JP3787872B2

JP3787872B2 - 硬質部材およびその製造方法

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Publication number: JP3787872B2
Application number: JP32862495A
Authority: JP
Inventors: 明中山; 治世福井; 亨山田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1995-12-18
Filing date: 1995-12-18
Publication date: 2006-06-21
Anticipated expiration: 2015-12-18
Also published as: JPH09165282A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は硬質部材およびその製造方法に関し、より特定的には、耐摩耗性部品、摺動部品、電気・電子部品、赤外線光学部品、および成形・成型部品として用いられ、高い耐剥離性を有する硬質部材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
硬質基材を被覆する硬質炭素被膜は、アモルファス状の水素化炭素膜または炭素膜で、ａ−Ｃ：Ｈ（アモルファス炭化水素）、ｉ−Ｃ（イオン炭素）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）とも呼ばれている。硬質炭素被膜は、高硬度で平面平滑性に優れ、低摩擦係数で赤外線に対して高い透過性を持つなどの特徴を有する。現在、硬質炭素被膜のこれらの優れた特性を活かして種々の分野への応用が期待されており、特に、耐摩耗性部品、摺動部品、電気・電子部品、赤外線光学部品および成形・成型部品等への応用に関し研究開発が進められている。しかしながら、硬質炭素被膜は硬質基材に対する密着力（付着力）が低いために、成膜後すぐに膜が剥離したり、成膜後すぐには剥離しなくても上記用途で使用中に膜が剥離するという問題があった。
【０００３】
硬質基材から剥離することなく、密着性よく、硬質炭素被膜を形成する方法は、たとえば、特開昭６４−３１９７６号公報に記載されている。この公報に記載された方法では、炭素源ガスと９０モル％以下の不活性ガスとを含む混合ガスを励起して得られるガスを硬質基材に接触させることにより、硬質炭素被膜を形成する。この方法においては、基材とその表面に形成される硬質炭素被膜との結合が良好になることの理由の１つとしては、混合ガス中の不活性ガスが硬質基材表面を洗浄しかつ活性化することが考えられている。しかし、この方法において製造された硬質炭素被膜は、ある程度の耐剥離性は有するが、実用に供することができるほどの耐剥離性を得ることができないという問題があった。
【０００４】
特開昭６３−２８６５７６号には、硬質基材表面に中間層を形成し、その中間層の上に硬質炭素被膜を形成する方法が示されている。図５は、この方法によって硬質炭素被膜が形成された硬質部材を示す断面図である。図５を参照して、硬質部材１０１は硬質炭素被膜１０２と、中間層１０３と、硬質基材１０４とを備えている。硬質基材１０４に中間層１０３が接している。硬質基材１０４の材質としては、シリコン、アルミニウム、鉄、ニッケル、チタン、タングステン、モリブデン、コバルト、クロムなどの金属およびこれらの合金、前記金属酸化物、窒化物および炭化物、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｆｅ系、ＴｉＣ−Ｎｉ系、ＴｉＣ−Ｃｏ系およびＢ₄Ｃ−Ｆｅ系等のサーメット、ならびに各種セラミックスからなるものが挙げられる。中間層１０３は、硬質基材１０４と硬質炭素被膜１０２に接合性のよい炭化珪素を主成分とする。中間層１０３に接するように硬質炭素被膜１０２が形成されている。硬質炭素被膜は炭素を主成分とする。また、硬質炭素被膜１０２、中間層１０３は非晶質であり、硬質基材１０４は結晶質である。
【０００５】
このように構成された硬質部材においては、硬質炭素被膜１０２と中間層１０３との接合性がよい。また、中間層１０３と硬質基材１０４との接合性もよい。そのため、硬質炭素被膜１０２と基材１０４との接合性をある程度向上させることができる。その結果、中間層１０３がない場合に比べて、中間層１０３を介在させることにより、硬質炭素被膜１０２の耐剥離性をある程度向上させることができる。しかし、中間層１０３上に接する硬質炭素被膜１０２に極めて強い応力が加わったときには、その応力は中間層１０３と硬質基材１０４との界面にも伝わる。ここで、中間層１０３は非晶質であり、硬質基材１０４は結晶質である。そのため、中間層１０３と硬質基材１０４との界面の結合は強固ではないため、この界面にて剥離が生じる。その結果、耐剥離性に関しては十分な効果が得られないという問題があった。
【０００６】
さらに、特開平２−２５０９６７には、硬質基材表面にイオンを注入し、その上に硬質炭素被膜を形成する方法が示されている。図６は、この方法により製造された硬質部材を示す断面図である。図６を参照して、硬質部材２０１は硬質炭素被膜２０２と硬質基材２０３とを備えている。また、硬質基材２０３の表面部分に注入領域２０４が形成されている。注入領域２０４と硬質炭素被膜２０２は接している。硬質炭素被膜２０２の主成分は炭素である。硬質基材２０３の主成分は、たとえばＷＣ系、ＴｉＣ系、ＷＣ−Ｃｏ系、ＷＣ−ＴｉＣ−Ｃｏ系、ＷＣ−ＴｉＣ−ＴａＣ−Ｃｏ系などの超硬合金などの非Ｓｉ系材料または炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）などのセラミックスなどのＳｉ系材料を挙げることができる。注入領域２０４は硬質基材２０３の表面にチタン、ジルコニウム、ハウニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステンおよび珪素からなる群より選ばれた少なくとも１種が注入された領域である。
【０００７】
このように構成された硬質部材２０１においては、硬質炭素被膜２０２の主成分である炭素と注入領域２０４に注入された金属原子とが反応することにより、金属炭化物が形成される。そのため、硬質炭素被膜２０２と注入領域２０４の中の金属原子が強力に結合している。また、注入領域２０４中の金属原子は硬質基材２０３へのアンカー効果により硬質基材２０３と強力に結合している。そのため、硬質炭素被膜２０２と硬質基材２０３との結合は強力なものとなる。
【０００８】
次に、図６に示す硬質部材２０１の製造方法について、以下に説明する。まず、硬質基材２０３に前述の金属をイオン注入法により注入する。ここで、イオンの注入における注入エネルギは、通常５ｋｅＶ〜３ＭｅＶ、好ましくは数十ｋｅＶ〜数百ｋｅＶ程度である。また、イオン注入量は、通常１０¹⁰イオン／ｃｍ²以上、好ましくは１０¹⁶〜１０¹⁷イオン／ｃｍ²である。このようにして、硬質基材２０３の表面に注入領域２０４を形成する。
【０００９】
次に、その表面に注入領域が形成された硬質基材を反応室内に設置して、炭素源ガスを含有する原料ガスを反応室内に導入する。この原料ガスを励起して得られるガスを硬質基材の注入領域に接触させることにより、注入領域上に硬質炭素被膜を形成する。このようにして、図６に示す硬質部材２０１が形成される。
【００１０】
このように構成された硬質部材の製造方法においては、注入領域を形成する際に、数十ｋｅＶ〜数百ｋｅＶ程度の注入エネルギでイオン注入を行なう必要がある。そのため、高電圧を発生させるための装置が大掛かりなものとなり、製造コストが高くつくという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、硬質基材と硬質炭素被膜との接合が強力であり、かつ製造コストの低い硬質部材およびその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の硬質部材は、硬質基材の表面に硬質炭素被膜が形成された硬質部材であって、硬質炭素被膜と接合する硬質基材の表面部分には、改質層が形成されており、その改質層は、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在し、かつ硬質基材の成分が結晶化した結晶質部分と非晶質部分とが混在していることを特徴とするものである。
【００１３】
また、硬質基材は、炭化タングステンを主成分とする超硬合金、サーメット、セラミックスおよび工具鋼からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１４】
このように構成された硬質部材においては、硬質基材の表面部分では、炭素や窒素が非晶質化した非晶質部分が存在する。また、この硬質基材の表面部分に接する硬質炭素被膜は炭素が非晶質化したものである。よって、硬質炭素被膜の構造と、硬質基材の表面部分に形成される非晶質部分の構造は非常に似ているため、硬質炭素被膜と硬質基材の非晶質部分とが強力に結合する。さらに、硬質基材の表面部分において、上記の非晶質部分と基材の主成分が結晶化した結晶質部分とが混在している。そのため、非晶質部分と結晶質部分との結合も強力なものとなる。
【００１５】
その結果、硬質炭素被膜と硬質基材は非晶質部分を介在させて強力に結合されることとなる。そのため、耐剥離性の優れた硬質部材を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の硬質部材の製造方法においては、硬質基材の表面に炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、硬質基材の表面部分に炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在し、かつ硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、改質層に接するように硬質炭素被膜を形成する工程とを備えたものである。
