JP5092623B2 - ダイヤモンド様薄膜 - Google Patents
ダイヤモンド様薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5092623B2 JP5092623B2 JP2007216823A JP2007216823A JP5092623B2 JP 5092623 B2 JP5092623 B2 JP 5092623B2 JP 2007216823 A JP2007216823 A JP 2007216823A JP 2007216823 A JP2007216823 A JP 2007216823A JP 5092623 B2 JP5092623 B2 JP 5092623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- hydrogen
- layer
- thin film
- dlc film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は第1の実施形態に係るダイヤモンド様薄(DLC)膜の断面構成を示している。図1に示すように第1の実施形態のDLC膜12は、基材11の上に形成された第1の層13と第1の層13の上に形成された第2の層14とを備えている。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図9は第2の実施形態に係るDLC膜の断面構成を示している。図9に示すように、第2の実施形態のDLC膜12は、基材11の上に交互に積層された第1の層13と第2の層14とを有している。第1の層13はプラズマCVDにより形成された水素を含むDLC膜であり、第2の層14は第1の層13の表面に水素ラジカルを照射して形成した第1の層13と比べて水素含有率が低いDLC膜である。
以下に、本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図10は第3の実施形態に係るDLC膜の断面構成を示している。図10に示すように本実施形態のDLC膜12は第1の層13と基材11との間に形成され、第1の層13と比べて水素含有率が低い第3の層15を備えている。
以下に、本発明の第4の実施形態について図面を参照して説明する。図11は第4の実施形態に係るDLC膜の断面構成を示している。図11に示すように本実施形態のDLC膜12は第1の層13と基材11との間に形成され、水素を含まない第4の層16を備えている。
12 DLC膜
13 第1の層
14 第2の層
15 第3の層
16 第4の層
21 プラズマチャンバ
22 プラズマ発生部
23 ステージ
24 RFアンテナ
25 高周波電源
26 整合回路
27 ガス供給部
Claims (5)
- 基材の上に形成され、炭素と結合した水素を含む第1のダイヤモンド様薄膜層と、
前記第1のダイヤモンド様薄膜層の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、前記第1のダイヤモンド様薄膜層と比べて水素の含有率が低く且つ2重結合の存在率が高い第2のダイヤモンド様薄膜層とを備え、
前記第1のダイヤモンド様薄膜層及び第2のダイヤモンド様薄膜層は複数であり、
前記第1のダイヤモンド様薄膜層と前記第2のダイヤモンド様薄膜層とは、交互に積層され、
前記複数の第2のダイヤモンド様薄膜層は、水素の含有率が互いに異なり、
前記複数の第2のダイヤモンド様薄膜層のうちの下側の層における水素の含有率は、上側の層における水素の含有率よりも低いことを特徴とするダイヤモンド様薄膜。 - 前記第1のダイヤモンド様薄膜層と前記基材との間に形成され、前記第1のダイヤモンド様薄膜層と比べて水素の含有率が低い第3のダイヤモンド様薄膜層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド様薄膜。
- 前記第3のダイヤモンド様薄膜層は複数であり、
前記複数の第3のダイヤモンド様薄膜層は、水素の含有率が互いに異なっていることを特徴とする請求項2に記載のダイヤモンド様薄膜。 - 前記複数の第3のダイヤモンド様薄膜層のうちの下側の層における水素の含有率は、上側の層における水素の含有率よりも高いことを特徴とする請求項3に記載のダイヤモンド様薄膜。
- 前記第1のダイヤモンド様薄膜層と前記基材との間に形成され、水素を含まない第4のダイヤモンド様薄膜層をさらに備えていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のダイヤモンド様薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216823A JP5092623B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | ダイヤモンド様薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216823A JP5092623B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | ダイヤモンド様薄膜 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012050239A Division JP5382750B2 (ja) | 2012-03-07 | 2012-03-07 | ダイヤモンド様薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009046757A JP2009046757A (ja) | 2009-03-05 |
JP5092623B2 true JP5092623B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40499236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007216823A Active JP5092623B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | ダイヤモンド様薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5092623B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5692571B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2015-04-01 | 株式会社ジェイテクト | Dlc被覆部材 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001049433A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 非晶質炭素膜が被覆された樹脂基体及び成膜方法 |
JP2005163071A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Nissan Motor Co Ltd | 硬質炭素被膜及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-08-23 JP JP2007216823A patent/JP5092623B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009046757A (ja) | 2009-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109922952A (zh) | 用于片材结合的硅氧烷等离子体聚合物 | |
WO2016088466A1 (ja) | 複合基板の製造方法及び複合基板 | |
CN108754450A (zh) | 一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法 | |
JP2016052986A (ja) | 非晶質炭素膜からなる層への固定化方法及び積層体 | |
JP6093875B2 (ja) | 基材とdlc膜との間に形成される中間層の形成方法、dlc膜形成方法、基材と中間層とから成る中間層形成基材およびdlcコーティング基材 | |
Capote et al. | Deposition of amorphous hydrogenated carbon films on steel surfaces through the enhanced asymmetrical modified bipolar pulsed-DC PECVD method | |
Pauleau | Residual stresses in DLC films and adhesion to various substrates | |
CN112996945B (zh) | 用于电子设备的热传导及保护涂覆件 | |
CN107740097A (zh) | 一种含碳纳米管涂层材料及其制备方法 | |
TWI673177B (zh) | 複合基板、奈米碳膜之製作方法及奈米碳膜 | |
JP5092623B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜 | |
JP5382750B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜 | |
Karaseov et al. | Influence of ion irradiation on internal residual stress in DLC films | |
WO2010100806A1 (ja) | 非晶質状炭素膜の表面改質方法 | |
JP5492090B2 (ja) | 水素化非晶質炭素コーティングを生成する方法 | |
JP5290564B2 (ja) | 炭素質薄膜 | |
JP2007070700A (ja) | 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 | |
JPH05202477A (ja) | 硬質炭素膜とその製造方法 | |
JP3787872B2 (ja) | 硬質部材およびその製造方法 | |
Kirinuki et al. | Enhancement of adhesive strength of DLC film by plasma-based ion implantation | |
JP5525854B2 (ja) | 窒化ホウ素皮膜 | |
US20060026995A1 (en) | Molding core and method for making the same | |
TWI837147B (zh) | 用於電子裝置之熱傳導性及保護性塗層 | |
JP5363159B2 (ja) | 炭素質膜及びその製造方法 | |
TWI282779B (en) | Molding core for molding glass |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120307 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120307 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5092623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |