JP2007070700A - 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 - Google Patents
超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007070700A JP2007070700A JP2005260369A JP2005260369A JP2007070700A JP 2007070700 A JP2007070700 A JP 2007070700A JP 2005260369 A JP2005260369 A JP 2005260369A JP 2005260369 A JP2005260369 A JP 2005260369A JP 2007070700 A JP2007070700 A JP 2007070700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular weight
- weight polyethylene
- film
- inorganic film
- ultrahigh molecular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 超高分子量ポリエチレンにダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜を密着させて被覆させ、DLC膜の剥離を防止し、超高分子量ポリエチレンにDLCを成膜する。
【解決手段】 超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、表面改質した超高分子量ポリエチレン上にDLC膜を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、表面改質した超高分子量ポリエチレン上にDLC膜を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)へ無機膜、詳しくはダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜を形成する方法に関する。
高分子材料は、金属やセラミックスにはみられない柔軟性、加工性、軽量などの特性を有しており、近年特に発展してきた宇宙科学技術や生体関連科学技術の分野の開発に不可欠な材料となっている。中でも、超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)は、機械的強度や耐摩耗性に優れ、各種用途に応じて開発され、従来の汎用高分子材料に対して、高性能高分子材料や生体適合性高分子材料としてめざましい発展をみせている。特に人工関節などの高強度材料として期待される。
高分子材料は一般的に耐摩耗性が低く、使用時における劣化が著しいが、高分子表面に被覆層を形成すれば、表面の摩擦係数を大幅に低減させることが可能になる。被覆層としては、ダイヤモンドライクカーボン(以下、DLC)膜のような無機膜が高分子のトライボロジーを向上させるために優れているが、高分子表面に無機膜を成膜する場合では、高分子材料と無機膜の密着性が弱い傾向にあり、無機膜が剥離しやすいなどの問題がある。特許文献1では、高分子材料の表面に炭素中間層を形成した後にDLC膜を形成することで、高分子材料とDLC膜を密着させ剥離を防止しているが、炭素中間層を設けるため処理工程の複雑化を招くという問題がある。
特開2005−2377号公報
従来、超高分子量ポリエチレンに無機膜をコーティングした例は、コーティングの使用環境下、特に長期使用で、密着強度が十分でなかったため、実用化に至っていなかった。
そこで、本発明の目的としては、従来の方法とは異なる新規なプロセスにより、処理工程の複雑化を防止し、超高分子量ポリエチレンに無機膜を密着させて均一に成膜することである。
上記目的を達成するために、超高分子量ポリエチレンへ無機膜を形成する方法を検討した結果、超高分子量ポリエチレンにプラズマ照射することで、超高分子量ポリエチレンの表面が顕著に改質され、無機膜との付着力が高まり、超高分子量ポリエチレンを無機膜に密着させて均一に成膜することができることを見出した。
すなわち、本発明は以下の内容を要旨とする。
(1) 本発明の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法は、超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、前記超高分子量ポリエチレン上に無機膜を形成することを特徴とする超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
(2) (1)において、前記プラズマ照射を反応ガスに活性ガスを用いて行うことを特徴とする。
(3) (2)において、前記活性ガスが酸素ガスであることを特徴とする。
(4) (1)から(3)のいずれかにおいて、前記プラズマ照射を5〜20nmの厚みの表面改質層が形成されるまで行うことを特徴とする。
(5) (1)から(4)のいずれかにおいて、前記プラズマ照射をプラズマCVDによって行うことを特徴とする。
(6) (1)から(5)のいずれかにおいて、前記無機膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする。
(7) (1)から(6)のいずれかにおいて、前記無機膜を0.01〜10μmの厚みに形成することを特徴とする。
(8) (1)から(7)のいずれかにおいて、前記無機膜の形成をプラズマCVDによって行うことを特徴とする。
(1) 本発明の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法は、超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、前記超高分子量ポリエチレン上に無機膜を形成することを特徴とする超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
