JP3763125B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板を水平に搬送しながら単一または一連の液処理工程を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる現像方式として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
【０００３】
一般に、平流し方式の現像処理装置では、搬送路に沿って上流側から下流側に順次設定される現像工程、リンス工程の各液処理部毎に搬送路の下に落ちた液を受け集めるための皿状容器またはパンが設けられ、各パンの排液口は別個の排液系統に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の平流し方式では、搬送路上で基板を水平姿勢に保ったまま上流側の液処理部から下流側の液処理部へ搬送するため、上流側の液処理部で用いられた処理液が基板上に残ったまま下流側の液処理部へ送られて下流側のパンに落下ないし混入してしまい、各処理液の分別回収が難しかった。
【０００５】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を基板上から単時間で効率よく液切りするようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明の別の目的は、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を高純度で分別回収するようにした基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、 前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、前記搬送路上の所定位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、前記搬送路上の前記所定位置付近で前記基板を搬送路幅方向において所定の高さに規正する基板高さ規正手段とを有し、前記基板高さ規正手段が、前記搬送路上の前記基板の裏面と対向するように前記搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、前記ローラを回転駆動するローラ駆動手段と、前記ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、前記中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段とを備える。
【０００８】
上記第１の基板処理装置においては、処理液供給手段により水平姿勢の基板の被処理面に処理液が供給されて所定の液処理が行われ、処理後も基板上には液が残る。しかし、搬送路の下流側の所定位置で、吸い取り手段が基板上の液を吸い取るようになっている。ここで、該所定位置（吸い取り位置）付近では、搬送路上を基板が上流から流れてくると、基板高さ規正手段の中空円筒状のローラがバキューム吸引力により基板をローラ上面に吸着しながらコロ搬送で下流側へ送る。こうして、バキューム吸引力を与えながら回転運動する中空円筒状ローラの上を基板が通過することで、該ローラの外周面に倣って基板の裏面が一定の高さ位置に規正され、これによって基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されることになり、この高い精度で平坦面に規正された基板上の液を吸い取り手段が吸い取るので、安定確実に効率よく液切りできるとともに処理液を高い純度で回収できる。
【０００９】
また、本発明の第２の基板処理装置は、上記の目的を達成するために、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、前記搬送路上の第１の位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、前記搬送路上の第１の位置付近で前記基板を搬送路幅方向において第１の高さに規正する第１の基板高さ規正手段と、前記搬送路上の前記第１の位置よりも上流側の第２の位置にて前記基板を搬送路幅方向において前記第１の高さに対応する第２の高さに規正する第２の基板高さ規正手段と、前記第２の位置における前記基板の被処理面の高さを測定する基板高さ測定手段と、前記基板高さ測定手段の測定結果に応じて前記吸い取り手段の高さ位置を可変調整するための吸い取り高さ調整手段とを有する。
【００１０】
上記第２の基板処理装置においては、処理液供給手段により水平姿勢の基板の被処理面に処理液が供給されて所定の液処理が行われ、処理後も基板上には液が残る。しかし、搬送路の下流側の第１の位置で、吸い取り手段が基板上の液を吸い取るようになっている。ここで、第１の基板高さ規正手段が、第１の位置を通過する基板を搬送路幅方向において第１の高さに規正する。しかも、これに先立って、第１の位置よりも上流側の第２の位置で第２の基板高さ規正手段がやはり基板を搬送路幅方向において上記第１の高さに対応する第２の高さに規正し、そのときの基板の被処理面の高さを基板高さ測定手段が測定しておく。そして、基板が第１の位置を通過する際には、上記基板高さ測定手段の測定結果に応じて吸い取り調整手段が吸い取り手段の高さ位置を可変調整するので、吸い取り手段は第１の位置で基板の被処理面に当接することなく可及的に近接して液を効率よく吸い取ることができる。
【００１１】
上記第２の基板処理装置において、好ましい一実施態様によれば、第１および第２の基板高さ規正手段の少なくとも一方が、搬送路上の基板の裏面と対向するように搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、このローラを回転駆動するローラ駆動手段と、該ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、この中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段とを備える。かかる構成により、第１の位置および／または第２の位置では、基板がバキューム吸引力を与えながら回転運動する中空円筒状ローラの上を通過することで、基板の裏面がローラの外周面に倣って一定の高さ位置に規正され、ひいては基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されることになり、第２の位置における基板高さ測定の精度および／または第１の位置における吸い取りギャップ精度をより一層向上させることができる。
【００１２】
上記第１または第２の基板処理装置において、吸い取り手段の好ましい一態様は、搬送路よりも所定のレベルだけ高い位置で搬送路側に吸引口を向けて搬送路幅方向に延在する吸引ノズルと、この吸引ノズルの吸引口付近に存在する液体をバキューム吸引により吸引口の中に吸い込んで所定の排液系統へ除去するために、吸引ノズルの内部空間を真空引きする第２のバキューム手段とを有する構成である。かかる構成においては、搬送路上の基板が吸引ノズルの傍らを通過する際に、吸引ノズルが基板上の液面に吸引口を可及的に近づけてバキューム吸引により基板上の液を吸い取ることができる。
【００１３】
上記第１または第２の基板処理装置における吸い取り手段の別の好適な一態様として、搬送路上の基板の被処理面に搬送路幅方向においてライン状に接触または近接しながら回転するスポンジローラと、このスポンジローラに吸着された液を外に取り出して回収するための回収手段とを有する構成も好ましい。この方式においては、搬送路上の基板がスポンジローラの傍らを通過する際に、スポンジローラが基板の被処理面に接触または近接しながら回転して基板上の液をスポンジに吸着して吸い取る。回収手段の好ましい態様としては、スポンジローラの周面に半径方向内側に向う圧力を加えて中から液を絞り出す絞り出し手段を有する構成が好ましく、あるいはスポンジローラの芯部にバキューム吸引力を与える第３のバキューム手段を含む構成も好ましい。バキューム吸引式の場合は、スポンジローラを基板の被処理面に当てずに吸い取ることも可能であり、スポンジローラに吸着した液を直ちにローラの外に回収することもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１５】
図１に、本発明の現像処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１６】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）の両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１７】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１８】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１９】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２０】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。図示省略するが、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２１】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２２】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この回転搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２３】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２４】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２５】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２６】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２７】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２８】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４の構成と作用は後で詳しく説明する。
【００２９】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３０】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３１】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３２】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３３】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッフア・ステージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１０７を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１０７は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１０７と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３４】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３５】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３６】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。なお、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらエアーナイフ等によって液切りして、基板Ｇを乾燥させる。
【００３７】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００３８】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。
【００３９】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４０】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４１】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４２】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４３】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡される。
【００４４】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１０７の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４５】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１０７のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４７】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で水平姿勢で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４８】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４９】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５０】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５１】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図２０を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した実施形態を説明する。
【００５２】
図４に、本発明の一実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１０８を形成する複数たとえば６つのモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
【００５３】
これらのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置するモジュールＭ1で基板搬入部１１０を構成し、その後に続く２つのモジュールＭ2，Ｍ3で現像部１１２を構成し、その次のモジュールＭ4でリンス部１１４を構成し，その次のモジュールＭ5で乾燥部１１６を構成し、最後尾のモジュールＭ6で基板搬出部１１８を構成している。
【００５４】
基板搬入部１１０には、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１０８上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。基板搬出部１１８にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２２が設けられている。
【００５５】
現像部１１２は、より詳細には、モジュールＭ2に現像液供給部１２４を設け、モジュールＭ3に現像液吸い取り部１２６を設けている。現像液供給部１２４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板に現像液を供給するための現像液供給ノズルＤＮが１個または複数個設けられている。現像液吸い取り部１２６には、搬送路１０８に沿って後述する高さ検出センサ２００や吸引ノズル２０２等を有する現像液吸い取り機構（図１１〜図１４）が配置されている。
【００５６】
リンス部１１４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板にリンス液たとえば純水を供給するためのリンス液供給ノズルＲＮが１個または複数個設けられている。乾燥部１１６には、搬送路１０８に沿って基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を液切りするためのエアーナイフＥＮが搬送路１０８を挟んで一対または複数対設けられている。
【００５７】
現像部１１２およびリンス部１１４においては、搬送路１０８の下に落ちた液を受け集めるためのパン１３０，１３２がそれぞれ設けられている。各パン１３０，１３２の底には排液口が設けられ、そこに異なる排液系統の排液管１３１，１３３が接続されている。
【００５８】
図５〜図８に、搬送路１０８および基板搬入部１１０の構成を示す。
【００５９】
搬送路１０８は、回転可能なシャフト１３６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ１３８Ａ，１３８ＢをプロセスラインＢに沿って水平に敷設してなるコロ搬送型の搬送路として構成されている。
【００６０】
より詳細には、各モジュールＭの左右両側壁の上部または軸脚部材１４０に軸受１４２Ａ，１４２ＢがプロセスラインＢの方向に一定間隔で取り付けられ、搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを左右両側壁の内側に位置させるようにして各一対の軸受１４２Ａ，１４２Ｂにシャフト１３６が回転可能に架け渡される。そして、各シャフト１３６の片側の軸受１４２Ａよりも外側に延長する一端部にねじ歯車１４４が固着され、各シャフト１３６側の各ねじ歯車１４４にプロセスラインＢの方向に延在する回転駆動シャフト１４６側の各ねじ歯車１４８が直角方向から噛合する。回転駆動シャフト１４６は電気モータ１５０の回転軸に結合されている。電気モータ１５０が回転駆動シャフト１４６を所定方向に回転駆動すると、その回転駆動力が回転シャフト１４６側の各ねじ歯車１４８から搬送用シャフト１３６側のねじ歯車１４４に伝動され、各シャフト１３６の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂが所定方向（基板Ｇを搬送路１０８の前方に送る方向）に回転するようになっている。
【００６１】
基板搬入部１１０において、基板受け渡し用のリフトピン１２０は、搬送路１０８の下に水平に配置された昇降板１５２に所定間隔で離散的に立設または植設されている。この昇降板１５２の下には、たとえばエアシリンダ（図示せず）を含む昇降駆動部１５４が設置されている。
【００６２】
図７に示すように、昇降駆動部１５４が昇降板１５２を所定の高さに持ち上げると、リフトピン１２０がシャフト１３６間の隙間を通って搬送路１０８の上に突出し、その高さ位置で隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを水平姿勢で受け取ることができる。
【００６３】
リフトピン１２０の上に基板Ｇが受け渡されると、図８に示すように、昇降駆動部１５４が昇降板１５２を原位置に降ろすことにより、その下降の途中で基板Ｇの両端部（搬送路１０８の幅方向の両端部）が搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂに載るようにして、基板Ｇは搬送路１０８上に水平姿勢で移載される。なお、各搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの外径は内側（シャフト中心側）で一段細くなっており、この小径部１３９に基板Ｇの一端部が載るようになっている。
【００６４】
図４において、現像液供給ノズルＤＮおよびリンス液供給ノズルＲＮは、それぞれノズル走査機構ＳＣDおよびＳＣRによって搬送路１０８の上方を搬送路１０８と平行に移動するようになっている。
【００６５】
図９および図１０に、一実施例によるノズル走査機構ＳＣ（ＳＣD，ＳＣR）の構成を示す。このノズル走査機構ＳＣは、可動ノズルＮ（ＤＮ，ＲＮ）を支持するための断面が逆さコ字状のノズル支持体１５６と、搬送路１０８の上方で搬送路１０８と平行にノズル支持体１５６を案内するためのガイドレール１５８（図９）と、ガイドレール１５８に沿って移動するようにノズル支持体１５６を駆動する走査駆動部１６０とを有する。
【００６６】
図１０に示すように、走査駆動部１６０は、たとえば、ノズル搬送体１５６に１本または複数本の垂直支持部材１６１を介して結合された１本または複数本の無端ベルト１６２をガイドレール１５８（図９）と平行に（つまり搬送路１０８と平行に）駆動プーリ１６４と遊動プーリ１６６との間に架け渡し、駆動プーリ１６４を電気モータ１６８の回転軸に作動結合してなる。電気モータ１６８の回転駆動力がプーリ１６４，１６６およびベルト１６２を介してベルト長さ方向（Ｘ方向）におけるノズル搬送体１５６の直進運動に変換される。電気モータ１６８の回転速度を制御することによってノズル搬送体１５６の直進移動速度を所望の値に調節し、電気モータ１６８の回転方向を切り替えることによってノズル搬送体１５６の直進移動方向を切り替えることができる。なお、図１０では、図解の簡略化のため、ガイドレール１５８は図示していない。
【００６７】
ノズル搬送体１５６においては、左右両側面の内壁にたとえばエアシリンダ等のアクチエータからなる昇降駆動部１７０がそれぞれ取り付けられており、それら左右一対の昇降駆動部１７０の間にたとえば中空管からなる水平支持棹１７２が水平に架け渡されている。そして、この水平支持棹１７２の中心部から垂直下方に延在するたとえば中空管からなる垂直支持棹１７４の下端部に筒状の可動ノズルＮが吐出口ｎを下に向けて水平に取り付けられている。ノズルＮの吐出口ｎは、搬送路１０８の幅方向で基板Ｇの一端から他端までほぼ均一に処理液を供給できる範囲でノズル長手方向に一定間隔で多数形成されていてよい。
【００６８】
ノズル搬送体１５６内で、可動ノズルＮは、昇降駆動部１７０の昇降駆動により水平支持棹１７２および垂直支持棹１７４を介して昇降可能となっており、通常は、搬送路１０８上の基板Ｇに向けて処理液を吐出するための高さ位置Ｈaと処理液を吐出しない間に搬送路１０８から退避しておくための高さ位置Ｈbとの間で上下するようになっている。水平支持棹１７２の一端部には搬送路１０８の外に設置されている処理液供給源（図示せず）からの可撓性の処理液供給管１７６が引き込まれている。この処理液供給管１７６は、水平支持棹１７２および垂直支持棹１７４の中を通ってノズルＮの処理液導入口に接続されている。
【００６９】
図９に示すように、好ましくは、搬送路１０８上の可動ノズルＮの可動エリア（Ｘ方向およびＺ方向）を外部から遮蔽するための断面逆さコ字状のカバー１７８を搬送路１０８に沿って設けてよい。図示の構成例では、カバー１７８の左右両側面を該当モジュールＭの左右両側壁の上端部または軸脚部材１４０まで垂らしており、隙間を可及的に少なくしている。カバー１７８の上面または天井には垂直支持棹１７４を通すためのスリット（開口）１７８ａを形成してよい。このように、カバー１７８によって可動ノズルＮを走査駆動系から遮蔽または隔離することで、カバー１７８内側の異物の少ない処理空間ＰＳで搬送路１０８上の基板Ｇに可動ノズルＮより処理液を供給できるようになっている。
【００７０】
図１１〜図１４に、この実施形態の現像液吸い取り部１２６における吸い取り機構の構成を示す。図１１に示すように、現像液吸い取り部１２６に敷設される搬送路１０８の上方には、下流側のリンス部１１４に隣接して吸引ノズル２０２が設けられるとともに、その少し上流に高さ検出センサ２００が設けられる。
【００７１】
吸引ノズル２０２は、搬送路１０８の幅方向に水平に延在し、吐出口２０２ａを真下に向けて搬送路１０８に近接して配置され、ノズル高さ調整部２０４により垂直支持棒２０６を介して吐出口２０２ａの高さ位置を可変調整されるようになっている。吸引ノズル２０２には、空気圧式真空装置からなるエジュクタ装置（（図示せず）に通じる可撓性のエジェクト管２０７が接続されている。
【００７２】
搬送路１０８を挟んで吸引ノズル２０２の真下には搬送路幅方向に延在する円筒状の吸引ローラ２０８が配置されている。図１３に示すように、この吸引ローラ２０８は、筒体の外周面に一様な分布密度で多数の通気孔２０８ａを有している。吸引ローラ２０８の左右両端面は閉塞しており、中空の軸またはシャフト２１０に一体結合されている。このシャフト２１０は、当該モジュールＭ3の左右両側壁の軸受１４２Ａ，１４２Ｂに回転可能に架け渡されている。片側の軸受１４２Ａよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０の一端部は搬送駆動系のねじ歯車１４４に固着されている。反対側の軸受１４２Ｂよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０の他端には排気管２１２が接続されている。この排気管２１２は真空ポンプ（図示せず）に通じている。
【００７３】
図１４に示すように、吸引ローラ２０８の内側において中空シャフト２１０の周面には一様な分布密度で多数の通気孔２１０ａが形成されている。吸引ローラ２０８の内周面とシャフト２１０の外周面との間に形成されるリング状空間２１２の下半分には、通気孔２０８ａを内側から遮蔽するための横断面円弧状の遮蔽板２１４が遊挿されている。この遮蔽板２１４は、吸引ローラ２０８およびシャフト２１０が回転している時でも、自己の重力でリング状空間２１２の下部に留まるようになっている。このように遮蔽板２１４が下半部の通気孔２０８ａを塞ぐことにより、吸引ローラ２０８の芯部つまりシャフト２１０から涌き出るバキューム吸引力が上半部の通気孔２０８ａに集中するようになっている。
