JP2001313125A - 高周波接続構造体 - Google Patents
高周波接続構造体Info
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Abstract
た、回路の大形化、集積度の低下を招く課題があった。 【解決手段】 誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通
する孔9aと、前記孔の内部及び開口の周りに配置され
た金属膜10aと、前記誘電体ブロックの外周を囲むよ
うに配置され、かつ金属膜10aと絶縁された金属膜1
0bとを備え、誘電体基板1a、1bに挟まれた場合に
は、前記金属膜10aは、ストリップ線路パターン3a
と導体パターン4bを電気的に接続して、高周波信号又
は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記金属膜
10bは、接続手段6aを介して接地導体5aに接続さ
れた導体パターン4aと接地導体5bを電気的に接続し
て、誘電体基板1a、1bを接地する。 【効果】 誘電体基板を積み重ねて接続することを容易
にし、誘電体基板に形成された複数の線路同士を安定に
接続することができる。
Description
ロ波帯及びミリ波帯における高周波接続構造体に関する
ものであり、特に、誘電体基板を積み重ねて接続する高
周波接続構造体に関するものである。
参照しながら説明する。図12は、例えば米国特許第5
675302号公報に示された従来の高周波接続構造体
を示す図である。
は誘電体、24、26、28は孔、40’は金属シール
ドである。
4’は圧縮される導体、30A’、30B’、32
A’、32B’、34A’、34B’は圧縮される導体
30’、32’、34’の先端部である。
基板、82は中心導体、84A、84Bは接地導体であ
る。
は基板、62は中心導体、64A、64B、64Cは接
地導体、60Aはコプレーナ伝送線路60の先端部であ
る。
6、28を設け、孔の内部を含まない誘電体22の周り
を金属シールド40’で囲んだ構造に、圧縮される導体
30’、32’、34’を差し込むことで接続回路2
0’を形成し、基板52、72の表面に信号を伝送する
中心導体62、82と接地導体64A、64B、64
C、84A、84Bが配置され、コプレーナ線路60、
80を形成している。
作について図面を参照しながら説明する。
体30’、32’、34’の先端部30A’、30
B’、32A’、32B’、34A’、34B’におい
て、32A’を中心導体62に、32B’を中心導体8
2に、30A’を接地導体64Aに、34A’を接地導
体64Bに、30B’を接地導体84Aに、34B’を
接地導体84Bにそれぞれ接触させて加圧することで、
基板52と72を接続している。この時、接続回路2
0’の金属シールド40’と接地導体64Cも接触す
る。
続回路20’に配置された圧縮される導体32’を通じ
て中心導体82に出力される。中心導体82に入力した
信号も同様にして中心導体62に出力される。
報に示された従来の他の高周波接続構造体を示す図であ
る。
基板、110c、130cはスルーホール、111、1
31はマイクロストリップライン、111aは受信入力
部、111bは出力部、111cは第一局部信号入力
部、112は高周波信号受信部、113は周波数変換
部、114、135は接地部(グランドパターン)、1
14a、135aはグランドパターン、126は中空同
軸線路、121は外部導体、121aは切欠部、122
は中心導体、130は第二高周波回路基板、131aは
入力部、131bは受信出力部、131cは第二局部信
号入力部、132は中間周波信号受信部、133はビデ
オ信号変換部、134はビデオ信号増幅部、136は孔
である。
するためのマイクロストリップライン111、131を
形成するとともに、裏面に接地部114、135を形成
した第一及び第二高周波回路基板110、130を多層
化した送受信モジュールにおいて、第一及び第二高周波
回路基板の各接地部に接続された筒状の外部導体121
と、この外部導体の中空部内の中心に、外部導体の内壁
と所定の間隔をあけた状態で配置され、第一及び第二高
周波回路基板の各マイクロストリップラインを接続する
棒状の中心導体122とからなる中空同軸線路126を
備えた構成としている。
の動作について図面を参照しながら説明する。
クロストリップライン111の受信入力部121aから
高周波信号が入力されると、高周波信号受信部112と
周波数変換部113を経て出力部111bへ出力され
る。
路基板110と第二高周波回路基板130を接続する伝
送路である。この中空同軸線路126は、円筒状の外部
導体121と、この外部導体121の中空部内の中心
に、外部導体121の内壁と所定の間隔をあけた状態で
配置された円柱状の中心導体122からなり、下端を第
一高周波回路基板110上の出力部111bに固定して
垂直に立設してあるとともに、上端を第二高周波回路基
板130の入力部131a付近に形成した孔136に挿
入した構成としている。
ホール110c内のグランドパターン114aを介して
第一高周波回路基板110の接地部114と接続してお
