JP3736639B2 - 半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法 - Google Patents

半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法に関する。
配線パターンを有する基板に半導体チップを搭載した半導体装置が知られている。そして、基板の配線が目的の電極以外の電極と接触することを防止することができれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法を提供することにある。
特開平4−352132号公報
(1)本発明に係る半導体装置は、複数のリードを含む配線パターンを有する基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記基板に搭載されてなる半導体チップと、
を有し、
前記電極は、前記半導体チップの1辺に沿って延びる複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記電極と対向する接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第1の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第1の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含む。本発明によれば、リードは、接続部と延設部と引き出し部とを含む。延設部は第1の直線に沿って延び、引き出し部は延設部から引き出されることから、引き出し部は、接続部に対して、第1の直線に沿った方向にずれて配置される。そのため、引き出し部を、他のリードの接続部から離れた位置に配置することが可能となる。接続部は半導体チップの電極と対向することから、引き出し部と目的の電極以外の電極との間隔が広くなる。そのため、引き出し部と電極との間で電気的な短絡が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(2)この半導体装置において、
同一の前記第2のグループの前記電極と対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、前記接続部の、前記第1の直線に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。
(3)この半導体装置において、
前記1グループの前記延設部は、1つの第1の前記延設部と、前記第1の延設部の隣であって、前記引き出し部が延びる方向とは反対方向の隣に配置された1つの第2の前記延設部とを含み、
前記第2の前記延設部から引き出された前記引き出し部は、前記第1の前記延設部よりも、前記延設部が延びる方向にずれた位置に配置されていてもよい。
(4)この半導体装置において、
前記1グループの前記延設部は、同じ長さに形成されていてもよい。
(5)この半導体装置において、
前記1グループの前記延設部は、いずれかの前記第2の直線に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい。
(6)この半導体装置において、
前記第2の直線は、前記第1の直線に直交する方向に延びてもよい。
(7)この半導体装置において、
前記第2の直線は、前記第1の直線に対して斜めに延びてもよい。
(8)この半導体装置において、
隣り合う2つの前記第2の直線は平行に延びてもよい。
(9)この半導体装置において、
隣り合う2つの前記第2の直線は、前記第1の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
(10)本発明に係る電子デバイスは、複数のランドを含む第1の配線パターンを有する第1の基板と、
複数のリードを含む第2の配線パターンを有する第2の基板と、
を有し、
前記ランドは、複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
前記第1の配線パターンは、前記ランドから引き出されて前記第1の直線に交差する方向にそれぞれ延びる配線を含み、
それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記ランドと対向する接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第1の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第1の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含む。本発明によれば、リードは、接続部と延設部と引き出し部とを含む。延設部は第1の直線に沿って延び、引き出し部は延設部から引き出されることから、引き出し部は、接続部に対して、第1の直線に沿った方向にずれて配置される。これにより、引き出し部を、他のリードの接続部から離れた位置に配置することが可能となる。接続部はランドと対向することから、引き出し部と目的のランド以外のランドとの間隔が広くなる。そのため、引き出し部とランドとの間で電気的な短絡が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(11)この電子デバイスにおいて、
同一の前記第2のグループの前記ランドと対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、前記接続部の、前記第1の直線に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。
(12)この電子デバイスにおいて、
前記1グループの前記延設部は、1つの第1の前記延設部と、前記第1の延設部の隣であって、前記引き出し部が延びる方向とは反対方向の隣に配置された1つの第2の前記延設部とを含み、
前記第2の前記延設部から引き出された前記引き出し部は、前記第1の前記延設部よりも、前記延設部が延びる方向にずれた位置に配置されていてもよい。
(13)この電子デバイスにおいて、
前記1グループの前記延設部は、同じ長さに形成されていてもよい。
(14)この電子デバイスにおいて、
前記1グループの前記延設部は、いずれかの前記第2の直線に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい。
(15)この電子デバイスにおいて、
前記第2の直線は、前記第1の直線に対して斜めに延びてもよい。
(16)この電子デバイスにおいて、
隣り合う2つの前記第2の直線は平行に延びてもよい。
(17)この電子デバイスにおいて、
隣り合う2つの前記第2の直線は、前記第1の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
(18)本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のリードを含む配線パターンを有する基板に、複数の電極を有する半導体チップを、前記電極が前記配線パターンと対向するように搭載して前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続することを含み、
前記電極は、前記半導体チップの1辺に沿って延びる複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
前記配線パターンは、複数の平行な第3の直線にそれぞれ沿った複数の第3のグループに分けられるように配列された複数の接続部を含み、
それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第3の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第3の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含み、
前記半導体チップと前記基板とを、前記第1の直線と前記第3の直線とが平行になってそれぞれの前記電極といずれか1つの前記接続部とが対向するように位置合わせして、前記電極と前記接続部とを電気的に接続する。本発明によれば、リードは、接続部と延設部と引き出し部とを含む。接続部は、複数の第3の直線に沿った複数の第3のグループに分けられるように配列されてなる。そして、延設部は第3の直線に沿って延び、引き出し部は延設部から引き出されることから、引き出し部は、接続部に対して、第3の直線に沿った方向にずれて配置される。そのため、引き出し部を、他のリードの接続部から離れた位置に配置することが可能となる。そして、本発明によれば、半導体チップと基板とを、電極と接続部とが対向するように位置合わせする。これにより、引き出し部と目的の電極以外の電極との間隔が広いために引き出し部と電極との間で電気的な短絡が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(19)本発明に係る電子デバイスの製造方法は、第1の基板に設けられた第1の配線パターンの複数のランドと、第2の基板に設けられた第2の配線パターンの複数の接続部とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記ランドは、複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
前記第1の配線パターンは、前記ランドから引き出されて前記第1の直線に交差する方向にそれぞれ延びる配線を含み、
前記接続部は、複数の平行な第3の直線にそれぞれ沿った複数の第3のグループに分けられるように配列されてなり、
前記第2の配線パターンは、それぞれの前記接続部からいずれか1つの前記第3の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第3の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含み、
前記第1の直線と前記第3の直線とが平行になってそれぞれの前記ランドといずれか1つの前記接続部とが対向するように、前記第1の基板と前記第2の基板との位置合わせを行う。本発明によれば、第2の配線パターンは、接続部と延設部と引き出し部とを含む。接続部は、複数の第3の直線に沿ってそれぞれ延びる複数の第3のグループに分けられるように配列されてなる。そして、延設部は第3の直線に沿って延び、引き出し部は、接続部に対して、第3の直線に沿った方向にずれて配置されてなる。そのため、引き出し部が、他の接続部から離れた位置に配置される。そして、本発明によれば、第1の基板と第2の基板とを、ランドと接続部とが対向するように位置合わせする。これにより、引き出し部と目的のランド以外のランドとの間隔が広いために引き出し部とランドとの間で電気的な短絡が発生しにくい、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
(半導体装置)
図1〜図4は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。なお、図1は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置1の概略図である。そして、図2は、半導体装置1の一部拡大図である。ただし、図2では、電極12と配線パターン30との接続状態を説明するため、半導体チップ10と基板20とを省略してある。また、図3は、配線パターン30(リード32)の一部拡大図である。そして、図4は、図2のIV−IV線断面図である。