【００７４】
吸引ローラ２０８の高さ位置は、ローラ上端が搬送ローラ１３８（１３８Ａ，１３８Ｂ）によって規定される搬送路１０８のレベルよりもわずかに低くなるように設定されている。搬送路１０８上を基板Ｇが上流から流れて来ると、吸引ローラ２０８は基板Ｇの裏面をローラ上端面に吸着しながらコロ搬送で下流側へ送る。こうして、基板Ｇが吸引ローラ２０８の上を通過する際には、ローラ２０８の外周面に倣って基板Ｇの裏面が一定の高さ位置に規正され、基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されるようになっている。
【００７５】
図１１および図１２に示すように、高さ検出センサ２００の真下にも、搬送路１０８を挟んで上記吸引ローラ２０８と同様の構成、高さ位置および機能を有する吸引ローラ２０８’が配置されている。吸引ローラ２０８’の軸２１０’も当該モジュールＭ3の左右両側壁の軸受１４２Ａ，１４２Ｂに回転可能に架け渡されており、片側の軸受１４２Ａよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０’の一端部は搬送駆動系のねじ歯車１４４に固着され、反対側の軸受１４２Ｂよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０’の他端には排気管２１２’が接続されている。この排気管２１２’も真空ポンプ（図示せず）に通じている。搬送路１０８上で基板Ｇが高さ検出センサ２００の真下を通過する際、つまり吸引ローラ２０８’の真上を通過する際には、ローラ２０８’の外周面に倣って基板Ｇの裏面がローラ２０８を通る時と同一の高さ位置に規正され、基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されるようになっている。
【００７６】
高さ検出センサ２００は、たとえば光電式の近接センサまたは距離検出センサからなり、発光素子、対物レンズ、反射光検出部、光電変換部等を有しており、搬送路幅方向の中心部にて一定の高さ位置で垂直逆さ向きに固定配置される。センサ演算制御部２１０は、たとえばマイクロコンピュータからなり、高さ検出センサ２００の発光素子を制御するとともに、光電変換部からの電気信号に基づいてセンサ２００内の基準位置とその真下を通過する基板Ｇの上面つまり被処理面（より正確には基板Ｇ上の液面）との間の距離間隔ｄ1を求め、該基準位置と距離間隔ｄ1とから基板Ｇの被処理面の高さ位置を求める。
【００７７】
センサ演算制御部２１０で求められた距離間隔ｄ1または基板高さ位置の測定値は、ノズル高さ調整部２０４に与えられる。ノズル高さ調整部２０４は、垂直支持棒２０６を介して吸引ノズル２０２の高さ位置を微調整するためのアクチエータ（図示せず）を有しており、センサ演算制御部２１０からの基板高さ位置の測定値に基づいて、直後に真下（吸着ローラ２０８の真上）の搬送路１０８上を通過する基板Ｇの被処理面（液面）に対する吸引ノズル２０２の吐出口２０２ａの距離間隔ｄ2を設定値（たとえば０．５ｍｍ）に合わせる。これにより、吸引ノズル２０２は、基板Ｇの被処理面（レジスト表面）を損傷することなく基板上に盛られている現像液Ｑの液面に吐出口２０２ａを可及的に近接させて、現像液Ｑをバキューム吸引により効率的に吸い取りできるようになっている。吸引ノズル２０２に吸い取られた現像液は、エジェクト管２０７を介してエジェクタ装置へ送られてから所定の容器に回収されるようになっている。
【００７８】
次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における作用を説明する。基板搬入部１１０は、図７および図８について上述したように、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１０８に移載する。搬送路１０８を構成する搬送用シャフト１３６の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂは上記したように回転駆動シャフト１４６、ねじ歯車１４８，１４４等の伝動機構を介して電気モータ１５０の回転駆動力で回転しているため、搬送路１０８に載った基板Ｇは直ちに隣の現像部１１２へ向けて搬送される。
【００７９】
現像部１１２において、基板Ｇは、先ず現像液供給部１２４に搬入され、コロ搬送中に現像液液供給ノズルＤＮより現像液を液盛りされる。この実施形態では、図９および図１０につき上述したようなノズル走査機構ＳＣDの走査駆動によりノズルＤＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けて現像液を滴下する。このノズルＤＮによる基板Ｇへの現像液供給において基板Ｇの外に落ちた現像液は、搬送路１０８の下に設置されている現像液パン１３０に受け集められる。
【００８０】
図１５の（Ａ）に示すように、搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＮ（ＤＮ）を走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定した場合は、ノズル走査速度ＶNと基板搬送速度ＶGとを足し合わせた相対速度（ＶN＋ＶG）でノズルＮ（ＤＮ）が基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全域に現像液を盛ることができる。
【００８１】
現像液供給部１２４で上記のようにして被処理面全域に現像液を供給された基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って隣の現像液吸い取り部１２６に搬入される。
【００８２】
現像液吸い取り部１２６では、基板Ｇの前端部が高さ検出センサ２００の真下に来ると、吸引ローラ２０８’が基板Ｇの裏側から基板Ｇを水平な所定の高さ位置に規正して、高さ検出センサ２００およびセンサ演算制御部２１０が基板Ｇ上に盛られている現像液の液面の高さ位置を測定する。そして、この基板高さ位置の測定値を基に、下流側のノズル高さ調整部２０４が吸引ノズル２０２の高さ位置を微調整する。
【００８３】
基板Ｇが吸引ノズル２０２の真下に来ると、吸引ローラ２０８が基板の裏面を吸引ローラ２０８’と同じ水平な高さ位置に規正しながらコロ搬送を行う。吸引ノズル２０２は、真下を通過する基板Ｇの被処理面と最適な距離間隔を保ったまま基板上の現像液Ｑを最適な距離間隔ｄ2で基板前端部から後端部まで搬送方向とは反対方向に走査して吸い取る。上記したように、吸引ノズル２０２に吸い取られた現像液はエジェクト管２０７を通って回収される。
【００８４】
現像部１１２で上記のような現像液の供給と回収を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗ってリンス部１１４に搬入される。リンス部１１４では、図９および図１０につき上述したようなノズル走査機構ＳＣRの走査駆動によりリンス液供給ノズルＲＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けてリンス液たとえば純水を吹き付ける。基板Ｇの外に落ちたリンス液は、搬送路１０８の下に設置されているリンス液パン１３２に受け集められる。
【００８５】
上記のように現像液供給部１２４で盛られた現像液の多くが現像液吸い取り部１２６にて吸引ノズル２０２に吸い取られて回収されるので、リンス部１１４に持ち込まれる割合が低く、したがってリンス液パン１３２に混入する割合も低い。また、現像液を吸い取られた直後の基板Ｇにリンス液を供給するので、リンス液への置換（現像停止）を速やかに行うことができる。
【００８６】
リンス部１１４においても、図１５の（Ａ）に示すように搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＲＮを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定してよい。これにより、ノズルＲＮがノズル走査速度ＶNと基板搬送速度ＶGとを足し合わせた相対速度（ＶN＋ＶG）で基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全体にリンス液を供給して、速やかにリンス液への置換（現像停止）を行うことができる。なお、基板Ｇの裏面を洗浄するためのリンス液供給ノズル（図示せず）を搬送路１０８の下に設けてもよい。
【００８７】
リンス部１１４で上記のようなリンス工程を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗って乾燥部１１６に搬入される。乾燥部１１６では、図４に示すように搬送路１０８上を搬送される基板Ｇに対して所定位置に設置した上下のエアーナイフＥＮより基板上面（被処理面）および裏面にナイフ状の鋭利な気体流たとえばエアーを当てることにより、基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落す（液切りする）。
【００８８】
乾燥部１１６で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って基板搬出部１１８に送られる。基板搬出部１１８は、基板搬入部１１０と同様の構成を有しており、基板搬送方向が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部１１０と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２２を搬送路１０８よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部１１６）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２２の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２２を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００８９】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、現像部１１２、リンス部１１４にそれぞれ別個のパン１３０，１３２を設けることにより、搬送路１０８の下に落ちた各処理液（現像液、リンス液）の分別回収をはかっている。さらに、現像部１１２では、現像液供給部１２４で基板Ｇ上に盛った現像液をすぐ下流の現像液吸い取り部１２６において基板Ｇを停止させずに基板Ｇ上の現像液を安全かつ効率的に吸い取って原液に近い状態で回収する。
【００９０】
リンス部１１４にも上記現像液吸い取り部１２６に相当するリンス液吸い込み部を設けてもよく、それによって、リンス工程の直後に基板Ｇ上からリンス液を短時間で効率よく液切りすると同時に回収率を高めることができる。
【００９１】
また、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、搬送路１０８上を多数の基板Ｇを所定の間隔を置いて一列に搬送しながら現像液供給部１２４、現像液吸い取り部１２６、リンス部１１４および乾燥部１１６で各処理を順次施すようにしており、いわばパイプライン方式による高効率ないし高スループットの現像処理工程を実現することができる。
【００９２】
特に、現像液供給部１２４およびリンス部１１４では、搬送路１０８上の基板Ｇに対して処理液（現像液、リンス液）を供給するノズルＤＮ，ＲＮを搬送路１０８の上方で搬送路１０８に沿って走査することにより、基板Ｇのサイズが大きくても、搬送路１０８の搬送速度が高くなくても、基板被処理面の全体に万遍無く処理液を短時間で迅速に供給することが可能である。とりわけ、現像液供給工程では、基板Ｇの搬送方向の一端部（先端部）と他端部（後端部）の間の処理液供給の時間差つまり現像開始の時間差を可及的に短くできるため、基板上の現像品質の面内均一性を向上させることができる。
【００９３】
なお、この実施形態のノズル走査機構ＳＣでは、ノズルＮを搬送路１０８に沿って双方向に走査できる構成であるから、図１５の（Ｂ）に示すようにノズルＮを基板搬送方向と逆向きに走査しながら基板Ｇの被処理面全体に処理液Ｑを供給することも可能である。この場合は、ノズル走査速度ＶN’を基板搬送速度ＶGよりも大きな速度に設定する必要がある。
【００９４】
なお、搬送路１０８上における各可動ノズルＮの走査可能エリアを１モジュールＭを越える範囲に設定してもよく、隣接する可動ノズルが共通のガイドレールに相互乗り入れできる構成とすることも可能である。
【００９５】