り、マイクロストリップライン111との接触を防止す
るために、下端側壁の一部に切欠部121aを形成して
いる。また、外部導体121の上端は、スルーホール1
30c内のグラントパターン135aを介して第二高周
波回路基板130の接地部135とボンディングライン
によって接続している。
波回路基板110の出力部111bと接続しており、ま
た、上端は、第二高周波回路基板130のマイクロスト
リップライン131の入力部131aとボンディングラ
インによって接続している。このような中空同軸線路1
26は、第一高周波回路基板110の出力部111bか
ら出力された信号を第二高周波回路基板130の入力部
131aへ伝送する。
31aに前記信号が入力されると、中間周波信号受信部
132、ビデオ信号変換部133、ビデオ信号増幅器1
34を経て受信出力部131bに出力される。
の、図12に示した高周波接続構造体では、基板52、
72の間の所定の位置に誘電体22を貫通する3つの孔
24、26、28を設け、孔の周りを金属シールド4
0’で囲んだ構造に、圧縮される導体30’、32’、
34’を差し込み形成した接続回路20’を基板の間に
挟むことで接続しているため、接続回路20’の孔2
4、26、28及び圧縮される導体30’、32’、3
4’を高精度に製作する必要があるという問題点があっ
た。
62、82を接続する構造のため、基板52、72に形
成された複数の線路同士を接続するには中心導体62と
同じ数の接続回路20’が必要になり回路の大形化、集
積度の低下を招くという問題点があった。
続構造体では、第一高周波回路基板110の出力部11
1bに中空同軸導体126を立て、第二高周波回路基板
130に孔136をあけて、その孔に中空同軸導体12
6を通し第一及び第二高周波回路基板110、130を
積み重ねて接続しているため製作が容易でないという問
題点があった。
0、130を接続するための部品の位置ずれが起こると
中空同軸線路126とスルーホール110c、130
c、または入力部131aを結ぶボンディングラインの
長さが変わり、電気長が変化するため、高周波信号の伝
送特性が変化し所望の性能からずれてしまうという問題
点があった。
めになされたもので、誘電体基板を積み重ねて接続する
ことを容易にし、誘電体基板に形成された複数の線路同
士を安定に接続することができる高周波接続構造体を得
ることを目的とする。
る高周波接続構造体は、誘電体ブロックの表面から裏面
を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに配置さ
れた第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を囲むよ
うに配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された第2の
導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面に設置
された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回路に接
続された第1のストリップ線路パターンと、裏面に設け
られた第1の接地導体と、表面に設けられた第1の導体
パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の導体パ
ターンを接続する第1の接続手段とを有する第1の誘電
体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路と、前
記第2の高周波回路に接続された第2のストリップ線路
パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体と、裏面
に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第2の導体
パターンと、前記第2の導体パターン及び前記第2のス
トリップ線路パターンを接続する第2の接続手段と、を
有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、前記第1
の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のストリップ線
路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導体パター
ンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板
に設置された第1及び第2の高周波回路の高周波信号又
は制御信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の
導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと
前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続
して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導
体として機能するものである。
体は、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔
が複数の場合には、前記孔の間に設けられ、前記誘電体
ブロックの表面から裏面を貫通し前記誘電体ブロックの
表面及び裏面に配置された第2の導体を電気的に接続し
て前記孔から発生する電界を接地する接地導体手段をさ
らに備えたものである。
体は、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する孔
が複数の場合には、前記孔の間に設けられ、前記誘電体
ブロックの側面を表面から裏面まで切り欠きその内側に
前記第2の導体が配置されて前記孔から発生する電界を
接地する溝をさらに備えたものである。
体は、前記第1及び第2の誘電体基板に挟まれた場合に
は、前記第1の誘電体基板の表面に設置された第1の高
周波回路が収まる開口をもつ、前記誘電体ブロックの表
面から裏面を貫通する穴をさらに備えたものである。
体は、前記第1の誘電体基板の表面又は前記第2の誘電
体基板の裏面に一体形成されたものである。
体は、前記誘電体ブロックと前記第1の誘電体基板の
間、及び前記誘電体ブロックと前記第2の誘電体基板の
間に異方導電性シートを挿入して電気的に接続したもの
である。
形態1に係る高周波接続構造体について図面を参照しな
がら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る
高周波接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す
図である。また、図2は、この発明の実施の形態1に係
る高周波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は
(a)の横断面図である。なお、各図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。
2a、2bは高周波回路、3a、3bはストリップ線路
パターン、4a、4bは導体パターン、5a、5bは接
地導体、6aは導体パターン4aと接地導体5aとの間
を接続するための接続手段、6bはストリップ線路パタ
ーン3bと導体パターン4bとの間を接続するための接
続手段、7Aは高周波接続構造体である。
電体ブロック、9aは誘電体ブロック8の表面から裏面
を貫通する複数個の孔、10aは孔9aの内部と周囲を
被覆した金属膜、10bは金属膜10aの周りの誘電体
ブロック8の表面を被覆した金属膜、11aは誘電体ブ
ロック8の表面において金属膜10aと10bの間の金
属膜を被覆しない部分、11bは誘電体ブロック8の裏
面において金属膜10aと10bの間の金属膜を被覆し
ない部分である。
1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体
パターン4b及び高周波接続構造体7Aに設けた金属膜
10aが接触するように挟み、また導体パターン4aと
接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接
続する。この時、金属膜を被覆しない部分11bは誘電
体ブロック8の裏面から側面にわたり形成するため、ス
トリップ導体パターン3aと金属膜10bは接触しな
い。なお、誘電体基板1bの裏面に設けられた導体パタ
ーン4bは、接地導体5bと絶縁されたパッド状のもの
である。
続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
ップ線路パターン3a、3bと導体パターン4bは、高
周波接続構造体7Aに設けた金属膜10aと電気的に接
触しているため、高周波信号または制御信号が高周波接
続構造体7Aを介して誘電体基板1a、1bに形成され
た高周波回路2a、2bの間を伝送する。
aに接続された導体パターン4aと接地導体5b及び高
周波接続構造体7Aに設けた金属膜10bは接触してい
るため、これらは接地導体となる。そのため、高周波接
続構造体7Aに設けた金属膜10aを被覆した複数個の
孔9aは、金属膜10bを接地導体とする伝送線路とし
て機能し、高周波信号または制御信号を伝送することが
できる。
ク8に孔をあけ、金属膜を被覆するのみで高周波接続構
造体7Aを構成するため、例えば誘電体ブロック8に孔
9aをあけ金属メッキを施しパターンニングする方法
や、多層セラミック基板の製造技術などにより容易に製
作でき、1つの高周波接続構造体7Aに複数個の孔9a
を設け複数の高周波信号または制御信号を伝送すること
ができる。
するため、誘電体基板1a、1bを接続する際に所定の
位置からわずかにずれても伝送特性に影響を与えず、信
号を安定に伝送できる効果がある。
体基板を積み重ねて接続する構成について説明したが、
3つ以上の複数の誘電体基板を積み重ねて接続する場
合、それぞれの基板の間に高周波接続構造体7Aを挟み
接続する構成としても良い。また、誘電体ブロックに設
けた孔の内部は金属で充填したものでも良い。
係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明
する。図3は、この発明の実施の形態2に係る高周波接
続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図であ
る。また、図4は、この発明の実施の形態2に係る高周
波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の
横断面図である。
7Bは、金属膜10aで被覆した複数個の孔9aの間に
誘電体ブロック8の表面から裏面に貫通する複数個の孔
9bを設け、孔9bの内部に金属膜10cを被覆した構
造としている。金属膜10cと金属膜10bは接触して
いる。
1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体
パターン4b及び高周波接続構造体7に設けた金属膜1
0aが接触するように挟み、また、導体パターン4aと
接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接
続する。
は、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成する
ため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接
触しない。
続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
周波回路2a、2bからストリップ線路パターン3a及
び導体パターン4bを経て高周波信号または制御信号が
伝送するため、孔9aと接地導体をなす金属膜10bの
間に電界が存在する。誘電体基板1a、1bに多数のス
トリップ線路パターンを配線すると、多数の孔9aを設
けるため隣接した孔9aの間隔が狭くなる。そのため金
属膜10aを被覆した孔同士で結合を起こし信号波形が
乱れ、高周波回路2a、2bの動作を不安定にさせる原
因になる。
膜10cを被覆した孔9bを設けて接地導体とし、高周
波信号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆し
た孔9aから発生する電界を接地させ、金属膜10aで
被覆した孔9a同士の結合を押さえている。
態1と同様の効果に加え、高周波信号または制御信号が
伝送する金属膜10aで被覆した複数の孔9a同士の結
合が押さえられるため、高周波回路2a、2bに安定し
た信号を伝送することができ、高密度に孔9aを設置で
きる効果がある。
ック8に設けた孔9bの内部を金属膜10cで被覆した
構成について説明したが、孔9bの内部を金属で充填し
たものでも良い。
係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明
する。図5は、この発明の実施の形態3に係る高周波接
続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図であ
る。また、図6は、この発明の実施の形態3に係る高周
波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の
横断面図である。
7Cは、金属膜10aで被覆した複数個の孔9aの間の
誘電体ブロック8の側面に孔9aと平行に溝12を設
け、溝の内部を金属膜10bで被覆した構造としてい
る。
1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体
パターン4b及び高周波接続構造体7に設けた金属膜1
0aが接触するように挟み、また、導体パターン4aと
接地導体5b及び金属膜10bが接触するように挟み接
続する。
は、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成する
ため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接
触しない。
続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
電体基板1a、1bに多数のストリップ線路パターンを
配線すると、多数の孔9aを設けるため隣接した孔9a
の間隔が狭くなる。そのため金属膜10aを被覆した孔
9a同士で結合を起こし信号波形が乱れ、高周波回路2
a、2bの動作を不安定にさせる原因になる。
電体ブロック8の側面に孔9aと平行な溝12を設け、
溝12の内部に金属膜10bを被覆することで高周波信
号または制御信号が伝送する金属膜10aで被覆した孔
9aから発生する電界を接地させ、金属膜10aで被覆
した孔9a同士の結合を押さえている。
形態1と同様の効果に加え、高周波信号または制御信号
が伝送する金属膜10aで被覆した複数の孔9a同士の
結合が押さえられるため、高周波回路2a、2bに安定
した信号を伝送することができ、高密度に孔9aを設置
できる効果がある。
係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明
する。図7は、この発明の実施の形態4に係る高周波接
続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図であ
る。また、図8は、この発明の実施の形態4に係る高周
波接続構造体の構成を示す図であり、(b)は(a)の
横断面図である。
裏面と側面に接地導体5aを配置している。高周波接続
構造体7Dは、平面からみて漢字の『日』の字型をして
おり、誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通し高周波
回路2c、2dが収まる穴を2つ設けてある。これらの
穴の内部は金属膜10bで被覆され、これらの穴は、誘
電体基板1aに形成された高周波回路2c、2dより大
きい。また、高周波接続構造体7Dの外周は、誘電体基
板1aと同じ大きさをもつ。
1a、1bの間に、ストリップ線路パターン3aと導体
パターン4b及び高周波接続構造体7Dに設けた金属膜
10aを接触するように挟み、また、導体パターン4a
と接地導体5b及び金属膜10bは接触するように挟み
接続する。
は、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成する
ため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接
触しない。誘電体基板1aに形成された高周波回路2
c、2dは、接地導体5a、5bと金属膜10bに取り
囲まれるため遮蔽された構造になる。
態1〜3と同様の効果に加え、高周波接続構造体7Dの
誘電体ブロック8の表面から裏面を貫通する穴を設け、
内部を金属膜10bで覆うため、誘電体基板1aに配置
された高周波回路2c、2dから発生する電磁波を遮蔽
し外部からの電磁波を受けないのため、高周波回路2
c、2dを安定に動作できる効果がある。
ック8の表面から裏面を貫通する穴を2つだけ設けた構
造としているが、1つや、3つ以上の複数個の穴を設け
た構造としても良い。また、高周波回路2c、2dを囲
うような構造であれば、漢字の『日』の字型でなくても
よい。
係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明
する。図9は、この発明の実施の形態5に係る高周波接
続構造体を含む高周波モジュールの断面構成を示す図で
ある。
ら裏面を貫通する穴を設けた高周波接続構造体7Eを誘
電体基板1aの上に、ストリップ線路パターン3aと高
周波接続構造体7Eに設けた金属膜10aを接触するよ
うに配置し、また、導体パターン4aと金属膜10bを
接触するように配置して誘電体基板1aと一体形成す
る。なお、高周波接続構造体7Eとしては、上記実施の
形態4の高周波接続構造体7Dの穴に、くぼみ15を設
けたものである。
は、誘電体ブロック8の裏面から側面にわたり形成する
ため、ストリップ導体パターン3aと金属膜10bは接
触しない。誘電体基板1aに一体形成した高周波接続構
造体7Eの誘電体ブロック8に設けた穴の内部の誘電体
基板1aに高周波回路2aを実装し、誘電体ブロック8
に設けたくぼみ15にふた13を乗せて接続する。ふた
13は、例えば薄い金属や誘電体に金属膜を被覆した構
造からなる。
続構造体の動作について図面を参照しながら説明する。
された導体パターン4aと高周波接続構造体7Eに設け
た金属膜10b及びふた13は接触しているため、これ
らは接地導体となる。また、誘電体基板1aに実装され
た高周波回路2aは、接地導体5a、金属膜10b及び
ふた13に取り囲まれるため遮蔽される。
路パターン3aは、高周波接続構造体7Eに設けた金属
膜10aの裏面と接触しているため、高周波信号または
制御信号は高周波接続構造体7Eを介して誘電体基板1
aに実装された高周波回路2aに伝送される。
成された金属膜10aは、誘電体基板1aに一体形成し
た高周波接続構造体7Eとふた13からなる遮蔽された
構造の外面に配置される。そのため、高周波接続構造体
7Eの表面に形成された金属膜10aは、高周波回路2
aに高周波信号または制御信号を入出力する電極として
機能する。
した高周波接続構造体7Eとふた13からなる遮蔽され
た構造は、高周波回路2aのパッケージとしても機能す
る。
態4と同様の効果に加え、高周波接続構造体7Eが高周
波回路2aをパッケージする側壁として誘電体基板1a
と一体形成できる効果がある。
体基板1aに高周波接続構造体7Eを一体形成してパッ
ケージする構成について説明したが、上記誘電体基板1
aに一体形成した高周波接続構造体7Eを複数積み重ね
て多層構造とし、多層構造にふた13を接続する構成と
しても良い。また,高周波回路を実装する穴の数を2つ
以上にしても良い。
係る高周波接続構造体について図面を参照しながら説明
する。図10は、この発明の実施の形態6に係る高周波
接続構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図であ
る。また、図11は、図10に示した後述する異方導電
性シートの機能を説明する断面図である。
である。
板、3c、3dはストリップ線路パターンであり、誘電
体基板1cに形成されたストリップ線路パターン3cと
誘電体基板1dに形成されたストリップ導体3dを向か
い合わせて配置し、2つの誘電体基板1c、1dの間に
異方導電性シート14を挟んだ構造としている。
弾性を有する絶縁体の中の厚さ方向に金属細線が高密度
に埋め込まれたシートや、導電粒子と合成樹脂を混ぜ合
わせたシートであり、図11において、2つの誘電体基
板1c、1dを加圧することで異方導電性シート14の
厚さ方向のみ導通し、隣接したストリップ線路パターン
同士は絶縁される。
孔を設けた面に異方導電性シート14を配置し、誘電体
基板1aの表面と誘電体基板1bの裏面を向かい合わせ
て、間にストリップ線路パターン3aと導体パターン4
b及び高周波接続構造体7Bに設けた金属膜10aが向
かい合うように挟み、また、導体パターン4aと接地導
体5b及び金属膜10bが向かい合うように挟み、加圧
することで異方導電性シート14の厚さ方向のみ導通す
るため、一方の高周波回路から伝送される高周波信号ま
たは制御信号をもう一方の高周波回路に伝送することが
できる。なお、高周波接続構造体7Bの代わりに、実施
の形態1の高周波接続構造体7Aや、実施の形態3、4
の高周波接続構造体7C、7Dでもよい。
及び5と同様の効果に加え、異方導電性シート14を誘
電体基板1a、1bと高周波接続構造体7Bの間に挟み
加圧することで誘電体基板1a、1bを接続することが
できるので、接続のために半田を必要としない効果があ
る。
造体は、以上説明したとおり、誘電体ブロックの表面か
ら裏面を貫通する孔と、前記孔の内部及び開口の周りに
配置された第1の導体と、前記誘電体ブロックの外周を
囲むように配置され、かつ前記第1の導体と絶縁された
第2の導体とを備えた高周波接続構造体であって、表面
に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周波回
路に接続された第1のストリップ線路パターンと、裏面
に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた第1
の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第1の
導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する第1
の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波回路
と、前記第2の高周波回路に接続された第2のストリッ
プ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導体
と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された第
2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前記
第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続手
段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合には、
前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のスト
リップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導
体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘
電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周
波信号又は制御信号を伝送する信号線として機能し、前
記第2の導体は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パ
ターンと前記第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気
的に接続して、前記第1及び第2の誘電体基板を接地す
る接地導体として機能するので、誘電体基板を積み重ね
て接続することを容易にし、誘電体基板に形成された複
数の線路同士を安定に接続することができるという効果
を奏する。
体は、以上説明したとおり、前記誘電体ブロックの表面
から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間に
設けられ、前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通し
前記誘電体ブロックの表面及び裏面に配置された第2の
導体を電気的に接続して前記孔から発生する電界を接地
する接地導体手段をさらに備えたので、孔から発生する
電界を防ぐことができるという効果を奏する。
体は、以上説明したとおり、前記誘電体ブロックの表面
から裏面を貫通する孔が複数の場合には、前記孔の間に
設けられ、前記誘電体ブロックの側面を表面から裏面ま
で切り欠きその内側に前記第2の導体が配置されて前記
孔から発生する電界を接地する溝をさらに備えたので、
孔から発生する電界を防ぐことができるという効果を奏
する。
体は、以上説明したとおり、前記第1及び第2の誘電体
基板に挟まれた場合には、前記第1の誘電体基板の表面
に設置された第1の高周波回路が収まる開口をもつ、前
記誘電体ブロックの表面から裏面を貫通する穴をさらに
備えたので、電磁波を遮蔽することができるという効果
を奏する。
体は、以上説明したとおり、前記第1の誘電体基板の表
面又は前記第2の誘電体基板の裏面に一体形成されたの
で、電磁波を遮蔽することができるという効果を奏す
る。
体は、以上説明したとおり、前記誘電体ブロックと前記
第1の誘電体基板の間、及び前記誘電体ブロックと前記
第2の誘電体基板の間に異方導電性シートを挿入して電
気的に接続したので、接続のために半田を必要としない
という効果がある。
造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
造体の構成を示す図である。
造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
造体の構成を示す図である。
造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
造体の構成を示す図である。
造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
造体の構成を示す図である。
造体を含む高周波モジュールの断面構成を示す図であ
る。
構造体を含む高周波モジュールの構成を示す図である。
シートの動作を説明するための図である。
ュールの構成を示す図である。
モジュールの構成を示す図である。
a、3b ストリップ線路パターン、4a、4b 導体
パターン、5a、5b 接地導体、6a、6b接続手
段、7A、7B、7C、7D、7E 高周波接続構造
体、8 誘電体ブロック、9a、9b 孔、10a、1
0b、10c 金属膜、11a、11b金属膜を被覆し
ない部分、12 溝、13 ふた、14 異方導電性シ
ート、15 くぼみ。
Claims (6)
- 【請求項1】 誘電体ブロックの表面から裏面を貫通す
る孔と、 前記孔の内部及び開口の周りに配置された第1の導体
と、 前記誘電体ブロックの外周を囲むように配置され、かつ
前記第1の導体と絶縁された第2の導体とを備えた高周
波接続構造体であって、 表面に設置された第1の高周波回路と、前記第1の高周
波回路に接続された第1のストリップ線路パターンと、
裏面に設けられた第1の接地導体と、表面に設けられた
第1の導体パターンと、前記第1の接地導体及び前記第
1の導体パターンを接続する第1の接続手段とを有する
第1の誘電体基板、及び表面に設置された第2の高周波
回路と、前記第2の高周波回路に接続された第2のスト
リップ線路パターンと、裏面に設けられた第2の接地導
体と、裏面に設けられ前記第2の接地導体と絶縁された
第2の導体パターンと、前記第2の導体パターン及び前
記第2のストリップ線路パターンを接続する第2の接続
手段と、を有する第2の誘電体基板に挟まれた場合に
は、 前記第1の導体は、前記第1の誘電体基板の第1のスト
リップ線路パターンと前記第2の誘電体基板の第2の導
体パターンを電気的に接続して、前記第1及び第2の誘
電体基板に設置された第1及び第2の高周波回路の高周
波信号又は制御 信号を伝送する信号線として機能し、前記第2の導体
は、前記第1の誘電体基板の第1の導体パターンと前記
第2の誘電体基板の第2の接地導体を電気的に接続し
て、前記第1及び第2の誘電体基板を接地する接地導体
として機能することを特徴とする高周波接続構造体。 - 【請求項2】 前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫
通する孔が複数の場合には、 前記孔の間に設けられ、前記誘電体ブロックの表面から
裏面を貫通し前記誘電体ブロックの表面及び裏面に配置
された第2の導体を電気的に接続して前記孔から発生す
る電界を接地する接地導体手段をさらに備えたことを特
徴とする請求項1記載の高周波接続構造体。 - 【請求項3】 前記誘電体ブロックの表面から裏面を貫
通する孔が複数の場合には、 前記孔の間に設けられ、前記誘電体ブロックの側面を表
面から裏面まで切り欠きその内側に前記第2の導体が配
置されて前記孔から発生する電界を接地する溝をさらに
備えたことを特徴とする請求項1記載の高周波接続構造
体。 - 【請求項4】 前記第1及び第2の誘電体基板に挟まれ
た場合には、 前記第1の誘電体基板の表面に設置された第1の高周波
回路が収まる開口をもつ、前記誘電体ブロックの表面か
ら裏面を貫通する穴をさらに備えたことを特徴とする請
求項1記載の高周波接続構造体。 - 【請求項5】 前記第1の誘電体基板の表面又は前記第
2の誘電体基板の裏面に一体形成されたことを特徴とす
る請求項4記載の高周波接続構造体。 - 【請求項6】 前記誘電体ブロックと前記第1の誘電体
基板の間、及び前記誘電体ブロックと前記第2の誘電体
基板の間に異方導電性シートを挿入して電気的に接続し
たことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれ
かに記載の高周波接続構造体。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-05-01 JP JP2000132209A patent/JP3708789B2/ja not_active Expired - Fee Related
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