JP3818258B2 - Ｓａｗデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信機器等の無線機器に使用される弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開２０００−２６１２８３号公報は耐湿性を考慮した従来の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを開示している。
【０００３】
図９は従来のＳＡＷデバイスの一部拡大断面図である。そのＳＡＷデバイスはタンタル酸リチウムなどの単結晶からなる圧電基板１と、圧電基板１の表面に形成されたアルミニウムを主成分とするインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極２と、圧電基板１及びＩＤＴ電極２の表面を被覆するＳｉＯ2等の絶縁物からなる絶縁性保護膜３と、絶縁性保護膜３上に設けられたヘキサメチルジシラン等の疎水性物質からなる疎水性保護膜４とを備える。
【０００４】
そのＳＡＷデバイスの製造方法を説明する。まず圧電基板１の上にフォトリソ法によりＩＤＴ電極２が形成される。次にＳｉＯ2等をスパッタリング装置によりＩＤＴ電極２上に絶縁性保護膜３が形成される。次いで、絶縁性保護膜３の上にヘキサメチルジシランを付着させて疎水性保護膜４が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このＳＡＷデバイスは図９に示すように、ＩＤＴ電極２の電極指間の圧電基板１の表面も絶縁性保護膜３及び疎水性保護膜４で被覆されている。そのためこのＳＡＷデバイスは耐湿性を有するものの、電極指間の圧電基板１の表面を伝搬する弾性表面波が絶縁性保護膜３及び疎水性保護膜４により減衰する。例えばデバイスがフィルタの場合挿入損失が大きくなるなど電気特性が劣化する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
電気特性の劣化を抑制し耐湿性に優れた弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを提供する。そのＳＡＷデバイスは圧電基板と、圧電基板上に設けられたアルミニウムを含む電極と、電極のみを覆う酸化アルミニウム膜と、さらにその上を覆うリン酸アルミニウム膜とを有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの要部拡大断面図、図２はＳＡＷ素子の上面図、図３はＳＡＷデバイスの断面図である。
【０００８】
図１〜図３において、ＳＡＷ素子１４はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの単結晶からなる圧電基板１０と、圧電基板１０の表面に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、ＩＤＴ電極１１の表面を被覆するリン酸アルミニウム膜１１ａと、ＩＤＴ電極１１の両側を挟むように圧電基板１０の上に設けられた反射器電極１２と、ＩＤＴ電極１１と電気的に接続するように圧電基板１０の上に設けられた接続電極１３とを備える。ＳＡＷデバイスはＳＡＷ素子１４を収納するパッケージ１５と、パッケージ１５に設けられた外部接続用電極１６と、接続電極１３と外部接続用電極１６とを接続するワイヤ１７と、パッケージ１５の開口部を封止するリッド１８とを備える。ＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３はアルミニウムを主成分とする金属で形成される。
【０００９】
このＳＡＷデバイスの製造方法を図面を参照しながら説明する。図４は本実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程図である。
【００１０】
まず板状の圧電基板１０の上面にアルミニウムを主成分とする金属でフィトリソ法によりＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３が複数形成される（ステップ３１）。
【００１１】
次に圧電基板１０がｐＨ３〜５で０．５〜６０％のリン酸アルミニウム水溶液に所定時間浸漬される（ステップ３２）。リン酸アンモニウム水溶液はｐＨを調整しやすいために用いられるが、アルミニウムと反応してリン酸アルミニウムを生成できる物質が用いられてもよい。その濃度が０．５％以下だと被膜形成能力が小さく効率が悪く、６０％以上だと電極材料のアルミニウムが溶解し易くなる。基板１０の浸漬時間は３０分以下が望ましい。短くは１秒でもかまわないが３０分を越えると電極材料のアルミニウムが溶解し易くなるため良くない。
【００１２】
圧電基板は溶液から引き上げられた後水で洗浄され乾燥される（ステップ３３）。例えばウエハ上に純水を降りかけてウエハを回転させて水を吹き飛ばしてもよい（リンサー乾燥）。ここでウエハを回転させて水を吹き飛ばすとシミができにくい。
【００１３】
その後各ＳＡＷ素子１４の周波数特性が測定され選別された後、図２に示すように圧電基板１０は、ＩＤＴ電極１１とＩＤＴ電極１１の両側に配された反射器電極とＩＤＴ電極１１に電気的に接続された接続電極１３とを有するＳＡＷ素子１４にダイシングされ分割される（ステップ３４）。ＳＡＷ素子１４は図１に示すようにＩＤＴ電極１１の表面が薄いリン酸アルミニウム膜１１ａで被覆される。反射器電極１２と接続電極１３も同様に表面がリン酸アルミニウム膜１１ａで覆われる。またリン酸アルミニウム膜１１ａは、形成前と形成後のＩＤＴ電極１１の電気特性が略等しくなるような厚みに形成される。