(2) (1)において、前記プラズマ照射を反応ガスに活性ガスを用いて行うことを特徴とする。
(3) (2)において、前記活性ガスが酸素ガスであることを特徴とする。
(4) (1)から(3)のいずれかにおいて、前記プラズマ照射を5〜20nmの厚みの表面改質層が形成されるまで行うことを特徴とする。
(5) (1)から(4)のいずれかにおいて、前記プラズマ照射をプラズマCVDによって行うことを特徴とする。
(6) (1)から(5)のいずれかにおいて、前記無機膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする。
(7) (1)から(6)のいずれかにおいて、前記無機膜を0.01〜10μmの厚みに形成することを特徴とする。
(8) (1)から(7)のいずれかにおいて、前記無機膜の形成をプラズマCVDによって行うことを特徴とする。
本発明によれば、超高分子量ポリエチレンにプラズマ照射をすることで、超高分子量ポリエチレンの表面を改質して無機膜との密着性を高め、無機膜の剥離を防止し、超高分子量ポリエチレンに無機膜を成膜することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態における例示が本発明を限定することはない。
本発明の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法は、超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、この超高分子量ポリエチレン上に無機膜を形成することを特徴とする。
本発明によれば、プラズマ照射によって超高分子量ポリエチレンの表面改質を行うことで、超高分子量ポリエチレンに無機膜を密着させて均一に成膜することができ、超高分子量ポリエチレン上に被覆された無機膜の剥離を防止して、超高分子量ポリエチレンに無機膜を成膜することができる。また、超高分子量ポリエチレンは、各種用途に応じて、耐久性の向上や低摩擦係数化が要求されることが多く、表面に無機膜を形成し被覆層とすれば、超高分子量ポリエチレン製品の特性を大幅に向上することができる。特に人工関節などの用途に適している。
超高分子量ポリエチレン樹脂は、分子量が極端に大きいポリエチレンをいい、通常のポリエチレンが分子量5万〜30万程度であるのに対し、100万〜500万である。また、耐摩耗性、耐衝撃性に優れ、化学的安定性が高く、人工関節のような生体材料への応用範囲が広がっている。人工関節のように、繰り返して摺動され、耐久性が求められるような用途では、より耐摩耗性が求められ、摺動表面をDLC膜のような無機膜の被覆層で覆って、摩擦係数を低減させることが望まれる。本発明によれば、超高分子量ポリエチレンに無機膜を密着性よく成膜することができるため、生体高分子材料のような長期にわたる体内への埋没が可能となる。
超高分子量ポリエチレンの大きさや形状は、平板状、シート状、筒状、球状など、適宜のものを使用することができる。また、人工関節のような複雑な形状にも対応することができる。
本発明の無機膜としては、DLC膜、リン酸カルシウム膜、窒化チタン膜、アルミナ膜などが挙げられるが、DLC膜が特に好ましい。DLC膜は、低摩擦、高硬度であり、耐摩耗性に優れ、基材に被覆されるとトライボロジー特性を向上させるため、超高分子量ポリエチレンへの被覆が望まれる一方、超高分子量ポリエチレンとの密着性が劣るため剥がれやすい傾向にあるが、本発明によれば、超高分子量ポリエチレンにDLC膜を密着性よく被覆することができる。
超高分子量ポリエチレンの表面をプラズマ照射によって改質する工程は、プラズマによって生成された原子又は分子ラジカル種を超高分子量ポリエチレンの表面に付着させ取り込ませ、超高分子量ポリエチレンの表面を活性化させる各種のプラズマ処理方法を採用することができ、プラズマCVD法(Chemical Vapor Deposition、化学的気相成長法)によって超高分子量ポリエチレンの表面に反応ガスを用いてプラズマ照射を行う方法などが挙げられる。
プラズマCVD装置は、図2の模式図に示すように、チャンバー11内に一対の電極12a、bを対向させ、高周波電源に接続されたターゲット電極12aに試料13を載置し、電極間にプラズマ15を発生させ、反応ガスをガス注入口16から導入して、試料13の表面を改質する。
プラズマ照射での反応ガスには、酸素ガス、窒素ガス、二酸化窒素、二酸化炭素、四塩化炭素などの活性ガスを用いることが好ましく、酸素ガスが好適である。活性ガスを用いることで、超高分子量ポリエチレン表面の炭化水素端などの不活性な末端基を活性化させ、カルボキシル基(−COOH)、カルボニル基(−C=O)、ヒドロキシル基(−OH)、エーテル結合基(C−O)、ケトン基(−COR)などを生成し、無機膜との親和性を高めて、密着性を向上させる。また、反応ガスの種類を変えることで種々の官能基を導入することができる。例えば、酸素、二酸化炭素、窒素、二酸化窒素のような酸素、窒素原子を持つガスをプラズマガスとしたプラズマ処理では、酸素、窒素官能基が導入可能であり、また四塩化炭素プラズマでは塩素官能基の導入が可能である。なお、反応ガスには、他にも水蒸気、アルゴンなどを適宜用いることができる。
プラズマ照射で形成される表面改質層の深さは、好ましくは5〜20nmである。5nmより浅いと超高分子量ポリエチレンの表面改質の効果が得にくく、20nmより深いと本来母材がもつ特性を損なう恐れがあり不適である。表面改質層の深さは、反応温度、圧力、時間などを適宜変更することによって調整することができる。