【００１７】
本発明の硬質部材の製造方法においては、硬質基材の表面に炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、硬質基材の表面部分に、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在し、かつ硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、アルゴンガスプラズマおよびアルゴンイオンからなる群より選ばれた少なくとも１種を用いて改質層の表面をスパッタリングする工程と、スパッタリング後、アルゴンガスプラズマおよびアルゴンイオンのない状態で改質層に接するように硬質炭素被膜を形成する工程とを備えたものである。
【００１８】
また、硬質基材は、炭化タングステンを主成分とする超硬合金、サーメット、セラミックスおよび工具鋼からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１９】
このように構成された硬質部材の製造方法においては、改質層の中に炭素や窒素が非晶質化した非晶質部分が存在する。また、改質層の表面に形成される硬質炭素被膜は炭素が非晶質化したものである。そのため、改質層中の非晶質部分と硬質炭素被膜の構造は非常に似ているので、硬質炭素被膜と非晶質部分が強く結合する。また、改質層中に形成された非晶質部分はアンカー効果により改質層中の基材の主成分が結晶化した結晶質部分と強く結合している。そのため、硬質炭素被膜と硬質基材非晶質部分を介在して強力に結合することとなる。
【００２０】
この発明に従った硬質部材の製造方法は、アルゴンガスプラズマおよびアルゴンイオンからなる群より選ばれた少なくとも１種を用いて改質層の表面をスパッタリングし、スパッタリング後に改質層に接するように硬質炭素被膜を形成するため、改質層の表面をクリーニングすることになる。そのため、改質層中に形成された非晶質部分と硬質炭素被膜との結合をより確実なものとすることができる。
【００２２】
また、改質層を形成する工程では、硬質基材の表面にイオンを注入する際の注入量が５×１０¹⁶／ｃｍ²以上であることが好ましい。
【００２３】
このように構成された硬質部材の製造方法においては、硬質基材と硬質炭素被膜との間に中間層を形成する従来の硬質部材よりも耐剥離性に優れた硬質部材を得ることができる。
【００２４】
また、改質層を形成する工程では、硬質基材の表面にイオンを注入する際の注入エネルギが５００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下であることが好ましい。このように構成された硬質部材の製造方法においては、硬質基材にチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モルブデン、タングステンおよび珪素からなる群より選ばれた少なくとも１種をイオン注入する従来の硬質部材の製造方法よりも小さい注入エネルギで耐剥離性に優れた硬質部材を得ることができる。その結果、高電圧を発生させる必要がないので、製造コストを低下させることができる。
本発明の硬質部材の製造方法においては、硬質基材の表面に炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、硬質基材の表面部分に炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在し、かつ硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、改質層に接するように硬質炭素被膜を形成する工程とを備え、改質層を形成する工程では、硬質基材の表面にイオンを注入する際の注入量が５×１０ ¹⁶ ／ｃｍ ² 以上であり、注入エネルギが５００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下である。
【００２５】
【実施例】
（実施例１）
硬質基材として組成がＪＩＳ規格Ｋ１０で、平板状（２０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍｔ）の超硬合金を用意した。ここで、ＪＩＳ規格Ｋ１０とは、Ｃｏ（コバルト）を４〜７重量％含み、Ｗ（タングステン）を主体とした硬質層を９３〜９６重量％含み、硬質層中のＴｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）またはＮｂ（ニオブ）を０〜３重量％含む超硬合金である。
【００２６】
図１は、本発明の硬質部材の製造方法で用いるイオン注入装置の模式図である。図１を参照して、イオン注入装置７は、真空容器２と、ホルダ３と、イオン源４と、排気ポンプ５とを備えている。真空容器２に排気ポンプ５は接続されている。排気ポンプ５が作動することによって、真空容器２中の圧力を調整することができる。真空容器２にホルダ３が設けられており、ホルダ３の表面に組成がＪＩＳ規格Ｋ１０の超硬合金からなる硬質基材１が設けられている。真空容器２にイオン源４が設けられている。イオン源４からは矢印６で示すイオンビームが発生する。矢印６で示すイオンビームは窒素イオンまたは炭素イオンのどちらのビームでもよい。矢印６で示すイオンビームが硬質基材１に接触することにより、硬質基材１にイオンが注入される。
【００２７】
図２は、本発明の硬質部材の製造方法で用いる高周波プラズマＣＶＤ装置を示す模式図である。図２を参照して、高周波プラズマＣＶＤ装置１２は、真空容器１３と、電極１４、１５と、排気ポンプ１６と、高周波電源１７と、ガスタンク１８ａ，ｂと、マスフローコントローラ１９と、バルブ２０とを備えている。真空容器１３に排気ポンプ１６が接続されており、排気ポンプが作動することにより真空容器１３の内圧は調整される。電極１４と高周波電源１７は電気的に接続されている。電極１５と高周波電源１７とは電気的に接続されている。電極１５に図１で示すイオン注入装置によりイオン注入が施された硬質基材１１が設けられている。ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ１９が真空容器１３に接続されている。マスフローコントローラ１９はバルブ２０と接続されている。バルブ２０はアルゴンガスが充填されているガスタンク１８ａと、メタンガスが充填されているガスタンク１８ｂとに接続されている。高周波電源１７の周波数は１３．５６ＭＨｚである。
【００２８】
このように構成された装置を用いて、硬質基材への成膜を行なった。まず、図１に示すように構成されたイオン注入装置７において、真空容器２の内圧を１．０×１０^-5Ｔｏｒｒとし、硬質基材１に炭素、窒素イオンを注入した。このとき、注入エネルギを一定とし、イオンの注入量をさまざまなに変化させた。
【００２９】
次に、図２で示すように構成された高周波プラズマＣＶＤ装置１２において、まず、真空容器１３の側壁および硬質基材１１を２００℃として排気ポンプ１６により真空容器１３の内圧を１０^-7Ｔｏｒｒとした。次に、ガスタンク１８ａに充填されたアルゴンガスをバルブ２０、マスフローコントローラ１９を介して真空容器１３に導入して真空容器１３中を１０^-2Ｔｏｒｒの圧力に維持した。このとき、電極１５に高周波電力（３００Ｗ）を印加してアルゴンガスをプラズマ化し、硬質基材１１の表面をアルゴンガスのプラズマによりクリーニングした。次に、真空容器１３中のアルゴンガスを排気ポンプ１６により排気した。次に、ガスタンク１８ｂに充填されたメタンガスをバルブ２０、マスフローコントローラ１９を介して真空容器１３に導入し、真空容器１３の内圧が１０^-2Ｔｏｒｒとなるようにした。次に、電極１５に高周波電力（３００Ｗ）を印加してメタンガスをプラズマ化し、硬質基材１１の表面に炭素原子を蓄積することにより、硬質炭素被膜を形成した。なお、ここで、場合によってはアルゴンガスによる硬質基材１１表面のクリーニング処理を省いてもよい。
【００３０】
以上の手順で成膜した硬質部材において、硬質基材と硬質炭素被膜との密着力を評価した。密着力の評価は、ＣＳＥＭ社レベテスト自動スクラッチ試験器により行なった。測定方法としては、ダイヤモンド針を硬質炭素被膜に押付けて横に引き、引きながら針の荷重を増していった。このとき、膜が剥離する荷重を臨界荷重とした。膜の剥離は、膜が硬質基材から剥離する際の破壊音（アコースティックエミッション）で検出した。このような手法を用いた評価結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】

【００３２】
表１において、サンプルＮｏ．１５は、硬質基材の表面をアルゴンガスのプラズマによりスパッタリングし、その上に直接、硬質炭素被膜を形成したサンプルである。サンプルＮｏ．１６は、硬質基材の表面にＳｉＣ（炭化珪素）を主成分とする中間層を形成し、その中間層の上に硬質炭素被膜を形成したサンプルである。サンプルＮｏ．１７は、硬質基材の表面にＳｉ（珪素）を主成分とする中間層を形成し、その中間層の上に硬質炭素被膜を形成したサンプルである。サンプルＮｏ．１において、注入量の「１Ｅ＋１５」は１×１０¹⁵であることを意味する。サンプルＮｏ．２〜１４についても同様である。「密着力」は臨界荷重を意味する。表１からわかるように、イオン注入量を５×１０¹⁶イオン／ｃｍ²以上とすれば、サンプルＮｏ．１５〜１７の従来品に比べ、高密着力が得られることが確認できた。
【００３３】
（実施例２）
この実施例では、実施例１の図１で示すイオン注入装置を用いて、ＪＩＳ規格Ｋ１０の組成の硬質基材に炭素、窒素イオンを注入する際に、注入量を一定とし、注入エネルギをさまざまに変化させ、硬質基材を形成した。次に、このように形成した硬質基材を実施例１の図２に示す装置を用いて、実施例１と同様に基材の表面に硬質炭素被膜を形成した。
【００３４】
このような手順で形成した硬質部材について、硬質基材と硬質炭素被膜との密着力を実施例１と同様の手法で評価した。評価結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】

【００３６】
表２において、サンプルＮｏ．２９は、硬質基材の表面をアルゴンガスのプラズマによってスパッタリングした後、硬質基材に直接、硬質炭素被膜を形成したサンプルである。サンプルＮｏ．３０は、硬質基材の上にＳｉＣ（炭化珪素）を主成分とする中間層を形成し、その中間層の上に硬質炭素被膜を形成したサンプルである。サンプルＮｏ．３１は、硬質基材の表面にＳｉ（珪素）を主成分とする中間層を形成し、その中間層の上に硬質炭素被膜を形成したサンプルである。注入量の「５Ｅ＋１７」は、５×１０¹⁷であることを意味する。表２からわかるように、イオン注入エネルギを５００ｅＶ以上１００ｋｅＶ以下とすれば、従来品（サンプルＮｏ．２９〜３１）に比べ、高密着力が得られることが確認できた。また、イオン注入エネルギは、５００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下でも十分な密着力が得られるため、高電圧を発生させる装置は必要がないことがわかった。そのため、製造コストを低減できることが予想される。
【００３７】
（実施例３）
この実施例では、図１で示すイオン注入装置により、ＪＩＳ規格Ｋ１０の組成の硬質基材に炭素イオンを注入エネルギ４０ｋｅＶ、注入量を５×１０¹⁷イオン／ｃｍ²でイオン注入した。次に、このイオン注入を施した硬質基材を図２で示す高周波プラズマＣＶＤ装置を用いて、アルゴンプラズマによってスパッタリングした。スパッタリングの深さは約１０ナノメートルであった。次に、実施例１と同様の方法にて硬質基材の表面に硬質炭素被膜を形成した。
【００３８】
図３は、実施例３において形成された硬質部材の模式的な断面図である。図３を参照して、硬質部材２１は硬質基材２３と硬質炭素被膜２２を備えている。硬質基材２３に硬質炭素被膜２２が接している。
【００３９】
このように構成された硬質部材の断面を透過型電子顕微鏡（日立製Ｈ−９０００ＵＨＲ）により加速電圧３００ｋＶで観察した。図４は、実施例３において形成された硬質部材の断面を透過型電子顕微鏡で観察したときの組織を模式的に示す図である。図４を参照して、図中の点線より上の部分が硬質炭素被膜２２である。また、図中の点線より下の部分が硬質基材２３である。硬質炭素被膜２２の主成分はアモルファス状の炭素からなる非晶質部部２４である。また、図中点線で示す硬質炭素被膜２２と硬質基材２３との界面からの距離をＤで示す。硬質基材２３において、界面からの距離Ｄが約１０ナノメートルまでの範囲では、炭素が非晶質化した非晶質部分２６と炭化タングステンが結晶化した結晶出力部分２５とが混在した改質層２７である。この硬質基材２３中の非晶質部分２６は炭素イオンのイオン注入により形成されたものである。
【００４０】
このような構造を有する硬質部材においては、硬質炭素被膜２２を形成する非晶質部分２４と硬質基材２３中のイオン注入により形成された非晶質部分２６とは、ほぼ同一の構造となっている。そのため、硬質炭素被膜２２を構成する非晶質部分２４と硬質基材２３中の非晶質部分２６とが強力に結合する。また、硬質基材２３中の非晶質部分２６と硬質基材２３中の結晶質部分２５とが混在している。そのため、硬質基材２３中においては、非晶質部分２６と結晶質部分２５が強力に結合している。
【００４１】
つまり、硬質炭素被膜２２を構成する非晶質部分２４と硬質基材２３中の非晶質部分２６とが強力に結合しており、この非晶質部分２６と硬質基材２３中の主成分である結晶質部分２５とが強力に結合している。そのため、硬質炭素被膜２２と硬質基材２３とが非晶質部分２６を介在させて強力に結合していることとなる。その結果、図４で示すような構造を有する硬質部材は、非常に優れた耐剥離性を有する。なお、この実施例において製造した硬質部材の密着力は実施例１と同様の評価方法によると５０Ｎであり、従来の製品に比べて高密着力が得られることがわかった。
【００４２】
今回開示された実施例はすべての点で提示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の硬質部材の製造方法の第１工程に用いるイオン注入装置の模式図である。
【図２】本発明の硬質部材の製造方法の第２工程に用いる高周波プラズマＣＶＤ装置の模式図である。
【図３】本発明の硬質部材の概略断面図である。
【図４】本発明の実施例により製造された硬質部材の断面を透過型電子顕微鏡で観察したときの組織を模式的に示す図である。
【図５】従来の硬質部材の概略断面図である。
【図６】従来の硬質部材の概略断面図である。
【符号の説明】
２１硬質部材
２２硬質炭素被膜
２３硬質基材
２５結晶質部分
２６非晶質部分
２７改質層

Claims

硬質基材の表面に硬質炭素被膜が形成された硬質部材であって、
前記硬質炭素被膜と接合する前記硬質基材の表面部分には、改質層が形成されており、その改質層には、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在し、かつ前記硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と前記非晶質部分とが混在していることを特徴とする、硬質部材。
前記硬質部材は、炭化タングステンを主成分とする超硬合金、サーメット、セラミックスおよび工具鋼からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１に記載の硬質部材。
硬質基材の表面に硬質炭素被膜が形成された硬質部材の製造方法において、
前記硬質基材の表面に窒素および炭素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、前記硬質基材の表面部分に、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在しかつ前記硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と前記非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、
前記改質層に接するように前記硬質炭素被膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする、硬質部材の製造方法。
硬質基材の表面に硬質炭素被膜が形成された硬質部材の製造方法において、
前記硬質基材の表面に窒素および炭素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、前記硬質基材の表面部分に、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在しかつ前記硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と前記非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、
アルゴンガスプラズマおよびアルゴンイオンからなる群より選ばれた少なくとも１種を用いて前記改質層の表面をスパッタリングする工程と、
前記スパッタリング後、アルゴンガスプラズマおよびアルゴンイオンのない状態で前記改質層に接するように前記硬質炭素被膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする、硬質部材の製造方法。
前記硬質基材は、炭化タングステンを主成分とする超硬合金、サーメット、セラミックスおよび工具鋼からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項３または４に記載の硬質部材の製造方法。
前記改質層を形成する工程において、前記硬質基材の表面に前記イオンを注入する際の注入量が５×１０ ¹⁶ イオン／ｃｍ ² 以上であることを特徴とする、請求項３〜５のいずれか１項に記載の超硬部材の製造方法。
前記改質層を形成する工程において、前記硬質基材の表面に前記イオンを５００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下の注入エネルギで注入することを特徴とする、請求項３〜５のいずれか１項に記載の硬質部材の製造方法。
硬質基材の表面に硬質炭素被膜が形成された硬質部材の製造方法において、
前記硬質基材の表面に窒素および炭素からなる群より選ばれた少なくとも１種のイオンを注入することにより、前記硬質基材の表面部分に、炭素および窒素からなる群より選ばれた少なくとも１種が非晶質化した非晶質部分が存在しかつ前記硬質基材の主成分が結晶化した結晶質部分と前記非晶質部分とが混在している改質層を形成する工程と、
前記改質層に接するように前記硬質炭素被膜を形成する工程とを備え、
前記改質層を形成する工程において、前記硬質基材の表面に前記イオンを注入する際の注入量が５×１０ ¹⁶ イオン／ｃｍ ² 以上であり、前記イオンを５００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下の注入エネルギで注入することを特徴とする、硬質部材の製造方法。