JP2000087218A - 高密着性炭素皮膜形成材及びその製法 - Google Patents
高密着性炭素皮膜形成材及びその製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属またはセラミックからなる基材の表面
に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数の
ＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材等として耐久寿
命の著しく改善された硬質皮膜形成材を提供すること。 【解決手段】 金属またはセラミックからなる基材の表
面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アー
クイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成す
ると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成
元素と皮膜構成元素とからなる厚さ１０〜５００Åの混
合層を形成し、高密着性非晶質炭素皮膜形成材を得る。
に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数の
ＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材等として耐久寿
命の著しく改善された硬質皮膜形成材を提供すること。 【解決手段】 金属またはセラミックからなる基材の表
面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アー
クイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成す
ると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成
元素と皮膜構成元素とからなる厚さ１０〜５００Åの混
合層を形成し、高密着性非晶質炭素皮膜形成材を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属もしくはセラ
ミックスよりなる基材の表面に、高硬度で且つ低摩耗係
数の非晶質炭素皮膜を形成してなる高密着性炭素皮膜形
成材とその製法に関するものである。
ミックスよりなる基材の表面に、高硬度で且つ低摩耗係
数の非晶質炭素皮膜を形成してなる高密着性炭素皮膜形
成材とその製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質炭素膜（ダイヤモンドライクカー
ボン、以下、ＤＬＣ膜と略記する）は、高硬度で低摩擦
係数を有していることから、摺動部材等の摺動面に該皮
膜を形成することによって摩耗低減を図ることが検討さ
れている。
ボン、以下、ＤＬＣ膜と略記する）は、高硬度で低摩擦
係数を有していることから、摺動部材等の摺動面に該皮
膜を形成することによって摩耗低減を図ることが検討さ
れている。
【０００３】ところでＤＬＣ膜の形成法としては、これ
までメタンガスを利用したイオンビーム法やプラズマＣ
ＶＤ法、或いはベンゼンガスを利用したイオンプレーテ
ィング法等が検討されてきた。ところがこれらの方法
は、真空中で０．１〜１ｍｔｏｒｒ程度の希薄真空中で
成膜を行なうため成膜速度が遅く（高々１μｍ／ｈ程
度）、実操業レベルの生産に適しているとは言えない。
までメタンガスを利用したイオンビーム法やプラズマＣ
ＶＤ法、或いはベンゼンガスを利用したイオンプレーテ
ィング法等が検討されてきた。ところがこれらの方法
は、真空中で０．１〜１ｍｔｏｒｒ程度の希薄真空中で
成膜を行なうため成膜速度が遅く（高々１μｍ／ｈ程
度）、実操業レベルの生産に適しているとは言えない。
【０００４】そこで最近では、ＴｉＮやＣｒＮなどの窒
化物の形成に多用されている成膜速度の速いカソード放
電型アークイオンプレーティング法（以下、ＡＩＰ法と
いう）によってＤＬＣ膜を形成することが検討されてお
り、この方法によれば、皮膜形成源としてガスを用いる
上記方法に比べて皮膜形成速度を５倍程度に高め得るこ
とが報告されている。
化物の形成に多用されている成膜速度の速いカソード放
電型アークイオンプレーティング法（以下、ＡＩＰ法と
いう）によってＤＬＣ膜を形成することが検討されてお
り、この方法によれば、皮膜形成源としてガスを用いる
上記方法に比べて皮膜形成速度を５倍程度に高め得るこ
とが報告されている。
【０００５】しかしながらＤＬＣ膜は、ＴｉＮの如き従
来の硬質金属窒化物に比べて基材との密着性が劣るた
め、密着性の向上を期して次の様な方法が検討されてい
る。即ち、特開昭５８−２１３８７２号、特開平５−１
６９４５９号、同５−３１１４４４号などの公報には、
基材上にＴｉ、Ｚｒ等の炭化物を形成した後、その上に
ＤＬＣ膜を形成する方法、特開昭６３−２６２４６７号
や特開平４−４５２８７号公報には、中間層としてＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属層を設ける方法、特開平１−１
３２７７９号公報には、中間層としてＳｉ、炭素、酸素
等の化合物層を設ける方法、特開平５−１１７８５６号
公報には、基体表面に軟質のＤＬＣ膜を形成した後、そ
の上に高硬度の表面層を設ける方法、特開平７−６２５
４１号公報には、ＷやＴｉと炭素の混合層を皮膜全体の
５５〜９０％厚みで形成した後、この上にＤＬＣ膜を形
成する方法、特開平７−９０５５３号公報には、基材と
硬質カーボンの界面付近に成膜後のイオン注入によって
混合層を形成する方法、等が提案されている。
来の硬質金属窒化物に比べて基材との密着性が劣るた
め、密着性の向上を期して次の様な方法が検討されてい
る。即ち、特開昭５８−２１３８７２号、特開平５−１
６９４５９号、同５−３１１４４４号などの公報には、
基材上にＴｉ、Ｚｒ等の炭化物を形成した後、その上に
ＤＬＣ膜を形成する方法、特開昭６３−２６２４６７号
や特開平４−４５２８７号公報には、中間層としてＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属層を設ける方法、特開平１−１
３２７７９号公報には、中間層としてＳｉ、炭素、酸素
等の化合物層を設ける方法、特開平５−１１７８５６号
公報には、基体表面に軟質のＤＬＣ膜を形成した後、そ
の上に高硬度の表面層を設ける方法、特開平７−６２５
４１号公報には、ＷやＴｉと炭素の混合層を皮膜全体の
５５〜９０％厚みで形成した後、この上にＤＬＣ膜を形
成する方法、特開平７−９０５５３号公報には、基材と
硬質カーボンの界面付近に成膜後のイオン注入によって
混合層を形成する方法、等が提案されている。
【０００６】上記公知技術のうち、特開昭58-213872
号、同63-262467 号、特開平5-169459号、同5-311444
号、同4-45287 号、同5-117856号等の公報には、単純に
ＤＬＣ膜と基材間に中間層を形成することは記載されて
いるが、密着性等の向上に最適のＤＬＣ膜と中間層の構
造に関する詳細な検討まではなされていない。また、特
開平7-62541 号公報には混合層に関する記述がなされて
いるが、混合層の厚みをＤＬＣ膜全体の膜厚の５５〜９
０％にすることを必須の要件として定めている。しかし
ながら、中間層の硬さはＤＬＣ膜よりも劣っているの
で、この様に混合層を厚肉にすると、硬質皮膜全体とし
ての機械的特性はむしろ劣化してくることが予測され
る。また特開平7-90553 号公報には、基材とＤＬＣ膜と
の界面に混合層を設けることが記述されているが、その
方法として、成膜後のイオン注入によって混合層を形成
する方法を採用しているので、上層となるＤＬＣ膜の膜
厚が著しく制限されること、しかも、成膜後のイオン注
入によってＤＬＣ膜そのものが変質するという問題が生
じてくる。
号、同63-262467 号、特開平5-169459号、同5-311444
号、同4-45287 号、同5-117856号等の公報には、単純に
ＤＬＣ膜と基材間に中間層を形成することは記載されて
いるが、密着性等の向上に最適のＤＬＣ膜と中間層の構
造に関する詳細な検討まではなされていない。また、特
開平7-62541 号公報には混合層に関する記述がなされて
いるが、混合層の厚みをＤＬＣ膜全体の膜厚の５５〜９
０％にすることを必須の要件として定めている。しかし
ながら、中間層の硬さはＤＬＣ膜よりも劣っているの
で、この様に混合層を厚肉にすると、硬質皮膜全体とし
ての機械的特性はむしろ劣化してくることが予測され
る。また特開平7-90553 号公報には、基材とＤＬＣ膜と
の界面に混合層を設けることが記述されているが、その
方法として、成膜後のイオン注入によって混合層を形成
する方法を採用しているので、上層となるＤＬＣ膜の膜
厚が著しく制限されること、しかも、成膜後のイオン注
入によってＤＬＣ膜そのものが変質するという問題が生
じてくる。
【０００７】また特開平7-90553 号公報には、混合層の
形成に、ＤＬＣ膜形成後のイオン注入或いは同時蒸着を
採用する方法が記載されているが、前者の方法では成膜
後の後処理を必須とし、後者の方法ではＤＬＣ膜蒸着源
とは別に蒸着源を必要とするなど、設備的にも工程的に
も複雑になる。
形成に、ＤＬＣ膜形成後のイオン注入或いは同時蒸着を
採用する方法が記載されているが、前者の方法では成膜
後の後処理を必須とし、後者の方法ではＤＬＣ膜蒸着源
とは別に蒸着源を必要とするなど、設備的にも工程的に
も複雑になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の様な事
情に着目してなされたものであって、その目的は、特に
金属またはセラミックからなる基材を対象とし、その表
面に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数
のＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材として耐久寿
命の著しく改善された硬質皮膜形成材を得ることのでき
る方法を提供することにある。
情に着目してなされたものであって、その目的は、特に
金属またはセラミックからなる基材を対象とし、その表
面に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数
のＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材として耐久寿
命の著しく改善された硬質皮膜形成材を得ることのでき
る方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明に係る高密着性炭素皮膜形成材の製法と
は、金属またはセラミックからなる基材の表面に、カー
ボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプ
レーティング法（以下、ＡＩＰ法と略記する）によりＤ
ＬＣ膜を形成すると共に、該ＤＬＣ膜と基材の界面に、
これら基材構成元素とＤＬＣ膜構成元素とからなる厚さ
１０〜５００Åの混合層を形成するところに要旨を有し
ている。
のできた本発明に係る高密着性炭素皮膜形成材の製法と
は、金属またはセラミックからなる基材の表面に、カー
ボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプ
レーティング法（以下、ＡＩＰ法と略記する）によりＤ
ＬＣ膜を形成すると共に、該ＤＬＣ膜と基材の界面に、
これら基材構成元素とＤＬＣ膜構成元素とからなる厚さ
１０〜５００Åの混合層を形成するところに要旨を有し
ている。
【００１０】上記本発明の方法を実施するに当たって
は、ＤＬＣ膜形成時の印加電圧を−４００〜−５０００
Ｖ、真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下に制御することによ
り、前記混合層の厚さをより確実に規定厚さに制御する
ことができ、或いは更に、上記ＤＬＣ膜形成時におい
て、基材界面から少なくとも厚さ１０Åまでは、印加電
圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１ｍｔｏｒｒ以
下で皮膜形成を行い、その後は−４００Ｖ未満の印加電
圧でＤＬＣ膜形成を行なえば、混合層厚さをより確実に
１０〜５００Åに制御できるので好ましい。
は、ＤＬＣ膜形成時の印加電圧を−４００〜−５０００
Ｖ、真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下に制御することによ
り、前記混合層の厚さをより確実に規定厚さに制御する
ことができ、或いは更に、上記ＤＬＣ膜形成時におい
て、基材界面から少なくとも厚さ１０Åまでは、印加電
圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１ｍｔｏｒｒ以
下で皮膜形成を行い、その後は−４００Ｖ未満の印加電
圧でＤＬＣ膜形成を行なえば、混合層厚さをより確実に
１０〜５００Åに制御できるので好ましい。
【００１１】また、上記ＤＬＣ膜の形成に先立って、基
材表面に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択され
る少なくとも１種の元素からなる厚さ１０〜１０００Å
の中間層を形成し、該中間層と非晶質炭素皮膜の界面
に、それら中間層構成元素とＤＬＣ膜構成元素とからな
る厚さ１０〜５００Åの混合層を形成する方法を採用す
れば、適正厚さの中間層と混合層の存在によってＤＬＣ
膜の密着性を一段と高めることができるので好ましい。
材表面に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択され
る少なくとも１種の元素からなる厚さ１０〜１０００Å
の中間層を形成し、該中間層と非晶質炭素皮膜の界面
に、それら中間層構成元素とＤＬＣ膜構成元素とからな
る厚さ１０〜５００Åの混合層を形成する方法を採用す
れば、適正厚さの中間層と混合層の存在によってＤＬＣ
膜の密着性を一段と高めることができるので好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明においては、まずＤＬＣ皮
膜の形成にＡＩＰ法を採用することを必須とする。
膜の形成にＡＩＰ法を採用することを必須とする。
【００１３】前述の如くＡＩＰ法では、イオンビーム法
やプラズマＣＶＤ法に比べて成膜速度が早くて工業生産
に適している。そして、ＤＬＣ膜の硬度や摺動特性等は
皮膜中の水素量に大きく依存することが知られている
が、上記イオンビーム法やプラズマＣＶＤ法では、原料
としてメタンやベンゼンなどの炭化水素ガスを使用する
ため皮膜内への水素の混入が避けられず、皮膜の機械的
特性の制御が困難である。これに対しＡＩＰ法では、固
体の炭素を蒸発源として使用するため原理的に水素を含
まない皮膜の形成が可能であり、或いは、処理系内に水
素或いは上記の様な炭化水素ガスを導入することで、皮
膜中の水素量を自在に制御することができ、様々な機械
的特性の皮膜を得ることができる。
やプラズマＣＶＤ法に比べて成膜速度が早くて工業生産
に適している。そして、ＤＬＣ膜の硬度や摺動特性等は
皮膜中の水素量に大きく依存することが知られている
が、上記イオンビーム法やプラズマＣＶＤ法では、原料
としてメタンやベンゼンなどの炭化水素ガスを使用する
ため皮膜内への水素の混入が避けられず、皮膜の機械的
特性の制御が困難である。これに対しＡＩＰ法では、固
体の炭素を蒸発源として使用するため原理的に水素を含
まない皮膜の形成が可能であり、或いは、処理系内に水
素或いは上記の様な炭化水素ガスを導入することで、皮
膜中の水素量を自在に制御することができ、様々な機械
的特性の皮膜を得ることができる。
【００１４】次に、上記ＤＬＣ膜形成工程で、ＤＬＣ膜
と基材との界面に形成されるＤＬＣ膜構成元素と基材構
成元素とからなる混合層は、密着性向上の目的を果たす
ため肉厚を１０Å以上にすることが必要である。
と基材との界面に形成されるＤＬＣ膜構成元素と基材構
成元素とからなる混合層は、密着性向上の目的を果たす
ため肉厚を１０Å以上にすることが必要である。
【００１５】ちなみに、金属皮膜あるいはＴｉＮの如く
メタリックな性格を有する皮膜の場合は、基材金属との
間に金属結合が生じることによって皮膜の密着性が高め
られる。これに対しＤＬＣ膜の場合は、皮膜そのものが
化学的に不活性であるため他物質と結合し難く、基材上
に単純にＤＬＣ膜を成膜しただけでは、満足のいく密着
性が得られない。そこで本発明では、基体とＤＬＣ膜と
の界面にＤＬＣ膜構成元素と基材構成元素とからなる混
合層を設けることで密着性の向上を図るものであり、該
混合層による密着性向上効果を有効に発揮させるには、
該混合層の厚みを１０Å以上とすることが必須となる。
メタリックな性格を有する皮膜の場合は、基材金属との
間に金属結合が生じることによって皮膜の密着性が高め
られる。これに対しＤＬＣ膜の場合は、皮膜そのものが
化学的に不活性であるため他物質と結合し難く、基材上
に単純にＤＬＣ膜を成膜しただけでは、満足のいく密着
性が得られない。そこで本発明では、基体とＤＬＣ膜と
の界面にＤＬＣ膜構成元素と基材構成元素とからなる混
合層を設けることで密着性の向上を図るものであり、該
混合層による密着性向上効果を有効に発揮させるには、
該混合層の厚みを１０Å以上とすることが必須となる。
【００１６】混合層厚さの上限は、密着性向上という観
点からすると特に制限されないが、該密着性向上効果は
約５００Åで飽和してそれ以上の向上は望めず、却って
成膜時間の延長といった不利益を招くので、５００Å以
下に抑えることが望ましい。密着性向上と経済性の双方
を考慮してより好ましい混合層の厚さは２０Å以上、更
に好ましくは３０Å以上で、３５０Å以下、より好まし
くは２５０Å以下である。
点からすると特に制限されないが、該密着性向上効果は
約５００Åで飽和してそれ以上の向上は望めず、却って
成膜時間の延長といった不利益を招くので、５００Å以
下に抑えることが望ましい。密着性向上と経済性の双方
を考慮してより好ましい混合層の厚さは２０Å以上、更
に好ましくは３０Å以上で、３５０Å以下、より好まし
くは２５０Å以下である。
【００１７】上記混合層の形成法は、ＤＬＣ膜の形成と
同時に基体と同一の元素を同時蒸着する方法、ＤＬＣ膜
形成後にＡｒ等の不活性ガスイオンビームにより界面を
ミキシングする方法、あるいは、ＤＬＣ膜形成時に高エ
ネルギーでイオンを注入する方法等を採用できる。
同時に基体と同一の元素を同時蒸着する方法、ＤＬＣ膜
形成後にＡｒ等の不活性ガスイオンビームにより界面を
ミキシングする方法、あるいは、ＤＬＣ膜形成時に高エ
ネルギーでイオンを注入する方法等を採用できる。
【００１８】尚、従来技術で説明した中間層の形成法
は、基本的にはＴｉ、Ｃｒの如くＤＬＣ皮膜の主たる構
成元素であるＣに対し高い反応性をもった元素を使用し
て密着性を高める方法であるが、界面における混合層の
存在は記載されておらず、単純に中間層を形成しただけ
では密着性の飛躍的向上は望めない。
は、基本的にはＴｉ、Ｃｒの如くＤＬＣ皮膜の主たる構
成元素であるＣに対し高い反応性をもった元素を使用し
て密着性を高める方法であるが、界面における混合層の
存在は記載されておらず、単純に中間層を形成しただけ
では密着性の飛躍的向上は望めない。
【００１９】上記厚さの混合層を基材とＤＬＣ膜の界面
にうまく形成するには、ＤＬＣ膜形成時における基板へ
の印加電圧を−４００Ｖ以上、より好ましくは−５００
Ｖ以上で、−５０００Ｖ以下、より好ましくは−３００
０Ｖ以下、真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下、より好ましく
は５ｍｔｏｒｒ以下に設定することが望ましく、印加電
圧が−４００Ｖ未満では、入射するイオンのエネルギー
が低いため十分な厚みの混合層が形成され難く、密着性
の向上が期待できない。一方、印加電圧が−５０００Ｖ
を超えると、入射するイオンのエネルギーが高過ぎるた
めイオンの大多数が基材内部にまで注入されてしまうた
め、その上にＤＬＣ膜を形成しても十分な密着性が得ら
れがたくなる。しかも入射エネルギーが高過ぎると、基
体の温度上昇が著しくなってＤＬＣ膜の特性が劣化する
傾向も現れてくるので、印加電圧は−５０００Ｖ以下に
抑えることが望ましい。
にうまく形成するには、ＤＬＣ膜形成時における基板へ
の印加電圧を−４００Ｖ以上、より好ましくは−５００
Ｖ以上で、−５０００Ｖ以下、より好ましくは−３００
０Ｖ以下、真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下、より好ましく
は５ｍｔｏｒｒ以下に設定することが望ましく、印加電
圧が−４００Ｖ未満では、入射するイオンのエネルギー
が低いため十分な厚みの混合層が形成され難く、密着性
の向上が期待できない。一方、印加電圧が−５０００Ｖ
を超えると、入射するイオンのエネルギーが高過ぎるた
めイオンの大多数が基材内部にまで注入されてしまうた
め、その上にＤＬＣ膜を形成しても十分な密着性が得ら
れがたくなる。しかも入射エネルギーが高過ぎると、基
体の温度上昇が著しくなってＤＬＣ膜の特性が劣化する
傾向も現れてくるので、印加電圧は−５０００Ｖ以下に
抑えることが望ましい。
【００２０】またＡＩＰ法では、ターゲットをアーク電
流により一瞬のうちに蒸発・イオン化させて基材表面へ
の成膜を行うが、真空度が１０ｍｔｏｒｒを超えると、
飛来するイオン（カーボンイオン）と残留ガスやプロセ
スガスとの衝突によりイオンのエネルギーが減少し、基
板への印加電圧を適正に制御したとしても界面ミキシン
グ層の形成が不十分になる傾向が現れてくるので、成膜
時の真空度は１０ｍｔｏｒｒ以下、より好ましくは５ｍ
ｔｏｒｒ以下にすることが望ましい。
流により一瞬のうちに蒸発・イオン化させて基材表面へ
の成膜を行うが、真空度が１０ｍｔｏｒｒを超えると、
飛来するイオン（カーボンイオン）と残留ガスやプロセ
スガスとの衝突によりイオンのエネルギーが減少し、基
板への印加電圧を適正に制御したとしても界面ミキシン
グ層の形成が不十分になる傾向が現れてくるので、成膜
時の真空度は１０ｍｔｏｒｒ以下、より好ましくは５ｍ
ｔｏｒｒ以下にすることが望ましい。
【００２１】尚、前述した如く特開平7-90553 号公報に
は、ＤＬＣ膜形成後のイオン注入あるいは同時蒸着によ
り混合層を形成する方法が示されているが、前者の方法
では成膜後の後処理を必要とし、また後者の方法では、
ＤＬＣ形成用の蒸着源以外に別の蒸着源を必要とするな
ど、装置や成膜操作が複雑且つ煩雑であるのに対し、本
発明では、印加電圧と真空度を適正に制御するだけでよ
く、比較的簡単な装置および操作で目的を果たすことが
できる。
は、ＤＬＣ膜形成後のイオン注入あるいは同時蒸着によ
り混合層を形成する方法が示されているが、前者の方法
では成膜後の後処理を必要とし、また後者の方法では、
ＤＬＣ形成用の蒸着源以外に別の蒸着源を必要とするな
ど、装置や成膜操作が複雑且つ煩雑であるのに対し、本
発明では、印加電圧と真空度を適正に制御するだけでよ
く、比較的簡単な装置および操作で目的を果たすことが
できる。
【００２２】上記の様にしてＤＬＣ膜を形成するに当た
り、更に好ましいのは、基材界面から厚さ１０Å以上の
範囲は印加電圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１
ｍｔｏｒｒ以下で成膜を行い、その後、印加電圧を−４
００Ｖ以下に抑えて成膜する方法を採用すると、ＤＬＣ
膜の密着性が一段と高められると共に、膜自体の硬度や
摺動特性を含めた機械的特性を高めることができるので
好ましい。
り、更に好ましいのは、基材界面から厚さ１０Å以上の
範囲は印加電圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１
ｍｔｏｒｒ以下で成膜を行い、その後、印加電圧を−４
００Ｖ以下に抑えて成膜する方法を採用すると、ＤＬＣ
膜の密着性が一段と高められると共に、膜自体の硬度や
摺動特性を含めた機械的特性を高めることができるので
好ましい。
【００２３】即ち、前述の如くＤＬＣ膜形成時の条件
を、印加電圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１０
ｍｔｏｒｒ以下に制御することにより、基材とＤＬＣ膜
の界面に適正厚みの混合層が形成されて高密着性のＤＬ
Ｃ膜を形成できるが、成膜時の真空度を１０ｍｔｏｒｒ
以下に維持することの必要上、ＤＬＣ膜内に水素を混入
させて機械的特性を変化させようとする場合でも、系内
に水素ガスやその他の炭化水素ガスを導入することがで
きず、その様な改質が困難になる。また−４００Ｖ以上
の印加電圧領域では、基材の形状にもよるが、比較的小
さい部材に対して長時間成膜を行う際に、基材の温度上
昇が問題になることがある。
を、印加電圧：−４００〜−５０００Ｖ、真空度：１０
ｍｔｏｒｒ以下に制御することにより、基材とＤＬＣ膜
の界面に適正厚みの混合層が形成されて高密着性のＤＬ
Ｃ膜を形成できるが、成膜時の真空度を１０ｍｔｏｒｒ
以下に維持することの必要上、ＤＬＣ膜内に水素を混入
させて機械的特性を変化させようとする場合でも、系内
に水素ガスやその他の炭化水素ガスを導入することがで
きず、その様な改質が困難になる。また−４００Ｖ以上
の印加電圧領域では、基材の形状にもよるが、比較的小
さい部材に対して長時間成膜を行う際に、基材の温度上
昇が問題になることがある。
