JP3899578B2 - 高周波回路およびマイクロ波回路 - Google Patents

高周波回路およびマイクロ波回路 Download PDF

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JP3899578B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明はマイクロ波帯・ミリ波帯・サブミリ波帯等の高周波回路に係わり、特に、空間的に直交配置された回路基板の間での伝送線路等の回路の接続に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図21は1995年電子情報通信学会エレクトロソサイエティ大会予稿集PP.276−277に開示された従来の構成による直角に配置された伝送線路と誘電体基板とを接続する高周波回路の一例である。図において1は金属筺体、2はボンディングパッド、3は誘電体基板、6は金属ワイア、14は同軸線路、15は同軸線路の中心導体である。
【0003】
金属筺体1に取り付けられた誘電体基板3上のボンディングパッド2から、金属筺体1に誘電体基板3と直角に取り付けられた同軸線路14とを接続するために、ボンディングパッド2と同軸線路14の中心導体15とを金属ワイア6にて接続している。
【0004】
次に動作を説明する。同軸線路14は中心導体15と外部導体から構成されるが、中心導体15を流れる信号は、金属ワイア6を介して誘電体基板3上に設けたボンディングパッド2に伝わる。
【0005】
また、同軸線路の外部導体を流れる信号は、外部導体を構成する金属筺体を介して、金属筺体上に設けた誘電体基板に伝わる。
【0006】
図22は、図21に示した高周波回路の同軸線路が複数有る場合の従来の構成による直角に配置された伝送線路と誘電体基板とを接続する高周波回路の一例である。図において2a,2b,2cはボンディングパッド、6a,6b,6cは金属ワイア、14a,14b,14cは同軸線路、15a,15b,15cは同軸線路の中心導体である。
【0007】
金属筺体1に取り付けられた誘電体基板3上のボンディングパッド2aから、金属筺体1に誘電体基板3と直角に取り付けられた同軸線路14aとを接続するために、ボンディングパッド2aと同軸線路14aの中心導体15aとを金属ワイア6aにて接続している。
【0008】
金属筺体1に取り付けられた誘電体基板3上のボンディングパッド2bから、金属筺体1に誘電体基板3と直角に取り付けられた同軸線路14bとを接続するために、ボンディングパッド2bと同軸線路14bの中心導体15bとを金属ワイア6bにて接続している。
【0009】
金属筺体1に取り付けられた誘電体基板3上のボンディングパッド2cから、金属筺体1に誘電体基板3と直角に取り付けられた同軸線路14cとを接続するために、ボンディングパッド2cと同軸線路14cの中心導体15cとを金属ワイア6cにて接続している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従来の伝送線路接続法は上記のように構成されており、同軸線路の中心導体と誘電体基板間の距離が長くなる場合、金属ワイア長が長くなるために、伝搬させる高周波信号の損失が大きくなる問題があった。
【0011】
また、ワイアが長くなるためにリアクタンス成分が増加し、反射が大きくなるという問題があった。
【0012】
また、ワイアが長くなるために、振動などにより接触不良を起こしたり、周辺部と接触する可能性があるという問題があった。
【0013】
また、互いに独立した複数の接続電極と、互いに独立した複数の同軸線路とを各々接続する場合、同軸線路の直径以下の間隔で同軸線路を配置できないために大型化してしまう問題点があった。また、接続ワイアが長くなり、上記関係が拡大される問題があった。
【0014】
また、金属筺体に同軸線路を埋め込む必要があり、製造が難しいという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【0015】
請求項1の発明に係わる高周波回路は、地導体が形成された面をそれぞれ金属筐体に接し、隣接させて互いに直交配置された第1の誘電体回路基板と第2の誘電体回路基板とを備え、上記第1の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第1の誘電体回路基板にはパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板にはストリップ導体を側面に延在させて形成された接続用の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第1の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記パッドと上記端部とを金属導体で電気的に接続したものである。
【0016】
請求項2の発明に係わる高周波回路は、地導体が形成された面をそれぞれ金属筐体に接し、隣接させて互いに直交配置された第1の誘電体回路基板と第2の誘電体回路基板とを備え、上記第1の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第1の誘電体回路基板には複数個のパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板には複数本のストリップ導体をそれぞれ一つの側面に延在させて形成された接続用の複数個の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第1の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記複数個のパッドと上記複数個の端部とをそれぞれ金属導体で電気的に接続したものである。
【0017】
請求項3の発明に係わる高周波回路は、請求項1、又は2記載の高周波回路において、上記第2の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向が、上記パッドと上記接続用の端部とを結ぶ直線に直交する方向とされ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向と直交配置されたことを特徴とするものである。
【0018】
