JP3795360B2 - インクジェットヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッドおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3795360B2 JP3795360B2 JP2001276322A JP2001276322A JP3795360B2 JP 3795360 B2 JP3795360 B2 JP 3795360B2 JP 2001276322 A JP2001276322 A JP 2001276322A JP 2001276322 A JP2001276322 A JP 2001276322A JP 3795360 B2 JP3795360 B2 JP 3795360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ink
- forming
- hydrophilic particles
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/10—Finger type piezoelectric elements
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェットヘッドなどに絶縁膜として用いる複合膜およびその製造方法に関する。特に、複合膜の表面に親水性をもたせる、ないし、維持させることに関する。さらに、これを用いたインクジェットヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、プリンタにおいては、インパクト印字装置に代わって、カラー化、多階調化に対応しやすいインクジェット方式などのノンインパクト印字装置が急速に普及している。これに用いるインク噴射装置としてのインクジェットヘッドとしては、特に、印字に必要なインク滴のみを噴射するというドロップ・オン・デマンド型が、噴射効率の良さ、低コスト化の容易さなどから注目されている。ドロップ・オン・デマンド型としては、カイザー(Kyser)方式やサーマルジェット方式が主流となっている。
【0003】
しかし、カイザー方式は、小型化が困難で高密度化に不向きであるという欠点を有していた。また、サーマルジェット方式は、高密度化には適しているものの、ヒータでインクを加熱してインク内にバブル(泡)を生じさせて、そのバブルのエネルギーを利用して噴射させる方式であるため、インクの耐熱性が要求され、また、ヒータの長寿命化も困難であり、エネルギー効率が悪いため、消費電力も大きくなるという問題を有していた。
【0004】
このような各方式の欠点を解決するものとして、圧電材料のシェアモードを利用したインクジェット方式が開示されている。この方式は、圧電材料からなるインクチャンネルの壁(以下、「チャンネル壁」という。)の両側面に形成した電極を用いて、圧電材料の分極方向と直交する方向に電界を生じさせることで、シェアモードでチャンネル壁を変形させ、その際に生じる圧力波変動を利用してインク滴を吐出するものであり、ノズルの高密度化、低消費電力化、高駆動周波数化に適している。
【0005】
図20を参照して、このようなシェアモードを利用したインクジェットヘッドの構造について説明する。図20は、構造をわかりやすくするために各部を分解した状態で表した図である。このインクジェットヘッドは、図20の上下方向に分極処理を施した圧電体に複数のチャンネル溝4が形成されたベース部材1と、インク供給口21と共通インク室22が形成されたカバー部材2と、ノズル孔10があけられたノズル板9を貼り合わせることで、インクチャンネルを形成している。「インクチャンネル」とは、チャンネル溝4の内部の空間を利用して形成される圧力室の部分をいう。チャンネル壁3には、電界を印加するための電極5が上半分のみに形成されている。
【0006】
インクチャンネルの後端部(ノズル板9と反対側)は、溝加工時に使用されるダイシングブレードの直径に対応したR形状に加工されており、外部との通電のための電極引き出し部としての浅溝部6が同じくダイシングブレードにより加工されている。浅溝部6に形成された電極は、浅溝部の後端部で例えばフレキシブル基板のような外部電極8とボンディングワイヤ7によって接続されている。
【0007】
ところで、用いるインクが水性インクである場合、金属膜である電極5と水性インクとが接触していると、圧電体に印加する電圧によってインク中に電流が流れ、金属膜が電界腐食する。そこで、電極5とインクとの接触を避けるために、インクチャンネルの内面には、絶縁膜(図示省略)が形成されている。
【0008】
上述の絶縁膜としては、複雑な表面形状に対して均一な膜厚で成膜することのできる、ポリパラキシリレン膜が用いられる。しかし、このポリパラキシリレン膜は水性インクとの濡れ性が悪く、水性インクをはじくため、狭いインク流路内にインクを注入することが困難であるとともに、インクチャンネル内に気泡が発生する可能性が高い。このため、インク注入前に上記ポリパラキシリレン膜の表面に親水化処理を行う必要がある。
【0009】
特開2000−168082公報(以下、「文献1」という。)には、上記ポリパラキシリレン膜の親水化処理方法についての技術が開示されている(文献1の段落0083,0086)。すなわち、平行平板型のプラズマ処理装置において、原料ガスに酸素を用い、10Paの圧力下で200Wのパワーを投入し、2分間処理する(文献1の段落0087)。この処理によって、ポリパラキシリレン膜などの絶縁膜が0.5μmエッチングされるとともに、ポリパラキシリレン膜と水との接触角が85°から10°に低下し(文献1の段落0087)、親水性が向上する。
【0010】
しかし、このようにプラズマ処理によって親水性を付与した場合、プラズマ処理された面が空気に触れることによって、親水性が徐々に劣化する。たとえば、このインクジェットヘッドをプリンタに搭載して使用する場合、インク切れなどの状態でポリパラキシリレン膜が長時間空気に触れると、親水性が劣化し、次にインクを注入した場合、インクチャンネル内に気泡を発生させてしまうおそれがある。
【0011】
そこで、上記文献1では、この対策として、プラズマ処理された面にSiO2、Si3N4などの親水性薄膜を形成するか、水溶性高分子、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸などをポリパラキシリレン膜の表面にグラフト重合することとし(文献1の段落0088)、経時変化による親水性劣化を防止している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
親水性を維持するために、SiO2やSi3N4などの薄膜を形成する場合、以下のような問題がある。
【0013】
すなわち、インクジェットヘッドは、図20に示したように、通常の半導体装置とは異なり、インクチャンネル内面として複雑な表面形状を有している。このような複雑な形状の表面にSiO2やSi3N4などの薄膜を形成する場合、蒸着やスパッタリングなどの方法では段差被覆性が悪いため、インクチャンネル内面に上記薄膜を均一に形成することは不可能である。
【0014】
また、比較的段差被覆性の良好なCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いても、均一に薄膜を形成することは困難である。さらに、CVD法によって上記薄膜を形成する場合、良好な膜質を得るためには、基板を200℃以上に加熱する必要がある。ところが、インクジェットヘッドに用いられている圧電材料は、このような加熱によって圧電特性が劣化する傾向がある。圧電材料の圧電特性を劣化させないように薄膜を形成しようとした場合、良好な膜質のSiO2やSi3N4などの薄膜を形成することは困難である。
【0015】
また、一般的に、ポリパラキシリレン膜の表面に薄膜を形成する場合、良好な密着性を確保しにくいという問題もある。密着性が不十分であると、インクジェットヘッドとして動作中に上記薄膜が剥離する場合があり、仮に剥離した場合、剥離した薄膜片がノズル孔10を塞いでしまうおそれがある。
【0016】
また、文献1に提案されているように、水溶性高分子、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸などをポリパラキシリレン膜の表面にグラフト重合する場合、インクジェットヘッドを、これらの薬液に浸漬し、電磁波や放射線を印加する必要があり、これでは、プロセスが煩雑になるとともに、グラフト重合処理のために専用の設備を備える必要があり、製造コストも増大する。
【0017】
そこで、本発明では、経時変化による親水性劣化が生じない絶縁膜としての複合膜およびその製造方法ならびに信頼性の高いインクジェットヘッドを提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づくインクジェットヘッドの製造方法は、後述のインクジェットヘッドを製造するための方法であって、圧電材料にチャンネル溝を形成する工程と、上記チャンネル溝に金属膜を形成する工程と、上記金属膜を覆うように絶縁膜を形成する工程とを含み、上記絶縁膜を形成する工程は、有機材料を含む第1の膜を形成する第1膜形成工程と、上記第1の膜の上に親水性粒子を吸着させる粒子吸着工程と、上記粒子吸着工程によって吸着した上記親水性粒子を封止するように上記第1の膜の上に有機材料を含む第2の膜を形成する第2膜形成工程と、上記親水性粒子の一部が露出するように上記第2の膜の表面を除去する粒子露出工程とを含む。この方法を採用することにより、従来技術のような重合を行なうための設備が不要であり、製造工程や設備が簡単となる。また、第2の膜によって親水性粒子が固定されるため、親水性粒子が剥離するといった事態を防止できる。
【0022】
上記発明において好ましくは、上記粒子吸着工程は、静電気力によって上記親水性粒子を吸着させる工程を含む。この方法を採用することにより、接着剤や粘着材を用いる必要がなく、簡便な処理で親水性粒子を吸着させることができる。
【0023】
上記発明において好ましくは、上記第1膜形成工程は、成膜装置の処理室内部で行なわれ、上記粒子吸着工程は、上記処理室内部で行なわれる。この方法を採用することにより、第1の膜の表面に大気中の汚染物質が吸着することを防止できる。したがって、第1の膜と第2の膜との密着性を向上させることができる。また、処理室内に入れたまま、第1膜形成工程、粒子吸着工程および第2膜形成工程を連続して行なうことが可能となるため、生産効率が向上する。
【0024】
上記発明において好ましくは、上記粒子露出工程は、酸素ラジカルを有するプラズマを用いたエッチングの工程を含む。この方法を採用することにより、親水性粒子はエッチングされず、第2の膜のみが選択的にエッチングされ、親水性粒子を第2の膜の表面から一部露出する形を実現できる。この結果、親水性粒子の表面積が増加し、複合膜としての親水性が向上する。
【0025】
上記発明において好ましくは、上記エッチングの工程は、円筒型プラズマ処理装置を用いて行なう。この方法を採用することにより、平行平板型プラズマ処理装置に比べて、処理室の単位体積当たりの処理サンプル数が多いため、効率良く親水化処理を行なうことができる。
【0026】
上記目的を達成するため、本発明に基づくインクジェットヘッドは、圧電材料を含み、インクチャンネルを構成するチャンネル壁と、上記チャンネル壁に電圧を印加するための電極と、上記電極を覆う絶縁膜とを備え、上記絶縁膜は、第1の膜と上記第1の膜を覆う第2の膜とを備え、上記第1の膜と上記第2の膜との界面に親水性粒子を含み、上記親水性粒子が上記第2の膜の表面に露出している。この構成を採用することにより、絶縁膜の親水性が経時変化によって劣化しにくいこととなるので、インク切れや輸送中の乾燥などによるインクチャンネル内の親水性劣化を抑えることができる。その結果、再度インクを充填する際に、インク充填不良や気泡の巻き込みといったトラブルを回避でき、インクの吐出特性が安定したインクジェットヘッドとすることができる。
【0027】
上記発明において好ましくは、上記親水性粒子は、半導体、半導体の酸化物、半導体の窒化物、金属の酸化物および金属の窒化物からなる群から選ばれたいずれかの材料を主成分としている。この構成を採用することにより、親水性粒子は、化学的に安定なSiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、TiO2などといった酸化物、窒化物、あるいは、通常、表面に自然酸化膜を有するSiを主成分とするため、インクチャンネル内面の絶縁膜としての複合膜が、インクに暴露される環境において、腐食したり溶出したりするおそれがなく、インクチャンネル内面の親水性を安定して維持することができる。
【0028】
上記発明において好ましくは、上記絶縁膜がポリパラキシリレンを主成分とする。この構成を採用することにより、主層は、ポリパラキシリレンを含むため、化学的に安定したものとなる。したがって、絶縁膜としての複合膜がインクに暴露される環境によって損傷を受けにくいため、電極をインクから絶縁する機能を安定して維持することができる。また、ポリパラキシリレンは、室温において気相成長によって形成することができるため、熱によって特性が劣化する圧電材料に対しても、圧電特性を劣化させることなく膜を形成することができる。また、ポリパラキシリレンは、段差被覆性に優れているため、表面形状が複雑に入り組んだインクチャンネル内面に対しても、均一に膜を形成することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
(構成)
図1を参照して、本発明に基づく実施の形態1における複合膜の構成について説明する。図1に示す例では、この複合膜200は、基材203の表面に形成されている。複合膜200は、有機膜である主層202と、親水性粒子201とを備える。親水性粒子201は、主層202の表面近傍に分散している。親水性粒子201の一部は、主層202の表面に露出している。この例では、主層202たる有機膜としては、膜厚4μmのポリパラキシリレン膜を用いた。親水性粒子201としては、平均粒径が0.35μmのSiO2粒子を用いた。
【0030】
(作用・効果)
SiO2は分子に電気的な極性を有しており、この電気的な極性に対応して、水分子が結合するため、非常に親水性が高い。一方、ポリパラキシリレン膜は、分子構造中に有する極性が低いため、親水性が悪い。
【0031】
親水性の評価には、純水を用いた接触角測定法を用いた。その結果、スパッタリングで形成したSiO2膜の接触角は11°、ポリパラキシリレン膜の接触角は90°であった。接触角が小さいことは、親水性が大きいことを意味する。
【0032】
なお、ポリパラキシリレン膜に対して、酸素ラジカルを含むプラズマで表面処理を施すと、親水性が増し、接触角は5〜10°まで低下した。プラズマ処理後のポリパラキシリレン膜を長時間大気に暴露すると、図2に示すように、親水性が低下する。すなわち、1000時間経過後には約45°に達する。一方、本実施の形態における複合膜200における接触角は、図2に示すように、1000時間経過後でも約17°となっており、表面にSiO2粒子を露出させたことによって親水性の劣化が抑制されていることがわかる。
【0033】
上述の例では、親水性粒子としてSiO2粒子を用いたが、親水性粒子の種類はこれに限らず、分子構造に極性を有する材料であれば用いることができる。たとえば、半導体や、半導体の酸化物、窒化物を用いることができる。したがって、Si、SiO2、Si3N4などが挙げられる。また、金属の酸化物、窒化物を主成分とする粒子、たとえば、Al2O3、AlN、TiO2などの粒子を用いた場合も、純水の接触角はいずれも20°以下となり、経時変化による劣化の少ない安定した親水性を示した。
【0034】
なお、一般に、表面酸化膜のないSiは、撥水性が高く、接触角が大きくなるが、粒子状のSiを大気中で保管すると粒子の表面に自然酸化膜が形成される。この自然酸化膜はSiO2であるため、酸化膜除去処理を行なわないSiは親水性が高い。
【0035】
なお、上述の例では、SiO2粒子の平均粒径を0.35μmとしたが、粒子の粒径が小さくなるほど、親水性の高い領域が均一に存在するようになり、親水性を維持する効果が高くなる。したがって、親水性粒子の粒径は、できるだけ小さいことが望ましい。
【0036】
なお、ポリパラキシリレン膜は、ポリパラキシリレンのみからなる膜に限らず、ポリパラキシリレンを主成分とする膜も含む。
【0037】
(実施の形態2)
(製造方法)
本発明に基づく実施の形態2として、図3〜図6を参照して、実施の形態1で説明した複合膜の製造方法について説明する。
【0038】
まず、図3に示すように、複合膜を形成すべき基材203の上に、第1の膜212としてポリパラキシリレン膜を形成する。この例では、第1の膜212の厚みは3μmとした。次に、図4に示すように、第1の膜212の上に、親水性粒子201として、SiO2を主成分とする平均粒径が0.35μmの粒子を吸着させる。親水性粒子201の粒径が大きくなると、粒子の脱落を防止するために必要となる第2の膜(後述)の厚みが増加するため、親水性粒子201の粒径は5μm以下が望ましい。
【0039】
親水性粒子201の吸着は、静電気力によって行なう。すなわち、親水性粒子201に正または負の電荷を与えておき、第1の膜212の上に散布する。こうすることによって、親水性粒子201を第1の膜212の上に均一に吸着させることができる。これは、ポリパラキシリレンからなる第1の膜212が電気的に中性で、非常に帯電しにくい性質を有しているからである。
【0040】
図5に示すように、吸着させた親水性粒子201を封止するように第2の膜222としてポリパラキシリレン膜を形成する。この例では厚み1μmだけ形成した。第2の膜222は、第1の膜212と同じ装置を用いて形成することができる。ポリパラキシリレン膜は非常に良好な段差被覆性を有しているため、第2の膜222は吸着した親水性粒子201の隙間にも成膜することができる。その結果、図5に示すように親水性粒子201を巻き込んで封止するように形成される。
【0041】
図6に示すように、第2の膜222の表面を酸素ラジカルを含むプラズマによってエッチングし、親水性粒子201の一部を露出させる。このエッチング処理には、円筒型プラズマ処理装置を用いることが好ましい。この例では、円筒型RFプラズマ処理装置を用い、500W、0.3Torrの条件下で15分間処理を行ない、第2の膜222をエッチングした。この場合、親水性粒子201であるSiO2は酸素ラジカルにはほとんどエッチングされないので、第2の膜222のみが選択的にエッチングされる。その結果、図6に示すように、親水性粒子201の一部が表面に露出する形となる。
【0042】
以上の工程により、親水性が良好であり、経時変化による親水性劣化をも抑制した複合膜を製造することができる。
【0043】
(作用・効果)
この親水性粒子201の吸着の工程は、第1の膜212および第2の膜222としてのポリパラキシリレン膜を形成するために使用する成膜装置の処理室内部で、処理室内部を大気に開放することなく、処理室内に親水性粒子201を散布することによって行なうことが好ましい。こうすることにより、第1の膜212の表面に大気中の汚染物質が吸着することがないので、第1の膜212と第2の膜222との密着性が向上する。また、こうすることにより、処理室内に大気中の水分が吸着することなく工程を連続して進められるので、第2の膜222を成膜する際に行なう処理室の排気のために要する時間が短くなり、生産効率が向上する。一方、処理室内において、親水性粒子201を散布すると、処理室の内壁などにも親水性粒子201が吸着するが、この後に第2の膜222が内壁などにも形成されるので、内壁などに吸着していた親水性粒子201は、内壁などに形成される第2の膜222中に封止される。したがって、内壁などに吸着していた親水性粒子201が、発塵することは避けられる。
【0044】
上述の例では、親水性粒子201として、SiO2を用いたが、親水性粒子の種類はこれに限らず、分子構造に極性を有する材料であれば用いることができる。たとえば、半導体や、半導体の酸化物、窒化物を用いることができる。したがって、Si、SiO2、Si3N4などが挙げられる。また、金属の酸化物、窒化物を主成分とする粒子、たとえば、Al2O3、AlN、TiO2などの粒子を用いることもできる。
【0045】
上述の例では、粒子吸着工程として、静電気力によって、親水性粒子201を第1の膜212に吸着したが、このほかの方法として、接着剤を塗布した上に親水性粒子201を散布する方法も可能である。
【0046】
上述の例では、粒子露出工程として、第2の膜222のエッチングには円筒型プラズマ処理装置を用いたが、代わりに平行平板型のプラズマ処理装置を使用することもできる。
【0047】
上述の例では、第1の膜212を形成後、一旦成膜を停止し、親水性粒子201を吸着させた後、第2の膜222の成膜を行なったが、途中で一旦成膜を停止しなくても、成膜処理中に成膜雰囲気に親水性粒子201を散布することで、ポリパラキシリレン膜中に親水性粒子201を巻き込み、封入することができる。
【0048】
(実施の形態3)
(構成)
図7、図8を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの構成を説明する。図7は斜視図であるが、内部がわかりやすいように手前の一部を切り落とした状態を示している。図8は、チャンネル溝4に沿って切断したときの断面図である。
【0049】
このインクジェットヘッドでは、図7、図8に示すように、ベース部材1aとカバー部材2aとが組み合わせられている。ベース部材1aは、強誘電性を有するチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系のセラミックス材料で製造されている厚さ約1mmの板である。ベース部材1aには平行な複数のチャンネル溝4が設けられている。ベース部材1aの後端には各チャンネル溝4に入り込むように導電性部材26がそれぞれ配置されており、各チャンネル壁3に形成された電極5は、チャンネル溝4内で導電性部材26に電気的に接続されている。導電性部材26は、基板41に接続されている。基板41の表面には、各インクチャンネルに対応した位置に導電層のパターン(図示省略)が形成されている。したがって、電極5は、導電性部材26をそれぞれ介し、基板41の導電層のパターンに対してそれぞれ独立に電気的接続を確保することができる。ここで、電極5としては、アルミニウム、ニッケル、銅、金などが用いられる。導電性部材26としては、エポキシ系の樹脂成分を含有した金ペースト、銀ペースト、銅ペーストもしくはメッキ液をベースとした金メッキ、ニッケルメッキなどを用いることができる。また、ベース部材1aおよびカバー部材2aからなり導電性部材26が設けられている側と反対側の端面には、ノズル板9が接着されている。ノズル板9の各インクチャンネルに対応した位置にはノズル孔10が設けられている。さらに、ベース部材1aおよびカバー部材2aを組み合わせた構造体に対して、導電性部材26が設けられている端面に基板41をはさんだ状態で、共通インク室22aを構成するようにマニホールド27が接合されている。
【0050】
本実施の形態におけるインクジェットヘッドでは、電極5の表面を覆うように、インクチャンネルの内面には、ポリパラキシリレンなどからなる有機絶縁膜(図示省略)が形成されている。
【0051】
(製造方法)
図9〜図19を参照して、本実施の形態におけるインクジェットヘッドの製造方法について説明する。
【0052】
まず、強誘電性を有するチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系のセラミックス材料の板であって、厚み方向に分極処理を施したものを用意する。この板がベース部材1aとなるものである。図9に示すように、ダイシングブレードによって、ベース部材1aの一方の面に、複数のチャンネル溝4を平行に形成する。この例では、チャンネル溝4の深さは約300μmであり、幅は約70μm、ピッチは140μmとなるように加工している。チャンネル溝4同士の間に残った部分は、チャンネル壁3となる。各チャンネル壁3の上半分に斜め蒸着によって金属膜からなる電極5を形成する。次に、チャンネル壁3の上面に付着した金属膜をラッピングを施すこと、またはレジスト膜をはがすことによって除去し、図10に示すように、チャンネル溝4と垂直な方向に、ダイシングブレード30を走行させ、深さ約350μm、幅500μmの塗布溝68を形成する。この時点での、チャンネル溝4に沿った断面の断面図を図11に示す。図12に示すように、液状の導電性部材26をディスペンサ(図示省略)によって塗布溝68に沿って塗布する。導電性部材26は、チャンネル溝4内で電極5に接触するのに十分な量として深さ180μmの高さまで塗布される。導電性部材26は当初塗布溝68に沿って塗布されるが、毛細管現象によって各チャンネル溝4に一部入り込む。そのため、チャンネル壁3の上面には導電性部材26は上がり込まない。したがって、導電性部材26を固化させる場合、導電性部材26によるベース部材1のたわみを抑えるために上方から平板などで押えつけることが可能となる。また、チャンネル壁3上面の不要導電性部材除去のためのラッピングなどの加工が不要となる。平板などで上方から押えつけるとともに加熱することで、導電性部材26は固化する。
【0053】
図13に示すように、カバー部材2aを、チャンネル溝4を覆うように載せ、接着する。図14に示すように、図中右端の部分を切除する。その結果、導電性部材26の一部がチャンネル溝4内に残った状態となる。図15に示すように、基板41を、導電性部材26と電気的に接続されるように、ベース部材1aに貼り付ける。
【0054】
さらに、図16に示すように、このインクジェットヘッドの全表面を覆うように絶縁膜51として実施の形態1で説明したような複合膜を形成する。この絶縁膜51の形成工程について、さらに詳しく説明する。
【0055】
まず、図15に示したインクジェットヘッドに対して、第1の膜212としてポリパラキシリレン膜を厚み3μm形成する。この第1の膜212はCVD法で形成するが、ポリパラキシリレン膜は、試料を加熱することなく、室温で成膜することができるので、圧電材料の圧電特性を劣化させることはない。ポリパラキシリレン膜は、段差被覆性が良好であるので、インクジェットヘッドのインクチャンネル内部のような複雑な表面形状を有する部材において絶縁を確保するのには適している。インクチャンネル内部においては、第1の膜212は、厚み2.5μmで形成することができた。図17はインクチャンネル内のある断面の拡大図である。図17に示すように、第1の膜212上に、親水性粒子201として、SiO2を主成分とする平均粒径0.35μmの粒子を吸着させる。この吸着は、実施の形態1で説明したように静電気力を利用して行なった。この後、第2の膜222としてポリパラキシリレン膜を厚み1μm形成する。インクチャンネル内部においては、第2の膜222は、厚み0.8μm以上となるように形成することができた。こうすることによって、図17に示すように、第2の膜222によって、親水性粒子201を封止することができる。
【0056】
このインクジェットヘッドを、円筒型プラズマ処理装置の処理室(チャンバ)内に配置し、導入ガスを空気とし、ガス圧を0.3Torrとし、投入パワーを500Wとし、処理時間を13分間とし、プラズマ処理を行なう。このプラズマ処理は、酸素ラジカルの作用でエッチングを行なうものであるため、SiO2を主成分とする親水性粒子201はほとんどエッチングされず、第2の膜222のみが選択的にエッチングされる。このため、プラズマ処理の終了後には、図18に示すように、親水性粒子201が第2の膜222表面に突出するように露出し、インクチャンネルの内面の単位面積当たりにおけるSiO2の表面積が増加し、親水性がより向上する。ここで用いる円筒型プラズマ処理装置は、平行平板型プラズマ処理装置に比べて、処理室の単位体積当たりの処理サンプル数が多いため、効率良く親水化処理を行なうことができる。この例では、導入ガスとして空気を用いたが、このプラズマ処理は、ポリパラキシリレン膜と酸素ラジカルとの反応であるため、空気以外にも酸素を含有するガスを用いることができる。
【0057】
図19に示すように、導電性部材26が設けられているのと反対側の端面に、ノズル板9を接着する。ノズル板9には、各チャンネル溝4に対応する位置に予めノズル孔10が設けられている。最後に、導電性部材26が設けられている端面に基板41を挟んだ状態で、マニホールド27を接合する。マニホールド27を接合する際には、接合部分からのインク漏れを防止し、信頼性を向上するために、ベース部材1aおよびカバー部材2aとマニホールド27との接合部分は、樹脂で封止することが好ましい。こうして、図7、図8に示したようなインクジェットヘッドが得られる。図8に示されるようにマニホールド27に予め設けられたインク供給口21aを介して、インクジェットヘッド内にインクが充填される。
【0058】
(インクジェットヘッドの動作)
このインクジェットヘッドでは、各チャンネル溝4内には導電性部材26が入り込んでいるため、一つのチャンネル溝4の両側面において互いに対向する2つの電極5に注目すると、一方の側面の電極5と他方の側面の電極5とが導電性部材26によって電気的に接続された形となっている。このため、導電性部材26に電圧が印加されると、導電性部材26を通してチャンネル溝4の両側面の2つの電極5に同時に電圧が印加され、チャンネル溝4の両側面であるチャンネル璧3がチャンネル溝4の内側に向けて同時に変形する。この変形によってチャンネル溝4内部にあったインクの一部がインク滴として噴出される。
【0059】
(作用・効果)
本実施の形態におけるインクジェットヘッドを、製造後1000時間大気中に放置した後、水系インクを充填したところ、気泡を生じることなく、すべてのインクチャンネルにインクを充填することができた。これに対して、本発明の複合膜を適用しないインクジェットヘッドでは、気泡の巻き込みなどでインクの充填不良が発生した。
【0060】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、複合膜は、親水性が悪い材料を主層に含んでいても、表面から露出する親水性粒子によって水分子が結合しやすくなり、親水性が維持される。したがって、経時変化によって劣化することもなく、複合膜全体として安定して親水性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に基づく実施の形態1における複合膜の断面図である。
【図2】 本発明に基づく実施の形態1における複合膜と従来の膜との接触角の経時変化を比較するグラフである。
【図3】 本発明に基づく実施の形態2における複合膜の製造方法の第1の工程の説明図である。
【図4】 本発明に基づく実施の形態2における複合膜の製造方法の第2の工程の説明図である。
【図5】 本発明に基づく実施の形態2における複合膜の製造方法の第3の工程の説明図である。
【図6】 本発明に基づく実施の形態2における複合膜の製造方法の第4の工程の説明図である。
【図7】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの斜視図である。
【図8】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの断面図である。
【図9】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第1の工程の説明図である。
【図10】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第2の工程の説明図である。
【図11】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第3の工程の説明図である。
【図12】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第4の工程の説明図である。
【図13】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第5の工程の説明図である。
【図14】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第6の工程の説明図である。
【図15】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第7の工程の説明図である。
【図16】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第8の工程の説明図である。
【図17】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第9の工程の説明図である。
【図18】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第10の工程の説明図である。
【図19】 本発明に基づく実施の形態3におけるインクジェットヘッドの製造方法の第11の工程の説明図である。
【図20】 従来技術に基づくインクジェットヘッドの分解図である。
【符号の説明】
1,1a ベース部材、2,2a カバー部材、3 チャンネル壁、4 チャンネル溝、5 電極、6 浅溝部、7 ボンディングワイヤ、8 外部電極、9ノズル板、10 ノズル孔、21,21a インク供給口、22,22a 共通インク室、26 導電性部材、27 マニホールド、30 ダイシングブレード、41 基板、51 絶縁膜、68 塗布溝、70 チャンバ、71 放電電極、72 RF発振器、100 インクジェットヘッド、200 複合膜、201 親水性粒子、202 主層、203 基材、212 第1の膜、222 第2の膜。
Claims (8)
- 圧電材料を含み、インクチャンネルを構成するチャンネル壁と、前記チャンネル壁に電圧を印加するための電極と、前記電極を覆う絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、第1の膜と前記第1の膜を覆う第2の膜とを備え、前記第1の膜と前記第2の膜との界面に親水性粒子を含み、前記親水性粒子が前記第2の膜の表面に露出している、インクジェットヘッド。
- 前記親水性粒子は、半導体、半導体の酸化物、半導体の窒化物、金属の酸化物および金属の窒化物からなる群から選ばれたいずれかの材料を主成分としている、請求項1に記載のインクジェットヘッド。
- 前記絶縁膜がポリパラキシリレンを主成分とする、請求項1または2に記載のインクジェットヘッド。
- 請求項1から3のいずれかに記載のインクジェットヘッドを製造するための方法であって、
圧電材料にチャンネル溝を形成する工程と、
前記チャンネル溝に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を覆うように絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記絶縁膜を形成する工程は、
有機材料を含む第1の膜を形成する第1膜形成工程と、
前記第1の膜の上に親水性粒子を吸着させる粒子吸着工程と、
前記粒子吸着工程によって吸着した前記親水性粒子を封止するように前記第1の膜の上に有機材料を含む第2の膜を形成する第2膜形成工程と、
前記親水性粒子の一部が露出するように前記第2の膜の表面を除去する粒子露出工程とを含む、インクジェットヘッドの製造方法。 - 前記粒子吸着工程は、静電気力によって前記親水性粒子を吸着させる工程を含む、請求項4に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記第1膜形成工程は、成膜装置の処理室内部で行なわれ、前記粒子吸着工程は、前記処理室内部で行なわれる、請求項4または5に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記粒子露出工程は、酸素ラジカルを有するプラズマを用いたエッチングの工程を含む、請求項4から6のいずれかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記エッチングの工程は、円筒型プラズマ処理装置を用いて行なう、請求項7に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001276322A JP3795360B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001276322A JP3795360B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003080718A JP2003080718A (ja) | 2003-03-19 |
JP3795360B2 true JP3795360B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=19101042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001276322A Expired - Fee Related JP3795360B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3795360B2 (ja) |
-
2001
- 2001-09-12 JP JP2001276322A patent/JP3795360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003080718A (ja) | 2003-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5677717A (en) | Ink ejecting device having a multi-layer protective film for electrodes | |
JP2873287B1 (ja) | インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 | |
JP4223247B2 (ja) | 有機絶縁膜の製造方法及びインクジェットヘッド | |
US20060066684A1 (en) | Piezoelectric actuator, method for producing the same and ink-jet head | |
JP2012096554A (ja) | インクジェット・プリンティングモジュール | |
JP2012153136A (ja) | Pzt配列におけるポリマー層のプラズマエッチングによる除去 | |
JP3795360B2 (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2006093348A (ja) | 圧電アクチュエータおよびインクジェットヘッドの製造方法 | |
JPH07276624A (ja) | インクジェットプリンタヘッド | |
JP2007268838A (ja) | インクジェットヘッド | |
JP2002160364A (ja) | インクジェットヘッド | |
JP2003326710A (ja) | 保護膜形成方法およびこれを用いたインクジェットヘッド | |
JP3182851B2 (ja) | インクジェットヘッド | |
JP2001058401A (ja) | インクジェットヘッド | |
JP4517360B2 (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JPH06278278A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JP2002292882A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JPH06143568A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JPH06155738A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JP3541638B2 (ja) | インクジェット式記録ヘッド | |
JPH06344554A (ja) | インクジェットヘッドおよび製造方法 | |
JP2003154653A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2004148604A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2002248776A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JP2002307692A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060412 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |