JP3775677B2 - Memsミラー装置および光ディスク装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を利用して小型に構成されたMEMSミラー装置およびMEMSミラー装置を備えた光ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光ディスク装置は、光源(半導体レーザ:LD)と、光源からのレーザ光を集光して光ディスク等の記録媒体表面に集光する対物レンズと、記録媒体で反射された光から各種信号を検出する光検出器と、レーザ光が所定の経路を進行するように導くビームスプリッタと、レーザ光を平行光に変換するコリメータレンズや平行光を集光させる集光レンズ等を備えている。
【0003】
また、対物レンズは、記録媒体の凹凸や振動に応じて光ビームの集束点(光スポット)を記録媒体上に結ぶためのフォーカシング制御と、光スポットを記録媒体に形成されたトラックに追従させるトラッキング制御とを行うためのアクチュエータに固定されている。このアクチュエータとしては、例えば、記録媒体表面に垂直方向(フォーカシング方向)の支持及び復元力を有する平行板バネと、半径方向(トラッキング方向)の支持及び回転に対する復元力を有する合成樹脂で構成されたヒンジとを有する支持部材で対物レンズを基台に支持し、永久磁石と電磁コイルからなる電磁手段により対物レンズをフォーカシング方向及びトラッキング方向に駆動可能にしたものがある。
【0004】
ところで、このようなアクチュエータ機構は、多くの固有振動モードを持っている。そして、その固有振動数において固有振動モードが励振されて共振が発生すると、制御系が不安定化され正確な焦点の位置決めが困難となる。このとき、共振周波数における共振ピーク量に応じて制御系の不安定さの度合いは増減されるので、この共振ピーク量は小さいことが望ましい。例えば、特許文献1には、上記ヒンジにこれと異なる材質の弾性体を付加することで、アクチュエータの共振ピーク量を低減するようにした技術が開示されている。
【0005】
ところが、近年では記録媒体の高密度化に伴いトラックピッチ(トラック溝の間隔)は一層小さく(例えば1μm以下)なり、より緻密なトラッキング制御の必要性が増してきているため、上述したアクチュエータだけでは十分にトラッキング制御できない場合もある。
【0006】
そこで近年では、ピックアップ系にミラー面を微少な角度で傾斜可能なMEMSミラー装置と呼ばれる電気機械部品を備えるようにし、光源からの光を前記MEMSミラー装置で反射してから対物レンズを介して記録媒体に照射するようになっている。ここで、MEMS(Micro Electro Mechanical System)とは、半導体プロセス技術(フォトリソグラフィ技術等)を利用して電子と機械機構を融合させた微少な電気機械部品を実現する技術である。現在、機械・光学・流体等の分野において、MEMS技術により精密な機構部品やモジュールのマイクロ化や複合化が実現されているが、中でも光を反射するミラーの小型化を図ったものがMEMSミラー装置である。
従来の電磁駆動型MEMSミラー装置の概略構成を図5に示す。
【0007】
図6に示されるように、MEMSミラー装置100は、一方の面に金蒸着等により反射面103を形成された矩形状のミラー部102が2本のヒンジ104,104を介して矩形状のフレーム101’の内側に連結されて構成される。
【0008】
ミラー部102の裏面側には、ミラー部102の周縁部を周回する電磁コイル(図示略)が配線されており、その端部は左右のヒンジ104,104から延びてフレーム101’に設けられた電極パッド(図示略)に電気的に接続されている。また、フレーム101’のヒンジ104と平行な辺の内側には、電磁コイルに電流を流した際に該電磁コイルのヒンジ104と平行な部位にミラー部102の厚み方向にローレンツ力が生じるような磁界を発生させる永久磁石105A,105Bが配置されている。これらの電磁コイルと永久磁石とでミラー部の駆動手段が構成されている。
【0009】
電磁コイルに電流を流すと、電磁コイルの永久磁石105A,105Bに近い部分(ヒンジ104と平行な部位)には永久磁石105A,105Bによって発生された磁界との相互作用によりミラー部102の厚み方向にローレンツ力が生じる。その結果、ミラー部102は二本のヒンジ104を軸として揺動され、ローレンツ力とヒンジ104の捩り抵抗力とが釣り合う角度で静止する。このとき、電磁コイルに流れる電流の大きさを変えることで、ミラー部102を所望の角度だけ傾斜させることができるので、このMEMSミラーで反射する光の光路を制御することができる。
【0010】
すなわち、上述した構成の光ディスク装置においては、MEMSミラー装置により光スポットを記録媒体の半径方向に微少な量で移動させることが可能となるので、アクチュエータよりも緻密なトラッキング制御を行うことができる。例えば、低周波領域(例えば〜2kHz)では上述したアクチュエータにより粗動調整を行い、高周波領域(例えば2〜10kHz)ではMEMSミラー装置により微動調整を行うようにしている。
【0011】
【特許文献1】
特開昭64−73536号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した構成の光ディスク装置において、安定したトラッキング制御を行うためには、アクチュエータと同様にMEMSミラー装置の共振ピーク量も15dB以下であることが望ましい。しかしながら、上述した従来のMEMSミラー装置の共振ピーク量は30dB程度となるため、この共振周波数においては制御系が不安定になり、安定したトラッキング制御を行うことができないという問題がある。
【0013】
本発明は、共振周波数における共振ピーク量を低減したMEMSミラー装置およびこのMEMSミラー装置を備えて正確なトラッキング制御を可能とした光ディスク装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、矩形状のフレームと、一方の面に反射手段を有し、前記フレームの内側にヒンジを介して連結されるミラー部と、前記ヒンジを軸として前記ミラー部を傾斜させるための駆動手段と、を備えたMEMSミラー装置において、前記フレームは、前記ヒンジとの連結部分の両側に所定の間隔をおいてフレーム内側に延びる2つの突起部を有し、前記ヒンジを跨いで前記2つの突起部を架橋するように弾性部材を設けるようにしたものである。また、前記弾性部材は高分子樹脂(例えばシリコン)をUV照射等によりゲル状に硬化させて形成するようにした。
【0015】
上述したようにフレームとヒンジの連結部の両側に突起部を設けることで、弾性部材を形成しやすくなる。すなわち、シリコン等のUV硬化性樹脂材料をフレームに形成された2つの突起部間に塗布しUV照射してゲル状に硬化させる場合、突起部とヒンジの間に液溜めが形成されるので、2つの突起の間を架橋するようにゾル状の樹脂を塗布することが容易となる。
【0016】
また、フレームとヒンジの連結部に弾性部材を形成することにより、MEMSミラー装置の共振ピーク量を低減させることができるので、このMEMSミラー装置を備えた光ディスク装置においては安定したトラッキング制御が可能となる。
【0017】
なお、ゲル状に硬化させると表現しているが、ゾル状に近いゲル状に硬化させた方がMEMSミラー装置の共振ピークを低減させる効果が高い。
【0018】
また、MEMSミラー装置のフレーム、ミラー部、およびヒンジは同一の材料で一体に形成されるようにした。例えば、Si基板等の単一基板材料に対してドライエッチング法による微細加工を施すことで各部位を一体に形成することができる。これにより、フレームのヒンジとの連結部の両側に突起部を設けるために工程を新たに増やす必要はなく、比較的容易にこれらの部材を形成することができる。
【0019】
また、前記駆動手段を、前記ミラー部の反射手段を設けた面とは他方の面に配線された電磁コイルと、前記電磁コイルに電流を流した際に該電磁コイルの所定の部位に前記ミラー部の厚み方向にローレンツ力が生じるような磁界を発生させる永久磁石と、で構成するようにした。これにより、電磁コイルに働くローレンツ力を利用してミラー部の揺動を制御することができる。
【0020】
さらに、前記駆動手段は、前記ミラー部の反射手段を設けた面とは反対の面に前記2本のヒンジを上下方向に見たときに8の字となるように配線された電磁コイルと、前記ミラー部の揺動側に配置され前記ミラー部に対向してN極が表れる面とS極が表れる面とが前記揺動軸の軸線に沿った方向に並ぶように設けられた永久磁石とから構成されるようにした。これにより、電磁コイルの永久磁石側の部位における磁界の強度が安定化され、電磁変換効率が向上するので、MEMSミラーの動作特性が向上する。
【0021】
また、上述したMEMSミラー装置の共振ピークは従来のMEMSミラー装置に比較して格段に低減されているので、このMEMSミラーを光ディスク装置に備えることで安定したトラッキング制御を行うことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態に係るMEMSミラー装置100の概略構成を示す上面図で、図2は分解斜視図である。図3は第1フレーム101とヒンジ104の連結部の拡大図であり、(a)は弾性部材111の形成前、(b)は弾性部材111の形成後を示す。
【0023】
図1〜3に示すように、第1フレーム101の内側にはミラー部102が2本のヒンジ104,104を介して連結されており、第2フレーム120にはヒンジ104と平行な辺の内側に永久磁石105A,105Bが設けられている。本実施形態のMEMSミラー装置100は、これらの第1フレーム101と第2フレーム120が接合されて構成される。
【0024】
第1フレーム101には、フレーム101のヒンジ104と連結する部分の両側に所定の間隔をおいて2つの突起部110A,Bを設けている。そして、ヒンジ104を跨いで2つの突起部110A,110Bを架橋させるように弾性部材111を形成している。このように、フレーム101とヒンジ104の連結部に弾性部材111を設けている点が従来のMEMSミラー装置(図6参照)と異なる。
【0025】
この弾性部材111は、高分子樹脂がゲル状に変性されて形成される。具体的には、例えばシリコン等のUV硬化性樹脂材料を第1フレーム101に形成された2つの突起部110A,B間に塗布しUV照射してゲル状に硬化させて形成される。この場合、第1フレームに設けられた突起部110A,110Bとヒンジ104の間に形成された空間112が液溜めとなるので、弾性部材111を容易に形成することができる。また、MEMSミラー装置100の共振ピーク量を低減させるためには、弾性部材111の硬化の程度をゾルに近いゲル状とすることが望ましい。
【0026】
また、第1フレーム101,ミラー部102,ヒンジ104は、単一のSi基板に対してドライエッチング法による微細加工を施すことにより形成することができる。したがって、第1フレーム101に突起部110A,110Bを設けるようにしているが、そのための工程を新たに増やす必要はなく、それぞれの部位を比較的容易に形成することができる。
【0027】
ミラー部102は、一方の面には金蒸着等により反射面103を形成され、他方の面にはミラー部102の周縁部を周回するように電磁コイル106が配線されている。この電磁コイル106の端部は2つのヒンジ104,104から延びて、フレーム101に設けられた電極パッド107に電気的に接続されている。なお、電磁コイル106以外の絶縁膜等の図示は省略してある。また、コイル配線は実際には複数巻きであるが、図では単数巻きで示している。
【0028】
第2フレーム120は例えば鉄等の材質で形成され、そのヒンジ103と平行な辺の内側には永久磁石105A,105Bが、対向する磁極が反対となるように固着されている。このミラー部102の裏面側に設けられた電磁コイル106および第2フレーム120に固着された永久磁石105A,105Bによりミラー部102の駆動手段が構成されている。
【0029】
ここで、ミラー部102の具体的な揺動動作を説明すると、フレーム101上の電極パッド17へ電圧を印加すると電磁コイル106に電流が流れ、電磁コイル106の永久磁石105A,105Bに平行な部位は、永久磁石105A,105Bによって発生された磁界Bとの相互作用によりミラー部102の厚み方向にローレンツ力を受ける。その結果、ミラー部102は二本のヒンジ104,104を軸として揺動され、ローレンツ力とヒンジ103の捩り抵抗力とが釣り合う角度で静止する。このとき、電磁コイル106に流れる電流の大きさを変えることで、ミラー部102を所望の角度だけ傾斜させることができる。
【0030】
また、本実施形態のMEMSミラー装置100は、ヒンジ104と第1フレーム101の連結部に弾性部材111を設けているので、共振ピーク量は従来の約半分(例えば15dB)に低減される。
【0031】
図4は、上述したMEMSミラー装置100を備えた光ディスク装置の光ピックアップ系を示す概略構成図である。本実施形態に係る光ディスク装置10の光ピックアップ系は、光源(半導体レーザ:LD)11と、光源11からのレーザ光を反射して対物レンズ17に入射させるMEMSミラー装置100と、MEMSミラー装置100で反射されたレーザ光を集光して光ディスク等の記録媒体16表面に照射する対物レンズ17と、記録媒体16で反射された光から各種信号を検出する光検出器15と、レーザ光が所定の経路を進行するように導くビームスプリッタ13と、レーザ光を平行光に変換するコリメータレンズ12や平行光を集光させる集光レンズ14等を備えている。
【0032】
また、対物レンズ17は図示しないアクチュエータに固着されており、このアクチュエータにより記録媒体16の凹凸や振動に応じて光ビームの集束点(光スポット)を記録媒体16上に結ぶためのフォーカシング制御と、光スポットを信号トラックに追従させるトラッキング制御とが行われる。
【0033】
さらに、MEMSミラー装置100のミラー部102を微少な角度で傾斜させて、記録媒体16に照射される光スポットを記録媒体の半径方向に変位させることによりトラッキング制御が行われる。このMEMSミラー装置100による光スポットの変位量は上記アクチュエータによる光スポットの変位量に比較して小さく、例えば0.01μmオーダーでの調整が可能である。
【0034】
上述した構成の光ディスク装置10においては、低周波領域(例えば〜2kHz)における粗動調整を上記アクチュエータで行い、高周波領域(例えば2〜10kHz)における微動調整をMEMSミラー装置100により行うという、2段階のトラッキング制御により光スポットのトラック方向の位置が補正される。
【0035】
また、MEMSミラー装置100の共振ピーク量は15dB程度であり、従来のMEMSミラー装置に比較して格段に低減されているので、このMEMSミラー装置100による安定したトラッキング制御が可能となる。したがって、記録媒体の高密度化に伴いトラックピッチが一層狭くなった場合にも対応できる。
【0036】
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に係るMEMSミラー装置100の概略構成を示す上面図である。
第2の実施形態のMEMSミラー装置は、電磁コイル106の配線と永久磁石105の構成が第1の実施形態とは異なり、その他の構成は第1の実施形態と同様である。すなわち、第1の実施形態では電磁コイル106をミラー部の周縁部に周回させるように配線しているのに対して、第2の実施形態では電磁コイル106を8字型に配線している。なお、コイル配線は実際には複数巻きであるが、図では単数巻きで示している。
【0037】
また、第1の実施形態では永久磁石105により生じる磁界Bがオープンとなっているのに対して、第2の実施形態では永久磁石105により生じる磁界B’がクローズ(閉ループ)となっている。つまり、永久磁石105の長辺方向にN極およびS極の両極が表れるように永久磁石を着磁してフレーム101の内側に閉ループ状の磁界が生じるようにしている。
【0038】
第2の実施形態によれば、永久磁石105により生じる磁界B’が閉ループとなるので、電磁コイル106の所定の部位における磁界の強度が安定化される。したがって、電磁変換効率が向上するので、MEMSミラーの動作特性が向上する。
【0039】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、電磁コイル106と永久磁石105を駆動手段とした電磁駆動型のMEMSミラー装置について説明したが、本発明は静電駆動型のMEMSミラー装置に適用することもできる。
【0040】
また、上記実施形態において、電磁コイル106の配線および永久磁石105の着磁形態等は適宜変更されてもよい。また、電磁コイル106と永久磁石105の配置を逆にしてもよい。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、矩形状のフレームと、一方の面に反射手段を有し、前記フレームの内側にヒンジを介して連結されるミラー部と、前記ヒンジを軸として前記ミラー部を傾斜させるための駆動手段と、を備えたMEMSミラー装置において、前記フレームは、前記ヒンジとの連結部分の両側に所定の間隔をおいてフレーム内側に延びる2つの突起部を有し、前記ヒンジを跨いで前記2つの突起部を架橋するように弾性部材を設けるようにしたので、MEMSミラー装置の共振ピーク量を低減させることができる。したがって、このMEMSミラー装置を備えた光ディスク装置においては正確なトラッキング制御が可能となる。
【0042】
また、フレームとヒンジの連結部の両側に突起部を設け、2つの突起の間を架橋するようにゾル状の樹脂材料を塗布する場合に液溜めが形成されるようにしたので、弾性部材を比較的容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係るMEMSミラー装置100の概略構成を示す上面図である。
【図2】第1の実施形態に係るMEMSミラー装置100の概略構成を示す分解斜視図である。
【図3】第1フレーム101とヒンジ104の連結部の拡大図である。
【図4】 本実施形態のMEMSミラー装置100を備えた光ディスク装置の光ピックアップ系を示す概略構成図である。
【図5】 第2の実施形態に係るMEMSミラー装置100の概略構成を示す上面図である。
【図6】 従来のMEMSミラー装置100の概略構成を示す上面図である。
【符号の説明】
100 MEMSミラー装置
101 第1フレーム
102 ミラー部
103 反射面
104 ヒンジ
105A,B 永久磁石
106 電磁コイル
107 電極
110 突起部
111 弾性部材
112 液溜め
120 第2フレーム

Claims (5)

  1. 矩形状のフレームと、一方の面に反射手段を有前記フレームの内側における一方の側と他方の側とから2本のヒンジを介して連結さ前記フレームと同一面内に形成されたミラー部と、前記2本のヒンジを揺動軸として前記ミラー部を揺動させるための駆動手段と、を備えたMEMSミラー装置において、
    前記フレーム、ミラー部、およびヒンジは、同一の材料で一体に形成され、
    前記駆動手段は、前記ミラー部の反射手段を設けた面とは反対の面に前記2本のヒンジを上下方向に見たときに8の字となるように配線された電磁コイルと、前記ミラー部の揺動側に配置され前記ミラー部に対向してN極が表れる面とS極が表れる面とが前記揺動軸の軸線に沿った方向に並ぶように設けられた永久磁石と、から構成され
    前記フレームと前記2本のヒンジの連結部分の各々には、該連結部分の両側に所定の間隔をおいてフレーム内側に延びる2つの突起部と、各ヒンジを跨いで前記2つの突起部を架橋するように取り付けられたゲル状の高分子樹脂からなる弾性部材とが、それぞれ設けられていることを特徴とするMEMSミラー装置。
  2. 矩形状のフレームと、
    一方の面に反射手段を有し、前記フレームの内側における一方の側と他方の側とから2本のヒンジを介して連結され、前記フレームと同一面内に形成されたミラー部と、
    前記2本のヒンジを揺動軸として前記ミラー部を揺動させるための駆動手段と、を備えたMEMSミラー装置において、
    前記フレームと前記2本のヒンジの連結部分の各々には、該連結部分の両側に所定の間隔をおいてフレーム内側に延びる2つの突起部と、各ヒンジを跨いで前記2つの突起部を架橋するように取り付けられた弾性部材とが、それぞれ設けられ、
    前記駆動手段は、
    前記ミラー部の反射手段を設けた面とは反対の面に前記2本のヒンジを上下方向に見たときに8の字となるように配線された電磁コイルと、
    前記ミラー部の揺動側に配置され前記ミラー部に対向してN極が表れる面とS極が表れる面とが前記揺動軸の軸線に沿った方向に並ぶように設けられた永久磁石と、
    から構成されることを特徴とするMEMSミラー装置。
  3. 前記弾性部材は、ゲル状の高分子樹脂からなることを特徴とする請求項2に記載のMEMSミラー装置。
  4. 前記フレーム、ミラー部、およびヒンジは、同一の材料で一体に形成されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のMEMSミラー装置。
  5. 上記請求項1から請求項の何れかに記載のMEMSミラー装置を備え、
    光源から出射された光を、前記MEMSミラー装置で反射し、該反射光を対物レンズを介して記録媒体に照射して情報の記録または再生を行うことを特徴とする光ディスク装置。
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