請求項4の発明に係わる高周波回路は、請求項1記載の高周波回路において、上記第2の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向が、上記パッドと上記接続用の端部とを結ぶ直線に平行で、かつ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面に直交する方向とされ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向と直交配置されたことを特徴とするものである。
【0019】
請求項5の発明に係わる高周波回路は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波回路において、上記金属筺体を複数のブロックから構成し、上記第2の誘電体回路基板を上記複数のブロックと共に積層して上記金属筺体に固定したことを特徴とするものである。
【0020】
請求項6の発明に係わるマイクロ波回路は、請求項1〜5のずれか1項に記載の高周波回路において、上記金属筺体の上記第1の誘電体回路基板が配置された面に対向する面に、地導体が形成された面を接し、上記第2の誘電体回路基板に隣接させて互いに直交配置された第3の誘電体回路基板を更に備え、上記第3の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第3の誘電体回路基板には1ないし複数個のパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板に形成された1本ないし複数本のストリップ導体を上記第3の誘電体回路基板に隣接する上記第2の誘電体回路基板の一つの側面に延在させて形成された接続用の1個ないし複数個の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第3の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記1個ないし複数個のパッドと上記1個ないし複数個の端部とをそれぞれ金属導体で電気的に接続したことを特徴とするものである。
【0021】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1の高周波回路の構造を示す斜視図である。図において、1は金属筺体、2はボンディングパッド、3a,3bは誘電体基板、4は空隙、5はストリップ導体、6は金属ワイア、7は地導体である。
【0022】
次に構造を説明する。金属筺体1上に誘電体基板3aを設ける。誘電体基板3aはその一方の面に接続端子であるボンディングパッド2を有している。
【0023】
また、金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5を設け、同一面内にてストリップ導体5を誘電体基板3aの方向に曲げ、誘電体基板3bの概略基板端まで延長する。
【0024】
前記ボンディングパッド2と前記ストリップ導体5とを金属ワイア6にて電気的に接続する。
【0025】
次に動作を説明する。誘電体基板3bと地導体7とストリップ導体5とから構成されるマイクロストリップ線路を伝わってきた信号で、ストリップ導体5を流れる信号は金属ワイア6を介して誘電体基板3a上のボンディングパッド2に伝わり、また、マイクロストリップ線路の地導体7を流れる信号は金属筺体1を介して誘電体基板3aに伝わる。
【0026】
ストリップ導体5は線路の正常な動作を保つためその両側の誘電体基板3b面上にストリップ導体幅の2〜3倍のスペースを要するため、以上のようにストリップ導体5を曲げ、誘電体基板端まで延長することにより、金属ワイア6の長さを短くすることができるために、損失を低減できる。また、金属ワイア6の長さを短くすることができるために、リアクタンス成分が減少し反射が低減する。また、金属ワイアの長さを短くすることができるために、振動により接触不良を起こしたり、金属ワイアが金属筺体と接触するのを押さえることができる。
【0027】
この実施の形態では、伝送線路としてマイクロストリップ線路の場合について示したが、コプレーナ線路等でも同様な効果が得られる。
【0028】
また実施の形態では、金属ワイアにて接続する場合について示したが、金属リボン等でも同様な効果が得られる。
【0029】
実施の形態2.
図2は、この発明の実施の形態2の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0030】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5を設ける。ストリップ導体5を誘電体基板3bの端まで延長し、さらに誘電体基板3bの側面まで延長する。
【0031】
前記ボンディングパッド2と誘電体基板3bの側面に位置する前記ストリップ導体5とを金属ワイア6にて電気的に接続する。なお、上記誘電体基板3bの金属ワイア6の接続部の構成については、後述の実施の形態でその製造法等を示す。
【0032】
ストリップ導体5を誘電体基板3bの側面まで延長することにより、金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。
【0033】
また、金属ワイアを同一方向の面上とできるので、通常のボンディング装置にて容易に接続することができる。
【0034】
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0035】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5を設ける。ストリップ導体5を誘電体基板3bの端まで延長し、さらに誘電体基板3bの側面まで延長する。誘電体基板3bの側面まで延長したストリップ導体は、誘電体基板3bの側面で誘電体基板3aの方向に曲げ、基板の端まで延長する。
【0036】
前記ボンディングパッド2と誘電体基板3bの側面に位置する前記ストリップ導体5の誘電体基板3bの基板端付近とを金属ワイア6にて電気的に接続する。
【0037】
ストリップ導体5を誘電体基板3bの側面まで延長し、さらに曲げて基板の端まで延長することにより、金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。
【0038】
実施の形態4.
図4は、この発明の実施の形態4の高周波回路の構造を示す斜視図である。図において、2a,2bはボンディングパッド、3cは誘電体基板、5a,5bはストリップ導体、6a,6bは金属ワイアである。
【0039】
次に構造を説明する。金属筺体1上に誘電体基板3aを設ける。誘電体基板3aはその一方の面に接続端子であるボンディングパッド2a,2bを有している。
【0040】
また、金属筺体1の空隙4に、一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5aを設け、同一面内にてストリップ導体5aを誘電体基板3aの方向に曲げ、誘電体基板3bの概略基板端まで延長する。
【0041】
また、金属筺体1の空隙4に、一方の面に地導体7を有した誘電体基板3cを、誘電体基板2bと地導体7が共通になるように設ける。誘電体基板3cの地導体7と反対の面にストリップ導体5bを設け、同一面内にてストリップ導体5bを誘電体基板3aの方向に曲げ、誘電体基板3cの概略基板端まで延長する。
【0042】
前記ボンディングパッド2aと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5aとを金属ワイア6aにて電気的に接続する。また、前記ボンディングパッド2bと誘電体基板3cの前記ストリップ導体5bとを金属ワイア6bにて電気的に接続する。
【0043】
ストリップ導体5a及び5bを曲げ、基板端まで延長した構成としたことにより、空間的に直交配置された誘電体基板間の接続に要する金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。また、誘電体基板3bと誘電体基板3cとを地導体7が共通になるように設けたために複数の線路を用いる場合でも小形になる。
【0044】
実施の形態5.
図5は、この発明の実施の形態5の高周波回路の構造を示す斜視図である。また、図6は図5の誘電体基板3bのみを図5とは別の角度からみた斜視図である。
【0045】
次に構造を説明する。金属筺体1上に誘電体基板3aを設ける。誘電体基板3aは誘電体基板3bと面する側面にも接続端子であるボンディングパッド2を延長されている。
【0046】
また、金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5を設け、同一面内にてストリップ導体5を誘電体基板3aの方向に曲げ、誘電体基板3bの基板端まで延長し、延長したストリップ導体5は誘電体基板3bの誘電体基板3aに面する側面まで延長する。
【0047】
前記ボンディングパッド2と誘電体基板3bの側面に延長配置された前記ストリップ導体5とを電気的に接続する。接続は誘電体基板3aと誘電体基板3bを接近させ、直接ボンディングパッド2とストリップ導体5とを接触させて行う。
【0048】
ボンディングパッド2を誘電体基板3aの側面にまで延長し、ストリップ導体5を誘電体基板3bの側面まで延長し、直接接触させて接続することにより、金属ワイアを用いる必要が無くなり損失が低減する。
【0049】
また、接続箇所が一ヶ所になり、金属ワイアを用いて2ヶ所接続した場合に比べて信頼性、工作性が向上する。
【0050】
上記実施の形態では、ボンディングパッドとストリップ導体とを直接接触させて接続したが、ボンディングパッドとストリップ導体との間に金属を挟み込んでも同等の効果が得られる。
【0051】
また、上記実施の形態では、ボンディングパッドとストリップ導体とを直接接触させて接続したが、ボンディングパッドとストリップ導体との間を半田、導電性接着剤、導電性塗料等を用いて接着、溶接等の化学的手段にて接続しても同等の効果が得られる。
【0052】
実施の形態6.
図7は、この発明の実施の形態6の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0053】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5a,5bを設け、同一面内にてストリップ導体5a,5bを誘電体基板3aの方向に曲げ、誘電体基板3bの概略基板端まで延長する。
【0054】
前記ボンディングパッド2aと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5aとを金属ワイア6aにて電気的に接続する。また、前記ボンディングパッド2bと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5bとを金属ワイア6bにて電気的に接続する。
【0055】
ストリップ導体5a及び5bを曲げ、基板端まで延長することにより、金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。また、誘電体基板3b上に複数のストリップ導体を設けたために小形になる。
【0056】
実施の形態7.
図8は、この発明の実施の形態7の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0057】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5a,5bを設ける。ストリップ導体5a,5bを誘電体基板3bの端までそれぞれ延長し、さらに誘電体基板3bの側面までそれぞれ延長する。上記実施の形態6では、誘電体基板上のストリップ導体を曲げて誘電体基板の端まで延長したが、図8に示すようにストリップ導体を誘電体基板の上側側面まで延長しても同等の効果が得られる。
【0058】
前記ボンディングパッド2aと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5aとを金属ワイア6aにて電気的に接続する。また、前記ボンディングパッド2bと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5bとを金属ワイア6bにて電気的に接続する。
【0059】
ストリップ導体5a及び5bを誘電体基板側面まで延長することにより、金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。また、誘電体基板3b上に複数のストリップ導体を設けたために小形になる。
【0060】
実施の形態8.
図9は、この発明の実施の形態8の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0061】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設ける。誘電体基板3bの地導体7と反対の面にストリップ導体5a,5bを設ける。ストリップ導体5a,5bを誘電体基板3bの端までそれぞれ延長し、さらに誘電体基板3bの側面までそれぞれ延長する。誘電体基板3bの側面まで延長したストリップ導体5a,5bは、誘電体基板3bの側面で誘電体基板3aの方向にそれぞれ曲げ、誘電体基板3b端までそれぞれ延長する。上記実施の形態6では、誘電体基板上のストリップ導体を曲げて誘電体基板の端まで延長したが、図9に示したようにストリップ導体を誘電体基板の側面まで延長しても同等の効果が得られる。
【0062】
前記ボンディングパッド2aと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5aとを金属ワイア6aにて電気的に接続する。また、前記ボンディングパッド2bと誘電体基板3bの前記ストリップ導体5bとを金属ワイア6bにて電気的に接続する。
【0063】
ストリップ導体5a及び5bを誘電体基板側面までそれぞれ延長し、側面にて誘電体基板3aの方向にそれぞれ曲げて、誘電体基板3bの端までそれぞれ延長することにより、金属ワイアの長さを短くすることができ、損失が低減する。また、誘電体基板3b上に複数のストリップ導体を設けたために小形になる。
【0064】
実施の形態9.
図10は、この発明の実施の形態9の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0065】
次に構造を説明する。ストリップ導体5を有した誘電体基板3bの、ストリップ導体5を設けた面に密着させるように誘電体基板3cを設ける。
【0066】
金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設け、誘電体基板3bのストリップ導体5を設けた他方の面に密着させるように誘電体基板3cを設けることにより金属筺体1との空隙を埋めるように構成したので、空間的に直交配置された誘電体基板間の接続を要する場合に気密を保つことができる。
なお、上記誘電体基板3cには、少なくとも金属筺体1に対面する部分に地導体を設け、この地導体を介して誘電体基板3cを金属筺体1にろう付け等で固定し、金属筺体1との空隙を埋めて誘電体基板3bを金属筺体1に気密に固定するするものである。
【0067】
実施の形態10.
上記実施の形態9では、ストリップ導体が一つの場合について、誘電体基板のストリップ導体を設けた面に接するように誘電体基板を設けたが、この実施の形態10では、ストリップ導体が複数の場合の例を示す。図11は、この発明の実施の形態10に係る高周波回路の構造を示す斜視図である。
【0068】
次に構造を説明する。金属筺体1の空隙4に一方の面に地導体7を有した誘電体基板3bを地導体7を金属筺体1に接触させて設け、誘電体基板3bのストリップ導体5a,5bを設けた他方の面に密着させるように誘電体基板3cを設けることにより金属筺体1との空隙を埋めるように構成した。
【0069】
なお、誘電体基板3cの金属筺体1への固定は、上記実施の形態9と同様にでき、空間的に直交配置された誘電体基板間の接続を要する場合に気密を保つことが容易になる。
【0070】
実施の形態11.
