JP3784438B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFET(etal nsulator emiconductor ield ffect ransistor)を塔載する半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路装置において、支持基板上に基板絶縁膜を介在して半導体層が形成された所謂SOI(ilicon n nsulator)構造の半導体基体を使用し、この半導体基体の素子形成領域に絶縁膜で周囲を規定された島領域を形成し、素子形成領域間を絶縁分離する分離技術の検討が行なわれている。例えば、特願平4−145192号には、支持基板と半導体層との間に形成された基板絶縁膜、半導体基体の素子間分離領域の主面に形成されたフィールド絶縁膜、フィールド絶縁膜から基板絶縁膜に到達する分離溝内に埋め込まれた埋込絶縁膜の夫々で島領域の周囲を規定し、素子形成領域間を絶縁分離する分離技術(1)が開示されている。また、日本・エス・エス・ティ株式会社発行のソリッド・ステート・テクノロジィ/日本版(January 1991/Solid State Technology/日本版)、「高速サブミクロンCOMS技術のための極薄膜SOI」、第26頁乃至第32頁には、支持基板と半導体層との間に形成された基板絶縁膜、半導体基体の素子間分離領域の主面に形成され、かつ基板絶縁膜にその下部が接触されたフィールド絶縁膜の夫々で島領域の周囲を規定し、素子形成領域間を絶縁分離する分離技術(2)が開示されている。これらの分離技術は、素子形成領域間を完全に絶縁分離することができるので、半導体集積回路装置の低消費電力化や動作速度の高速化を図ることができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者が開発中の半導体集積回路装置はMISFETを塔載する。MISFETは半導体基体の素子形成領域の主面に形成され、そのチャネル形成領域は素子形成領域に形成されたウエル領域で構成される。
【0004】
前記MISFETのチャネル形成領域は、しきい値電圧の安定化を図る目的として電位固定される。例えば、MISFETの動作電位の範囲が0〜+5[V]の場合、pチャネルMISFETのチャネル形成領域は+5[V]以上の正電位に電位固定され、nチャネルMISFETのチャネル形成領域は0[V]以下の負電位に電位固定される。
【0005】
前記MISFETのチャネル形成領域の電位固定は、通常、チャネル形成領域であるウエル領域に電気的に接続された給電用コンタクト領域を介して供給される固定電位によって行なわれる。給電用コンタクト領域は、ウエル領域と同一導電型の半導体領域で構成され、複数個のMISFETの夫々のチャネル形成領域と電気的に接続されている。
【0006】
しかしながら、前述の分離技術(1)で半導体基体の素子形成領域の主面に島領域を形成した場合、ウエル領域が島領域毎に分割されてしまうので、島領域毎に給電用コンタクト領域を設けなければならない。このため、給電用コンタクト領域の占有面積に相当する分、島領域の平面サイズが増加し、半導体集積回路装置の集積度が低下する。
【0007】
また、前述の分離技術(2)で半導体基体の素子形成領域の主面に島領域を形成した場合、ウエル領域の平面サイズがフィールド絶縁膜で規定されてしまうので、島領域に給電用コンタクト領域を設けることができない。このため、MISFETのチャネル形成領域に固定電位を供給することができないので、MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることができない。
【0008】
本発明の目的は、半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置において、前記島領域の平面サイズの縮小化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【0009】
本発明の他の目的は、半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置において、前記島領域の平面サイズの縮小化を図ると共に、前記MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【0010】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0012】
半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETのソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域を配置する。
【0013】
上述した手段によれば、MISFETの占有面積でそのチャネル形成領域に電気的に接続される給電用コンタクト領域の占有面積を相殺することができるので、この給電用コンタクト領域の占有面積に相当する分、島領域の平面サイズの縮小化を図ることができる。
【0014】
また、島領域の素子形成領域の主面の他部の領域にMISFETのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域を設けたので、MISFETのチャネル形成領域に給電用コンタクト領域を介して固定電位を供給することができ、MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成について、実施形態とともに説明する。
なお、実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0016】
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1である半導体集積回路装置の論理回路部に塔載されるインバータ回路の等価回路図であり、図2は、前記半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図であり、図3は図2に示すA−A線の位置で切った断面図であり、図4は図2に示すB−B線の位置で切った断面図である。なお、図2、図3及び図4において、図を見易くするため、後述する配線上は図示を省略している。
【0017】
図1に示すように、半導体集積回路装置の論理回路部に塔載されるインバータ回路は、pチャネルMISFETQpとnチャネルMISFETQnとから成るCMIS(omplementary etal nsulator emicoductor)構成で構成されている。
【0018】
前記pチャネルMISFETQpの一方の半導体領域(ソース領域)は動作電位(例えば+5[V])が印加される動作電位端子Vccに接続され、nチャネルMISFETQnの一方の半導体領域(ソース領域)は基準電位(例えば0[V])が印加される基準電位端子Vssに接続されている。pチャネルMISFETQp及びnチャネルMISFETQnの夫々のゲート電極は信号入力端子Dinに接続され、pチャネルMISFETQp及びnチャネルMISFETQnの夫々の他方の半導体領域(ドレイン領域)は信号出力端子Dinに接続されている。
【0019】
前記pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域は、そのしきい値電圧の安定化を図る目的として、例えば+5[V]電位に電位固定されている。また、前記nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域は、そのしきい値電圧の安定化を図る目的として、例えば0[V]電位に電位固定されている。
【0020】
前記pチャネルMISFETQpは、図2及び図3に示すように、半導体基体1の素子形成領域の主面に形成された島領域3Aの素子形成領域の主面に塔載され、前記nチャネルMISFETQnは、半導体基体1の素子形成領域の主面に形成された島領域3Bの素子形成領域の主面に塔載されている。半導体基体1は、例えば支持基板1A上に基板絶縁膜1Bを介在して半導体層1Cが形成された所謂SOI構造で構成されている。支持基板1Aは例えば単結晶珪素からなるp型半導体基板で形成され、基板絶縁膜1Bは例えば酸化珪素膜で形成され、半導体層1Cは単結晶珪素で形成されている。
【0021】
前記pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域は、島領域3Aに形成されたn型ウエル領域3A1 で構成されている。このpチャネルMISFETQpは、主に、チャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9で構成されている。
【0022】
前記nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域は、島領域3Bに形成されたp型ウエル領域3B1 で構成されている。このnチャネルMISFETQnは、主に、チャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10で構成されている。
【0023】
前記pチャネルMISFETQpのソース領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Aが電気的に接続されている。この配線13Aには動作電位(例えば+5[V])が印加される。pチャネルMISFETQpのドレイン領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。
【0024】
前記nチャネルMISFETQnのソース領域であるn型半導体領域10には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Cが電気的に接続されている。この配線13Cには基準電位(例えば0[V])が印加される。nチャネルMISFETQnのドレイン領域であるn型半導体領域10には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。この配線13Bはインバータ回路の出力信号端子(Dout)に接続される。
【0025】
前記pチャネルMISFETQp及びnチャネルMISFETQnの夫々のゲート電極5は、図2に示す配線13Dを介して互いに電気的に接続されている。この配線13Dはインバータ回路の出力信号端子(Din)に接続される。
【0026】
前記pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 には、図4に示すように、給電用コンタクト領域10Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域10Aには層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Aが電気的に接続されている。つまり、pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域は、給電用コンタクト領域10Aを介して供給される動作電位に電位固定される。給電用コンタクト領域10Aは、pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 と同一導電型のn型半導体領域10で構成され、pチャネルMISFETQpのソース領域側に配置されている。
【0027】
前記nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 には、図4に示すように、給電用コンタクト領域9Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域9Aには層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Cが電気的に接続されている。つまり、nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域は、給電用コンタクト領域9Aを介して供給される動作電位に電位固定される。給電用コンタクト領域9Aは、nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 と同一導電型のp型半導体領域9で構成され、nチャネルMISFETQnのソース領域側に配置されている。
【0028】
前記島領域3Aは、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域上に形成されたフィールド絶縁膜2A、フィールド絶縁膜2Aから基板絶縁膜1Bに到達する分離溝2B内に埋め込まれた埋込絶縁膜2Cの夫々で周囲を規定され、島領域3B並びに他の領域と絶縁分離されている。前記島領域3Bは、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域上に形成されたフィールド絶縁膜2A、フィールド絶縁膜2Aから基板絶縁膜1Bに到達する分離溝2B内に埋め込まれた埋込絶縁膜2Cの夫々で周囲を規定され、島領域3A並びに他の領域と絶縁分離されている。つまり、本実施形態の半導体集積回路装置は、SOI構造の半導体基体1を使用し、この半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2A、埋込絶縁膜2Cの夫々で周囲を規定された島領域を形成し、素子形成領域間を絶縁分離している。
【0029】
前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域には、図3に示すように、pチャネルMISFETQpのソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域9が配置されている。また、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域には、図4に示すように、pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2A、埋込絶縁膜2Cの夫々で絶縁分離された島領域3Aの素子形成領域の主面には、pチャネルMISFETQpのソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9が配置されていると共に、pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。
【0030】
前記島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域には、図3に示すように、nチャネルMISFETQnのソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域10が配置されている。また、島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域には、図4に示すように、nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2A、埋込絶縁膜2Cの夫々で絶縁分離された島領域3Bの素子形成領域の主面には、nチャネルMISFETQnのソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10が配置されていると共に、nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。
【0031】
次に、前記インバータ回路を塔載する半導体集積回路装置の製造方法について、図5乃至図8(製造方法を説明するための要部断面図)を用いて説明する。
【0032】
まず、支持基板1A上に基板絶縁膜1Bを介在して半導体層1Cが形成された半導体基体1を用意する。
【0033】
次に、前記半導体層1Cの主面のPMIS形成領域にn型ウエル領域3A1 を選択的に形成すると共に、前記半導体層1Cの主面のNMIS形成領域にp型ウエル領域3B1 を選択的に形成する。
【0034】
次に、前記半導体層1Cの素子間分離領域上に周知の選択酸化法でフィールド絶縁膜2Aを形成する。フィールド絶縁膜2Aは、例えば酸化珪素膜で形成される。
【0035】
次に、前記フィールド絶縁膜2Aから基板絶縁膜1Bに到達する分離溝2Bを形成し、その後、分離溝2B内に例えば酸化珪素膜からなる埋込絶縁膜2Cを形成する。この工程において、半導体基体1の素子形成領域の主面に、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2A、埋込絶縁膜2Cの夫々で周囲を規定された島領域3A、島領域3Bの夫々が形成される。この島領域3A、3Bの夫々は、互いに絶縁分離されると共に、他の領域と絶縁分離される。
【0036】
次に、前記島領域3A、島領域3Bの夫々の素子形成領域の主面上にゲート絶縁膜4を形成する。ゲート絶縁膜4は例えば熱酸化珪素膜で形成される。
【0037】
次に、前記島領域3A上のゲート絶縁膜4上にゲート電極5を形成すると共に、前記島領域3B上のゲート絶縁膜4上にゲート電極5を形成する。ゲート電極5は、島領域3A上及び3B上を含む半導体基体1の主面上に例えば不純物が導入された多結晶珪素膜を形成し、この多結晶珪素膜にパターンニングを施すことにより形成される。
【0038】
次に、図5及び図6に示すように、前記半導体基体1の主面上に、島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域上が開口され、かつ島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域を除く他部の領域上が開口されたマスク30を形成する。この工程において、島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域を除く他部の領域上及び島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域上はマスク20で覆われている。マスク30は、例えばホトリソグラフィ技術で形成されたホトレジスト膜で形成される。
【0039】
次に、前記マスク30、フィールド絶縁膜2A及びゲート電極5を不純物導入用マスクとして使用し、島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域及び島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域にp型不純物を例えばイオン打込み法で選択的に導入し、図5に示すように、島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域に、pチャネルMISFETQpのソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9を選択的に形成すると共に、図6に示すように、島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域に、nチャネルMISFETQnのチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続され、かつそのチャネル形成領域と同一導電型で形成される給電用コンタクト領域9A(p型半導体領域9)を選択的に形成する。
【0040】
次に、前記マスク30を除去する。
【0041】
次に、図7及び図8に示すように、前記半導体基体1の主面上に、島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域上が開口され、かつ島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域を除く他部の領域上が開口されたマスク31を形成する。この工程において、島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域を除く他部の領域上及び島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域上はマスク21で覆われている。マスク31は、例えばホトリソグラフィ技術で形成されたホトレジスト膜で形成される。
【0042】
次に、前記マスク31、フィールド絶縁膜2A及びゲート電極5を不純物導入用マスクして使用し、島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域及び島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域にn型不純物を例えばイオン打込み法で選択的に導入し、図7に示すように、島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域に、nチャネルMISFETQnのソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10を選択的に形成すると共に、図8に示すように、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域に、pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続され、かつそのチャネル形成領域と同一導電型で形成される給電用コンタクト領域10A(n型半導体領域10)を選択的に形成する。
【0043】
この工程において、pチャネルMISFETQpの占有面積内にそのチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域10A(n型半導体領域10)を配置することができるので、pチャネルMISFETQpの占有面積でそのチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aの占有面積を相殺することができる。また、nチャネルMISFETQnの占有面積内にそのチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域9A(p型半導体領域9)を配置することができるので、nチャネルMISFETQnの占有面積でそのチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aの占有面積を相殺することができる。
【0044】
次に、前記マスク31を除去する。その後、前記半導体基体1の主面上に層間絶縁膜11を形成し、その後、前記層間絶縁膜11に接続孔12を形成する。
【0045】
次に、前記層間絶縁膜11上に配線13A、配線13B、配線13C、配線13Dの夫々を形成する。この工程により、インバータ回路を塔載する半導体集積回路装置がほぼ完成する。
【0046】
このように、本実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
【0047】
半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2A、埋込絶縁膜2Cの夫々で他の領域と絶縁分離された島領域3Aを形成し、この島領域3Aの素子形成領域の主面にpチャネルMISFETQpを塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域に前記pチャネルMISFETQpのソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域に、前記pチャネルMISFETQpのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10Aを配置する。この構成により、pチャネルMISFETQpの占有面積でそのチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aの占有面積を相殺することができるので、給電用コンタクト領域10Aの占有面積に相当する分、島領域3Aの平面サイズの縮小化を図ることができる。同様に、島領域3Bの平面サイズの縮小化を図ることができる。
【0048】
また、島領域3A及び島領域3Bの夫々の平面サイズの縮小化を図ることができるので、島領域3Aの主面に塔載されるpチャネルMISFETQpと島領域3Bの主面に塔載されるnチャネルMISFETQnとから成るCMIS構成のインバータ回路を塔載する半導体集積回路装置の高集積化を実現することができる。
【0049】
(実施形態2)
図9は本発明の実施形態2である半導体集積回路装置の概略構成を示すチップレイアウト図であり、図10は前記半導体集積回路装置の論理回路部に塔載される2入力NANDゲート回路の等価回路図であり、図11は前記半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図であり、図12は図11に示すC−C線の位置で切った断面図であり、図13は図12に示すD−D線の位置で切った断面図であり、図14は図12に示すE−E線の位置で切った断面図であり、図15は図12に示すF−F線の位置で切った断面図である。なお、図12乃至図16において、図を見易くするため、後述する配線上は図示を省略している。
【0050】
図9に示すように、本実施形態の半導体集積回路装置は、例えば平面が方形状に形成された半導体チップ20を主体に構成されている。半導体チップ20の最外周部分には各辺に沿って配列された複数の外部端子(ボンディングパッド)21及び複数の入出力バッファ回路22が配置されている。入出力バッファ回路22で囲まれた論理回路部には複数個の基本セル23が行列状に配置されている。
【0051】
前記基本セル23は、図10に示すように、例えば2入力NANDゲート回路で構成されている。2入力NANDゲート回路は、pチャネルMISFETQp1、pチャネルMISFETQp2、nチャネルMISFETQn1、pチャネルMISFETQn2の夫々から成るCMIS構成で構成される。
【0052】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々の一方の半導体領域(ソース領域)は、動作電位(例えば+5[V])が印加される動作電位端子Vccに接続されている。pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々の他方の半導体領域(ドレイン領域)は、信号出力端子Dout に接続されると共に、nチャネルMISFETQn1の一方の半導体領域(ソース領域)に接続されている。nチャネルMISFETQn2の他方の半導体領域(ドレイン領域)はnチャネルMISFETQn1の他方の半導体領域(ドレイン領域)に接続されている。nチャネルMISFETQn1の一方の半導体領域(ソース領域)は基準電位(例えば0[V])が印加される基準電位端子Vssに接続されている。
【0053】
前記pチャネルMISFETQp1及びnチャネルMISFETQn2の夫々のゲート電極は信号入力端子Din2に接続されている。pチャネルMISFETQp2及びnチャネルMISFETQn1の夫々のゲート電極は信号入力端子Din1に接続されてる。
【0054】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域は、しきい値電圧の安定化を図る目的として、例えば+5[V]電位に電位固定されている。また、前記nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域は、しきい値電圧の安定化を図る目的として、例えば0[V]電位に電位固定されている。
【0055】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2は、図11及び図13に示すように、半導体基体1の素子形成領域の主面に形成された島領域3Aの素子形成領域の主面に塔載されている。半導体基体1は、前述の実施形態1と同様に、支持基板1A上に基板絶縁膜1Bを介在して半導体層1Cが形成された所謂SOI構造で構成されている。
【0056】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域は、島領域3Aに形成されたn型ウエル領域3A1 で構成されている。このpチャネルMISFETQp1及びQp2は、主に、チャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域6及び一対のp型半導体領域9で構成されている。
【0057】
前記p型半導体領域6の不純物濃度は、p型半導体領域9の不純物濃度に比べて低濃度に設定されている。つまり、本実施形態のpチャネルMISFETQp1及びQp2は、ドレイン領域のチャネル形成領域側の一部の領域がその他の領域の不純物濃度に比べて低い不純物濃度に設定された所謂LDD(ightly oped rain)構造で構成されている。このLDD構造は、ドレイン領域のチャネル形成領域側への拡散量を低減し、チャネル長寸法を確保することができるので、短チャネル効果の発生を抑えることができる。また、LDD構造は、ドレイン領域とチャネル形成領域との間に形成されるpn接合部の不純物濃度分布の勾配を緩和し、この領域に発生する電界強度を弱めることができるので、ホットキャリアの発生量を低減することができる。なお、p型半導体領域6はゲート電極5に対して自己整合で形成され、p型半導体領域9はゲート電極5のゲート長方向の夫々の側壁面上に形成されたサイドウォールスペーサ8に対して自己整合で形成される。
【0058】
前記pチャネルMISFETQp1のドレイン領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。前記pチャネルMISFETQp2のドレイン領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Aが電気的に接続されてる。この配線13Aには、動作電位(例えば+5[V])が印加される。
【0059】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3A1 には、図12に示すように、給電用コンタクト領域10Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域10Aには、層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Aが電気的に接続されている。つまり、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域は給電用コンタクト領域10Aを介して供給される動作電位に電位固定される。給電用コンタクト領域10Aは、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 と同一導電型のn型半導体領域10で構成され、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域側に配置されている。
【0060】
前記nチャネルMISFETQn1及びQn2は、図11及び図14に示すように、半導体基体1の素子形成領域の主面に形成された島領域3Bの素子形成領域の主面に塔載されている。
【0061】
前記nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域は、島領域3Bに形成されたp型ウエル領域3B1 で構成されている。このnチャネルMISFETQn1及びQn2は、主に、チャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域7及び一対のn型半導体領域10で構成されている。
【0062】
前記n型半導体領域7の不純物濃度は、n型半導体領域10の不純物濃度に比べて低濃度に設定されている。つまり、本実施形態のnチャネルMISFETQn1及びQn2は、ドレイン領域のチャネル形成領域側の一部の領域がその他の領域の不純物濃度に比べて低い不純物濃度に設定されたLDD構造で構成されている。なお、n型半導体領域7はゲート電極5に対して自己整合で形成され、n型半導体領域10はゲート電極5のゲート長方向の夫々の側壁面上に形成されたサイドウォールスペーサ8に対して自己整合で形成される。
【0063】
前記nチャネルMISFETQn1のソース領域であるn型半導体領域10には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Cが電気的に接続されている。この配線13Cには基準電位(例えば0[V])が印加される。前記nチャネルMISFETQn2のソース領域であるn型半導体領域10には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。
【0064】
前記nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3B1 には、図15に示すように、給電用コンタクト領域9Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域9Aには、層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Cが電気的に接続されている。つまり、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域は給電用コンタクト領域9Aを介して供給される基準電位に電位固定される。給電用コンタクト領域9Aは、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 と同一導電型のp型半導体領域9で構成され、nチャネルMISFETQn1のソース領域側に配置されている。
【0065】
前記島領域3Aは、図11及び図13に示すように、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域に形成され、かつその下部が基板絶縁膜1Bに接触されたフィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定され、島領域3B並びに他の領域と絶縁分離されている。前記島領域3Bは、図11及び図14に示すように、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域に形成され、かつその下部が基板絶縁膜1Bに接触されたフィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定され、島領域3A並びに他の領域と絶縁分離されている。つまり、本実施形態の半導体集積回路装置は、SOI構造の半導体基体1を使用し、この半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定された島領域を形成し、素子形成領域間を絶縁分離している。なお、n型ウエル領域3A1 、p型ウエル領域3B1 の夫々は島領域毎に分割されている。
【0066】
前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域には、図13に示すように、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(9)及びドレイン領域(9)が配置されている。また、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域には、図12に示すように、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で絶縁分離された島領域3Aの素子形成領域の主面には、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(9)及びドレイン領域(9)が配置されていると共に、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。
【0067】
前記島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域には、図14に示すように、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のソース領域(10)及びドレイン領域(10)が配置されている。また、島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域には、図15に示すように、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で絶縁分離された島領域3Bの素子形成領域の主面には、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のソース領域(10)及びドレイン領域(10)が配置されていると共に、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。
【0068】
このように、本実施形態によれば、以下の作用効果が得られる。
【0069】
半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で他の領域と絶縁分離された島領域3Aを形成し、この島領域3Aの素子形成領域の主面にpチャネルMISFETQp1及びQp2を塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域に前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(p型半導体領域9)及びドレイン領域(p型半導体領域9)を配置し、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域に前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続される給電用コンタクト領域10A(n型半導体領域10)を配置する。この構成により、pチャネルMISFETQp1及びQp2夫々の占有面積でそれらのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10Aの占有面積を相殺することができるので、この給電用コンタクト領域10Aの占有面積に相当する分、島領域3Aの平面サイズの縮小化を図ることができると共に、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域にpチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10Aを設けたので、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域に給電用コンタクト領域10Aを介して固定電位を供給することができ、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のしきい値電圧の安定化を図ることができる。同様に、島領域3Bの平面サイズの縮小化を図ることができると共に、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0070】
また、島領域3A及び島領域3Bの夫々の平面サイズの縮小化を図ることができるので、島領域3Aに塔載されるpチャネルMISFETQp1及びQp2と、島領域3Bに塔載されるnチャネルMISFETQn1及びQn2とから成るCMIS構成の2入力NANDゲート回路を塔載する半導体集積回路装置の高集積化を実現することができる。
【0071】
また、島領域3Aに塔載されるpチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のしきい値電圧の安定化を図ることができると共に、島領域3Bに塔載されるnチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のしきい値電圧の安定化を図ることができるので、これらの半導体素子からなる2入力NANDゲート回路を塔載する半導体集積回路装置の回路性能を高レベルに保つことができる。
【0072】
なお、給電用コンタクト領域9A、給電用コンタクト領域10Aの夫々は、前述の実施形態1で示した給電用コンタクト領域9A、給電用コンタクト領域10Aの夫々と同様の製造プロセスで形成される。
【0073】
(実施形態3)
図16は、本発明の実施形態3である半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図であり、図17は図16に示すG−G線の位置で切った断面図であり、図18は、図16に示すH−H線の位置で切った断面図であり、図18は図16に示すI−I線の位置で切った断面図であり、図19は図16に示すJ−J線の位置で切った断面図であり、図20は図16に示すK−K線の位置で切った断面図である。なお、図16乃至図20において、図を見易くするため、後述する配線上は図示を省略している。
【0074】
本実施形態の半導体集積回路装置の論理回路部には、図16に示すように、基本セル23が配置されている。この基本セル23は、図示していないが、前述の実施形態2と同様に、pチャネルMISFETQp1、pチャネルMISFETQp2、nチャネルMISFETQn1、pチャネルMISFETQn2の夫々から成るCMIS構成の2入力NANDゲート回路で構成されている。
【0075】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2は、図16及び図18に示すように、半導体基体1の素子形成領域の主面に形成された島領域3Aの主面に塔載されている。半導体基体1は、前述の実施形態2と同様に、支持基板1A上に基板絶縁膜1Bを介在して半導体層1Cが形成された所謂SOI構造で構成されている。
【0076】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域は、島領域3Aに形成されたn型ウエル領域3A1 で構成されている。このpチャネルMISFETQp1及びQp2は、主に、チャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9で構成されている。
【0077】
前記nチャネルMISFETQn1及びQn2は、図16及び図19に示すように、半導体基体1の素子形成領域に形成された島領域3Bの主面に塔載されている。
【0078】
前記nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のチャネル形成領域は、島領域3Bに形成されたp型ウエル領域3B1 で構成されている。このnチャネルMISFETQn1及びQn2は、主に、チャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10で構成されている。
【0079】
前記島領域3Aは、図16及び図18に示すように、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域に形成され、かつその下部が基板絶縁膜1Bに接触されたフィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定され、島領域3B並びに他の領域と絶縁分離されている。前記島領域3Bは、図11及び図14に示すように、支持基板1Aと半導体層1Cとの間に形成された基板絶縁膜1B、半導体層1Cの素子間分離領域に形成され、かつその下部が基板絶縁膜1Bに接触されたフィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定され、島領域3A並びに他の領域と絶縁分離されている。つまり、本実施形態の半導体集積回路装置は、SOI構造の半導体基体1を使用し、この半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で周囲を規定された島領域を形成し、素子形成領域間を絶縁分離している。
【0080】
前記pチャネルMISFETQp1のソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9は、図18に示すように、島領域3Aの下部に形成された基板絶縁膜1Bに接触されている。前記pチャネルMISFETQp2のソース領域及びドレイン領域である一対のp型半導体領域9は、島領域3Aの下部に形成された基板絶縁膜1Bに接触されている。つまり、pチャネルMISFETQp1のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 、pチャネルMISFETQp2のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 の夫々は、p型半導体領域9で周囲を規定され、互いに絶縁分離されている。
【0081】
前記nチャネルMISFETQn1のソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10は、図19に示すように、島領域3Bの下部に形成された基板絶縁膜1Bに接触されている。前記nチャネルMISFETQn2のソース領域及びドレイン領域である一対のn型半導体領域10は、島領域3Bの下部に形成された基板絶縁膜1Bに接触されている。つまり、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 の夫々は、n型半導体領域10で周囲を規定され、互いに絶縁分離されている。
【0082】
前記pチャネルMISFETQp1のドレイン領域であるp型半導体領域9には、図16及び図18に示すように、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。前記pチャネルMISFETQp2のドレイン領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域であるp型半導体領域9には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Aが電気的に接続されている。この配線13Aには、動作電位(例えば+5[V])が印加される。
【0083】
前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3A1 には、図17に示すように、給電用コンタクト領域10Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域10Aには、層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Aが電気的に接続されている。つまり、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域は給電用コンタクト領域10Aを介して供給される動作電位に電位固定される。給電用コンタクト領域10Aは、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 と同一導電型のn型半導体領域10で構成され、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域側に配置されている。
【0084】
前記nチャネルMISFETQn1のソース領域であるn型半導体領域10には、図16及び図19に示すように、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Cが電気的に接続されている。この配線13Cには基準電位(例えば0[V])が印加される。前記nチャネルMISFETQn2のソース領域であるn型半導体領域10には、層間絶縁膜11に形成された接続孔12を通して配線13Bが電気的に接続されている。
【0085】
前記nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3B1 には、図20に示すように、給電用コンタクト領域9Aが電気的に接続されている。この給電用コンタクト領域9Aには、層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Cが電気的に接続されている。つまり、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域は給電用コンタクト領域9Aを介して供給される基準電位に電位固定される。給電用コンタクト領域9Aは、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 と同一導電型のp型半導体領域9で構成され、nチャネルMISFETQn1のソース領域側に配置されている。
【0086】
前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域には、図18に示すように、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(9)及びドレイン領域(9)が配置されている。また、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域には、図17に示すように、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で絶縁分離された島領域3Aの素子形成領域の主面には、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(9)及びドレイン領域(9)が配置されていると共に、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域10Aが配置されている。
【0087】
前記島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域には、図19に示すように、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のソース領域(10)及びドレイン領域(10)が配置されている。また、島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域には、図20に示すように、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。つまり、基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で絶縁分離された島領域3Bの素子形成領域の主面には、nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のソース領域(10)及びドレイン領域(10)が配置されていると共に、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Aが配置されている。
【0088】
前記島領域3Bには、図16及び図21に示すように、島領域3Cが連結されている。この島領域3Cには、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 が引き出されている。また、島領域3Cの主面には、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域と電気的に接続された給電用コンタクト領域9Bが配置されている。この給電用コンタクト領域9Bには、層間絶縁膜11に形成された接続孔12Aを通して配線13Cが電気的に接続されている。つまり、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域は、島領域3Cの主面に配置された給電用コンタクト領域9Bを介して供給される基準電位に電位固定される。給電用コンタクト領域9Bは、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 と同一導電型のp型半導体領域9で構成され、nチャネルMISFETQn2のソース領域側に配置されている。
【0089】
このように、本実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
【0090】
(1)半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で他の領域と絶縁分離された島領域3Aを形成し、この島領域3Aの素子形成領域の主面にpチャネルMISFETQp1及びQp2を塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の一部の領域に前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(p型半導体領域9)及びドレイン領域(p型半導体領域9)を配置し、前記島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域に前記pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域(n型ウエル領域3A1 )と電気的に接続される給電用コンタクト領域10A(n型半導体領域10)を配置する。この構成により、pチャネルMISFETQp1及びQp2夫々の占有面積でそれらのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10Aの占有面積を相殺することができるので、この給電用コンタクト領域10Aの占有面積に相当する分、島領域3Aの平面サイズの縮小化を図ることができると共に、島領域3Aの素子形成領域の主面の他部の領域にpチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10Aを設けたので、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域に給電用コンタクト領域10Aを介して固定電位を供給することができ、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0091】
特に、本実施形態のように、pチャネルMISFETQp1のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 、pチャネルMISFETQp2のチャネル形成領域であるn型ウエル領域3A1 の夫々が分離されている場合、2入力NANDゲート回路において、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のソース領域(9)側に給電用コンタクト領域10Aを配置すれば、pチャネルMISFETQp1及びQp2の夫々のチャネル形成領域に固定電位を供給することができる。
【0092】
(2)半導体基体1の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で他の領域と絶縁分離された島領域3Bを形成し、この島領域3Bの素子形成領域の主面にnチャネルMISFETQn1及びQn2を塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域3Bの素子形成領域の主面の一部の領域に、前記nチャネルMISFETQn1及びQn2の夫々のソース領域(10)及びドレイン領域(10)を配置し、前記島領域3Bの素子形成領域の主面の他部の領域に、前記nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域(p型ウエル領域3B1 )と電気的に接続される給電用コンタクト領域(p型半導体領域9)9Aを配置する。この構成により、nチャネルMISFETQn1の占有面積でそのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域9Aの占有面積を相殺することができるので、この給電用コンタクト領域9Aの占有面積に相当する分、島領域3Bの平面サイズの縮小化を図ることができると共に、島領域3Bの主面の他部の領域にnチャネルMSIFETQnのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域9Aを設けたので、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域に給電用コンタクト領域9Aを介して固定電位を供給することができ、nチャネルMISFETQn1のしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0093】
特に、本実施形態のように、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 の夫々が分離されている場合、2入力NANDゲート回路において、nチャネルMISFETQn1のソース領域(10)側に給電用コンタクト領域9Aを配置すれば、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域に固定電位を供給することができる。
【0094】
(3)半導体基体1の素子形成領域の主面に基板絶縁膜1B、フィールド絶縁膜2Aの夫々で他の領域と絶縁分離された島領域3Bを形成し、この島領域3Bの素子形成領域の主面にnチャネルMISFETQn1及びQn2を塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域3Bに、前記nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域が引き出された他の島領域3Cを連結し、この他の島領域3Cの主面に、前記nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域9Bを配置する。この構成により、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域に給電用コンタクト領域9Aを介して固定電位を供給することができるので、nチャネルMISFETQn2のしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【0095】
特に、本実施形態のように、nチャネルMISFETQn1のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域であるp型ウエル領域3B1 の夫々が分離されている場合、2入力NANDゲート回路において、島領域3Bに、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域が引き出された他の島領域3Cを連結し、この他の島領域3Cの主面に、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域9Bを配置すれば、nチャネルMISFETQn2のチャネル形成領域に固定電位を供給することができる。
【0096】
なお、給電用コンタクト領域9A、給電用コンタクト領域9B、給電用コンタクト領域10Aの夫々は、前述の実施形態1で示した給電用コンタクト領域9A、給電用コンタクト領域10Aの夫々と同様の製造プロセスで形成される。
【0097】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0098】
例えば、本発明は、半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面に3つ又はそれ以上のMISFETを塔載する半導体集積回路装置に適用することができる。
【0099】
また、本発明は、CMIS構成からなる3入力又はそれ以上のNANDゲート回路を塔載する半導体集積回路装置に適用することができる。
【0100】
また、本発明は、CMIS構成からなるORゲート回路を塔載する半導体集積回路装置に適用することができる。
【0101】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0102】
半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域の平面サイズの縮小化を図ることができる。
【0103】
また、前記半導体集積回路装置であって、前記島領域の平面サイズの縮小化を図ると共に、前記MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1である半導体集積回路装置の論理回路部に塔載されるインバータ回路の等価回路図である。
【図2】前記半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図である。
【図3】図2に示すA−A線の位置で切った断面図である。
【図4】図2に示すB−B線の位置で切った断面図である。
【図5】前記半導体集積回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図6】前記半導体集積回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図7】前記半導体集積回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図8】前記半導体集積回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図9】本発明の実施形態2である半導体集積回路装置のチップレイアウト図である。
【図10】前記半導体集積回路装置の論理回路部に塔載される2入力NANDゲート回路の等価回路図である。
【図11】前記半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図である。
【図12】図11に示すC−C線の位置で切った断面図である。
【図13】図11に示すD−D線の位置で切った断面図である。
【図14】図11に示すE−E線の位置で切った断面図である。
【図15】図11に示すF−F線の位置で切った断面図である。
【図16】本発明の実施形態3である半導体集積回路装置の論理回路部の要部平面図。
【図17】図16に示すG−G線の位置で切った断面図である。
【図18】図16に示すH−H線の位置で切った断面図である。
【図19】図16に示すI−I線の位置で切った断面図である。
【図20】図16に示すJ−J線の位置で切った断面図である。
【図21】図16に示すK−K線の位置で切った断面図である。
【符号の説明】
1…半導体基体、1A…支持基板、1B…基板絶縁膜、1C…半導体層、2A…フィールド絶縁膜、2B…分離溝、2C…埋込絶縁膜、3A,3B,3C…島領域、3A1 …n型ウエル領域、3B1 …p型ウエル領域、4…ゲート絶縁膜、5…ゲート電極、6…p型半導体領域、7…n型半導体領域、8…サイドウォールスペーサ、9…p型半導体領域、10…n型半導体領域、9A,9B,10A…給電用コンンタクト領域、11…層間絶縁膜、12…接続孔、13A,13B,13C,13D…配線、20…半導体チップ、21…外部端子(ボンディングパッド)、22…入力バッファ回路、23…基本セル、30,31…マスク。

Claims (5)

  1. 半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された第1導電型の島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを搭載する半導体集積回路装置であって、
    前記島領域の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETのソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域を配置し
    前記給電用コンタクト領域は、第1導電型の第1の半導体領域からなり、
    前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、第1導電型と逆導電型の第2導電型の第2の半導体領域及び前記第2半導体領域より不純物濃度の低い第2導電型の第3半導体領域からなり、
    前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域は、前記MISFETのゲート幅方向に隣接して形成され、
    前記第3の半導体領域は、前記MISFETのチャネル形成領域と前記第2半導体領域との間、及び前記MISFETのチャネル形成領域と前記第1の半導体領域との間に連続して形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 前記給電用コンタクト領域は、前記MISFETのソース領域側に配置されていることを特徴とする請求項に記載の半導体集積回路装置。
  3. 前記島領域は、その下部に形成された絶縁膜、その側部に形成された絶縁膜の夫々で周囲を規定され、他の領域と絶縁分離されていることを特徴とする請求項に記載の半導体集積回路装置。
  4. 前記MISFETのソース領域及びドレイン領域は、前記島領域の下部に形成された絶縁膜に接触されていることを特徴とする請求項に記載の半導体集積回路装置。
  5. 前記半導体基体は、支持基板上に絶縁膜を介在して半導体層が形成されたSOI構造で構成されていることを特徴とする請求項に記載の半導体集積回路装置。
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