JP3708789B2 - 高周波接続構造体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、主としてマイクロ波帯及びミリ波帯における高周波接続構造体に関するものであり、特に、誘電体基板を積み重ねて接続する高周波接続構造体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図12は、例えば米国特許第5675302号公報に示された従来の高周波接続構造体を示す図である。
【0003】
図12において、20’は接続回路、22は誘電体、24、26、28は孔、40’は金属シールドである。
【0004】
また、同図において、30’、32’、34’は圧縮される導体、30A’、30B’、32A’、32B’、34A’、34B’は圧縮される導体30’、32’、34’の先端部である。
【0005】
また、80はコプレーナ伝送線路、72は基板、82は中心導体、84A、84Bは接地導体である。
【0006】
さらに、60はコプレーナ伝送線路、52は基板、62は中心導体、64A、64B、64Cは接地導体、60Aはコプレーナ伝送線路60の先端部である。
【0007】
誘電体22を貫通する3つの孔24、26、28を設け、孔の内部を含まない誘電体22の周りを金属シールド40’で囲んだ構造に、圧縮される導体30’、32’、34’を差し込むことで接続回路20’を形成し、基板52、72の表面に信号を伝送する中心導体62、82と接地導体64A、64B、64C、84A、84Bが配置され、コプレーナ線路60、80を形成している。
【0008】
つぎに、この従来の高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0009】
接続回路20’に設置された圧縮される導体30’、32’、34’の先端部30A’、30B’、32A’、32B’、34A’、34B’において、32A’を中心導体62に、32B’を中心導体82に、30A’を接地導体64Aに、34A’を接地導体64Bに、30B’を接地導体84Aに、34B’を接地導体84Bにそれぞれ接触させて加圧することで、基板52と72を接続している。この時、接続回路20’の金属シールド40’と接地導体64Cも接触する。
【0010】
従って、中心導体62に入力した信号は接続回路20’に配置された圧縮される導体32’を通じて中心導体82に出力される。中心導体82に入力した信号も同様にして中心導体62に出力される。
【0011】
図13は、例えば特開平8−8618号公報に示された従来の他の高周波接続構造体を示す図である。
【0012】
図13において、110は第一高周波回路基板、110c、130cはスルーホール、111、131はマイクロストリップライン、111aは受信入力部、111bは出力部、111cは第一局部信号入力部、112は高周波信号受信部、113は周波数変換部、114、135は接地部(グランドパターン)、114a、135aはグランドパターン、126は中空同軸線路、121は外部導体、121aは切欠部、122は中心導体、130は第二高周波回路基板、131aは入力部、131bは受信出力部、131cは第二局部信号入力部、132は中間周波信号受信部、133はビデオ信号変換部、134はビデオ信号増幅部、136は孔である。
【0013】
高周波回路基板の表面に高周波信号を伝送するためのマイクロストリップライン111、131を形成するとともに、裏面に接地部114、135を形成した第一及び第二高周波回路基板110、130を多層化した送受信モジュールにおいて、第一及び第二高周波回路基板の各接地部に接続された筒状の外部導体121と、この外部導体の中空部内の中心に、外部導体の内壁と所定の間隔をあけた状態で配置され、第一及び第二高周波回路基板の各マイクロストリップラインを接続する棒状の中心導体122とからなる中空同軸線路126を備えた構成としている。
【0014】
つぎに、この従来の他の高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0015】
第一高周波回路基板110において、マイクロストリップライン111の受信入力部121aから高周波信号が入力されると、高周波信号受信部112と周波数変換部113を経て出力部111bへ出力される。
【0016】
中空同軸線路126は、上記第一高周波回路基板110と第二高周波回路基板130を接続する伝送路である。この中空同軸線路126は、円筒状の外部導体121と、この外部導体121の中空部内の中心に、外部導体121の内壁と所定の間隔をあけた状態で配置された円柱状の中心導体122からなり、下端を第一高周波回路基板110上の出力部111bに固定して垂直に立設してあるとともに、上端を第二高周波回路基板130の入力部131a付近に形成した孔136に挿入した構成としている。
【0017】
ここで、外部導体121の下端は、スルーホール110c内のグランドパターン114aを介して第一高周波回路基板110の接地部114と接続しており、マイクロストリップライン111との接触を防止するために、下端側壁の一部に切欠部121aを形成している。また、外部導体121の上端は、スルーホール130c内のグラントパターン135aを介して第二高周波回路基板130の接地部135とボンディングラインによって接続している。
【0018】
一方、中心導体122の下端は、第一高周波回路基板110の出力部111bと接続しており、また、上端は、第二高周波回路基板130のマイクロストリップライン131の入力部131aとボンディングラインによって接続している。このような中空同軸線路126は、第一高周波回路基板110の出力部111bから出力された信号を第二高周波回路基板130の入力部131aへ伝送する。
【0019】
第二高周波回路基板130では、入力部131aに前記信号が入力されると、中間周波信号受信部132、ビデオ信号変換部133、ビデオ信号増幅器134を経て受信出力部131bに出力される。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来の、図12に示した高周波接続構造体では、基板52、72の間の所定の位置に誘電体22を貫通する3つの孔24、26、28を設け、孔の周りを金属シールド40’で囲んだ構造に、圧縮される導体30’、32’、34’を差し込み形成した接続回路20’を基板の間に挟むことで接続しているため、接続回路20’の孔24、26、28及び圧縮される導体30’、32’、34’を高精度に製作する必要があるという問題点があった。
【0021】
また、接続回路20’は、コプレーナ線路62、82を接続する構造のため、基板52、72に形成された複数の線路同士を接続するには中心導体62と同じ数の接続回路20’が必要になり回路の大形化、集積度の低下を招くという問題点があった。
【0022】
さらに、従来の、図13に示した高周波接続構造体では、第一高周波回路基板110の出力部111bに中空同軸導体126を立て、第二高周波回路基板130に孔136をあけて、その孔に中空同軸導体126を通し第一及び第二高周波回路基板110、130を積み重ねて接続しているため製作が容易でないという問題点があった。
【0023】
また、第一及び第二高周波回路基板110、130を接続するための部品の位置ずれが起こると中空同軸線路126とスルーホール110c、130c、または入力部131aを結ぶボンディングラインの長さが変わり、電気長が変化するため、高周波信号の伝送特性が変化し所望の性能からずれてしまうという問題点があった。
【0024】
この発明は、前述した問題点を解決するためになされたもので、誘電体基板を積み重ねて接続することを容易にし、誘電体基板に形成された複数の線路同士を安定に接続することができる高周波接続構造体を得ることを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項1に係る高周波接続構造体は、誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間の中央に、前記孔の間を結ぶ直線に対して直角方向に一列に設けられ、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通し内部の導体により前記誘電体ブロックの表面及び裏面に配置された前記第2の導体を電気的に接続して前記孔から発生する電界を接地する複数の第2の孔をさらに備えたものである。
【0027】
この発明の請求項2に係る高周波接続構造体は、誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間に設けられ、前記誘電体ブロックの側面を表面から裏面まで切り欠きその内側に前記第2の導体が配置されて前記孔から発生する電界を接地する溝をさらに備えたものである。
【0030】
この発明の請求項3に係る高周波接続構造体は、前記誘電体ブロックと前記第1の誘電体基板の間、及び前記誘電体ブロックと前記第2の誘電体基板の間に異方導電性シートを挿入して電気的に接続したものである。
【0031】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。また、図2は、この発明の実施の形態1に係る高周波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の横断面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【0032】
図1において、1a、1bは誘電体基板、2a、2bは高周波回路、3a、3bはストリップ線路パターン、4a、4bは導体パターン、5a、5bは接地導体、6aは導体パターン4aと接地導体5aとの間を接続するための接続手段、6bはストリップ線路パターン3bと導体パターン4bとの間を接続するための接続手段、7Aは高周波接続構造体である。
【0033】
図2において、8は直方体の形状をもつ誘電体ブロック、9aは誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通する複数個の孔、10aは孔9aの内部と周囲を被覆した金属膜、10bは金属膜10aの周りの誘電体ブロック8の表面を被覆した金属膜、11aは誘電体ブロック8の表面において金属膜10aと10bの間の金属膜を被覆しない部分、11bは誘電体ブロック8の裏面において金属膜10aと10bの間の金属膜を被覆しない部分である。
【0034】
高周波接続構造体7Aを2つの誘電体基板1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体パターン4b及び高周波接続構造体7Aに設けた金属膜10aが接触するように挟み、また導体パターン4aと接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接続する。この時、金属膜を被覆しない部分11bは誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しない。なお、誘電体基板1bの裏面に設けられた導体パターン4bは、接地導体5bと絶縁されたパッド状のものである。
【0035】
つぎに、この実施の形態1に係る高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0036】
誘電体基板1a、1bに形成されたストリップ線路パターン3a、3bと導体パターン4bは、高周波接続構造体7Aに設けた金属膜10aと電気的に接触しているため、高周波信号または制御信号が高周波接続構造体7Aを介して誘電体基板1a、1bに形成された高周波回路2a、2bの間を伝送する。
【0037】
この時、接続手段6aを介して接地導体5aに接続された導体パターン4aと接地導体5b及び高周波接続構造体7Aに設けた金属膜10bは接触しているため、これらは接地導体となる。そのため、高周波接続構造体7Aに設けた金属膜10aを被覆した複数個の孔9aは、金属膜10bを接地導体とする伝送線路として機能し、高周波信号または制御信号を伝送することができる。
【0038】
本実施の形態1においては、誘電体ブロック8に孔をあけ、金属膜を被覆するのみで高周波接続構造体7Aを構成するため、例えば誘電体ブロック8に孔9aをあけ金属メッキを施しパターンニングする方法や、多層セラミック基板の製造技術などにより容易に製作でき、1つの高周波接続構造体7Aに複数個の孔9aを設け複数の高周波信号または制御信号を伝送することができる。
【0039】
また、誘電体ブロック8は一定の厚さを有するため、誘電体基板1a、1bを接続する際に所定の位置からわずかにずれても伝送特性に影響を与えず、信号を安定に伝送できる効果がある。
【0040】
なお、この実施の形態1では、2つの誘電体基板を積み重ねて接続する構成について説明したが、3つ以上の複数の誘電体基板を積み重ねて接続する場合、それぞれの基板の間に高周波接続構造体7Aを挟み接続する構成としても良い。また、誘電体ブロックに設けた孔の内部は金属で充填したものでも良い。
【0041】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図3は、この発明の実施の形態2に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。また、図4は、この発明の実施の形態2に係る高周波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の横断面図である。
【0042】
図3及び図4において、高周波接続構造体7Bは、金属膜10aで被覆した複数個の孔9aの間に誘電体ブロック8の表面から裏面に貫通する複数個の孔9bを設け、孔9bの内部に金属膜10cを被覆した構造としている。金属膜10cと金属膜10bは接触している。
【0043】
高周波接続構造体7Bを2つの誘電体基板1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体パターン4b及び高周波接続構造体7に設けた金属膜10aが接触するように挟み、また、導体パターン4aと接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接続する。
【0044】
この時、金属膜を被覆しない部分11bは、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しない。
【0045】
つぎに、この実施の形態2に係る高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0046】
金属膜10aが被覆された孔9aには、高周波回路2a、2bからストリップ線路パターン3a及び導体パターン4bを経て高周波信号または制御信号が伝送するため、孔9aと接地導体をなす金属膜10bの間に電界が存在する。誘電体基板1a、1bに多数のストリップ線路パターンを配線すると、多数の孔9aを設けるため隣接した孔9aの間隔が狭くなる。そのため金属膜10aを被覆した孔同士で結合を起こし信号波形が乱れ、高周波回路2a、2bの動作を不安定にさせる原因になる。
【0047】
これを防ぐため隣接した孔9aの間に金属膜10cを被覆した孔9bを設けて接地導体とし、高周波信号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆した孔9aから発生する電界を接地させ、金属膜10aで被覆した孔9a同士の結合を押さえている。
【0048】
本実施の形態2においては、上記実施の形態1と同様の効果に加え、高周波信号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆した複数の孔9a同士の結合が押さえられるため、高周波回路2a、2bに安定した信号を伝送することができ、高密度に孔9aを設置できる効果がある。
【0049】
なお、この実施の形態2では、誘電体ブロック8に設けた孔9bの内部を金属膜10cで被覆した構成について説明したが、孔9bの内部を金属で充填したものでも良い。
【0050】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図5は、この発明の実施の形態3に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。また、図6は、この発明の実施の形態3に係る高周波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の横断面図である。
【0051】
図5及び図6において、高周波接続構造体7Cは、金属膜10aで被覆した複数個の孔9aの間の誘電体ブロック8の側面に孔9aと平行に溝12を設け、溝の内部を金属膜10bで被覆した構造としている。
【0052】
高周波接続構造体7Cを2つの誘電体基板1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体パターン4b及び高周波接続構造体7に設けた金属膜10aが接触するように挟み、また、導体パターン4aと接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接続する。
【0053】
この時、金属膜を被覆しない部分11bは、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しない。
【0054】
つぎに、この実施の形態3に係る高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0055】
上記の実施の形態2で説明したように、誘電体基板1a、1bに多数のストリップ線路パターンを配線すると、多数の孔9aを設けるため隣接した孔9aの間隔が狭くなる。そのため金属膜10aを被覆した孔9a同士で結合を起こし信号波形が乱れ、高周波回路2a、2bの動作を不安定にさせる原因になる。
【0056】
これを防ぐために隣接した孔9aの間の誘電体ブロック8の側面に孔9aと平行な溝12を設け、溝12の内部に金属膜10bを被覆することで高周波信号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆した孔9aから発生する電界を接地させ、金属膜10aで被覆した孔9a同士の結合を押さえている。
【0057】
本実施の形態3においては、上記の実施の形態1と同様の効果に加え、高周波信号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆した複数の孔9a同士の結合が押さえられるため、高周波回路2a、2bに安定した信号を伝送することができ、高密度に孔9aを設置できる効果がある。
【0058】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図7は、この発明の実施の形態4に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。また、図8は、この発明の実施の形態4に係る高周波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の横断面図である。
【0059】
図7及び図8において、誘電体基板1aの裏面と側面に接地導体5aを配置している。高周波接続構造体7Dは、平面からみて漢字の『日』の字型をしており、誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通し高周波回路2c、2dが収まる穴を2つ設けてある。これらの穴の内部は金属膜10bで被覆され、これらの穴は、誘電体基板1aに形成された高周波回路2c、2dより大きい。また、高周波接続構造体7Dの外周は、誘電体基板1aと同じ大きさをもつ。
【0060】
高周波接続構造体7Dを2つの誘電体基板1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体パターン4b及び高周波接続構造体7Dに設けた金属膜10aを接触するように挟み、また、導体パターン4aと接地導体5b及び金属膜10bは接触するように挟み接続する。
【0061】
この時、金属膜を被覆しない部分11bは、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しない。誘電体基板1aに形成された高周波回路2c、2dは、接地導体5a、5bと金属膜10bに取り囲まれるため遮蔽された構造になる。
【0062】
本実施の形態4においては、上記実施の形態1〜3と同様の効果に加え、高周波接続構造体7Dの誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通する穴を設け、内部を金属膜10bで覆うため、誘電体基板1aに配置された高周波回路2c、2dから発生する電磁波を遮蔽し外部からの電磁波を受けないのため、高周波回路2c、2dを安定に動作できる効果がある。
【0063】
なお、この実施の形態4では、誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通する穴を2つだけ設けた構造としているが、1つや、3つ以上の複数個の穴を設けた構造としても良い。また、高周波回路2c、2dを囲うような構造であれば、漢字の『日』の字型でなくてもよい。
【0064】
実施の形態5.
この発明の実施の形態5に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図9は、この発明の実施の形態5に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの断面構成を示す図である。
【0065】
図9において、誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通する穴を設けた高周波接続構造体7Eを誘電体基板1aの上に、ストリップ線路パターン3aと高周波接続構造体7Eに設けた金属膜10aを接触するように配置し、また、導体パターン4aと金属膜10bを接触するように配置して誘電体基板1aと一体形成する。なお、高周波接続構造体7Eとしては、上記実施の形態4の高周波接続構造体7Dの穴に、くぼみ15を設けたものである。
【0066】
この時、金属膜を被覆しない部分11bは、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しない。誘電体基板1aに一体形成した高周波接続構造体7Eの誘電体ブロック8に設けた穴の内部の誘電体基板1aに高周波回路2aを実装し、誘電体ブロック8に設けたくぼみ15にふた13を乗せて接続する。ふた13は、例えば薄い金属や誘電体に金属膜を被覆した構造からなる。
【0067】
つぎに、この実施の形態5に係る高周波接続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
【0068】
接続手段6aを介して接地導体5aに接続された導体パターン4aと高周波接続構造体7Eに設けた金属膜10b及びふた13は接触しているため、これらは接地導体となる。また、誘電体基板1aに実装された高周波回路2aは、接地導体5a、金属膜10b及びふた13に取り囲まれるため遮蔽される。
【0069】
誘電体基板1aに形成されたストリップ線路パターン3aは、高周波接続構造体7Eに設けた金属膜10aの裏面と接触しているため、高周波信号または制御信号は高周波接続構造体7Eを介して誘電体基板1aに実装された高周波回路2aに伝送される。
【0070】
この時、高周波接続構造体7Eの表面に形成された金属膜10aは、誘電体基板1aに一体形成した高周波接続構造体7Eとふた13からなる遮蔽された構造の外面に配置される。そのため、高周波接続構造体7Eの表面に形成された金属膜10aは、高周波回路2aに高周波信号または制御信号を入出力する電極として機能する。
【0071】
すなわち、上記誘電体基板1aに一体形成した高周波接続構造体7Eとふた13からなる遮蔽された構造は、高周波回路2aのパッケージとしても機能する。
【0072】
本実施の形態5においては、上記実施の形態4と同様の効果に加え、高周波接続構造体7Eが高周波回路2aをパッケージする側壁として誘電体基板1aと一体形成できる効果がある。
【0073】
なお、この実施の形態5では、1つの誘電体基板1aに高周波接続構造体7Eを一体形成してパッケージする構成について説明したが、上記誘電体基板1aに一体形成した高周波接続構造体7Eを複数積み重ねて多層構造とし、多層構造にふた13を接続する構成としても良い。また,高周波回路を実装する穴の数を2つ以上にしても良い。
【0074】
実施の形態6.
この発明の実施の形態6に係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明する。図10は、この発明の実施の形態6に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。また、図11は、図10に示した後述する異方導電性シートの機能を説明する断面図である。
【0075】
図10において、14は異方導電性シートである。
【0076】
図11において、1c、1dは誘電体基板、3c、3dはストリップ線路パターンであり、誘電体基板1cに形成されたストリップ線路パターン3cと誘電体基板1dに形成されたストリップ導体3dを向かい合わせて配置し、2つの誘電体基板1c、1dの間に異方導電性シート14を挟んだ構造としている。
【0077】
異方導電性シート14は、例えばゴムなど弾性を有する絶縁体の中の厚さ方向に金属細線が高密度に埋め込まれたシートや、導電粒子と合成樹脂を混ぜ合わせたシートであり、図11において、2つの誘電体基板1c、1dを加圧することで異方導電性シート14の厚さ方向のみ導通し、隣接したストリップ線路パターン同士は絶縁される。
【0078】
図10において、高周波接続構造体7Bの孔を設けた面に異方導電性シート14を配置し、誘電体基板1aの表面と誘電体基板1bの裏面を向かい合わせて、間にストリップ線路パターン3aと導体パターン4b及び高周波接続構造体7Bに設けた金属膜10aが向かい合うように挟み、また、導体パターン4aと接地導体5b及び金属膜10bが向かい合うように挟み、加圧することで異方導電性シート14の厚さ方向のみ導通するため、一方の高周波回路から伝送される高周波信号または制御信号をもう一方の高周波回路に伝送することができる。なお、高周波接続構造体7Bの代わりに、実施の形態1の高周波接続構造体7Aや、実施の形態3、4の高周波接続構造体7C、7Dでもよい。
【0079】
本実施の形態6においては、実施の形態1及び5と同様の効果に加え、異方導電性シート14を誘電体基板1a、1bと高周波接続構造体7Bの間に挟み加圧することで誘電体基板1a、1bを接続することができるので、接続のために半田を必要としない効果がある。
【0081】
【発明の効果】
この発明の請求項1に係る高周波接続構造体は、以上説明したとおり、誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間の中央に、前記孔の間を結ぶ直線に対して直角方向に一列に設けられ、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通し内部の導体により前記誘電体ブロックの表面及び裏面に配置された前記第2の導体を電気的に接続して前記孔から発生する電界を接地する複数の第2の孔をさらに備えたので、孔から発生する電界を防ぐことができるという効果を奏する。
【0082】
この発明の請求項2に係る高周波接続構造体は、以上説明したとおり、誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間に設けられ、前記誘電体ブロックの側面を表面から裏面まで切り欠きその内側に前記第2の導体が配置されて前記孔から発生する電界を接地する溝をさらに備えたので、孔から発生する電界を防ぐことができるという効果を奏する。
【0085】
この発明の請求項3に係る高周波接続構造体は、以上説明したとおり、前記誘電体ブロックと前記第1の誘電体基板の間、及び前記誘電体ブロックと前記第2の誘電体基板の間に異方導電性シートを挿入して電気的に接続したので、接続のために半田を必要としないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図2】 この発明の実施の形態1に係る高周波接続構造体の構成を示す図である。
【図3】 この発明の実施の形態2に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図4】 この発明の実施の形態2に係る高周波接続構造体の構成を示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態3に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図6】 この発明の実施の形態3に係る高周波接続構造体の構成を示す図である。
【図7】 この発明の実施の形態4に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図8】 この発明の実施の形態4に係る高周波接続構造体の構成を示す図である。
【図9】 この発明の実施の形態5に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの断面構成を示す図である。
【図10】 この発明の実施の形態6に係る高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図11】 この発明の実施の形態6に係る異方導電性シートの動作を説明するための図である。
【図12】 従来の高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【図13】 従来の他の高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
【符号の説明】
1a、1b 誘電体基板、2a、2b 高周波回路、3a、3b ストリップ線路パターン、4a、4b 導体パターン、5a、5b 接地導体、6a、6b接続手段、7A、7B、7C、7D、7E 高周波接続構造体、8 誘電体ブロック、9a、9b 孔、10a、10b、10c 金属膜、11a、11b 金属膜を被覆しない部分、12 溝、13 ふた、14 異方導電性シート、15 くぼみ。
Claims (3)
- 誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、
前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、
前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体と
を備えた高周波接続構造体であって、
表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び
表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、
前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、
前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、
前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、
前記孔の間の中央に、前記孔の間を結ぶ直線に対して直角方向に一列に設けられ、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通し内部の導体により前記誘電体ブロックの表面及び裏面に配置された前記第2の導体を電気的に接続して前記孔から発生する電界を接地する複数の第2の孔
をさらに備えたことを特徴とする高周波接続構造体。 - 誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔と、
前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体と、
前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の導体と
を備えた高周波接続構造体であって、
表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電体基板、及び
表面に設置された第2の高周波回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、
前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、
前記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体として機能し、
前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔が複数の場合には、
前記孔の間に設けられ、前記誘電体ブロックの側面を表面から裏面まで切り欠きその内側に前記第2の導体が配置されて前記孔から発生する電界を接地する溝
をさらに備えたことを特徴とする高周波接続構造体。 - 前記誘電体ブロックと前記第1の誘電体基板の間、及び前記誘電体ブロックと前記第2の誘電体基板の間に異方導電性シートを挿入して電気的に接続した
ことを特徴とする請求項1又は2記載の高周波接続構造体。
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