図12、図13は、上記実施の形態2、実施の形態7または実施の形態10で示した高周波回路の誘電体基板3bの構造および製造法の一例を示す説明図であり、図12は切断前、図13は切断後を示すものである。図において、7a,7bは地導体、8a,8bはスルーホール、9は切断線である。
【0071】
次に構造を説明する。誘電体基板3の一方の面にストリップ導体5a,5bを設ける。また、誘電体基板3のストリップ導体を設けた面とは反対の面に地導体7a,7bを設ける。また、誘電体基板3のストリップ導体5a,5bに接し、地導体7a,7bに接しないようにスルーホール8a,8bを各々設ける。
【0072】
次に、スルーホール8a,8bの概略中心を通る切断線9に沿って誘電体基板3を切断する。
【0073】
誘電体基板3を切断線9に沿って切断することによりできる誘電体基板3a,3bは、それぞれストリップ導体がスルーホールによって誘電体基板の側面に延長された形状になり、容易に誘電体基板の側面にストリップ導体を延長させた誘電体基板を製造することができる。
【0074】
実施の形態12.
図14、図15は、上記実施の形態3で示した高周波回路の誘電体基板3bの構造および製造法の一例を示す説明図であり、図14は切断前、図15は切断後のものである。図において、3d,3e,3f,3gは誘電体基板、8はスルーホール、9a,9bは切断線である。
【0075】
次に構造を説明する。誘電体基板3の一方の面にストリップ導体5a,5bを設ける。また、誘電体基板3のストリップ導体を設けた面とは反対の面に地導体7a,7bを設ける。また、誘電体基板3のストリップ導体5a,5bに接し、地導体7a,7bに接しないように細長いスルーホール8を設ける。
【0076】
次に、スルーホール8の概略中心を通る切断線9aおよび切断線9aに概略直角に交わり、スルーホール8の概略中心を通る切断線9bに沿って誘電体基板3を切断する。
【0077】
誘電体基板3を線9a、線9bに沿って切断することによりできる誘電体基板3d,3e,3f,3gは、それぞれストリップ導体がスルーホールによって誘電体基板の側面に延長され、さらに直角に曲がった形状になり、容易に誘電体基板の側面にストリップ導体を延長させさらに直角に曲げた誘電体基板を製造することができる。
【0078】
実施の形態13.
図16、図17は、この発明の高周波回路の金属筺体の構造および製造法の一例を示す斜視図であり、図16は組み合わせ前、図17は組み合わせ後のものである。図において、1a,1b,1c,1dは金属筺体の各部である。
【0079】
次に構造を説明する。誘電体基板3は、金属筺体1dに装着する。誘電体基板を装着後、金属筺体1a,1b,1c,1dを組み合わせて金属筺体1を構成する。
【0080】
金属筺体1を金属筺体1a,1b,1c,1dにより組み合わせて構成することにより、組立前に金属筺体1dに誘電体基板3を装着することができ、容易に空間的に直交配置する誘電体基板を装着できる金属筺体を製作することができる。
【0081】
実施の形態14.
図18は、この発明の空間的に直交配置された誘電体基板を備えたマイクロ波回路の一実施の形態の構成を示す斜視図である。また、図19は、図18のA−A断面図である。
【0082】
次に構造を説明する。金属筺体1の一方の面に誘電体基板3aを装着する。誘電体基板3a上には例えばマイクロ波回路が構成されている。また、金属筺体1の誘電体基板3aが装着された反対の面に誘電体基板3bを装着する。誘電体基板3b上にも例えばマイクロ波回路が構成されている。また、金属筺体1の一部に穴を設け、一方の面に地導体を他方の面にストリップ導体5を設けた誘電体基板3cを上記誘電体基板3aおよび誘電体基板3bに直交させて装着する。誘電体基板3c上のストリップ導体5は両端とも誘電体基板3cの端まで延長し、さらに誘電体基板3cの側面まで延長する。また、誘電体基板3cのストリップ導体5を設けた面に接するように誘電体基板3dを設ける。
【0083】
誘電体基板3a上のボンディングパッド2aとストリップ導体5とを金属ワイア6aにて接続する。また、誘電体基板3b上のボンディングパッド2bとストリップ導体5とを金属ワイア6bにて接続する。
【0084】
以上のように空間的に直交配置された誘電体基板を備えてマイクロ波回路を構成することにより、金属筺体1の両面に誘電体基板を装着し、マイクロ波回路を2つの誘電体基板に分割して配置することができ、一枚の誘電体基板に回路を構成する場合に比べて、マイクロ波回路を小形に形成することができる。
さらに、誘電体基板を金属筺体1の一つの壁の両面にそれぞれ設けるので、回路間の遮蔽を容易に実現できる効果がある。
【0085】
上記実施の形態では、回路を誘電体基板3a,3b上に構成したが、さらに誘電体基板3c上に構成しても良く、マイクロ波回路を小形に形成することができる。
【0086】
実施の形態15.
図20は、この発明の空間的に直交配置された誘電体基板を備えたマイクロ波回路の一実施の形態である送受信装置の構成を示す平面図である。なお、この実施の形態では送受信装置の中の受信部についてのみ示す。図において、2a,2b,2c,2dはボンディングパッド、6a,6b,6c,6dは金属ワイア、11a,11bは増幅器、12はフィルタ、13はミクサである。
【0087】
次に構造を説明する。金属筺体1の一方の面に誘電体基板3a及び誘電体基板3bを装着する。誘電体基板3a上には増幅器11aが構成されている。誘電体基板3b上には増幅器11bとミクサ12が構成されている。また、金属筺体1の誘電体基板3a,3bが装着された面の反対の面に誘電体基板3cを装着する。誘電体基板3c上にはフィルタ13が構成されている。また、金属筺体1の一部に空隙4を設け、空隙4に誘電体基板3dを上記誘電体基板3a,3b,3cに直交するように配置して装着する。誘電体基板3d上にはストリップ導体5a,5bが構成されており、ストリップ導体5a,5bは各々誘電体基板3dの端まで延長され、さらに誘電体基板3dの側面まで延長されている。
【0088】
誘電体基板3a上のボンディングパッド2aと誘電体基板3d上のストリップ導体5aとは金属ワイア6aにて接続されている。また、誘電体基板上3d上のストリップ導体5aと誘電体基板3c上のボンディングパッド2bとは金属ワイア6bにて接続されている。また、誘電体基板3c上のボンディングパッド2cと誘電体基板3d上のストリップ導体5bとは金属ワイア6cにて接続されている。また、誘電体基板上3d上のストリップ導体5bと誘電体基板3b上のボンディングパッド2dとは金属ワイア6dにて接続されている。
【0089】
以上のように上記実施の形態14で示した空間的に直交配置された誘電体基板を備えたマイクロ波回路により、金属筺体の両面に誘電体基板を装着し、送受信装置を構成するマイクロ波回路を複数の誘電体基板に分割して配置することができ、同一平面に回路を構成する場合に比べて、送受信装置を小形に形成することができる。
さらに、誘電体基板を金属筺体の一つの壁の両面にそれぞれ設けるので、回路間の遮蔽を容易に実現できる効果がある。
【0090】
【発明の効果】
請求項1、2、3または4の発明によれば、第1の誘電体回路基板と第2の誘電体回路基板を接続する金属導体の長さを短くすることができ、損失を低減させると共にリアクタンス成分を減少させて反射を小さくする効果がある。また、振動などによる接触不良や周辺部との接触を回避する効果がある。さらに、通常のボンディング装置で容易に接続できる効果がある。
【0091】
請求項5の発明によれば、金属筺体を複数のブロックから構成し、第2の誘電体回路基板を上記複数のブロックと共に積層して上記金属筺体に固定するので、第2の誘電体回路基板を事前に金属筺体に装着でき、組み立ての容易な高周波回路を得られる効果がある。
【0092】
請求項6の発明によれば、マイクロ波回路を複数の誘電体回路基板に分割し、金属筺体の両面に配置することができ、同一平面に構成する場合に比べて小形のマイクロ波回路を得られる効果がある。さらに、誘電体回路基板を金属筺体の一つの壁の両面にそれぞれ設けるので、回路間の遮蔽を容易に実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1の構造を示す斜視図である。
【図2】 この発明の実施の形態2の構造を示す斜視図である。
【図3】 この発明の実施の形態3の構造を示す斜視図である。
【図4】 この発明の実施の形態4の構造を示す斜視図である。
【図5】 この発明の実施の形態5の構造を示す斜視図である。
【図6】 この発明の実施の形態5の誘電体基板3bのみを図5とは別の角度から見た斜視図である。
【図7】 この発明の実施の形態6の構造を示す斜視図である。
【図8】 この発明の実施の形態7の構造を示す斜視図である。
【図9】 この発明の実施の形態8の構造を示す斜視図である。
【図10】 この発明の実施の形態9の構造を示す斜視図である。
【図11】 この発明の実施の形態10の構造を示す斜視図である。
【図12】 この発明の実施の形態11の切断前の誘電体基板の構造を示す平面図である。
【図13】 この発明の実施の形態11の切断後の誘電体基板の構造を示す平面図である。
【図14】 この発明の実施の形態12の切断前の誘電体基板の構造を示す平面図である。
【図15】 この発明の実施の形態12の切断後の誘電体基板の構造を示す平面図である。
【図16】 この発明の実施の形態13の組立前の金属筺体の構造を示す斜視図である。
【図17】 この発明の実施の形態13の組立後の金属筺体の構造を示す斜視図である。
【図18】 この発明の実施の形態14の構造を示す斜視図である。
【図19】 この発明の実施の形態14の構造を示す断面図である。
【図20】 この発明の実施の形態15の構造を示す平面図である。
【図21】 従来の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【図22】 従来の高周波回路の構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,1a,1b,1c,1d 金属筺体、2,2a,2b,2c,2d ボンディングパッド、3a,3b,3c,3d 誘電体基板、4 空隙、
5,5a,5b ストリップ導体、6,6a,6b,6c 金属ワイア、
7,7a,7b 地導体、8,8a,8b スルーホール、9,9a,9b 切断線、11a,11b 増幅器、12 ミクサ、13 フィルタ、
14,14a,14b,14c 同軸線路、15,15a,15b,15c 同軸線路の中心導体。

Claims (6)

  1. 地導体が形成された面をそれぞれ金属筐体に接し、隣接させて互いに直交配置された第1の誘電体回路基板と第2の誘電体回路基板とを備え、上記第1の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第1の誘電体回路基板にはパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板にはストリップ導体を側面に延在させて形成された接続用の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第1の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記パッドと上記端部とを金属導体で電気的に接続した高周波回路。
  2. 地導体が形成された面をそれぞれ金属筐体に接し、隣接させて互いに直交配置された第1の誘電体回路基板と第2の誘電体回路基板とを備え、上記第1の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第1の誘電体回路基板には複数個のパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板には複数本のストリップ導体をそれぞれ一つの側面に延在させて形成された接続用の複数個の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第1の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記複数個のパッドと上記複数個の端部とをそれぞれ金属導体で電気的に接続した高周波回路。
  3. 請求項1、又は2記載の高周波回路において、上記第2の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向が、上記パッドと上記接続用の端部とを結ぶ直線に直交する方向とされ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向と直交配置されたことを特徴とする高周波回路。
  4. 請求項1記載の高周波回路において、上記第2の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向が、上記パッドと上記接続用の端部とを結ぶ直線に平行で、かつ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面に直交する方向とされ、上記第1の誘電体回路基板の地導体が形成された面の方向と直交配置されたことを特徴とする高周波回路。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波回路において、上記金属筺体を複数のブロックから構成し、上記第2の誘電体回路基板を上記複数のブロックと共に積層して上記金属筺体に固定したことを特徴とする高周波回路。
  6. 請求項1〜5のずれか1項に記載の高周波回路において、上記金属筺体の上記第1の誘電体回路基板が配置された面に対向する面に、地導体が形成された面を接し、上記第2の誘電体回路基板に隣接させて互いに直交配置された第3の誘電体回路基板を更に備え、上記第3の誘電体回路基板と上記第2の誘電体回路基板の接続に供する隣接部において、上記第3の誘電体回路基板には1ないし複数個のパッドが形成され、上記第2の誘電体回路基板に形成された1本ないし複数本のストリップ導体を上記第3の誘電体回路基板に隣接する上記第2の誘電体回路基板の一つの側面に延在させて形成された接続用の1個ないし複数個の端部が設けられ、上記第2の誘電体回路基板の上記側面を上記パッドが形成されている上記第3の誘電体回路基板の面と同じ向きでほぼ同一方向に配置し、上記1個ないし複数個のパッドと上記1個ないし複数個の端部とをそれぞれ金属導体で電気的に接続したことを特徴とするマイクロ波回路。
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