【００１４】
次にパッケージ１５にＳＡＷ素子１４が固定され（ステップ３５）、ワイヤ１７でＳＡＷ素子１４の接続電極１３とパッケージ１５の外部接続用電極１６とが接続される（ステップ３６）。最後にパッケージ１５の開口部がリッド１８で封止され（ステップ３７）、図３に示すＳＡＷデバイスが得られる。
【００１５】
本実施の形態におけるＳＡＷデバイスの特性を説明する。
【００１６】
図５は、本実施の形態１のＳＡＷデバイスと、表面にリン酸アルミニウム膜を有しないＳＡＷデバイス（比較例）とを２．０３×１０ 5 Ｐａ、湿度１００％の状態に放置した時のそれぞれのデバイスの中心周波数の変化量を示す。ＳＡＷデバイスは中心周波数が２．１４ＧＨｚのＳＡＷフィルタである。
【００１７】
図５から明らかなように、リン酸アルミニウム膜のないＳＡＷデバイスの中心周波数（特性Ａ）は時間と共に中心周波数が約１８ＭＨｚ変化するが、本実施の形態１のＳＡＷデバイスの中心周波数（特性Ｂ）は４０時間経過しても約５ＭＨｚしか変化せず、耐湿性に優れる。
【００１８】
また本実施の形態１のＳＡＷデバイスはＩＤＴ電極１１の表面以外にはリン酸アルミニウム膜１１ａが形成されていない。したがって圧電基板上に保護膜を有する従来のＳＡＷデバイスより弾性表面波の減衰を抑制でき、デバイスの挿入損失を小さくできる。
【００１９】
また、ＩＤＴ電極１１が形成された圧電基板１０をリン酸アンモニウム水溶液に浸漬して、ＩＤＴ電極１１の表面にのみ耐湿性に優れたリン酸アルミニウム膜１１ａが形成される。これによりＩＤＴ電極１１を構成するアルミニウムが水酸化アルミニウムに変化し、電気特性が劣化するのを防止できる。水酸化アルミニウムに変化するのは例えば圧電基板とリン酸アルミニウム膜１１ａの界面付近が多いと推定される。アルミニウムが水酸化アルミニウムに変化すると水に溶解し易くなり、溶解すると電極の重量が変化し圧電基板上での表面波の伝搬性能が変化したりばらつく。また水酸化アルミニウムは絶縁体に近い高い抵抗値をもっているため電極全体の抵抗が大きくなり表面波の伝搬ロスが大きくなる。
【００２０】
さらに、リン酸アルミニウム膜１１ａは、形成前と形成後の電気特性が略等しくなるような厚みに形成されることにより、所望の特性のＳＡＷデバイスを得ることができる。具体的には通常の測定器の測定限界以下のため正確には測定できていないが０．数ｎｍ程度と推定される。したがってリン酸アルミニウム膜の膜厚はＩＤＴ電極の厚さに直接関与しない。リン酸アルミニウム膜の膜厚は基板１０の浸漬時間により管理するが、短時間で着膜しその後時間により膜厚は変化しにくく安定する。最低限必要な浸漬時間を確保すればほぼ所望の膜厚が得られる。
【００２１】
さらにｐＨ３〜５のリン酸アルミニウム溶液はＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３の主成分であるアルミニウムが溶出するのを抑制し、特性が劣化するのを防止できる。ｐＨ値によりアルミニウムの溶解速度は異なり、ｐＨ３〜５だとアルミニウムは溶解し難い。
【００２２】
（実施の形態２）
図２は実施の形態２における弾性表面波（ＳＡＷ）素子の上面図、図３はＳＡＷデバイスの要部拡大断面図、図６はＳＡＷ素子の要部拡大断面図である。実施の形態１で説明した構成要素と同じものについては同一番号を付し説明を省略する。図において、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１の表面のみを覆うように設けた酸化アルミニウム膜１１ｂ上をリン酸アルミニウム膜１１ａが被覆している。
【００２３】
このＳＡＷデバイスの製造方法を説明する。図７は、本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程図、図８はＳＡＷデバイスの陽極装置を示す酸化工程の説明図である。製造装置は電解液７１と電極７２と電源７３とを備える。実施の形態１と同様の構成要素については同じ参照番号を付して説明を省略する。
【００２４】
まず実施の形態１と同様に、板状の圧電基板１０の上面にアルミニウムを主成分とする金属でＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３がフォトリソ法により複数形成される（ステップ６１）。
【００２５】
次に図８に示すように圧電基板１０がステンレスなどの電極７２と共に電解液７１に浸漬され、電極７２を陰極、ＩＤＴ電極１１を陽極として電源７３により電圧が印加される。電圧印加によりＩＤＴ電極１１の表面が陽極酸化されて酸化アルミニウム膜１１ｂで被覆される（ステップ６２）。陽極酸化による酸化アルミニウムの膜厚は印加電圧により制御できる。例えば印加電圧３〜５０Ｖで４〜７０ｎｍの酸化アルミニウムが形成される。また、ウエハ状態で電極に電圧が印加できるように接続されていればどのような構造のＩＤＴ電極でも陽極酸化できる。
【００２６】
次いで圧電基板１０が電解液７１から引き上げられて、純水で洗浄された後、乾燥される（ステップ６３）。
【００２７】
その後圧電基板１０がｐＨ３〜５で０．５〜６０％のリン酸アルミニウム水溶液に所定時間浸漬され（ステップ６４）、引き上げられた後水で洗浄されて乾燥される（ステップ６５）。リン酸アンモニウム溶液は実施の形態１と同様のものである。
【００２８】
次いで図１に示すように圧電基板１０は、ＩＤＴ電極１１とその両側の反射器電極１２とＩＤＴ電極１１に電気的に接続された接続電極１３を有するＳＡＷ素子１４にダイシングされる（ステップ６６）。
【００２９】
ＳＡＷ素子１４は、図６に示すようにＩＤＴ電極１１の表面が酸化アルミニウム膜１１ｂと、その上にリン酸アルミニウム膜１１ａとで被覆されている。反射器電極１２と接続電極１３も酸化アルミニウム膜１１ｂが形成されている部分はＩＤＴ電極１１と同様にその表面が酸化アルミニウム膜１１ｂ、その上にリン酸アルミニウム膜１１ａで被覆されている。また陽極酸化されていない部分はリン酸アルミニウム膜１１ａのみで覆われている。酸化アルミニウム膜は４〜７０ｎｍ、リン酸アルミニウム膜は０．数ｎｍ程度と推定される。
【００３０】
次にパッケージ１５にＳＡＷ素子１４をダイボンドし（ステップ６７）、ワイヤ１７でＳＡＷ素子１４の接続電極１３とパッケージ１５の外部接続用電極１６とがワイヤボンディングされる（ステップ６８）。
【００３１】
次いでパッケージ１５の開口部がリッド１８で封止され（ステップ６９）、図１に示すＳＡＷデバイスが得られる。
【００３２】
本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの特性を説明する。
【００３３】
図５は本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスと、表面にリン酸アルミニウム膜を有しない従来のＳＡＷデバイスとを２．０３×１０ 5 Ｐａ、湿度１００％の状態に放置した時のそれぞれの中心周波数の変化量を示す。ＳＡＷデバイスは中心周波数が２．１４ＧＨｚのフィルタである。
【００３４】
図５を見ると分かるように、２０時間経過すると従来のＳＡＷフィルタは約１８ＭＨｚも中心周波数が変化する（特性Ａ）。これはＳＡＷ素子１４の周辺に存在する水分により、ＩＤＴ電極１１を構成するアルミニウムが水酸化アルミニウムに変化し、ＩＤＴ電極１１の質量が増加するためである。
【００３５】
しかしながら本実施の形態２のＳＡＷデバイスは４０時間経過してもほとんど周波数が変化しない（特性Ｃ）。このＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ電極１１の表面に存在する撥水性に優れたリン酸アルミニウム膜１１ａが水分の浸入を防止し、アルミニウムが変質するのを防止できるので耐湿性に優れている。
【００３６】
このようにリン酸アルミニウム膜１１ａとＩＤＴ電極１１との間に形成された酸化アルミニウム膜１１ｂは水分の浸入を抑制し、リン酸アルミニウム膜１１ａのみでＩＤＴ電極１１の表面を被覆した場合と比較すると一層デバイスの耐湿性を向上できる。
【００３７】
また酸化アルミニウム膜１１ｂを陽極酸化により形成すれば印加電圧によりその厚みが制御でき、形成時間にあまり影響されない。
【００３８】
ＩＤＴ電極１１の表面に形成されたリン酸アルミニウム膜１１ａにより、ＩＤＴ電極１１の質量は増加する。従ってリン酸アルミニウム膜１１ａの膜厚はＩＤＴ電極１１の変質を防止できる最低限の厚みとすることが望ましい。本実施の形態ではその厚みは測定器の測定限界以下であるが０．数ｎｍ程度と推定される。
【００３９】
また、ＩＤＴ電極１１の質量が増加すると、通過帯域周波数が低周波数側へシフトする。従ってＩＤＴ電極１１は最終目標とする通過帯域周波数よりもリン酸アルミニウム膜１１ａを形成することにより変化する周波数分だけ高周波数となるように設定することが望ましい。周波数ｆは圧電体の音速ＶとＩＤＴ電極の電極指ピッチにより決定される波長λによりｆ＝ｖ／λで定まる。
【００４０】
上記実施の形態においてはリン酸を含む溶液としてリン酸アンモニウム水溶液を用いた。酸性溶液、好ましくはｐＨ３〜５のリン酸アンモニウムを含む溶液により、ＩＤＴ電極１１への悪影響を抑制し、効率よくリン酸アルミニウム膜１１ａを形成できる。
【００４１】
ＩＤＴ電極の表面に存在する撥水性に優れたリン酸アルミニウム膜が電極への水分の浸入を防止し、アルミニウムが変質するのを防止できる。本実施の形態によると撥水性を有する被膜を形成できる他の物質であればリン酸アンモニウム以外でも同様の効果が得られる。具体的には撥水性を有する被膜を形成することができるリン酸塩であれば使用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によるＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ電極の表面のみがリン酸アルミニウム膜で被覆される。ＩＤＴ電極の電極指間の圧電基板表面をリン酸アルミニウム膜の非形成部とすることにより特性劣化を抑制し、耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における弾性表面波（ＳＡＷ）素子の要部拡大断面図
【図２】 本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷ素子の上面図
【図３】 実施の形態１，２におけるＳＡＷデバイスの断面図
【図４】 実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程図
【図５】 実施の形態１，２及び比較例のＳＡＷデバイスの耐湿試験における中心周波数の経時変化を示す図
【図６】 実施の形態２におけるＳＡＷ素子の要部拡大断面図
【図７】 実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程図
【図８】 実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの陽極酸化工程の説明図
【図９】 従来のＳＡＷ素子の要部拡大断面図
【符号の説明】
１０ 圧電基板
１１ ＩＤＴ電極
１１ａ リン酸アルミニウム膜
１１ｂ 酸化アルミニウム膜
１２ 反射器電極
１３ 接続電極
１４ ＳＡＷ素子
１５ パッケージ
１６ 外部接続用電極
１７ ワイヤ
１８ リッド
７１ 電解液
７２ 電極
７３ 電源
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信機器等の無線機器に使用される弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開２０００−２６１２８３号公報は耐湿性を考慮した従来の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを開示している。
【０００３】
図９は従来のＳＡＷデバイスの一部拡大断面図である。そのＳＡＷデバイスはタンタル酸リチウムなどの単結晶からなる圧電基板１と、圧電基板１の表面に形成されたアルミニウムを主成分とするインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極２と、圧電基板１及びＩＤＴ電極２の表面を被覆するＳｉＯ2等の絶縁物からなる絶縁性保護膜３と、絶縁性保護膜３上に設けられたヘキサメチルジシラン等の疎水性物質からなる疎水性保護膜４とを備える。
【０００４】
そのＳＡＷデバイスの製造方法を説明する。まず圧電基板１の上にフォトリソ法によりＩＤＴ電極２が形成される。次にＳｉＯ2等をスパッタリング装置によりＩＤＴ電極２上に絶縁性保護膜３が形成される。次いで、絶縁性保護膜３の上にヘキサメチルジシランを付着させて疎水性保護膜４が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このＳＡＷデバイスは図９に示すように、ＩＤＴ電極２の電極指間の圧電基板１の表面も絶縁性保護膜３及び疎水性保護膜４で被覆されている。そのためこのＳＡＷデバイスは耐湿性を有するものの、電極指間の圧電基板１の表面を伝搬する弾性表面波が絶縁性保護膜３及び疎水性保護膜４により減衰する。例えばデバイスがフィルタの場合挿入損失が大きくなるなど電気特性が劣化する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
電気特性の劣化を抑制し耐湿性に優れた弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを提供する。そのＳＡＷデバイスは圧電基板と、圧電基板上に設けられたアルミニウムを含む電極と、電極のみを覆う酸化アルミニウム膜と、さらにその上を覆うリン酸アルミニウム膜とを有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの要部拡大断面図、図２はＳＡＷ素子の上面図、図３はＳＡＷデバイスの断面図である。
【０００８】
図１〜図３において、ＳＡＷ素子１４はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの単結晶からなる圧電基板１０と、圧電基板１０の表面に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、ＩＤＴ電極１１の表面を被覆するリン酸アルミニウム膜１１ａと、ＩＤＴ電極１１の両側を挟むように圧電基板１０の上に設けられた反射器電極１２と、ＩＤＴ電極１１と電気的に接続するように圧電基板１０の上に設けられた接続電極１３とを備える。ＳＡＷデバイスはＳＡＷ素子１４を収納するパッケージ１５と、パッケージ１５に設けられた外部接続用電極１６と、接続電極１３と外部接続用電極１６とを接続するワイヤ１７と、パッケージ１５の開口部を封止するリッド１８とを備える。ＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３はアルミニウムを主成分とする金属で形成される。
【０００９】
このＳＡＷデバイスの製造方法を図面を参照しながら説明する。図４は本実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程図である。
【００１０】
まず板状の圧電基板１０の上面にアルミニウムを主成分とする金属でフィトリソ法によりＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３が複数形成される（ステップ３１）。
【００１１】
次に圧電基板１０がｐＨ３〜５で０．５〜６０％のリン酸アルミニウム水溶液に所定時間浸漬される（ステップ３２）。リン酸アンモニウム水溶液はｐＨを調整しやすいために用いられるが、アルミニウムと反応してリン酸アルミニウムを生成できる物質が用いられてもよい。その濃度が０．５％以下だと被膜形成能力が小さく効率が悪く、６０％以上だと電極材料のアルミニウムが溶解し易くなる。基板１０の浸漬時間は３０分以下が望ましい。短くは１秒でもかまわないが３０分を越えると電極材料のアルミニウムが溶解し易くなるため良くない。
【００１２】
圧電基板は溶液から引き上げられた後水で洗浄され乾燥される（ステップ３３）。例えばウエハ上に純水を降りかけてウエハを回転させて水を吹き飛ばしてもよい（リンサー乾燥）。ここでウエハを回転させて水を吹き飛ばすとシミができにくい。
【００１３】
その後各ＳＡＷ素子１４の周波数特性が測定され選別された後、図２に示すように圧電基板１０は、ＩＤＴ電極１１とＩＤＴ電極１１の両側に配された反射器電極とＩＤＴ電極１１に電気的に接続された接続電極１３とを有するＳＡＷ素子１４にダイシングされ分割される（ステップ３４）。ＳＡＷ素子１４は図１に示すようにＩＤＴ電極１１の表面が薄いリン酸アルミニウム膜１１ａで被覆される。反射器電極１２と接続電極１３も同様に表面がリン酸アルミニウム膜１１ａで覆われる。またリン酸アルミニウム膜１１ａは、形成前と形成後のＩＤＴ電極１１の電気特性が略等しくなるような厚みに形成される。
【００１４】
次にパッケージ１５にＳＡＷ素子１４が固定され（ステップ３５）、ワイヤ１７でＳＡＷ素子１４の接続電極１３とパッケージ１５の外部接続用電極１６とが接続される（ステップ３６）。最後にパッケージ１５の開口部がリッド１８で封止され（ステップ３７）、図３に示すＳＡＷデバイスが得られる。
【００１５】
本実施の形態におけるＳＡＷデバイスの特性を説明する。
【００１６】
図５は、本実施の形態１のＳＡＷデバイスと、表面にリン酸アルミニウム膜を有しないＳＡＷデバイス（比較例）とを２．０３×１０ 5 Ｐａ、湿度１００％の状態に放置した時のそれぞれのデバイスの中心周波数の変化量を示す。ＳＡＷデバイスは中心周波数が２．１４ＧＨｚのＳＡＷフィルタである。
【００１７】
図５から明らかなように、リン酸アルミニウム膜のないＳＡＷデバイスの中心周波数（特性Ａ）は時間と共に中心周波数が約１８ＭＨｚ変化するが、本実施の形態１のＳＡＷデバイスの中心周波数（特性Ｂ）は４０時間経過しても約５ＭＨｚしか変化せず、耐湿性に優れる。
【００１８】
また本実施の形態１のＳＡＷデバイスはＩＤＴ電極１１の表面以外にはリン酸アルミニウム膜１１ａが形成されていない。したがって圧電基板上に保護膜を有する従来のＳＡＷデバイスより弾性表面波の減衰を抑制でき、デバイスの挿入損失を小さくできる。
【００１９】
また、ＩＤＴ電極１１が形成された圧電基板１０をリン酸アンモニウム水溶液に浸漬して、ＩＤＴ電極１１の表面にのみ耐湿性に優れたリン酸アルミニウム膜１１ａが形成される。これによりＩＤＴ電極１１を構成するアルミニウムが水酸化アルミニウムに変化し、電気特性が劣化するのを防止できる。水酸化アルミニウムに変化するのは例えば圧電基板とリン酸アルミニウム膜１１ａの界面付近が多いと推定される。アルミニウムが水酸化アルミニウムに変化すると水に溶解し易くなり、溶解すると電極の重量が変化し圧電基板上での表面波の伝搬性能が変化したりばらつく。また水酸化アルミニウムは絶縁体に近い高い抵抗値をもっているため電極全体の抵抗が大きくなり表面波の伝搬ロスが大きくなる。
【００２０】
さらに、リン酸アルミニウム膜１１ａは、形成前と形成後の電気特性が略等しくなるような厚みに形成されることにより、所望の特性のＳＡＷデバイスを得ることができる。具体的には通常の測定器の測定限界以下のため正確には測定できていないが０．数ｎｍ程度と推定される。したがってリン酸アルミニウム膜の膜厚はＩＤＴ電極の厚さに直接関与しない。リン酸アルミニウム膜の膜厚は基板１０の浸漬時間により管理するが、短時間で着膜しその後時間により膜厚は変化しにくく安定する。最低限必要な浸漬時間を確保すればほぼ所望の膜厚が得られる。
【００２１】
さらにｐＨ３〜５のリン酸アルミニウム溶液はＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３の主成分であるアルミニウムが溶出するのを抑制し、特性が劣化するのを防止できる。ｐＨ値によりアルミニウムの溶解速度は異なり、ｐＨ３〜５だとアルミニウムは溶解し難い。
【００２２】
（実施の形態２）
図２は実施の形態２における弾性表面波（ＳＡＷ）素子の上面図、図３はＳＡＷデバイスの要部拡大断面図、図６はＳＡＷ素子の要部拡大断面図である。実施の形態１で説明した構成要素と同じものについては同一番号を付し説明を省略する。図において、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１の表面のみを覆うように設けた酸化アルミニウム膜１１ｂ上をリン酸アルミニウム膜１１ａが被覆している。
【００２３】
このＳＡＷデバイスの製造方法を説明する。図７は、本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程図、図８はＳＡＷデバイスの陽極装置を示す酸化工程の説明図である。製造装置は電解液７１と電極７２と電源７３とを備える。実施の形態１と同様の構成要素については同じ参照番号を付して説明を省略する。
【００２４】
まず実施の形態１と同様に、板状の圧電基板１０の上面にアルミニウムを主成分とする金属でＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、接続電極１３がフォトリソ法により複数形成される（ステップ６１）。
【００２５】
次に図８に示すように圧電基板１０がステンレスなどの電極７２と共に電解液７１に浸漬され、電極７２を陰極、ＩＤＴ電極１１を陽極として電源７３により電圧が印加される。電圧印加によりＩＤＴ電極１１の表面が陽極酸化されて酸化アルミニウム膜１１ｂで被覆される（ステップ６２）。陽極酸化による酸化アルミニウムの膜厚は印加電圧により制御できる。例えば印加電圧３〜５０Ｖで４〜７０ｎｍの酸化アルミニウムが形成される。また、ウエハ状態で電極に電圧が印加できるように接続されていればどのような構造のＩＤＴ電極でも陽極酸化できる。
【００２６】
次いで圧電基板１０が電解液７１から引き上げられて、純水で洗浄された後、乾燥される（ステップ６３）。
【００２７】
その後圧電基板１０がｐＨ３〜５で０．５〜６０％のリン酸アルミニウム水溶液に所定時間浸漬され（ステップ６４）、引き上げられた後水で洗浄されて乾燥される（ステップ６５）。リン酸アンモニウム溶液は実施の形態１と同様のものである。
【００２８】
次いで図１に示すように圧電基板１０は、ＩＤＴ電極１１とその両側の反射器電極１２とＩＤＴ電極１１に電気的に接続された接続電極１３を有するＳＡＷ素子１４にダイシングされる（ステップ６６）。
【００２９】
ＳＡＷ素子１４は、図６に示すようにＩＤＴ電極１１の表面が酸化アルミニウム膜１１ｂと、その上にリン酸アルミニウム膜１１ａとで被覆されている。反射器電極１２と接続電極１３も酸化アルミニウム膜１１ｂが形成されている部分はＩＤＴ電極１１と同様にその表面が酸化アルミニウム膜１１ｂ、その上にリン酸アルミニウム膜１１ａで被覆されている。また陽極酸化されていない部分はリン酸アルミニウム膜１１ａのみで覆われている。酸化アルミニウム膜は４〜７０ｎｍ、リン酸アルミニウム膜は０．数ｎｍ程度と推定される。
【００３０】
次にパッケージ１５にＳＡＷ素子１４をダイボンドし（ステップ６７）、ワイヤ１７でＳＡＷ素子１４の接続電極１３とパッケージ１５の外部接続用電極１６とがワイヤボンディングされる（ステップ６８）。
【００３１】
次いでパッケージ１５の開口部がリッド１８で封止され（ステップ６９）、図１に示すＳＡＷデバイスが得られる。
【００３２】
本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの特性を説明する。
【００３３】
図５は本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスと、表面にリン酸アルミニウム膜を有しない従来のＳＡＷデバイスとを２．０３×１０ 5 Ｐａ、湿度１００％の状態に放置した時のそれぞれの中心周波数の変化量を示す。ＳＡＷデバイスは中心周波数が２．１４ＧＨｚのフィルタである。
【００３４】
図５を見ると分かるように、２０時間経過すると従来のＳＡＷフィルタは約１８ＭＨｚも中心周波数が変化する（特性Ａ）。これはＳＡＷ素子１４の周辺に存在する水分により、ＩＤＴ電極１１を構成するアルミニウムが水酸化アルミニウムに変化し、ＩＤＴ電極１１の質量が増加するためである。
【００３５】
しかしながら本実施の形態２のＳＡＷデバイスは４０時間経過してもほとんど周波数が変化しない（特性Ｃ）。このＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ電極１１の表面に存在する撥水性に優れたリン酸アルミニウム膜１１ａが水分の浸入を防止し、アルミニウムが変質するのを防止できるので耐湿性に優れている。
【００３６】
このようにリン酸アルミニウム膜１１ａとＩＤＴ電極１１との間に形成された酸化アルミニウム膜１１ｂは水分の浸入を抑制し、リン酸アルミニウム膜１１ａのみでＩＤＴ電極１１の表面を被覆した場合と比較すると一層デバイスの耐湿性を向上できる。
【００３７】
また酸化アルミニウム膜１１ｂを陽極酸化により形成すれば印加電圧によりその厚みが制御でき、形成時間にあまり影響されない。
【００３８】
ＩＤＴ電極１１の表面に形成されたリン酸アルミニウム膜１１ａにより、ＩＤＴ電極１１の質量は増加する。従ってリン酸アルミニウム膜１１ａの膜厚はＩＤＴ電極１１の変質を防止できる最低限の厚みとすることが望ましい。本実施の形態ではその厚みは測定器の測定限界以下であるが０．数ｎｍ程度と推定される。
【００３９】
また、ＩＤＴ電極１１の質量が増加すると、通過帯域周波数が低周波数側へシフトする。従ってＩＤＴ電極１１は最終目標とする通過帯域周波数よりもリン酸アルミニウム膜１１ａを形成することにより変化する周波数分だけ高周波数となるように設定することが望ましい。周波数ｆは圧電体の音速ＶとＩＤＴ電極の電極指ピッチにより決定される波長λによりｆ＝ｖ／λで定まる。
【００４０】
上記実施の形態においてはリン酸を含む溶液としてリン酸アンモニウム水溶液を用いた。酸性溶液、好ましくはｐＨ３〜５のリン酸アンモニウムを含む溶液により、ＩＤＴ電極１１への悪影響を抑制し、効率よくリン酸アルミニウム膜１１ａを形成できる。
【００４１】
ＩＤＴ電極の表面に存在する撥水性に優れたリン酸アルミニウム膜が電極への水分の浸入を防止し、アルミニウムが変質するのを防止できる。本実施の形態によると撥水性を有する被膜を形成できる他の物質であればリン酸アンモニウム以外でも同様の効果が得られる。具体的には撥水性を有する被膜を形成することができるリン酸塩であれば使用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によるＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ電極の表面のみがリン酸アルミニウム膜で被覆される。ＩＤＴ電極の電極指間の圧電基板表面をリン酸アルミニウム膜の非形成部とすることにより特性劣化を抑制し、耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における弾性表面波（ＳＡＷ）素子の要部拡大断面図
【図２】 本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷ素子の上面図
【図３】 実施の形態１，２におけるＳＡＷデバイスの断面図
【図４】 実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程図
【図５】 実施の形態１，２及び比較例のＳＡＷデバイスの耐湿試験における中心周波数の経時変化を示す図
【図６】 実施の形態２におけるＳＡＷ素子の要部拡大断面図