【００２４】そこで、上記の様な不利益を生じることな
く高密着性を確保するには、密着性の向上に最も大きな
影響を及ぼす成膜初期のみを、真空度：１０ｍｔｏｒｒ
以下、印加電圧：−４００〜−５０００Ｖの好適成膜条
件を採用するのがよい。この条件で形成されるＤＬＣ膜
の厚さは１０〜２０００Åの範囲が望ましく、この範囲
未満では十分な密着性が得られず、それ以上では基材の
温度上昇を生じる恐れが生じてくる。
く高密着性を確保するには、密着性の向上に最も大きな
影響を及ぼす成膜初期のみを、真空度：１０ｍｔｏｒｒ
以下、印加電圧：−４００〜−５０００Ｖの好適成膜条
件を採用するのがよい。この条件で形成されるＤＬＣ膜
の厚さは１０〜２０００Åの範囲が望ましく、この範囲
未満では十分な密着性が得られず、それ以上では基材の
温度上昇を生じる恐れが生じてくる。
【００２５】密着性に最も影響を及ぼす初期混合層を形
成した後は、基板の温度上昇を生じることのない−４０
０Ｖ未満の印加電圧で行えばよいが、印加電圧が低過ぎ
ると、ＤＬＣ膜が硬度不足になる傾向が生じてくるの
で、好ましくは印加電圧を−１００〜−３００Ｖ程度の
範囲内で制御することが望ましい。また、この時の真空
度が高過ぎると、やはりイオンのガスによる散乱が生じ
るため２０ｍｔｏｒｒ以下に抑えるのがよい。
成した後は、基板の温度上昇を生じることのない−４０
０Ｖ未満の印加電圧で行えばよいが、印加電圧が低過ぎ
ると、ＤＬＣ膜が硬度不足になる傾向が生じてくるの
で、好ましくは印加電圧を−１００〜−３００Ｖ程度の
範囲内で制御することが望ましい。また、この時の真空
度が高過ぎると、やはりイオンのガスによる散乱が生じ
るため２０ｍｔｏｒｒ以下に抑えるのがよい。
【００２６】上記ＤＬＣ膜の形成に当たっては、基体と
ＤＬＣ膜との間に、更にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群
から選択される１種以上の元素からなる厚さ１０Å以上
の中間層を形成してやれば、ＤＬＣ膜の密着力を更に向
上させることができるので好ましい。
ＤＬＣ膜との間に、更にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群
から選択される１種以上の元素からなる厚さ１０Å以上
の中間層を形成してやれば、ＤＬＣ膜の密着力を更に向
上させることができるので好ましい。
【００２７】尚これらの元素を中間層として形成するこ
とによってＤＬＣ膜の密着性が高められることは既に公
知であるが、該中間層を形成した後に、前述した方法で
中間層構成元素とＤＬＣ膜構成元素との混合層を形成し
てやれば、ＤＬＣ膜の密着性は更に向上する。該中間層
の厚みは１０〜５００Åの範囲が望ましく、それ未満の
厚さでは密着性向上効果が有為に発揮されず、また５０
０Åを超えて中間層を厚くしてもそれ以上の密着力向上
効果は得られず、むしろ皮膜全体の硬度が低下するなど
の不利益が生じてくる。該中間層のより好ましい厚さは
２０Å以上、更に好ましくは３０Å以上で、４００Å以
下、更に好ましくは３００Å以下である。
とによってＤＬＣ膜の密着性が高められることは既に公
知であるが、該中間層を形成した後に、前述した方法で
中間層構成元素とＤＬＣ膜構成元素との混合層を形成し
てやれば、ＤＬＣ膜の密着性は更に向上する。該中間層
の厚みは１０〜５００Åの範囲が望ましく、それ未満の
厚さでは密着性向上効果が有為に発揮されず、また５０
０Åを超えて中間層を厚くしてもそれ以上の密着力向上
効果は得られず、むしろ皮膜全体の硬度が低下するなど
の不利益が生じてくる。該中間層のより好ましい厚さは
２０Å以上、更に好ましくは３０Å以上で、４００Å以
下、更に好ましくは３００Å以下である。
【００２８】この時、中間層とＤＬＣ膜界面に形成され
る混合層は、中間層構成元素と基材への印加電圧によっ
て変わるが、やはり１０Å未満では満足な密着性向上効
果が得られず、またその効果は約５００Åで飽和するの
で、それ以上に厚くすることは無駄であるばかりでな
く、前記と同様にＤＬＣ膜の熱変質などを生じる恐れも
でてくる。
る混合層は、中間層構成元素と基材への印加電圧によっ
て変わるが、やはり１０Å未満では満足な密着性向上効
果が得られず、またその効果は約５００Åで飽和するの
で、それ以上に厚くすることは無駄であるばかりでな
く、前記と同様にＤＬＣ膜の熱変質などを生じる恐れも
でてくる。
【００２９】なお、本発明においてＤＬＣ膜の下部に形
成される混合層は非晶質構造であることが望ましく、そ
の理由は次の通りである。
成される混合層は非晶質構造であることが望ましく、そ
の理由は次の通りである。
【００３０】即ち混合層は、ＤＬＣ膜の主な元素である
Ｃと下地元素（Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ等）との混合物として形
成されるが、該混合物が結晶質である場合と非晶質構造
を有する場合についてＤＬＣ膜の密着力を比較したとこ
ろ、該混合層が非晶質構造を有する場合においてより高
い密着力が得られることが判明した。その理由は必ずし
も明確にされた訳ではないが、ＤＬＣ膜に外力が加わっ
たときに、混合層が結晶質である場合は結晶粒の粒界か
ら亀裂が生じ、密着力が低くなるのに対し、混合層が非
晶質構造である場合は、亀裂の起点とな結晶粒界が存在
しないため亀裂を生じることがなく、より高い密着性を
示すものと考えている。
Ｃと下地元素（Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ等）との混合物として形
成されるが、該混合物が結晶質である場合と非晶質構造
を有する場合についてＤＬＣ膜の密着力を比較したとこ
ろ、該混合層が非晶質構造を有する場合においてより高
い密着力が得られることが判明した。その理由は必ずし
も明確にされた訳ではないが、ＤＬＣ膜に外力が加わっ
たときに、混合層が結晶質である場合は結晶粒の粒界か
ら亀裂が生じ、密着力が低くなるのに対し、混合層が非
晶質構造である場合は、亀裂の起点とな結晶粒界が存在
しないため亀裂を生じることがなく、より高い密着性を
示すものと考えている。
【００３１】本発明は以上の様に構成されており、金属
またはセラミックスよりなる基材の表面に良質のＤＬＣ
膜を高密着性で形成できるので、例えば、切削工具、塑
性加工用治具、摺動部品などの如き様々の耐摩耗性摺動
部材として極めて有効に活用できる。
またはセラミックスよりなる基材の表面に良質のＤＬＣ
膜を高密着性で形成できるので、例えば、切削工具、塑
性加工用治具、摺動部品などの如き様々の耐摩耗性摺動
部材として極めて有効に活用できる。
【００３２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明の構成と作用効
果をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実
施例によって制限されるものではなく、前・後記の趣旨
に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも
可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包
含される。
果をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実
施例によって制限されるものではなく、前・後記の趣旨
に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも
可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包
含される。
【００３３】実施例 実施例として、鏡面研磨したＪＩＳ−ＳＫＤ１１（ＨＲ
Ｃ６０）または超硬合金（三菱マテリアル社製「ＵＴｉ
２０Ｔ」）を基材として使用し、これら基材の表面にＤ
ＬＣ膜を形成した場合の密着力を比較した場合について
説明する。
Ｃ６０）または超硬合金（三菱マテリアル社製「ＵＴｉ
２０Ｔ」）を基材として使用し、これら基材の表面にＤ
ＬＣ膜を形成した場合の密着力を比較した場合について
説明する。
【００３４】なお密着力の測定は、供試材に、先端半径
２００μｍのダイヤモンドロックウエル圧子を、荷重を
徐々に増加させながら押し付けてスクラッチ試験を行
い、ＤＬＣ膜が剥離するときの荷重によって評価した。
荷重増加速度は１００Ｎ／分、圧子の移動速度は１０ｍ
ｍ／分とした。また、混合層の厚みはＴＥＭによる断面
観察によって求めた。
２００μｍのダイヤモンドロックウエル圧子を、荷重を
徐々に増加させながら押し付けてスクラッチ試験を行
い、ＤＬＣ膜が剥離するときの荷重によって評価した。
荷重増加速度は１００Ｎ／分、圧子の移動速度は１０ｍ
ｍ／分とした。また、混合層の厚みはＴＥＭによる断面
観察によって求めた。
【００３５】ＤＬＣ膜の形成にはカソード放電型アーク
イオンプレーティング装置を使用し、アーク電流を６０
Ａ一定、基板バイアスを０〜−５０００Ｖの範囲で変化
させ、場合によっては真空度調整のためチャンバー内に
メタンガスを供給しつつ成膜を行った。
イオンプレーティング装置を使用し、アーク電流を６０
Ａ一定、基板バイアスを０〜−５０００Ｖの範囲で変化
させ、場合によっては真空度調整のためチャンバー内に
メタンガスを供給しつつ成膜を行った。
【００３６】また比較例として、ＳＫＤ１１または超硬
合金（同前）よりなる基材上に、メタンガスを原料とし
イオンビーム法によってＤＬＣ膜を形成した。イオン源
としてはカウフマン型イオン源を用い、膜厚は約１μｍ
となる様に調整した。また同じ方法で、中間層としてＴ
ｉ、Ｗ、Ｃｒを形成したものも作製した。
合金（同前）よりなる基材上に、メタンガスを原料とし
イオンビーム法によってＤＬＣ膜を形成した。イオン源
としてはカウフマン型イオン源を用い、膜厚は約１μｍ
となる様に調整した。また同じ方法で、中間層としてＴ
ｉ、Ｗ、Ｃｒを形成したものも作製した。
【００３７】比較例の密着力を測定したところ、中間層
のないものは超硬／ＳＫＤ１１共に２０Ｎであり、中間
層を形成したものは、中間層種類によらず３０Ｎの密着
力を示した。結果を図１〜８に示す。
のないものは超硬／ＳＫＤ１１共に２０Ｎであり、中間
層を形成したものは、中間層種類によらず３０Ｎの密着
力を示した。結果を図１〜８に示す。
【００３８】図１：基材としてＳＫＤ１１または超硬合
金（同前）を使用し、成膜時の真空度を１ｍｔｏｒｒ一
定で、基板電圧を０〜−１００００Ｖの範囲で変えるこ
とにより混合層厚みを種々変えたものについて、混合層
厚み（Å）と密着力の関係を示している。図中、○印は
基材として「ＳＫＤ１１」を使用した場合、●は基材と
して「超硬合金」を使用した場合を示している。
金（同前）を使用し、成膜時の真空度を１ｍｔｏｒｒ一
定で、基板電圧を０〜−１００００Ｖの範囲で変えるこ
とにより混合層厚みを種々変えたものについて、混合層
厚み（Å）と密着力の関係を示している。図中、○印は
基材として「ＳＫＤ１１」を使用した場合、●は基材と
して「超硬合金」を使用した場合を示している。
【００３９】この図からも明らかである様に、ＤＬＣ膜
の基材に対する密着性は混合層厚みを１０Å以上にする
ことによって著しく高まることを確認できる。
の基材に対する密着性は混合層厚みを１０Å以上にする
ことによって著しく高まることを確認できる。
【００４０】図２：同じく基材としてＳＫＤ１１（○
印）または超硬合金（同前：●印）を使用し、成膜時の
真空度を１ｍｔｏｒｒ一定で、基板電圧を０〜−１００
００Ｖの範囲で変えて混合層を形成したものについて、
基板電圧（Ｖ）と密着力の関係を示している。
印）または超硬合金（同前：●印）を使用し、成膜時の
真空度を１ｍｔｏｒｒ一定で、基板電圧を０〜−１００
００Ｖの範囲で変えて混合層を形成したものについて、
基板電圧（Ｖ）と密着力の関係を示している。
【００４１】この図からも明らかである様に、ＤＬＣ膜
を成膜する際の基板電圧を−４００〜−５０００Ｖの範
囲に設定することにより、基材に対する密着性は著しく
高まることを確認できる。しかし、基板電圧が−５００
０Ｖを超えると、基材の明らかな温度上昇が認められ、
ＤＬＣ膜の形成が進まなかった。
を成膜する際の基板電圧を−４００〜−５０００Ｖの範
囲に設定することにより、基材に対する密着性は著しく
高まることを確認できる。しかし、基板電圧が−５００
０Ｖを超えると、基材の明らかな温度上昇が認められ、
ＤＬＣ膜の形成が進まなかった。
【００４２】図３：同じく基材としてＳＫＤ１１（○
印）または超硬合金（同前：●印）を使用し、成膜時の
基板電圧を−１０００Ｖ一定で、真空度を０．０１ｍｔ
ｏｒｒ〜２０ｍｔｏｒｒの範囲で変えて混合層を形成し
たものについて、真空度と密着力の関係を示している。
印）または超硬合金（同前：●印）を使用し、成膜時の
基板電圧を−１０００Ｖ一定で、真空度を０．０１ｍｔ
ｏｒｒ〜２０ｍｔｏｒｒの範囲で変えて混合層を形成し
たものについて、真空度と密着力の関係を示している。
【００４３】この図からも明らかである様に、ＤＬＣ膜
を成膜する際の真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下に制御する
ことにより、基材に対する密着性は著しく高まることを
確認できる。
を成膜する際の真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下に制御する
ことにより、基材に対する密着性は著しく高まることを
確認できる。
【００４４】図４：成膜の初期に基板電圧−１０００Ｖ
をかけてＤＬＣ膜厚みを５〜２０００Åの範囲で変化さ
せ、その上に−３００Ｖで約１μｍの膜形成を行なった
ときの密着力に与える影響を調べた結果を示したグラフ
である。この結果から、密着力は初期の基板電圧−１０
００Ｖで形成したときの膜厚に依存し、本発明によれば
比較例よりも明らかに高い密着力を有していることが分
かる。
をかけてＤＬＣ膜厚みを５〜２０００Åの範囲で変化さ
せ、その上に−３００Ｖで約１μｍの膜形成を行なった
ときの密着力に与える影響を調べた結果を示したグラフ
である。この結果から、密着力は初期の基板電圧−１０
００Ｖで形成したときの膜厚に依存し、本発明によれば
比較例よりも明らかに高い密着力を有していることが分
かる。
【００４５】図５〜８：成膜時の基板電圧を−１０００
Ｖ、真空度を１ｍｔｏｒｒとし、ＳＫＤ１１（○印）ま
たは超硬合金（同前：●印）よりなる基材上に、Ｔｉま
たはＷよりなる中間層を５〜２０００Åの範囲で形成し
た後、その上にＤＬＣ膜を形成したもののについて、中
間層厚さと密着力の関係を図５，６に示している。
Ｖ、真空度を１ｍｔｏｒｒとし、ＳＫＤ１１（○印）ま
たは超硬合金（同前：●印）よりなる基材上に、Ｔｉま
たはＷよりなる中間層を５〜２０００Åの範囲で形成し
た後、その上にＤＬＣ膜を形成したもののについて、中
間層厚さと密着力の関係を図５，６に示している。
【００４６】これらの図からも明らかである様に、中間
層を形成した場合は、その厚みを１０Å以上とすること
により、比較例よりも優れた密着性が得られている。こ
の挙動は下地層の種類には殆ど関わりなく、Ｔｉ，Ｗ以
外に、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ、Ｓｉ、Ａｌを使用した場合でも殆ど変わらないこと
を確認している。
層を形成した場合は、その厚みを１０Å以上とすること
により、比較例よりも優れた密着性が得られている。こ
の挙動は下地層の種類には殆ど関わりなく、Ｔｉ，Ｗ以
外に、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ、Ｓｉ、Ａｌを使用した場合でも殆ど変わらないこと
を確認している。
【００４７】また、図７，８は、中間層とＤＬＣ膜の界
面に形成される混合層の厚みが密着性に及ぼす影響を示
したグラフであり、この場合も、混合層厚みを１０Å以
上とすることにより密着性を著しく高め得ることが分か
る。
面に形成される混合層の厚みが密着性に及ぼす影響を示
したグラフであり、この場合も、混合層厚みを１０Å以
上とすることにより密着性を著しく高め得ることが分か
る。
【００４８】また、ＳＫＤ１１または超硬合金よりなる
基材上に、Ｔｉよりなる中間層を厚さ５００Åで形成
し、その上に、基板電圧：−１０００Ｖ、真空度：１ｍ
ｔｏｒｒでＤＬＣ膜を形成し、このときの基材温度を１
００℃または３００℃に変えることにより、Ｔｉ層−Ｄ
ＬＣ膜間に形成される混合層の結晶性と密着力の関係を
調べた。
基材上に、Ｔｉよりなる中間層を厚さ５００Åで形成
し、その上に、基板電圧：−１０００Ｖ、真空度：１ｍ
ｔｏｒｒでＤＬＣ膜を形成し、このときの基材温度を１
００℃または３００℃に変えることにより、Ｔｉ層−Ｄ
ＬＣ膜間に形成される混合層の結晶性と密着力の関係を
調べた。
【００４９】その結果、基材温度を１００℃に設定した
ときに形成される混合層は非晶質であり密着力は１００
Ｎであったのに対し、基板温度を３００℃に設定したと
きに形成される混合層には結晶質のＴｉＣ化合物が検出
され、密着力は５０Ｎでかなり低くなることが確認され
た。
ときに形成される混合層は非晶質であり密着力は１００
Ｎであったのに対し、基板温度を３００℃に設定したと
きに形成される混合層には結晶質のＴｉＣ化合物が検出
され、密着力は５０Ｎでかなり低くなることが確認され
た。
【００５０】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、金
属またはセラミックからなる基材を対象とし、その表面
にカソード放電型アークイオンプレーティング法によっ
て特定厚さの混合層を形成する方法を採用することによ
り、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数の
ＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材として耐久寿命
の著しく改善された硬質皮膜形成材を製造し得ることに
なった。
属またはセラミックからなる基材を対象とし、その表面
にカソード放電型アークイオンプレーティング法によっ
て特定厚さの混合層を形成する方法を採用することによ
り、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数の
ＤＬＣ膜を密着性よく形成し、摺動部材として耐久寿命
の著しく改善された硬質皮膜形成材を製造し得ることに
なった。
【図１】成膜時の真空度を一定とし、基板電圧を変える
ことにより混合層厚みを種々変えたものについて、混合
層厚み（Å）と密着力の関係を示すグラフである。
ことにより混合層厚みを種々変えたものについて、混合
層厚み（Å）と密着力の関係を示すグラフである。
【図２】成膜時の真空度を一定とし、基板電圧を変えて
混合層を形成したものについて、基板電圧（Ｖ）と密着
力の関係を示すグラフである。
混合層を形成したものについて、基板電圧（Ｖ）と密着
力の関係を示すグラフである。
【図３】成膜時の基板電圧を一定とし、真空度を変えて
混合層を形成したものについて、真空度と密着力の関係
を示すグラフである。
混合層を形成したものについて、真空度と密着力の関係
を示すグラフである。
【図４】成膜の初期に高い基板電圧でＤＬＣ膜厚を形成
し、その上に比較的低い基板電圧で膜形成を行なったと
きの密着力に与える影響を調べた結果を示すグラフであ
る。
し、その上に比較的低い基板電圧で膜形成を行なったと
きの密着力に与える影響を調べた結果を示すグラフであ
る。
【図５】Ｔｉよりなる中間層を形成したときの中間層厚
みが密着力に与える影響を示したグラフである。
みが密着力に与える影響を示したグラフである。
【図６】Ｗよりなる中間層を形成したときの中間層厚み
が密着力に与える影響を示したグラフである。
が密着力に与える影響を示したグラフである。
【図７】Ｔｉよりなる中間層を形成し、その上にＤＬＣ
膜を形成したときの両者の界面に形成される混合層厚み
と密着力の関係を示すグラフである。
膜を形成したときの両者の界面に形成される混合層厚み
と密着力の関係を示すグラフである。
【図８】Ｗからなる中間層を形成し、その上にＤＬＣ膜
を形成したときの両者の界面に形成される混合層厚みと
密着力の関係を示すグラフである。
を形成したときの両者の界面に形成される混合層厚みと
密着力の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA02 AA04 BA02 BA07 BA09 BA11 BA16 BA17 BA34 BA35 BA55 BA64 BB02 BB10 BC00 CA03 DD06 EA01 EA03 EA09
Claims (6)
- 【請求項１】 金属またはセラミックからなる基材の表
面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アー
クイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成す
ると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成
元素と皮膜構成元素とからなる厚さ１０〜５００Åの混
合層を形成することを特徴とする高密着性非晶質炭素皮
膜形成材の製法。 - 【請求項２】 非晶質炭素皮膜形成時の印加電圧を−４
００〜−５０００Ｖ、真空度を１０ｍｔｏｒｒ以下に制
御する請求項１に記載の製法。 - 【請求項３】 上記非晶質炭素皮膜形成時において、基
材界面から少なくとも厚さ１０Åまでは、印加電圧：−
４００〜−５０００Ｖ、真空度：１ｍｔｏｒｒ以下で皮
膜形成を行い、その後は−４００Ｖ未満の印加電圧で皮
膜形成を行う請求項１に記載の製法。 - 【請求項４】 非晶質炭素皮膜の形成に先立って、基材
表面に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択される
少なくとも１種の元素からなる厚さ１０〜１０００Åの
中間層を形成し、該中間層と非晶質炭素皮膜の界面に、
それら中間層構成元素と非晶質炭素皮膜構成元素とから
なる厚さ１０〜５００Åの混合層を形成する請求項１〜
３のいずれかに記載の製法。 - 【請求項５】 前記混合層が非晶質構造である請求項１
〜４のいずれかに記載の製法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の方法に
よって製造したものである高密着性炭素皮膜形成材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25729898A JP2000087218A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 高密着性炭素皮膜形成材及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25729898A JP2000087218A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 高密着性炭素皮膜形成材及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087218A true JP2000087218A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17304431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25729898A Pending JP2000087218A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 高密着性炭素皮膜形成材及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000087218A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006009991A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 摺動部材、ディスクバルブ及びそれを用いた混合栓 |
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| US7572200B2 (en) * | 2003-08-13 | 2009-08-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Chain drive system |
| US8575076B2 (en) | 2003-08-08 | 2013-11-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Sliding member and production process thereof |
| US9217195B2 (en) | 2011-04-20 | 2015-12-22 | Ntn Corporation | Amorphous carbon film and method for forming same |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP25729898A patent/JP2000087218A/ja active Pending
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