上記の実施形態では、バドル方式の現像を行うように構成した。しかし、スプレー方式に変形するのは簡単であり、現像液供給部１２４において現像液供給ノズルＤＮを液盛り型からスプレー型の吐出構造に交換すればよい。スプレー方式では、現像液供給部１２４の前段にプリウエット部を設け、そこで基板Ｇの被処理面にプリウエット液たとえば純水を供給するのが好ましい。処理液の分別回収の面から、プリウエット部には搬送路１０８の下に現像液供給部１２４とは別個の専用パン（プリウエット液パン）を設けるのが好ましく、さらには、プリウエット部内の下流側に上記現像液吸い取り部１２６に相当するプリウエット液吸い込み部を設けるのが好ましい。
【００９６】
上記した実施形態では、現像部１１２の下流部に配置した現像液吸い取り部１２６によりリンス部１１４に搬入する手前で基板Ｇ上から現像液を効率よく回収するようしている。このような現像液吸い取り部１２６と併用して、現像部１１２とリンス部１１４との境界付近に図１６に示すようなエアーナイフ機構を設ける構成も可能である。図１６において、エアーナイフＦＮは、搬送路１０８の幅方向で基板Ｗの端から端まで延在する無数のエアー吐出口またはスリット状のエアー吐出口を有しており、所定の位置で傍（直下）を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を当てる。これにより、基板ＧがエアーナイフＦＮを通過する間に基板上の現像液Ｑが基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる。
【００９７】
上記した実施形態における吸い取り機構は、搬送路１０８上の基板の被処理面にバキューム式の吸引ノズル２０２を近づけて基板上の液を吸い取る方式のものであった。そのような吸引ノズル方式に代えて、スポンジローラを用いて基板上の液をスポンジに吸着して吸い取る方式も可能である。
【００９８】
図１７および図１８に、スポンジローラ吸着方式の一例を示す。この構成例では、たとえばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）製の多孔質体からなる円筒状のスポンジローラ２１２を搬送方向で相隣接する搬送ローラ１３８の中間の位置にて搬送路１０８の幅方向に水平に配置し、上方に設置したローラ昇降支持部２１４で左右一対の垂直支持棒２１６を介して昇降可能に、かつ、垂直支持棒２１６の下端に固着された左右一対の軸受２１８で回転可能に支持している。
【００９９】
搬送路１０８上で基板Ｇがスポンジローラ２１２の傍らを通る時、スポンジローラ２１２は搬送路１０８の上に設定されている吸い取り位置Ｐaにて基板Ｇの被処理面に接触しながら回転し、搬送方向とは逆方向に基板Ｇ上を端から端まで相対的に転動して基板上の液Ｑを吸着して吸い取る。
【０１００】
基板Ｇが通過すると、直後に、ローラ昇降支持部２１４がスポンジローラ２１２を搬送路１０８の下方に設定された所定の絞り出し位置Ｐbまでスポンジローラ２１２を降ろす。この絞り出し位置Ｐbで、スポンジローラ２１２は斜め下方に隣接して配置されているシャフトローラ２２０に押し当てられる。
【０１０１】
シャフトローラ２２０は図示しない電気モータの駆動で回転するようになっており、スポンジローラ２１２を半径方向内側に押圧しながら回して、スポンジローラ２１２の中から液Ｑを絞り出させる。スポンジローラ２１２の中から絞り出された液Ｑは直下のパン（図示せず）に受け集められる。後続の基板Ｇが流れてくる前には、この絞り出し動作を終了させて、スポンジローラ２１２を搬送路１０８の上の吸い取り位置Ｐaに戻しておく。
【０１０２】
図１９および図２０に、スポンジローラ吸着方式の別の構成例を示す。この構成例では、スポンジローラ２２２の芯部または軸２２２ａを多数の通孔２２３を有する中空シャフトで構成し、この中空の軸２２２ａの内部をエジェクト管２２４を介してバキューム系統のエジェクタ装置（図示せず）に接続する。ローラ回転駆動部２２６は、駆動ベルト２２８およびプーリ２３０を介してローラ軸２２２ａに回転駆動力を与え、スポンジローラ２２２を吸い取り位置にて搬送速度に合わせて回転させるようにしている。
【０１０３】
搬送路１０８上の基板Ｇがスポンジローラ２２２の下を通過する際には、ローラ回転駆動部２２６による駆動でスポンジローラ２２２が搬送方向とは逆方向に基板Ｇ上を端から端まで相対的に転動しながら基板上の液Ｑを吸着して吸い取る。スポンジローラ２２２に吸着された液Ｑはエジェクタ装置からのバキューム吸引力で中空の軸２２２ａの中へ吸い込まれ、エジェクト管２２４を通って回収される。この方式では、バキューム吸引力がスポンジローラ２２２の吸着力を高めているので、基板Ｇに対するスポンジローラ２２２の接触圧が小さくても、あるいは実質的に非接触状態でも基板上の液を効果的に吸い取る（吸い上げる）ことができる。また、吸い取り位置のスポンジローラ２２２から吸着直後の液を直ちに回収できるので、吸着力を一定に維持することができる。
【０１０４】
上記のようなスポンジローラ吸着方式においても、スポンジローラ２１２，２２２に隣接する搬送ローラ１３８を上記実施例と同様の吸着ローラ２０８で構成してもよく、上流側で基板高さセンサ２００等により基板の高さ位置を測定してスポンジローラ２１２，２２２の絞り出し位置を微調整してもよい。
【０１０５】
上記した実施形態における各部の構成は一例であり、吸い取り機構以外の部分においても種々の変形が可能である。たとえば、ノズル走査機構ＳＣにおけるノズル支持体１５６や走査駆動部１６０等の構成も任意に変形することが可能である。あるいは、現像液ノズルＤＮやリンス液ノズルＲＮを定置式のノズルとして構成することも可能である。
【０１０６】
上記した実施形態では、回転可能なシャフト１３６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１０８を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、両搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、搬送路１０８の駆動系を搬送方向において複数に分割し、各分割搬送路上の搬送動作（速度、停止等）を独立制御することも可能である。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能である。また、現像部１１２やリンス部１１４において、基板を水平状態に限らず傾斜状態で処理してもよいことはいうまでもない。
【０１０７】
上記した実施形態は現像装置に係わるものであったが、本発明は現像装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいてはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２にも適用可能である。すなわち、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における搬送路上でブロー洗浄部の後段に上記実施形態と同様の吸い取り機構を設けることにより、基板Ｇ上に残っている洗浄液を効率よく液切りしたり回収することができる。
【０１０８】
本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、現像処理の適用可能な任意の被処理基板が含まれる。
【０１０９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を単時間で効率よく液切りし、さらには高純度で分別回収することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の現像処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態における現像ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプリウエット部回りの構成を示す平面図である。
【図６】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプリウエット部回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図７】上記現像ユニットにおける基板搬入部の構成および作用（基板受け渡し）を示す一部断面側面図である。
【図８】上記基板搬入部の構成および作用（基板の移載）を示す一部断面側面図である。
【図９】上記現像ユニットにおけるノズル走査機構の構成を示す一部断面側面図である。
【図１０】上記走査機構の構成を示す斜視図である。
【図１１】実施形態における現像液吸い取り部の構成を示す正面図である。
【図１２】実施形態の現像液吸い取り部における高さ位置センサ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１３】実施形態の現像液吸い取り部における吸引センサ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１４】実施形態の現像液吸い取り部における吸引ノズル回りの構成を示す一部断面拡大正面図である。
【図１５】実施形態におけるノズル走査の作用を示す略正面図である。
【図１６】実施形態におけるエアーナイフの作用を示す略側面図である。
【図１７】一実施形態の現像液吸い取り部におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図１８】実施形態におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１９】一実施形態の現像液吸い取り部におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図２０】実施形態におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【符号の説明】
１０ 塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション
３２ 塗布プロセス部
９４ 塗布ユニット
１０８ 搬送路
１１２ 現像部
１１４ リンス部
１１６ 乾燥部
１２４ 現像液供給部
１２６ 現像液吸い取り部
１３０ 現像液パン
１３２ リンス液パン
１３８（１３８Ａ，１３８Ｂ） 搬送ローラ
２００ 高さ検出センサ
２０２ 吸引ノズル
２０４ ノズル高さ調整部
２０８，２０８’ 吸引ローラ
２１０ センサ演算制御部
２１２，２１２’ スポンジローラ
２２０ シャフトローラ
２２４ エジェクト管
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板を水平に搬送しながら単一または一連の液処理工程を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる現像方式として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
【０００３】
一般に、平流し方式の現像処理装置では、搬送路に沿って上流側から下流側に順次設定される現像工程、リンス工程の各液処理部毎に搬送路の下に落ちた液を受け集めるための皿状容器またはパンが設けられ、各パンの排液口は別個の排液系統に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の平流し方式では、搬送路上で基板を水平姿勢に保ったまま上流側の液処理部から下流側の液処理部へ搬送するため、上流側の液処理部で用いられた処理液が基板上に残ったまま下流側の液処理部へ送られて下流側のパンに落下ないし混入してしまい、各処理液の分別回収が難しかった。
【０００５】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を基板上から単時間で効率よく液切りするようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明の別の目的は、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を高純度で分別回収するようにした基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、 前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、前記搬送路上の所定位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、前記搬送路上の前記所定位置付近で前記基板を搬送路幅方向において所定の高さに規正する基板高さ規正手段とを有し、前記基板高さ規正手段が、前記搬送路上の前記基板の裏面と対向するように前記搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、前記ローラを回転駆動するローラ駆動手段と、前記ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、前記中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段とを備える。
【０００８】