【図７】 実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程図
【図８】 実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの陽極酸化工程の説明図
【図９】 従来のＳＡＷ素子の要部拡大断面図
【符号の説明】
１０ 圧電基板
１１ ＩＤＴ電極
１１ａ リン酸アルミニウム膜
１１ｂ 酸化アルミニウム膜
１２ 反射器電極
１３ 接続電極
１４ ＳＡＷ素子
１５ パッケージ
１６ 外部接続用電極
１７ ワイヤ
１８ リッド
７１ 電解液
７２ 電極
７３ 電源
Claims (6)
- 圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたアルミニウムを含む電極と、前記電極のみを覆う酸化アルミニウム膜と、さらにその上を覆うリン酸アルミニウム膜とを有する弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
- 前記電極はインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
- 前記電極は前記ＩＤＴ電極の周辺に設けられた反射器電極をさらに含む、請求項２に記載のＳＡＷデバイス。
- 圧電基板上にアルミニウムを主成分とする電極を形成する工程と、リン酸アンモニウムを含む溶液中に前記圧電基板を浸漬して、前記形成された電極を覆うリン酸アルミニウム膜を形成する工程とを有する、弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記溶液はｐＨ３〜５である、請求項４に記載の製造方法。
- 前記電極上に陽極酸化により酸化アルミニウム膜を形成する工程をさらに備えた、請求項４に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006031 | 2001-01-15 | ||
| JP2001006031 | 2001-01-15 | ||
| PCT/JP2002/000032 WO2002056465A1 (fr) | 2001-01-15 | 2002-01-09 | Dispositif saw et procede de production de ce dispositif |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2002056465A1 JPWO2002056465A1 (ja) | 2004-05-20 |
| JP3818258B2 true JP3818258B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=18873986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002557012A Expired - Fee Related JP3818258B2 (ja) | 2001-01-15 | 2002-01-09 | Ｓａｗデバイス及びその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030111936A1 (ja) |
| EP (1) | EP1353441B1 (ja) |
| JP (1) | JP3818258B2 (ja) |
| KR (1) | KR100479287B1 (ja) |
| CN (1) | CN1209870C (ja) |
| DE (1) | DE60206470T2 (ja) |
| TW (1) | TW513855B (ja) |
| WO (1) | WO2002056465A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3926633B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2007-06-06 | 沖電気工業株式会社 | Ｓａｗデバイス及びその製造方法 |
| WO2006042116A2 (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Applied Thin Films, Inc. | Aluminum phosphate compositions, coatings and related composites |
| WO2007088788A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
| FI20060389L (fi) * | 2006-04-21 | 2007-10-22 | Environics Oy | Sensori |
| JP2012160979A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| CN112179981A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 湖南大学 | 一种声表面波传感器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3799804A (en) * | 1972-01-03 | 1974-03-26 | Honeywell Bull Soc Ind | Process and apparatus for obtaining wire for magnetic memories |
| DE2749294A1 (de) * | 1977-11-03 | 1979-05-10 | Siemens Ag | Verfahren um herstellen einer halbleitervorrichtung |
| JPS6220351A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5857250A (en) * | 1994-10-25 | 1999-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a capacitance type gaseous sensing device and apparatus thereof |
| JP2929987B2 (ja) * | 1996-01-12 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPH10163800A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| DE19758198A1 (de) * | 1997-12-30 | 1999-08-19 | Siemens Ag | Oberflächenwellen-(SAW-)Bauelement auf auch pyroelektrischem Einkristall-Substrat |
| JP2000261283A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| WO2001041304A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Tdk Corporation | Dispositif a onde acoustique de surface et procede de production correspondant |
| JP3345779B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2002-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | Ｓａｗチップ及びこれを利用したｓａｗデバイスの製造方法 |
| JP3379518B2 (ja) * | 2000-08-14 | 2003-02-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-31 TW TW90133377A patent/TW513855B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-09 EP EP02729520A patent/EP1353441B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-09 CN CNB028000846A patent/CN1209870C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-09 JP JP2002557012A patent/JP3818258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-09 DE DE2002606470 patent/DE60206470T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-09 WO PCT/JP2002/000032 patent/WO2002056465A1/ja active IP Right Grant
- 2002-01-09 KR KR10-2002-7011989A patent/KR100479287B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-09 US US10/221,353 patent/US20030111936A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030111936A1 (en) | 2003-06-19 |
| EP1353441B1 (en) | 2005-10-05 |
| CN1209870C (zh) | 2005-07-06 |
| JPWO2002056465A1 (ja) | 2004-05-20 |
| KR20020082871A (ko) | 2002-10-31 |
| KR100479287B1 (ko) | 2005-03-28 |
| DE60206470T2 (de) | 2006-05-11 |
| EP1353441A1 (en) | 2003-10-15 |
| DE60206470D1 (de) | 2006-02-16 |
| EP1353441A4 (en) | 2005-03-09 |
| TW513855B (en) | 2002-12-11 |
| WO2002056465A1 (fr) | 2002-07-18 |
| CN1455986A (zh) | 2003-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051220 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060605 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |