【0025】
この点、抵抗R1は、H状態でのインバータINV1の入力端子の自由な浮動状態を防止するように作用する。それが存在している事により、R1を介してアースに向う、保護回路のトリガ回路を通る監視電流成分Iex′(これはマイクロアンペア程度)は無視し得るものしかない。この電流成分は、R1(典型的には30乃至50kΩ)を使って設定する事が出来、条件に従って小さく押える事が出来る。
【0026】
更に具体的に言うと、この監視電流成分Iex′は次の式(3)によって定められる。
【数3】
Iex′=VOH−(VDSMPC1−VtMNC2)/2 (3)
この式でVDSMPC1は、MPC1のドレイン/ソース電圧を表わし、VtMNC2はMNC2の閾値電圧である。
これは、抵抗R1の電圧をVtMNC2だけ減少し、従って、抵抗R1の値を減少するのに寄与するというNMOSトランジスタMNC2の1つの利点をはっきりさせるのに役立っている。この為、チップ上に抵抗R1の為に必要な余分な場所は限界的である。
【0027】
更に、この監視電流成分Iex′は、出力段のL状態では、NCTRLが“L”であって不作動であり、その為に損失がないので、存在しない。
結論として、保護回路のトリガ回路の主な作用をまとめると、次のように言う事が出来る。
イ)電圧VOHが出力AUSで得られ、出力AUSから取出す監視電流成分Iex′が制限される。
ロ)出力AUSの電圧VOHが予定の基準電圧REFと比較される。
ハ)H動作で、出力AUSの電圧VOHが基準電圧REFより大きい時、トリガ信号が供給され、こうしてPMOSトランジスタMP3をターンオンし、NMOSトランジスタMNC1をターンオフする。
【0028】
この発明の保護回路は、場所の条件を実質的に増加する事なく、そして例えばその応答挙動についてのように、出力段の作用に対する不利な影響なしに、ハイブリッドVCC駆動器に対して実効的な保護作用をする。
こういう性質の意味する所は、消費電力の小さい負荷部品を過負荷に対して保護する広い範囲の用途があり、その有効寿命及び信頼性を高める事が出来るという事である。
【0029】
以上の説明に関しさらに以下の項目を開示する。
(1) そのドレイン端子が第1の電源電位(VCC)に接続され、そのソース端子がBiCMOS/CMOS回路の出力(AUS)を構成し、そしてゲート端子を持つ第1のMOSトランジスタ(MP4)、該第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に接続されていて、該第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子を、出力(AUS)にLレベルを発生する為に第1の電源電位(VCC)に、又はH動作の間、出力(AUS)にHレベルを発生する為に第2の電源電位(GND)に選択的に接続する駆動回路(MP1、MP2、Q1、MN2、MN3、D2、D3)、及びその主電流通路が出力(AUS)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって、そのゲート端子が第3の電源電位(VCC)に接続されていて、出力(AUS)の電圧が予定の値を越える時に、出力(AUS)を第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に短絡する第2のMOSトランジスタ(MP7)で構成された、ハイブリッドVCC装置内のBiCMOS/CMOS回路に対するH動作中の保護回路に於いて、その主電流通路が第1の電源電位(VCC)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって、ゲート端子を有する第3のMOSトランジスタ(MP3)と、その主電流通路が、第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第2の電源電位(GND)の間で駆動回路(MP1、MP2、Q1、MN2、MN3、D2、D3)と直列になっていて、ゲート端子を有する第4のMOSトランジスタ(MNC1)と、出力(AUS)の電圧(VOH)を求めると共に、出力(AUS)からその時取出した監視電流成分(Iex′)を制限し、出力(AUS)の電圧(VOH)を所定の基準電圧(REF)と比較し、出力(AUS)の電圧(VOH)が基準電圧(REF)より大きい時、第3のMOSトランジスタ(MP3)をターンオンすると共に第4のMOSトランジスタ(MNC1)をターンオフする為に、H動作の間、トリガ信号を出力する保護回路トリガ回路(MPC1、DC1、MNC2、R1、INV1)とを有する保護回路。
【0030】
(2) 第1項記載の保護回路に於いて、出力(AUS)が第5のMOSトランジスタ(MP8)の主電流通路を介して第1、第2及び第5のMOSトランジスタ(MP4、MP7、MP8)の基板に接続され、該基板が第1の電源電位(VCC)に接続され、PMOSトランジスタ(MP8)のゲート端子に第4の電源電位(VCC)が存在する保護回路。
(3) 第2項記載の保護回路に於いて、第1の電源電位(VCC)及び基板の間にショットキー・ダイオード(D1)が入っており、該ショットキー・ダイオードは、それが第1の電源電位(VCC)への電流の全ての流れを妨げるように回路内に配置されている保護回路。
(4) 第1項乃至第3項記載の保護回路に於いて、駆動回路(MP1、MP2、Q1、MN2、MN3、D2、D3)が、その主電流通路が第1の電源電位(VCC)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって、入力信号(EIN)を受取るゲート端子を有する第6のMOSトランジスタ(MP2)、互いに直列に接続されると共に、一方では第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に接続され、他方では第4のMOSトランジスタ(MN1)を介して第2の電源電位(GND)に接続され、当該第8のMOSトランジスタ(MN3)が入力信号(EIN)をそのゲート端子に受取ると共に当該第7のMOSトランジスタ(MN2)が付能信号(NCTRL)をそのゲート端子に受取るような第7及び第8のMOSトランジスタ(MN2、MN3)、その主電流通路が第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第1の電源電位(VCC)の間にある第9のMOSトランジスタ(MP1)、及びそのベース端子に於ける付能信号(NCTRL)の補数(CTRL)に応じた形で、前記第9のMOSトランジスタ(MP1)を分路するバイポーラ・トランジスタ(Q1)で構成されている保護回路。
(5) 第4項記載の保護回路に於いて、第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第9のMOSトランジスタ(MP1)の間に、ショットキー・ダイオード(D2)が入っていて、該ショットキー・ダイオードは第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げる保護回路。
(6) 第4項又は第5項記載の保護回路に於いて、第6のMOSトランジスタ(MP2)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にショットキー・ダイオード(D3)が入っていて、該ショットキー・ダイオードが第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げる保護回路。
【0031】
(7) 第1項乃至第6項記載の保護回路に於いて、第3のMOSトランジスタ(MP3)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にショットキー・ダイオード(D5)が入っていて、該ショットキー・ダイオードが第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げる保護回路。
(8) 第1項乃至第7項記載の保護回路に於いて、保護回路トリガ回路(MPC1、DC1、MNC2、R1及びINV1)が、そのソース端子が出力(AUS)に接続され、そのゲート端子が基準電圧(REF)を受取る第10のMOSトランジスタ(MPC1)、そのドレイン端子が第10のMOSトランジスタ(MPC1)のドレイン端子に接続され、そのゲート端子が付能信号(NCTRL)を受取る第11のMOSトランジスタ(MNC2)、第11のMOSトランジスタ(MNC2)のソース端子並びに第2の電源電位(GND)に接続される抵抗(R1)、その入力端子が、第11のMOSトランジスタ(MNC2)及び抵抗(R1)の間にある節に接続され、その出力端子(S)が第3及び第4のMOSトランジスタ(MP3、MNC1)のゲート端子に接続されているインバータ(INV1)で構成されている保護回路。
(9) 第8項記載の保護回路に於いて、第10のMOSトランジスタ(MPC1)の基板がショットキー・ダイオード(DC1)を介して第1の電源電位(VCC)に接続され、該ショットキー・ダイオード(DC1)は、それが第1の電源電位(VCC)へ向う電流のあらゆる流れを妨げるように回路内に配置されている保護回路。
【0032】
(10) この発明はH動作の間のハイブリッドVCC装置内にあるBiCMOS/CMOS回路に対する保護回路に関する。この発明の目的は、それを用いた回路に対する影響を出来る限り小さくすると共に、僅かな場所しか取らないこのような保護回路を提供する事である。この目的を達成する為、保護回路がその出力(AUS)に存在する電圧(VOH)を、所定の電圧(REF)と比較する事によって監視し、この予定の電圧を越えた時、回路がH動作を終了させる。この保護回路は、出力(AUS)から無視し得るような監視電流成分(Iex′)しか取出さないように設計されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】H動作の間の、ハイブリッドVCC装置内にあるBiCMOS/CMOS回路に対するこの発明の好ましい実施例の保護回路を示す回路図で、この保護回路が図2に示す出力段の部分に利用されている。
【図2】従来のハイブリッドVCC装置のBiCMOS/CMOS回路の出力段の一部分を示す回路図。
【符号の説明】
MP3 第3のMOSトランジスタ
MNC1 第4のMOSトランジスタ
Claims (9)
- H動作の間,コンポーネントを保護するためにハイブリッドVCC装置内で使用されるBiCMOS/CMOSスイッチング回路であって,該BiCMOS/CMOSスイッチング回路は,
そのドレイン端子が第1の電源電位(VCC)に接続され,そのソース端子がBiCMOS/CMOS回路の出力(AUS)を構成し,そしてゲート端子を持つ第1のMOSトランジスタ(MP4)と,
第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に接続されていて,該第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子を,出力(AUS)にLレベルを発生する為に第1の電源電位(VCC)に,又はH動作の間,出力(AUS)にHレベルを発生する為に第2の電源電位(GND)に選択的に接続する駆動回路(MP1,MP2,Q1,MN2,MN3,D2,D3)と,
その主電流通路が出力(AUS)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって,そのゲート端子が第1の電源電位(VCC)に接続されていて,出力(AUS)の電圧が予定の値を越える時に,出力(AUS)を第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に短絡する第2のMOSトランジスタ(MP7)と,
その主電流通路が第1の電源電位(VCC)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって,ゲート端子を有する第3のMOSトランジスタ(MP3)と,
その主電流通路が,第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第2の電源電位(GND)の間で駆動回路(MP1,MP2,Q1,MN2,MN3,D2,D3)と直列になっていて,ゲート端子を有する第4のMOSトランジスタ(MNC1)と,
出力(AUS)の電圧(VOH)を求めると共に,出力(AUS)からその時取出した監視電流成分(Iex′)を制限し,出力(AUS)の電圧(VOH)を予定の基準電圧(REF)と比較し,出力(AUS)の電圧(VOH)が基準電圧(REF)より大きい時,第3のMOSトランジスタ(MP3)をターンオンすると共に第4のMOSトランジスタ(MNC1)をターンオフする為に,H動作の間,トリガ信号を出力するトリガ回路(MPC1,DC1,MNC2,R1,INV1)とを有する前記BiCMOS/CMOSスイッチング回路。 - 請求項1に記載のスイッチング回路に於いて,出力(AUS)が第5のMOSトランジスタ(MP8)の主電流通路を介して第1,第2及び第5のMOSトランジスタ(MP4,MP7,MP8)の基板に接続され,該基板が第1の電源電位(VCC)に接続され,第5のMOSトランジスタ(MP8)のゲート端子に第1の電源電位(VCC)が存在するスイッチング回路。
- 請求項2に記載のスイッチング回路に於いて,第1の電源電位(VCC)及び基板の間にショットキー・ダイオード(D1)が置かれており,該ショットキー・ダイオードは,それが第1の電源電位(VCC)へのいかなる電流の流れも妨げるように回路内に配置されているスイッチング回路。
- 請求項1に記載のスイッチング回路に於いて,駆動回路(MP1,MP2,Q1,MN2,MN3,D2,D3)が,
その主電流通路が第1の電源電位(VCC)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にあって,入力信号(EIN)を受取るゲート端子を有する第6のMOSトランジスタ(MP2)と,
互いに直列に接続されると共に,一方において第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子に接続され,他の一方において第4のMOSトランジスタ(MNC1)を介して第2の電源電位(GND)に接続された第7及び第8のMOSトランジスタ(MN2,MN3)であって,第8のMOSトランジスタ(MN3)が入力信号(EIN)をそのゲート端子に受取ると共に第7のMOSトランジスタ(MN2)が付能信号(NCTRL)をそのゲート端子に受取る第7及び第8のMOSトランジスタ(MN2,MN3)と,
その主電流通路が第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第1の電源電位(VCC)の間にある第9のMOSトランジスタ(MP1)と,
そのベース端子に於ける付能信号(NCTRL)のコンプリメント(CTRL)に依存する形で,第9のMOSトランジスタ(MP1)を分路するバイポーラ・トランジスタ(Q1)とを含むスイッチング回路。 - 請求項4に記載のスイッチング回路に於いて,第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子及び第9のMOSトランジスタ(MP1)の間に,ショットキー・ダイオード(D2)が入っていて,該ショットキー・ダイオードは第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げるスイッチング回路。
- 請求項4に記載のスイッチング回路に於いて,第6のMOSトランジスタ(MP2)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にショットキー・ダイオード(D3)が入っていて,該ショットキー・ダイオードが第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げるスイッチング回路。
- 請求項1に記載のスイッチング回路に於いて,第3のMOSトランジスタ(MP3)及び第1のMOSトランジスタ(MP4)のゲート端子の間にショットキー・ダイオード(D5)が入っていて,該ショットキー・ダイオードが第1の電源電位(VCC)へ向う電流の流れを妨げるスイッチング回路。
- 請求項1に記載のスイッチング回路に於いて,トリガ回路(MPC1,DC1,MNC2,R1及びINV1)は,
そのソース端子が出力(AUS)に接続され,そのゲート端子が基準電圧(REF)を受取るようになっている第10のMOSトランジスタ(MPC1)と,
そのドレイン端子が第10のMOSトランジスタ(MPC1)のドレイン端子に接続され,そのゲート端子が付能信号(NCTRL)を受取る第11のMOSトランジスタ(MNC2)と,
第11のMOSトランジスタ(MNC2)のソース端子並びに第2の電源電位(GND)に接続される抵抗(R1)と,
その入力端子が,第11のMOSトランジスタ(MNC2)のソース端子及び抵抗(R1)の間にある節に接続され,その出力端子(S)が第3及び第4のMOSトランジスタ(MP3,MNC1)のゲート端子に接続されているインバータ(INV1)とを含むスイッチング回路。 - 請求項8に記載のスイッチング回路に於いて,第10のMOSトランジスタ(MPC1)の基板がショットキー・ダイオード(DC1)を介して第1の電源電位(VCC)に接続され,該ショットキー・ダイオード(DC1)は,それが第1の電源電位(VCC)へ向ういかなる電流の流れも妨げるように回路内に配置されているスイッチング回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE196024560 | 1996-01-24 | ||
DE19602456A DE19602456C1 (de) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | BiCMOS/CMOS-Schaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1084268A JPH1084268A (ja) | 1998-03-31 |
JP3821899B2 true JP3821899B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=7783545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01153597A Expired - Fee Related JP3821899B2 (ja) | 1996-01-24 | 1997-01-24 | BiCMOS/CMOSスイッチング回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5831806A (ja) |
EP (1) | EP0786870B1 (ja) |
JP (1) | JP3821899B2 (ja) |
DE (2) | DE19602456C1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10031837C1 (de) * | 2000-06-30 | 2001-06-13 | Texas Instruments Deutschland | CMOS-Bustreiberschaltung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338978A (en) * | 1993-02-10 | 1994-08-16 | National Semiconductor Corporation | Full swing power down buffer circuit with multiple power supply isolation |
US5406140A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-11 | National Semiconductor Corporation | Voltage translation and overvoltage protection |
JP3433359B2 (ja) * | 1993-06-18 | 2003-08-04 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 低電圧出力駆動回路 |
EP0631284B1 (en) * | 1993-06-28 | 1997-09-17 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection circuit for devices comprising nonvolatile memories |
US5455732A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Buffer protection against output-node voltage excursions |
-
1996
- 1996-01-24 DE DE19602456A patent/DE19602456C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-24 JP JP01153597A patent/JP3821899B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-24 DE DE69728309T patent/DE69728309T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-24 EP EP97101117A patent/EP0786870B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-24 US US08/788,536 patent/US5831806A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1084268A (ja) | 1998-03-31 |
EP0786870A1 (en) | 1997-07-30 |
US5831806A (en) | 1998-11-03 |
EP0786870B1 (en) | 2004-03-31 |
DE19602456C1 (de) | 1997-04-10 |
DE69728309T2 (de) | 2004-08-05 |
DE69728309D1 (de) | 2004-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7106107B2 (en) | Reliability comparator with hysteresis | |
US7705657B2 (en) | Backflow preventing circuit capable of preventing reverse current efficiently | |
US7564288B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US8035943B2 (en) | Protection circuit apparatus | |
US6650520B2 (en) | Power supply reverse bias protection circuit for protecting both analog and digital devices coupled thereto | |
KR20040089594A (ko) | 저 정지 전류 전압 레귤레이터를 형성하는 방법 및 그 구조 | |
US20090154035A1 (en) | ESD Protection Circuit | |
JP2010193034A (ja) | 過電流保護回路 | |
US20090316316A1 (en) | Electrical circuit | |
JPH11202955A (ja) | 半導体素子の内部電圧発生回路 | |
JP2005093497A (ja) | 保護回路を有する半導体装置 | |
US4441035A (en) | CMOS Turn-on circuit | |
US5543996A (en) | Protective circuit for protecting transistor from thermal destruction | |
KR100744593B1 (ko) | 전원 공급 장치 | |
JP2006295326A (ja) | 保護機能付きスイッチング回路および保護回路 | |
JP2010193033A (ja) | 過電流保護回路 | |
JP4614750B2 (ja) | レギュレータ | |
JP3821899B2 (ja) | BiCMOS/CMOSスイッチング回路 | |
KR100463228B1 (ko) | 반도체장치의 내부전원전압 발생회로 | |
US7116537B2 (en) | Surge current prevention circuit and DC power supply | |
WO2023101999A1 (en) | Wide voltage gate driver using low gate oxide transistors | |
JP3959924B2 (ja) | 負荷駆動回路 | |
JP2008134687A (ja) | 電圧生成回路 | |
JPH11113169A (ja) | 半導体回路の保護装置 | |
JP2006039812A (ja) | 直流安定化電源回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |