JP2929987B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置及
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）の高
周波化にともない、その電極パターンは、近年、サブミ
クロンオーダの領域に進んできている。そのため、ＳＡ
Ｗデバイス電極の加工には、半導体ＩＣの高集積化プロ
セスで使われているプラズマやイオンによるドライエッ
チング法が活用されている。特に、塩素系ガスを用いた
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が最も多用されて
いる。
周波化にともない、その電極パターンは、近年、サブミ
クロンオーダの領域に進んできている。そのため、ＳＡ
Ｗデバイス電極の加工には、半導体ＩＣの高集積化プロ
セスで使われているプラズマやイオンによるドライエッ
チング法が活用されている。特に、塩素系ガスを用いた
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が最も多用されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷデバイス電極の
材料は、一般にＡｌを主構成元素として用いられるが、
Ａｌは塩素系反応ガスでドライエッチング加工すると、
例えば、（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５２（１９８１）
ｐ２９９４）に報告されているように、エッチング後に
「Ａｌ電極腐食」が発生する。従来、これを防止するめ
に、ＲＩＥ加工直後に装置内をガス置換（パージ）を行
ったり、エッチング完了後の電極に対して、後処理とし
て酸素アッシングや水洗などを行うなどして対応してい
た。しかし、これらの方法では、Ａｌ電極の腐食防止効
果は乏しく、再現性の低い非効率的なプロセスとなって
いた。一方、特開昭６０−２４４１０８号公報に開示さ
れている弾性表面波素子は、そのすだれ状電極の表面に
絶縁体化層を形成することにより、電極間短絡現象を防
ぎ、素子としての信頼性を高めることができると報告さ
れている。Ａｌ電極の腐食問題の対応としては、この特
許に記載されているような構造をＳＡＷデバイス電極に
適応させることで、ある程度、その腐食防止を行えるこ
とが分かっている。しかし、その効果の信頼性は低く、
絶縁膜を単に電極表面に覆うだけの構造では、電極保護
層としての役割は不完全であるのが実状である。
材料は、一般にＡｌを主構成元素として用いられるが、
Ａｌは塩素系反応ガスでドライエッチング加工すると、
例えば、（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５２（１９８１）
ｐ２９９４）に報告されているように、エッチング後に
「Ａｌ電極腐食」が発生する。従来、これを防止するめ
に、ＲＩＥ加工直後に装置内をガス置換（パージ）を行
ったり、エッチング完了後の電極に対して、後処理とし
て酸素アッシングや水洗などを行うなどして対応してい
た。しかし、これらの方法では、Ａｌ電極の腐食防止効
果は乏しく、再現性の低い非効率的なプロセスとなって
いた。一方、特開昭６０−２４４１０８号公報に開示さ
れている弾性表面波素子は、そのすだれ状電極の表面に
絶縁体化層を形成することにより、電極間短絡現象を防
ぎ、素子としての信頼性を高めることができると報告さ
れている。Ａｌ電極の腐食問題の対応としては、この特
許に記載されているような構造をＳＡＷデバイス電極に
適応させることで、ある程度、その腐食防止を行えるこ
とが分かっている。しかし、その効果の信頼性は低く、
絶縁膜を単に電極表面に覆うだけの構造では、電極保護
層としての役割は不完全であるのが実状である。
【０００４】本発明は、上記従来例の欠点を解決するた
めのもので、その目的は、反応性ガスを用いたドライエ
ッチング時に生じるＡｌ電極の腐食現象を効果的に防
ぎ、信頼性の高い、弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することにある。
めのもので、その目的は、反応性ガスを用いたドライエ
ッチング時に生じるＡｌ電極の腐食現象を効果的に防
ぎ、信頼性の高い、弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
装置は、図１に示すように、塩素系ガスを用いたドライ
エッチングで加工され、圧電基板上に配列されたＡｌを
主構成元素とする電極表面にＣ−ＡｌＮ層が保護層とし
て形成されたことを特徴としている。このＣ−ＡｌＮ保
護層の膜厚としては、５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好
ましい。
装置は、図１に示すように、塩素系ガスを用いたドライ
エッチングで加工され、圧電基板上に配列されたＡｌを
主構成元素とする電極表面にＣ−ＡｌＮ層が保護層とし
て形成されたことを特徴としている。このＣ−ＡｌＮ保
護層の膜厚としては、５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好
ましい。
【０００６】Ｃ−ＡｌＮ保護層の形成方法としては、ド
ライエッチング加工直後の電極表面を、その場の窒素／
炭素混合ガスによるプラズマ処理によることが望まし
い。ドライエッチング直後にその場で窒素／炭素混合ガ
スによるプラズマ処理を行わず、装置外に出してしまう
と、ドライエッチングの残留成分と空気中の水分とが反
応して塩化水素（ＨＣｌ）が生成してしまうので、この
状態で窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理を行った
としても、Ａｌ電極腐食を防止することは困難であるか
らである。窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理時間
は、Ｃ−ＡｌＮ保護層の膜厚が適切値から外れないよう
に設定する。なお、混合ガスとしてはＮ2／ＣＯ2 、Ｎ
2 ／ＣＨ4 、Ｎ2 ／ＣＦ4 等使用できる。
ライエッチング加工直後の電極表面を、その場の窒素／
炭素混合ガスによるプラズマ処理によることが望まし
い。ドライエッチング直後にその場で窒素／炭素混合ガ
スによるプラズマ処理を行わず、装置外に出してしまう
と、ドライエッチングの残留成分と空気中の水分とが反
応して塩化水素（ＨＣｌ）が生成してしまうので、この
状態で窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理を行った
としても、Ａｌ電極腐食を防止することは困難であるか
らである。窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理時間
は、Ｃ−ＡｌＮ保護層の膜厚が適切値から外れないよう
に設定する。なお、混合ガスとしてはＮ2／ＣＯ2 、Ｎ
2 ／ＣＨ4 、Ｎ2 ／ＣＦ4 等使用できる。
【０００７】Ｃ−ＡｌＮ保護層で被覆した電極構造を有
する本発明によれば、Ｃ−ＡｌＮ層が保護層として働い
てくれるため、Ａｌ電極の腐食要因となっていたドライ
エッチング後に生成される塩素系残留元素の影響を受け
ずにすみ、腐食による電極の形状変化がなくなる。さら
に、エッチング工程以降の各作業で用いられる水溶液や
有機溶剤からの化学的・物理的ダメージの緩和、試料作
製後のＳＡＷデバイス動作時における電極の酸化防止
等、Ｃ−ＡｌＮ層は外界からのバリヤ層として、Ａｌ電
極を保護してくれるので、ＳＡＷデバイス特性（中心周
波数、Ｑ値など）の変動も起こりにくくなる。このと
き、Ｃ−ＡｌＮ表層に存在するカーボンの効果は、窒化
アルミニウム層の窪みなどで、少なからず点在するＡｌ
面を覆うことによって、Ａｌ電極をより完全に近い状態
で外界の雰囲気（酸素など）から隔絶することである。
このことによって、更に保護層としての役割を確実なも
のとすることができる。
する本発明によれば、Ｃ−ＡｌＮ層が保護層として働い
てくれるため、Ａｌ電極の腐食要因となっていたドライ
エッチング後に生成される塩素系残留元素の影響を受け
ずにすみ、腐食による電極の形状変化がなくなる。さら
に、エッチング工程以降の各作業で用いられる水溶液や
有機溶剤からの化学的・物理的ダメージの緩和、試料作
製後のＳＡＷデバイス動作時における電極の酸化防止
等、Ｃ−ＡｌＮ層は外界からのバリヤ層として、Ａｌ電
極を保護してくれるので、ＳＡＷデバイス特性（中心周
波数、Ｑ値など）の変動も起こりにくくなる。このと
き、Ｃ−ＡｌＮ表層に存在するカーボンの効果は、窒化
アルミニウム層の窪みなどで、少なからず点在するＡｌ
面を覆うことによって、Ａｌ電極をより完全に近い状態
で外界の雰囲気（酸素など）から隔絶することである。
このことによって、更に保護層としての役割を確実なも
のとすることができる。
【０００８】また、本発明の製造方法によれば、エッチ
ング室内で窒素／炭素混合ガスによるプラズマの処理を
行うことにより、Ａｌ電極の腐食要因となっていた塩素
系エッチングガスの残留元素（塩素系生成物など）、酸
素及び水分が除去されるので、ドライエッチング後のＡ
ｌ電極への腐食効果はさらに低減させることが出来る。
ング室内で窒素／炭素混合ガスによるプラズマの処理を
行うことにより、Ａｌ電極の腐食要因となっていた塩素
系エッチングガスの残留元素（塩素系生成物など）、酸
素及び水分が除去されるので、ドライエッチング後のＡ
ｌ電極への腐食効果はさらに低減させることが出来る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【００１０】
（実施例１）エッチングの後処理の評価として、下記の
（１）から（７）の製造方法により作製した電極につい
て、それぞれ１０サンプルを任意に取り出し、光学顕微
鏡及び電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてエッチング後の電
極部における腐食有無を時間を追って比較調査した。イ
オンビームスパッタ法で、６４°回転Ｙカットニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）基板上に成膜した、組成Ａｌ
−０．５ｗｔ％Ｃｕ、膜厚２００ｎｍの電極膜を１μｍ
のラインアンドスペースを持つ電極パターンに加工し、
１ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタを作製した。Ａｌ電極のエ
ッチング加工は、塩素（Ｃｌ2 ）ガスを用いた反応性イ
オンビームエッチング（ＥＣＲ−ＲＩＢＥ）装置によ
り、放電圧力０．２５Ｐａ、入射電力５０Ｗの条件で行
った。
（１）から（７）の製造方法により作製した電極につい
て、それぞれ１０サンプルを任意に取り出し、光学顕微
鏡及び電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてエッチング後の電
極部における腐食有無を時間を追って比較調査した。イ
オンビームスパッタ法で、６４°回転Ｙカットニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）基板上に成膜した、組成Ａｌ
−０．５ｗｔ％Ｃｕ、膜厚２００ｎｍの電極膜を１μｍ
のラインアンドスペースを持つ電極パターンに加工し、
１ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタを作製した。Ａｌ電極のエ
ッチング加工は、塩素（Ｃｌ2 ）ガスを用いた反応性イ
オンビームエッチング（ＥＣＲ−ＲＩＢＥ）装置によ
り、放電圧力０．２５Ｐａ、入射電力５０Ｗの条件で行
った。
【００１１】（１）後処理なし （２）エッチング装置内をガス置換によるパージ処理 （３）引き続きその場でアッシング処理：アッシング処
理は、電極加工と同一室内において、酸素プラズマ放電
を３０分間行った。放電条件は、酸素分圧１０Ｐａ、入
射電力１００Ｗである。
理は、電極加工と同一室内において、酸素プラズマ放電
を３０分間行った。放電条件は、酸素分圧１０Ｐａ、入
射電力１００Ｗである。
【００１２】（４）エッチング装置から取り出した後、
サンプルをアッシング処理：アッシング処理は、電極加
工と同一の室内に戻して、酸素プラズマ放電を３０分間
行った。放電条件は、酸素分圧１０Ｐａ、入射電力１０
０Ｗである。
サンプルをアッシング処理：アッシング処理は、電極加
工と同一の室内に戻して、酸素プラズマ放電を３０分間
行った。放電条件は、酸素分圧１０Ｐａ、入射電力１０
０Ｗである。
【００１３】（５）エッチング装置から取り出した後、
サンプルを水洗処理 （６）引き続きその場で窒素プラズマ処理：窒素プラズ
マ処理は、電極加工と同一室内において、窒素ラジカル
イオンビームを３分間照射した。放電条件は、放電圧力
０．０７Ｐａ、入射電力３００Ｗである。このとき、電
極表面に形成されるＡｌＮ保護層の厚さは５ｎｍであっ
た。
サンプルを水洗処理 （６）引き続きその場で窒素プラズマ処理：窒素プラズ
マ処理は、電極加工と同一室内において、窒素ラジカル
イオンビームを３分間照射した。放電条件は、放電圧力
０．０７Ｐａ、入射電力３００Ｗである。このとき、電
極表面に形成されるＡｌＮ保護層の厚さは５ｎｍであっ
た。
【００１４】（７）エッチング装置から取り出した後、
サンプルを窒素プラズマ処理：窒素プラズマ処理は、電
極加工と同一の室内に戻し、窒素ラジカルイオンビーム
を２０分間照射した。ここでの放電条件は、放電圧力
０．０７Ｐａ、入射電力３００Ｗである。形成されたＡ
ｌＮ層の厚さは２５ｎｍであった。
サンプルを窒素プラズマ処理：窒素プラズマ処理は、電
極加工と同一の室内に戻し、窒素ラジカルイオンビーム
を２０分間照射した。ここでの放電条件は、放電圧力
０．０７Ｐａ、入射電力３００Ｗである。形成されたＡ
ｌＮ層の厚さは２５ｎｍであった。
【００１５】（８）引き続きその場でＮ2 ／ＣＯ2 プラ
ズマ処理：Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理は、電極加工と同
一室内において、Ｎ2 ／ＣＯ2 ラジカルイオンビームを
５分間照射した。ここでの放電条件としては、使用ガス
Ｎ2 ＋３０％ＣＯ2 、放電圧力０．０７Ｐａ、入射電力
３００Ｗである。このとき、電極表面に形成されるＣ−
ＡｌＮ保護層の厚さは５ｎｍであった。
ズマ処理：Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理は、電極加工と同
一室内において、Ｎ2 ／ＣＯ2 ラジカルイオンビームを
５分間照射した。ここでの放電条件としては、使用ガス
Ｎ2 ＋３０％ＣＯ2 、放電圧力０．０７Ｐａ、入射電力
３００Ｗである。このとき、電極表面に形成されるＣ−
ＡｌＮ保護層の厚さは５ｎｍであった。
【００１６】（９）エッチング装置から取り出した後、
サンプルをＮ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理：Ｎ2 ／ＣＯ2 プ
ラズマ処理は、電極加工と同一の室内に戻し、Ｎ2 ／Ｃ
Ｏ2ラジカルイオンビームを４０分間照射した。放電条
件は、使用ガスＮ2 ＋３０％ＣＯ2 、放電圧力０．０７
Ｐａ、入射電力３００Ｗである。形成されたＣ−ＡｌＮ
層の厚さは３０ｎｍであった。
サンプルをＮ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理：Ｎ2 ／ＣＯ2 プ
ラズマ処理は、電極加工と同一の室内に戻し、Ｎ2 ／Ｃ
Ｏ2ラジカルイオンビームを４０分間照射した。放電条
件は、使用ガスＮ2 ＋３０％ＣＯ2 、放電圧力０．０７
Ｐａ、入射電力３００Ｗである。形成されたＣ−ＡｌＮ
層の厚さは３０ｎｍであった。
【００１７】表１に（１）〜（９）について調べた、そ
れぞれの１日後、１週間後及び１ヶ月後における電極の
腐食有無のサンプル数を示す。ドライエッチングによる
加工後、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理を行うことにより、
他の後処理に比べＡｌ電極の腐食が充分抑えられている
ことが分かる。但し、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマはエッチン
グ直後のその場処理でなければ、その効果は現れず、電
極形成後、装置外に出すことなく電極保護層を設けなけ
れば効果がないことがわかる。
れぞれの１日後、１週間後及び１ヶ月後における電極の
腐食有無のサンプル数を示す。ドライエッチングによる
加工後、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理を行うことにより、
他の後処理に比べＡｌ電極の腐食が充分抑えられている
ことが分かる。但し、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマはエッチン
グ直後のその場処理でなければ、その効果は現れず、電
極形成後、装置外に出すことなく電極保護層を設けなけ
れば効果がないことがわかる。
【００１８】
【表１】
【００１９】（実施例２）実施例１で最も効果のあった
（８）の結果は、Ｃ−ＡｌＮ層の厚さが５ｎｍのときの
データであった。そこでＣ−ＡｌＮ保護膜の膜厚とＡｌ
腐食の関係を調べるため、実施例１で効果が判明した
（８）のプロセスについて、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理
の時間を変え、Ｃ−ＡｌＮ層の膜厚が１ｎｍ〜３０ｎｍ
のＡｌ電極を作製し、実施例１と同様、それぞれ１０サ
ンプルについて、外観検査によって腐食有無を調べた。
結果を表２に示す。表２よりＣ−ＡｌＮ層の厚さは５ｎ
ｍ以上ないとＡｌ電極の腐食は抑制できないことがわか
る。
（８）の結果は、Ｃ−ＡｌＮ層の厚さが５ｎｍのときの
データであった。そこでＣ−ＡｌＮ保護膜の膜厚とＡｌ
腐食の関係を調べるため、実施例１で効果が判明した
（８）のプロセスについて、Ｎ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理
の時間を変え、Ｃ−ＡｌＮ層の膜厚が１ｎｍ〜３０ｎｍ
のＡｌ電極を作製し、実施例１と同様、それぞれ１０サ
ンプルについて、外観検査によって腐食有無を調べた。
結果を表２に示す。表２よりＣ−ＡｌＮ層の厚さは５ｎ
ｍ以上ないとＡｌ電極の腐食は抑制できないことがわか
る。
【００２０】
【表２】
【００２１】（実施例３）実施例２でＡｌ腐食に効果の
あった、Ｃ−ＡｌＮ保護膜の膜厚が５ｎｍ以上電極を有
するＳＡＷデバイスについて、ＳＡＷ特性を測定した。
表３はＣ−ＡｌＮ保護層の厚さとＳＡＷ特性に設計値か
らのずれが見られたサンプル数との関係を示す。表３に
示すようにＣ−ＡｌＮ保護層の膜厚が大きい電極を有す
るＳＡＷでは、ＳＡＷフィルタの中心周波数、帯域幅、
帯域外特性の設計値からのずれが大きい。Ｃ−ＡｌＮ層
が厚いと保護層としての役割は充分果たすものの、ＳＡ
Ｗデバイス特性に対する影響（設計値からのズレ）が無
視できなくなるので、層の厚さは出来るだけ薄い方が良
い。実施例２と実施例３とから、Ｃ−ＡｌＮ保護層の好
ましい厚さは５ｎｍ〜１０ｎｍであることがわかる。
あった、Ｃ−ＡｌＮ保護膜の膜厚が５ｎｍ以上電極を有
するＳＡＷデバイスについて、ＳＡＷ特性を測定した。
表３はＣ−ＡｌＮ保護層の厚さとＳＡＷ特性に設計値か
らのずれが見られたサンプル数との関係を示す。表３に
示すようにＣ−ＡｌＮ保護層の膜厚が大きい電極を有す
るＳＡＷでは、ＳＡＷフィルタの中心周波数、帯域幅、
帯域外特性の設計値からのずれが大きい。Ｃ−ＡｌＮ層
が厚いと保護層としての役割は充分果たすものの、ＳＡ
Ｗデバイス特性に対する影響（設計値からのズレ）が無
視できなくなるので、層の厚さは出来るだけ薄い方が良
い。実施例２と実施例３とから、Ｃ−ＡｌＮ保護層の好
ましい厚さは５ｎｍ〜１０ｎｍであることがわかる。
【００２２】
【表３】
【００２３】なお、以上述べた実施例においては、Ａｌ
系電極のドライエッチングには、塩素ガスを用いた例に
ついてのみ述べたが、エッチングガスとしては、四塩化
炭素（ＣＣｌ4 ）、三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ3 ）、塩
素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガス等の塩素系ガスを
用いても同様の結果が得られた。またＮ2 ／ＣＯ2 プラ
ズマ処理として、Ｎ2 ／ＣＯ2 ラジカルイオンビームに
よる例について述べたが、平行平板型プラズマ放電等に
よるＮ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理でも同様の結果が得られ
た。
系電極のドライエッチングには、塩素ガスを用いた例に
ついてのみ述べたが、エッチングガスとしては、四塩化
炭素（ＣＣｌ4 ）、三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ3 ）、塩
素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガス等の塩素系ガスを
用いても同様の結果が得られた。またＮ2 ／ＣＯ2 プラ
ズマ処理として、Ｎ2 ／ＣＯ2 ラジカルイオンビームに
よる例について述べたが、平行平板型プラズマ放電等に
よるＮ2 ／ＣＯ2 プラズマ処理でも同様の結果が得られ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ド
ライエッチング加工したＡｌ電極表面を窒素／炭素混合
ガスによるプラズマ処理することによって、電極表層部
にＣ−ＡｌＮ保護層を設け、さらにＡｌ電極の腐食要因
となっていた残留元素をエッチング装置内から除去する
窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理を用いた電極製
造方法により、ドライエッチング後に生じていたＡｌ電
極の腐食を再現性高く防止することができる。このこと
によって、製造歩留まりの高い塩素系ガスを用いたＲＩ
Ｅが可能となり、微細電極加工プロセスの信頼性が向上
する。
ライエッチング加工したＡｌ電極表面を窒素／炭素混合
ガスによるプラズマ処理することによって、電極表層部
にＣ−ＡｌＮ保護層を設け、さらにＡｌ電極の腐食要因
となっていた残留元素をエッチング装置内から除去する
窒素／炭素混合ガスによるプラズマ処理を用いた電極製
造方法により、ドライエッチング後に生じていたＡｌ電
極の腐食を再現性高く防止することができる。このこと
によって、製造歩留まりの高い塩素系ガスを用いたＲＩ
Ｅが可能となり、微細電極加工プロセスの信頼性が向上
する。
【図１】本発明を説明するための電極の断面図である。
１ 基板 ２ Ａｌ、もしくはＡｌ合金電極 ３ Ｃ−ＡｌＮ保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−244108（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−234507（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−170429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−185804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−131572（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−45274（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−88204（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102774（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−2731（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 3/08 - 3/10 H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/302 - 21/308
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に配列されたＡｌを主構成元
素とする電極を持つ弾性表面波装置において、電極を塩
素系ガスを用いたドライエッチング法により形成した直
後、引き続き同一室内で少なくとも窒素と炭素を含む混
合ガスによるプラズマ処理を行い、電極表面にＣ−Ａｌ
Ｎ層を形成させることを特徴とする弾性表面波装置の製
造方法。 - 【請求項２】 前記ドライエッチング終了後ガス置換に
よるパージ処理を行った後で前記プラズマ処理を行うこ
とを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003635A JP2929987B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003635A JP2929987B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199967A JPH09199967A (ja) | 1997-07-31 |
| JP2929987B2 true JP2929987B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=11562951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003635A Expired - Fee Related JP2929987B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2929987B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3414371B2 (ja) | 2000-07-31 | 2003-06-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| TW513855B (en) * | 2001-01-15 | 2002-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Saw device and method for manufacturing the device |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8003635A patent/JP2929987B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09199967A (ja) | 1997-07-31 |
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