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ10を有する(図1参照)。半導体チップ10は、図2及び図4に示すように、複数の電極12を有する。図2に示すように、電極12は、複数の平行な第1の直線110にそれぞれ沿った複数の第1のグループ310に分けられるように配列されてなる。なお、第1の直線110は、半導体チップ10の1辺に沿って延びる直線である(図5参照)。そして、図2に示すように、電極12は、第1の直線110に交差する方向に延びる複数の第2の直線120にそれぞれ沿った複数の第2のグループ320に分けられるように配列されてなる。このとき、第2の直線120は、第1の直線110に対して斜めに延びていてもよい。そして、図2に示すように、隣り合う2つの第2の直線120は、平行に延びていてもよい。なお、電極12は、半導体チップ10の能動面の平行な2辺(あるいは4辺)に沿って、その端部付近に並んでいてもよい。あるいは、電極12は、半導体チップ10の能動面の全面に、エリアアレイ状に設けられていてもよい。半導体チップ10は、トランジスタやメモリ素子等からなる集積回路11を有してもよい(図4参照)。電極12は、半導体チップ10の内部と電気的に接続されていてもよい。電極12は、集積回路11と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路11と電気的に接続されていない電極を含めて、電極12と称してもよい。電極12は、例えば、パッドと該パッド上に形成されたバンプとを含んでいてもよい(図示せず)。また、半導体チップ10の外形は特に限定されないが、矩形をなしていてもよい。
半導体チップ10は、図1に示すように、基板20に搭載されてなる。半導体チップ10は、基板20に、電極12が配線パターン30と対向するように搭載されてなる(図4参照)。
本実施の形態に係る半導体装置は、基板20を有する(図1参照)。基板20の材料は特に限定されるものではなく、有機系(例えばエポキシ基板)、無機系(例えばセラミック基板、ガラス基板)、又は、それらの複合構造(例えばガラスエポキシ基板)からなるものであってもよい。基板20は、リジッド基板であってもよい。あるいは、基板20は、ポリエステル基板やポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよい(図1参照)。基板20は、COF(Chip On Film)用の基板であってもよい。また、基板20は、単一の層からなる単層基板であってもよく、積層された複数の層を有する積層基板であってもよい。そして、基板20の形状や厚みについても、特に限定されるものではない。
基板20は、複数のリード32を含む配線パターン30を有する。配線パターン30は、銅(Cu)、クローム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、チタンタングステン(Ti−W)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。基板20として積層基板を用意した場合、配線パターン30は、各層間に設けられていてもよい。また、基板20としてガラス基板を利用する場合、配線パターン30は、ITO(Indium Tin Oxide)、Cr、Alなどの金属膜、金属化合物膜又はそれらの複合膜によって形成されていてもよい。配線パターン30の形成方法は特に限定されない。例えば、スパッタリング等によって配線パターン30を形成してもよいし、無電解メッキで配線パターン30を形成するアディティブ法を適用してもよい。また、配線パターン30は、ハンダ、スズ、金、ニッケル等でメッキされていてもよい。
図3に示すように、リード32は、接続部34を含む。接続部34は、電極12と対向する部分である。図4に示すように、電極12と接続部34とを対向させて電気的に接続させることで、リード32(配線パターン30)と電極12とは電気的に接続される。電極12と接続部34との電気的な接続は、図4に示すように、両者を接触させることで実現してもよい。あるいは、電極12と接続部34との間に導電粒子を介在させて、該導電粒子を介して両者の電気的な接続を図ってもよい(図示せず)。あるいは、電極12と接続部34との電気的な接続に、合金接合(例えばAu−Au又はAu−Sn接合)を利用してもよい。図3に示すように、リード32は、接続部34から第1の直線110に沿って延びる延設部36を含む。図3に示すように、リード32は、さらに、延設部36から引き出されて第1の直線110に交差する方向に延びる引き出し部38を含む。なお、リード32は、接続部34と延設部36と引き出し部38とが一体的に形成されていてもよい。
本実施の形態に係る半導体装置によれば、リード32は、接続部34と延設部36と引き出し部38とを含む。引き出し部38は延設部36から引き出されることから、引き出し部38は、接続部34から、第1の直線110に沿った方向にずれて配置される。そのため、引き出し部38と他のリード32の接続部34との間隔を広くすることができる。先に説明したように、本実施の形態に係る半導体装置では、接続部34は半導体チップ10の電極12と対向することから、引き出し部38と、目的の電極以外の電極12との間隔が広くなる。そのため、引き出し部38と電極12との間で電気的な短絡が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。図2あるいは図3に示すように、同一の第2のグループ320の電極12と対向する1グループの接続部34から延びる1グループの延設部36は、接続部34の、第1の直線110に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。引き出し部38は他のリード32の延設部36を避けて引き出されるため、引き出し部38と他のリード32の接続部34との間隔がさらに広くなる。すなわち、引き出し部38と目的の電極以外の電極12との間隔がさらに広くなる。そのため、さらに信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、1グループの延設部36は、1つの第1の延設部と、第1の延設部の隣であって、引き出し部38が延びる方向とは反対方向の隣に配置された第2の延設部とを含んでいてもよい。このとき、第2の延設部から引き出された引き出し部38は、第1の延設部よりも、第1の延設部が延びる方向にずれた位置に配置されていてもよい。また、図3に示すように、1グループの延設部36は、同じ長さに形成されていてもよい。
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置は、図4に示すように、半導体チップ10と基板20とを固着する補強部21をさらに有してもよい。補強部21によって、半導体装置の信頼性をさらに高めることができる。補強部21の材料は樹脂であってもよいが、これに限定されるものではない。
本実施の形態に係る半導体装置は上記のように構成されてなる。以下、その製造方法について説明する。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、複数のリード32を含む配線パターン30を有する基板20に、複数の電極12を有する半導体チップ10を、電極12が配線パターン30と対向するように搭載して、電極12と配線パターン30とを電気的に接続することを含む。以下、この工程について説明する。
本工程は、図5に示すように、半導体チップ10を用意することを含んでいてもよい。半導体チップ10は、複数の電極12を有する。図5に示すように、電極12は、複数の平行な第1の直線110にそれぞれ沿った複数の第1のグループ310に分けられるように配列されてなる。図5に示すように、第1の直線110は、半導体チップ10の1辺に沿って延びる。電極12は、第1の直線110に交差する方向に延びる複数の第2の直線120にそれぞれ沿った複数の第2のグループ320に分けられるように配列されてなる。
本工程は、図6に示すように、基板20を用意することを含んでもよい。基板20は、複数のリード32を含む配線パターン30を有する。配線パターン30は、複数の接続部34を含む。接続部34は、複数の平行な第3の直線130にそれぞれ沿った複数の第3のグループ330に分けられるように配列されてなる。そして、リード32は、1つの接続部34と、接続部34から1つの第3の直線130に沿って延びる延設部36と、延設部36から引き出されて第3の直線130に交差する方向に延びる引き出し部38とを含む(図6あるいは図3参照)。
本工程は、半導体チップ10と基板20とを、第1の直線110と第3の直線130とが平行になるように、かつ、電極12と接続部34とが対向するように位置合わせすることを含む(図2参照)。1つの第1のグループ310の電極12と、いずれか1つの第3のグループ330の接続部34とを対向させてもよい。そして、電極12と接続部34とを電気的に接続する。電極12と接続部34との電気的な接続には、絶縁樹脂接合(例えばNCPやNCFを使用した接合)、異方性導電材料接合(例えばACPやACFを使用した接合)、金属接合(例えばAu−Au又はAu−Sn接合)、はんだ接合等の、既に公知となっているいずれかの方式を適用してもよい。これにより、電極12と配線パターン30とを電気的に接続してもよい。
そして、半導体チップ10と基板20とを固着する補強部21を形成する工程等を経て、半導体装置1を製造してもよい(図1参照)。図7には、半導体装置1を有する表示デバイス1000を示す。表示デバイス1000は、例えば、液晶表示デバイスやEL(Electrical Luminescence)表示デバイスであってもよい。さらに、半導体装置1を有する電子機器として、図8にはノート型パーソナルコンピュータ2000を、図9には携帯電話3000を、それぞれ示す。
(変形例)
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の変形例について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
図10に示す例では、電極12は、第1の直線110に交差する方向に延びる複数の第2の直線125に沿った複数の第2のグループ325に分けられるように配列されてなる。第2の直線125は、第1の直線110に対して斜めに延びている。そして、図10に示すように、複数の第2の直線125は、それぞれ、平行に延びている。すなわち、すべての第2の直線125は、平行に延びていてもよい。
図11に示す例では、電極12は、第1の直線110に交差する方向に延びる複数の第2の直線140に沿った複数の第2のグループ340に分けられるように配列されてなる。第2の直線140は、第1の直線110に対して斜めに延びている。そして、図11に示すように、隣り合う2つの第2の直線140は、第1の直線110の垂線を対称軸とする線対称となっている。
図12及び図13に示す例では、複数の電極12は、第1の直線110に交差する方向に延びる複数の第2の直線150に沿った複数の第2のグループ350に分けられるように配列されてなる。第2の直線150は、第1の直線110に直交する方向に延びている。このとき、基板は、複数のリード42を含む配線パターン40を有してもよい。図13に示すように、リード42は、1つの電極12と対向する接続部44と、接続部44からいずれか1つの第1の直線110に沿って延びる延設部46と、延設部46から引き出されて第1の直線110に交差する方向に延びる引き出し部48とを含む。なお、図13は配線パターン40の一部拡大図で、リード42を説明するための図である。図12に示すように、同一の第2のグループ320の電極12と対向する1グループの接続部44から延びる1グループの延設部46は、接続部44の、第1の直線110に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。そして、隣り合う2つのグループの延設部46は、接続部44の、第1の直線110に沿った両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。そして、1グループの延設部46は、いずれかの第2の直線150に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい(図12及び図13参照)。なお、本変形例では、図15に示すように、すべての延設部46は、接続部44の、第1の直線110に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。あるいは、図16に示すように、隣り合う2つのグループの延設部46は、接続部44の、第1の直線に沿った両側のうち異なる側に配置されていてもよい。
これらの変形例によっても、上記実施の形態と同様の効果を達成することができる。なお、その他の構成については、既に説明した内容のいずれかを適用することができる。
(電子デバイス)
図16〜図19は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスについて説明するための図である。なお、以下に説明する電子デバイスに関しても、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
図16は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2の概略図である。そして、図17は、電子デバイス2の一部拡大図である。ただし、図17では、第1の配線パターン60と第2の配線パターン80との接続状態を説明するため、第1及び第2の基板50,70を省略してある。また、図18は、第2の配線パターン80(リード82)の一部拡大図である。そして、図19は、図17のXIX−XIX線断面の一部拡大図である。
本実施の形態に係る電子デバイスは、第1の基板50及び第2の基板70を有する。第1の基板50は、例えばフレキシブル基板又はフィルムであってもよい。また、第2の基板70は、例えばガラス基板であってもよい。第2の基板70は、電気光学パネル(液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等)の一部であってもよい。ただし、第1及び第2の基板50,70はこれに限られるものではない。例えば、第1の基板としてガラス基板等を利用してもよく、第2の基板としてフレキシブル基板等を利用してもよい。
第1の基板50は、第1の配線パターン60を有する(図17及び図19参照)。そして、図17に示すように、第1の配線パターン60は、複数のランド62を含む。ランド62は、複数の平行な第1の直線510にそれぞれ沿った複数の第1のグループ710に分けられるように配列されてなる。そして、ランド62は、第1の直線510に交差する方向に延びる複数の第2の直線520にそれぞれ沿った複数の第2のグループ720に分けられるように配列されてなる。このとき、第2の直線520は、第1の直線510に対して斜めに延びていてもよい。そして、図17に示すように、隣り合う2つの第2の直線520は、平行に延びていてもよい。第1の配線パターン60は、ランド62から引き出されて第1の直線510に交差する方向に延びる配線64を含む。
第2の基板70は、複数のリード82を含む第2の配線パターン80を有する(図17及び図19参照)。図18に示すように、リード82は、接続部84を含む。接続部84は、ランド62と対向する部分である(図19参照)。ランド62と接続部84とを対向させて電気的に接続させることで、ランド62(第1の配線パターン60)とリード82(第2の配線パターン80)とは電気的に接続される。リード82は、さらに、接続部84から第1の直線510に沿って延びる延設部86と、延設部86から引き出されて第1の直線510に交差する方向に延びる引き出し部88とを含む。なお、リード82は、接続部84と延設部86と引き出し部88とは一体的に形成されていてもよい。
本実施の形態に係る電子デバイスによれば、リード82は、接続部84と延設部86と引き出し部88とを含む。引き出し部88は延設部86から引き出されることから、引き出し部88は、接続部84から、第1の直線510に沿った方向にずれて配置される。そのため、引き出し部88と他のリード82の接続部84との間隔を広くすることができる。そして、接続部84は第1の配線パターン60のランド62と対向することから、引き出し部88と、目的のランド以外のランド62との間隔が広くなる。そのため、電気的な短絡の発生しにくい、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。図17あるいは図18に示すように、同一の第2のグループ720のランド62と対向する1グループの接続部84から延びる1グループの延設部86は、接続部84の、第1の直線510に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されていてもよい。引き出し部88は他のリード82の延設部86を避けて引き出されるため、引き出し部88と他のリード82の接続部84との間隔がさらに広くなる。そのため、さらに信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。また、1グループの延設部86は、1つの第1の延設部と、第1の延設部の隣であって、引き出し部88が延びる方向とは反対方向の隣に配置された1つの第2の延設部とを含んでいてもよい。このとき、第2の延設部から引き出された引き出し部88は、第1の延設部よりも、第1の延設部が延びる方向にずれた位置に配置されていてもよい。また、図17及び図18に示すように、1グループの延設部86は、同じ長さに形成されていてもよい。ただし、これとは別に、1グループの延設部86は、第2の直線520に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい(図示せず)。
本実施の形態に係る電子デバイスは、上記のように構成されてなる。以下、その製造方法について説明する。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第1の基板50に設けられた第1の配線パターン60の複数のランド62と、第2の基板70に設けられた第2の配線パターン80の複数の接続部84とを対向させて電気的に接続することを含む。以下、この工程について説明する。
本工程は、図20に示すように、第1の基板50を用意することを含んでいてもよい。第1の基板50には、第1の配線パターン60が設けられてなる。そして、第1の配線パターン60は、複数のランド62を含む。ランド62は、複数の平行な第1の直線510にそれぞれ沿った複数の第1のグループ710に分けられるように配列されてなる。また、ランド62は、第1の直線510に交差する方向に延びる複数の第2の直線520にそれぞれ沿った複数の第2のグループ720に分けられるように配列されてなる。そして、第1の配線パターン60は、ランド62から引き出されて第1の直線510に交差する方向に延びる配線64を含む。
本工程は、図21に示すように、第2の基板70を用意することを含んでいてもよい。第2の基板70には、第2の配線パターン80が設けられてなる。そして、第2の配線パターン80は、複数の接続部84を含む。接続部84は、複数の平行な第3の直線530にそれぞれ沿った複数の第3のグループ730に分けられるように配列されてなる。そして、第2の配線パターン80は、接続部84から第3の直線530に沿って延びる延設部86と、延設部86から引き出されて第3の直線530に交差する方向に延びる引き出し部88とを含む(図21あるいは図18参照)。
本工程は、第1の基板50と第2の基板70とを、第1の直線510と第3の直線530とが平行になるように、かつ、ランド62と接続部84とが対向するように位置合わせをすることを含む(図17参照)。1つの第1のグループ710のランド62と、いずれか1つの第3のグループ730の接続部84とを対向させてもよい。そして、ランド62と接続部84とを電気的に接続する。ランド62と接続部84との電気的な接続には、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。
そして、第1の基板50と第2の基板70とを固着する補強部を形成する工程等を経て、電子デバイス2を製造してもよい。
(変形例)
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの変形例について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
図22に示す例では、ランド62は、第1の直線510に交差する方向に延びる複数の第2の直線525に沿った複数の第2のグループ725に分けられるように配列されてなる。第2の直線525は、第1の直線510に対して斜めに延びている。そして、図22に示すように、複数の第2の直線525は、それぞれ、平行に延びている。すなわち、すべての第2の直線525は、平行に延びていてもよい。
図23に示す例では、ランド62は、第1の直線510に交差する方向に延びる複数の第2の直線540に沿った複数の第2のグループ740に分けられるように配列されてなる。そして、図23に示すように、隣り合う2つの第2の直線540は、第1の直線110の垂線を対称軸とする線対称となっている。
これらの変形例によっても、上記実施の形態と同様の効果を達成することができる。なお、その他の構成については、既に説明した内容のいずれかを適用することができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
図1は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。 図2は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。 図3は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。 図4は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。 図5は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図6は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図7は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する表示デバイスを示す図である。 図8は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。 図9は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。 図10は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図11は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図12は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図13は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図14は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図15は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。 図16は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。 図17は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。 図18は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。 図19は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。 図20は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図である。 図21は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図である。 図22は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。 図23は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。
符号の説明
10 半導体チップ、 12 電極、 20 基板、 30 配線パターン、 32 リード、 34 接続部、 36 延設部、 38 引き出し部、 110 第1の直線、 120 第2の直線、 310 第1のグループ、 320 第2のグループ

Claims (16)

  1. 複数のリードを含む配線パターンを有する基板と、
    複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記基板に搭載されてなる半導体チップと、
    を有し、
    前記電極は、前記半導体チップの1辺に沿って延びる複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
    それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記電極と対向する接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第1の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第1の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含み、
    同一の前記第2のグループの前記電極と対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、同じ長さに形成されてなる半導体装置。
  2. 請求項1記載の半導体装置において、
    同一の前記第2のグループの前記電極と対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、前記接続部の、前記第1の直線に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されてなる半導体装置。
  3. 請求項2記載の半導体装置において、
    前記1グループの前記延設部は、1つの第1の前記延設部と、前記第1の延設部の隣であって、前記第1の延設部から引き出された引き出し部が前記第1の延設部から延びる方向とは反対方向の隣に配置された1つの第2の前記延設部とを含み、
    前記第2の前記延設部から引き出された前記引き出し部は、前記第1の延設部よりも、前記第1の延設部が延びる方向にずれた位置に配置されてなる半導体装置。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記第2の直線は、前記第1の直線に対して斜めに延びる半導体装置。
  5. 請求項4記載の半導体装置において、
    隣り合う2つの前記第2の直線は平行に延びる半導体装置。
  6. 請求項4記載の半導体装置において、
    隣り合う2つの前記第2の直線は、前記第1の直線の垂線を対称軸とする線対称である半導体装置。
  7. 複数のランドを含む第1の配線パターンを有する第1の基板と、
    複数のリードを含む第2の配線パターンを有する第2の基板と、
    を有し、
    前記ランドは、複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
    前記第1の配線パターンは、前記ランドから引き出されて前記第1の直線に交差する方向にそれぞれ延びる配線を含み、
    それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記ランドと対向する接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第1の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第1の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含む電子デバイス。
  8. 請求項7記載の電子デバイスにおいて、
    同一の前記第2のグループの前記ランドと対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、前記接続部の、前記第1の直線に沿った方向の両隣のうち同じ側に配置されてなる電子デバイス。
  9. 請求項8記載の電子デバイスにおいて、
    前記1グループの前記延設部は、1つの第1の前記延設部と、前記第1の延設部の隣であって、前記第1の延設部から引き出された引き出し部が前記第1の延設部から延びる方向とは反対方向の隣に配置された1つの第2の前記延設部とを含み、
    前記第2の前記延設部から引き出された前記引き出し部は、前記第1の延設部よりも、前記第1の延設部が延びる方向にずれた位置に配置されてなる電子デバイス。
  10. 請求項8又は請求項9記載の電子デバイスにおいて、
    前記1グループの前記延設部は、同じ長さに形成されてなる電子デバイス。
  11. 請求項8又は請求項9記載の電子デバイスにおいて、
    前記1グループの前記延設部は、いずれかの前記第2の直線に沿った配列順に長くなるように形成されてなる電子デバイス。
  12. 請求項7から請求項11のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、
    前記第2の直線は、前記第1の直線に対して斜めに延びる電子デバイス。
  13. 請求項12記載の電子デバイスにおいて、
    隣り合う2つの前記第2の直線は平行に延びる電子デバイス。
  14. 請求項12記載の電子デバイスにおいて、
    隣り合う2つの前記第2の直線は、前記第1の直線の垂線を対称軸とする線対称である電子デバイス。
  15. 複数のリードを含む配線パターンを有する基板に、複数の電極を有する半導体チップを、前記電極が前記配線パターンと対向するように搭載して前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続することを含み、
    前記電極は、前記半導体チップの1辺に沿って延びる複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
    前記配線パターンは、複数の平行な第3の直線にそれぞれ沿った複数の第3のグループに分けられるように配列された複数の接続部を含み、
    それぞれの前記リードは、いずれか1つの前記接続部と、前記接続部からいずれか1つの前記第3の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第3の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含み、
    前記半導体チップと前記基板とを、前記第1の直線と前記第3の直線とが平行になってそれぞれの前記電極といずれか1つの前記接続部とが対向するように位置合わせして、前記電極と前記接続部とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、
    同一の前記第2のグループの電極と対向する1グループの前記接続部から延びる1グループの前記延設部は、同じ長さに形成されてなる半導体装置の製造方法。
  16. 第1の基板に設けられた第1の配線パターンの複数のランドと、第2の基板に設けられた第2の配線パターンの複数の接続部とを対向させて電気的に接続することを含み、
    前記ランドは、複数の平行な第1の直線にそれぞれ沿った複数の第1のグループに分けられるように、かつ、前記第1の直線に交差する方向に延びる複数の第2の直線にそれぞれ沿った複数の第2のグループに分けられるように配列されてなり、
    前記第1の配線パターンは、前記ランドから引き出されて前記第1の直線に交差する方向にそれぞれ延びる配線を含み、
    前記接続部は、複数の平行な第3の直線にそれぞれ沿った複数の第3のグループに分けられるように配列されてなり、
    前記第2の配線パターンは、それぞれの前記接続部からいずれか1つの前記第3の直線に沿って延びる延設部と、前記延設部から引き出されて前記第3の直線に交差する方向に延びる引き出し部とを含み、
    前記第1の直線と前記第3の直線とが平行になってそれぞれの前記ランドといずれか1つの前記接続部とが対向するように、前記第1の基板と前記第2の基板との位置合わせを行う電子デバイスの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101468028B1 (ko) * 2008-06-17 2014-12-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101692956B1 (ko) 2010-09-20 2017-01-04 삼성전자 주식회사 테이프 패키지
US10201083B2 (en) * 2015-12-04 2019-02-05 Samsung Display Co., Ltd. Printed circuit board and display apparatus including the same
CN105513498B (zh) * 2016-02-04 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种覆晶薄膜及显示装置
KR102555729B1 (ko) * 2016-07-15 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 연성 필름, 회로기판 조립체 및 표시장치
KR20180041301A (ko) * 2016-10-13 2018-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112954888B (zh) * 2021-02-19 2022-10-28 合肥京东方卓印科技有限公司 一种覆晶薄膜、覆晶薄膜组及显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3067038B2 (ja) 1991-05-30 2000-07-17 株式会社日立製作所 電子部品の接続端子配列構造およびテープキャリアパッケージ並びに該テープキャリアパッケージを使用した液晶表示装置
US5986334A (en) * 1996-10-04 1999-11-16 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package having light, thin, simple and compact structure
JPH11163501A (ja) * 1997-12-02 1999-06-18 Rohm Co Ltd 電子部品の実装方法、およびその方法によって製造された電子回路装置
JP3537699B2 (ja) * 1999-03-30 2004-06-14 京セラ株式会社 半導体素子の実装構造体
JP3525377B2 (ja) * 1999-05-14 2004-05-10 日本航空電子工業株式会社 電気的接続構造及びその形成方法
US6611053B2 (en) * 2000-06-08 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Protective structure for bond wires
US6664483B2 (en) * 2001-05-15 2003-12-16 Intel Corporation Electronic package with high density interconnect and associated methods
JP3780996B2 (ja) * 2002-10-11 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 回路基板、バンプ付き半導体素子の実装構造、バンプ付き半導体素子の実装方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4076933B2 (ja) 2003-09-12 2008-04-16 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法

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