上記第１の基板処理装置においては、処理液供給手段により水平姿勢の基板の被処理面に処理液が供給されて所定の液処理が行われ、処理後も基板上には液が残る。しかし、搬送路の下流側の所定位置で、吸い取り手段が基板上の液を吸い取るようになっている。ここで、該所定位置（吸い取り位置）付近では、搬送路上を基板が上流から流れてくると、基板高さ規正手段の中空円筒状のローラがバキューム吸引力により基板をローラ上面に吸着しながらコロ搬送で下流側へ送る。こうして、バキューム吸引力を与えながら回転運動する中空円筒状ローラの上を基板が通過することで、該ローラの外周面に倣って基板の裏面が一定の高さ位置に規正され、これによって基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されることになり、この高い精度で平坦面に規正された基板上の液を吸い取り手段が吸い取るので、安定確実に効率よく液切りできるとともに処理液を高い純度で回収できる。
【０００９】
また、本発明の第２の基板処理装置は、上記の目的を達成するために、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、前記搬送路上の第１の位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、前記搬送路上の第１の位置付近で前記基板を搬送路幅方向において第１の高さに規正する第１の基板高さ規正手段と、前記搬送路上の前記第１の位置よりも上流側の第２の位置にて前記基板を搬送路幅方向において前記第１の高さに対応する第２の高さに規正する第２の基板高さ規正手段と、前記第２の位置における前記基板の被処理面の高さを測定する基板高さ測定手段と、前記基板高さ測定手段の測定結果に応じて前記吸い取り手段の高さ位置を可変調整するための吸い取り高さ調整手段とを有する。
【００１０】
上記第２の基板処理装置においては、処理液供給手段により水平姿勢の基板の被処理面に処理液が供給されて所定の液処理が行われ、処理後も基板上には液が残る。しかし、搬送路の下流側の第１の位置で、吸い取り手段が基板上の液を吸い取るようになっている。ここで、第１の基板高さ規正手段が、第１の位置を通過する基板を搬送路幅方向において第１の高さに規正する。しかも、これに先立って、第１の位置よりも上流側の第２の位置で第２の基板高さ規正手段がやはり基板を搬送路幅方向において上記第１の高さに対応する第２の高さに規正し、そのときの基板の被処理面の高さを基板高さ測定手段が測定しておく。そして、基板が第１の位置を通過する際には、上記基板高さ測定手段の測定結果に応じて吸い取り調整手段が吸い取り手段の高さ位置を可変調整するので、吸い取り手段は第１の位置で基板の被処理面に当接することなく可及的に近接して液を効率よく吸い取ることができる。
【００１１】
上記第２の基板処理装置において、好ましい一実施態様によれば、第１および第２の基板高さ規正手段の少なくとも一方が、搬送路上の基板の裏面と対向するように搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、このローラを回転駆動するローラ駆動手段と、該ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、この中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段とを備える。かかる構成により、第１の位置および／または第２の位置では、基板がバキューム吸引力を与えながら回転運動する中空円筒状ローラの上を通過することで、基板の裏面がローラの外周面に倣って一定の高さ位置に規正され、ひいては基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されることになり、第２の位置における基板高さ測定の精度および／または第１の位置における吸い取りギャップ精度をより一層向上させることができる。
【００１２】
上記第１または第２の基板処理装置において、吸い取り手段の好ましい一態様は、搬送路よりも所定のレベルだけ高い位置で搬送路側に吸引口を向けて搬送路幅方向に延在する吸引ノズルと、この吸引ノズルの吸引口付近に存在する液体をバキューム吸引により吸引口の中に吸い込んで所定の排液系統へ除去するために、吸引ノズルの内部空間を真空引きする第２のバキューム手段とを有する構成である。かかる構成においては、搬送路上の基板が吸引ノズルの傍らを通過する際に、吸引ノズルが基板上の液面に吸引口を可及的に近づけてバキューム吸引により基板上の液を吸い取ることができる。
【００１３】
上記第１または第２の基板処理装置における吸い取り手段の別の好適な一態様として、搬送路上の基板の被処理面に搬送路幅方向においてライン状に接触または近接しながら回転するスポンジローラと、このスポンジローラに吸着された液を外に取り出して回収するための回収手段とを有する構成も好ましい。この方式においては、搬送路上の基板がスポンジローラの傍らを通過する際に、スポンジローラが基板の被処理面に接触または近接しながら回転して基板上の液をスポンジに吸着して吸い取る。回収手段の好ましい態様としては、スポンジローラの周面に半径方向内側に向う圧力を加えて中から液を絞り出す絞り出し手段を有する構成が好ましく、あるいはスポンジローラの芯部にバキューム吸引力を与える第３のバキューム手段を含む構成も好ましい。バキューム吸引式の場合は、スポンジローラを基板の被処理面に当てずに吸い取ることも可能であり、スポンジローラに吸着した液を直ちにローラの外に回収することもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１５】
図１に、本発明の現像処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１６】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）の両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１７】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１８】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１９】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２０】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。図示省略するが、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２１】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２２】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この回転搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２３】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２４】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２５】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２６】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２７】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２８】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４の構成と作用は後で詳しく説明する。
【００２９】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３０】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３１】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３２】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３３】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッフア・ステージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１０７を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１０７は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１０７と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３４】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３５】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３６】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。なお、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらエアーナイフ等によって液切りして、基板Ｇを乾燥させる。
【００３７】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００３８】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。
【００３９】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４０】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４１】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４２】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４３】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡される。
【００４４】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１０７の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４５】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１０７のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４７】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で水平姿勢で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４８】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４９】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５０】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５１】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図２０を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した実施形態を説明する。
【００５２】
図４に、本発明の一実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１０８を形成する複数たとえば６つのモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
【００５３】
これらのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置するモジュールＭ1で基板搬入部１１０を構成し、その後に続く２つのモジュールＭ2，Ｍ3で現像部１１２を構成し、その次のモジュールＭ4でリンス部１１４を構成し，その次のモジュールＭ5で乾燥部１１６を構成し、最後尾のモジュールＭ6で基板搬出部１１８を構成している。
【００５４】
基板搬入部１１０には、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１０８上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。基板搬出部１１８にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２２が設けられている。
【００５５】
現像部１１２は、より詳細には、モジュールＭ2に現像液供給部１２４を設け、モジュールＭ3に現像液吸い取り部１２６を設けている。現像液供給部１２４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板に現像液を供給するための現像液供給ノズルＤＮが１個または複数個設けられている。現像液吸い取り部１２６には、搬送路１０８に沿って後述する高さ検出センサ２００や吸引ノズル２０２等を有する現像液吸い取り機構（図１１〜図１４）が配置されている。
【００５６】
リンス部１１４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板にリンス液たとえば純水を供給するためのリンス液供給ノズルＲＮが１個または複数個設けられている。乾燥部１１６には、搬送路１０８に沿って基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を液切りするためのエアーナイフＥＮが搬送路１０８を挟んで一対または複数対設けられている。
【００５７】
現像部１１２およびリンス部１１４においては、搬送路１０８の下に落ちた液を受け集めるためのパン１３０，１３２がそれぞれ設けられている。各パン１３０，１３２の底には排液口が設けられ、そこに異なる排液系統の排液管１３１，１３３が接続されている。
【００５８】
図５〜図８に、搬送路１０８および基板搬入部１１０の構成を示す。
【００５９】
搬送路１０８は、回転可能なシャフト１３６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ１３８Ａ，１３８ＢをプロセスラインＢに沿って水平に敷設してなるコロ搬送型の搬送路として構成されている。
【００６０】
より詳細には、各モジュールＭの左右両側壁の上部または軸脚部材１４０に軸受１４２Ａ，１４２ＢがプロセスラインＢの方向に一定間隔で取り付けられ、搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを左右両側壁の内側に位置させるようにして各一対の軸受１４２Ａ，１４２Ｂにシャフト１３６が回転可能に架け渡される。そして、各シャフト１３６の片側の軸受１４２Ａよりも外側に延長する一端部にねじ歯車１４４が固着され、各シャフト１３６側の各ねじ歯車１４４にプロセスラインＢの方向に延在する回転駆動シャフト１４６側の各ねじ歯車１４８が直角方向から噛合する。回転駆動シャフト１４６は電気モータ１５０の回転軸に結合されている。電気モータ１５０が回転駆動シャフト１４６を所定方向に回転駆動すると、その回転駆動力が回転シャフト１４６側の各ねじ歯車１４８から搬送用シャフト１３６側のねじ歯車１４４に伝動され、各シャフト１３６の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂが所定方向（基板Ｇを搬送路１０８の前方に送る方向）に回転するようになっている。
【００６１】
基板搬入部１１０において、基板受け渡し用のリフトピン１２０は、搬送路１０８の下に水平に配置された昇降板１５２に所定間隔で離散的に立設または植設されている。この昇降板１５２の下には、たとえばエアシリンダ（図示せず）を含む昇降駆動部１５４が設置されている。
【００６２】
図７に示すように、昇降駆動部１５４が昇降板１５２を所定の高さに持ち上げると、リフトピン１２０がシャフト１３６間の隙間を通って搬送路１０８の上に突出し、その高さ位置で隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを水平姿勢で受け取ることができる。
【００６３】
リフトピン１２０の上に基板Ｇが受け渡されると、図８に示すように、昇降駆動部１５４が昇降板１５２を原位置に降ろすことにより、その下降の途中で基板Ｇの両端部（搬送路１０８の幅方向の両端部）が搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂに載るようにして、基板Ｇは搬送路１０８上に水平姿勢で移載される。なお、各搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの外径は内側（シャフト中心側）で一段細くなっており、この小径部１３９に基板Ｇの一端部が載るようになっている。
【００６４】
図４において、現像液供給ノズルＤＮおよびリンス液供給ノズルＲＮは、それぞれノズル走査機構ＳＣDおよびＳＣRによって搬送路１０８の上方を搬送路１０８と平行に移動するようになっている。
【００６５】
図９および図１０に、一実施例によるノズル走査機構ＳＣ（ＳＣD，ＳＣR）の構成を示す。このノズル走査機構ＳＣは、可動ノズルＮ（ＤＮ，ＲＮ）を支持するための断面が逆さコ字状のノズル支持体１５６と、搬送路１０８の上方で搬送路１０８と平行にノズル支持体１５６を案内するためのガイドレール１５８（図９）と、ガイドレール１５８に沿って移動するようにノズル支持体１５６を駆動する走査駆動部１６０とを有する。
【００６６】
図１０に示すように、走査駆動部１６０は、たとえば、ノズル搬送体１５６に１本または複数本の垂直支持部材１６１を介して結合された１本または複数本の無端ベルト１６２をガイドレール１５８（図９）と平行に（つまり搬送路１０８と平行に）駆動プーリ１６４と遊動プーリ１６６との間に架け渡し、駆動プーリ１６４を電気モータ１６８の回転軸に作動結合してなる。電気モータ１６８の回転駆動力がプーリ１６４，１６６およびベルト１６２を介してベルト長さ方向（Ｘ方向）におけるノズル搬送体１５６の直進運動に変換される。電気モータ１６８の回転速度を制御することによってノズル搬送体１５６の直進移動速度を所望の値に調節し、電気モータ１６８の回転方向を切り替えることによってノズル搬送体１５６の直進移動方向を切り替えることができる。なお、図１０では、図解の簡略化のため、ガイドレール１５８は図示していない。
【００６７】
ノズル搬送体１５６においては、左右両側面の内壁にたとえばエアシリンダ等のアクチエータからなる昇降駆動部１７０がそれぞれ取り付けられており、それら左右一対の昇降駆動部１７０の間にたとえば中空管からなる水平支持棹１７２が水平に架け渡されている。そして、この水平支持棹１７２の中心部から垂直下方に延在するたとえば中空管からなる垂直支持棹１７４の下端部に筒状の可動ノズルＮが吐出口ｎを下に向けて水平に取り付けられている。ノズルＮの吐出口ｎは、搬送路１０８の幅方向で基板Ｇの一端から他端までほぼ均一に処理液を供給できる範囲でノズル長手方向に一定間隔で多数形成されていてよい。
【００６８】
ノズル搬送体１５６内で、可動ノズルＮは、昇降駆動部１７０の昇降駆動により水平支持棹１７２および垂直支持棹１７４を介して昇降可能となっており、通常は、搬送路１０８上の基板Ｇに向けて処理液を吐出するための高さ位置Ｈaと処理液を吐出しない間に搬送路１０８から退避しておくための高さ位置Ｈbとの間で上下するようになっている。水平支持棹１７２の一端部には搬送路１０８の外に設置されている処理液供給源（図示せず）からの可撓性の処理液供給管１７６が引き込まれている。この処理液供給管１７６は、水平支持棹１７２および垂直支持棹１７４の中を通ってノズルＮの処理液導入口に接続されている。
【００６９】
図９に示すように、好ましくは、搬送路１０８上の可動ノズルＮの可動エリア（Ｘ方向およびＺ方向）を外部から遮蔽するための断面逆さコ字状のカバー１７８を搬送路１０８に沿って設けてよい。図示の構成例では、カバー１７８の左右両側面を該当モジュールＭの左右両側壁の上端部または軸脚部材１４０まで垂らしており、隙間を可及的に少なくしている。カバー１７８の上面または天井には垂直支持棹１７４を通すためのスリット（開口）１７８ａを形成してよい。このように、カバー１７８によって可動ノズルＮを走査駆動系から遮蔽または隔離することで、カバー１７８内側の異物の少ない処理空間ＰＳで搬送路１０８上の基板Ｇに可動ノズルＮより処理液を供給できるようになっている。
【００７０】
図１１〜図１４に、この実施形態の現像液吸い取り部１２６における吸い取り機構の構成を示す。図１１に示すように、現像液吸い取り部１２６に敷設される搬送路１０８の上方には、下流側のリンス部１１４に隣接して吸引ノズル２０２が設けられるとともに、その少し上流に高さ検出センサ２００が設けられる。
【００７１】
吸引ノズル２０２は、搬送路１０８の幅方向に水平に延在し、吐出口２０２ａを真下に向けて搬送路１０８に近接して配置され、ノズル高さ調整部２０４により垂直支持棒２０６を介して吐出口２０２ａの高さ位置を可変調整されるようになっている。吸引ノズル２０２には、空気圧式真空装置からなるエジュクタ装置（（図示せず）に通じる可撓性のエジェクト管２０７が接続されている。
【００７２】
搬送路１０８を挟んで吸引ノズル２０２の真下には搬送路幅方向に延在する円筒状の吸引ローラ２０８が配置されている。図１３に示すように、この吸引ローラ２０８は、筒体の外周面に一様な分布密度で多数の通気孔２０８ａを有している。吸引ローラ２０８の左右両端面は閉塞しており、中空の軸またはシャフト２１０に一体結合されている。このシャフト２１０は、当該モジュールＭ3の左右両側壁の軸受１４２Ａ，１４２Ｂに回転可能に架け渡されている。片側の軸受１４２Ａよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０の一端部は搬送駆動系のねじ歯車１４４に固着されている。反対側の軸受１４２Ｂよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０の他端には排気管２１２が接続されている。この排気管２１２は真空ポンプ（図示せず）に通じている。
【００７３】
図１４に示すように、吸引ローラ２０８の内側において中空シャフト２１０の周面には一様な分布密度で多数の通気孔２１０ａが形成されている。吸引ローラ２０８の内周面とシャフト２１０の外周面との間に形成されるリング状空間２１２の下半分には、通気孔２０８ａを内側から遮蔽するための横断面円弧状の遮蔽板２１４が遊挿されている。この遮蔽板２１４は、吸引ローラ２０８およびシャフト２１０が回転している時でも、自己の重力でリング状空間２１２の下部に留まるようになっている。このように遮蔽板２１４が下半部の通気孔２０８ａを塞ぐことにより、吸引ローラ２０８の芯部つまりシャフト２１０から涌き出るバキューム吸引力が上半部の通気孔２０８ａに集中するようになっている。
【００７４】
吸引ローラ２０８の高さ位置は、ローラ上端が搬送ローラ１３８（１３８Ａ，１３８Ｂ）によって規定される搬送路１０８のレベルよりもわずかに低くなるように設定されている。搬送路１０８上を基板Ｇが上流から流れて来ると、吸引ローラ２０８は基板Ｇの裏面をローラ上端面に吸着しながらコロ搬送で下流側へ送る。こうして、基板Ｇが吸引ローラ２０８の上を通過する際には、ローラ２０８の外周面に倣って基板Ｇの裏面が一定の高さ位置に規正され、基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されるようになっている。
【００７５】
図１１および図１２に示すように、高さ検出センサ２００の真下にも、搬送路１０８を挟んで上記吸引ローラ２０８と同様の構成、高さ位置および機能を有する吸引ローラ２０８’が配置されている。吸引ローラ２０８’の軸２１０’も当該モジュールＭ3の左右両側壁の軸受１４２Ａ，１４２Ｂに回転可能に架け渡されており、片側の軸受１４２Ａよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０’の一端部は搬送駆動系のねじ歯車１４４に固着され、反対側の軸受１４２Ｂよりも軸方向外側に延長するシャフト２１０’の他端には排気管２１２’が接続されている。この排気管２１２’も真空ポンプ（図示せず）に通じている。搬送路１０８上で基板Ｇが高さ検出センサ２００の真下を通過する際、つまり吸引ローラ２０８’の真上を通過する際には、ローラ２０８’の外周面に倣って基板Ｇの裏面がローラ２０８を通る時と同一の高さ位置に規正され、基板上面（被処理面）も基板の板厚に応じた高さ位置でほぼ平坦な面に規正されるようになっている。
【００７６】
高さ検出センサ２００は、たとえば光電式の近接センサまたは距離検出センサからなり、発光素子、対物レンズ、反射光検出部、光電変換部等を有しており、搬送路幅方向の中心部にて一定の高さ位置で垂直逆さ向きに固定配置される。センサ演算制御部２１０は、たとえばマイクロコンピュータからなり、高さ検出センサ２００の発光素子を制御するとともに、光電変換部からの電気信号に基づいてセンサ２００内の基準位置とその真下を通過する基板Ｇの上面つまり被処理面（より正確には基板Ｇ上の液面）との間の距離間隔ｄ1を求め、該基準位置と距離間隔ｄ1とから基板Ｇの被処理面の高さ位置を求める。
【００７７】
センサ演算制御部２１０で求められた距離間隔ｄ1または基板高さ位置の測定値は、ノズル高さ調整部２０４に与えられる。ノズル高さ調整部２０４は、垂直支持棒２０６を介して吸引ノズル２０２の高さ位置を微調整するためのアクチエータ（図示せず）を有しており、センサ演算制御部２１０からの基板高さ位置の測定値に基づいて、直後に真下（吸着ローラ２０８の真上）の搬送路１０８上を通過する基板Ｇの被処理面（液面）に対する吸引ノズル２０２の吐出口２０２ａの距離間隔ｄ2を設定値（たとえば０．５ｍｍ）に合わせる。これにより、吸引ノズル２０２は、基板Ｇの被処理面（レジスト表面）を損傷することなく基板上に盛られている現像液Ｑの液面に吐出口２０２ａを可及的に近接させて、現像液Ｑをバキューム吸引により効率的に吸い取りできるようになっている。吸引ノズル２０２に吸い取られた現像液は、エジェクト管２０７を介してエジェクタ装置へ送られてから所定の容器に回収されるようになっている。
【００７８】
次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における作用を説明する。基板搬入部１１０は、図７および図８について上述したように、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１０８に移載する。搬送路１０８を構成する搬送用シャフト１３６の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂは上記したように回転駆動シャフト１４６、ねじ歯車１４８，１４４等の伝動機構を介して電気モータ１５０の回転駆動力で回転しているため、搬送路１０８に載った基板Ｇは直ちに隣の現像部１１２へ向けて搬送される。
【００７９】
現像部１１２において、基板Ｇは、先ず現像液供給部１２４に搬入され、コロ搬送中に現像液液供給ノズルＤＮより現像液を液盛りされる。この実施形態では、図９および図１０につき上述したようなノズル走査機構ＳＣDの走査駆動によりノズルＤＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けて現像液を滴下する。このノズルＤＮによる基板Ｇへの現像液供給において基板Ｇの外に落ちた現像液は、搬送路１０８の下に設置されている現像液パン１３０に受け集められる。
【００８０】
図１５の（Ａ）に示すように、搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＮ（ＤＮ）を走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定した場合は、ノズル走査速度ＶNと基板搬送速度ＶGとを足し合わせた相対速度（ＶN＋ＶG）でノズルＮ（ＤＮ）が基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全域に現像液を盛ることができる。
【００８１】
現像液供給部１２４で上記のようにして被処理面全域に現像液を供給された基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って隣の現像液吸い取り部１２６に搬入される。
【００８２】
現像液吸い取り部１２６では、基板Ｇの前端部が高さ検出センサ２００の真下に来ると、吸引ローラ２０８’が基板Ｇの裏側から基板Ｇを水平な所定の高さ位置に規正して、高さ検出センサ２００およびセンサ演算制御部２１０が基板Ｇ上に盛られている現像液の液面の高さ位置を測定する。そして、この基板高さ位置の測定値を基に、下流側のノズル高さ調整部２０４が吸引ノズル２０２の高さ位置を微調整する。
【００８３】
基板Ｇが吸引ノズル２０２の真下に来ると、吸引ローラ２０８が基板の裏面を吸引ローラ２０８’と同じ水平な高さ位置に規正しながらコロ搬送を行う。吸引ノズル２０２は、真下を通過する基板Ｇの被処理面と最適な距離間隔を保ったまま基板上の現像液Ｑを最適な距離間隔ｄ2で基板前端部から後端部まで搬送方向とは反対方向に走査して吸い取る。上記したように、吸引ノズル２０２に吸い取られた現像液はエジェクト管２０７を通って回収される。
【００８４】
現像部１１２で上記のような現像液の供給と回収を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗ってリンス部１１４に搬入される。リンス部１１４では、図９および図１０につき上述したようなノズル走査機構ＳＣRの走査駆動によりリンス液供給ノズルＲＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けてリンス液たとえば純水を吹き付ける。基板Ｇの外に落ちたリンス液は、搬送路１０８の下に設置されているリンス液パン１３２に受け集められる。
【００８５】
上記のように現像液供給部１２４で盛られた現像液の多くが現像液吸い取り部１２６にて吸引ノズル２０２に吸い取られて回収されるので、リンス部１１４に持ち込まれる割合が低く、したがってリンス液パン１３２に混入する割合も低い。また、現像液を吸い取られた直後の基板Ｇにリンス液を供給するので、リンス液への置換（現像停止）を速やかに行うことができる。
【００８６】
リンス部１１４においても、図１５の（Ａ）に示すように搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＲＮを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定してよい。これにより、ノズルＲＮがノズル走査速度ＶNと基板搬送速度ＶGとを足し合わせた相対速度（ＶN＋ＶG）で基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全体にリンス液を供給して、速やかにリンス液への置換（現像停止）を行うことができる。なお、基板Ｇの裏面を洗浄するためのリンス液供給ノズル（図示せず）を搬送路１０８の下に設けてもよい。
【００８７】
リンス部１１４で上記のようなリンス工程を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗って乾燥部１１６に搬入される。乾燥部１１６では、図４に示すように搬送路１０８上を搬送される基板Ｇに対して所定位置に設置した上下のエアーナイフＥＮより基板上面（被処理面）および裏面にナイフ状の鋭利な気体流たとえばエアーを当てることにより、基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落す（液切りする）。
【００８８】
乾燥部１１６で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って基板搬出部１１８に送られる。基板搬出部１１８は、基板搬入部１１０と同様の構成を有しており、基板搬送方向が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部１１０と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２２を搬送路１０８よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部１１６）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２２の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２２を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００８９】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、現像部１１２、リンス部１１４にそれぞれ別個のパン１３０，１３２を設けることにより、搬送路１０８の下に落ちた各処理液（現像液、リンス液）の分別回収をはかっている。さらに、現像部１１２では、現像液供給部１２４で基板Ｇ上に盛った現像液をすぐ下流の現像液吸い取り部１２６において基板Ｇを停止させずに基板Ｇ上の現像液を安全かつ効率的に吸い取って原液に近い状態で回収する。
【００９０】
リンス部１１４にも上記現像液吸い取り部１２６に相当するリンス液吸い込み部を設けてもよく、それによって、リンス工程の直後に基板Ｇ上からリンス液を短時間で効率よく液切りすると同時に回収率を高めることができる。
【００９１】
また、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、搬送路１０８上を多数の基板Ｇを所定の間隔を置いて一列に搬送しながら現像液供給部１２４、現像液吸い取り部１２６、リンス部１１４および乾燥部１１６で各処理を順次施すようにしており、いわばパイプライン方式による高効率ないし高スループットの現像処理工程を実現することができる。
【００９２】
特に、現像液供給部１２４およびリンス部１１４では、搬送路１０８上の基板Ｇに対して処理液（現像液、リンス液）を供給するノズルＤＮ，ＲＮを搬送路１０８の上方で搬送路１０８に沿って走査することにより、基板Ｇのサイズが大きくても、搬送路１０８の搬送速度が高くなくても、基板被処理面の全体に万遍無く処理液を短時間で迅速に供給することが可能である。とりわけ、現像液供給工程では、基板Ｇの搬送方向の一端部（先端部）と他端部（後端部）の間の処理液供給の時間差つまり現像開始の時間差を可及的に短くできるため、基板上の現像品質の面内均一性を向上させることができる。
【００９３】
なお、この実施形態のノズル走査機構ＳＣでは、ノズルＮを搬送路１０８に沿って双方向に走査できる構成であるから、図１５の（Ｂ）に示すようにノズルＮを基板搬送方向と逆向きに走査しながら基板Ｇの被処理面全体に処理液Ｑを供給することも可能である。この場合は、ノズル走査速度ＶN’を基板搬送速度ＶGよりも大きな速度に設定する必要がある。
【００９４】
なお、搬送路１０８上における各可動ノズルＮの走査可能エリアを１モジュールＭを越える範囲に設定してもよく、隣接する可動ノズルが共通のガイドレールに相互乗り入れできる構成とすることも可能である。
【００９５】
上記の実施形態では、バドル方式の現像を行うように構成した。しかし、スプレー方式に変形するのは簡単であり、現像液供給部１２４において現像液供給ノズルＤＮを液盛り型からスプレー型の吐出構造に交換すればよい。スプレー方式では、現像液供給部１２４の前段にプリウエット部を設け、そこで基板Ｇの被処理面にプリウエット液たとえば純水を供給するのが好ましい。処理液の分別回収の面から、プリウエット部には搬送路１０８の下に現像液供給部１２４とは別個の専用パン（プリウエット液パン）を設けるのが好ましく、さらには、プリウエット部内の下流側に上記現像液吸い取り部１２６に相当するプリウエット液吸い込み部を設けるのが好ましい。
【００９６】
上記した実施形態では、現像部１１２の下流部に配置した現像液吸い取り部１２６によりリンス部１１４に搬入する手前で基板Ｇ上から現像液を効率よく回収するようしている。このような現像液吸い取り部１２６と併用して、現像部１１２とリンス部１１４との境界付近に図１６に示すようなエアーナイフ機構を設ける構成も可能である。図１６において、エアーナイフＦＮは、搬送路１０８の幅方向で基板Ｗの端から端まで延在する無数のエアー吐出口またはスリット状のエアー吐出口を有しており、所定の位置で傍（直下）を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を当てる。これにより、基板ＧがエアーナイフＦＮを通過する間に基板上の現像液Ｑが基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる。
【００９７】
上記した実施形態における吸い取り機構は、搬送路１０８上の基板の被処理面にバキューム式の吸引ノズル２０２を近づけて基板上の液を吸い取る方式のものであった。そのような吸引ノズル方式に代えて、スポンジローラを用いて基板上の液をスポンジに吸着して吸い取る方式も可能である。
【００９８】
図１７および図１８に、スポンジローラ吸着方式の一例を示す。この構成例では、たとえばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）製の多孔質体からなる円筒状のスポンジローラ２１２を搬送方向で相隣接する搬送ローラ１３８の中間の位置にて搬送路１０８の幅方向に水平に配置し、上方に設置したローラ昇降支持部２１４で左右一対の垂直支持棒２１６を介して昇降可能に、かつ、垂直支持棒２１６の下端に固着された左右一対の軸受２１８で回転可能に支持している。
【００９９】
搬送路１０８上で基板Ｇがスポンジローラ２１２の傍らを通る時、スポンジローラ２１２は搬送路１０８の上に設定されている吸い取り位置Ｐaにて基板Ｇの被処理面に接触しながら回転し、搬送方向とは逆方向に基板Ｇ上を端から端まで相対的に転動して基板上の液Ｑを吸着して吸い取る。
【０１００】
基板Ｇが通過すると、直後に、ローラ昇降支持部２１４がスポンジローラ２１２を搬送路１０８の下方に設定された所定の絞り出し位置Ｐbまでスポンジローラ２１２を降ろす。この絞り出し位置Ｐbで、スポンジローラ２１２は斜め下方に隣接して配置されているシャフトローラ２２０に押し当てられる。
【０１０１】
シャフトローラ２２０は図示しない電気モータの駆動で回転するようになっており、スポンジローラ２１２を半径方向内側に押圧しながら回して、スポンジローラ２１２の中から液Ｑを絞り出させる。スポンジローラ２１２の中から絞り出された液Ｑは直下のパン（図示せず）に受け集められる。後続の基板Ｇが流れてくる前には、この絞り出し動作を終了させて、スポンジローラ２１２を搬送路１０８の上の吸い取り位置Ｐaに戻しておく。
【０１０２】
図１９および図２０に、スポンジローラ吸着方式の別の構成例を示す。この構成例では、スポンジローラ２２２の芯部または軸２２２ａを多数の通孔２２３を有する中空シャフトで構成し、この中空の軸２２２ａの内部をエジェクト管２２４を介してバキューム系統のエジェクタ装置（図示せず）に接続する。ローラ回転駆動部２２６は、駆動ベルト２２８およびプーリ２３０を介してローラ軸２２２ａに回転駆動力を与え、スポンジローラ２２２を吸い取り位置にて搬送速度に合わせて回転させるようにしている。
【０１０３】
搬送路１０８上の基板Ｇがスポンジローラ２２２の下を通過する際には、ローラ回転駆動部２２６による駆動でスポンジローラ２２２が搬送方向とは逆方向に基板Ｇ上を端から端まで相対的に転動しながら基板上の液Ｑを吸着して吸い取る。スポンジローラ２２２に吸着された液Ｑはエジェクタ装置からのバキューム吸引力で中空の軸２２２ａの中へ吸い込まれ、エジェクト管２２４を通って回収される。この方式では、バキューム吸引力がスポンジローラ２２２の吸着力を高めているので、基板Ｇに対するスポンジローラ２２２の接触圧が小さくても、あるいは実質的に非接触状態でも基板上の液を効果的に吸い取る（吸い上げる）ことができる。また、吸い取り位置のスポンジローラ２２２から吸着直後の液を直ちに回収できるので、吸着力を一定に維持することができる。
【０１０４】
上記のようなスポンジローラ吸着方式においても、スポンジローラ２１２，２２２に隣接する搬送ローラ１３８を上記実施例と同様の吸着ローラ２０８で構成してもよく、上流側で基板高さセンサ２００等により基板の高さ位置を測定してスポンジローラ２１２，２２２の絞り出し位置を微調整してもよい。
【０１０５】
上記した実施形態における各部の構成は一例であり、吸い取り機構以外の部分においても種々の変形が可能である。たとえば、ノズル走査機構ＳＣにおけるノズル支持体１５６や走査駆動部１６０等の構成も任意に変形することが可能である。あるいは、現像液ノズルＤＮやリンス液ノズルＲＮを定置式のノズルとして構成することも可能である。
【０１０６】
上記した実施形態では、回転可能なシャフト１３６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１０８を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、両搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、搬送路１０８の駆動系を搬送方向において複数に分割し、各分割搬送路上の搬送動作（速度、停止等）を独立制御することも可能である。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能である。また、現像部１１２やリンス部１１４において、基板を水平状態に限らず傾斜状態で処理してもよいことはいうまでもない。
【０１０７】
上記した実施形態は現像装置に係わるものであったが、本発明は現像装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいてはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２にも適用可能である。すなわち、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における搬送路上でブロー洗浄部の後段に上記実施形態と同様の吸い取り機構を設けることにより、基板Ｇ上に残っている洗浄液を効率よく液切りしたり回収することができる。
【０１０８】
本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、現像処理の適用可能な任意の被処理基板が含まれる。
【０１０９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基板に供給した処理液を単時間で効率よく液切りし、さらには高純度で分別回収することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の現像処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態における現像ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプリウエット部回りの構成を示す平面図である。
【図６】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプリウエット部回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図７】上記現像ユニットにおける基板搬入部の構成および作用（基板受け渡し）を示す一部断面側面図である。
【図８】上記基板搬入部の構成および作用（基板の移載）を示す一部断面側面図である。
【図９】上記現像ユニットにおけるノズル走査機構の構成を示す一部断面側面図である。
【図１０】上記走査機構の構成を示す斜視図である。
【図１１】実施形態における現像液吸い取り部の構成を示す正面図である。
【図１２】実施形態の現像液吸い取り部における高さ位置センサ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１３】実施形態の現像液吸い取り部における吸引センサ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１４】実施形態の現像液吸い取り部における吸引ノズル回りの構成を示す一部断面拡大正面図である。
【図１５】実施形態におけるノズル走査の作用を示す略正面図である。
【図１６】実施形態におけるエアーナイフの作用を示す略側面図である。
【図１７】一実施形態の現像液吸い取り部におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図１８】実施形態におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【図１９】一実施形態の現像液吸い取り部におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面正面図である。
【図２０】実施形態におけるスポンジローラ回りの構成を示す一部断面側面図である。
【符号の説明】
１０ 塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション
３２ 塗布プロセス部
９４ 塗布ユニット
１０８ 搬送路
１１２ 現像部
１１４ リンス部
１１６ 乾燥部
１２４ 現像液供給部
１２６ 現像液吸い取り部
１３０ 現像液パン
１３２ リンス液パン
１３８（１３８Ａ，１３８Ｂ） 搬送ローラ
２００ 高さ検出センサ
２０２ 吸引ノズル
２０４ ノズル高さ調整部
２０８，２０８’ 吸引ローラ
２１０ センサ演算制御部
２１２，２１２’ スポンジローラ
２２０ シャフトローラ
２２４ エジェクト管
Claims (13)
- 被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、
前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、
前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、
前記搬送路上の所定位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、
前記搬送路上の前記所定位置付近で前記基板を搬送路幅方向において所定の高さに規正する基板高さ規正手段と
を有し、前記基板高さ規正手段が、
前記搬送路上の前記基板の裏面と対向するように前記搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、
前記ローラを回転駆動するローラ駆動手段と、
前記ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、
前記中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段と
を備える基板処理装置。 - 被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、
前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、
前記搬送路上の前記基板の被処理面に所定の処理液を供給するための１つまたは複数のノズルを含む処理液供給手段と、
前記搬送路上の第１の位置で前記基板の被処理面から液を吸い取るための吸い取り手段と、
前記搬送路上の第１の位置付近で前記基板を搬送路幅方向において第１の高さに規正する第１の基板高さ規正手段と、
前記搬送路上の前記第１の位置よりも上流側の第２の位置にて前記基板を搬送路幅方向において前記第１の高さに対応する第２の高さに規正する第２の基板高さ規正手段と、
前記第２の位置における前記基板の被処理面の高さを測定する基板高さ測定手段と、
前記基板高さ測定手段の測定結果に応じて前記吸い取り手段の高さ位置を可変調整するための吸い取り高さ調整手段と
を有する基板処理装置。 - 前記第１および第２の基板高さ規正手段の少なくとも一方が、
前記搬送路上の前記基板の裏面と対向するように前記搬送路よりも低い所定の高さ位置で搬送路幅方向に延在する多数の通気孔を有する回転可能な中空円筒状のローラと、
前記ローラを回転駆動するローラ駆動手段と、
前記ローラの中に同軸に固定配置された多数の通気孔を有する中空円筒体と、
前記中空円筒体の内部空間に接続されたバキューム吸引力を与える第１のバキューム手段と
を備える請求項２に記載の基板処理装置。 - 前記中空円筒体と前記ローラとの間の隙間に、前記ローラの下半分またはそれに近い範囲の部位に位置するように、前記通気孔を外部から遮蔽するための遮蔽部材を設ける請求項１または請求項３に記載の基板処理装置。
- 前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための集液手段を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記集液手段が、前記搬送路上の前後に相隣接して設定された第１および第２の区間でそれぞれ前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第１および第２の集液部を含む請求項６に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給手段が、前記第１および第２の区間にそれぞれ配置され る第１および第２のノズルを含む請求項６に記載の基板処理装置。
- 前記吸い取り手段が、前記第１の区間で供給された前記基板上の液を前記第２の区間に入る前に吸い取る請求項７に記載の基板処理装置。
- 前記吸い取り手段が、
前記搬送路よりも所定のレベルだけ高い位置で前記搬送路側に吸引口を向けて搬送路幅方向に延在する吸引ノズルと、
前記吸引ノズルを介して前記吸引口付近に存在する液体をバキューム吸引により吸い込んで回収するための第２のバキューム手段と
を有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記吸い取り手段が、
前記搬送路上の前記基板の被処理面に搬送路幅方向においてライン状に接触または近接しながら回転するスポンジローラと、
前記スポンジローラに吸着された液を外に取り出して回収するための回収手段と
を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記回収手段が、前記スポンジローラの周面に半径方向内側に向う圧力を加えて中から液を絞り出す絞り手段を含む請求項１０に記載の基板処理装置。
- 前記回収手段が、前記スポンジローラの芯部にバキューム吸引力を与える第３のバキューム手段を含む請求項１０または請求項１１に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給手段が、前記搬送路に沿って水平に移動しながら前記基板に向けて前記処理液を吐出する可動のノズルを有する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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