プラズマ照射において、反応温度は超高分子量ポリエチレンが熱的に変質しない範囲が好ましく、25〜300℃とすることが好ましい。反応圧力は、0.01〜100Paとすることが好ましい。この範囲より低圧側では反応が進行しにくく、高圧側では無機膜がより軟質になり、膜本来の特性を失う為不適である。反応時間は、表面改質層の形成深さに応じて、1〜15分と適宜調整することができる。
改質された超高分子量ポリエチレンに無機膜を形成する工程としては、CVD法、PVD法(Physical Vapor Deposition、物理的気相成長法)、などが挙げられ、中でもCVD法が好適である。CVD法では、均一な薄膜の形成が可能である一方で、PVD法に比べ付着強度が弱い傾向があるが、本発明のプラズマ照射を行えば、超高分子量ポリエチレンと無機膜の付着強度を高めることができる。CVD法としてはプラズマCVD、大気圧CVD、減圧CVD、光CVDなどが挙げられ、中でもプラズマCVDが好ましい。プラズマCVD法では、CVD法の中でも比較的低温(約300℃以下)での処理が可能であり、また、原料をプラズマ状態にするため、原料を高速で堆積させ、無機膜の形成時間を短縮することができる。さらに、上述の改質工程でもプラズマCVD法を採用すれば、改質工程と無機膜形成工程とをCVD装置を用いて、初めに改質工程の反応ガスを流して改質層を形成し、次いで、無機膜形成工程の原料ガスを流して無機膜を形成し、両工程を同じ装置で連続して行うことができる。
CVD法では、析出させる無機膜の揮発性化合物を反応ガスとして、熱分解あるいは反応させて生成物の薄膜を析出させる。無機膜としてDLC膜を形成する場合は、原料ガスにはメタンガス、アセチレンガス、ベンゼンガスなどを用いることができる。なお、無機膜がDLCからなることを確認する方法としては、ラマン分光法、赤外分光法などある。
形成される無機膜の厚みは、好ましくは0.01〜10μmであり、より好ましくは1μm以下である。厚みが0.01μmより薄いと無機膜の効果を十分に発揮しにくく、10μmより厚いと無機膜の剥離を誘発し不適である。無機膜の厚みは、反応温度、圧力、時間などを適宜調整することで調整することができる。
無機膜の形成では、超高分子量ポリエチレンが熱的に変性しないように、反応温度を25〜300℃とすることが好ましい。反応圧力は、0.01〜100Paとすることが好ましい。この範囲より低圧側では反応が進行しにくく、高圧側では無機膜がより軟質になり、膜本来の特性を失う為不適である。反応時間は、無機膜を形成する厚みに応じて、0.2〜200分と適宜調整することができる。
本発明の実施の形態として、超高分子量ポリエチレンにDLC膜を被覆する例について説明する。図1に、超高分子量ポリエチレンの表面近傍での改質の様子を示す。
表面改質前の超高分子量ポリエチレン1の表面は、図1(a)に示すように、−CHや−CH2のような炭化水素基となっているが、プラズマ照射によって表面を改質すると、図1(b)に示すように、表面が活性化され、カルボキシル基(−COOH)、カルボニル基(−C=O)、ヒドロキシル基(−OH)、エーテル結合基(C−O)、ケトン基(−COR)などを含む表面改質層が生成される。この改質された超高分子量ポリエチレン1上にDLC膜2を形成すると、図(c)に示すように、超高分子量ポリエチレン1上にDLC膜2を密着させて剥がれにくく形成することができる。
(実施例)
(DLC膜形成)
次の条件で超高分子量ポリエチレンにDLC膜を形成し、DLC膜の被覆厚み及び密着性を調べた。成膜の条件を以下に示す。
(DLC膜形成)
次の条件で超高分子量ポリエチレンにDLC膜を形成し、DLC膜の被覆厚み及び密着性を調べた。成膜の条件を以下に示す。
試料:超高分子量ポリエチレン(分子量 500万〜600万、日東電工製 No440)
試料の大きさ :縦10×横10×厚み2mm
前処理としての表面改質法 :プラズマCVD法で1〜60分間
反応ガス :酸素、水蒸気又はアルゴンガス
DLC膜形成法 :プラズマCVD法で1〜60分間
プラズマガス :メタンガス
表面改質・DLC膜形成の際の圧力 :15Pa
表面改質・DLC膜形成の処理時間 :改質層深さ及びDLC膜厚さに応じて適宜調整した。
試料の大きさ :縦10×横10×厚み2mm
前処理としての表面改質法 :プラズマCVD法で1〜60分間
反応ガス :酸素、水蒸気又はアルゴンガス
DLC膜形成法 :プラズマCVD法で1〜60分間
プラズマガス :メタンガス
表面改質・DLC膜形成の際の圧力 :15Pa
表面改質・DLC膜形成の処理時間 :改質層深さ及びDLC膜厚さに応じて適宜調整した。
ここで、前処理としての表面改質法及びDLC膜形成法はともに、プラズマCVD装置(株式会社アネルバ製PED−401)を用いて印加電力250Wで行った。ここで電極間距離は40mmである。
このプラズマCVD装置のチャンバー内に超高分子量ポリエチレンを載置し、チャンバー内の圧力を真空(1×10−4Pa)とした後、表面改質の反応ガスとなる酸素、水蒸気又はアルゴンガスをそれぞれチャンバー内に流速26.43SCCMで導入して、表面改質した後、反応ガスを停止してから、DLC膜の原料となるメタンガスをチャンバー内に流速26.43SCCMで導入して、圧力15Paの条件でDLC膜を形成した。
前処理としての表面改質法の処理時間は、5〜10分で十分であった。DLC膜の厚みは、被覆時間に比例し、1〜60分の被覆時間では約0.05〜2.0μmであり、15分で約0.5μmであった。DLC膜の厚みは、株式会社ミツトヨ製SJ−400を用いて測定した。
(密着性試験)
上記条件で試作した試料の中で、前処理10分、DLCの厚み約0.5μmの各試料について密着性評価をテープ試験及びスクラッチ試験で行った。
上記条件で試作した試料の中で、前処理10分、DLCの厚み約0.5μmの各試料について密着性評価をテープ試験及びスクラッチ試験で行った。
テープ試験では、DLC膜形成面に粘着性テープ(株式会社ニチバン製)を貼り付け、引き剥がすことで密着性を評価した。その結果を表1に示す。
スクラッチ試験では、試験装置に超薄膜スクラッチ試験機(株式会社レスカ製CSR−2000)を用いて測定した。測定条件は、圧子曲率半径:15μm、加重印加速度:90nN/minとし、3回ずつ試験を行った。その結果を表2に示す。
(トライボロジー試験)
高周波プラズマCVD装置(MODEL: PED-401; ANELVA 社製)を用い、DLC膜を超高分子量ポリエチレンフィルム上に形成し、トライボロジーを評価した。パラメータを成膜時間とし、膜厚の異なる3種類のサンプルを作製し実験を行った。成膜の条件を以下に示す。その他の成膜条件は上記と同様とした。
高周波プラズマCVD装置(MODEL: PED-401; ANELVA 社製)を用い、DLC膜を超高分子量ポリエチレンフィルム上に形成し、トライボロジーを評価した。パラメータを成膜時間とし、膜厚の異なる3種類のサンプルを作製し実験を行った。成膜の条件を以下に示す。その他の成膜条件は上記と同様とした。
試料:超高分子量ポリエチレン(分子量 500万〜600万、日東電工製 No440)
試料の大きさ :20×20×0.1 mm
反応ガス :酸素
酸素プラズマ前処理時間 :5分
プラズマガス :メタンガス
成膜時間 :2分(約0.1μm)、20分(約1.0μm)、45分(約2.25μm)の3種類
成膜中圧力 :15Pa
印加電力 :250W
試料の大きさ :20×20×0.1 mm
反応ガス :酸素
酸素プラズマ前処理時間 :5分
プラズマガス :メタンガス
成膜時間 :2分(約0.1μm)、20分(約1.0μm)、45分(約2.25μm)の3種類
成膜中圧力 :15Pa
印加電力 :250W
DLC膜を成膜しないもの、及び酸素プラズマ処理をしないでDLC膜を成膜したものを、その他の条件は上記と同様にして比較例として準備した。
上記作製した試料について、図3に示すBall−on Disk試験機を用い、DLC膜の摺動性の評価を行った。Ball−on Disk試験機は、試料を試料ディスク22として準備し、図3に示すように、回転ディスク21上に試料ディスク22を載せ、試料ディスク22にステンレス球の試料ボール23を荷重センサ24で負荷を調整して押し当て、回転ディスク21を回転させ、試料に摺動による圧力を負荷する。試料表面でステンレス球が摺動され、この表面を観察することで、試料のトライボロジーを評価する。Ball−on Disk試験機の条件を以下に示す。
試料ボール ステンレス球(r=10mm)
負荷加重 27[mN]
線速度 104.72[mm/sec]
実施時間 20分
負荷加重 27[mN]
線速度 104.72[mm/sec]
実施時間 20分
試験後、光学実体顕微鏡(MODEL: UQ-7000; KEYENCE 社製)を用いて、DLC膜及び超高分子量ポリエチレンフィルムの表面形態の観察を行った。図4に、DLC膜の厚み(a)0.1μm、(b)1.0μm、(c)2.25μmについて結果を示す。
図4に示すとおり、DLC膜の厚さが薄いほど、DLC膜の剥離は明らかに少ないことが観察された。20分以上の成膜を行って膜厚が約2.25μmのフィルム表面(c)には、磨耗面以外にも多数の亀裂が観察された。これより、DLC膜の膜厚は1.0μm以下が好ましいことがわかる。
1 超高分子量ポリエチレン
2 DLC膜
10 プラズマCVD装置
11 チャンバー
12 電極
13 試料
14 整合器
15 プラズマガス
16 ガス注入口
17 排気口
20 Ball−on Disk試験機
21 回転ディスク
22 試料ディスク
23 試料ボール
24 荷重センサ
2 DLC膜
10 プラズマCVD装置
11 チャンバー
12 電極
13 試料
14 整合器
15 プラズマガス
16 ガス注入口
17 排気口
20 Ball−on Disk試験機
21 回転ディスク
22 試料ディスク
23 試料ボール
24 荷重センサ
Claims (8)
- 超高分子量ポリエチレンをプラズマ照射によって改質した後、前記超高分子量ポリエチレン上に無機膜を形成することを特徴とする超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記プラズマ照射を反応ガスに活性ガスを用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記活性ガスが酸素ガスであることを特徴とする請求項2に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記プラズマ照射を5〜20nmの厚みの表面改質層が形成されるまで行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記プラズマ照射をプラズマCVDによって行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記無機膜がダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記無機膜を0.01〜10μmの厚みに形成することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
- 前記無機膜の形成をプラズマCVDによって行うことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005260369A JP2007070700A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005260369A JP2007070700A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007070700A true JP2007070700A (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=37932411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005260369A Pending JP2007070700A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007070700A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009127059A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tokyo Denki Univ | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
JP2011162815A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Nagoya Univ | フッ素含有炭素材料の製造方法 |
JP2015134331A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 株式会社コバテクノロジー | 車両部品の補修方法 |
JP2018199319A (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-20 | 株式会社都ローラー工業 | Cd又は/及びdlc固着基材とそれら基材を使用した製品 |
JP2020020055A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 株式会社都ローラー工業 | Dlc及びcd固着基材、dlc及びcd固着製品 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11318960A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-24 | Nissin Electric Co Ltd | 人工関節及びその製造方法 |
JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-08 JP JP2005260369A patent/JP2007070700A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11318960A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-24 | Nissin Electric Co Ltd | 人工関節及びその製造方法 |
JP2000096233A (ja) * | 1998-06-20 | 2000-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | 炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009127059A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tokyo Denki Univ | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
JP2011162815A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Nagoya Univ | フッ素含有炭素材料の製造方法 |
JP2015134331A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 株式会社コバテクノロジー | 車両部品の補修方法 |
JP2018199319A (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-20 | 株式会社都ローラー工業 | Cd又は/及びdlc固着基材とそれら基材を使用した製品 |
JP2020020055A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 株式会社都ローラー工業 | Dlc及びcd固着基材、dlc及びcd固着製品 |
CN110777535A (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-11 | 株式会社都罗拉工业 | Dlc及cd固着基材、dlc及cd固着制品 |
CN110777535B (zh) * | 2018-07-31 | 2022-06-24 | 株式会社都罗拉工业 | Dlc及cd固着基材、dlc及cd固着制品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wang et al. | The investigation of the structures and tribological properties of F-DLC coatings deposited on Ti-6Al-4V alloys | |
Yan et al. | Characterization of hydrogenated diamond-like carbon films electrochemically deposited on a silicon substrate | |
Choy et al. | Functionally graded diamond-like carbon coatings on metallic substrates | |
CN109023232B (zh) | 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法 | |
JP2009127059A (ja) | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 | |
Latifi et al. | Plasma surface oxidation of 316L stainless steel for improving adhesion strength of silicone rubber coating to metal substrate | |
JP2007070700A (ja) | 超高分子量ポリエチレンへの無機膜形成方法 | |
Cuong et al. | Diamond-like carbon films deposited on polymers by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
Kaczorowski et al. | Evaluation of mechanical properties of carbon coatings synthesised in radio frequency plasma on PDMS | |
Zhou et al. | Hard silicon carbonitride films obtained by RF-plasma-enhanced chemical vapour deposition using the single-source precursor bis (trimethylsilyl) carbodiimide | |
Hoikkanen et al. | Effect of silane treatment parameters on the silane layer formation and bonding to thermoplastic urethane | |
Capote et al. | Deposition of amorphous hydrogenated carbon films on steel surfaces through the enhanced asymmetrical modified bipolar pulsed-DC PECVD method | |
Stoica et al. | Cell proliferation on modified DLC thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
Liu et al. | Effect of bias voltage on the tribological and sealing properties of rubber seals modified by DLC films | |
Vijayan et al. | Non-equilibrium organosilane plasma polymerization for modulating the surface of PTFE towards potential blood contact applications | |
Kaczorowski et al. | Effect of plasma treatment on the surface properties of polydimethylsiloxane | |
Šrámková et al. | Cold atmospheric pressure plasma: Simple and efficient strategy for preparation of poly (2-oxazoline)-based coatings designed for biomedical applications | |
Ohgoe et al. | Uniform deposition of diamond-like carbon films on polymeric materials for biomedical applications | |
Wang et al. | Structural characterization and mechanical properties of functionalized pulsed-plasma polymerized allylamine film | |
Matsumoto et al. | Cytotoxicity and tribological property of DLC films deposited on polymeric materials | |
Koshel et al. | Characterization of CFx films plasma chemically deposited from C3F8/C2H2 precursors | |
JP2009525397A (ja) | 薄膜多層構造体、該構造体を含む構成要素、および該構造体の堆積方法 | |
Miyake et al. | Friction properties of surface-modified polished chemical-vapor-deposited diamond films under boundary lubrication with water and poly-alpha olefin | |
Mattioli et al. | Nanostructured polystyrene films engineered by plasma processes: Surface characterization and stem cell interaction | |
Wu et al. | Combining the good tribological properties with the high adhesion strength of the amorphous carbon films in situ grown on PI |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110426 |